JP4378892B2 - リードフレームの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、リード部が電子部品に接続された状態で該電子部品とともに樹脂にてモールドされるようになっているリードフレームの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、樹脂にてモールドされるリード部を有するリードフレームを用いた電子部品として、半導体チップを樹脂にてモールドした半導体装置がある。その一般的な断面構成を図1に示す。
【0003】
このICチップ20は、次のような工程でリードフレームのリード部11および樹脂40と一体化される。まず、板状のリードフレーム素材(フープ材)を用意し、この板状素材に型抜き加工を施し、所定形状のリードフレームとなるように打ち抜く。
【0004】
次に、リードフレームのアイランド部15にICチップ20を搭載し、導電性接着剤70あるいは半田により両者を接続するとともに、インナーリード12にICチップ20をワイヤボンディングにて電気的に接続する。
【0005】
次に、リード部11と一体化されたICチップ20を、樹脂40にてモールドする。その後、リード部11を連結しているタイバーを切断し、個々の半導体装置に分断するとともに、アウターリード13を折り曲げる等により、その形状を調整(フォーミング)することで、図1に示す半導体装置S1が出来上がる。
【0006】
そして、この半導体装置S1は、図7に示す様に、基板100に実装される。部品実装用の表面電極101が形成された基板100を用意し、所定の表面電極101に半田ペースト102を印刷する(図7(a))。続いて、所定部位の半田ペースト102上に、タンタルコンデンサC2や、ICチップ等の他部品103とともに上記半導体装置S1を搭載する(図7(b))。
【0007】
次に、加熱することで半田を溶融させ、各部品を半田接続する(図7(c))。次に、半田ペースト102中の成分であるフラックス105を除去するために、グリコールエーテル等を主成分とした洗浄剤を用いて、基板100を洗浄する(図7(d))。そして、ワイヤボンディング108、放熱板106の基板100への接着、封止部材107による封止等のパッケージングを行う(図7(e))。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記した部品の基板100への実装工程における洗浄工程にて、半導体装置S1において、リード部11のインナーリード(樹脂40内に位置するリード部の部分)12とモールド樹脂40との界面から洗浄剤が侵入しやすいという問題があった。
【0009】
これを防ぐため、リードフレームを製造する際に、板状素材の表裏両面をサンドブラストしたり、メッキする等により、当該表裏両面を粗くし、樹脂40との密着性を向上させることが、従来より行われている(特開平4−253314号公報、特開平5−21290号公報、特開昭63−160367号公報等)。しかし、本発明者等の検討では、それでも、洗浄剤の侵入防止は不十分であることがわかった。
【0010】
特に、近年の脱フロン化に伴い、洗浄剤には、上記したようなグリコールエーテル等を主成分とした洗浄剤が用いられている。このようなフロンに替わる洗浄剤は、侵入力がフロンよりも高いだけでなく、フロンよりも沸点が高いため内部に侵入したら、抜けにくい。そして、洗浄剤が侵入すると、素子の特性(漏れ電流等)が変化したり、Al腐食発生に至ったりする。
【0011】
そして、このような問題は、上記の半導体装置S1に限らず、リード部と一体化された電子部品を樹脂にてモールドしてなるものにおいては、共通の問題である。例えば、タンタル粉末の焼結体をリードフレームのリード部に接続し、これを樹脂にてモールドしたタンタルコンデンサ等の電解コンデンサにおいても、同様の問題が生じる。
【0012】
そこで、本発明は上記問題に鑑み、リード部が樹脂にてモールドされるようになっているリードフレームにおいて、リード部とモールド樹脂と界面からの洗浄剤の侵入をより確実に防止できるようにすることを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明者等の検討によれば、従来では、樹脂との密着性を向上させるべくリードフレームの板状素材の表裏両面を粗くする処理は、型抜き加工の前に行うため、型抜きされたリード部の側面(型抜きによる切断面)では未処理のままであり、この側面と樹脂との界面から侵入することがわかった。本発明はこの点に着目してなされたものである。
【0014】
すなわち、請求項1に記載の発明では、リード部(11、50、51)が樹脂(40)にてモールドされるようになっている板状のリードフレームを製造する方法であって、板状の素材を所望形状に型抜きしてリードフレームの形状を形成した後、リード部のうち少なくともインナーリード(12、52)におけるアウターリード(13、53)との境界部の全周面を、前記樹脂との密着性を向上させるように表面処理するものであって、当該表面処理は、サンドブラストもしくはレーザ照射のノズルの向きを変えることにより、被処理面としてのインナーリードにおけるアウターリードとの境界部の表裏両面および両側面に研磨材もしくはレーザを当てて当該被処理面を粗くする処理を行うものであることを特徴としている。
【0015】
請求項2に記載の発明では、リード部(11、50、51)が樹脂(40)にてモールドされるようになっているリードフレームを製造する方法であって、板状の素材を所望形状に型抜きして前記リードフレームの形状を形成した後、リード部のうち少なくともインナーリード(12、52)におけるアウターリード(13、53)との境界部の全周面を、当該樹脂との密着性を向上させるように表面処理するものであって、当該表面処理は、サンドブラストもしくはレーザ照射により、被処理面としてのインナーリードにおけるアウターリードとの境界部の表裏両面および両側面に研磨材やレーザを当てて処理を行うものであり、当該側面を処理するときには、サンドブラストもしくはレーザ照射のノズル(K1)の絞りを、当該表裏両面の処理時に比べてゆるめて放射状に噴射もしくは照射を行うことで、当該側面を粗くする処理を行うものであることを特徴とする。
【0016】
請求項3に記載の発明では、リード部(11、50、51)が樹脂(40)にてモールドされるようになっているリードフレームを製造する方法であって、板状の素材を所望形状に型抜きしてリードフレームの形状を形成した後、リード部のうち少なくともインナーリード(12、52)におけるアウターリード(13、53)との境界部の全周面を、当該樹脂との密着性を向上させるように表面処理するものであって、当該表面処理は、被処理面としてのインナーリードにおけるアウターリードとの境界部の表裏両面および両側面にレーザ照射を行うものであり、当該側面を処理するときには、レーザ照射のノズル(K1)と当該側面との間に、ミラー(K2)を介在させ、このミラー(K2)によるレーザの屈折を利用して、当該側面を粗くする処理を行うものであることを特徴とする。
【0017】
請求項4に記載の発明では、リード部(11、50、51)が樹脂(40)にてモールドされるようになっているリードフレームを製造する方法であって、板状の素材を所望形状に型抜きしてリードフレームの形状を形成した後、リード部のうち少なくともインナーリード(12、52)におけるアウターリード(13、53)との境界部の全周面を、当該樹脂との密着性を向上させるように表面処理するものであって、当該表面処理は、被処理面としてのインナーリードにおけるアウターリードとの境界部の表裏両面および両側面にプラズマ照射を行うものであり、当該プラズマ照射は、プラズマ照射装置における上部電極(K4)と下部電極(K5)との間にインナーリードを介在させ、当該両電極(K4、K5)に電界印加してプラズマを発生させるものであって、当該上部電極(K4)に対して、当該側面の近傍まで突出する突起(K6)を設け、当該下部電極(K5)には、当該突起(K6)に対応した凹部(K7)を設けることにより、当該側面にまでプラズマを照射するものであることを特徴とする。
【0018】
これら請求項1〜3に記載の発明のように、被処理面にサンドブラスト処理を行ったり、レーザ照射を行ったりする処理によれば、被処理面の面粗さを粗くして、樹脂との密着性を向上させることができる。また、請求項4に記載の発明のように、被処理面にプラズマ照射を行うものであれば、リード部の各面に存在する汚れや酸化物を除去することが出来、樹脂との密着性を向上させることができる。こうして、請求項1〜4に記載の発明によれば、板状のリード部におけるインナーリードの表裏両面(12a、12b、52a、52b)だけでなく、従来、樹脂との密着性を向上させる処理がなされていなかったインナーリードの側面(12c、52c)まで、樹脂との密着性を向上させるように表面処理がなされるため、リード部と樹脂との界面の全周において密着性を良好に確保できる。従って、リード部とモールド樹脂との界面からの洗浄剤の侵入をより確実に防止することができる。
【0019】
また、請求項5に記載の発明は、請求項1ないし4のいずれか1つに記載のリードフレームの製造方法において、インナーリード(12)を、表面処理後にワイヤ(30)と接合されるものとしたとき、表面処理は、インナーリードの表裏両面および両側面のうち、ワイヤとの接合部(12d)を除いた部位に対して行うものであることを特徴とする。
【0020】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【0021】
【発明の実施の形態】
(第1実施形態)
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係るリードフレームを用いた樹脂モールドされる電子部品としての半導体装置S1の概略断面図である。
【0022】
この半導体装置S1において、リードフレームのアイランド部15に導電性接着剤(または半田)70を介して搭載されたICチップ20が、曲げられた板状のリード部11に対して、AuやAl等のワイヤボンディングにより形成されたワイヤ30を介して電気的に接続されている。
【0023】
そして、これらアイランド部15に搭載されたICチップ20、リード部11およびワイヤ30が、エポキシ樹脂等の樹脂40にて包み込まれるようにモールドされてなり、いわゆる樹脂封止型半導体装置が構成されている。
【0024】
ここで、リード部11は、Cu、Ni、42アロイ等の金属材料より構成することができる。各リード部11のうち、樹脂40の内部に位置する部位はインナーリード12、樹脂40の外部に引き出されている部位はアウターリード13である。そして、アウターリード13は、樹脂40の外部にて所定形状に曲げられている。
【0025】
なお、図1に示す各リード部11においては、紙面垂直方向にリード部11の板面の表裏両面(つまり、インナーリード12の表面12a、裏面12b)が位置し、紙面にはリード部11における一方の側面(つまり、インナーリード12の一方の側面12c)が表されている。
【0026】
次に、リードフレームの製造方法を中心に、上記半導体装置S1の製造方法について説明する。まず、板状(テープ形状)のリードフレーム素材(フープ材)を用意し、この板状素材に型抜き加工を施し、所定形状のリード部11及びアイランド部15が形成されるように、打ち抜く。
【0027】
ここで、図2は、型抜き加工後における板状リードフレームの形状を、リードフレームの板面の表面側つまりインナーリード12の表面12a側からみた平面図である。また、図3は、型抜き加工後における板状リードフレームの概略側面形状を、上記図1と同様の視点から見た図である。
【0028】
図2及び図3中に矩形破線で囲んだ領域内が樹脂40でモールドされる領域である。また、この状態では、各リード部11はタイバー14にて連結されている。
【0029】
このように型抜き加工によってリードフレームの形状を形成した後、本実施形態では、リード部11のうち少なくともインナーリード12におけるアウターリード13との境界部の全周面(表裏両面12a、12bおよび両側面12c)を、樹脂40との密着性を向上させるように表面処理する。
【0030】
図2、図3に示す例では、上記表面処理された部位(表面処理部)Hは、斜線ハッチングにて表してある。つまり、表面処理部Hは、インナーリード12の表裏両面12a、12bおよび両側面12cのうち、ワイヤ30との接合部(ワイヤ接合部)12dを除いた部位に、形成されている。
【0031】
この表面処理の方法としては、図4、図5に示す様に、被処理面12a、12b、12cにサンドブラスト処理を行ったり、レーザ照射を行ったり、無機物を吹きつけたりすることで行うことができる。これらの処理によれば、被処理面の面粗さを粗くして、樹脂との密着性を向上させることができる。なお、図4、図5では、インナーリード12は断面形状を示してある。
【0032】
まず、図4は、サンドブラストやレーザ照射による表面処理方法を示す説明図である。図4(a)に示す様に、サンドブラストやレーザ照射のノズルK1の向きを変えることにより、型抜きされたリードフレームにおけるインナーリード12の表裏両面12a、12bおよび両側面12cに研磨材やレーザを当て、被処理面を粗くすることができる。
【0033】
また、図4(b)に示す様に、側面12cを処理するときには、上記ノズルK1の絞りを、表裏両面12a、12bの処理時に比べてゆるめ、放射状に噴射(照射)することで、ノズルK1の向きを変えずに、側面12cを粗くすることができる。
【0034】
また、図4(c)に示す様に、レーザ照射においては、ノズルK1と側面12cとの間に、ミラーK2を介在させ、このミラーK2によるレーザの屈折を利用して、側面12cを粗くするようにしても良い。ここで、サンドブラストにおいては、例えばアルミナ等の研磨材を用い、また、レーザ照射においては、被処理面を溶かして荒らすためにYAGレーザ等を用いることができる。
【0035】
また、図5は、無機物を吹きつけることによる表面処理方法を示す説明図であり、SiO2等の溶融ガラスや金属等の粒子K3を、被処理面12a〜12cに吹き付けることにより、当該被処理面を粗くすることができる。ちなみに、通常のリードフレームの面粗さはRzで0.7μm程度であるが、上記表面処理後の面粗さはRzで2μm以上にすることができる。
【0036】
また、上記表面処理方法としては、図6の断面図に示す様に、被処理面12a〜12cにプラズマ照射を行うものであっても良い。型抜きされたリードフレームをプラズマ照射装置における上部電極K4と下部電極K5との間に介在させて、両電極K4、K5に電界印加してプラズマを発生させる。
【0037】
このとき、例えば、上部電極K4に対して、当該側面12cの近傍まで突出する突起K6を設け、下部電極K5には、突起K6に対応した凹部K7を設けることにより、図中の矢印に示す様に、インナーリード12の側面12cにまでプラズマを照射することができる。このプラズマ照射によって、被処理面に存在する汚れや酸化物を除去することが出来、樹脂40との密着性を向上させることができる。
【0038】
こうして、図2及び図3に示した様な、上記表面処理がなされたリードフレームが出来上がる。そして、このリードフレームにおいて、アイランド部15に導電性接着剤70を介してICチップ20を接着し、ワイヤボンディングを行ってICチップ20とインナーリード12における上記ワイヤ接合部12dとをワイヤ30にて結線し、電気接続する。
【0039】
次に、上記導電性接着剤70を硬化させ、続いて、アイランド部15に搭載されたICチップ20、リード部11およびワイヤ30を、樹脂40にてモールドする。その後、リード部11を連結しているタイバー14を切断し、リード部11を折り曲げる等により、その形状を調整(フォーミング)することで、図1に示す半導体装置S1が出来上がる。
【0040】
そして、この半導体装置S1は、上記図7の実装方法と同様にして、基板100に実装される。
【0041】
すなわち、まず、半田ペースト102の印刷を行い(図7(a))、半導体装置S1を他の部品103、104とともに搭載し(図7(b))、半田を溶融(リフロー)させ(図7(c))、洗浄剤を用いた基板洗浄を行い(図7(d))、パッケージングを行う(図7(e))。こうして半導体装置S1は基板100に実装される。
【0042】
ところで、本実施形態によれば、リード部11のうち少なくともインナーリード12におけるアウターリード13との境界部の全周面(表裏両面12a、12bおよび両側面12c)に上記表面処理を施すことにより、表裏両面12a、12bだけでなく、従来、樹脂40との密着性を向上させる処理がなされていなかった側面12cまで、樹脂40との密着性を向上させるように表面処理がなされる。
【0043】
そのため、リード部11(インナーリード12)と樹脂40との界面の全周において両者の密着性を良好に確保できるため、上記基板洗浄工程において、リード部11とモールド樹脂40との界面からの洗浄剤の侵入をより確実に防止することができる。
【0044】
ここで、上記図2及び図3に示す例では、表面処理部Hは、インナーリード12の表裏両面12a、12bおよび両側面12cのうちワイヤ接合部12dを除いた部位に、形成されているが、上記表面処理の影響が、これらワイヤ接合部12dにおける接合性に影響を与えなければ、これらワイヤ接合部12dにも上記表面処理を行っても良い。
【0045】
更には、上記表面処理は、アウターリード13における表裏両面及び両側面にも行って良い。つまり、リード部11の全体に表面処理を行って良い。要するに、あくまでも、リード部11のうち少なくともインナーリード12におけるアウターリード13との境界部の全周に、上記表面処理が行われていればよい。
【0046】
また、板状のリード部11の両側面12cは、上記板状素材の型抜き後の切断面である。そこで、図8の断面図に示す様に、打ち抜き型におけるオス型K8とメス型K9にそれぞれテーパ部K10を設けることにより、リード部11のうち少なくともインナーリード12の両側面12cに突起12fが形成されるように、上記型抜きを行う。
【0047】
このように、テーパ部を有する金型を用いて型抜き(金型テーパ処理)を行えば、インナーリード12の側面12cでは、形成された突起12fが樹脂40へ食い込むような作用を発揮するため、当該側面12cと樹脂40との密着性を向上させることができる。そして、当該側面12cと樹脂40との界面からの洗浄剤の侵入をより確実に防止することができる。
【0048】
次に、上記各表面処理方法および金型テーパ処理の効果について、具体的に述べる。リードフレームの素材としては、板厚(つまりインナーリードの側面12cの幅)が0.1mmのNi板材を用いた。
【0049】
図9は、上記サンドブラストによる表面処理の具体的効果を示す図である。サンドブラスト条件としては、ノズルK1の径:0.4mm、研磨材:φ0.01mmのアルミナ、リード送り速度:20mmにて行った。
【0050】
図9において、表面処理を行わない場合(図示では「表面通常」、0.76Rz)に比べて、表裏面12a、12bのみ粗くする(図示では「表面のみ粗くする」、4.6Rz)場合の方が洗浄後の重量変化が小さく洗浄剤の侵入が抑制されており、表裏両面および側面12a〜12c全てを粗くする(図示では「側面も粗くする」、4.6Rz)場合は、よりいっそう、洗浄後の重量変化が小さく洗浄剤の侵入が抑制されている。
【0051】
また、図10は、各表面処理方法および金型テーパ処理の効果を具体的に示す図表である。この表中、例▲1▼、▲2▼はサンドブラスト(▲1▼は面粗さ2.9Rz、▲2▼は面粗さ7.9Rz)、例▲3▼はYAGレーザ照射、例▲4▼は表裏両面12a、12bにサンドブラスト(面粗さ2.9Rz)、側面12cに金型テーパ処理を行った場合、例▲5▼はプラズマ処理、例▲6▼はSiO2の吹き付けである。
【0052】
ここで、YAGレーザ照射の照射条件は、出力:75W、移動速度:100mm/secとした。また、金型テーパ処理は、テーパ部K10の高さ(打ち抜き方向に沿った高さ)を0.025mmとして行った。また、プラズマ処理の条件は、出力750W、ガス:2%H2/Arガス 50SCCR、時間1分とした。
【0053】
また、例▲1▼〜▲3▼、▲5▼については、側面処理が有る場合と、側面処理が無い場合(つまり、表裏両面12a、12bのみ表面処理した場合)とについても調べた。さらに、図10中、比較例として表面処理を全く行わない面粗さ0.7Rzの場合も示す。これら図10に示す各例について、モールド(樹脂)内部への洗浄剤の侵入の有無を調べ、その結果を示してある。
【0054】
図10からわかるように、例▲1▼〜▲3▼、▲5▼における側面処理が有る場合、及び、例▲4▼、▲6▼では、モールド(樹脂)内部への洗浄剤の侵入が無く、上記洗浄工程において、リード部11とモールド樹脂40との界面からの洗浄剤の侵入をより確実に防止できることが確認できた。
【0055】
(第2実施形態)
上記第1実施形態では、本発明に係るリードフレームを用いたに樹脂モールドタイプの電子部品として、樹脂封止型半導体装置を示したが、当該電子部品としては、図11に示す様なタンタルコンデンサC1でも良い。図11は、本発明の第2実施形態に係る電子部品としてのタンタルコンデンサC1を示す概略断面図である。
【0056】
この図11は、一般的なタンタルコンデンサの断面構成と形状的には同様であるが、リード部50、51のうち少なくともインナーリード52の表面52a、裏面52bおよび両側面52cに、樹脂40との密着性を向上させるような表面処理が行われていることが、従来のタンタルコンデンサとは大きく異なるものである。
【0057】
このタンタルコンデンサC1の本体部60は、タンタル粉末を焼結してなる素子部としての焼結体61と、この焼結体61に一体化されたタンタルよりなるリード62とよりなる。
【0058】
そして、本体部60には、曲げ加工された板状をなす一対のリード部50、51が電気的に接続されている。これらリード部50、51は、Cu、Ni、42アロイ等の金属材料より構成することができる。
【0059】
すなわち、焼結体61には、導電性接着剤(例えばエポキシ樹脂にAgフィラーを分散させたもの)70を介して一方のリード部50が接着されて陰極側リード部50として構成され、リード62には、溶接により他方のリード部51が接着されて陽極側リード部51として構成されている。
【0060】
ここで、本体部60およびリード部50、51の一部は、エポキシ等の樹脂40にて包み込まれるようにモールドされている。各リード部50、51のうち、樹脂40の内部に位置する部位はインナーリード52、樹脂40の外部に引き出されている部位はアウターリード53である。そして、アウターリード53は、樹脂40の外表面に沿った形状に曲げられている。
【0061】
なお、図11に示す各リード部50、51においても、上記図1と同様に、紙面垂直方向にリード部50、51の板面の表裏両面(つまり、インナーリード52の表面52a、裏面52b)が位置し、紙面にはリード部50、51における一方の側面(つまり、インナーリード52の一方の側面52c)が表されている。
【0062】
次に、リードフレームの製造方法を中心に、上記タンタルコンデンサC1の製造方法について説明する。まず、上記第1実施形態と同様、板状のリードフレーム素材に型抜き加工を施し、所定形状のリード部50、51が形成されるように、打ち抜く。
【0063】
ここで、図12は、型抜き加工後における板状リードフレームの形状を示す図であり、(a)はリードフレームの板面の表面側つまりインナーリード52の表面52a側からみた平面図、(b)は(a)中のA−A断面図である。各リード部50、51はタイバー54にて連結されている。また、図12中に矩形破線で示す領域内が樹脂40でモールドされる領域である。
【0064】
このように型抜き加工によってリードフレームの形状を形成した後、本実施形態も、上記第1実施形態と同様に、リード部50、51のうち少なくともインナーリード52におけるアウターリード53との境界部の全周面(表裏両面52a、52bおよび両側面52c)を、樹脂40との密着性を向上させるように表面処理する。
【0065】
図12に示す例では、上記表面処理部Hは、斜線ハッチングにて表してある。つまり、表面処理部Hは、インナーリード52の表裏両面52a、52bおよび両側面52cのうち、リード62との接合部52dや導電性接着剤70を介して焼結体61と接着される接着部52eを除いた部位に、形成されている。
【0066】
この表面処理の方法としては、上記第1実施形態と同様に、被処理面52a、52b、52cにサンドブラスト処理を行ったり、レーザ照射を行ったり、無機物を吹きつけたり、無機物を吹きつけたり、プラズマ照射を行ったりすることで行うことができ、同様の効果を実現できる。また、金型テーパ処理も同様に行うことができる。
【0067】
こうして、図12に示した様な、上記表面処理がなされたリードフレームが出来上がる。そして、このリードフレームにおいて、陰極側リード部50と焼結体61とを導電性接着剤70を介して接続するとともに、陽極側リード部51とリード62とを溶接固定することにより、本体部60とリード部50、51とを接続する。
【0068】
次に、リード部50、51と一体化された本体部60を、樹脂40にてモールドする。その後、リード部50、51を連結しているタイバー54を切断し、リード部50、51の形状を調整(フォーミング)することで、図11に示すタンタルコンデンサC1が出来上がる。
【0069】
そして、このタンタルコンデンサC1は、図13に示す様に、半田ペースト印刷(図13(a))、部品搭載(図13(b))、半田溶融(リフロー)(図13(c))、洗浄剤を用いた基板洗浄(図13(d))、パージング(図13(e))の各工程を行い、基板100に実装される。なお、図13中、図7と同一部分には、同一符号を付してある。
【0070】
そして、本実施形態によっても、リード部50、51のうち少なくともインナーリード52におけるアウターリード53との境界部の全周面(表裏両面52a、52bおよび両側面52c)に上記表面処理を施すことにより、表裏両面52a、52bだけでなく、従来、樹脂40との密着性を向上させる処理がなされていなかった側面52cまで、樹脂40との密着性を向上させるように表面処理がなされる。
【0071】
そのため、リード部50、51(インナーリード52)と樹脂40との界面の全周において両者の密着性を良好に確保できるため、上記基板洗浄工程において、リード部50、51とモールド樹脂40との界面からの洗浄剤の侵入をより確実に防止することができる。
【0072】
ここで、上記図12に示す例では、表面処理部Hは、インナーリード52の表裏両面52a、52bおよび両側面52cのうち、リード62との接合部62dや導電性接着剤70との接着部62eを除いた部位に、形成されているが、上記表面処理の影響が、これら接合部52dや接着部52eにおける接合性に影響を与えなければ、これら接合部52dや接着部52eにも上記表面処理を行っても良い。
【0073】
更には、本実施形態においても、上記表面処理は、アウターリード53における表裏両面及び両側面にも行って良い。つまり、リード部50、51の全体に表面処理を行って良い。
【0074】
また、本発明は、上記樹脂封止型半導体装置やタンタルコンデンサに限らず、リードフレームに搭載された状態で樹脂にてモールドされる電子部品であれば、その電子部品に用いるリードフレームに対して適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係る半導体装置を示す概略断面図である。
【図2】上記第1実施形態における型抜き加工後のリードフレームの形状を示す平面図である。
【図3】図2に示すリードフレームの側面図である。
【図4】サンドブラスト及びレーザ照射による表面処理方法を示す説明図である。
【図5】無機物を吹きつけることによる表面処理方法を示す説明図である。
【図6】プラズマ照射による表面処理方法を示す説明図である。
【図7】図1に示す半導体装置の基板への実装方法を示す工程図である。
【図8】テーパ部を有する金型を用いたリードフレームの型抜き方法を示す説明図である。
【図9】サンドブラストによる表面処理の具体的効果を示す図である。
【図10】各表面処理方法および金型テーパ処理の効果を具体的に示す図表である。
【図11】本発明の第2実施形態に係るタンタルコンデンサの概略断面図である。
【図12】上記第2実施形態における型抜き加工後のリードフレームの形状を示す図である。
【図13】タンタルコンデンサの基板への実装方法を示す工程図である。
【符号の説明】
11、50、51…リード部、12、52…インナーリード、
12a…インナーリードの表面、12b…インナーリードの裏面、
12c…インナーリードの側面、12f…インナーリードの側面の突起、
13、53…アウターリード、40…樹脂。
Claims (5)
- リード部(11、50、51)が樹脂(40)にてモールドされるようになっているリードフレームを製造する方法であって、
板状の素材を所望形状に型抜きして前記リードフレームの形状を形成した後、
前記リード部のうち少なくともインナーリード(12、52)におけるアウターリード(13、53)との境界部の全周面を、前記樹脂との密着性を向上させるように表面処理するものであって、
前記表面処理は、サンドブラストもしくはレーザ照射のノズルの向きを変えることにより、被処理面としての前記インナーリードにおけるアウターリードとの境界部の表裏両面および両側面に研磨材もしくはレーザを当てて当該被処理面を粗くする処理を行うものであることを特徴とするリードフレームの製造方法。 - リード部(11、50、51)が樹脂(40)にてモールドされるようになっているリードフレームを製造する方法であって、
板状の素材を所望形状に型抜きして前記リードフレームの形状を形成した後、
前記リード部のうち少なくともインナーリード(12、52)におけるアウターリード(13、53)との境界部の全周面を、前記樹脂との密着性を向上させるように表面処理するものであって、
前記表面処理は、サンドブラストもしくはレーザ照射により、被処理面としての前記インナーリードにおけるアウターリードとの境界部の表裏両面および両側面に研磨材やレーザを当てて処理を行うものであり、
前記側面を処理するときには、前記サンドブラストもしくはレーザ照射のノズル(K1)の絞りを、前記表裏両面の処理時に比べてゆるめて放射状に噴射もしくは照射を行うことで、前記側面を粗くする処理を行うものであることを特徴とするリードフレームの製造方法。 - リード部(11、50、51)が樹脂(40)にてモールドされるようになっているリードフレームを製造する方法であって、
板状の素材を所望形状に型抜きして前記リードフレームの形状を形成した後、
前記リード部のうち少なくともインナーリード(12、52)におけるアウターリード(13、53)との境界部の全周面を、前記樹脂との密着性を向上させるように表面処理するものであって、
前記表面処理は、被処理面としての前記インナーリードにおけるアウターリードとの境界部の表裏両面および両側面にレーザ照射を行うものであり、
前記側面を処理するときには、前記レーザ照射のノズル(K1)と前記側面との間に、ミラー(K2)を介在させ、このミラー(K2)によるレーザの屈折を利用して、前記側面を粗くする処理を行うものであることを特徴とするリードフレームの製造方法。 - リード部(11、50、51)が樹脂(40)にてモールドされるようになっているリードフレームを製造する方法であって、
板状の素材を所望形状に型抜きして前記リードフレームの形状を形成した後、
前記リード部のうち少なくともインナーリード(12、52)におけるアウターリード(13、53)との境界部の全周面を、前記樹脂との密着性を向上させるように表面処理するものであって、
前記表面処理は、被処理面としての前記インナーリードにおけるアウターリードとの境界部の表裏両面および両側面にプラズマ照射を行うものであり、
前記プラズマ照射は、プラズマ照射装置における上部電極(K4)と下部電極(K5)との間に前記インナーリードを介在させ、前記両電極(K4、K5)に電界印加してプラズマを発生させるものであって、
前記上部電極(K4)に対して、前記側面の近傍まで突出する突起(K6)を設け、前記下部電極(K5)には、前記突起(K6)に対応した凹部(K7)を設けることにより、前記側面にまでプラズマを照射するものであることを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 前記インナーリード(12)は、前記表面処理後にワイヤ(30)と接合されるものであり、
前記表面処理は、前記インナーリードの表裏両面および両側面のうち、前記ワイヤとの接合部(12d)を除いた部位に対して行うものであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載のリードフレームの製造方法。
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