JP4388165B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板の一面上にワイヤボンド実装されたICチップや半導体素子等の回路素子(ワイヤボンド実装部)を備える半導体装置の製造方法に関し、特に回路素子の樹脂の封止方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
ワイヤボンド実装部を備える半導体装置の製造方法は、基板上に回路構成用の回路素子を搭載し、ワイヤボンディングを行うことにより、回路素子と基板とをワイヤにて結線した後、基板上において回路素子及びワイヤにより構成されるワイヤボンド実装部を樹脂で包み込むように封止することにより行われる。この樹脂封止により、ワイヤボンド実装部におけるワイヤ接続部の機械的、化学的な保護がなされる。
【0003】
この樹脂による封止は、一般に、ディスペンス方式または印刷方式により行われる。以下、印刷方式による樹脂封止を図3に基づいて説明する。図3(a)は樹脂封止が行われる前の回路素子が搭載された基板の平面図を示し、図3(b)はメタルマスクの平面図を示し、図3(c)、(d)は樹脂印刷の工程を示す断面図を示している。
【0004】
図3(a)に示す様に、回路基板J1上には、ICチップ(回路素子)J2および他のチップ部品(チップコンデンサ等)J5が搭載されている。ICチップJ2はワイヤボンディングにより形成されたワイヤJ4により回路基板J1と電気的に接続されている。ICチップJ2は樹脂封止される樹脂被覆部品を構成し、チップ部品J5は樹脂封止されない非樹脂被覆部品を構成している。
【0005】
図3(b)示す様に、メタルマスクJ7は、ICチップJ2及びワイヤJ4(ワイヤボンド実装部)を含む領域を樹脂で封止するとともにチップ部品J5を含む領域での樹脂の付着を防止するために、ワイヤボンド実装部に対応した開口部J6が形成されている。このメタルマスクJ5を、回路基板J1上のワイヤボンド実装部に開口部J6の位置を合わせて配置する。
【0006】
次に、図3(c)に示す様に、樹脂J9を開口部J6から注入し、スキージJ8を用いてメタルマスクJ7上から樹脂J9を印刷する。この後、回路基板J1上からメタルマスクJ7を外すと、図3(d)に示す様な形状の樹脂J9による封止体(樹脂封止体)J10が形成される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来技術では、回路基板に対して1枚の大きなメタルマスクを用いている。このため、同一回路基板上において樹脂封止を行う樹脂被覆部品と、樹脂封止を行わない非樹脂被覆部品とが混載されている場合には、メタルマスクJ7の図3(b)中の破線部分に、非樹脂被覆部品に対応する凹部(ザグリ部)J7aを形成している。従って、非樹脂被覆部品がある程度の高さを有する場合には、メタルマスクJ7のマスク厚(樹脂封止体の厚み)hは非樹脂被覆部品の高さに制約を受けることになる。
【0008】
また、同一回路基板上に大きさの異なる複数の樹脂被覆部品が搭載されており、それぞれの樹脂被覆部品の高さに応じて樹脂封止体の厚みを変更したい場合であっても、樹脂封止体の厚みは高さの高い方の樹脂被覆部品に合わせざるを得ない。さらに、樹脂被覆部品によって樹脂材料を変更したい場合であっても、樹脂材料を変更することができない。
【0009】
本発明は、上記点に鑑み、ワイヤボンド実装部を備える半導体装置において、同一基板内でワイヤボンド実装部を封止する樹脂封止体の厚さ、樹脂材料等を変更できる製造方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、基板(10)上に回路構成用の複数の異なる大きさの回路素子(20、21)を搭載し、ワイヤボンディングを行うことにより、回路素子と基板とをワイヤ(40、41)にて結線した後、回路素子及びワイヤからなる複数のワイヤボンド実装部を樹脂(90)で包み込むように封止する半導体装置の製造方法において、
予め、複数のワイヤボンド実装部に応じたサイズの異なる複数のマスク部材(70、71)を用意する工程と、ワイヤボンディングを行った後、ワイヤボンド実装部に対応するマスク部材(70、71)を基板上に配置して、マスク部材(70、71)に形成された開口部(70a、71a)を通して基板上のワイヤボンド実装部に樹脂を印刷することを各実装部ごとに繰り返し行う工程とを備えることを特徴としている。
【0011】
このように、複数のマスク部材(20、21)を用意して、ワイヤボンド実装部に対応したマスク部材を適宜交換して樹脂印刷を行うことにより、同一回路基板上に複数の異なる大きさのICチップ(20、21)が搭載されていても、それぞれのICチップに応じて樹脂印刷の厚みを変更できる。また、マスク部材(70、71)のマスク厚は樹脂封止しないチップ部品(50)の高さに制約を受けることなく、ICチップ(20、21)の高さに応じた樹脂印刷を行うことができる。さらに、個々のワイヤボンド実装部ごとに樹脂封止を行うので、必要に応じてワイヤボンド実装部ごとに樹脂材料を変更することが可能となる。
【0012】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した実施形態について図に基づいて説明する。本実施形態は、ワイヤボンド実装された回路構成用のICチップあるいは半導体素子、及び、コンデンサ等のチップ部品が搭載された半導体装置(混成集積回路)に適用したものとして説明する。図1(a)はICチップ等が実装され、樹脂印刷を行う前の回路基板の平面図であり、図1(b)は樹脂印刷に用いるメタルマスクの平面図であり、図1(c)〜(e)は樹脂印刷の工程を示す断面図である。
【0014】
図1(e)に示すように、半導体装置100は、例えば樹脂製のプリント基板やセラミック基板等に対して図示しない電極部(配線部)が形成されている回路基板10を有する。回路基板10の一面上には、回路を構成する素子としてのICチップ(本発明でいう回路素子)20、21がAgペースト30、31を介して接着することにより搭載されている。ICチップ20、21は、ワイヤボンディングにより形成された金やアルミニウム等からなるワイヤ40、41により、回路基板10の上記電極部と結線され電気的に接続されている。ICチップ20、21およびワイヤ40、41はワイヤボンド実装部を構成している。なお、本実施形態では大きさの異なる第1のICチップ20と第2のICチップ21とが回路基板上に搭載されている。
【0015】
また、回路基板10の一面上には、回路素子としての他のチップ部品(コンデンサや抵抗等)50が、回路基板10の上記電極部と電気的に接続するように、Agペースト等により搭載されている。そして、これらICチップ20、21、ワイヤ40、41およびチップ部品50は、回路基板10の上記電極部とともに、電気的に回路を構成するようになっている。
【0016】
回路基板10の一面上において、ICチップ20、21は樹脂封止される樹脂被覆部品を構成し、エポキシ樹脂等からなる樹脂封止体60、61によって包み込むように封止されることにより、外部から保護される。また、チップ部品50は樹脂封止されない非樹脂被覆部品を構成している。
【0017】
ワイヤボンド実装部の樹脂封止に用いるメタルマスク(本発明でいうマスク部材)70、71は、図1(b)に示すように、開口部70a、71aがワイヤボンド実装部を包み込むことができる範囲で、できるだけ小さくなるように形成されている。本実施形態では、大きさの異なる複数のワイヤボンド実装部に応じて複数のメタルマスク70、71を用いる。具体的には、これらのメタルマスク70、71は、マスク厚(マスクの高さ)、開口部70a、71aの形状が異なるように構成されている。メタルマスク70、71は、例えば、SUS(ステンレス)等の板材を、型で打ち抜く等によって形成することができる。
【0018】
以下、上記構成の半導体装置100の製造方法について、図1を参照して説明する。まず、図1(a)に示す、一面上にAgペースト30、31を介して接着され且つワイヤボンド実装されたICチップ20、21と、Agペースト等で接着されたチップ部品50とを搭載した回路基板10を用意する。そして、図1(b)に示す、回路基板上のワイヤボンド実装部に応じた複数のメタルマスク70、71を用意する。
【0019】
次に、図1(c)に示す様に、回路基板10上における第1のICチップ20からなるワイヤボンド実装部に、マスク厚h1の第1のメタルマスク70を設置し、スキージ80を用いて樹脂90を印刷する(樹脂印刷工程)。具体的には、第1のメタルマスク70の開口部70aに液状の樹脂90を注入し、スキージ80を図1(c)中の矢印方向にメタルマスク70を押し付けながら滑らす。これにより、メタルマスク70の開口部70aを通して回路基板10上のワイヤボンド実装部に樹脂90を印刷することができる。樹脂印刷後、第1のメタルマスク70を回路基板上から取り除く。これにより、高さh1の樹脂封止体60が形成される。
【0020】
次に、図1(d)に示す様に、回路基板10上における第2のICチップ21からなるワイヤボンド実装部に、マスク厚h2の第2のメタルマスク71を配置して、上記と同様に、スキージ80を用いて樹脂90を印刷する。このとき必要であれば、樹脂材料を変更することができる。樹脂印刷後、第2のメタルマスク71を回路基板上から取り除く。これにより、高さh2の樹脂封止体61が形成される。
【0021】
以上の図1(c)、(d)に示す樹脂印刷工程を繰り返して、回路基板上のすべてのワイヤボンド実装部に樹脂90を印刷する。すべてのワイヤボンド実装部の樹脂印刷終了後、熱処理等により樹脂封止体60、61を硬化させる。これにより、図1(e)に示す半導体装置100を得ることができる。
【0022】
上記の本実施形態のように、開口部の形状、マスク厚の異なる複数のメタルマスクを用意し、ワイヤボンド実装部に応じたメタルマスクを適宜交換して樹脂印刷する場合の効果について図2に基づいて説明する。図2(a)は樹脂封止を行う前の回路基板を示し、図2(b)は従来技術のメタルマスクを用いた場合を示し、図2(c)は本実施形態のメタルマスクを用いた場合を示している。
【0023】
図2(a)に示すような、ICチップ20、21に加えて高さの高いチップ部品50′が搭載されている回路基板において、図2(b)に示す従来の1枚の大きなメタルマスクJ7を用いて樹脂印刷を行う場合には、メタルマスクのマスク厚hはチップ部品50′の高さに制約を受けるとともに、すべてのワイヤボンド実装部において樹脂封止体の厚みや樹脂材料が固定される。これに対し、図2(c)に示すように、本実施形態のメタルマスク70、71を用いれば、メタルマスクのマスク厚h1、h2はチップ部品50′の高さには影響されず、また、樹脂被覆部品(ICチップ)の大きさに応じて樹脂封止体の厚みを変更でき、さらに、必要であれば樹脂材料を個々のワイヤボンド実装部ごとに変更することが可能となる。
【0024】
なお、上記実施形態では、メタルマスクを順次交換しながら、ワイヤボンド実装部への樹脂印刷を1個所ずつ行ったが、メタルマスクを回路基板上に配置する駆動部とメタルマスク上を移動するスキージを複数備える印刷機を用いて、メタルマスクが重ならない範囲で複数箇所のワイヤボンド実装部を同時に印刷することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す説明図である。
【図2】本実施形態および従来技術におけるメタルマスクの比較を示す断面図である。
【図3】従来技術の印刷による樹脂封止方法を示す説明図である
【符号の説明】
10…回路基板、20、21…ICチップ、30、31…Agペースト、
40、41…ワイヤ、50…チップ部品、60、61…樹脂封止体、
70、71…メタルマスク、80…スキージ。
Claims (1)
- 複数の異なる大きさの回路素子が搭載された回路基板において、ワイヤボンディングを行うことにより、回路素子と基板とをワイヤにて結線した後、前記回路素子及び前記ワイヤからなる複数のワイヤボンド実装部を樹脂で包み込むように封止する半導体装置の製造方法において、
予め、前記複数のワイヤボンド実装部に応じたサイズの異なる複数のマスク部材を用意する工程と、
前記ワイヤボンド実装部に対応する前記マスク部材を前記基板上に配置して、前記マスク部材に形成された開口部を通して前記基板上の前記ワイヤボンド実装部に前記樹脂を印刷することを各実装部ごとに繰り返し行う工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19229399A JP4388165B2 (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001024311A JP2001024311A (ja) | 2001-01-26 |
JP4388165B2 true JP4388165B2 (ja) | 2009-12-24 |
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ID=16288877
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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JP (1) | JP4388165B2 (ja) |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070807 |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071120 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080401 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090831 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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