JP4352132B2 - 焼却原料及びその前処理方法と焼却方法 - Google Patents
焼却原料及びその前処理方法と焼却方法 Download PDFInfo
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なお,粒径が50mm以下で5mmを超える範囲においては,廃棄物の粒径はばらつきがあっても良い。粒径が50mm以下で5mmを超える範囲においては,廃棄物の大きさ(粒径)が種々のものが混在していれば,細かいものと大きいものとで挙動が異なるため,炉内においてそれぞればらばらに動こうとし,全体的に廃棄物の流動性が向上することが予想される。また,焼却炉に投入する前のホッパーからの切り出しや,炉内への投入時の搬送中においても,廃棄物の流動性が向上することによって,炉内への投入が安定してできるようになる。このため,粒径が50mm以下で5mmを超える範囲においては,廃棄物の粒径を不揃とさせるために,粉砕条件の異なる大きさ(粒径)の違う廃棄物を混合するようなことも考えられる。例えば50mm以下ねらいの廃棄物を10〜40wt%,10mm以下ねらいの廃棄物を60〜90wt%の割合いで混合し,焼却炉において投入直後の瞬間的な熱量を10mm以下の廃棄物で確保し,50mmねらいの廃棄物で安定した熱量を得るような操業方法も想定できる。
表1に示した処理後の廃棄物を,流動層炉において焼却処理した。なお,焼却温度は,1次燃焼温度650℃,2次燃焼温度880℃で実施した。処理量は3500kg/hrである。その際,排ガス中に含まれるCOガス(一酸化炭素)の濃度により焼却安定性を評価した。排ガス中のCO濃度は20ppm(平均)となった。焼却処理後の廃棄物の粒径は20mm以下となった。
ふるいによって選別された最大粒径が50mm以下で,粒径20mm以下の廃棄物を65wt%を含み,金属成分が表1に示すものである廃棄物を実施例1と同様に焼却処理したところ,排ガス中のCO濃度は20ppm,無機物の回収率は3.6wt%であった。
表1に示す廃棄物を粉砕し,粒径が20mm以下を80質量%,10mm以下を10質量%とした。この破砕した廃棄物を実施例1と同様に焼却処理した。その結果,COガスの発生は,平均20ppm以下であった。また,焼却炉の排気ガス処理に備える集塵機により焼却灰を捕集したところ,捕集量は,84kg/hrであった。この焼却灰の量は,粉砕しないで焼却した場合と比較し,42%の質量減となり,焼却が効率的にかつ良好に実施できたことがわかった。なお,粉砕しない場合は,144kg/hrである。
Claims (10)
- 焼却処理される廃棄物の前処理方法であって,
廃棄物の最大の粒径が50mm以下であり,粒径が5mm以下の廃棄物を10wt%以下とし,前処理前に0.20g/cm 3 以上0.30g/cm 3 以下であった廃棄物の嵩密度を0.15g/cm 3 以上0.20g/cm 3 以下とした後,
当該廃棄物を加熱して熱による減容化処理を行うことを特徴とする,廃棄物の前処理方法。 - 粉砕することによって,廃棄物の最大の粒径を50mm以下とした後,粒径が5mm以下の廃棄物を除去する分級処理を行うことを特徴とする,請求項1に記載の廃棄物の前処理方法。
- 粒径20mm以下の廃棄物が50wt%以上であり,粒径10mm以下の廃棄物が10wt%以下の粒度分布とされることを特徴とする,請求項1又は2に記載の廃棄物の前処理方法。
- 粒径20mm以下の廃棄物が80質量%以上であり,10mm以下の廃棄物が10質量%以下の粒度分布とされることを特徴とする,請求項1又は2に記載の廃棄物の前処理方法。
- 廃棄物中のガラスの含有量が5wt%未満とされることを特徴とする,請求項1,2,3または4に記載の廃棄物の前処理方法。
- 廃棄物中のCuの含有量が3wt%以下であり,Feの含有量が2wt%以下であり,有機化合物の含有量が85wt%以上とされることを特徴とする,請求項2,3,4または5に記載の廃棄物の前処理方法。
- 廃棄物がシュレッダーダストであることを特徴とする,請求項1,2,3,4,5または6に記載の廃棄物の前処理方法。
- 流動床炉で焼却処理される廃棄物の前処理方法であることを特徴とする,請求項1,2,3,4,5,6または7に記載の廃棄物の前処理方法。
- 請求項1,2,3,4,5,6,7または8に記載の廃棄物の前処理方法によって前処理された廃棄物を焼却処理することを特徴とする,廃棄物の焼却方法。
- 焼却処理される焼却原料であって,
最大の粒径が50mm以下であり,粒径が5mm以下の焼却原料が10wt%以下であり,0.20g/cm 3 以上0.30g/cm 3 以下であった嵩密度が0.15g/cm 3 以上0.20g/cm 3 以下とされた後,加熱されて熱による減容化処理がされていることを特徴とする,焼却原料。
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CN105301851B (zh) * | 2014-06-17 | 2021-01-22 | 三星显示有限公司 | 阵列基底和使用该阵列基底安装集成电路的方法 |
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