JP4326521B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4326521B2 JP4326521B2 JP2005359033A JP2005359033A JP4326521B2 JP 4326521 B2 JP4326521 B2 JP 4326521B2 JP 2005359033 A JP2005359033 A JP 2005359033A JP 2005359033 A JP2005359033 A JP 2005359033A JP 4326521 B2 JP4326521 B2 JP 4326521B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- mos transistor
- region
- back gate
- semiconductor integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
2 逆流防止素子
Claims (6)
- P型半導体基板と;
前記P型半導体基板上に形成されるN型ウェル層と;
前記N型ウェル層に形成される第1バックゲート領域と、前記第1バックゲート領域を囲むように前記N型ウェル層に形成され、ソース領域及びドレイン領域の一方となるとともに前記第1バックゲート領域と接続される第1導電領域と、前記N型ウェル層に形成され、ソース領域及びドレイン領域の他方となる第2導電領域と、を有する第1MOSトランジスタと;
前記N型ウェル層に形成され、前記第1MOSトランジスタの前記第1バックゲート領域と前記第1導電領域に接続された第2バックゲート領域と、前記第2バックゲート領域を囲むように前記N型ウェル層に形成され、ソース領域及びドレイン領域の一方となるとともに前記第2バックゲート領域と接続される第3導電領域と、前記N型ウェル層に形成され、ソース領域及びドレイン領域の他方となるとともに第1直流電圧が印加される第4導電領域と、を有する第2MOSトランジスタと;
前記第2MOSトランジスタのゲートに供給する第2直流電圧を設定する電圧設定回路と;
一端に前記第1直流電圧が印加されるとともに、他端が前記電圧設定回路に接続され、前記電圧設定回路における逆流を阻止する逆流防止素子と;
を備え、
前記電圧設定回路は、前記第1直流電圧のみから前記第2直流電圧を生成し、かつ、前記第1直流電圧を基準として前記第2MOSトランジスタの耐圧範囲内となる直流電圧を前記第2直流電圧とすることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記逆流防止素子がダイオードであることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
- 前記電圧設定回路が分圧抵抗により構成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第1MOSトランジスタの前記第2導電領域の電圧と基準電圧を比較した値を前記第1MOSトランジスタのゲートに出力する帰還回路を備えることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の半導体集積回路装置。
- 前記第1MOSトランジスタの前記第2導電領域に負荷が接続されるとともに、前記第1MOSトランジスタの前記第1バックゲート領域と前記第2導電領域との間に第1寄生ダイオードが構成され、前記第2MOSトランジスタの前記第2バックゲート領域と前記第4導電領域との間に第2寄生ダイオードが構成されることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の半導体集積回路装置。
- 前記第1バックゲート領域と前記第2バックゲート領域がN型拡散層で形成され、前記第1導電領域、前記第2導電領域、前記第3導電領域、及び、前記第4導電領域がP型拡散層で形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005359033A JP4326521B2 (ja) | 2005-12-13 | 2005-12-13 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005359033A JP4326521B2 (ja) | 2005-12-13 | 2005-12-13 | 半導体集積回路装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003050643A Division JP4166103B2 (ja) | 2003-02-27 | 2003-02-27 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006157937A JP2006157937A (ja) | 2006-06-15 |
JP4326521B2 true JP4326521B2 (ja) | 2009-09-09 |
Family
ID=36635565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005359033A Expired - Lifetime JP4326521B2 (ja) | 2005-12-13 | 2005-12-13 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4326521B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007023652B4 (de) * | 2007-05-22 | 2013-08-14 | Austriamicrosystems Ag | Spannungsregler und Verfahren zur Spannungsregelung |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60163113A (ja) * | 1984-02-02 | 1985-08-26 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Mos集積回路用定電圧回路 |
JPH0627369U (ja) * | 1992-09-10 | 1994-04-12 | 株式会社小松製作所 | 車両用電子装置のバックアップ電源回路 |
JPH1039936A (ja) * | 1996-07-25 | 1998-02-13 | Tohoku Ricoh Co Ltd | 多出力電源供給装置 |
JP3426470B2 (ja) * | 1997-06-10 | 2003-07-14 | 松下電器産業株式会社 | 出力段回路 |
JPH1187628A (ja) * | 1997-09-16 | 1999-03-30 | Sharp Corp | 半導体集積回路 |
JP3560512B2 (ja) * | 1999-08-06 | 2004-09-02 | 株式会社リコー | 電源回路とそれに用いる定電圧回路 |
JP2002152968A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-24 | Fujitsu Ltd | 逆流防止回路 |
US6985341B2 (en) * | 2001-04-24 | 2006-01-10 | Vlt, Inc. | Components having actively controlled circuit elements |
JP2002335626A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Nec System Technologies Ltd | 逆電流防止回路 |
-
2005
- 2005-12-13 JP JP2005359033A patent/JP4326521B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006157937A (ja) | 2006-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7626792B2 (en) | Power supply control apparatus including highly-reliable overcurrent detecting circuit | |
JP4597044B2 (ja) | 逆流防止回路 | |
JP5438469B2 (ja) | 負荷駆動装置 | |
JP5352500B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4166103B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
CN112840566A (zh) | 电子电路及传感器系统 | |
JP5266030B2 (ja) | 負荷駆動装置 | |
US7336122B2 (en) | Low power high side current monitor which operates at high voltages and method therefor | |
JP2006115594A (ja) | 誤動作防止回路 | |
JP6177939B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
US20120249227A1 (en) | Voltage level generator circuit | |
JP4326521B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
US20210035491A1 (en) | Circuit device, light source device, and electronic apparatus | |
US7692479B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device including charge pump circuit capable of suppressing noise | |
JP2010124083A (ja) | ブートストラップ回路 | |
TWI421508B (zh) | Power supply voltage reduction detection circuit | |
US7965125B2 (en) | Current drive circuit | |
US11418182B2 (en) | Switch circuitry | |
JP5849585B2 (ja) | 過電流検出回路 | |
US20230046420A1 (en) | Semiconductor device | |
JP3810401B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4415352B2 (ja) | スタートアップ回路及びこれを用いた定電流回路 | |
JP2005150207A (ja) | 電源保護回路 | |
JP2021097497A (ja) | 入力保護回路 | |
JP2004235499A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080304 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080430 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081028 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081222 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090609 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090609 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120619 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4326521 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130619 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |