JP4339588B2 - プラズマを用いた処理用ガスのための装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、処理用ガスがプラズマを用いて励起される、プラズマを用いた処理用ガスのための装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
特にこのタイプのマイクロ波によって持続されるプラズマを用いた処理用ガスのための装置は、一般に、マイクロ波発生器に接続される導波管を形成する中空の構造体と、入射波に係る電界の振幅が高く、好ましくは最大でとなる領域で、前記構造体中に処理用ガスを循環させるための手段とを具備する。
【0003】
これらのガス処理技術の原則は、主に、不純物もしくは気体状の排出物を含むプラズマ発生ガス(アルゴン、窒素、クリプトン、キセノンなど)中に放電することによって、最初の分子が励起され、イオン化されて、小片、原子及びラジカルに分離されたプラズマを発生させることである。続いて、これらの小片は、互いに、並びに/もしくは補助的なガスと再結合並びに反応して、例えば反応性吸収(reactive absorption)のような一般的な方法でガス中から取り除かれ得る新しい種が生じる。浄化もしくは汚染除去のためのバックグラウンドガスの分子は、変化していない設備の出口にこれらの基本の状態で到達する。励起されたプラズマの発生を可能にする様々の装置の更なる詳細については、1992年、エルゼビアからの、M.MoisanとJ.Pelletierによる“Microwave Excited Plasmas”と題された研究(work)の詳細を参照したい。
【0004】
文献US-A-5、750、823号は、入射電磁波と共に電界を用いて内部に放電を持続させることによってガスが励起されるようにする、プラズマによってガスを処理するための装置を開示している。上記電磁波は、導波管を形成している中空構造体によって形成される界の適用によって励起される。この中空構造体は、一般の導波管からマイクロ波パワーを供給される。また、この導波管も中空の構造体によって形成されている。
【0005】
プラズマが表面電磁波によって持続されているとき、界の適用は、サーファトロンガイド(surfatron)かサーファガイドタイプ(surfaguide type)である。
【0006】
ガスを循環させるために用いられる手段は、内部で放電が引き起こされる、誘電体材料でできた管から成る。
【0007】
このようなガス処理システムの他の例が、文献DE−A−4428418号、US-A-5、300、202号に開示されている。これらのシステムは、低圧で使用される。文献EP-A-0295083号は、大気圧で動作する共振空洞を具備する、プラズマによってガスを処理するための装置を説明している。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
これらのガス処理装置は、エネルギー効率、及び様々の作業状況に対する低動作感度(operating sensitivity)の点では効果的であるが、以下のような大きな欠点を有している。それは、これらの装置が、ガスの処理にはあまり、もしくはよく合わず、ガスの分解が、一般的には紛体の形状の相当量の固体を生じる点である。
【0009】
これは、このような材料が管中で詰まることによる。この管中では、処理用ガスが循環し、放電が引き起こされるか、最低限でも、最初に最適化された内部の幾何学を変えられ、そして、熱交換と管の冷却とを妨げるか、もしくは、この管の誘電特性に良くない影響を与えて表面波の伝搬を妨げる。
【0010】
こうした欠点を軽減するために、閉じられた管状の空間でなく、導波管から空間的に分けられた比較的開いた容積に渡ってガスがプラズマに転化されるガス処理装置を用いることが可能である。この場合、可能なアレンジの1つが、導波管によって支持されて供給を受けるプラズマトーチを用いることである。
【0011】
これによって、トーチは、固体の沈降物(deposit)の潜在的な形成によって引き起こされる上述されたような欠点に悩まされることがなく、プラズマは、トーチのガス供給管内ではなく、トーチの下流部のトーチノズルの端部に形成される。
【0012】
このようなガス処理装置を製造するために、プラズマが形成されるトーチの自由端が、チャンバに向かって開いている。このチャンバの主要な機能は、プラズマ中での処理後にガスを不浸透性に集め、処理によって発生された固体の沈降物を受けることである。次に、このようにして集められたガスは、出口管の方へ向かわされる。続いて、これらガスは、このまま使用されるか、あるいは、次の処理を経験するか、もしくは、大気中に放出されてもよい。
【0013】
このようなマイクロ波プラズマトーチの公知の例は、軸方向噴射トーチ(AIT)である。このようなトーチは、例えば“An atmospheric pressure waveguide-fed microwave plasma torch”という物品(Plasma Source Sci. Technol 3 (1994)p.584乃至592)もしくは追加の証明出願(addition certificate application)FR-A-2533397号に説明されている。AITトーチは、SF6とC2F6との破壊に利用されていた。しかしながら、これのアーキテクチャは、比較的精巧で、また、これの構造は、かなり複雑かつ高価なものである。更に、ガス回路を適当にシールするのは本質的に難しく、これは、危険なガス(例えば腐食性のハロゲン化した混合物)もしくは高付加価値を有するガス(クリプトン、キセノン)を生じるように転化する不純物もしくは排出物を含むガスを処理するときには非常に重大な欠点となる。また、AITの図の供給管の長さは極めて長く、これは、不純物の再凝縮の問題を引き起こし得る。
【0014】
本発明の課題は、これらの欠点を軽減することである。
【0015】
かくして、本発明の課題は、上述したタイプの、プラズマを用いた処理用ガスのための装置において、ガスを循環させるための手段は、自身の出口で処理用ガス内にプラズマを発生させる少なくとも1つのプラズマトーチを有し、このトーチは、導波管を形成する構造体の第1の大きな面に設けられて、この第1の大きな面に対向した第2の大きな面に形成されたオリフィスを通って突出し、導電性材料でできたインジェクターを有し、また、入射波の通路のためのギャップが、インジェクターの周りに延びていることを特徴とする装置である。
【0016】
【課題を解決するための手段】
この装置はまた、個々に、もしくは任意の技術的に可能な組み合わせで、1つ以上の以下の特徴を有する。
【0017】
この装置は、導波管を形成する構造体に対するインジェクターの軸方向の位置を調節する調節手段を具備する。
【0018】
調節手段は、インジェクターの外面に形成されて、導波管を形成する構造体によって支えられた雌ねじと共働するねじ溝の形状に設計されている。
【0019】
インジェクターは、ほぼ円筒形の外部部品を有し、また、前記調節手段は、前記構造体の第1の大きな面に固定された二重リングカップリング装置の形状に設計され、この二重リングカップリング装置は、これの中を通るインジェクターを有し、前記円筒形の部品は、カップリング装置に径方向において固定されている。
【0020】
導波管を形成する中空の構造体は、マイクロ波発生器に接続される第1の端部と、これの反対側の、短絡回路を形成するインピーダンス調節手段が設けられた第2の端部と、前記ガスを循環させ、かつマイクロ波パワーをインジェクターの端部に伝送するための手段が設けられている領域とを有している。
【0021】
この領域は、狭くなった断面を有する領域である。
【0022】
狭くなった断面を有する領域は、ガスを循環させるための手段が設けられ、一定の断面を有する部分を有し、また、断面が狭くなった領域は、2つの部分の間で延び、これら2つの部分の断面は、夫々、第1の端部、並びに第2の端部に向けて線形的に大きくなっている。
【0023】
領域は、2つの端部の間に延びた、一定の断面を有する領域であり、また、本装置は、プラズマインジェクターシステムの電磁インピーダンスを、導波管を形成する構造体の特徴的な電磁インピーダンスに変換するインピーダンスマッチャーを更に具備する。
【0024】
インピーダンスマッチャーは、良い導電性を有する材料、特に銅もしくは真鍮ででき、前記インジェクターを囲むように同軸的に配置され、構造体の第2の大きな面から第1の大きな面に向かって延びている、中空のシリンダーである。
【0025】
マイクロ波は、ほぼ2.45GHzの周波数を有し、また、中空のシリンダーは、25mmと40mmとの間、好ましくは33mmにほぼ等しい長さと、20mmと30mmとの間、好ましくはほぼ25mmに等しい長さの外径とを有する。
【0026】
ギャップは、大きな長い面に形成されたオリフィスと、インジェクターの外形とによって規定されている。
【0027】
第2の大きな面に設けられ、この第2の大きな面のオリフィスの直径より小さな直径を有する中央のオリフィスを備えている環状ディスクを更に具備し、また、ギャップは、中央のオリフィスによって規定され、さらに、スペーサーの片が、環状ディスクと、第2の大きな面の、中央のオリフィスの端面から離間された端面との間に配置されている。
ギャップを規定するオリフィスの端面は、丸められ、特に半円環状である。
ギャップは、1mm幅と3mm幅との間である。
【0028】
中空の構造体は、少なくとも1つの端部、好ましくはこれらの端部の各々に、マイクロ波エネルギーを透して中空構造体内部をマイクロ波発生器とインピーダンス調節手段とに向かって夫々に延びた導波管部分から気体密に隔離する、誘電性材料、特にテフロン(商標名)でできたウインドーを有する。
【0029】
導波管を形成する中空の構造体に設けられ、インジェクターの自由端を覆う処理用反応炉を具備する。
【0030】
処理用反応炉の壁は、円筒形で、冷却流体源と連通する冷却コイルが設けられている。
【0031】
処理用反応炉中の気体をポンピングする手段を更に具備する。
【0032】
ポンピングする手段は、プラズマ領域の気体のほぼ層流の流れを調節する手段を構成している。
【0033】
反応炉には、プラズマ点火手段が設けられている。
【0034】
点火手段は、インジェクターの自由端の方へ延び、低周波数もしくは無線周波数の高AC電圧源に接続され、導電体の材料、特にタングステンでできたワイヤーのようなロッドと、前記自由端に接離可能な移動手段とを有する。
【0035】
インジェクターの自由端は、円筒形もしくは円錐形の全体的な外形を有する。
【0036】
インジェクターの自由端には、インジェクターの出口に対してプラズマを中心付けるための突出した中央部材と、この部材の各側に延びたガスの通路となるオリフィスとが設けられている。
【0037】
他の特徴並びに欠点は、単なる例として添付図面を参照して成された以下の説明によって明らかにされるだろう。
【0038】
【発明の実施の形態】
図1、2は、全体を通して参照符号10で示された、本発明に係るプラズマによってガスを処理するための装置を概略的に示し、夫々に、側方、上方から示されている。
【0039】
装置10は、主に、縦長の形状を有する導波管を形成する中空の構造体12から成り、想定される使用に適した導電性の材料、特に金属でできている。これは、好ましくは矩形の断面を有し、図1の平面に位置された対称面を有し、即ち、構造体12の小さな面に平行である。
【0040】
構造体12は、2つの開いた端部14、16を有し、これら開いた端部は、一方がマイクロ波発生器(示されず)に接続され、他方が調節可能な短絡回路を形成するための適当な手段、好ましくはインピーダンスが調節され得るように縦横に調節可能なように配置される導電プレートに接続されることを意図されている。
【0041】
構造体12は、2つの端部14、16の間に、入射マイクロ波を集中させるように狭い断面を有する領域18を有する。この領域18は、2つの部分22、24の間に延びて一定の断面を有する中央部20を有し、これの断面は、端領域14、16に向かって直線的に大きくなる。
【0042】
図3を参照すると、構造体12を構成する壁は、この中央部20に2つの同軸オリフィス26、28を有し、これらオリフィスを通って、処理用ガスを、構造体12、特に、入射波に関連した電界の振幅が高くて好ましくは最大であるような領域でこの構造体を通るように循環させる手段が延びている。
【0043】
“高い電界の振幅”という表現は、プラズマを点火させるのに十分に高い電界の振幅という意味で理解されるのがよい。
【0044】
図3に示されるように、前記の手段は、トーチ29から成り、このトーチは、導波管によって支持され、インジェクター30を有している。このインジェクターは、基端領域32を有し、この基端領域を介して構造体12の大きな面(large face)の1つ33Aに固定され、並びに、構造体12の反対側の大きな面33Bに形成されたオリフィス26を通ってこの構造体12から突出している自由な先端34を有している。
【0045】
インジェクター30は、ギャップ26Aが、このインジェクター30と構造体12を構成する壁即ち面(face)33との間のオリフィス26に残されるように、これの自由端34に向かって狭くなる断面を有する。このオリフィスを通って、入射波が、インジェクター30の壁に沿って自由端34に向かう。
【0046】
これらの図に示された例示的な実施形態では、導波管を形成する構造体12は、1つのトーチを取付けるための2つの同軸オリフィス26、28を有する。また、所定数のプラズマトーチを取付けるために、同軸のオリフィスが対で配置されるこのようなオリフィスをより多く有してもよいことが理解されるだろう。この場合、同軸のオリフィスの対は、一般に、入射パワーの好ましくは1%未満である反射パワーによって、一方では複数のトーチの端部に渡っておおよそ等しいプラズマを発生させるためにパワーをギャップ間に均等に分配するように、また、他方では他の場所に設けられた調節手段(例えば、従来の可動短絡回路と従来の3つの螺旋のマッチャー)を用いて複数のトーチ構造体の良いインピーダンスの整合を可能にするように、配置される。
【0047】
更に、装置10は、構造体12に対するインジェクター30の軸方向の位置を調節する手段を有する。この手段は、インジェクターの基端領域32の外周面に形成されたねじ山36の形状を有し、構造体12によって支えられたナット38の雌ねじと共働する。かくして、トーチの自由端34と構造体12の対応する大きな面33Bとの間の距離を正確に調節することが可能である。
【0048】
インジェクター30は、処理用ガスが循環するように通る内部管40を有する。この管は処理用ガス供給源に接続されている。この源は図示されていない。
【0049】
代わって、インジェクター30は、円筒形の管状部分から成る基部とこれから延びた円筒形もしくは円錐形の全体的な外形を有するノズルとを有する(図4乃至12、もしくは図19)。ガイドの大きな面に形成された環状のオリフィス26の直径は、環状のギャップ26Aに、小さいけれどマイクロ波パワーがガイドからノズルのチップに向かって導かれるのに十分な幅を与えるようにされている。この幅は、アークがインジェクター30と導波管との間で発達される危険を回避するために十分に大きい。
【0050】
ギャップ26Aの幅は、例えば、1mmと3mmとの間である。
【0051】
装置10は、構造体12の中央領域20に、トーチのインジェクター30の自由端を覆い、この端部が反応炉42中に開くように設けられた処理反応炉42を有する。
【0052】
反応炉42は、構造体12に対して不浸透的に設けられ、インジェクター30とオリフィス26とによって規定された環状ギャップ26Aを介してこの構造体の内部容積と連通されていることに、注意してほしい。
【0053】
構造体の端部14、16は、誘電性の材料、好ましくはテフロンででき、マイクロ波エネルギーを通す2つのプレート43によって気体密に閉じられている。かくして、この2つのプレート43は、マイクロ波のための“ウインドー”を形成しているが、構造体12中に存在し得る腐食性もしくは有害なガスが反応炉42から放出されて、外部もしくはマイクロ波発生器60に向かって循環することがない。
【0054】
反応炉42の壁は、円筒形で、適当な冷却流体源(この源は図示されていない)に接続されたコイル44の形状の冷却手段を設けられている。
【0055】
これはまた、例えばタングステンででき、トーチのインジェクターの自由端34へ向けて延び、低周波数もしくは無線周波数の高AC電圧源(図示されず)に接続され、及びワイヤーのような導電性ロッド46の形状に設計されたプラズマ点火部材を支えている。このロッド46には、放電されたあとに、これが自由端34の近くから引き出されるのを可能にする移動手段(図示されず)が設けられている。
【0056】
管48は、ガスをこれらがプラズマ中を通過した後に集めるために、反応炉42に接続されており、この管には、この実施形態では、反応炉内の大気圧をポンプするための手段50が設けられている。
【0057】
理解されるように、反応炉42は、トーチ29からのガスが外部環境から隔離されて残りの処理プロセスのためにこのガス全てが集められるのを可能にする。
【0058】
反応炉42のチャンバのディメンションは、安定していて均整が取れている望ましいプラズマを持続した状態を、マイクロ波エネルギーとチャンバの壁との寄生結合(parasitic coupling)かトーチ29近くのガスの流れの状態の滅損(degradation)かによって壊さないように、十分に大きくなくてはならない。しかしながら、同時に、反応炉42のチャンバのディメンションは、全体として装置を小型で維持するために十分に小さくなくてはならない。
【0059】
例えば、反応炉42は、直径約200mm、高さ480mmのアルミニウムのシリンダーから成る。
【0060】
この場合、ポンピングする手段50は、一般に、プラズマの炎の領域でガスの流れを層流に近い状態に維持するために使用が必要である。
【0061】
小型性が禁じられた不都合でない場合には、大きなディメンションを採用してもよい。
【0062】
かくして、大きなサイズの反応炉が使用されているときには、冷却手段は省略され得る。
【0063】
図4乃至13を参照すると、プラズマトーチのインジェクター30の自由端は、様々の外形を有してよい。
【0064】
特に、図1乃至3を参照して概略的に説明された例示的な実施形態では、インジェクターは、円錐形の外形を有する。これは、容易に、図5に示されているような円筒形の外形を有することもできる。
【0065】
ノズルの自由端は、4と4.8mmとの間、好ましくは4mmの直径を有する。
【0066】
直径が大きい場合、処理生産高(yield)が、プラズマの柱(column)が開口部を全体的に覆わないという点で低下される。
【0067】
直径の値が小さい場合、結果的にガスの処理速度(speed for gas for treatment)が上昇することで、この種のプラズマ内での滞留時間、かくして破壊レベルが減じられる。
【0068】
1つの開口部を有するインジェクター30の場合、プラズマは周辺領域で点火され、かくして、ガスの流れに対して偏心的に位置付けられることが分かる。
【0069】
図6乃至11の例では明らかなように、インジェクターの自由端は、プラズマが自身をノズルの軸上に固定するように強制する中心チップ52を、ガスの流れの中心に有する。
【0070】
この場合、インジェクターの自由端は、中心チップ52の周りに互いに均等に分布されたガス通路オリフィス54の対を有し、これらは、“シャワーヘッド”タイプのインジェクターを形成するように例えば2、4もしくは6個(図7、9、11)与えられている。
【0071】
代わって、図12、13に示されているように、中心チップ52の代わりに、インジェクターの自由端34に設けられた橋を形成するチップ56を用いてもよい。
【0072】
ここまで説明されてきた装置を採用したガス処理設備が、図14を参照して説明される。
【0073】
図14に示されているように、装置10は、1つの反応炉42によって覆われ、及びガス収集管48中に開いた2つのトーチ29を有する。
【0074】
代わって、各トーチごとに1つの反応炉を有することも明らかに可能である。
【0075】
導波管構造体12の自由端16の1つには、インピーダンスを調節するために可動短絡回路58を形成する端板が設けられ、構造体12内でのこれの位置を調節するための装置59を接続されている。
【0076】
反対の端部14は、従来のタイプのサーキュレーター62を介して、入射マイクロ波を発生させるパワー発生器60に接続されている。サーキュレーターは、任意で用いられ、プラズマが消滅された際に、もしくは、インピーダンスの整合が良くないか調節されている途中に、トーチ29によって反射されるパワーから発生器を保護する。サーキュレーター62の役割は、反射パワーを、このパワーを吸収するように設計された装置(図示されていない)、例えば、水が装填された装置に移動させることである。
【0077】
また、方向性結合器64が、導波管を通るパワーによる所定の摩擦をタップオフ(tap off)するように、これの値を決定するために、サーキュレーター62と装置10との間に挿入されている。
【0078】
この設備は、トーチ29に接続された装置10に処理用ガスを供給することによって補われる(この手段は図示されていない)。
【0079】
これまで説明された処理装置の例示的な応用例が、C2F6の破壊のための、図15乃至17を参照して説明される。
【0080】
入射マイクロ波は、2.4GHzの周波数を有する。構造体12の自由端16に設けられた可動短絡回路58は、インピーダンスの整合を最適化するように、及び反射パワーを最小にするように設定されている。
【0081】
本発明に係る導波管トーチ装置によれば、可動短絡回路58を調節した後には、発生器により反射されるパワーの非常に低い値が得られることが判っている。任意で、3つの螺旋(screw)のインピーダンスの整合(示されず)が、導波管の、マイクロ波パワーが発生される側面で設定され得、方向性結合器64と装置14との間の調節を改良する。
【0082】
また、図15に示されているように、面33Bの上面に対してインジェクター30の高さ方向の位置を調節することは、非常によい調節手段となり、反射パワーを最小にさせる。この特定の例では、高さは、2.8cmと4.1cmとの間でよく、好ましくは3.4cmである。
【0083】
反応炉42内の圧力は、トーチ29のノズルと反応炉42の壁との間で電気アークが発達するのを回避するように、及び所定のマイクロ波パワーの範囲内で安定したプラズマを得るために、ポンピングする手段50(図1)を用いて調節される。
【0084】
反応炉42内の圧力が低下されると、入射マイクロ波のパワーは、プラズマを良好に安定した状態に維持するために減じられなくてはならないことに注意してほしい。
【0085】
図16を参照すると、反応炉42内の圧力がまた、C2F6の破壊レベルに影響を与えていることが分かる。
【0086】
かくして、プラズマを安定した状態に維持し、アークが発達する危険を回避するために、及び所定の破壊レベルに達するように十分なレベルのパワーを維持し得るように、好ましくは、800hPa(600Torr)と866hPa(650Torr)との間の圧力で作業(work)が実施される。
【0087】
図17は、C2F6が窒素中に1%まで希釈されている場合の、入射マイクロ波パワーの関数としてC2F6の破壊レベルの変化を表わす曲線を示す。これは、様々の窒素の流量について与えられている。低流量(5.0リッター/分)でも、破壊レベルは、適度なパワー(1200ワット)で100%に容易に達するのが見られる。対照的に、窒素の流量が40.0リッター/分に上昇すると、2つのトーチを用いても、破壊レベルは、同等のパワーでほぼ40%程度である。破壊レベル70%に戻すためには、パワーを2800ワット程度に上昇させる必要がある。
【0088】
図1乃至13を参照して説明された装置の動作状況は、流量と吸収されるマイクロ波とを変更することで100%に近いC2F6の破壊レベルを得られるように適合され得ることが、前述部から理解されるだろう。この結果は、装置に処理用ガスを供給する管よりむしろトーチ29の下流の反応炉42内にプラズマが発生されることから、処理されたガスの分解を起源とする固体の発生に影響を受けない。
【0089】
かくして、固体の残留物は、この管に詰まって封じたり、これの内部の幾何学的形状を変更し得ない。これらはまた、これらの分解された生成物が反応炉の底部に堆積することから、容易に回復され得る。
【0090】
更に、この性能は、入射電磁波に関連した電界を供給するために設けられた手段が一般のようにプラズマトーチが設けられている場合と比べて非常に単純にされていることから単純でかくして安価な構造を有し、同時に非常に効果的である、本発明に係るガス処理装置を用いて得られる。
【0091】
図18、19は、本発明に係る装置の第2の実施形態を示す。以下には、第1の実施形態との違いのみが説明される。第1の実施形態と同様の部材は、同じ参照符号を有する。
【0092】
装置10は、支持プレート79によって支えられた中空の構造体12を具備する。この中空の構造体は、2つの端部14、16の間の全長さに渡って断面が等しい領域80を有する。
【0093】
支持プレート79は、中空の構造体12の2つのオリフィス26、28と同軸の雌ねじ82を有する。
【0094】
二重リングカップリング装置84は、この雌ねじ82中にねじ付けされ、プレート79の対向側から中空の構造体12まで延びている。このカップリング装置84は、それ自体が公知で、例えば“Swagelock”(商標名)の名前で市販されている。
【0095】
カップリング装置84は、ほぼ中空シリンダーの形状を有するベースボディ86を有する。
【0096】
このベースボディ86は、雌ねじ82中に取付けるための外ねじ溝88を有する。また、ベースボディ86は、支持プレート79と対向する側に、外ねじ溝90と、この支持部に向かって狭くなる内側の円錐形面92とを有する。
【0097】
装置84は、互いに対して及びベースボディ86に対して同軸に配置された円錐形(frustoconical)の2つのリング94、96を有する。第1のリングの円錐形の面は、ベースボディ86の円錐形の面92に押圧される。
【0098】
クランプナット98が、外ねじ溝90にねじ付けされ、第2のリング96とベースボディ86との間で第1のリング94をクランプする。
【0099】
インジェクター30は、円筒形の部分を有し、ナット98、2つのリング94、96、及びベースボディ86を通って延びている。このインジェクター30は、インジェクター30の円筒形の部分に対する第1のリング94の径方向におけるクランプによって、軸方向に固定されている。
かくして、中空の構造体12の面33Bに対するインジェクター30の高さの連続的な調節が可能である。
【0100】
装置10は、中空構造体12の面33Bの内面に固定されたインピーダンス変換器100を更に有する。
このインピーダンス変換器100は、基本的に、トーチ29を囲むように同軸的に配置された中空のシリンダー102である。
【0101】
面33Bに隣接した、中空のシリンダー102の端部は、中央のオリフィス105がインジェクター30の通路を形成している、環状ディスクの形状の固定ベース104を有する。3個の固定孔106(このうち1つが図示されている)が、ベース104に形成され、シリンダーの軸の周りに均等に配置されている。インピーダンス変換器100は、3個のねじ108によって中空の構造体12に固定されている。
【0102】
ベース104の中央のオリフィス105は、構造体のオリフィス26の直径よりも僅かに小さい直径を有することに注意してほしい。
【0103】
かくして、2つのオリフィス26、105は、電磁気的に分断され、インジェクター30の端部34へのマイクロ波パワーの伝送は、オリフィス26、105のところの、オリフィス105とインジェクター30との間のギャップ105Aによって幾分決定される。中央のオリフィス105の端面は、丸くされ、特に半円環形状にされており、端面とインジェクター30との間でアークが発達される危険を減じている。
【0104】
固定ベース104は、中空の構造体12の面33Bに面する面に、環状の軸方向リム112を更に有する。このリム112は、固定ベース104とほぼ同じ直径を有する。このリム112は、固定ベース104を面33Bから離し、かくして、インピーダンス変換器100をマイクロ波エネルギーが影響する範囲内で中空の構造体12から分離させるようなスペーサーを形成している。
【0105】
このように、放出場所までのマイクロ波パワーの通路は、主にインピーダンス変換器100によって決定される。
【0106】
インピーダンス変換器のディメンションは、インジェクター30の電磁インピーダンスが中空の構造体12の特徴的な電磁インピーダンスとほぼ同じであるように選択されている。
【0107】
インピーダンス変換器は、例えば銅もしくは真鍮でできているが、良い導電性を有する任意の材料で作られてもよい。2.45GHzのマイクロ波周波数の場合、変換器の好ましいディメンションは、以下である。長さは、30と40mmとの間で、好ましくは33mmであり、外径は、20mmと30mmとの間で、好ましくは25mmである。
【0108】
第2の実施形態に係る装置が動作する方法は、第1の実施形態に係る装置の動作と同じである。
【0109】
本発明に係る装置の第2の実施形態は、特に単純な構造を有し、製造コストが安価である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係るガス処理装置の第1の実施形態の概略的な縦断面図である。
【図2】 図1の装置の上から見た図である。
【図3】 図1の装置の一部分の断面図である。
【図4】 図1の装置のインジェクターの変形例を示す図である。
【図5】 図1の装置のインジェクターの変形例を示す図である。
【図6】 図1の装置のインジェクターの変形例を示す図である。
【図7】 図1の装置のインジェクターの変形例を示す図である。
【図8】 図1の装置のインジェクターの変形例を示す図である。
【図9】 図1の装置のインジェクターの変形例を示す図である。
【図10】 図1の装置のインジェクターの変形例を示す図である。
【図11】 図1の装置のインジェクターの変形例を示す図である。
【図12】 図1の装置のインジェクターの変形例を示す図である。
【図13】 図1の装置のインジェクターの変形例を示す図である。
【図14】 本発明に係る処理装置を用いたガス処理設備を示す図である。
【図15】 インジェクターの高さの関数として、導波管中の反射パワーの変化を示す曲線を表す図である。
【図16】 反応炉内の圧力の関数として、図1の装置によるガスの破壊(destruction)レベルの変化を示す曲線を表す図である。
【図17】 様々のガスの流量と1%のガスの希釈との場合の入射マイクロ波パワーの関数として、ガスの破壊レベルの変化を示す曲線を表す図である。
【図18】 本発明に係るガス処理装置の第2の実施形態の概略的な縦断面図である。
【図19】 図18のXIX−XIXの断面図である。
Claims (22)
- マイクロ波発生器(60)に接続される導波管を形成する中空の構造体(12)と、この構造体中の、入射波に関連した電界の振幅が最大である領域に処理用ガスを循環させるための手段(29)とを具備するタイプの、マイクロ波によって持続されるプラズマを用いた処理用ガスのための装置において、前記ガスを循環させるための手段は、少なくとも1つのプラズマトーチ(29)を有し、前記トーチの出口で処理用ガス内にプラズマを発生させ、前記トーチは、導波管を形成する構造体(12)の第1の面(33A)に設けられて、この第1の面に対向した第2の面(33B)に形成されたオリフィス(26)を通って突出し、導電性材料でできたインジェクター(30)を有し、また、入射波の通路のためのギャップ(26A;105A)が、インジェクター(30)の周りに延びていること、および
前記第2の面(33B)に設けられ、この第2の面(33B)のオリフィス(26)の直径より小さな直径を有する中央のオリフィス(105)を備えている、前記構造体(12)の内部に設けられている環状ディスク(104)を更に具備し、また、前記ギャップ(105A)は、中央のオリフィス(105)によって規定され、さらに、スペーサーの片(112)が、前記環状ディスク(104)と、第2の面(33B)の、中央のオリフィス(105)の端面から離間された端面との間に配置されていることを特徴とする装置。 - 前記導波管を形成する構造体(12)に対するインジェクター(30)の軸方向の位置を調節する、前記構造体(12)の外部に設けられている調節手段(36、38;84)を具備することを特徴とする請求項1の装置。
- 前記構造体(12)の外部に設けられている前記調節手段は、インジェクター(30)の外面に形成されて、導波管を形成する構造体(12)によって支えられた雌ねじ(38)と共働するねじ溝(36)の形状に設計されていることを特徴とする請求項2の装置。
- 前記インジェクター(30)は、ほぼ円筒形の外部部品を有し、また、前記構造体(12)の外部に設けられている前記調節手段は、前記構造体(12)の第1の面(33A)に固定された二重リングカップリング装置(84)の形状に設計され、この二重リングカップリング装置は、これの中を通るインジェクター(30)を有し、前記円筒形の部品は、カップリング装置(84)に径方向において固定されていることを特徴とする請求項2の装置。
- 前記導波管を形成する中空の構造体(12)は、マイクロ波発生器(60)に接続される第1の端部(14)と、これの反対側の、短絡回路を形成するインピーダンス調節手段(58)が設けられた第2の端部(16)と、前記ガスを循環させ、かつマイクロ波パワーをインジェクター(30)の端部に伝送するための手段が設けられている領域(18;80)とを有していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1の装置。
- 前記領域は、前記第1の端部(14)および前記第2の端部(16)に比べて狭くなった断面を有する領域(18)であることを特徴とする請求項5の装置。
- 前記狭くなった断面を有する領域(18)は、前記ガスを循環させるための手段(29)が設けられ、一定の断面を有する部分(20)を有し、また、前記断面が狭くなった領域は、2つの部分(22、24)の間で延び、これら2つの部分の断面は、夫々、第1の端部(14)、並びに第2の端部(16)に向けて線形的に大きくなっていることを特徴とする請求項6の装置。
- 前記領域は、2つの端部(14、16)の間に延びた、一定の断面を有する領域(80)であり、また、本装置は、プラズマインジェクターシステムの電磁インピーダンスを、導波管を形成する構造体(12)の特徴的な電磁インピーダンスに変換するインピーダンスマッチャー(100)を更に具備することを特徴とする請求項5の装置。
- 前記インピーダンスマッチャー(100)は、良い導電性を有する材料ででき、前記インジェクター(30)を囲むように同軸的に配置され、構造体(12)の第2の面(33B)から第1の面(33A)に向かって延びている、中空のシリンダー(102)であることを特徴とする請求項8の装置。
- 前記マイクロ波は、2.45GHzの周波数を有し、また、前記中空のシリンダー(102)は、25mmと40mmとの間の長さと、20mmと30mmとの間の長さの外径とを有することを特徴とする請求項9の装置。
- 前記ギャップ(26A)は、前記第2の面(33B)に形成されたオリフィス(26)と、前記インジェクターの外形とによって規定されていることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1の装置。
- 前記ギャップ(26A;105A)を規定するオリフィス(26;105)の端面は、丸められていることを特徴とする請求項11の装置。
- 前記ギャップ(26A;105A)は、1mm幅と3mm幅との間であることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1の装置。
- 前記中空の構造体(12)は、少なくとも1つの端部(14、16)、またはこれらの端部の各々に、マイクロ波エネルギーを透して中空構造体(12)内部をマイクロ波発生器(60)とインピーダンス調節手段(58)とに向かって夫々に延びた導波管部分から気体密に隔離する、誘電性材料でできたウインドー(43)を有することを特徴とする請求項5もしくは請求項5に従属する請求項6乃至13のいずれか1の装置。
- 導波管を形成する中空の構造体(12)に設けられ、インジェクター(30)の自由端を覆う処理用反応炉(42)を具備する、請求項1乃至14のいずれか1の装置。
- 前記処理用反応炉(42)の壁は、円筒形で、冷却流体源と連通する冷却コイル(44)が設けられていることを特徴とする請求項15の装置。
- 前記処理用反応炉(42)中の気体をポンピングする手段(50)を更に具備することを特徴とする請求項15もしくは16のいずれか1の装置。
- 前記ポンピングする手段は、プラズマ領域の気体のほぼ層流の流れを調節する手段を構成していることを特徴とする請求項17の装置。
- 前記反応炉(42)には、プラズマ点火手段(46)が設けられていることを特徴とする請求項16乃至18のいずれか1の装置。
- 前記点火手段は、インジェクター(30)の自由端(34)の方へ延び、低周波数もしくは無線周波数の高電圧AC電圧源に接続され、導電体の材料でできたワイヤーのようなロッド(46)と、前記自由端(34)に接離可能な移動手段とを有することを特徴とする請求項19の装置。
- 前記インジェクター(30)の自由端(34)は、円筒形もしくは円錐形の全体的な外形を有することを特徴とする請求項1乃至20のいずれか1の装置。
- 前記インジェクター(30)の自由端(34)には、インジェクター(30)の出口に対してプラズマを中心付けるための突出した中央部材(52;56)と、この部材の各側に延びたガスの通路となるオリフィス(54)とが設けられていることを特徴とする請求項21の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0013840A FR2815888B1 (fr) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | Dispositif de traitement de gaz par plasma |
PCT/FR2001/003293 WO2002035575A1 (fr) | 2000-10-27 | 2001-10-23 | Dispositif de traitement de gaz par plasma |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004512648A JP2004512648A (ja) | 2004-04-22 |
JP4339588B2 true JP4339588B2 (ja) | 2009-10-07 |
Family
ID=8855829
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002538460A Expired - Fee Related JP4339588B2 (ja) | 2000-10-27 | 2001-10-23 | プラズマを用いた処理用ガスのための装置 |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6916400B2 (ja) |
EP (1) | EP1332511B1 (ja) |
JP (1) | JP4339588B2 (ja) |
KR (1) | KR100858396B1 (ja) |
AT (1) | ATE266257T1 (ja) |
AU (1) | AU2002214089A1 (ja) |
DE (1) | DE60103178T2 (ja) |
ES (1) | ES2219573T3 (ja) |
FR (1) | FR2815888B1 (ja) |
PT (1) | PT1332511E (ja) |
TW (1) | TW519856B (ja) |
WO (1) | WO2002035575A1 (ja) |
Families Citing this family (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0309932D0 (en) * | 2003-04-30 | 2003-06-04 | Boc Group Plc | Apparatus and method for forming a plasma |
US7282244B2 (en) * | 2003-09-05 | 2007-10-16 | General Electric Company | Replaceable plate expanded thermal plasma apparatus and method |
US20050163696A1 (en) * | 2004-01-28 | 2005-07-28 | Uhm Han S. | Synthesis of carbon nanotubes by making use of microwave plasma torch |
US7164095B2 (en) * | 2004-07-07 | 2007-01-16 | Noritsu Koki Co., Ltd. | Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency |
US20060052883A1 (en) * | 2004-09-08 | 2006-03-09 | Lee Sang H | System and method for optimizing data acquisition of plasma using a feedback control module |
US20070228008A1 (en) * | 2004-12-06 | 2007-10-04 | University Of Houston | Medium pressure plasma system for removal of surface layers without substrate loss |
ATE383063T1 (de) * | 2005-04-29 | 2008-01-15 | Alter Srl | Plasmaerzeuger |
GB0521830D0 (en) * | 2005-10-26 | 2005-12-07 | Boc Group Plc | Plasma reactor |
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JP6323849B2 (ja) | 2012-08-28 | 2018-05-16 | アジレント・テクノロジーズ・インクAgilent Technologies, Inc. | 電磁導波路およびプラズマ源を含む機器、プラズマ生成方法 |
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Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2533397A2 (fr) * | 1982-09-16 | 1984-03-23 | Anvar | Perfectionnements aux torches a plasma |
FR2751565B1 (fr) * | 1996-07-26 | 1998-09-04 | Air Liquide | Procede et installation de traitement de gaz perfluores et hydrofluorocarbones en vue de leur destruction |
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FR2762748B1 (fr) * | 1997-04-25 | 1999-06-11 | Air Liquide | Dispositif d'excitation d'un gaz par plasma d'onde de surface |
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FR2787677B1 (fr) * | 1998-12-22 | 2001-01-19 | Air Liquide | Element de canalisation pour dispositif de traitement de gaz et dispositif incorporant un tel element de canalisation |
-
2000
- 2000-10-27 FR FR0013840A patent/FR2815888B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-10-12 TW TW090125191A patent/TW519856B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-10-23 JP JP2002538460A patent/JP4339588B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-10-23 WO PCT/FR2001/003293 patent/WO2002035575A1/fr active IP Right Grant
- 2001-10-23 AU AU2002214089A patent/AU2002214089A1/en not_active Abandoned
- 2001-10-23 EP EP01982534A patent/EP1332511B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-23 DE DE60103178T patent/DE60103178T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-23 ES ES01982534T patent/ES2219573T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-23 AT AT01982534T patent/ATE266257T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-10-23 KR KR1020037005825A patent/KR100858396B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-10-23 PT PT01982534T patent/PT1332511E/pt unknown
- 2001-10-26 US US09/983,853 patent/US6916400B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2002035575A1 (fr) | 2002-05-02 |
DE60103178D1 (de) | 2004-06-09 |
TW519856B (en) | 2003-02-01 |
AU2002214089A1 (en) | 2002-05-06 |
EP1332511A1 (fr) | 2003-08-06 |
KR20040005851A (ko) | 2004-01-16 |
FR2815888B1 (fr) | 2003-05-30 |
KR100858396B1 (ko) | 2008-09-11 |
EP1332511B1 (fr) | 2004-05-06 |
DE60103178T2 (de) | 2005-04-21 |
PT1332511E (pt) | 2004-09-30 |
JP2004512648A (ja) | 2004-04-22 |
US6916400B2 (en) | 2005-07-12 |
ES2219573T3 (es) | 2004-12-01 |
ATE266257T1 (de) | 2004-05-15 |
US20020050323A1 (en) | 2002-05-02 |
FR2815888A1 (fr) | 2002-05-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040903 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070827 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071211 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130710 Year of fee payment: 4 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |