JP4352699B2

JP4352699B2 - ディスプレイの製造方法

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Publication number: JP4352699B2
Application number: JP2002372870A
Authority: JP
Inventors: 英寿村瀬; 良成佐々木; 幸成阿蘇; 和彦吉田; 清美清井
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2002-12-24
Filing date: 2002-12-24
Publication date: 2009-10-28
Anticipated expiration: 2022-12-24
Also published as: JP2004205690A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor。以下、ＴＦＴと称する。）が構成された薄膜トランジスタ基板を駆動基板とする液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）や有機ＥＬ（Electro-Luminescence）ディスプレイ等の製造に適用して好適な、ディスプレイの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
マルチメディア情報化時代の必需品として、携帯電話、携帯情報端末（ＰＤＡ等）、モバイルＰＣ等の携帯機器の市場が急速に伸びている。これら携帯機器の表示部には液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）が多く用いられている。最近では有機ＥＬディスプレイが携帯機器用の発光型表示素子として用いられ始めている。これらのディスプレイは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が構成されたＴＦＴ基板で駆動している点が共通であり、製造プロセスも類似している。以下に、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイについてそれぞれ説明する。
【０００３】
液晶ディスプレイには、バックライトを利用する透過型、外光を利用する反射型及び、両方の機能を持った反透過型（反射、透過併用型）がある。図７に反透過型の液晶ディスプレイの断面構造の一例を示す。
【０００４】
図７において、右側が反射領域、左側が透過領域である。ガラス等の透明な基板１７にＭｏ（モリブデン）などをスパッタ成膜しゲート電極１６を形成する。続いて、ゲート電極１６を被覆するように、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法で窒化シリコンからなる第１ゲート絶縁膜１５を成膜し、次いで酸化シリコンからなる第２ゲート絶縁膜１４を成膜することで絶縁膜を形成する。次に薄膜半導体層１３として、例えば非晶質シリコンを同じくプラズマＣＶＤ法で成膜する。成膜後、アニール処理を行い非晶質シリコンに含まれている水素を除去する。続いて、エキシマレーザ等を照射し、非晶質シリコンを多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）膜１３に転換する。
【０００５】
そして、この多結晶シリコン膜１３をパターニングする。その後ＣＶＤ法で酸化シリコンを成膜し、ゲート電極１６をマスクとしてセルフアライメントによりこの酸化シリコンをパターニングして、ゲート電極１６上に位置する多結晶シリコン膜の部分を被覆するようにストッパー層１１を形成する。このストッパー層１１をマスクとして例えば不純物Ｐ（リン）を注入しＬＤＤ（Lightly Dopedd Drain）構造部を形成する。１２は純多結晶シリコン（純ｐ−Ｓｉ）領域を表す。ストッパー層１１及びその周辺をフォトレジストでマスクした後、不純物Ｐ（リン）を注入しｎチャンネル領域を形成する。そして、ランプアニール法により不純物の活性化を図る。ｐチャンネルも同様に、不要な領域をフォトレジストでマスクした後、例えばＢ（ボロン）を注入しｐチャンネル領域を形成し、アニール処理を行うことで作成される。
【０００６】
この後、例えばプラズマＣＶＤ法で酸化シリコン等の第１層間絶縁膜１０と、窒化シリコン等の第２層間絶縁膜９を順次積層して２層構造で絶縁膜を形成する。
【０００７】
次に、反射光を拡散し均一な明るさにするための拡散層８（スキャッタリング層（以下、ＳＣＴ層という。）を形成し、さらにその上に平坦化層７を形成する。その上に透過部の画素電極膜とするためにＩＴＯ（Indium Tin Oxides)などの透明導電膜の第１画素電極６を形成する。さらに反射部の画素電極膜として、例えばＡｌ、などの導電膜からなる第２画素電極５を形成する。以上により、アクティブマトリクス型の表示装置の駆動回路基板に用いられるＴＦＴ基板が作成される。
【０００８】
さらに、上述のＴＦＴ基板とカラーフィルタ３の隙間に液晶層４を封入して構成したパネルを、上下から位相差板２で挟み、さらにその上下から偏向板１でそれぞれ挟みこむようにして液晶ディスプレイを構成する。そして、バックライト１８を図中下側の基板側に配置する。
【０００９】
反透過型は、暗所ではバックライト１８からの透過光を利用し、明所では外光を第２画素電極５で反射させることにより、高輝度、省消費電力を実現している。
【００１０】
次に、図８に、一般的な有機ＥＬディスプレイの断面構造の一例を示す。構造的には、ＴＦＴの配置に光量が影響されず、開口率を向上するように基板上部から光を取り出す方式を採用したトップエミッション（Top Emission）構造と、従来のＴＦＴ基板側に光を取り出す方式の通常構造がある。
【００１１】
トップエミッション構造は、図８Ａに示すように、透明基板２５の上にＴＦＴが構成され、このＴＦＴ構造のメタルアノード電極２４の上の有機発光層を有した有機層２２、カソード電極２１、保護層２０、透明シール１９により構成されている。有機層２２は隔壁２３によって各色ごとに隔てられている。
【００１２】
また、通常構造は、図８Ｂに示すように、透明基板２９の上に、ＴＦＴが構成され、このＴＦＴ構造の透明アノード電極２８の上の有機発光層を有した有機層２７、メタルカソード電極２６により構成されている。有機層２７は隔壁２３によって各色ごとに隔てられている。
【００１３】
これらの有機ＥＬディスプレイにおいて、一般に、有機発光層の材料が低分子有機材料の場合には、マスクを用いてパターニングするマスク蒸着法が用いられ、高分子有機材料の場合には、インクジェット塗布法や印刷塗布法が用いられている。
【００１４】
また、有機層材料のパターニング時の問題を解決する方法として、例えば、フラットパネルディスプレイ用のカラーフィルターの製造では、カラーレジストのエッチングをレーザを用いて行う方法が知られている。各色カラーレジストを塗布する前に剥離層を形成しレーザエッチングによりパターニング後、カラーレジストの塗布・露光・現像を行い、最後に剥離層と不要なカラーレジストを除去する（例えば、特許文献１参照。）。
【００１５】
【特許文献１】
特開平１０−９６８１３号公報
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
上述したようにＴＦＴ基板の製造プロセスではウェットエッチングプロセスが複数回用いられている。即ち、図７の液晶ディスプレイのバックライト光が透過可能な第１画素電極（透明導電膜）６を、真空成膜、フォトリソグラフィーによってパターンニングした後、外光を高反射する第２画素電極（反射導電膜）５を、真空成膜、フォトリソグラフィーによるパターニングを行う。それ故、２つのフォトリソグラフィー工程が必要となり、量産工場では、大型のコーターデベロッパーが必要となり、工程数およびフットプリントの点で問題があった。
【００１７】
また、環境保護の観点からも薬液の使用削減あるいは削除が望まれており、ウエットエッチングプロセスの削減・フォトリソグラフィー工程の削減が求められている。
【００１８】
一方、有機ＥＬディスプレイにおいて、低分子有機材料は、蒸着物質のマスク開口部からの回り込みや、微細パターニングを行う場合に下地と蒸着層に対するマスクセッティングの位置精度が問題となる。また、各色蒸着時に各色専用のマスクと基板が接触するため、既に作成された有機層にダメージが入り面欠点を引き起こす。さらに、有機ＥＬディスプレイの表示画面の大型化を図る場合、基板やマスクのたわみを考慮しなければならず、高精細なマスクを作成するのは困難である。それ故、マスクレスのプロセスが望まれている。
【００１９】
一方、高分子有機材料は、数ピコリットル程度のわずかな有機液滴を決められたパターン上に滴下しなければならず、供給ミスによる面欠点が生じ易い不都合がある。以上より、有機材料のパターニングは有機層を全面に塗布した後、高精度にパターニングできるプロセスが望まれている。
【００２０】
さらにまた、上述の有機層は酸素や水分によって劣化し易く、寿命が短くなったり発光しなくなるなどの不都合を生じる恐れがあり、現像液を用いる事はできない。それ故、有機層のパターニングでは、完全なドライプロセスを実現することが必要とされている。
【００２１】
斯かる点に鑑み、本発明は、レーザを用いフォトリソグラフィー工程等のウェットエッチングプロセスを削減し、薬液等の液体材料を選択的に滴下・塗布することなく高精細なエッチングを行い、高生産性を実現することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明の一側面は、薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ基板を駆動基板とするディスプレイの製造方法において、この薄膜トランジスタ基板上の配線または画素電極をパターニングするのに、配線または画素電極の下層に形成された熱膨張性のマイクロカプセルをレーザ加工用の剥離層として利用し、レーザ光を該当配線または画素電極に照射し熱膨張による剥離層の剥離を通してパターン形成をすることを特徴とする。
【００２３】
また、上述した発明において、前記熱膨張性のマイクロカプセルを含有する剥離層を形成し、この剥離層の上層に成膜された前記配線または前記画素電極を構成する上層膜に対し所定パターンのレーザ光を照射し、このレーザ光により剥離層の除去に伴い上層膜を選択的に除去することが好適である。
【００２４】
このような構成によれば、レーザ光照射によるマイクロカプセルの熱膨張・破裂を用いて特定層、すなわちマイクロカプセルを含有する剥離層の上層を選択的に除去することができる。また、このマイクロカプセルを利用したパターン形成により、加工面のエッジにおいてデブリを抑制し、シャープな加工エッジを得ることができる。
【００２５】
また、本発明の一側面は、薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ基板を駆動基板とするディスプレイの製造方法において、この薄膜トランジスタ基板上の透明導電膜の上層に、熱膨張性のマイクロカプセルを含有する剥離層を形成した後、この剥離層の上層に導電膜を成膜し、このマイクロカプセルの形状を利用してこの剥離層を拡散層として凹凸を設けるようにする。そして、この導電膜に対し所定パターンのレーザ光を照射し、このレーザ光により剥離層とともに当該剥離層の上層の導電膜を選択的に除去するようにしたことを特徴とする。
【００２６】
このような構成によれば、レーザ光照射によるマイクロカプセルの熱膨張・破裂を用いて特定層、すなわちマイクロカプセルを含有する剥離層の上層に成膜した導電膜を選択的に除去することができる。このマイクロカプセルを利用したパターン形成により、加工面のエッジにおいてデブリを抑制し、シャープな加工エッジを得ることができる。さらに、マイクロカプセルの形状を利用して剥離層に凹凸を設け拡散層として機能させることにより、独立した拡散層が不要となる。
【００２７】
また、本発明の一側面は、薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ基板を駆動基板とするディスプレイの製造方法において、この薄膜トランジスタ基板上の有機層をパターニングするのに、有機層の下層に配置された熱膨張性のマイクロカプセルをレーザ加工用の剥離層として利用し、所定パターンのレーザ光を有機層に照射して剥離層を選択的に除去することより、各色の有機層のパターン形成をするようにしたことを特徴とするものである。
【００２８】
また、上述した発明において、薄膜トランジスタ基板上に剥離層を形成し、所定パターンのレーザ光を照射して剥離層を選択的に除去し、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色のうちいずれかの色の有機層を薄膜トランジスタ基板全面に塗布し、所定パターンのレーザ光を有機層に照射して剥離層とともに上層の不要な有機層のみを除去して第１色の有機層を得る工程と、
第１色の有機層を得た後、薄膜トランジスタ基板上に剥離層を形成し、所定パターンのレーザ光を照射して剥離層を選択的に除去し、３色のうちの第２色の有機層を薄膜トランジスタ基板全面に塗布し、所定パターンのレーザ光を第２の有機層に照射して剥離層とともに上層の不要な第２の有機層のみを除去して第２色の有機層を得る工程と、
第２色の有機層を得た後、薄膜トランジスタ基板上に剥離層を形成し、所定パターンのレーザ光を照射して剥離層を選択的に除去し、３色のうちの第３色の有機層を薄膜トランジスタ基板全面に塗布し、所定パターンのレーザ光を第３の有機層に照射して剥離層とともに上層の不要な第３の有機層のみを除去して第３色の有機層を得る工程と
を有することが好適である。
【００２９】
このような構成によれば、薄膜トランジスタ基板上の有機層に隣接して配置された熱膨張性のマイクロカプセルをレーザ加工用の剥離層として利用し、剥離層を選択的に除去することで各色の有機層のパターン形成をするようにしたので、有機層のドライエッチングプロセスでのパターニングが実現できる。また、蒸着マスクを不要とすることができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明ディスプレイの製造方法の一例につき説明する。
【００３１】
本例は、薄膜トランジスタ基板を駆動基板とするディスプレイの各デバイスにおいて、ウェットプロセスおよびフォトリソグラフィー工程の削減を実現するため、各デバイスの材料をレーザ光でダイレクトに加工するダイレクトレーザエッチング（Direct Laser Etching。以下、ＤＬＥと称する。）プロセスを提案する。ＤＬＥはレーザビームをマスクを介して所望のビームパターンを得、それを加工対象の材料に照射して加工する方法である。
【００３２】
本例に用いられるレーザ照射装置の一例を図６に示す。レーザ発生源３０より射出されたレーザビームは、ビーム成形光学系３１により大面積化され、平坦化光学系３２によりビームの強度が一様となるよう補正される。その後レーザビームは、フォトマスクやステンシルマスク等のマスク３３に入射され所望の加工パターンに成形される。マスク３３を透過したビームは縮小投影レンズ３４により、被加工物３５に照射される。その結果、被加工物３５のレーザ光が照射された部分では、熱あるいは光アブレーションが発生し、所望のパターン形状に加工される。
【００３３】
ここで用いるレーザは加工対象材料がレーザ光を吸収し易い波長を選択することが好ましい。例えばＹＡＧレーザやエキシマレーザが考えられ、ＹＡＧレーザの場合は基本波（発振波長１０６４ｎｍ）、２倍波（発振波長５３２ｎｍ）、３倍波（発振波長３５５ｎｍ）及び４倍波（発振波長２６６ｎｍ）から選択する。また、エキシマレーザの場合は、公知のものが使用でき、例えばＦ２（発振波長１５７ｎｍ）、ＡｒＦ（発振波長１９３ｎｍ）、ＫｒＦ（発振波長２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌ（発振波長３０８ｎｍ）などが挙げられる。但し、レーザ照射装置は上述例に限定されるものではない。
【００３４】
続いて、上述のようなレーザ照射装置を用い、反透過型（反射、透過併用型）液晶ディスプレイの画素電極を加工する方法について説明する。図１にその透過領域の要部について加工プロセスフローを示す。
【００３５】
図１に示すように、透過領域の基板１７の上に第１画素電極６を成膜した後、熱膨張性のマイクロカプセルを含有する剥離層３６を塗布する。このとき例えば印刷法などを用いて透過領域のみに剥離層３６を塗布する。
【００３６】
マイクロカプセルとは、超微粒子カプセル（例えば、粒径数μｍ〜数十μｍ）のことで、液体・固体等さまざまな内包物を特殊な超薄膜剤で包み込んだものである。カプセルの破壊によって内包物を必要な時に取り出して使用したり、他の物質と反応しないよう隔離・保存することができる。マイクロカプセルの破壊は圧力・熱・超音波・酵素などの用途に応じた方法で可能であり、現在そのマイクロカプセル技術の応用、研究・開発が進められている。
【００３７】
そして、剥離層３６の上に第２画素電極５を成膜する。第２画素電極５を加工するためレーザ光を照射すると画素電極２に熱が発生する。その熱が剥離層３６に伝わることにより、内部のマイクロカプセルが膨張・破裂し、この破裂した剥離層３６とともにその上層部分の第２画素電極５のみが選択的に除去される。さらに、マイクロカプセルの膨張・破裂がエッチングの補助となり、加工エッジ（図１Ｆの点線丸部）に残るデブリを防ぎ、シャープな加工エッジが得られる。
【００３８】
ここで、熱膨張性マイクロカプセルは、例えば松本油脂製薬（株）製造のマツモトマイクロスフェアー（商品名）等の市販品が挙げられる。また、マイクロカプセルを含む樹脂ポリマーとして例えばアクリル樹脂が挙げられる。
【００３９】
上述の透過領域の画素電極の加工においては、剥離層３６を透過領域にのみ塗布するため印刷法等によるパターニングを行っているが、一方、次に説明する方法では、第１画素電極６表面の全面に剥離層３６を塗布するようにする。
【００４０】
図２に本例のディスプレイの製造方法を適用して製造される液晶ディスプレイの断面構造の一例を示す。図中、図７に対応する部分について同一符号を付しその詳細説明は省略する。
【００４１】
本例では、第２層間絶縁膜９の上に平坦化層７を成膜し、その上からこの平坦化層７を含む基板全面に第１画素電極６を形成した後、第１画素電極６表面の全面にマイクロカプセルを含有する剥離層３６を塗布し、剥離層３６の上に第２画素電極５を成膜する。
【００４２】
そして、図１例に示すような透過領域の画素電極の加工を行うと、反射領域では剥離層３６が第１画素電極６と第２画素電極５との間に残存する。
【００４３】
ここでマイクロカプセルの形状を利用し、その粒径を適切に選ぶことにより、反射領域の第１画素電極６と第２画素電極５との層間に凹凸が形成された剥離層３６を有する薄膜トランジスタ基板を得ることができる。これにより、剥離層３６の上の第２画素電極５に凹凸を形成することができ、反射光を乱反射させて拡散することができる。
【００４４】
図７に示したように、従来より反射領域では、光を拡散させるための凹凸を持つＳＣＴ層８（例えば、層の厚さ１〜１０μｍ）が用いられている。よって、上述の剥離層３６のマイクロカプセルの粒径を、例えば１〜１０μｍとして凹凸層を形成することにより、図７のＳＣＴ層８と同等の機能を持つ凹凸層が作成されることになる。したがって、図７に示すような従来のＳＣＴ層８を不要とすることができ、またこの成膜工程を削減することができる。但し、マイクロカプセル粒径はこれに限定されるものではない。その他、反射領域の構成については図７と同様である。
【００４５】
尚、このとき熱膨張性マイクロカプセルは、その後の液晶ディスプレイ製造工程での熱処理を考慮し、例えば製造プロセスが高温２００℃であるとすれば、２００℃より上の温度で膨張・破裂するものでなくてはならず、例としてマツモトマイクロスフェアー（商品名；松本油脂製薬（株））が挙げられる。そして、マイクロカプセルを含む樹脂ポリマーは、第１画素電極６と第２画素電極５の導通を保つため、例えばアニリン系やピロール系の導電性ポリマーに、例えば銀（Ａｇ）を含有するバインダー（接合剤）を用い、剥離層３６が第１画素電極６と第２画素電極５と間の導電率とほぼ同じになることが好ましい。
【００４６】
次に、本発明ディスプレイの製造方法を有機ＥＬディスプレイの製造に適用した例について説明する。図３〜図５に、有機ＥＬディスプレイの有機層の製造工程（パターニングプロセス）を示す。
【００４７】
まず、ＴＦＴが構成されたＴＦＴ基板４３の所定位置に有機層の各色を配置するための隔壁４２を配置し、その上から全面に、マイクロカプセルを含有した剥離層４１を塗布し（図３Ａ）、例えば図６に示すレーザ照射装置を用いて、この剥離層４１の第１色（例えば、Ｒｅｄ）該当部に、画素電極等に応じた所定のパターンを持つマスク５０を透過し所定パターンに成形されたレーザ光４４を照射する（図３Ｂ）。レーザ光４４が照射された剥離層４１は、含有するマイクロカプセルがレーザ光４４のエネルギーを受けて熱を発生し、膨張・破裂して所定部分のみが選択的に除去される（図３Ｃ）。
【００４８】
次いで、第１色の有機層４５を、上述の所定パターンに加工された剥離層４１全面に成膜し、剥離層４１の上層に成膜するとともに、図３Ｃに示す剥離層４１が除去された部分にも成膜させる（図３Ｄ）。マスク５０を介して有機層４５の不必要部にレーザ光を照射し（図３Ｅ）、マイクロカプセルの熱膨張・破裂により、所望の有機層４５を剥離層４１からリフトオフする（図３Ｆ）。このようにして、第１色の有機層４５のパターニングを行う。
【００４９】
次に、第２色（例えば、Ｇｒｅｅｎ）を成膜するため、さらにこの全面に剥離層４１を塗布する（図４Ｇ）。そして、この剥離層４１の第２色該当部に、画素電極等に応じた所定のパターンを持つマスク５０を透過した所定パターンのレーザ光４４を照射する（図４Ｈ）。レーザ光４４が照射された剥離層４１は、含有するマイクロカプセルがレーザ光４４のエネルギーを受けて熱膨張し、破裂して所定部分のみが除去される（図４Ｉ）。
【００５０】
次いで、第２色の有機層４６を、上述の所定パターンに加工された剥離層４１全面に成膜し、剥離層４１の上層に成膜するとともに、図４Ｉに示す剥離層４１が除去された部分に成膜させる（図４Ｊ）。このとき堆積させる高さは、先に形成済みの第１色の有機層４５の高さに応じて調整しつつ所定の高さとなるようにする。マスク５０を介して有機層４６の不必要部にレーザ光を照射し（図４Ｋ）、マイクロカプセルの熱膨張・破裂により、所望の有機層４６を剥離層４１からリフトオフする（図４Ｌ）。このようにして、第２色の有機層４６のパターニングを行う。
【００５１】
次に、第３色（例えば、Ｂｌｕｅ）を成膜するため、さらにこの全面に剥離層４１を塗布する（図５Ｍ）。そして、この剥離層４１の第２色該当部に、所定のパターンを持つマスク５０を透過したレーザ光４４を照射する（図５Ｎ）。レーザ光４４が照射された剥離層４１は、含有するマイクロカプセルがレーザ光４４のエネルギーを受けて熱膨張し、破裂して所定部分のみが除去される（図５Ｏ）。
【００５２】
次いで、第３色の有機層４７を、上述の所定パターンに加工された剥離層４１全面に成膜し、剥離層４１の上層に成膜するとともに、図５Ｏに示す剥離層４１が除去された部分に成膜させる（図５Ｐ）。このとき堆積させる高さは、先に形成済みの第１色および第２色の有機層４５、４６の高さに応じて調整しつつ所定の高さとなるようにする。マスク５０を介して有機層４７の不必要部にレーザ光を照射し（図５Ｑ）、マイクロカプセルの熱膨張・破裂により、所望の有機層４７を剥離層４１からリフトオフする（図５Ｒ）。このようにして、第３色の有機層４７も該当部に成膜でき、有機材料３色のパターニングを行うことができる。マスク５０は、加工対象とする有機層の色や除去したい剥離層パターンなどに応じてその都度目的にあったパターンのものを使用する。
【００５３】
ここで熱膨張性マイクロカプセルは、例えば市販品のマツモトマイクロスフェアー「商品名、松本油脂製薬（株）」等の市販品が挙げられる。
【００５４】
上述のようにして、有機層の所望のパターニングが可能となることにより、蒸着マスクレスのプロセスが構築できるとともにフォトリソグラフィー工程も削除することができる。したがって、従来の低分子材料を用いた手法に見られた蒸着マスクと各色パネルとの接触による面欠点不良を抑制することができる。
【００５５】
また、従来の高分子材料を用いたインクジェット塗布方式に見られたような有機液滴の滴下不良に起因する面欠点不良を抑制することができる。
【００５６】
さらに、レーザ光によるダイレクトエッチング加工により、有機層のドライエッチング加工プロセスが実現でき、薬液（水分）などによる有機層の劣化を抑制することができる。
【００５７】
尚、本発明は上述した実施の形態の例に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱することなくその他種々の構成を取り得ることは勿論である。
【００５８】
【発明の効果】
斯かる本発明によれば、レーザ光照射によるマイクロカプセルの熱膨張・破裂を用いて特定層を選択的に除去することができる。また、このマイクロカプセルにより、加工面のエッジにおいてデブリを抑制し、シャープな加工エッジが得られる利益がある。
【００５９】
また、本発明によれば、導電膜と透明導電膜との間に成膜した剥離層を、マイクロカプセルの形状を利用して凹凸層とすることで、光を拡散させるための拡散層として機能させることができ、従来の拡散層が不要となるため、これらの成膜工程が削減できる利益がある。
【００６０】
また、本発明によれば、薄膜トランジスタ基板上の有機層をドライエッチングプロセスでのパターニングが実現できるとともに、蒸着マスクを不要とする製造プロセスを実現することができる。それにより、マスクと加工面表面の接触による面欠点不良を抑制することができる利益がある。さらにはインクジェット方式に見られた滴下不良に起因する面欠点不良を抑制することができる利益がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明ディスプレイの製造方法の例の説明に供する線図である。
【図２】本発明ディスプレイの製造方法を適用して製造された液晶ディスプレイの断面構造の一例を示す線図である。
【図３】本発明ディスプレイの製造方法の例の説明に供する線図である。
【図４】本発明ディスプレイの製造方法の例の説明に供する線図である。
【図５】本発明ディスプレイの製造方法の例の説明に供する線図である。
【図６】レーザ照射装置の一例を示す線図である。
【図７】液晶ディスプレイの断面構造の一例を示す線図である。
【図８】有機ＥＬディスプレイの断面構図の一例を示す線図である。
【符号の説明】
５・・・・第２画素電極、６・・・・第１画素電極、３５・・・・被加工物、３６, ４１・・・・剥離層（マイクロカプセル層）、４０, ４４・・・・レーザ光、４５・・・・有機層（Ｒｅｄ）、４６・・・・有機層（Ｇｒｅｅｎ）、４７・・・・有機層（Ｂｌｕｅ）

Claims

薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ基板を駆動基板とするディスプレイの製造方法において、
前記薄膜トランジスタ基板上の配線または画素電極をパターニングするのに、前記配線または前記画素電極の下層に形成された熱膨張性のマイクロカプセルをレーザ加工用の剥離層として利用し、レーザ光を前記配線または前記画素電極に照射し熱膨張による前記剥離層の剥離を通してパターン形成をする
ディスプレイの製造方法。
請求項１に記載のディスプレイの製造方法において、
前記熱膨張性のマイクロカプセルを含有する剥離層を形成し、前記剥離層の上層に成膜された前記配線または前記画素電極を構成する上層膜に対し所定パターンのレーザ光を照射し、前記レーザ光により前記剥離層の除去に伴い前記上層膜を選択的に除去する
ディスプレイの製造方法。
薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ基板を駆動基板とするディスプレイの製造方法において、
前記薄膜トランジスタ基板上の透明導電膜の上層に、熱膨張性のマイクロカプセルを含有する剥離層を形成した後、前記剥離層の上層に導電膜を成膜し、
前記マイクロカプセルの形状を利用して前記剥離層を拡散層として凹凸を設けるようにし、
前記導電膜に対し所定パターンのレーザ光を照射し、前記レーザ光により前記剥離層とともに前記剥離層の上層の導電膜を選択的に除去するようにした
ディスプレイの製造方法。
薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ基板を駆動基板とするディスプレイの製造方法において、
前記薄膜トランジスタ基板上の有機層をパターニングするのに、前記有機層の下層に配置された熱膨張性のマイクロカプセルをレーザ加工用の剥離層として利用し、所定パターンのレーザ光を前記有機層に照射して前記剥離層を選択的に除去することより、各色の有機層のパターン形成をする
ディスプレイの製造方法。
請求項４に記載のディスプレイの製造方法において、
前記薄膜トランジスタ基板上に前記剥離層を形成し、所定パターンのレーザ光を照射して前記剥離層を選択的に除去し、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色のうちいずれかの色の有機層を前記薄膜トランジスタ基板全面に塗布し、所定パターンのレーザ光を前記有機層に照射して前記剥離層とともに上層の不要な前記有機層のみを除去して第１色の有機層を得る工程と、
前記第１色の有機層を得た後、前記薄膜トランジスタ基板上に前記剥離層を形成し、所定パターンのレーザ光を照射して前記剥離層を選択的に除去し、前記３色のうちの第２色の有機層を前記薄膜トランジスタ基板全面に塗布し、所定パターンのレーザ光を前記第２の有機層に照射して前記剥離層とともに上層の不要な前記第２の有機層のみを除去して第２色の有機層を得る工程と、
前記第２色の有機層を得た後、前記薄膜トランジスタ基板上に前記剥離層を形成し、所定パターンのレーザ光を照射して前記剥離層を選択的に除去し、前記３色のうちの第３色の有機層を前記薄膜トランジスタ基板全面に塗布し、所定パターンのレーザ光を前記第３の有機層に照射して前記剥離層とともに上層の不要な前記第３の有機層のみを除去して第３色の有機層を得る工程と
を有するディスプレイの製造方法。