JP2005098796A - メンブレンを有するセンサ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 メンブレンを有するエアフローセンサにおいて、異物がメンブレンに衝突したときのたわみによるメンブレンの破壊防止を、信頼性よく行えるようにする。
【解決手段】 基板10の一面11側に開口部21を有し、基板10の一面11側から他面12側へ向かって凹んだ空洞部20と、この空洞部20の底部側に形成された薄肉部としてのメンブレン30aとを備えるエアフローセンサにおいて、基板10の一面11側には、空洞部20の開口部21を覆うように基台50が接着剤60によって取り付けられており、基台50のうち空洞部20の開口部21を覆っている部位には、空洞部20と空洞部20の外部とを連通する細孔51が設けられており、細孔51を空気が通過する際に所定の圧力損失が発生するようになっている。
【選択図】 図2
【解決手段】 基板10の一面11側に開口部21を有し、基板10の一面11側から他面12側へ向かって凹んだ空洞部20と、この空洞部20の底部側に形成された薄肉部としてのメンブレン30aとを備えるエアフローセンサにおいて、基板10の一面11側には、空洞部20の開口部21を覆うように基台50が接着剤60によって取り付けられており、基台50のうち空洞部20の開口部21を覆っている部位には、空洞部20と空洞部20の外部とを連通する細孔51が設けられており、細孔51を空気が通過する際に所定の圧力損失が発生するようになっている。
【選択図】 図2
Description
本発明は、基板に薄肉部としてのメンブレンを形成してなるセンサ装置に関し、たとえば、エアフローセンサ等のダストが衝突しやすい環境で用いられるセンサに適用することができる。
一般的な、この種のメンブレンを有するセンサ装置は、半導体基板等の基板と、基板の一面側に開口部を有し基板の一面側から他面側へ向かって凹んだ空洞部と、基板の他面側に位置する空洞部の底部に形成された薄肉部としてのメンブレンとを備える。
このようなセンサ装置としては、たとえば、メンブレンに温度変化によって抵抗が変化する温度検出素子を設けたエアフローセンサが提案されている(たとえば、特許文献1参照)。
このエアフローセンサは、熱式流量計であり、使用環境で固体粒子等の異物が衝突することによりメンブレンを構成する絶縁膜が破壊することに対し、応力の集中しやすいメンブレンのエッジをポリイミドで保護することで、粒子の衝突による絶縁膜へのダメージを小さくしているものである。
特開2001−50787号公報
しかしながら、上記した特許文献1に記載されているものでは、センサ装置にポリイミドを形成させる工程が必要であり、また、ポリイミドは軟質であるため、長期間、粒子の衝突を受けていれば、どんどん削られて目減りしていくという問題がある。
そして、このような問題は、エアフローセンサに限らず、ガスセンサ、湿度センサ、赤外線センサ等のメンブレンを有するセンサ装置であれは、異物の衝突時のたわみによるメンブレンの破壊という問題は、共通するものであると考えられる。
そこで、本発明は上記問題に鑑み、メンブレンを有するセンサ装置において、異物がメンブレンに衝突したときのたわみによるメンブレンの破壊防止を、信頼性よく行えるようにすることを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、基板(10)と、基板(10)の一面(11)側に開口部(21)を有し、基板(10)の一面(11)側から基板(10)の他面(12)側へ向かって凹んだ空洞部(20)と、基板(10)の他面(12)側に位置する空洞部(20)の底部側に形成された薄肉部としてのメンブレン(30a)とを備えるセンサ装置において、基板(10)の一面(11)側には、空洞部(20)の開口部(21)を覆うように基台(50)が取り付けられており、基台(50)のうち空洞部(20)の開口部(21)を覆っている部位には、空洞部(20)と空洞部(20)の外部とを連通する細孔(51)が設けられており、細孔(51)を空気が通過する際に所定の圧力損失が発生するようになっていることを特徴としている。
それによれば、空洞部(20)の開口部(21)を覆っている基台(50)の部分に、空洞部(20)と空洞部(20)の外部とを連通する細孔(51)が設けられており、細孔(51)を空気が通過する際に所定の圧力損失が発生するようになっているため、異物がメンブレン(30a)衝突してメンブレン(30a)がたわもうとした際に、ダンピング効果を発生させることができる。
また、細孔(51)によって空洞部(20)の内外を連通させることで、空洞部(20)は、密閉された気密空間ではなくなるため、空洞部(20)内の体積の温度変化は、ほとんど発生せず、温度変化によってメンブレン(30a)がたわむこともない。
よって、本発明によれば、メンブレン(30a)を有するセンサ装置において、異物がメンブレン(30a)に衝突したときのたわみによるメンブレン(30a)の破壊防止を、信頼性よく行うことができる。
請求項2に記載の発明では、請求項1に記載のセンサ装置において、細孔(51)の孔径は、メンブレン(30a)の面積よりも小さいことを特徴としている。
このように、細孔(51)の孔径を、メンブレン(30a)の面積よりも小さいものにすることにより、請求項1に記載の発明の効果を適切に発揮させることができる。
請求項3に記載の発明では、請求項1または請求項2に記載のセンサ装置において、基板(10)は半導体基板であり、基台(50)は、金属、樹脂、またはセラミックからなるものであることを特徴としている。
別体の部材である基板(10)と基台(50)とは、このような材質からなるものにすることができる。
請求項4に記載の発明では、請求項1〜請求項3に記載のセンサ装置において、基板(10)と基台(50)とは、接着剤(60)を介して固定されていることを特徴としている。
別体の部材である基板(10)と基台(50)とは、このように接着剤(60)を介して固定することができる。
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。
図1は、本発明の実施形態に係るメンブレンを有するセンサ装置としてのエアフローセンサS1の概略平面構成を示す図であり、図2は、図1中のA−A線に沿った本センサS1の概略断面構成を示す図である。
基板10は、シリコン基板等の半導体基板等からなるものであり、本例ではシリコン基板10である。ここで、シリコン基板10の一面11側には、空洞部20が形成されている。
この空洞部20は、シリコン基板10に対して、その一面11側から異方性エッチング等を施すなどにより形成されている。
そして、図2に示されるように、空洞部20は、シリコン基板10の一面11側に開口部21を有し、シリコン基板10の一面11側からシリコン基板11の他面12側へ向かって凹んだ凹部として構成されている。
また、図2に示されるように、シリコン基板10の一面11上には、各種の絶縁膜等にて構成された積層膜30が設けられている。この積層膜30は、シリコン基板11の一面11側から、第1の絶縁膜31、薄膜抵抗体32a、32b、第2の絶縁膜33が積層されたものである。
ここで、この積層膜30において、両絶縁膜31、33は、シリコン基板10の一面11上において空洞部20を含むほぼ全域に形成されたものであり、薄膜抵抗体32a、32bは、図1に示されるように、一部が空洞部20に位置するようにパターニングされた形状をなしている。
両絶縁膜31、33は、それぞれが、シリコン酸化膜(SiO2)あるいはシリコン窒化膜(SiN)等の絶縁膜からなる単層もしくは多層の膜であり、スパッタリング法や蒸着法等により成膜されたものである。
薄膜抵抗体32aは、図1に示される例では、図中の上側に位置するヒータ32aと図中の下側に位置する温度検出素子32bとからなる。ここで、ヒータ32aは、温度検出素子32bを加熱するためのものであり、温度検出素子32bは、温度変化によって抵抗値が変わるものである。
これら薄膜抵抗体32a、32bは、白金やポリシリコン等からなる薄膜であり、蒸着法やスパッタリング法等により成膜されたものである。
また、図1に示されるように、各薄膜抵抗体32a、32bは、空洞部20からシリコン基板10の周辺部に延びており、この周辺部において、アルミニウム(Al)等からなるパッド40に電気的に接続されている。
シリコン基板10の周辺部では、図2に示されるように、第2の絶縁膜33の一部を除去することで薄膜抵抗体32a、32bまで到達する開口部41が形成されている。そして、この開口部41にパッド40が充填されることにより、パッド40と薄膜抵抗体32a、32bとが電気的に接続されている。
また、このパッド40は、ワイヤボンディングが行われる部位であり、パッド40と図示しない制御回路とが、ボンディングワイヤにより結線され電気的に接続されるようになっている。
そして、本実施形態では、シリコン基板11の他面12側に位置する空洞部20の底部側において、積層膜30の一部が薄肉部としてのメンブレン30aとして構成されている。ここでは、メンブレン30aが、シリコン基板10の他面12側において空洞部20の底部を構成している。
このメンブレン30aは、センサの感度を向上させるために設けられたものであり、このメンブレン30aにセンシング部が設けられる。本エアフローセンサS1においては、たとえば、薄肉化することで、メンブレン30aの温度変化が敏感なものとなるため、センサ感度が向上する。
また、シリコン基板10の一面11側には、空洞部20の開口部21を覆うように基台50が取り付けられている。この基台50は、たとえば、金属、樹脂、あるいはガラス等のセラミックなどから構成される。ここでは、基台50とシリコン基板10とは、樹脂等からなる接着剤60を介して接合され固定されている。
ここで、基台50のうち空洞部20の開口部を覆っている部位には、空洞部20と空洞部20の外部とを連通する細孔51が設けられている。さらに、本実施形態では、この細孔51を空気が通過する際に所定の圧力損失が発生するようになっている。
そして、細孔51を空気が通過する際に所定の圧力損失を発生させるために、図1、図2に示されるように、細孔51の孔径は、メンブレン30aの面積よりも小さいものとなっている。このような細孔51は、切削や型加工等により形成可能なものである。
このようなエアフローセンサS1における空気流量の検出動作の一例について、次に述べる。
たとえば、図1中の白抜き矢印Y方向から空気が流れてくるとする。ここで、上述したように、温度検出素子32bは、ヒータ32aによって加熱され、空気温度よりも高い温度となっている。
そして、空気が流れることにより、温度検出素子32bは熱を奪われて温度が下がり、配線の抵抗値が変動する。そして、上記制御回路によって、この抵抗値変動から温度を測定し、測定された温度変化の差に基づいて流量検出が行われる。
なお、本例では、図1中の上側に位置する薄膜抵抗体32aをヒータ32aとし、下側に位置する薄膜抵抗体32bを温度検出素子32bとしているが、たとえば、両者32a、32bともに温度検出素子として構成してもよい。
そのようにした場合、たとえば、2つの薄膜抵抗体32a、32bの間の温度差から、流体である空気の流量や流れ方向を検出することができる。なお、これらの検出動作は、通常知られているエアフローセンサにおいて行われているものである。
次に、上記図2を参照して、エアフローセンサS1の製造方法について述べる。基板としてのシリコン基板10を用意する(基板用意工程)。この基板10は、空洞部20が形成されていないものである。
まず、シリコン基板10の一面11に、スパッタリング法や蒸着法等により、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などからなる第1の絶縁膜31を形成する(第1の絶縁膜形成工程)。
次に、薄膜抵抗体32a、32bを形成するために、スパッタリング法や蒸着法等により、白金やポリシリコンの膜を第1の絶縁膜31の上に形成し、これをフォトリソグラフ技術等を用いてパターニングすることにより、ヒータ32aおよび温度検出素子32bからなる薄膜抵抗体32a、32bを形成する(薄膜抵抗体形成工程)。
次に、薄膜抵抗体32a、32bの上および薄膜抵抗体32a、32bが形成されていない第1の絶縁膜31の上に、スパッタリング法や蒸着法等により、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などからなる第2の絶縁膜33を形成する(第2の絶縁膜形成工程)。
こうして、第1の絶縁膜形成、薄膜抵抗体形成、および第2の絶縁膜形成の各工程を経て、シリコン基板10の一面11の上に、積層膜30が形成される。
その後、各薄膜抵抗32a、32bのパッド40を形成するために、ドライエッチング等により、第2の絶縁膜33に開口部41を形成する。そして、スパッタリング法等により、アルミニウム等からなるパッド40を形成する。
次に、シリコン基板10の他面12から、シリコン基板10をエッチングすることにより、シリコン基板10の他面12から積層膜30まで通じる空洞部20を形成する(基板エッチング工程)。
このエッチングは、具体的には、よく知られているKOH(水酸化カリウム)やTMAH(水酸化4メチルアンモニウム)をエッチング液として用いた異方性エッチング等により行うことができる。
次に、細孔51を形成した基台50を、シリコン基板10の一面11に接着剤60を介して固定する。こうして、上記エアフローセンサS1ができあがる。
ところで、本実施形態によれば、基板10と、基板10の一面11側に開口部21を有し、基板10の一面11側から基板10の他面12側へ向かって凹んだ空洞部20と、基板10の他面12側に位置する空洞部20の底部側に形成された薄肉部としてのメンブレン30aとを備えるエアフローセンサにおいて、次のような特徴点を有するエアフローセンサS1が提供される。
すなわち、基板10の一面11側には、空洞部20の開口部21を覆うように基台50が取り付けられており、基台50のうち空洞部20の開口部21を覆っている部位には、空洞部20と空洞部20の外部とを連通する細孔51が設けられており、細孔51を空気が通過する際に所定の圧力損失が発生するようになっている。
このようなエアフローセンサS1においては、使用時に、図3に示されるように、センサに対して流れてくる空気中に粒子K等の異物が含まれているため、その粒子Kがメンブレン30aに衝突すると、図中の破線に示されるように、メンブレン30aがたわもうとする。
しかし、本実施形態によれば、基台50に、空洞部20の内外を連通する細孔51が設けられており、この細孔51を空気が通過する際に所定の圧力損失が発生するようになっているため、異物がメンブレン30aが衝突してメンブレン30aがたわもうとした際に、ダンピング効果を発生させることができる。
もう少し具体的に言うと、次のようになる。メンブレン30aの表面に粒子Kが衝突したときに、メンブレン30aが下方にたわもうとする。
しかし、メンブレン30aの下の空洞部20内の空気は、基台50に設けられた狭い細孔51を介して、空洞部20外部へ流出しようとしても、一気に外部へ流出することができない。そのため、空洞部20内部の圧力が上昇し、メンブレン30aのたわみが抑制される。
また、本実施形態では、細孔51によって空洞部20の内外を連通させることで、空洞部20は、密閉された気密空間ではなくなるため、空洞部20内の体積の温度変化は、ほとんど発生せず、温度変化によってメンブレン30aがたわむこともない。
このことは、言い換えるならば、外気温の変化や、メンブレン30a上に取り付けられた薄膜抵抗体をヒータとして使った時など、空洞部20内部の空気温度が変化しても、細孔51を通して、空気の出入りはできるため、空洞部20の内圧が変化しメンブレン30aを破壊に至らしめることがないということである。
すなわち、本実施形態によれば、細孔51は、空洞部20内の急速な体積変化に対しては、ダンピング効果を働らかせ、緩やかな体積変化に対しては、圧力を一定に保つことができる、という機能を有する。
よって、本実施形態によれば、メンブレン30aを有するセンサ装置としてのエアフローセンサS1において、異物がメンブレン30aに衝突したときのたわみによるメンブレン30aの破壊防止を、信頼性よく行うことができる。
また、本実施形態によれば、異物の衝突によるメンブレン30aの破壊防止効果以外にも、副次効果として次のような効果もある。
たとえば、センサ装置の周囲環境にて急激な圧力変化が生じたときなど、メンブレン30aの表面に急激な圧力変動が発生する。このようなときにも、上記したダンピング効果が発揮されるため、メンブレン30aの破壊を防止することができる。
なお、上記したようなダンピング効果と圧力一定保持効果とを有する細孔51は、その孔径をメンブレン30aのサイズ(面積)よりも十分に小さいものにすることが望ましい。つまり、メンブレン30aがたわむことによって生じる体積変化に対し、細孔51の孔の大きさが十分小さいものであるならば、より確実にダンピング効果を働かせることができる。
また、細孔51の孔径や長さ等を適宜変えることにより、ダンピング効果の効き方を変えることができるため、用途に合わせたダンピング力の設定が可能になる。
(他の実施形態)
なお、本発明は上記エアフローセンサに限定されるものではなく、基板の一面側に開口部を有し当該一面側から基板の他面側へ向かって凹んだ空洞部と、基板の他面側に位置する空洞部の底部に形成されたメンブレンとを備えるセンサ装置であれば、適用することができる。
なお、本発明は上記エアフローセンサに限定されるものではなく、基板の一面側に開口部を有し当該一面側から基板の他面側へ向かって凹んだ空洞部と、基板の他面側に位置する空洞部の底部に形成されたメンブレンとを備えるセンサ装置であれば、適用することができる。
そのようなセンサ装置としては、たとえば、ガスに反応して電気信号が変化するセンシング素子をメンブレン上に有するガスセンサ、湿度によって電気信号が変化するセンシング素子をメンブレン上に有する湿度センサ、あるいは、赤外線量によって電気信号が変化するセンシング素子をメンブレン上に有する赤外線センサ等が挙げられる。
10…基板としてのシリコン基板、11…シリコン基板の一面、
12…シリコン基板の他面、20…空洞部、21…空洞部の開口部、
30a…メンブレン、50…基台、51…細孔、60…接着剤。
12…シリコン基板の他面、20…空洞部、21…空洞部の開口部、
30a…メンブレン、50…基台、51…細孔、60…接着剤。
Claims (4)
- 基板(10)と、
前記基板(10)の一面(11)側に開口部(21)を有し、前記基板(10)の一面(11)側から前記基板(10)の他面(12)側へ向かって凹んだ空洞部(20)と、
前記基板(10)の他面(12)側に位置する前記空洞部(20)の底部側に形成された薄肉部としてのメンブレン(30a)とを備えるセンサ装置において、
前記基板(10)の一面(11)側には、前記空洞部(20)の開口部(21)を覆うように基台(50)が取り付けられており、
前記基台(50)のうち前記空洞部(20)の開口部(21)を覆っている部位には、前記空洞部(20)と前記空洞部(20)の外部とを連通する細孔(51)が設けられており、
前記細孔(51)を空気が通過する際に所定の圧力損失が発生するようになっていることを特徴とするメンブレンを有するセンサ装置。 - 前記細孔(51)の孔径は、前記メンブレン(30a)の面積よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載のメンブレンを有するセンサ装置。
- 前記基板(10)は半導体基板であり、
前記基台(50)は、金属、樹脂、またはセラミックからなるものであることを特徴とする請求項1または2に記載のメンブレンを有するセンサ装置。 - 前記基板(10)と前記基台(50)とは、接着剤(60)を介して固定されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載のメンブレンを有するセンサ装置。
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US11415445B2 (en) * | 2018-09-06 | 2022-08-16 | Denso Corporation | Physical quantity measurement device and method for manufacturing physical quantity measurement device |
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- 2003-09-24 JP JP2003331733A patent/JP2005098796A/ja active Pending
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