JP4344613B2 - 高品質のコロイドナノ結晶、及び非配位性溶媒中におけるそれの調製方法 - Google Patents
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Description
この発明は、米国国立科学財団の助成を通じて為されたものである(認可番号CHE0101178号)。連邦政府が本発明における特定の実施権を保持することがある。
本発明は、コロイドナノ結晶を含む新たな組成物であって、その調製されたままのナノ結晶が実質的に単分散状態にあり、且つ、高いフォトルミネセンス量子収率を有する新たな組成物を提供する。また、本発明は、調整可能な結晶のサイズ、形状、及びサイズ/形状分布を提供する新規な調製方法を用いて、実質的に単分散のコロイドナノ結晶を合成するための新規な合成方法も包含する。この合成プロセスにおいて非配位性(non−coordinating)溶媒を用いることにより、これらの手順は、現在使用されている手順よりも簡単で、費用が嵩まず、より安全で、環境に「優しい(green)」方法になる。本発明は、一般的に、あらゆるII−VI族またはIII−V族の半導体材料に適用可能であり、そして、金属化合物の生成に有用なだけでなく、非金属化合物の生成にも必ずや有用であろう。非配位性溶媒を使用することの利点が、ここでは、実施例として半導体ナノ結晶を用いて実証される。
高品質のコロイドナノ結晶は、良好に制御されたサイズ、形状、表面構造、及び優れた化学的な処理性を有していて、溶液中で形成されるナノメートルサイズのフラグメントである。本明細書で使用する場合、化学的な処理性は、ナノ結晶を溶液種として処理できることを意味している。コロイドナノ結晶は、それらが有する独特なサイズ依存特性とフレキシブルなプロセッシング化学のため、産業上での適用や学術的な研究にとって多いに興味が持たれている。
現在の多くの調製方法は、毒性を有し、発火性で、不安定な試薬の使用を必要とする。例えば、カドミウム前駆体としてジメチルカドミウム(Cd(CH3)2)を使用するCdSeナノ結晶の合成が、現在、広く展開されている(Murrayら、J.Am.Chem.Soc.、1993年、115、8706〜8715頁;Barbera−Guillemら、米国特許第6、179、912号;Pengら、Nature 2000年、404、69〜61頁;Pengら、J.Am.Chem.Soc.、1998年、120、5343〜5344頁)。しかし、ジメチルカドミウムは、極めて毒性が強く、発火性で、高価であり、室温で不安定である。前駆体としてCd(CH3)2を用いるナノ結晶の合成で必要となる典型的な注入温度(340〜360℃)において、Cd(CH3)2は、大量のガスを放出するため、爆発性である。これらの理由から、Cd(CH3)2が関与する合成方法は非常に限定された機器及び条件を必要とし、従って、大規模での合成には理想的でない。
発明の概要
本発明は、調製されたままの状態で約500〜700nm(500nmと700nmも含めて)の間の冷光を発し、高度に単分散性のコロイドナノ結晶を提供することにより、高品質のコロイドナノ結晶を入手することにおける現在の制限を解決することに向けたものである。本発明において達成することができる高い単分散性は、23〜24nmもの狭い半値全幅(FWHM)を持つことができ、典型的には約18〜25nmのFWHM値を有するナノ結晶のフォトルミネセンス輝線において見ることができる。ここで説明されている調製されたままのナノ結晶は、更に、約60%までものフォトルミネセンス量子収率(PL QY)を呈することにより特徴付けられる。調製されたままのナノ結晶は、典型的には、そのサイズが平均直径で約1〜6nmの範囲にあり、これらのナノ結晶のそのサイズ範囲は非常に単分散状態にあって、一般的には、4〜5nmのサイズのものが調製される。更に、本発明は、これらのナノ結晶を組み入れた新たな製品及び装置、例えば発光ダイオード、生物医学的なタグ等の生物学的標識剤、太陽電池を含む光電装置、触媒、レーザー等も包含する。当業者によって理解される如く、従来のナノ結晶の合成は、所望のサイズ、サイズ分布、及びサンプルの他の特性を達成するためには、典型的には、結晶化後、付加的な処理ステップまたはサイズ分類ステップを必要とする。本発明は、サイズ分類ステップや更なる処理ステップを必要とすることなく、“調製されたまま”の状態で、コロイドナノ結晶に、改善されたサイズ、サイズ分布、フォトルミネセンス量子収率、及び関連の物理的及び化学的特性をもたらす。
本発明の別の実施形態では、CdOを高温におけるオレイン酸(OA)との反応を通じてODE中に溶解することにより、殆ど単分散状態のCdTeナノ結晶を調製することができる。このCdO、OA、ODE混合物を約270〜300℃に維持しながら、ODE中における約1:1.1のTe:THPモル比を有するトリヘキシルホスフィン(THP)と反応させたアニオン前駆体、元素テルルの溶液をその高温溶液中に素早く注入した。その後、この高温混合液を約250℃にまで冷却し、CdTeナノ結晶の成長を可能にした。この容易に再現可能な調製はアルゴン下において実施することができる。調製されたままのCdTeナノ結晶の形状は、配位子を変えることにより、単分散のドット形、ロッド形、及び枝分かれした形状の間で調整することができる。
本発明の詳細な記述
本発明は、実質的に単分散状態の半導体ナノ結晶、並びに、単分散状態のナノ結晶を選択的に生成するための新規な合成方法を提供する。これらの方法は、調整可能な結晶のサイズ/形状及びサイズ/形状分布をもたらし、融通性があって高度に選択的であり、そして、現在の方法よりも高い品質の結晶をもたらすことが多い。半導体ナノ結晶を調製するためには配位性溶媒が不可欠であるという通常の認識にもかかわらず、本明細書において、配位性溶媒は高品質の半導体ナノ結晶の合成にとって本質的には必要でないことが確立された。
ここに提示されている図面及び実施例を参照しながら、II−VI族半導体及びIII−V族半導体タイプのナノ結晶を用いて、典型的な実施形態が開示される。これらの実施例は例証の目的で提示されているものであり、本発明の範囲を制限するものとして解釈されるべきではない。
単分散II−VI族半導体ナノ結晶の調製及び特性
本発明の新規な調製方法を用いる実質的に単分散状態のII−VI族半導体ナノ結晶の形成がCdSナノ結晶の合成に関して詳細に提示されるが、CdSe、CdTe、ZnSe等の他のII−VI族の材料に対しても広げることができる。
典型的な合成では、CdOを高温におけるオレイン酸(OA)との反応を通じてODE中に溶解した。このCdO、OA、ODE混合物を約300℃に維持しながら、イオウ溶液(ODE中における元素イオウ)をその高温溶液に素早く注入した。その後、この高温混合液を約250℃にまで冷却し、CdSナノ結晶の成長を可能にした。この調製は、反応系を脱気することなく、アルゴンの流れ下において果たすことができ、また、ナノ結晶の品質を犠牲にすることなく、空気中においてさえ果たすことができる。反応の進行は、反応フラスコからアリコートをサンプリングすることにより、UV−Vis吸収分光法及びフォトルミネセンス(PL)スペクトルによってモニタリングされた。
図3に示されているデータは、「サイズ分布の集束化」の時間的なウィンドウが、長時間にわたる吸収特性の尖鋭化(図3)によって指示されているように、比較的低濃度の配位子を伴う反応系にイオウ溶液を注入することにより反応が始まった短時間後に観測されていることを示している。(X.Peng、J.Wickham、A.P.AlivisatosによるJournal of the American Chemical Society120(1998年)5343頁。)反応の開始後における集束化ウィンドウの瞬時的な様相は、核形成が非常に短時間のうちに起こり、その後、核形成プロセス後に比較的高濃度のモノマーが残存しているため、形成された実質的にすべての核が殆ど同時に成長したことを示している。また、集束化は、サイズ分布が狭くなるように、より小さめのナノ結晶が、大きなナノ結晶よりも速く成長することも示している。この系におけるCdSナノ結晶の成長は、拡散律速であると思われる。瞬時的な核形成と共に、拡散律速成長は、まさしく図3に示されているケースが該当するが、ナノ結晶が成長する際に、特質として、非常に効果的な集束化の振る舞いをすることが広く認められている。この反応を長時間進行させたとすれば、サイズ分布の脱集束化またはオストワルド熟成が起こるであろう。(X.Peng、J.Wickham、A.P.AlivisatosによるJournal of the American Chemical Society 120(1998年)5343頁。)
図1〜3に示されている反応データは、約1nmから6nmまでの間の狭いサイズ分布を有するサンプルをもたらすためのCdSナノ結晶の合成を導くために使用することができる。このサイズ範囲は、ナノ結晶の核形成と成長との間のバランスが維持されるようにして、注入温度、成長温度、オレイン酸及びモノマーの濃度、2つの前駆体のモル比等を変えることにより、更に調整することができる。これらのパラメーターのうちの幾つかを調整することは、結果として生じるナノ結晶のサイズ及びサイズ分布の進展における複雑な挙動をもたらす。例えば、注入温度を高めることは、必ずしも反応速度の単純な増大をもたらさず、むしろ、前駆体間の反応を遅延させる結果となることが多い。この複雑な挙動は、通常、ナノ結晶の成長温度を高めたときに見られるより単純な挙動と対照的であり、ナノ結晶の成長温度を高めると、典型的には、結晶化の迅速化、集束化ウィンドウへのアプローチの迅速化、及び所望のナノ結晶サイズへのアプローチの迅速化がもたらされる。しかし、当業者であれば、CdSに対して図1〜3が示しているのと同様にして、容易に及び経験的に、これらの反応パラメーターにおける変化を、結果として生じるナノ結晶のサイズ及びサイズ分布と相互に関係付けることができる。(W.W.Yu、X.PengによるAngew.Chem.Int.Ed.41(2002年)、2368頁;X.Peng、J.Wickham、A.P.AlivisatosによるJ.Am.Chem.Soc. 120(1998年)5343頁。)これらすべてのパラメーターの中でもとりわけ、カドミウムモノマー及びCdSナノ結晶に対する配位子の濃度の調整、このケースではオレイン酸の濃度の調整は、配位性溶媒中において果たされる合成には存在しないパラメーターである。ここで開示されている実験結果は、例え他のすべてのパラメーターが固定されていたとしても、オレイン酸の濃度を調整することにより、反応動力学をすっかり変えられることを示している(図3)。
現在の理解によれば、成長するコロイドナノ結晶のサイズ分布を調節することにおける配位子濃度の影響は、核形成と成長との間のバランスによってもたらされる。成功裏の合成スキームは、速くて短い核形成期間で始まり、その後、「サイズ分布の集束化」と呼ばれる、長期化した核形成または熟成のどちらも伴わない成長段階が続くべきである。(X.Peng、J.Wickham、A.P.AlivisatosによるJournal of the American Chemical Society 120(1998年)5343頁。)もし初期の核形成期間に多すぎる核が形成された場合には、残存するモノマーは、充分な時間にわたるサイズ分布の集束化を促進するのに充分でなくなり、これが、望ましくないオストワルド熟成やサイズ分布の「脱集束化」をもたらすであろう。形成される核が少なすぎる場合には、成長反応が速すぎて、望ましいサイズ及びサイズ分布への到達を制御することができないであろう。核形成と成長との間のこのバランスを達成するためには、モノマーの反応性を略連続的に調整できることが望ましい。上で検討されているように、そのような調整能力は、非配位性溶媒中における配位子の濃度を単に変えるだけで容易に達成することができる。この調整能力は、高温において溶液中に存在するカドミウムモノマーが単にオレイン酸カドミウムだけではないことを指示している可能性がある。各カドミウムイオンに対する「近在」配位子の数は、バルク溶液中における配位子の濃度に大いに依存性であり得る。その結果として、高温におけるそれらのカドミウム錯体の反応性は、溶液中における配位子の濃度と共に変動する。
これらの結果は、非配位性溶媒中における配位子の濃度を単に変えることによって、半導体ナノ結晶の核形成と成長の時間的な径路が如何にして連続的に調整され得るかを示している。そのような融通性は、配位性溶媒中において果たされる合成では不可能である。非配位性溶媒中における配位子の濃度を変えることによって巧みに操作されるモノマーの適切な反応性は、成功裏の合成スキームにおける2つの相反する要件間のバランスをもたらした:速くはあるが短い核形成段階、及び、オストワルド熟成を伴わない、遅くはあるが長い成長段階。(X.Peng、J.Wickham、A.P.AlivisatosによるJournal of the American Chemical Society120(1998年)5343頁。)ODE以外の溶媒も、半導体ナノ結晶を調製するための適切な反応媒質を提供することができよう。
InP等のIII−V族半導体のナノ結晶の合成は、II−VI族半導体ナノ結晶の場合よりも有意に一層条件に過敏であり、その典型的な手順では、高品質のII−VI族半導体ナノ結晶の調製で使用したのと類似の組成を有する配位子及び前駆体は、通常、高品質のIII−V族ナノ結晶の成長をもたらさなかった。InPの結晶化について探求した実験条件内で、定義の明確な鎖長を有する特定の脂肪酸、非配位性溶媒、インジウムと配位子の良好に調整された比、及び充分に脱気されたプロセスはすべて、何らサイズの選別を必要とすることなく、高品質のInPナノ結晶を合成するための重要なファクターである。これらの観察結果は、一般的に、InAs等の他のIII−V族半導体ナノ結晶に対する合成方法を開発するために適用可能である。
他のIII−V族半導体ナノ結晶の合成は、InPに対して上で説明されているのと同様な仕方で果たされた。例えば、InAsナノ結晶は、すべて非配位性溶媒ODE中において、配位子としての脂肪酸の存在下で、カチオン前駆体及びアニオン前駆体として、それぞれ、In(Ac)3及びAs(TMS)3を用いて、InPと同様な仕方で調製された。しかし、InPの合成とは対照的に、試験した10個から22個までの間の炭素原子の炭化水素鎖長を有するすべての脂肪酸が、InAsナノ結晶を形成するための適切な配位子であることが判明した。図10に示されている、結果として生じたInAsナノ結晶の非常に尖鋭な吸収スペクトルの時間的な進展は、このようにして生成されたサンプルのサイズ分布が極めて狭いことを示している。他のIII−V族半導体ナノ結晶も、上で述べられている方法及びそれらの変法で調製することができよう。
非配位性溶媒中における単分散CdSナノ結晶の調製
一つの典型的な合成では、0.10mmol(0.0128g)のCdO、1.5mmol(0.4237g)のオレイン酸、及び3.5635gの工業用グレードのオクタデセン(ODE、Aldrich Chemical Co.、Milwaukee、WI)の混合物を調製し、加熱した。この混合物は約200℃で光学的に透明になった。その混合物を更に約300℃にまで加熱し、そして、イオウ溶液を注入するため、この温度に維持した。イオウ溶液は、0.05mmol(0.0016g)の元素イオウを2グラムの工業用グレードODE中に溶解することにより調製された。このイオウ溶液の調製は、しばしば、イオウ粉末を完全に溶解させるため、イオウ/Tech ODE混合物を約100℃にまで加熱し、その後、その溶液を室温にまで冷却する必要があった。結果として得られた光学的に透明な溶液は、室温で安定しており、注入の準備が整った状態にあった。次いで、このイオウ溶液を高温のカドミウム含有溶液に攪拌しながら素早く注入し、その後、その反応混合物を約250℃にまで約0.5h冷却し、CdSナノ結晶の成長を可能にした。この合成は、アルゴン下でも、大気に開放された状態でもどちらでも行うことができる。
非配位性溶媒中における単分散CdSeナノ結晶の調製
CdSeナノ結晶の合成は、カチオン前駆体としてCdOを用い、実施例1で説明されているのと同様な仕方で実施され、そこでは、注入するためのセレンのソースは、セレン−トリブチルホスフィン(1:1.1の比)のODE溶液であった。そのSe−TBPまたは他のセレンオルガノホスフィン化合物は、単にSeを望ましい量の液体オルガノホスフィンに溶解することにより調製された。注入溶液は、更に、そのSe−ホスフィン溶液を適切な量のODEで希釈することにより調製された。
非配位性溶媒中における単分散CdTeナノ結晶の調製
CdTeナノ結晶の合成は、カチオン前駆体としてCdOを用い、実施例1で説明されているのと同様な仕方で実施され、そこでは、注入するためのテルルのソースは、テルル−トリブチルホスフィンのODE溶液であった。そのTe−TBPまたは他のテルルオルガノホスフィン化合物は、単にTeを望ましい量の液体オルガノホスフィンに溶解することにより調製された。注入溶液は、更に、そのTe−ホスフィン溶液を適切な量のODEで希釈することにより調製された。この調製されたままのCdTeナノ結晶は、何ら更なる処理を伴うことなく、非常に高いPL QY、典型的には約50%のPL QYを有している。CdTeナノ結晶の高輝度発光を維持するため、この調製されたままのナノ結晶は、空気の存在しない条件下で保管されるべきであり、この点が高輝度CdSeナノ結晶とは異なる。
非配位性溶媒中における単分散ZnSeナノ結晶の調製
ZnSeナノ結晶の合成は、カチオン前駆体としてZn(Ac)2を用い、実施例1で説明されているのと同様な仕方で実施され、そこでは、注入するためのセレンのソースは、セレン−トリブチルホスフィン(1:1.1の比)のODE溶液であった。そのSe−TBPまたは他のセレンオルガノホスフィン化合物は、単にSeを望ましい量の液体オルガノホスフィンに溶解することにより調製された。注入溶液は、更に、そのSe−ホスフィン溶液を適切な量のODEで希釈することにより調製された。
非配位性溶媒中における単分散InPナノ結晶の調製
一つの典型的な合成では、0.1mmol(0.03g)のIn(Ac)3(ここで、Ac=酢酸塩、O2CCH3)を、三つ口フラスコ内において、本明細書で説明されている通りの調整された量の配位子、及び5gを僅かに下回る量のODEと混合した。合計で5gのその混合物を100〜120℃にまで加熱して光学的に透明な溶液を得、機械的な真空ポンプを用いて2時間ポンピングした。この系をアルゴンで3回パージした後、アルゴンの流れ下において300℃にまで更に加熱した。0.05mmol−サンプルのP(TMS)3(0.0125g)をグローブボックス内においてODE中に溶解し(合計で2g)、上述の熱いフラスコ内へ注入した。インジウム試薬とリン試薬の比は様々な比を使用することができるが、単回注入反応と多回注入反応の両方に対する最良の結果は、インジウムとリンのモル比を約2:1に維持することにより達成された。注入後、InPナノ結晶の成長のため、その温度を270℃まで1〜2h降下させた。多回注入の場合には、成功裏の二次的な注入は、モル濃度を元の溶液の約半分にして1gのインジウム溶液とリン溶液を交互に注入することにより、250℃で滴下させる仕方で果たされた。
非配位性溶媒中における単分散InAsナノ結晶の調製
InAsナノ結晶の合成は、0.4mmol(0.12g)のIn(Ac)3、1.2mmol(0.34g)のステアリン酸配位子、5g未満のODE、及び0.05mmol−サンプルのAs(TMS)3(0.015g)を用いて、実施例4で説明されているのと同様な仕方で果たされた。図10に示されている、結果として生じたInAsナノ結晶の吸収スペクトルは、非常に尖鋭で、このサンプルのサイズ分布が極めて狭いことを示している。
非配位性溶媒中において形成される単分散CdSナノ結晶に対する反応時間とナノ結晶のサイズとの相互関係
反応の時間が、単回反応におけるナノ結晶のサイズとどのように相互に関係しているかを実証するため、以下のCdSの合成を実施し、そして、反応混合物のアリコートを採取して、時間の関数として調べた。表1は、この実施例で得られたデータを示している。
Claims (30)
- コロイドナノ結晶を合成する方法であって、
a)カチオン前駆体、配位子、及び非配位性溶媒を化合させてカチオン−配位子錯体を形成するステップと、
b)ナノ結晶を形成するために、前記非配位性溶媒を加熱して、アニオン前駆体を前記カチオン−配位子錯体と混合するステップと、
を含む方法。 - 前記カチオン前駆体が、II族の金属、III族の金属、IV族の金属、または遷移金属の化合物を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記II族の金属がZn、Cd、またはHgから選択される、請求項2に記載の方法。
- 前記III族の金属がAl、Ga、またはInから選択される、請求項2に記載の方法。
- 前記IV族の金属がGe、Sn、またはPbから選択される、請求項2に記載の方法。
- 前記カチオン前駆体が、金属酸化物、金属炭酸塩、金属重炭酸塩、金属硫酸塩、金属亜硫酸塩、金属リン酸塩、金属亜リン酸塩、金属ハロゲン化物、金属カルボン酸塩、金属アルコキシド、金属チオレート、金属アミド、金属イミド、金属アルキル、金属アリール、金属配位錯体、金属溶媒和物、金属塩を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記配位子が、脂肪酸、アミン、ホスフィン、ホスフィンオキシド、ホスホン酸、またはそれらの組み合わせから選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記脂肪酸が、デカン酸、オレイン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、またはステアリン酸から選択される、請求項7に記載の方法。
- 前記非配位性溶媒が25℃未満の融点、及び250℃より高い沸点を有している、請求項1に記載の方法。
- 前記非配位性溶媒がオクタデセンである、請求項1に記載の方法。
- 前記アニオン前駆体が、元素、共有結合型化合物、またはイオン結合型化合物から選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記アニオン前駆体が、元素S、元素Se、元素Te、セレントリブチルホスフィン、またはテルルトリブチルホスフィンから選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記アニオン前駆体が、前記カチオン−配位子錯体と混合される前に、非配位性溶媒、配位子、またはそれらの組み合わせと化合される、請求項1に記載の方法。
- 前記非配位性溶媒を200℃より高く加熱する、請求項1に記載の方法。
- CdSのナノ結晶が形成される、請求項1に記載の方法。
- CdSeのナノ結晶が形成される、請求項1に記載の方法。
- CdTeのナノ結晶が形成される、請求項1に記載の方法。
- ZnSeのナノ結晶が形成される、請求項1に記載の方法。
- InPのナノ結晶が形成される、請求項1に記載の方法。
- InAsのナノ結晶が形成される、請求項1に記載の方法。
- 前記ナノ結晶の平均直径が1nmから6nmまでである、請求項1に記載の方法。
- コロイドナノ結晶を合成する方法であって、
a)カチオン前駆体、配位子、及び非配位性溶媒を化合させてカチオン−配位子錯体を形成するステップと、
b)アニオン前駆体を、前記カチオン−配位子錯体と前記アニオン前駆体との間の反応を誘発するために前記非配位性溶媒を加熱して、前記カチオン−配位子錯体と混合するステップと、
c)混合物の温度を、反応生成物のナノ結晶を形成または成長させる温度に下げるステップと、
を含む方法。 - 前記アニオン前駆体が、前記カチオン−配位子錯体と混合される前に、非配位性溶媒、配位子、またはそれらの組み合わせと化合される、請求項22に記載の方法。
- 前記カチオン前駆体がCdOであり、前記配位子がオレイン酸であり、前記非配位性溶媒がオクタデセンであり、そして、前記アニオン前駆体が元素イオウである、請求項22に記載の方法。
- 前記カチオン前駆体がCdOであり、前記配位子がオレイン酸であり、前記非配位性溶媒がオクタデセンであり、そして、前記アニオン前駆体がセレントリブチルホスフィンである、請求項22に記載の方法。
- 前記カチオン前駆体がCdOであり、前記配位子がオレイン酸であり、前記非配位性溶媒がオクタデセンであり、そして、前記アニオン前駆体がテルルトリブチルホスフィンである、請求項22に記載の方法。
- 前記カチオン前駆体が酢酸亜鉛であり、前記配位子がオレイン酸であり、前記非配位性溶媒がオクタデセンであり、そして、前記アニオン前駆体が元素セレントリブチルホスフィンである、請求項22に記載の方法。
- 前記カチオン前駆体が酢酸インジウムであり、前記配位子がミリスチン酸またはパルミチン酸から選択され、前記非配位性溶媒がオクタデセンであり、そして、前記アニオン前駆体がP(SiMe3)3である、請求項22に記載の方法。
- 前記カチオン前駆体が酢酸インジウムであり、前記配位子がミリスチン酸またはパルミチン酸から選択され、前記非配位性溶媒がオクタデセンであり、そして、前記アニオン前駆体がAs(SiMe3)3である、請求項22に記載の方法。
- コロイドナノ結晶の多分散性指数を調整する方法であって、
a)所望の前記多分散性指数に対応するカチオン前駆体、配位子、及び配位子:カチオン前駆体比を予め選択するステップと、
b)前記カチオン前駆体、前記配位子、及び非配位性溶媒を化合させてカチオン−配位子錯体を形成するステップと、
c)所望の前記多分散性指数を有するナノ結晶を形成するために前記非配位性溶媒を加熱して、アニオン前駆体を前記カチオン−配位子錯体と混合するステップと、
を含む方法。
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