JP4327616B2 - 感光性コーティング樹脂組成物 - Google Patents

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Description

本発明は、電子部品の絶縁材料や、半導体装置におけるパッシベーション膜、バッファーコート膜、層間絶縁膜、またはα線遮蔽膜などのパターン化された耐熱性塗膜の形成に用いられるコーティング樹脂組成物に関する。
従来より、電子部品の絶縁材料、又は半導体装置のパッシベーション膜、表面保護膜、層間絶縁膜、もしくはα線遮蔽膜などには、優れた耐熱性、電気特性、及び機械特性を併せ持つポリイミド樹脂やポリベンズオキサゾール樹脂が用いられている。これらの樹脂は、ポリイミド前駆体組成物やポリベンズオキサゾール前駆体組成物の形で供され、これを基材に塗布し、加熱によって熱イミド化、あるいは熱オキサゾール化させることにより、耐熱性塗膜を形成させて使用される(例えば、特許文献1参照)。
上述の耐熱性塗膜をパターニングする必要がある場合には、感光性ポリイミド前駆体組成物、あるいは感光性ポリベンズオキサゾール前駆体組成物を使用すると容易に硬化レリーフパターンを得ることができる。これらの組成物は、基材に塗布し、所望のパターンを有するパターニングマスクを介して活性光線を照射、露光し、現像液によって照射部、または未照射部を溶出させることによって現像した後に、加熱によって熱イミド化、もしくは熱オキサゾール化させることにより、耐熱性塗膜からなる硬化レリーフパターンを形成させて使用される。
これら感光性ポリイミド前駆体組成物や感光性ポリベンズオキサゾール前駆体組成物は、通常、芳香族ポリアミド、およびその誘導体を主とする樹脂成分と、ラジカル重合開始剤、又は光酸発生剤などの感光剤と、その他の各種添加剤と、これらを溶解する有機溶媒からなる液状組成物として提供される。そして、該有機溶媒としては、組成物中の各種成分を充分確実に長期間溶解させておく目的で、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)に代表される、アミド系の高極性溶媒を主溶媒として用いるのが一般的であった(例えば、特許文献2参照)。
ところが、半導体製造の別工程で使用される微細加工用フォトレジストが高性能化するにつれ、塩基性雰囲気での性能劣化、いわゆる「アミンかぶり」が問題となり、コーティング装置などを一部共用するポリイミド/ポリベンズオキサゾール前駆体組成物の溶媒についても、非アミド系溶媒化(非NMP化)の要求が高まった。
この対策として、ガンマ−ブチロラクトンや乳酸エチルなどの非アミド系、低極性の溶媒も用いられるようになったが、前述のNMPなどに較べれば溶解性に劣ることは否めず、その結果、組成物の経時的な粘度上昇や経時的な露光感度の低下など、主に組成物の保存安定性に関する新たな問題が生じるようになり、抜本的対策が求められている。
特開2000−265057号公報 特開平8−22124号公報
本発明の課題は、非アミド系の溶媒を用いつつも、優れたリソグラフィー特性と高い保存安定性を有する、新規な感光性コーティング樹脂組成物を提供し、これを用いた硬化レリーフパターンの製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明者らは、上記課題を解決するため、鋭意検討した結果、感光性コーティング樹脂組成物を構成する有機溶媒の一部ないし全部を、特定のグリコールエーテル類とすると、前述の課題を高いレベルで解決できることを見出し、本発明をなすに至った。
すなわち、本発明の第1は、下式(1)で表される構造単位を有するポリアミド100質量部と、下式(2)で表されるグリコールエーテル類を10質量%以上含有する有機溶媒20〜1000質量部と、感光剤1〜20質量部とを含有することを特徴とする感光性コーティング樹脂組成物である。
Figure 0004327616
(式中、Rは2〜8価の有機基、Rは2〜8価の有機基、R、R、R、Rは水素原子、および/または炭素数1〜20までの1価の有機基である。ただし、R、Rの全てが水素原子であることはない。また、nは2〜150の整数であり、p、qは0〜2の整数、r、sは0〜4の整数である。ただし、pまたはsの少なくとも片方は0ではない。)
Figure 0004327616
(式中、Rは炭素数1〜10の1価の有機基、Rは水素原子またはメチル基である。また、tは0〜5の整数、uは0〜4の整数、vは1〜3の整数である。)
本発明の第2は、上記の感光性コーティング樹脂組成物を基材に塗布して塗膜を形成し、該塗膜に直接、もしくはパターニングマスクを介して活性光線を照射し、次いで現像液を用いて該塗膜の露光部、または未露光部を溶解除去してレリーフパターンを形成し、次いで200〜400℃で加熱することによって、硬化レリーフパターンを形成する方法である。
本発明の第3は、上記の硬化レリーフパターンを形成する方法を包含する、半導体装置の製造方法である。
本発明の感光性コーティング樹脂組成物は、優れたリソグラフィー特性と高い保存安定性という効果を有する。
以下、本願発明を具体的に説明する。
1.A成分
本発明の組成物を構成するA成分は、下式(1)で表されるポリアミドである。
Figure 0004327616
(式中、Rは2〜8価の有機基、Rは2〜8価の有機基、R、R、R、Rは水素原子、および/または炭素数1〜20までの1価の有機基である。ただし、R、Rの全てが水素原子であることはない。また、nは2〜150の整数であり、p、qは0〜2の整数、r、sは0〜4の整数である。ただし、pまたはsの少なくとも片方は0ではない。)
該ポリアミドが、特に下式(3)で表されるポリベンズオキサゾール前駆体の場合は、希薄アルカリ水溶液で現像可能であるので好ましい。
Figure 0004327616
(式中、Xは2価の芳香族基、Yは4価の芳香族基、であり、wは2〜150の整数である。R、R10は、それぞれ独立に、水素原子または下式(4)で表される光重合性の不飽和二重結合を有する一価の有機基である。)
Figure 0004327616
(式中、R11、R12、及びR13は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数1〜3の有機基、mは2〜10の整数である。)
ここで、上記の式(3)で表されるポリベンズオキサゾール前駆体において、(R+R10)=100モル%とした場合、(R+R10)のうち、10モル%以上、50モル%以下が、上記の式(4)で表される光重合性の不飽和二重結合基を有する1価の有機基である場合は、感光剤として光ラジカル発生剤を用いると、ネガ型の感光性材料とすることが出来る。上記の式(3)で表されるポリベンズオキサゾール前駆体をネガ型の感光性材料として使用する場合は、(R+R10)が上記の有機基である割合が10モル%未満では光による重合が不十分となり好ましくない。また、上記の割合が50モル%を超える場合は現像液である希薄アルカリ水溶液への溶解性が低下し好ましくない。
また、上記の式(3)で表されるポリベンズオキサゾール前駆体において、R、及びR10ともに水素原子である場合は、感光剤としてナフトキノンジアジド系の光酸発生剤を用いると、ポジ型の感光性材料とすることが出来る。
また、上記の式(3)で表されるポリベンズオキサゾール前駆体において、感光剤として塩酸やスルホン酸などの強酸を発生させる光酸発生剤を用い、同時にアミノ樹脂などに代表される、酸触媒下で作用する架橋剤を添加すると、化学増幅ネガ型の感光性材料とすることも出来る。
本発明のA成分であるポリアミドが、以下の式(5)で表されるポリイミド前駆体の場合、有機溶剤で現像可能であり、また感光剤として光ラジカル発生剤を用いると、ネガ型の感光性材料とすることが出来る。
Figure 0004327616
(式中、Xは4価の芳香族基であって、−COOR14基および−COOR15基とそれらの隣の−CONH−基とは互いにオルト位置にある。Yは2価の芳香族基であり、yは2〜150の整数である。R14とR15は、それぞれ独立に、下記式(6)で表される光重合性の不飽和二重結合を有する一価の有機基である。
Figure 0004327616
(但し、R16、R17、R18は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数1〜3の有機基、kは2〜10の整数である。)
2.B成分
本発明の組成物を構成するB成分は、下式(2)で表される、ベンゼン環を有するグリコールエーテル類を10質量%以上含有する有機溶媒である。なお、後述する(メタ)アクリレート類に代表される光架橋剤(反応性希釈剤)は、ここでいう有機溶媒には該当しないものとする。
Figure 0004327616
(式中、Rは炭素数1〜10の1価の有機基、Rは水素原子またはメチル基である。また、tは0〜5の整数、uは0〜4の整数、vは1〜3の整数である。)
上記グリコールエーテル類として、より具体的には、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ−m−トルイルエーテル、エチレングリコールモノ−p−トルイルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル、トリエチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノベンジルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノベンジルエーテル、ジプロピレングリコールモノフェニルエーテル、ジプロピレングリコールモノベンジルエーテル、などが挙げられる。
上記グリコールエーテル類の含有量は、組成物中の全ての有機溶媒成分のうち、10〜100質量%、好ましくは30〜100質量%、より好ましくは50〜100質量%である。これは、上記グリコールエーテル類の含有量が全有機溶媒成分の10質量%を下回ると、当該溶剤を使用することによる組成物の改質効果、すなわち保存安定性の向上効果が、さほど期待できなくなるためである。
上記グリコールエーテル類以外の有機溶媒としては、非アミド系のもの、例えば、ガンマブチロラクトン、α−アセチル−ガンマブチロラクトン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチルなどが好ましい。
本発明の組成物において、B成分の添加量はA成分100質量部に対して、20〜1000質量部が好ましく、50〜600質量部がより好ましい。添加量が20質量部より少ない場合は組成物の粘度が高すぎ、また1000質量部より多い場合は粘度が低すぎ、いずれも好ましい厚さに塗布することが困難になる。
3.C成分
本発明の組成物を構成するC成分は感光剤である。本発明の組成物をネガ型感光性コーティング樹脂組成物として使用する場合は、下記の光ラジカル発生剤を好ましく使用することができる。
(a)ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、4−ベンゾイル−4’−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノンなどのベンゾフェノン誘導体、
(b)2,2’−ジエトキシアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオフェノン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのアセトフェノン誘導体、
(c)チオキサントン、2−メチルチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントンなどのチオキサントン誘導体、
(d)ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル−β−メトキシエチルアセタールなどのベンジル誘導体、
(e)ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテルなどのベンゾイン誘導体、
(f)1−フェニル−1,2−ブタンジオン−2−(O-メトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(O−メトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(O−エトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(O−ベンゾイル)オキシム、1,3−ジフェニルプロパントリオン−2−(O−エトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−3−エトキシプロパントリオン−2−(O−ベンゾイル)オキシムなどのオキシム類、などが好ましく挙げられる。また、これらの使用にあたっては、単独でも2種以上の混合物でもかまわない。
上記の光ラジカル発生剤の中では、特に光感度の点で、(f)のオキシム類が、より好ましい。光ラジカル発生剤の添加量は、本発明のA成分に対して、1〜20質量部、好ましくは2〜10質量部、より好ましくは4〜8質量部である。これは、添加量が1質量部を下回る場合、露光に際して、光ラジカル重合が充分に進行するだけのラジカルが供給されないため、光感度が低く、よって現像後のパターンの膨潤が激しく、実用的なレリ−フパターンを得ることが難しいためであり、また、逆に添加量が20質量部を上回ると、塗膜表面付近での露光光線の吸収が大きくなりすぎるため、基板面付近まで露光光線が到達せず、よって光架橋が膜厚方向で不均一となり、やはり実用的なレリ−フパターンを得ることが難しいためである。
本発明の組成物をポジ型感光性コーティング樹脂組成物として使用する場合は、1,2−ナフトキノンジアジド構造を有する光酸発生剤を好ましく使用することができる。具体的な例としては、下記のものが挙げられる。
Figure 0004327616
Figure 0004327616
Figure 0004327616
1,2−ナフトキノンジアジド構造を有する光酸発生剤の添加量は、本発明のA成分に対して、5〜40質量部、好ましくは10〜30質量部、より好ましくは15〜25質量部である。これは、添加量が5質量部を下回る場合、現像に際して露光部と未露光部の間の充分な溶解速度差を取ることが出来ず、実用的レリーフパターンを得ることが難しいためで、逆に添加量が40質量部を上回ると、現像後のレリーフパターンに残滓が発生することが避けられず、やはり実用的レリーフパターンを得ることが難しいためである。
また、本発明の組成物をアミノ樹脂などの、酸触媒下で作用する架橋剤と混用し、化学増幅ネガ型感光性コーティング樹脂組成物とする場合には、光酸発生剤としては、強酸を発生するものが好ましい。具体的には、トリス(2,4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−フェニル−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(3−クロロフェニル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシフェニル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メチルチオフェニル)―ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシナフチル)―ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(3,4,5−トリメトキシ−β―スチリル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メチルチオ−β―スチリル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(5−メチルフラン−2−イル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(フラン−2−イル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(4−ジエチルアミノ−2−メチルフェニル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[(2−ジメチルアミノエチル)アミノ]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジンジメチル硫酸塩、2−[2−(3,4−ジメトキシ)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(オキシカルボニルメチルアミノ)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、などのs−トリアジン類、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロホスホネートなどのホスホネート類、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(ノルボルナン−2−イル)−1,3,5−トリチアニウムトリフルオロメタンスルホネート、2−オキソシクロヘキシルシクロヘキシル(ノルボルナン−2−イル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、シクロヘキシル(メトキシカルボニルメチル)−(ノルボルナン−2−イル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホネートなどのスルホネート類、(5−プロピルスルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−オクタンスルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、[5−(4−メチルフェニル)スルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル等のチオフェン類、などが挙げられる。
上記強酸を発する光酸発生剤の添加量は、本発明のA成分に対して、1〜20質量部、好ましくは1〜15質量部、より好ましくは1〜10質量部である。これは、添加量が1質量部を下回る場合、架橋触媒としての酸の発生量が不充分なため、現像に際して露光部と未露光部の間の充分な溶解速度差を取ることが出来ず、実用的レリーフパターンを得ることが難しいためで、逆に添加量が20質量部を上回ると、酸の発生量が過大となり、現像後のレリーフパターンに残滓が発生することが避けられず、やはり実用的レリーフパターンを得ることが難しいためである。
4.その他の成分
以上の必須成分以外にも、本発明の組成物には、必要に応じ、各種添加剤を適宜添加することが出来る。例えば、本発明のC成分として光ラジカル発生剤を用いる場合には、光感度向上のための増感剤や保存安定性向上のための重合禁止剤、(メタ)アクリレート類に代表される光架橋剤などを適宜添加するのが好ましい。
また、本発明の組成物を、化学増幅ネガ型感光性コーティング樹脂組成物とする場合には、本発明のC成分に挙げた光酸発生剤より発生する強酸の触媒下で作用する、アミノ樹脂などに代表される架橋剤、具体的にはメラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、グリコールウリル樹脂、ヒドロキシエチル尿素樹脂などが必須である。
他にも、散乱光吸収剤や塗膜平滑性付与剤、シランカップリング剤、現像溶解促進剤、熱架橋剤などをはじめ、本発明の組成物の諸特性を阻害するものでない限り、必要に応じて、種々の添加剤を適宜配合することが出来る。
本発明の組成物の使用例を以下に示す。
まず、該組成物をシリコンウェハーなどの基材に塗布する。塗布方法に特に制限はないが、塗膜の均一性の点から、スピンコーターを用いるのが好ましい。塗布後、80〜130℃でプリベークして塗膜を乾燥し、次いで露光投影装置を用いて、直接、もくしは所望のパターニングマスクを介して活性光線を照射する。
活性光線としては、パターンの解像度及び取り扱い性の点で、UV−i線(365nm)が好ましく、露光投影装置としてはステッパーが好ましい。
この後、光感度の向上などの目的で、必要に応じて、任意の温度、時間の組み合わせ(好ましくは温度40℃〜120℃、時間10秒〜240秒)による露光後ベーク(PEB)や、現像前ベークを施しても良い。
次に現像が行われるが、浸漬法、パドル法、回転スプレー法等の方法から選択して行うことが出来る。現像液としては、塗膜が本発明のアルカリ可溶性のポリベンズオキサゾール前駆体組成物からなる場合には、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン等の有機アミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド等の4級アンモニウム塩類等の水溶液、およびこれらに、必要に応じてメタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤などを適当量添加したものを使用することが出来る。
塗膜が本発明のポリイミド前駆体組成物からなる場合には、現像液としては、その良溶媒を単独で、もしくは良溶媒と貧溶媒を適宜混合して用いることが出来る。良溶媒としては、ジメチルスルホキシド、ガンマブチロラクトン、α−アセチル−ガンマブチロラクトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどが、貧溶媒としては、トルエン、キシレン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルおよび水などが用いられる。良溶媒と貧溶媒を混合して用いる場合、その混合比率は、使用するポリイミド前駆体組成物塗膜の溶解性や、使用する現像方法に応じて調整される。
現像終了後、リンス液により洗浄を行い、現像液を除去することにより、ポリアミドのレリーフパターンが得られる。リンス液としては、蒸留水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、トルエン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル等を単独または適宜混合して用いることができ、また段階的に組み合わせて用いることもできる。
このようにして得られたポリアミドのレリーフパターンは、200〜400℃に加熱し、脱水環化反応を進行させることにより、耐熱性や耐薬品性に富んだポリベンズオキサゾール皮膜またはポリイミド皮膜からなる硬化レリーフパターンに変換される。このような加熱環化反応は、ホットプレート、イナートオーブン、温度プログラムを設定できる昇温式オーブンなどを用いて行うことが出来る。加熱環化させる際の雰囲気気体としては空気を用いてもよく、窒素、アルゴン等の不活性ガスを用いてもよい。
次に、実施例および比較例によって、本発明を説明する。
[合成例1]
(末端封止型ポリベンズオキサゾール前駆体P−1の合成)
容量2Lのセパラブルフラスコ中で、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAC)692g、ピリジン72.4g(0.92mol)、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(6FAP)197.8g(0.54mol)を、室温(24℃)で混合撹拌し、溶解させた。これに、ジエチレングリコールジメチルエーテル(DMDG)81g中に、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物27.0g(0.16mol)を別途溶解させたものを、滴下漏斗より滴下した。この際、15〜20℃の水浴でセパラブルフラスコを冷却した。滴下に要した時間は30分、反応液温は最高で28℃であった。滴下終了後、湯浴で50℃まで加温し、そのまま20時間撹拌した。
その後、氷水浴で15℃まで冷却し、これにDMDG405g中にジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸ジクロリド(DEDC)135.1g(0.46mol)を別途溶解させたものを、滴下漏斗より滴下した。滴下に要した時間は70分、反応液温は最高で16℃であった。
滴下終了から3時間撹拌放置し、その後、反応液を12Lの水に高速撹拌下で滴下し、生成した重合体を分散析出させ、これを回収し、適宜水洗、脱水の後に真空乾燥を施し、ノルボルネンイミド構造を両末端に有するポリベンズオキサゾール前駆体P−1を得た。得られたポリマーの末端がノルボルネンイミド構造になっているかどうかは、赤外分光光度計を用いて、1385cm−1および1772cm−1にイミド構造固有の特性吸収が現れることによって確認した。このポリマーのポリスチレン換算重量平均分子量(THF溶媒でのゲルパーミエーションクロマトグラフィー法による、以下「GPC重量平均分子量」という。)は13000であった。
[合成例2]
(全アミン末端型ポリベンズオキサゾール前駆体P−2の合成)
容量2Lのセパラブルフラスコ中で、DMAC436g、ピリジン13.45g(0.17mol)、6FAP124.53g(0.34mol)を室温(24℃)で混合撹拌し、溶解させた。これに、DMDG248g中にDEDC82.63g(0.28mol)を別途溶解させたものを、滴下漏斗より滴下した。この際、15〜20℃の水浴でフラスコを冷却した。滴下に要した時間は20分、反応液温は最高で30℃であった。
滴下終了から1時間撹拌放置し、その後、反応液を5Lの水に高速攪拌下で滴下し、生成した重合体を分散析出させ、これを回収し、適宜水洗、脱水の後に真空乾燥を施し、アミノ基を両末端に有するポリベンズオキサゾール前駆体P−2を得た。このポリマーのポリスチレン換算GPC重量平均分子量(THF溶媒)は10300、残溶媒率は13.95%、純分収率は86.51%であった。
[合成例3]
(感光性ポリベンズオキサゾール前駆体P−3の合成)
合成例2で得られたポリベンズオキサゾール前駆体(P−2)100gを容量1Lのセパラブルフラスラスコに入れ、ガンマブチロラクトン(GBL)400gを加えて再溶解し、ジ−n−ブチルスズジラウレート0.85gを加え、オイルバスにて50℃に加温した。これに、GBL51gに2−イソシアナトエチルメタクリレート16.94g(0.109mol。これは、P−2の純分収率および当該反応への使用量から算出して、P−2の全水酸基の35モル%に相当する)を別途溶解したものを、15分かけて滴下した。
滴下終了後、50℃にて4時間撹拌した。4時間後、この反応液をイオン交換水4Lに滴下し、その際析出する重合体を分離、洗浄した後、真空乾燥を施すことにより、光重合性の不飽和二重結合が導入されたポリベンズオキサゾール前駆体P−3を得た。
この反応では、イソシアネートはポリマー末端のアミノ基と優勢に反応しつつも、ポリマー骨格中の水酸基とも反応するため、ポリマー末端部ではウレア結合、骨格中の水酸基部分の一部ではウレタン結合を介してメタクリレート基が導入された構造になっている。
このポリマーの1H−NMRスペクトルを測定し、骨格の繰り返し単位部分の芳香環上の水素原子に由来する積分強度の和と、導入されたメタクリレート基の炭素−炭素二重結合の先端部分の水素原子2個に由来する積分強度との比率より、骨格全体に対するメタクリレート基の導入率を算出することができる。本例の場合、メタクリレート基の導入率は、骨格中の全水酸基に対して28.6%と算出された。
[合成例4]
(感光性ポリイミド前駆体P−4の合成)
容量5Lのセパラブルフラスコに、ジフェニルエーテル−3,3’,4,4’−テトラカルボン酸二無水物310.22g(1.00mol)、2−ヒドロキシエチルメタクリレート270.69g(2.08mol)、ピリジン158.2g(2.00mol)、GBL1000gを投入、混合し、常温で16時間撹拌放置した。これに、ジシクロヘキシルカルボジイミド400.28g(1.94mol)をGBL400gに溶解希釈したものを、氷冷下、30分ほどかけて滴下投入し、続いて4,4’−ジアミノジフェニルエーテル185.97g(0.93mol)をGBL650gに分散させたものを、60分ほどかけて加えた。氷冷のまま3時間撹拌し、その後エタノールを50g加え、氷冷バスを取り外し、更に1時間撹拌放置した。上記プロセスで析出してきた固形分(ジシクロヘキシルウレア)を加圧濾別した後、反応液を40Lのエタノールに滴下投入し、その際析出する重合体を分離、洗浄し、50℃で24時間真空乾燥することにより、感光性ポリイミド前駆体P−4を得た。ポリスチレン換算GPC重量平均分子量(THF溶媒)は22000であった。
[実施例1]
合成例1で得られたポリベンズオキサゾール前駆体(P−1)100質量部、下記構造のナフトキノンジアジド含有型光酸発生剤19質量部、p−クミルフェノール6質量部を、ガンマブチロラクトン104質量部とエチレングリコールモノフェニルエーテル104質量部の混合溶媒に溶解させ、孔径0.2ミクロンのテフロン(登録商標)フィルターでろ過し、ワニス状のポジ型感光性コーティング樹脂組成物を得た。
Figure 0004327616
(式中、Qのうちの90%が、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル残基を表し、残り10%が水素原子を表す。)
[実施例2]
合成例2で得られたポリベンズオキサゾール前駆体(P−2)100質量部、2−[2−(5−メチルフラン−2−イル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン3質量部、ヘキサメトキシメチル化メラミン15質量部を、ガンマブチロラクトン86質量部とエチレングリコールモノフェニルエーテル86質量部の混合溶媒に溶解させ、孔径0.2ミクロンのテフロン(登録商標)フィルターでろ過し、ワニス状の化学増幅ネガ型感光性コーティング樹脂組成物を得た。
[実施例3]
合成例3で得られたポリベンズオキサゾール前駆体(P−3)100質量部、テトラエチレングリコールジメタクリレート16質量部、N,N’−ビス(2−メタクリロイルオキシエチル)尿素16質量部、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(O−ベンゾイル)オキシム6質量部、1−フェニル−5−メルカプト−1,2,3,4−テトラゾール2質量部、4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン1質量部、N−ニトロソジフェニルアミン0.1質量部を、ガンマブチロラクトン72質量部とエチレングリコールモノフェニルエーテル72質量部の混合溶媒に溶解させ、孔径0.2ミクロンのテフロン(登録商標)フィルターでろ過し、ワニス状のネガ型感光性コーティング樹脂組成物を得た。
[実施例4]
合成例4で得られたポリイミド前駆体(P−4)100質量部、テトラエチレングリコールジメタクリレート4質量部、1,3−ジフェニルプロパントリオン−2−(O−エトキシカルボニル)オキシム4質量部、1−フェニル−5−メルカプト−1,2,3,4−テトラゾール1質量部、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)アニリン4質量部、N−ニトロソジフェニルアミン0.05質量部を、ガンマブチロラクトン90質量部とエチレングリコールモノフェニルエーテル90質量部の混合溶媒に溶解させ、孔径0.2ミクロンのテフロン(登録商標)フィルターでろ過し、ワニス状のネガ型感光性コーティング樹脂組成物を得た。
[比較例1]
希釈溶媒を、ガンマブチロラクトンのみで170質量部とする以外は、実施例1と同様にして、ワニス状のポジ型感光性コーティング樹脂組成物を得た。
[比較例2]
希釈溶媒を、ガンマブチロラクトンのみで143質量部とする以外は、実施例2と同様にして、ワニス状の化学増幅ネガ型感光性コーティング樹脂組成物を得た。
[比較例3]
希釈溶媒を、ガンマブチロラクトンのみで114質量部とする以外は、実施例3と同様にして、ワニス状のネガ型感光性コーティング樹脂組成物を得た。
[比較例4]
希釈溶媒を、ガンマブチロラクトンのみで150質量部とする以外は、実施例4と同様にして、ワニス状のネガ型感光性コーティング樹脂組成物を得た。
(ワニスの保存安定性の評価)
容量50mlの茶色ガラス製スクリュー管に、本発明の実施例、比較例で得られたワニス状組成物(以下ワニスという)を30g入れて密封し、雰囲気温度40℃に制御された恒温オーブン内に同時に7日間静置した。7日後、E型粘度計(東京計器製、形式名RE−80R)を用いて、これらのワニスの粘度を測定し、粘度の変化の程度をもって、保存安定性の指標とした。
なお、粘度計の校正には、日本グリース製粘度計校正用標準液JS−2000を用いた。それぞれのワニスのろ過から3日後に測定した値を初期粘度とし、これを100とした場合の結果を表1に示す。
(ポリアミド塗膜の作製とリソグラフィー評価)
本発明の実施例、比較例で得られたワニスを、予め3−アミノプロピルトリエトキシシランで下地処理しておいた5インチシリコンウェハー上に、スピンコーター(東京エレクトロン製、型式名クリーントラックマーク7)を用いて塗布し、110℃で3分間プリベークし、初期膜厚10ミクロンの塗膜を得た。
この塗膜に、i線ステッパー露光機(ニコン製、型式名NSR2005i8A)により、評価用フォトマスクを通して、露光量を50〜500mJ/cm2の範囲で段階的に変化させて露光した。
実施例2と比較例2のワニスを用いたものについては、露光終了から60秒後、ホットプレートを用いて、110℃で60秒間の露光後ベーク(PEB)を施した。また実施例3〜4と比較例3〜4のワニスを用いたものについても、同様の手順で、70℃で90秒間のPEBを施した。
その後、実施例1、比較例1に関しては、現像液として2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(クラリアントジャパン製、品番AZ300MIF)を用いて、未露光部の現像残膜率((現像後の未露光部膜厚/現像前膜厚)×100、単位%)が85%となる時間のパドル現像を施し、引き続き純水で20秒間リンスし、ポジ型のレリ−フパターンを得た。
実施例2、比較例2に関しては、現像液として2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(クラリアントジャパン製、品番AZ300MIF)を用いて、未露光部が完全に溶解消失するまでの時間ちょうどのパドル現像を施し、引き続き純水で20秒間リンスし、ネガ型のレリーフパターンを得た。
実施例3、比較例3に関しては、現像液として2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(クラリアントジャパン製、品番AZ300MIF)を用いて、未露光部が完全に溶解消失するまでの時間に1.4を乗じた時間のパドル現像を施し、引き続き純水で20秒間リンスし、ネガ型のレリーフパターンを得た。
また実施例4、比較例4に関しては、現像液としてガンマブチロラクトンとキシレンの混合溶媒(体積比で50:50)を用いて、未露光部が完全に溶解消失するまでの時間に1.4を乗じた時間の回転スプレー現像を施し、引き続きイソプロパノールで20秒間リンスし、ネガ型のレリ−フパターンを得た。
得られたレリーフパターンを光学顕微鏡下で目視観察し、ポジ型のレリーフパターンの場合は、露光部に現像残りが無くなる露光量(感度)、同露光量照射時におけるバイアホール(矩形の現像溶出部)の寸法(解像度)を評価した。
ネガ型のレリーフパターンの場合は、膨潤のないシャープなレリーフパターンが得られる最低露光量(感度)、最低露光量照射時におけるバイアホール(矩形の現像溶出部)の寸法(解像度)を評価した。結果を表2に示す。
Figure 0004327616
Figure 0004327616
表1から明らかなように、溶媒がガンマブチロラクトンだけの場合(比較例)には、ワニス粘度が大幅に上昇するばかりではなく、一部ゲル状に固化する現象が見られるが、本発明の実施例では、このようなこともなく、粘度の上昇も僅かであり、優れた保存安定性を示す。
また、表2より、本発明の実施例のリソグラフィー特性は、溶媒がガンマブチロラクトンだけの場合(比較例)とほぼ同等か、むしろ現像時間が短縮される方向であり、より好ましい。
本発明の組成物は、優れた保存安定性とリソグラフィー特性を示し、電子部品や半導体装置における耐熱性塗膜の形成に用いられる感光性コーティング樹脂組成物として好適である。

Claims (3)

  1. A)下式(1)で表される構造単位を有するポリアミド100質量部と、
    B)下式(2)で表されるグリコールエーテル類を10質量%以上含有する有機溶媒20〜1000質量部と、
    C)感光剤1〜20質量部とを含有することを特徴とする感光性コーティング樹脂組成物。
    Figure 0004327616
    (式中、Rは2〜8価の有機基、Rは2〜8価の有機基、R、R、R、Rは水素原子、および/または炭素数1〜20までの1価の有機基である。ただし、R、Rの全てが水素原子であることはない。また、nは2〜150の整数であり、p、qは0〜2の整数、r、sは0〜4の整数である。ただし、pまたはsの少なくとも片方は0ではない。)
    Figure 0004327616
    (式中、Rは炭素数1〜10の1価の有機基、Rは水素原子またはメチル基である。また、tは0〜5の整数、uは0〜4の整数、vは1〜3の整数である。)
  2. 請求項1に記載の感光性コーティング樹脂組成物を基材に塗布して塗膜を形成し、該塗膜に直接、もしくはパターニングマスクを介して活性光線を照射し、次いで現像液を用いて該塗膜の露光部、または未露光部を溶解除去してレリーフパターンを形成し、次いで200〜400℃で加熱することによって、硬化レリーフパターンを形成する方法。
  3. 請求項2に記載の硬化レリーフパターンを形成する方法を包含する、半導体装置の製造方法。
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JP4979915B2 (ja) * 2005-09-09 2012-07-18 東京応化工業株式会社 高分子化合物、ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4625769B2 (ja) 2006-01-24 2011-02-02 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
WO2007125817A1 (ja) * 2006-04-24 2007-11-08 Jsr Corporation 感光性樹脂組成物
JP5028059B2 (ja) * 2006-09-28 2012-09-19 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、それを用いた硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置
CN101663617B (zh) * 2007-04-24 2013-05-08 三井化学株式会社 感光性树脂组合物、干膜及使用它的加工品
JP4893527B2 (ja) * 2007-08-10 2012-03-07 Jsr株式会社 感光性樹脂組成物
TWI401530B (zh) 2008-05-29 2013-07-11 Asahi Kasei E Materials Corp A photosensitive resin composition
JP5207907B2 (ja) * 2008-10-03 2013-06-12 旭化成イーマテリアルズ株式会社 感光性樹脂組成物、パターン形成方法、並びに半導体装置及びその製造方法
JP5632630B2 (ja) * 2010-03-24 2014-11-26 旭化成イーマテリアルズ株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物
JP6810905B2 (ja) * 2016-10-26 2021-01-13 東洋紡株式会社 凸版印刷原版用感光性樹脂組成物、及びそれから得られる凸版印刷原版
JP6861408B2 (ja) * 2016-12-27 2021-04-21 東京応化工業株式会社 細胞培養用チップの製造方法
JP7094150B2 (ja) * 2018-05-31 2022-07-01 太陽ホールディングス株式会社 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、および電子部品
WO2021157306A1 (ja) * 2020-02-05 2021-08-12 富士フイルム株式会社 樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、及び、半導体デバイス

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