JP4356159B2 - センシング部を有する半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、エアフローセンサや赤外線センサ等に用いられ、それ自身の温度変化に基づく信号を出力するセンシング部と、このセンシング部からの出力信号を処理する回路部とを備える半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、この種のセンシング部を有する半導体装置としては、シリコンチップ上にセンシング部を形成した熱線式空気流量計(エアフローセンサ)がある。このものにおけるセンシング部は、いわゆる熱線式センシング部といわれるもので、各々熱線よりなるヒータ及び温度測定用抵抗を有し、空気の流れとヒータによって該抵抗を冷却、加熱し、該抵抗の温度変化に基づく電気信号を出力し、該出力信号を回路部にて処理するようになっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
上記の熱線式空気流量計は、これまでの熱線をボビン構造としたものに比べ、応答性に優れる、逆流検知ができる等の利点を有するが、実装上、シリコンチップと回路素子基板とが平面方向に別置きになっているため、センシング部及び回路部を含めた半導体装置としての体格の大型化は避けられない。また、シリコンチップは、センシング部以外に放熱のための大きな面積を要する。
【0004】
一方、この種のセンシング部を有する半導体装置を赤外線センサに適用したものとしては、赤外線のみを吸収することにより温度変化する金−ブラック膜等を用いて、該温度変化に基づく信号を出力するセンシング部を備えた赤外線センサが知られている。
【0005】
このような赤外線センサでは、センシング部と該センシング部からの信号を処理する回路部とを集積化した例があり、それによれば、体格の大型化は避けられるものの、この集積化素子では、MOSトランジスタ等の表面が敏感な回路素子が、センシング部とともに測定環境にさらされてしまい、汚染物質によって素子特性が劣化してしまう。そのため、自動車用センサ等の悪環境で用いられるセンサには、適さない。
【0006】
本発明は上記問題に鑑み、体格の増大を抑えつつ、センシング部を測定環境にさらし、回路部をさらさないようにすることのできる半導体装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明においては、センシング媒体の存在する第1の空間とそれ以外の第2の空間とを仕切る仕切部材(30)を備え、センシング部(10)と回路部(20)とを積層して積層体を構成し、該第1の空間側に該センシング部が位置し該第2の空間側に該回路部が位置するように、該仕切部材に該積層体を支持させ、積層体における回路部は、仕切部材(30)の一部に形成された貫通穴である穴部(32)に対して穴部を塞ぐように取り付けられ、積層体におけるセンシング部は、穴部(32)に対して入り込むように取り付けられ、積層体は第1及び第2の空間を仕切る機能の一部として作用させるようにし、仕切部材(30)を、センシング部(10)及び回路部(20)と電気的に接続されたリードフレーム(31)を有するものとし、センシング部(10)と回路部(20)とを互いの一面同士を背中合わせにして接着固定したことを特徴としている。
【0008】
本発明によれば、第2の空間は、仕切部材によってセンシング媒体の存在する第1の空間即ち測定環境とは仕切られている。そして、センシング部と回路部とを積層構造としているから、実質的に体格の増大を抑えることができるとともに、仕切部材を挟むように積層を行う等によって、簡単に、センシング部と回路部とを、第1及び第2の空間に区分けして位置させることができる。
【0009】
よって、本発明によれば、体格の増大を抑えつつ、センシング部を測定環境にさらし、回路部をさらさないようにすることのできる半導体装置を提供することができる。ここで、センシング部と回路部とを、第1及び第2の空間に区分けして位置させるための具体的構成としては、積層体を、仕切部材(30)の一部に形成された穴部(32)に対して、この穴部を塞ぐように取り付け、第1及び第2の空間を仕切る機能の一部として作用させるようにすることができる。
【0010】
また、本発明のように、仕切部材(30)に、センシング部(10)及び回路部(20)と電気的に接続されたリードフレーム(31)を備えれば、簡易な構成にてセンシング部及び回路部の信号経路を良好に確保できる。なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。本実施形態では、本発明の半導体装置をエアフローセンサに具体化したものとして説明する。図1は本実施形態に係る半導体装置の第1の例を示す概略断面図、図2は本実施形態に係る半導体装置の第2の例を示す概略断面図である。図1及び図2中、同一部分には同一符号を付してある。
【0012】
これら両図に示す半導体装置においては、センシング部10及び回路部20が積層された積層体と、空気(センシング媒体)の存在する測定環境空間(第1の空間)Aとそれ以外の実装空間(第2の空間)Bとを仕切る仕切部材30とを備え、測定環境空間A側にセンシング部10が位置し、実装空間B側に回路部20が位置するように、積層体が仕切部材30に支持されている。
【0013】
まず、図1に示す第1の例について述べる。センシング部10は、支持基板であるSi(シリコン)ダイアフラム11の一面側に、SiO2/SiN(シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の積層膜)よりなる絶縁膜(第1絶縁膜)12、パターニングされた熱線としてのPt(白金)よりなる抵抗体(熱線部)13、SiO2/SiNよりなる絶縁膜(第2絶縁膜)14を順次成膜したものである。
【0014】
この抵抗体13は、図示しないが、ヒータ及び温度測定用抵抗(測温体)を構成する熱線のパターンを有する。そして、測定環境空間Aの空気の流れと上記ヒータによって、上記測温体が冷却、加熱され、上記測温体の温度変化に基づく電気信号が出力されるようになっている。このようにセンシング部10は、測定環境空間Aの空気流量変化に伴い、自身の温度変化に基づく信号を出力する。
【0015】
ここで、抵抗体(熱線部)13を両絶縁膜12、14で挟んだサンドイッチ状の薄膜部が形成されているが、抵抗体13の温度精度即ちセンシング感度を良好とするために、この薄膜部の裏面(第1絶縁膜12側の面)では、該薄膜部の裏面が露出するように、Siダイアフラム11は除去されている。また、このサンドイッチ構造により、抵抗体13は、両絶縁膜12、14により面方向に沿って僅かに引っ張られた状態となり、薄膜状態を維持できる。
【0016】
回路部20は、MOSトランジスタ等の回路素子21がSi基板22の一面側に、周知のIC製造技術等を用いて形成されてなる。回路部20は、センシング部10からの出力信号を処理するもので、該出力信号を増幅して外部へ出力したり、温度検出素子が他に設けられている場合には、その温度検出素子からの信号とセンシング部10の出力信号とを比較して差動検出する等の処理を行う。
【0017】
図1に示す様に、この回路部20におけるSi基板22の他面とセンシング部10におけるSiダイアフラム11の他面とは、エポキシ樹脂等よりなる接着剤40により接着固定されている。つまり、センシング部10のセンシング面と回路部20の回路素子形成面とが、互いに反対を向くように、両部10、20は背中合わせに積層されている。
【0018】
仕切部材30は、リードフレーム31と、リードフレーム31の空隙部を埋めて両空間A、Bを遮断するための樹脂32とが一体化したもので、例えば板形状をなす。この仕切部材30は、例えば図1中の図示しない左右の両端部分にて、被測定体に取付けられ、それによって、仕切部材30の一側が測定環境空間A、他側が実装空間Bがとなり、両空間A、Bは互いに遮断されたものとなる。
【0019】
そして、センシング部10及び回路部20よりなる積層体は、仕切部材30の一部に形成された穴部(貫通穴)32に対して、この穴部32を塞ぐように取り付けられ、両空間A、Bを仕切る機能の一部として作用している。本例では、図1に示す様に、回路部20のSi基板22の他面の周辺部とリードフレーム31とを、エポキシ樹脂等よりなる接着剤41を介して固定することにより、上記積層体を仕切部材30に支持している。
【0020】
また、センシング部10と回路部20との電気的接続、及び、回路部20とリードフレーム31との電気的接続は、ワイヤボンディング等にて形成された各ワイヤ42、43、44、45によりなされている。それにより、センシング部10の出力信号は、ワイヤ42、43、リードフレーム31を通って回路部20へ伝達され、そこで信号処理され、回路部20の出力は、ワイヤ44、45、リードフレーム31を通って外部へ送られる。こうして、空気流量の検出が可能となっている。
【0021】
次に、図2に示す第2の例につき、上記第1の例と異なるところを述べる。本第2の例では、リードフレーム31に穴部32は形成されておらず、上記積層体は、センシング部10と回路部20とが仕切部材30を挟むように仕切部材30に取り付けられてなる。
【0022】
ここで、センシング部10のSiダイアフラム11の他面とリードフレーム31の測定環境空間A側の面、及び、回路部20のSi基板22の他面とリードフレーム31の実装空間B側の面は、それぞれ、エポキシ樹脂等よりなる接着剤46、47にて接着固定されている。なお、上記第1及び第2の例において、センシング部10のセンシング面を露出させた状態で、その他の部分全体を樹脂でモールドしてもよい。
【0023】
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図3及び図4を参照して述べる。図3及び図4は、本製造方法を説明するための工程図(概略断面図)である。まず、図3(a)に示す様に、最終的にSiダイアフラム11となるSiウェハ(原石)K1を用意し、図3(b)に示す様に、その一面上にSiO2/SiN膜をプラズマCVDやLPCVD等により成膜し、第1絶縁膜12を形成する。
【0024】
次に、図3(c)に示す様に、第1絶縁膜12の上に、スパッタ等によりPt薄膜を成膜し、この薄膜をエッチングしてパターニングすることにより、抵抗体13を形成する。そして、図3(d)に示す様に、その上に、プラズマCVDによりSiO2/SiN膜を成膜して第2絶縁膜14を形成する。こうして、上記サンドイッチ状の薄膜部が形成される。
【0025】
次に、図3(e)に示す様に、フォトリソグラフ技術を用いて、第2絶縁膜14の所定位置にコンタクトホールを形成した後、該ホールを埋めるように第2絶縁膜14上にスパッタによりAl(アルミニウム)膜を成膜し、更に、このAl膜をフォトリソグラフ技術を用いてエッチングする。それにより、抵抗体13と導通したAl電極パッド50が形成される。このパッド50は、ワイヤ42、43と結線される部分である。
【0026】
次に、図3(f)に示す様に、SiウェハK1の他面を研磨して薄肉化するバックポリッシュ工程を行った後、該他面に対して、次工程である異方性エッチング工程時の保護膜となるプラズマシリコン窒化膜(p−SiN)K2を形成する。続いて、図3(g)に示す様に、KOH溶液を用いた異方性エッチングを行うことにより、SiウェハK1の他面から除去し、ダイアフラムを形成する。そして、上記窒化膜K2をドライエッチング等で除去して、図3(h)に示すセンシング部10が出来上がる。
【0027】
次に、センシング部10と回路部20との積層、積層体の仕切部材30への取付け、ワイヤボンディングを経て、上記第1及び第2の例に示す半導体装置が出来上がるのであるが、これら一連の工程につき、図4では、第2の例の場合を示している。なお、第1の例においては、上述のように、センシング部10と回路部20とを接着剤40にて固定し、積層体を仕切部材30に接着した後、ワイヤボンディングすることで、図1に示す構成の半導体装置を完成させる。
【0028】
図4(a)に示す様に、リードフレーム31に樹脂32を一体化させた仕切部材30を準備しておき、図4(b)に示す様に、この仕切部材30の一面に接着剤46を塗布する。続いて、図4(c)に示す様に、センシング部10におけるSiダイアフラム11の他面(上記薄膜部形成面と反対の面)を接着剤46上に搭載し、接着剤46に対して仮加熱及び硬化処理を行うことにより、センシング部10は仕切部材30に固定される。
【0029】
次に、図4(d)に示す様に、仕切部材30の他面に接着剤47を塗布し、この接着剤47を介して、回路部20のSi基板22の他面(回路素子21形成面と反対の面)を仕切部材30に接着し、仮加熱及び硬化処理を行うことにより、回路部20を仕切部材30に固定する。その後、Au(金)やAl等のワイヤボンディングによりワイヤ42〜45を形成すると、図4(e)に示す様に、第2の例としての半導体装置が出来上がる。
【0030】
ところで、本実施形態によれば、実装空間(第2の空間)Bは、仕切部材30によって空気(センシング媒体)の存在する測定環境空間(第1の空間)Aとは仕切られている。そして、センシング部10と回路部20とを積層構造としているから、体格の増大を抑えることができるとともに、第1の例や第2の例に示す構成とすることによって、簡単に、センシング部10と回路部20とを、第1及び第2の空間A、Bに区分けして位置させることができる。また、抵抗体(熱線部)13と回路部20とが離れているため、熱による回路素子21への影響が小さい。
【0031】
よって、本実施形態によれば、体格の増大を抑えつつ、センシング部10を測定環境にさらし、回路部20をさらさないようにすることのできる半導体装置を提供することできる。そして、回路部20は測定環境にさらされないため、測定環境中の汚染物質によって回路素子21の特性が劣化するのを防止でき、信頼性の高い半導体装置(エアフローセンサ)が実現できる。
【0032】
また、仕切部材30を、例えば樹脂板より構成し、リードフレームを仕切部材とは別体に設けた構成としてもよいが、本実施形態によれば、仕切部材30が、リードフレーム31を一体に備えているので、より簡易な構成にてセンシング部及び回路部の信号経路を良好に確保でき、好ましい。
【0034】
なお、本発明は、エアフローセンサ以外にも、例えば、上記した赤外線センサに適用してもよい。また、上記実施形態では、センシング部には、感度を向上させるためにダイアフラムが形成されているが、抵抗体13の対応する位置のSi基板を除去せずにダイアフラムを形成しないものでも良い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る半導体装置の第1の例を示す概略断面図である。
【図2】上記実施形態に係る半導体装置の第2の例を示す概略断面図である。
【図3】上記実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程図である。
【図4】図3に続く製造方法の工程図である。
【符号の説明】
10…センシング部、20…回路部、30…仕切部材、31…穴部、
32…リードフレーム。
Claims (1)
- それ自身の温度変化に基づく信号を出力するセンシング部(10)と、このセンシング部からの出力信号を処理する回路部(20)とを備える半導体装置において、
センシング媒体の存在する第1の空間とそれ以外の第2の空間とを仕切る仕切部材(30)を備え、
前記センシング部と前記回路部とは積層されて積層体を構成しており、この積層体は、前記第1の空間側に前記センシング部が位置し、前記第2の空間側に前記回路部が位置するように前記仕切部材に支持されており、
前記積層体における前記回路部は、前記仕切部材(30)の一部に形成された貫通穴である穴部(32)に対して穴部を塞ぐように取り付けられ、前記積層体におけるセンシング部は、前記穴部(32)に対して入り込むように取り付けられ、前記積層体は前記第1及び第2の空間を仕切る機能の一部として作用しており、
前記仕切部材(30)は、前記センシング部(10)及び前記回路部(20)と電気的に接続されたリードフレーム(31)を有するものであり、
前記センシング部(10)と前記回路部(20)とは互いの一面同士を背中合わせにして接着固定されていることを特徴とするセンシング部を有する半導体装置。
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