JPH04348280A - ヒータ内蔵ハイブリッドｉｃ - Google Patents

ヒータ内蔵ハイブリッドｉｃ

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JPH04348280A
JPH04348280A JP3222540A JP22254091A JPH04348280A JP H04348280 A JPH04348280 A JP H04348280A JP 3222540 A JP3222540 A JP 3222540A JP 22254091 A JP22254091 A JP 22254091A JP H04348280 A JPH04348280 A JP H04348280A
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heater
sensor
hybrid
ceramic substrate
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Atsushi Inaba
敦 稲葉
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Honda Motor Co Ltd
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Honda Motor Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ヒータが内蔵されたセ
ラミック基板上に回路が形成されたヒータ内蔵ハイブリ
ッドＩＣに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば、酸素濃淡電池の原理を応
用した酸素センサにあっては、そのセンサ素子が５００
〜７００℃の温度範囲において良好な起電力特性を示す
ことから、そのセンサ素子をヒータによって強制加熱す
るようにしており、その場合、図３に示すように、セラ
ミック基板１にヒータ２が埋め込まれたセラミックヒー
タ３上に、基準側電極層４１、固体電解質層４２および
測定側電極層４３からなる酸素センサ素子４を直接形成
するようにしている（特開昭５６−９４２５８号公報参
照）。
【０００３】しかし、このようなものでは、酸素センサ
素子４の出力信号を増幅する回路を別途設ける必要があ
り、その増幅回路における温度ドリフトによってセンサ
精度が低下してしまうという問題がある。
【０００４】また、最近、センサ本体に角速度運動が作
用したときのガス流の偏向の程度を一対の感熱抵抗素子
からなるヒートワイヤ対によって検出するガスレートセ
ンサにあっては、半導体製造技術により、半導体基板を
用いてガス通路およびそのガス通路にガスを噴出するノ
ズル孔を形成するとともに、そのガス通路内にヒートワ
イヤ対を形成し、また、ＩＣ製造技術により、その半導
体基板にピエゾ素子を駆動源とするマイクロポンプを集
積化して形成した半導体ガスレートセンサが開発されて
いる（特開平３−２９８５８号公報参照）。
【０００５】この種のガスレートセンサにあっては、ヒ
ートワイヤがガス流にさらされるときの感熱抵抗の変化
によってセンサ本体に作用する角速度の大きさを検出す
るものであるので、外部温度変化の影響を受けることが
ないようにヒータによって強制加熱して雰囲気温度を一
定に保持させるようにしている。
【０００６】そのため、従来では、図４に示すように、
回路基板５上にセンサ回路およびそのセンサ出力信号を
増幅する増幅回路における各抵抗と配線からなる回路パ
ターンを形成して、それに前記半導体ガスレートセンサ
素子６および増幅回路における必要な回路素子７，８を
組み込んでハイブリッドＩＣ化された回路部９を構成し
、その回路部９が組み込まれた回路基板５を、セラミッ
ク基板１にヒータ２が埋め込まれたセラミックヒータ３
上に接着させるようにしている。図中、１０は接着層で
ある。
【０００７】しかし、このようなものでは、セラミック
ヒータ３と回路部９との間に回路基板５および接着層１
０が介在して熱伝導性が悪く、加熱開始時の温度立上り
が悪いものになっており、また、構成要素が多くて、そ
の分全体が大きくなってしまっている。
【０００８】また、接着層１０にボイド１１があったり
すると、セラミックヒータ３の熱が回路部９に均一に伝
わらなくなり、加熱むらを生じてしまうという問題があ
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、セラミック基板にヒータが埋め込まれたセラミッ
クヒータ上に強制加熱を必要とするセンサ素子を設置す
る際、そのセンサ回路およびセンサ出力信号の増幅回路
を別途に設けるのでは温度ドリフトが生じてセンサ精度
が低下してしまうことである。
【００１０】また、回路基板上にハイブリッドＩＣ化さ
れた回路部が形成されたものをセラミックヒータ上に接
着させるのでは、熱伝導性の点で問題があり、また全体
が大きくなってしまうことである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、回路基板を何
ら用いることなく、ヒータが内蔵されたセラミック基板
の表面に、回路パターンを直接形成するようにしている
。そして、セラミック基板の表面に直接形成された回路
パターン上にセンサ素子およびそのセンサに必要な回路
素子を設置するようにしている。
【００１２】
【実施例】図１は本発明によるヒータ内蔵ハイブリッド
ＩＣの一実施例を示すもので、セラミック基板１にヒー
タ２が埋め込まれたセラミックヒータ３上に、センサ回
路およびそのセンサ出力信号を増幅する増幅回路におけ
る各抵抗と配線からなる回路パターンを直接形成して、
それに半導体ガスレートセンサ素子６および増幅回路に
おける必要な回路素子７，８を組み込んでハイブリッド
ＩＣ化された回路部９を構成するようにしている。
【００１３】ここで、センサ回路としては、半導体ガス
レートセンサ素子６におけるヒートワイヤ対と基準抵抗
とによって構成される抵抗ブリッジ回路からなっている
。
【００１４】また、図２は本発明の他の実施例を示すも
ので、ここでは、セラミック基板１に凹部１２を形成し
て、その凹部１２内に回路部９を形成してパッケージ化
を図るようにしている。図中、１３はセラミック基板１
から引き出されているヒータ２のリードである。
【００１５】なお、セラミック基板１に９６％アルミナ
セラミックを使用すれば、厚膜印刷によってそのセラミ
ック基板１上に回路パターンを形成することができるが
、９２％アルミナセラミックを使用する場合には厚膜印
刷によることは難しく、その場合には蒸着または鍍金に
よってしかセラミック基板１上に回路パターンを形成す
ることができない。
【００１６】しかして、このように構成された本発明に
よるヒータ内蔵ハイブリッドＩＣにあっては、セラミッ
クヒータ３上に半導体ガスレートセンサ素子６のセンサ
回路とそのセンサ出力信号の増幅回路とが一体的に形成
されているので、温度ドリフトの問題を生ずることなく
、精度の良いセンサ出力信号を得ることができるように
なる。
【００１７】また、本発明によれば、従来のように回路
基板を別途用いることなく、セラミツクヒータ３そのも
のを回路基板として用いているので、セラミックヒータ
３と回路部９との間に回路基板や接着層などが何ら介在
することがなく、熱伝導性が良くなり、加熱開始時の温
度立上りが良いものとなる。そして、ヒータ２と回路部
９との間隔を従来の約１／２ほどに狭めることができ、
ヒータ２における必要な熱量を小さくすることが可能に
なる。
【００１８】また、本発明によれば、セラミックヒータ
３と回路部９との間に介在物が何ら存在しないので、加
熱むらを生ずるようなことなく、ヒータ２の熱が回路部
９に均一に伝わるようになる。
【００１９】さらに、本発明によれば、全体の構造が簡
単となって、小形化を有効に図ることができ、また、ヒ
ータ２の両面に回路部品を設けることによりさらに小形
化することが可能となる。
【００２０】なお、この実施例ではセンサ素子として半
導体ガスレートセンサ素子６を用いているが、本発明は
それに何ら限定されるものではなく、その他酸素センサ
素子などの強制加熱による温度管理が必要なものが広く
適用されることはいうまでもない。
【００２１】
【発明の効果】以上、本発明によるヒータ内蔵ハイブリ
ッドＩＣにあっては、ヒータが内蔵されたセラミック基
板の表面に、回路パターンを直接形成するようにし、ま
た、セラミック基板の表面に直接形成された回路パター
ン上にセンサ素子およびそのセンサに必要な回路素子を
設置するようにしたもので、ヒータの熱が伝導性良くむ
らなく回路部に伝わって、温度ドリフトの問題を生ずる
ことなく精度の良いセンサ出力信号を得ることができる
ようになり、全体の構造が簡素化されて小形になるなど
の利点を有している。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例によるヒータ内蔵ハイブリッ
ドＩＣの正面図である。
【図２】本発明の他の実施例によるヒータ内蔵ハイブリ
ッドＩＣの正断面図である。
【図３】従来のセラミックヒータ上にセンサ素子が形成
された酸素センサを示す正断面図である。
【図４】従来のヒータ内蔵ハイブリッドＩＣを示す正面
図である。
【符号の説明】
１　　セラミック基板 ２　　ヒータ ３　　セラミックヒータ ６　　半導体ガスレートセンサ素子 ９　　回路部

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　ヒータが内蔵されたセラミック基板の
    表面に、回路パターンを直接形成することによって構成
    されたヒータ内蔵ハイブリッドＩＣ。
  2. 【請求項２】　　セラミック基板の表面に直接形成され
    た回路パターン上にセンサ素子およびそのセンサに必要
    な回路素子を設置したことを特徴とする前記第１項の記
    載によるヒータ内蔵ハイブリッドＩＣ。
JP3222540A 1991-05-24 1991-05-24 ヒータ内蔵ハイブリッドｉｃ Pending JPH04348280A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3222540A JPH04348280A (ja) 1991-05-24 1991-05-24 ヒータ内蔵ハイブリッドｉｃ
EP92108529A EP0514873A1 (en) 1991-05-24 1992-05-20 Heater type hybrid integrated circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3222540A JPH04348280A (ja) 1991-05-24 1991-05-24 ヒータ内蔵ハイブリッドｉｃ

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JPH04348280A true JPH04348280A (ja) 1992-12-03

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ID=16784043

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3222540A Pending JPH04348280A (ja) 1991-05-24 1991-05-24 ヒータ内蔵ハイブリッドｉｃ

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JP (1) JPH04348280A (ja)

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