JP4368700B2 - 磁気ディスクの製造方法及び磁気ディスク - Google Patents
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このような磁気ディスクでは、特に出力と媒体ノイズの比、即ちS/N比が優れていることが求められる。このため、従来ではグレインサイズの微細化や結晶配向の制御等によって媒体ノイズを低下させることによって、磁気特性の向上が図られてきた。
ところで、上記磁性層材料としては、CoCr合金が主として用いられている。また、上述の交換結合構造を有する磁気ディスクでは、非磁性分断層によって分断された第1の磁性層と第2の磁性層の結晶磁気異方性の差が大きいことが望まれる為に、特に下地層側の第1の磁性層は白金族を含まないCoCr合金が主として用いられている。しかし、このCoCr合金は材料自体のノイズが大きいために媒体ノイズを十分に下げることが出来ないという問題点も有していた。
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、40Gbit/inch2以上の高記録密度を達成でき、かつ、高S/N比の磁気ディスクを提供することにある。
本発明者は、この知見に基づき更なる研究を行なったところ、磁性層直下の下地層を、希ガス元素と、酸素元素及び/又は炭化水素とを含む雰囲気において、クロムとモリブデンを含む合金ターゲットを用いて成膜することにより、その上に成膜される磁性層の磁化容易軸がディスクの面内に向きやすくなることを突き止めた。つまり、媒体ノイズを低減させるために磁性層中にTa等の元素を添加した場合でも、磁性層の配向性を好適に制御することができ、結果、ディスク面内配向性を向上させることができることを見い出し、以下の構成を有する本発明を完成するに至った。
(構成2)前記ガラス基板として、ガラス基板と研磨部材とを相対的に移動させることにより該ガラス基板の主表面上にライン状をなすテクスチャを形成したガラス基板を使用することを特徴とする構成1記載の磁気ディスクの製造方法。
(構成3)前記ガラス基板上に前記第1の合金層を成膜する前に、B2結晶構造のシード層を成膜することを特徴とする構成1又は2記載の磁気ディスクの製造方法。
(構成4)前記第2の合金層上に交換結合構造を備える磁性層を成膜することを特徴とする構成1乃至3の何れかに記載の磁気ディスクの製造方法。
(構成5)構成1乃至4の何れかに記載の製造方法により得られた磁気ディスクであって、前記第2の合金層のC軸は、ディスク面に対して略平行であって、ディスクの円周方向に優先配向していることを特徴とする磁気ディスク。
図1は、本発明に係る磁気ディスクの一実施の形態を示したもので、図1の磁気ディスク10は、アモルファスガラスからなる非金属ガラス基板1上に、シード層2、第1の合金層3、第2の合金層4、非磁性結合層5、磁気記録層6、保護層8、及び潤滑層9が順次接して成膜された磁気ディスクである。
非金属ガラス基板1は、アモルファスガラス1aの主表面上にテクスチャー1bが形成されており、順次成膜される六方細密充填構造(hcp構造)を含む第2の合金層のC軸(磁化容易軸)をディスクの円周方向に優先配向させる機能を備える。このような優先配向を付与することにより、磁気ディスクのディスク円周方向の保磁力がディスク半径方向の保磁力よりも大きい、磁気特性の異方性を備えた磁気ディスクが得られる。
なお、ガラスとしては、アモルファスガラスの他、結晶化ガラス等があるが、特にアモルファスガラスは非晶質で表面平滑性が高いので本発明には好適である。ガラス基板1の材質としては、例えば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラス、石英ガラス、チェーンシリケートガラス等が挙げられる。中でも、アルミノシリケートガラスは、高精度に平滑な表面を得ることが出来、また化学強化により高い剛性を得ることが出来るので、本発明に好適である。ガラス基板1の厚さは、特に制約は無いが、0.1mm〜1.5mm程度が好ましい。
また、このようなテクスチャー1bを形成する方法としては、ガラス基板主表面に樹脂テープを押し付けた状態でガラス基板とテープとを相対的に移動させることにより該ガラス基板の主表面上にライン状をなすテクスチャーを形成するテープ式テクスチャー研磨方法が好ましく挙げられる。
本発明では、第1の合金層3は、希ガス元素と、酸素元素及び/又は炭化水素とを含む雰囲気において、クロムとモリブデンを含む合金ターゲットを用いて成膜することを特徴とする。このように成膜した第1の合金層を用いることにより、この上に成膜される第2の合金層4の配向性を好適に制御することができる。第1の合金層3の成膜方法としては、スパッタリング成膜が好適である。スパッタリング成膜を希ガス元素と、酸素元素及び/又は炭化水素とを含む雰囲気において行なう場合、添加ガスとしては、Ar(アルゴン)等の希ガスと、例えばCO2、NO2、O2、又はCH4等の少なくとも1種類の酸素元素を含むガス及び/又は炭化水素ガスとの混合ガスを用いることができる。希ガスと混合するガスとしては特にCO2、NO2が好ましい。
第1の合金層3の成膜に用いるクロムとモリブデンを含む合金ターゲットは、クロム(Cr)とモリブデン(Mo)の組成がbcc結晶構造となるような組成であればよい。上述の混合ガス雰囲気において、このような組成を有する合金ターゲットを用いて第1の合金層3を成膜することにより、この上に成膜される第2の合金層4の磁化容易軸をディスク面内に配向させるように好適に制御することができる。
また、第1の合金層3の成膜時の温度、成膜速度、及び成膜時の真空度については、本発明では特に制約される必要はないが、第1の合金層3の成膜時の温度領域は、例えば200℃〜350℃の範囲が好適である。また、第1の合金層3の成膜速度としては、例えば40Å/秒〜100Å/秒の範囲が好適である。さらに、第1の合金層3の成膜時の真空度は、例えば4μバール〜12μバールの範囲内に調整することが好適である。
なお、第1の合金層3は、その上に成膜される第2の合金層4との間でヘテロエピタキシャルな関係となるように成膜されていることが好ましい。また、第1の合金層3の膜厚は適宜設定することができ特に制約はないが、通常は50Å〜200Å程度の範囲内とするのが適当である。
第2の合金層4は、Ar(アルゴン)等の希ガスを添加ガスとして用いた例えばスパッタリング成膜により好適に形成することができる。上記VIa族金属元素として、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)が挙げられる。また、上記Va族金属元素としては、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)等が挙げられる。
なお、第2の合金層4は、第1の合金層3とヘテロエピタキシャルな関係となるように成膜されていることが好ましい。また、第2の合金層4の膜厚は適宜設定することができるが、通常は10Å〜50Å程度の範囲内とするのが好ましい。
また、上記磁気記録層6は、六方細密充填構造(hcp構造)の合金層からなる強磁性層である。本実施の形態の磁気ディスクでは、情報記録は主としてこの磁気記録層6の磁化反転パターンとして記録される。
本発明では、本実施の形態のように、交換結合構造を備える磁性層とすることが好ましい。磁性層が交換結合構造を備えることで、熱磁気余効による熱揺らぎ障害を抑制することが出来るので、高記録密度化に好適である。本発明では、上記交換結合層7を構成している第2の合金層4の磁化容易軸がディスク面に対して略平行となるように第2の合金層4の配向性を好適に制御することが出来るため、結果として上記第2の合金層4の磁化と磁気記録層6の磁化とが互いに反平行となる好ましい交換結合を誘導することができ、磁気特性も向上できる。
Co系合金強磁性材料として具体的には、CoPt系合金、CoCr系合金、CoCrPt系合金等が挙げられる。これらの材料は高い磁気異方性定数が得られるので磁気異方性の観点から好ましい。また、必要に応じてこれらのCo系合金にBを含有させることでS/N比を更に向上させることが出来、高記録密度化に特に好適である。
また、前記第2の合金層4と磁気記録層6は、非磁性結合層5とエピタキシャルな関係で形成されることが好ましい。よって、磁性層材料の結晶構造と非磁性結合層の結晶構造とは、同一であることが好ましい。この場合、第2の合金層4と磁気記録層6は、非磁性結合層5とエピタキシャルな関係で形成され易くなり、本発明には好適である。この観点から、磁気記録層及び非磁性結合層は共に第2の合金層と同じhcp結晶構造からなる材料を用いることが好ましい。
また、前記第2の合金層4と非磁性結合層5と磁気記録層6とをこの順で互いに接して形成することが好ましい。このように構成することで、非磁性結合層5を介して前記第2の合金層4と磁気記録層6とが好適に交換結合できる。勿論、非磁性結合層5と第2の合金層4との間、非磁性結合層5と磁気記録層6との間に、それぞれ他の層を含めてもよい。また、前記第2の合金層4と磁気記録層6をそれぞれ複数の磁性層で構成してもよい。
本発明において、上記各層を成膜する方法については、公知の技術を用いることができ、シード層2から磁気記録層6までは、たとえばスパッタリング法(DCマグネトロンスパッタ、RFスパッタ等)、プラズマCVD法等を採用できる。保護層8は、特にプラズマCVD法により成膜するのが好ましい。また、潤滑層9の形成は、ディップ法、スプレイ法、スピンコート法等、公知の方法を用いることが出来る。
以下に実施例を挙げて、本発明の実施の形態についてさらに具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
(1)ガラス基板製造工程
アモルファスのアルミノシリケートガラスからなるガラスディスクの表面を鏡面研磨加工し、Rmaxで4.5nm、Raで0.44nmの鏡面状態のガラスディスクを得た。このガラスディスクに化学強化を施して、磁気ディスク用ガラス基板1を得た。得られたガラス基板1は、外径は65mm、内径は20mm、板厚は0.635mmの2.5インチ型磁気ディスク用基板である。
(1)で得られたガラス基板1主表面に樹脂テープを押し付けた状態でガラス基板とテープとを相対的に移動させることにより該ガラス基板1の主表面上にテクスチャーを形成するテープ式テクスチャー研磨方法を用いて、テクスチャー加工を行なった。具体的には、枚葉の回転式テープテクスチャー装置を用いて、テープにはポリエステル繊維布のテープを使用し、多結晶ダイヤモンドが分散剤に溶かしてあるダイヤモンドスラリーを供給しながら行なった。
このときのテクスチャー加工条件は以下のとおりである。
加工圧力:10g/mm2
基板回転速度:150rpm
テープの送り速度:3mm/秒
テクスチャー加工時間:50秒
以上のようにして、ディスクの略円周方向に沿って配列した複数のライン状をなすテクスチャー1bを形成した。
以上のようにして、非磁性非金属の磁気ディスク用ガラス基板1を製造した。
次に、静止対向型成膜装置を用いて、DCマグネトロンスパッタリング方式により、上記ガラス基板1上に、順次、シード層2から磁気記録層6までの成膜を行った。
即ち、まず非磁性のCrTi合金からなるスパッタリングターゲット(以下、単にターゲットと呼ぶ)を用いて、アルゴンガス雰囲気中で、ガラス基板1上にCrTi合金の第1シード層2aを100Åの厚さに成膜した。
次に、ターゲットとして非磁性のAlRu合金を用いて、アルゴンガス雰囲気中で、第1シード層2a上に膜厚300ÅのAlRu合金からなる第2シード層2bを成膜した。この第2シード層2bは、B2結晶構造を形成していた。
次に、第1の合金層3の成膜を行なった。ターゲットとして非磁性のCrMo(Cr:80at%、Mo:20at%)合金を用いた。スパッタリング雰囲気は、アルゴンガスに二酸化炭素(CO2)ガスを混合した雰囲気とし、アルゴンガスに対する二酸化炭素ガスの混合比は1.0体積%とした。このとき、成膜されるディスクの温度は275℃とし、成膜速度は70Å/秒、成膜時の真空度は8μバール〜10μバールとなるように調整した。こうして、第2シード層2b上に、膜厚100ÅのCrMo合金からなる第1の合金層3を成膜した。この第1の合金層3はbcc結晶構造を備えていた。
次に、hcp結晶構造の強磁性CoCrPtB(Co:61at%、Cr:16at%、Pt:13at%、B:10at%)合金からなるターゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中で、非磁性結合層5上に、CoCrPtB合金からなるhcp結晶構造の磁気記録層6を200Åの厚さに成膜した。
以上のようにして本実施例の磁気ディスク10を製造した。
また、磁気ディスク10の磁気特性をVSM(振動試料型磁化測定装置)を用いて評価したところ、磁化曲線は反強磁性型の交換結合を示しており、第2の合金層4の磁化と磁気記録層6の磁化とが反平行に結合する交換磁場が磁気ディスク内部に生起していることが判った。
次に、磁気ディスク10の電磁変換特性(R/W特性)評価を行った。即ち、磁気ディスクの媒体ノイズNは、記録密度(1F)700kFciでキャリア信号を記録した後、DC〜1Fの1.2倍周波数までの媒体積分ノイズとして求めた。再生出力Sは12F記録密度の信号の再生出力を用いた。記録再生に用いた磁気ヘッドの浮上量は12nm、再生素子はGMR型素子である。本実施例の磁気ディスク10の評価を行ったところ、そのS/N比は、23.5dBであった。このS/N比は、40Gbit/inch2以上の高記録密度を得る磁気ディスクの所要値として十分満足する結果であった。
得られた各磁気ディスクについて、第2の合金層4と磁気記録層6の結晶配向性をXRDを用いて調べたところ、何れの磁気ディスクにおいてもC軸がディスク面に略平行に配向していることを確認した。
また、本実施例の各磁気ディスクについて、VSM評価結果は実施例1と同様の結果が得られた。さらに、本実施例の各磁気ディスクのS/N比は、23.5dB(0.5体積%)、23.4dB(2.0体積%)、23.0dB(3.0体積%)、22.1dB(4.0体積%)(カッコ内はアルゴンガスに対する二酸化炭素ガスの混合比)であった。アルゴンガスに対する二酸化炭素ガスの混合比を4.0体積%とした磁気ディスクではS/N比が若干低下したものの、本実施例の磁気ディスクはいずれも高記録密度を得るための所要値として十分満足する結果であった。
得られた磁気ディスクについて、第2の合金層4と磁気記録層6の結晶配向性をXRDを用いて調べたところ、C軸がディスク面に略平行に配向していることを確認した。また、本実施例の磁気ディスクについて、VSM評価結果は実施例1と同様の結果が得られた。さらに、本実施例の磁気ディスクのS/N比は23.3dBと良好な結果が得られた。
得られた磁気ディスクについて、第2の合金層4と磁気記録層6の結晶配向性をXRDを用いて調べたところ、C軸がディスク面に略平行に配向していることを確認した。また、本実施例の磁気ディスクについて、VSM評価結果は実施例1と同様の結果が得られた。さらに、本実施例の磁気ディスクのS/N比は23.4dBと良好な結果が得られた。
得られた磁気ディスクについて、第2の合金層4と磁気記録層6の結晶配向性をXRDを用いて調べたところ、C軸がディスク面に略平行に配向していることを確認した。また、本実施例の磁気ディスクについて、VSM評価結果は実施例1と同様の結果が得られた。さらに、本実施例の磁気ディスクのS/N比は23.5dBと良好な結果が得られた。
得られた磁気ディスクについて、第2の合金層4と磁気記録層6の結晶配向性をXRDを用いて調べたところ、C軸がディスク面に略平行に配向していることを確認した。また、本実施例の磁気ディスクについて、VSM評価結果は実施例1と同様の結果が得られた。さらに、本実施例の磁気ディスクのS/N比は23.5dBと良好な結果が得られた。
実施例1の(3)成膜工程における第1の合金層3を、アルゴンガスのみの雰囲気で成膜したこと以外は、実施例1と同様にして磁気ディスクを製造した。
得られた磁気ディスクについて、第2の合金層4と磁気記録層6の結晶配向性をXRDを用いて調べたところ、第2の合金層4については、hcp結晶構造のC軸のディスク面内への配向を確認できなかった。また、本比較例の磁気ディスクについて、VSM評価した結果、その磁化曲線からは反平行の交換結合の生起を確認できなかった。さらに、本比較例の磁気ディスクのS/N比は21.2dBと低かった。これらの結果は、本比較例の第1の合金層3を成膜しても、第2の合金層4の配向性を好適に制御することが出来なかったことによるものと考えられる。
実施例1の(3)成膜工程における第2の合金層4の成膜に用いるターゲットを、hcp結晶構造の強磁性CoCr(Co:90at%、Cr:10at%)合金からなるターゲットに変更したこと以外は、実施例1と同様にして磁気ディスクを製造した。
得られた磁気ディスクについて、第2の合金層4と磁気記録層6の結晶配向性をXRDを用いて調べたところ、C軸がディスク面に略平行に配向していることを確認した。また、VSM評価結果は実施例1と同様の結果が得られた。しかし、本比較例の磁気ディスクのS/N比は21.3dBと低かった。これは、第2の合金層に用いたCoCr合金の材料自体のノイズが大きいために媒体ノイズを十分に下げることが出来なかったことが原因であると考えられる。
実施例1の(3)成膜工程における第1の合金層3を、ターゲットとして非磁性のCrW(Cr:80at%、W:20at%)合金を用いて、アルゴンガス雰囲気中でスパッタリング成膜したこと以外は、実施例1と同様にして磁気ディスクを製造した。
得られた磁気ディスクについて、第2の合金層4と磁気記録層6の結晶配向性をXRDを用いて調べたところ、第2の合金層4については、hcp結晶構造のC軸のディスク面内への配向を確認できなかった。また、本比較例の磁気ディスクについて、VSM評価した結果、その磁化曲線からは反平行の交換結合の生起を確認できなかった。さらに、本比較例の磁気ディスクのS/N比は21.2dBと低かった。これらの結果は、本比較例の第1の合金層3を成膜しても、第2の合金層4の配向性を好適に制御することが出来なかったことによるものと考えられる。
2 シード層
3 第1の合金層
4 第2の合金層
5 非磁性結合層
6 磁気記録層
7 交換結合層
8 保護層
9 潤滑層
10 磁気ディスク
Claims (3)
- ディスク状ガラス基板上に、体心立方構造を含む第1の合金層と六方最密充填構造を含む第2の合金層と、該第2の合金層上に交換結合構造を備える磁性層とをこの順で成膜する工程を含む磁気ディスクの製造方法であって、
前記第1の合金層は、希ガス元素と、二酸化炭素または二酸化窒素の少なくとも1種類とを含む雰囲気において、クロムとモリブデンを含む合金ターゲットを用いて成膜し、前記第2の合金層は、希ガス元素を含む雰囲気において、コバルトとクロムを含み、かつ、タンタル、ニオブ、またはホウ素のうちの少なくとも1種類の元素を含む合金ターゲットを用いて成膜し、成膜された前記第2の合金層のC軸はディスク面に対して略平行であることを特徴とする磁気ディスクの製造方法。 - 前記ガラス基板として、ガラス基板と研磨部材とを相対的に移動させることにより該ガラス基板の主表面上にライン状をなすテクスチャを形成したガラス基板を使用することを特徴とする請求項1記載の磁気ディスクの製造方法。
- 前記ガラス基板上に前記第1の合金層を成膜する前に、B2結晶構造のシード層を成膜することを特徴とする請求項1又は2記載の磁気ディスクの製造方法。
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