JP2001153708A - センシング部を有する半導体装置 - Google Patents
センシング部を有する半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 体格の増大を抑えつつ、センシング部を測定
環境にさらし、回路部をさらさないようにすることので
きる半導体装置を提供する。 【解決手段】 それ自身の温度変化に基づく信号を出力
するセンシング部１０と、このセンシング部１０からの
出力信号を処理する回路部２０とを備える半導体装置に
おいて、センシング媒体が存在する測定環境空間Ａとそ
れ以外の実装空間Ｂとを仕切る仕切部材３０を備え、セ
ンシング部１０と回路部２０とを積層して積層体を構成
し、該積層体を、測定環境空間Ａ側にセンシング部１０
が位置し、実装空間Ｂ側に回路部２０が位置するように
仕切部材３０に支持する。
環境にさらし、回路部をさらさないようにすることので
きる半導体装置を提供する。 【解決手段】 それ自身の温度変化に基づく信号を出力
するセンシング部１０と、このセンシング部１０からの
出力信号を処理する回路部２０とを備える半導体装置に
おいて、センシング媒体が存在する測定環境空間Ａとそ
れ以外の実装空間Ｂとを仕切る仕切部材３０を備え、セ
ンシング部１０と回路部２０とを積層して積層体を構成
し、該積層体を、測定環境空間Ａ側にセンシング部１０
が位置し、実装空間Ｂ側に回路部２０が位置するように
仕切部材３０に支持する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、エアフロ
ーセンサや赤外線センサ等に用いられ、それ自身の温度
変化に基づく信号を出力するセンシング部と、このセン
シング部からの出力信号を処理する回路部とを備える半
導体装置に関する。
ーセンサや赤外線センサ等に用いられ、それ自身の温度
変化に基づく信号を出力するセンシング部と、このセン
シング部からの出力信号を処理する回路部とを備える半
導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、この種のセンシング部を有す
る半導体装置としては、シリコンチップ上にセンシング
部を形成した熱線式空気流量計（エアフローセンサ）が
ある。このものにおけるセンシング部は、いわゆる熱線
式センシング部といわれるもので、各々熱線よりなるヒ
ータ及び温度測定用抵抗を有し、空気の流れとヒータに
よって該抵抗を冷却、加熱し、該抵抗の温度変化に基づ
く電気信号を出力し、該出力信号を回路部にて処理する
ようになっている。
る半導体装置としては、シリコンチップ上にセンシング
部を形成した熱線式空気流量計（エアフローセンサ）が
ある。このものにおけるセンシング部は、いわゆる熱線
式センシング部といわれるもので、各々熱線よりなるヒ
ータ及び温度測定用抵抗を有し、空気の流れとヒータに
よって該抵抗を冷却、加熱し、該抵抗の温度変化に基づ
く電気信号を出力し、該出力信号を回路部にて処理する
ようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の熱線式空気流量
計は、これまでの熱線をボビン構造としたものに比べ、
応答性に優れる、逆流検知ができる等の利点を有する
が、実装上、シリコンチップと回路素子基板とが平面方
向に別置きになっているため、センシング部及び回路部
を含めた半導体装置としての体格の大型化は避けられな
い。また、シリコンチップは、センシング部以外に放熱
のための大きな面積を要する。
計は、これまでの熱線をボビン構造としたものに比べ、
応答性に優れる、逆流検知ができる等の利点を有する
が、実装上、シリコンチップと回路素子基板とが平面方
向に別置きになっているため、センシング部及び回路部
を含めた半導体装置としての体格の大型化は避けられな
い。また、シリコンチップは、センシング部以外に放熱
のための大きな面積を要する。
【０００４】一方、この種のセンシング部を有する半導
体装置を赤外線センサに適用したものとしては、赤外線
のみを吸収することにより温度変化する金−ブラック膜
等を用いて、該温度変化に基づく信号を出力するセンシ
ング部を備えた赤外線センサが知られている。
体装置を赤外線センサに適用したものとしては、赤外線
のみを吸収することにより温度変化する金−ブラック膜
等を用いて、該温度変化に基づく信号を出力するセンシ
ング部を備えた赤外線センサが知られている。
【０００５】このような赤外線センサでは、センシング
部と該センシング部からの信号を処理する回路部とを集
積化した例があり、それによれば、体格の大型化は避け
られるものの、この集積化素子では、ＭＯＳトランジス
タ等の表面が敏感な回路素子が、センシング部とともに
測定環境にさらされてしまい、汚染物質によって素子特
性が劣化してしまう。そのため、自動車用センサ等の悪
環境で用いられるセンサには、適さない。
部と該センシング部からの信号を処理する回路部とを集
積化した例があり、それによれば、体格の大型化は避け
られるものの、この集積化素子では、ＭＯＳトランジス
タ等の表面が敏感な回路素子が、センシング部とともに
測定環境にさらされてしまい、汚染物質によって素子特
性が劣化してしまう。そのため、自動車用センサ等の悪
環境で用いられるセンサには、適さない。
【０００６】本発明は上記問題に鑑み、体格の増大を抑
えつつ、センシング部を測定環境にさらし、回路部をさ
らさないようにすることのできる半導体装置を提供する
ことを目的とする。
えつつ、センシング部を測定環境にさらし、回路部をさ
らさないようにすることのできる半導体装置を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、センシング媒体
の存在する第１の空間とそれ以外の第２の空間とを仕切
る仕切部材（３０）を備え、センシング部（１０）と回
路部（２０）とを積層して積層体を構成し、該第１の空
間側に該センシング部が位置し該第２の空間側に該回路
部が位置するように、該仕切部材に該積層体を支持させ
たことを特徴としている。
め、請求項１に記載の発明においては、センシング媒体
の存在する第１の空間とそれ以外の第２の空間とを仕切
る仕切部材（３０）を備え、センシング部（１０）と回
路部（２０）とを積層して積層体を構成し、該第１の空
間側に該センシング部が位置し該第２の空間側に該回路
部が位置するように、該仕切部材に該積層体を支持させ
たことを特徴としている。
【０００８】本発明によれば、第２の空間は、仕切部材
によってセンシング媒体の存在する第１の空間即ち測定
環境とは仕切られている。そして、センシング部と回路
部とを積層構造としているから、実質的に体格の増大を
抑えることができるとともに、仕切部材を挟むように積
層を行う等によって、簡単に、センシング部と回路部と
を、第１及び第２の空間に区分けして位置させることが
できる。
によってセンシング媒体の存在する第１の空間即ち測定
環境とは仕切られている。そして、センシング部と回路
部とを積層構造としているから、実質的に体格の増大を
抑えることができるとともに、仕切部材を挟むように積
層を行う等によって、簡単に、センシング部と回路部と
を、第１及び第２の空間に区分けして位置させることが
できる。
【０００９】よって、本発明によれば、体格の増大を抑
えつつ、センシング部を測定環境にさらし、回路部をさ
らさないようにすることのできる半導体装置を提供する
ことができる。ここで、請求項２及び請求項３の発明
は、センシング部と回路部とを、第１及び第２の空間に
区分けして位置させるための具体的構成を提供するもの
である。
えつつ、センシング部を測定環境にさらし、回路部をさ
らさないようにすることのできる半導体装置を提供する
ことができる。ここで、請求項２及び請求項３の発明
は、センシング部と回路部とを、第１及び第２の空間に
区分けして位置させるための具体的構成を提供するもの
である。
【００１０】また、請求項４の発明のように、仕切部材
（３０）に、センシング部（１０）及び回路部（２０）
と電気的に接続されたリードフレーム（３１）を備えれ
ば、簡易な構成にてセンシング部及び回路部の信号経路
を良好に確保できる。なお、上記各手段の括弧内の符号
は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係
を示す一例である。
（３０）に、センシング部（１０）及び回路部（２０）
と電気的に接続されたリードフレーム（３１）を備えれ
ば、簡易な構成にてセンシング部及び回路部の信号経路
を良好に確保できる。なお、上記各手段の括弧内の符号
は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係
を示す一例である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。本実施形態では、本発明の半導体装
置をエアフローセンサに具体化したものとして説明す
る。図１は本実施形態に係る半導体装置の第１の例を示
す概略断面図、図２は本実施形態に係る半導体装置の第
２の例を示す概略断面図である。図１及び図２中、同一
部分には同一符号を付してある。
について説明する。本実施形態では、本発明の半導体装
置をエアフローセンサに具体化したものとして説明す
る。図１は本実施形態に係る半導体装置の第１の例を示
す概略断面図、図２は本実施形態に係る半導体装置の第
２の例を示す概略断面図である。図１及び図２中、同一
部分には同一符号を付してある。
【００１２】これら両図に示す半導体装置においては、
センシング部１０及び回路部２０が積層された積層体
と、空気（センシング媒体）の存在する測定環境空間
（第１の空間）Ａとそれ以外の実装空間（第２の空間）
Ｂとを仕切る仕切部材３０とを備え、測定環境空間Ａ側
にセンシング部１０が位置し、実装空間Ｂ側に回路部２
０が位置するように、積層体が仕切部材３０に支持され
ている。
センシング部１０及び回路部２０が積層された積層体
と、空気（センシング媒体）の存在する測定環境空間
（第１の空間）Ａとそれ以外の実装空間（第２の空間）
Ｂとを仕切る仕切部材３０とを備え、測定環境空間Ａ側
にセンシング部１０が位置し、実装空間Ｂ側に回路部２
０が位置するように、積層体が仕切部材３０に支持され
ている。
【００１３】まず、図１に示す第１の例について述べ
る。センシング部１０は、支持基板であるＳｉ（シリコ
ン）ダイアフラム１１の一面側に、ＳｉＯ2／ＳｉＮ
（シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の積層膜）よりなる
絶縁膜（第１絶縁膜）１２、パターニングされた熱線と
してのＰｔ（白金）よりなる抵抗体（熱線部）１３、Ｓ
ｉＯ2／ＳｉＮよりなる絶縁膜（第２絶縁膜）１４を順
次成膜したものである。
る。センシング部１０は、支持基板であるＳｉ（シリコ
ン）ダイアフラム１１の一面側に、ＳｉＯ2／ＳｉＮ
（シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の積層膜）よりなる
絶縁膜（第１絶縁膜）１２、パターニングされた熱線と
してのＰｔ（白金）よりなる抵抗体（熱線部）１３、Ｓ
ｉＯ2／ＳｉＮよりなる絶縁膜（第２絶縁膜）１４を順
次成膜したものである。
【００１４】この抵抗体１３は、図示しないが、ヒータ
及び温度測定用抵抗（測温体）を構成する熱線のパター
ンを有する。そして、測定環境空間Ａの空気の流れと上
記ヒータによって、上記測温体が冷却、加熱され、上記
測温体の温度変化に基づく電気信号が出力されるように
なっている。このようにセンシング部１０は、測定環境
空間Ａの空気流量変化に伴い、自身の温度変化に基づく
信号を出力する。
及び温度測定用抵抗（測温体）を構成する熱線のパター
ンを有する。そして、測定環境空間Ａの空気の流れと上
記ヒータによって、上記測温体が冷却、加熱され、上記
測温体の温度変化に基づく電気信号が出力されるように
なっている。このようにセンシング部１０は、測定環境
空間Ａの空気流量変化に伴い、自身の温度変化に基づく
信号を出力する。
【００１５】ここで、抵抗体（熱線部）１３を両絶縁膜
１２、１４で挟んだサンドイッチ状の薄膜部が形成され
ているが、抵抗体１３の温度精度即ちセンシング感度を
良好とするために、この薄膜部の裏面（第１絶縁膜１２
側の面）では、該薄膜部の裏面が露出するように、Ｓｉ
ダイアフラム１１は除去されている。また、このサンド
イッチ構造により、抵抗体１３は、両絶縁膜１２、１４
により面方向に沿って僅かに引っ張られた状態となり、
薄膜状態を維持できる。
１２、１４で挟んだサンドイッチ状の薄膜部が形成され
ているが、抵抗体１３の温度精度即ちセンシング感度を
良好とするために、この薄膜部の裏面（第１絶縁膜１２
側の面）では、該薄膜部の裏面が露出するように、Ｓｉ
ダイアフラム１１は除去されている。また、このサンド
イッチ構造により、抵抗体１３は、両絶縁膜１２、１４
により面方向に沿って僅かに引っ張られた状態となり、
薄膜状態を維持できる。
【００１６】回路部２０は、ＭＯＳトランジスタ等の回
路素子２１がＳｉ基板２２の一面側に、周知のＩＣ製造
技術等を用いて形成されてなる。回路部２０は、センシ
ング部１０からの出力信号を処理するもので、該出力信
号を増幅して外部へ出力したり、温度検出素子が他に設
けられている場合には、その温度検出素子からの信号と
センシング部１０の出力信号とを比較して差動検出する
等の処理を行う。
路素子２１がＳｉ基板２２の一面側に、周知のＩＣ製造
技術等を用いて形成されてなる。回路部２０は、センシ
ング部１０からの出力信号を処理するもので、該出力信
号を増幅して外部へ出力したり、温度検出素子が他に設
けられている場合には、その温度検出素子からの信号と
センシング部１０の出力信号とを比較して差動検出する
等の処理を行う。
【００１７】図１に示す様に、この回路部２０における
Ｓｉ基板２２の他面とセンシング部１０におけるＳｉダ
イアフラム１１の他面とは、エポキシ樹脂等よりなる接
着剤４０により接着固定されている。つまり、センシン
グ部１０のセンシング面と回路部２０の回路素子形成面
とが、互いに反対を向くように、両部１０、２０は背中
合わせに積層されている。
Ｓｉ基板２２の他面とセンシング部１０におけるＳｉダ
イアフラム１１の他面とは、エポキシ樹脂等よりなる接
着剤４０により接着固定されている。つまり、センシン
グ部１０のセンシング面と回路部２０の回路素子形成面
とが、互いに反対を向くように、両部１０、２０は背中
合わせに積層されている。
【００１８】仕切部材３０は、リードフレーム３１と、
リードフレーム３１の空隙部を埋めて両空間Ａ、Ｂを遮
断するための樹脂３２とが一体化したもので、例えば板
形状をなす。この仕切部材３０は、例えば図１中の図示
しない左右の両端部分にて、被測定体に取付けられ、そ
れによって、仕切部材３０の一側が測定環境空間Ａ、他
側が実装空間Ｂがとなり、両空間Ａ、Ｂは互いに遮断さ
れたものとなる。
リードフレーム３１の空隙部を埋めて両空間Ａ、Ｂを遮
断するための樹脂３２とが一体化したもので、例えば板
形状をなす。この仕切部材３０は、例えば図１中の図示
しない左右の両端部分にて、被測定体に取付けられ、そ
れによって、仕切部材３０の一側が測定環境空間Ａ、他
側が実装空間Ｂがとなり、両空間Ａ、Ｂは互いに遮断さ
れたものとなる。
【００１９】そして、センシング部１０及び回路部２０
よりなる積層体は、仕切部材３０の一部に形成された穴
部（貫通穴）３２に対して、この穴部３２を塞ぐように
取り付けられ、両空間Ａ、Ｂを仕切る機能の一部として
作用している。本例では、図１に示す様に、回路部２０
のＳｉ基板２２の他面の周辺部とリードフレーム３１と
を、エポキシ樹脂等よりなる接着剤４１を介して固定す
ることにより、上記積層体を仕切部材３０に支持してい
る。
よりなる積層体は、仕切部材３０の一部に形成された穴
部（貫通穴）３２に対して、この穴部３２を塞ぐように
取り付けられ、両空間Ａ、Ｂを仕切る機能の一部として
作用している。本例では、図１に示す様に、回路部２０
のＳｉ基板２２の他面の周辺部とリードフレーム３１と
を、エポキシ樹脂等よりなる接着剤４１を介して固定す
ることにより、上記積層体を仕切部材３０に支持してい
る。
【００２０】また、センシング部１０と回路部２０との
電気的接続、及び、回路部２０とリードフレーム３１と
の電気的接続は、ワイヤボンディング等にて形成された
各ワイヤ４２、４３、４４、４５によりなされている。
それにより、センシング部１０の出力信号は、ワイヤ４
２、４３、リードフレーム３１を通って回路部２０へ伝
達され、そこで信号処理され、回路部２０の出力は、ワ
イヤ４４、４５、リードフレーム３１を通って外部へ送
られる。こうして、空気流量の検出が可能となってい
る。
電気的接続、及び、回路部２０とリードフレーム３１と
の電気的接続は、ワイヤボンディング等にて形成された
各ワイヤ４２、４３、４４、４５によりなされている。
それにより、センシング部１０の出力信号は、ワイヤ４
２、４３、リードフレーム３１を通って回路部２０へ伝
達され、そこで信号処理され、回路部２０の出力は、ワ
イヤ４４、４５、リードフレーム３１を通って外部へ送
られる。こうして、空気流量の検出が可能となってい
る。
【００２１】次に、図２に示す第２の例につき、上記第
１の例と異なるところを述べる。本第２の例では、リー
ドフレーム３１に穴部３２は形成されておらず、上記積
層体は、センシング部１０と回路部２０とが仕切部材３
０を挟むように仕切部材３０に取り付けられてなる。
１の例と異なるところを述べる。本第２の例では、リー
ドフレーム３１に穴部３２は形成されておらず、上記積
層体は、センシング部１０と回路部２０とが仕切部材３
０を挟むように仕切部材３０に取り付けられてなる。
【００２２】ここで、センシング部１０のＳｉダイアフ
ラム１１の他面とリードフレーム３１の測定環境空間Ａ
側の面、及び、回路部２０のＳｉ基板２２の他面とリー
ドフレーム３１の実装空間Ｂ側の面は、それぞれ、エポ
キシ樹脂等よりなる接着剤４６、４７にて接着固定され
ている。なお、上記第１及び第２の例において、センシ
ング部１０のセンシング面を露出させた状態で、その他
の部分全体を樹脂でモールドしてもよい。
ラム１１の他面とリードフレーム３１の測定環境空間Ａ
側の面、及び、回路部２０のＳｉ基板２２の他面とリー
ドフレーム３１の実装空間Ｂ側の面は、それぞれ、エポ
キシ樹脂等よりなる接着剤４６、４７にて接着固定され
ている。なお、上記第１及び第２の例において、センシ
ング部１０のセンシング面を露出させた状態で、その他
の部分全体を樹脂でモールドしてもよい。
【００２３】次に、本実施形態に係る半導体装置の製造
方法について、図３及び図４を参照して述べる。図３及
び図４は、本製造方法を説明するための工程図（概略断
面図）である。まず、図３（ａ）に示す様に、最終的に
Ｓｉダイアフラム１１となるＳｉウェハ（原石）Ｋ１を
用意し、図３（ｂ）に示す様に、その一面上にＳｉＯ 2
／ＳｉＮ膜をプラズマＣＶＤやＬＰＣＶＤ等により成膜
し、第１絶縁膜１２を形成する。
方法について、図３及び図４を参照して述べる。図３及
び図４は、本製造方法を説明するための工程図（概略断
面図）である。まず、図３（ａ）に示す様に、最終的に
Ｓｉダイアフラム１１となるＳｉウェハ（原石）Ｋ１を
用意し、図３（ｂ）に示す様に、その一面上にＳｉＯ 2
／ＳｉＮ膜をプラズマＣＶＤやＬＰＣＶＤ等により成膜
し、第１絶縁膜１２を形成する。
【００２４】次に、図３（ｃ）に示す様に、第１絶縁膜
１２の上に、スパッタ等によりＰｔ薄膜を成膜し、この
薄膜をエッチングしてパターニングすることにより、抵
抗体１３を形成する。そして、図３（ｄ）に示す様に、
その上に、プラズマＣＶＤによりＳｉＯ2／ＳｉＮ膜を
成膜して第２絶縁膜１４を形成する。こうして、上記サ
ンドイッチ状の薄膜部が形成される。
１２の上に、スパッタ等によりＰｔ薄膜を成膜し、この
薄膜をエッチングしてパターニングすることにより、抵
抗体１３を形成する。そして、図３（ｄ）に示す様に、
その上に、プラズマＣＶＤによりＳｉＯ2／ＳｉＮ膜を
成膜して第２絶縁膜１４を形成する。こうして、上記サ
ンドイッチ状の薄膜部が形成される。
【００２５】次に、図３（ｅ）に示す様に、フォトリソ
グラフ技術を用いて、第２絶縁膜１４の所定位置にコン
タクトホールを形成した後、該ホールを埋めるように第
２絶縁膜１４上にスパッタによりＡｌ（アルミニウム）
膜を成膜し、更に、このＡｌ膜をフォトリソグラフ技術
を用いてエッチングする。それにより、抵抗体１３と導
通したＡｌ電極パッド５０が形成される。このパッド５
０は、ワイヤ４２、４３と結線される部分である。
グラフ技術を用いて、第２絶縁膜１４の所定位置にコン
タクトホールを形成した後、該ホールを埋めるように第
２絶縁膜１４上にスパッタによりＡｌ（アルミニウム）
膜を成膜し、更に、このＡｌ膜をフォトリソグラフ技術
を用いてエッチングする。それにより、抵抗体１３と導
通したＡｌ電極パッド５０が形成される。このパッド５
０は、ワイヤ４２、４３と結線される部分である。
【００２６】次に、図３（ｆ）に示す様に、Ｓｉウェハ
Ｋ１の他面を研磨して薄肉化するバックポリッシュ工程
を行った後、該他面に対して、次工程である異方性エッ
チング工程時の保護膜となるプラズマシリコン窒化膜
（ｐ−ＳｉＮ）Ｋ２を形成する。続いて、図３（ｇ）に
示す様に、ＫＯＨ溶液を用いた異方性エッチングを行う
ことにより、ＳｉウェハＫ１の他面から除去し、ダイア
フラムを形成する。そして、上記窒化膜Ｋ２をドライエ
ッチング等で除去して、図３（ｈ）に示すセンシング部
１０が出来上がる。
Ｋ１の他面を研磨して薄肉化するバックポリッシュ工程
を行った後、該他面に対して、次工程である異方性エッ
チング工程時の保護膜となるプラズマシリコン窒化膜
（ｐ−ＳｉＮ）Ｋ２を形成する。続いて、図３（ｇ）に
示す様に、ＫＯＨ溶液を用いた異方性エッチングを行う
ことにより、ＳｉウェハＫ１の他面から除去し、ダイア
フラムを形成する。そして、上記窒化膜Ｋ２をドライエ
ッチング等で除去して、図３（ｈ）に示すセンシング部
１０が出来上がる。
【００２７】次に、センシング部１０と回路部２０との
積層、積層体の仕切部材３０への取付け、ワイヤボンデ
ィングを経て、上記第１及び第２の例に示す半導体装置
が出来上がるのであるが、これら一連の工程につき、図
４では、第２の例の場合を示している。なお、第１の例
においては、上述のように、センシング部１０と回路部
２０とを接着剤４０にて固定し、積層体を仕切部材３０
に接着した後、ワイヤボンディングすることで、図１に
示す構成の半導体装置を完成させる。
積層、積層体の仕切部材３０への取付け、ワイヤボンデ
ィングを経て、上記第１及び第２の例に示す半導体装置
が出来上がるのであるが、これら一連の工程につき、図
４では、第２の例の場合を示している。なお、第１の例
においては、上述のように、センシング部１０と回路部
２０とを接着剤４０にて固定し、積層体を仕切部材３０
に接着した後、ワイヤボンディングすることで、図１に
示す構成の半導体装置を完成させる。
【００２８】図４（ａ）に示す様に、リードフレーム３
１に樹脂３２を一体化させた仕切部材３０を準備してお
き、図４（ｂ）に示す様に、この仕切部材３０の一面に
接着剤４６を塗布する。続いて、図４（ｃ）に示す様
に、センシング部１０におけるＳｉダイアフラム１１の
他面（上記薄膜部形成面と反対の面）を接着剤４６上に
搭載し、接着剤４６に対して仮加熱及び硬化処理を行う
ことにより、センシング部１０は仕切部材３０に固定さ
れる。
１に樹脂３２を一体化させた仕切部材３０を準備してお
き、図４（ｂ）に示す様に、この仕切部材３０の一面に
接着剤４６を塗布する。続いて、図４（ｃ）に示す様
に、センシング部１０におけるＳｉダイアフラム１１の
他面（上記薄膜部形成面と反対の面）を接着剤４６上に
搭載し、接着剤４６に対して仮加熱及び硬化処理を行う
ことにより、センシング部１０は仕切部材３０に固定さ
れる。
【００２９】次に、図４（ｄ）に示す様に、仕切部材３
０の他面に接着剤４７を塗布し、この接着剤４７を介し
て、回路部２０のＳｉ基板２２の他面（回路素子２１形
成面と反対の面）を仕切部材３０に接着し、仮加熱及び
硬化処理を行うことにより、回路部２０を仕切部材３０
に固定する。その後、Ａｕ（金）やＡｌ等のワイヤボン
ディングによりワイヤ４２〜４５を形成すると、図４
（ｅ）に示す様に、第２の例としての半導体装置が出来
上がる。
０の他面に接着剤４７を塗布し、この接着剤４７を介し
て、回路部２０のＳｉ基板２２の他面（回路素子２１形
成面と反対の面）を仕切部材３０に接着し、仮加熱及び
硬化処理を行うことにより、回路部２０を仕切部材３０
に固定する。その後、Ａｕ（金）やＡｌ等のワイヤボン
ディングによりワイヤ４２〜４５を形成すると、図４
（ｅ）に示す様に、第２の例としての半導体装置が出来
上がる。
【００３０】ところで、本実施形態によれば、実装空間
（第２の空間）Ｂは、仕切部材３０によって空気（セン
シング媒体）の存在する測定環境空間（第１の空間）Ａ
とは仕切られている。そして、センシング部１０と回路
部２０とを積層構造としているから、体格の増大を抑え
ることができるとともに、第１の例や第２の例に示す構
成とすることによって、簡単に、センシング部１０と回
路部２０とを、第１及び第２の空間Ａ、Ｂに区分けして
位置させることができる。また、抵抗体（熱線部）１３
と回路部２０とが離れているため、熱による回路素子２
１への影響が小さい。
（第２の空間）Ｂは、仕切部材３０によって空気（セン
シング媒体）の存在する測定環境空間（第１の空間）Ａ
とは仕切られている。そして、センシング部１０と回路
部２０とを積層構造としているから、体格の増大を抑え
ることができるとともに、第１の例や第２の例に示す構
成とすることによって、簡単に、センシング部１０と回
路部２０とを、第１及び第２の空間Ａ、Ｂに区分けして
位置させることができる。また、抵抗体（熱線部）１３
と回路部２０とが離れているため、熱による回路素子２
１への影響が小さい。
【００３１】よって、本実施形態によれば、体格の増大
を抑えつつ、センシング部１０を測定環境にさらし、回
路部２０をさらさないようにすることのできる半導体装
置を提供することできる。そして、回路部２０は測定環
境にさらされないため、測定環境中の汚染物質によって
回路素子２１の特性が劣化するのを防止でき、信頼性の
高い半導体装置（エアフローセンサ）が実現できる。
を抑えつつ、センシング部１０を測定環境にさらし、回
路部２０をさらさないようにすることのできる半導体装
置を提供することできる。そして、回路部２０は測定環
境にさらされないため、測定環境中の汚染物質によって
回路素子２１の特性が劣化するのを防止でき、信頼性の
高い半導体装置（エアフローセンサ）が実現できる。
【００３２】また、仕切部材３０を、例えば樹脂板より
構成し、リードフレームを仕切部材とは別体に設けた構
成としてもよいが、本実施形態によれば、仕切部材３０
が、リードフレーム３１を一体に備えているので、より
簡易な構成にてセンシング部及び回路部の信号経路を良
好に確保でき、好ましい。
構成し、リードフレームを仕切部材とは別体に設けた構
成としてもよいが、本実施形態によれば、仕切部材３０
が、リードフレーム３１を一体に備えているので、より
簡易な構成にてセンシング部及び回路部の信号経路を良
好に確保でき、好ましい。
【００３３】なお、本発明は、センシング部と回路部と
を備える半導体装置において、センシング媒体の存在す
る第１の空間とそれ以外の第２の空間とを仕切る仕切部
材を備え、センシング部と回路部とを積層し、この積層
体を、第１の空間側にセンシング部が位置し、第２の空
間側に回路部が位置するように仕切部材に支持したこと
を要部とするものであり、他の部分は適宜設計変更して
もよいことは勿論である。
を備える半導体装置において、センシング媒体の存在す
る第１の空間とそれ以外の第２の空間とを仕切る仕切部
材を備え、センシング部と回路部とを積層し、この積層
体を、第１の空間側にセンシング部が位置し、第２の空
間側に回路部が位置するように仕切部材に支持したこと
を要部とするものであり、他の部分は適宜設計変更して
もよいことは勿論である。
【００３４】エアフローセンサ以外にも、例えば、上記
した赤外線センサに適用してもよい。また、上記実施形
態では、センシング部には、感度を向上させるためにダ
イアフラムが形成されているが、抵抗体１３の対応する
位置のＳｉ基板を除去せずにダイアフラムを形成しない
ものでも良い。
した赤外線センサに適用してもよい。また、上記実施形
態では、センシング部には、感度を向上させるためにダ
イアフラムが形成されているが、抵抗体１３の対応する
位置のＳｉ基板を除去せずにダイアフラムを形成しない
ものでも良い。
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置の第１の例
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図２】上記実施形態に係る半導体装置の第２の例を示
す概略断面図である。
す概略断面図である。
【図３】上記実施形態に係る半導体装置の製造方法の工
程図である。
程図である。
【図４】図３に続く製造方法の工程図である。
１０…センシング部、２０…回路部、３０…仕切部材、
３１…穴部、３２…リードフレーム。
３１…穴部、３２…リードフレーム。
Claims (4)
- 【請求項１】 それ自身の温度変化に基づく信号を出力
するセンシング部（１０）と、このセンシング部からの
出力信号を処理する回路部（２０）とを備える半導体装
置において、 センシング媒体の存在する第１の空間とそれ以外の第２
の空間とを仕切る仕切部材（３０）を備え、 前記センシング部と前記回路部とは積層されて積層体を
構成しており、この積層体は、前記第１の空間側に前記
センシング部が位置し、前記第２の空間側に前記回路部
が位置するように前記仕切部材に支持されていることを
特徴とするセンシング部を有する半導体装置。 - 【請求項２】 前記積層体は、前記仕切部材（３０）の
一部に形成された穴部（３２）に対して、この穴部を塞
ぐように取り付けられ、前記第１及び第２の空間を仕切
る機能の一部として作用していることを特徴とする請求
項１に記載のセンシング部を有する半導体装置。 - 【請求項３】 前記積層体は、前記センシング部（１
０）と前記回路部（２０）とが前記仕切部材（３０）を
挟むように前記仕切部材に取り付けられてなるものであ
ることを特徴とする請求項１に記載のセンシング部を有
する半導体装置。 - 【請求項４】 前記仕切部材（３０）は、前記センシン
グ部（１０）及び前記回路部（２０）と電気的に接続さ
れたリードフレーム（３１）を有することを特徴とする
請求項１〜３に記載のセンシング部を有する半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34086799A JP4356159B2 (ja) | 1999-11-30 | 1999-11-30 | センシング部を有する半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34086799A JP4356159B2 (ja) | 1999-11-30 | 1999-11-30 | センシング部を有する半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001153708A true JP2001153708A (ja) | 2001-06-08 |
| JP4356159B2 JP4356159B2 (ja) | 2009-11-04 |
Family
ID=18341055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34086799A Expired - Fee Related JP4356159B2 (ja) | 1999-11-30 | 1999-11-30 | センシング部を有する半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4356159B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6981410B2 (en) | 2002-05-10 | 2006-01-03 | Yamatake Corporation | Flow sensor and method of manufacturing the same |
| JP2010107315A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Denso Corp | 熱式流量センサ |
| DE102004008148B4 (de) * | 2003-02-20 | 2014-03-13 | Denso Corporation | Sensor mit Membran und Verfahren zur Herstellung des Sensors |
| US9804009B2 (en) | 2012-06-15 | 2017-10-31 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Thermal flow meter with diaphragm forming a reduced pressure sealed space |
| CN112946315A (zh) * | 2021-02-10 | 2021-06-11 | 复旦大学 | 一种无电磁流量计的流速计 |
-
1999
- 1999-11-30 JP JP34086799A patent/JP4356159B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6981410B2 (en) | 2002-05-10 | 2006-01-03 | Yamatake Corporation | Flow sensor and method of manufacturing the same |
| DE102004008148B4 (de) * | 2003-02-20 | 2014-03-13 | Denso Corporation | Sensor mit Membran und Verfahren zur Herstellung des Sensors |
| JP2010107315A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Denso Corp | 熱式流量センサ |
| US9804009B2 (en) | 2012-06-15 | 2017-10-31 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Thermal flow meter with diaphragm forming a reduced pressure sealed space |
| CN112946315A (zh) * | 2021-02-10 | 2021-06-11 | 复旦大学 | 一种无电磁流量计的流速计 |
| CN112946315B (zh) * | 2021-02-10 | 2022-09-16 | 复旦大学 | 一种无电磁流量计的流速计 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4356159B2 (ja) | 2009-11-04 |
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