JP6323849B2 - 電磁導波路およびプラズマ源を含む機器、プラズマ生成方法 - Google Patents
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Description
Claims (26)
- 長さおよび高さを有する電磁導波路と、
前記電磁導波路を、前記電磁導波路の前記長さに沿った第1位置で横切り、前記電磁導波路の高さよりも低い高さを有する第1絞りスロットと、
前記電磁導波路を、前記電磁導波路の前記長さに沿った第2位置で横切り、前記電磁導波路の高さよりも低い高さを有する第2絞りスロットと、
前記第1および第2絞りスロットの間の位置で前記電磁導波路を横切る長手方向の軸を有するプラズマトーチとを備え、
前記第1絞りスロットおよび前記第2絞りスロットは、前記プラズマトーチの前記長手方向の軸に対して実質的に横向きの電磁場を伝達して、前記プラズマトーチ内にプラズマを励起させるよう構成されており、
前記第1絞りスロットおよび前記第2絞りスロットの前記高さは、前記プラズマトーチの直径の70%未満である、機器。 - 前記電磁場は、前記プラズマトーチの前記長手方向の軸に対して横向きの実質的な定在波である、請求項1に記載の機器。
- 前記電磁場は、前記長手方向の軸に対して横向きの実質的な進行波として、前記プラズマトーチの前記長手方向の軸を通過する、請求項1に記載の機器。
- 前記第1絞りスロットと前記第2絞りスロットとの間に配置された絞り空洞をさらに備える、請求項1に記載の機器。
- 前記電磁導波路は前記絞り空洞の一方側に第1部分を備え、前記第1部分の第1端から前記絞り空洞の中心までの第1長さが、電磁波進行モードの1/4波長(λ/4)の奇数倍に実質的に等しい、または、前記電磁波進行モードの1/4波長(λ/4)の奇数倍よりも大きい、請求項4に記載の機器。
- 前記電磁導波路は前記絞り空洞の他方側に第2部分を備え、前記第2部分の第2端から前記絞り空洞の中心までの第2長さが、電磁波進行モードの1/2波長(λ/2)よりも大きい、請求項5に記載の機器。
- 前記電磁導波路の前記第1端は、接地に電気的に接続されている、請求項5または請求項6に記載の機器。
- 前記電磁導波路の前記第2端は、電磁放射源に電気的に結合されている、請求項6に記載の機器。
- 前記プラズマは、前記プラズマトーチの前記長手方向の軸を中心に実質的に対称に、前記絞り空洞内に生成される、請求項4に記載の機器。
- 前記プラズマは、前記絞り空洞の両側に位置する、実質的に三日月形の第1ローブおよび実質的に三日月形の第2ローブを有する、請求項4に記載の機器。
- 前記プラズマから軸方向に離れて位置する他方のプラズマをさらに備え、他方のプラズマは、前記絞り空洞の両側に位置する、実質的に三日月形の第1ローブおよび実質的に三日月形の第2ローブを有する、請求項10に記載の機器。
- 前記絞り空洞は前記絞り空洞の中心に軸(以下、第1軸という)を有し、前記プラズマおよび前記他方のプラズマのそれぞれにおいて、前記三日月形の第1および第2ローブは、前記第1軸を中心に実質的に対称である、請求項11に記載の機器。
- 前記電磁場は、前記プラズマトーチの前記長手方向の軸に対して実質的に横向きの電場を含み、前記電場は、前記プラズマトーチ内に前記プラズマを励起する、請求項1に記載の機器。
- 前記電磁場は、前記プラズマトーチの前記長手方向の軸に対して実質的に横向きの磁場を含み、前記磁場は、前記プラズマトーチ内に前記プラズマを励起する、請求項1に記載の機器。
- 前記電磁導波路の端から絞りの中心までの長さが、電磁波進行モードの1/4波長(λ/4)の奇数倍に実質的に等しい、請求項1に記載の機器。
- プラズマを生成する方法であって、
長さを有する電磁導波路を用意し、
前記電磁導波路の前記長さに沿った第1位置で第1絞りスロットを設置し、前記電磁導波路の前記長さに沿った第2位置で第2絞りスロットを設置し、
絞りを構成する、前記第1絞りスロットと前記第2絞りスロットとの間の絞り空洞内にプラズマトーチを、前記絞り空洞の中心の軸(以下、第1軸という)に沿って整列させ、ここにおいて、前記第1および第2絞りスロットは、前記プラズマトーチの直径の70%未満の高さを有し、
前記第1軸に対して実質的に横向きの成分の力線を有する電磁場を生成させる、方法。 - 前記プラズマトーチにプラズマ形成ガスを供給するステップと、
電磁力を印加して、前記電磁場を確立するステップと、
プラズマを生成するステップとをさらに含む、請求項16に記載の方法。 - 前記電磁力は、前記絞りに隣接して配置された電磁導波路内に確立される、請求項17に記載の方法。
- 前記電磁導波路は前記絞り空洞の一方側に第1部分を備え、前記第1部分の第1端から前記絞り空洞の中心までの第1長さが、電磁波進行モードの1/4波長(λ/4)の奇数倍に実質的に等しい、または、電磁波進行モードの1/4波長(λ/4)の奇数倍よりも大きい、請求項18に記載の方法。
- 前記電磁導波路は前記絞り空洞の他方側に第2部分を備え、前記第2部分の第2端から前記絞り空洞の中心までの第2長さが、電磁波進行モードの1/2波長(λ/2)よりも大きい、請求項19に記載の方法。
- 前記プラズマは、前記第1軸を中心に実質的に対称に、前記絞り空洞内に生成される、請求項17に記載の方法。
- 前記プラズマは、前記絞り空洞の両側に位置する、実質的に三日月形の第1ローブおよび実質的に三日月形の第2ローブを有する、請求項17に記載の方法。
- 前記プラズマから軸方向に離れて位置する他方のプラズマを生成するステップをさらに有し、他方のプラズマは、前記空洞の両側に位置する、実質的に三日月形の第1ローブおよび実質的に三日月形の第2ローブを備える、請求項22に記載の方法。
- 前記三日月形の第1および第2ローブは、前記第1軸を中心に実質的に対称である、請求項22に記載の方法。
- 前記電磁場は、前記プラズマトーチの長手方向の軸に対して実質的に横向きの電場を含み、前記電場は、前記プラズマトーチ内に前記プラズマを励起する、請求項17に記載の方法。
- 前記電磁場は、前記プラズマトーチの長手方向の軸に対して実質的に横向きの磁場を含み、前記磁場は、前記プラズマトーチ内に前記プラズマを励起する、請求項17に記載の方法。
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