JP4322209B2 - 高速dramにおける読出しレイテンシを設定及び補償する方法及び装置 - Google Patents

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Description

(発明の分野)
本発明はDRAM回路に関するものであり、特に、高速DRAMから適正な読出しレイテンシ(待ち時間)で適正なデータが出力されることを保証する回路及び方法に関するものである。
(発明の背景)
一般的なDRAMメモリーシステムは、DRAMメモリーデバイスの読出し及び書込み要求を行う外部DRAMコントローラを有する。読出し要求を行う際に、このコントローラは、メモリーデバイス内のデータが所定のレイテンシで、データバス上で利用可能になることを想定し、この所定レイテンシは通常、コントローラが読出し要求を行った後の、所定の外部システムクロックサイクル数であり、例えば8外部クロックサイクルである。内部的には、DRAMメモリーデバイスは自前のクロックシステムを有し、このクロックシステムは外部クロック信号を受信して、この外部クロックから、メモリーデバイスの内部動作用のいくつかの異なる内部クロック信号を発生する。
米国特許US6240042B1 米国特許US5923611A
既知の高速メモリーデバイスの内部クロックシステムは、少なくとも2つのクロックドメインを生成する。第1クロックドメインは、論理回路の大部分で用いるタイミング、及びメモリーアレイのコアを駆動するために用いるタイミングを表わす。第1ドメイン用のタイミングは、バッファを介した外部自走(フリーラン)システムクロックから生成する。第1ドメインにおけるクロック信号の上記外部クロックに対する位相は、クロックレシーバ(受信部)及びクロックツリーの遅延に依存する。第2ドメインも外部クロックシステムから導出し、第2ドメインはバックタイム(時間戻り)読出しクロックのタイミングを表わす。このクロックドメインは遅延ロックループ(DLL:Delay Lock Loop)より生成する。この第2クロックドメインは、データ読出しラッチを動作させるための読出しクロックを生成する。この読出しクロックは、外部システムクロックと所望の位相関係でラッチを読み出すために供給する。第2クロックドメインは、データ出力(Do)経路中の遅延を補償して、出力データラッチを動作させる読出しクロック信号を生成して、外部システムクロックとの特定の位相アライメント(位相合わせ)を達成する。特に、高い周波数の動作では、これら2つのクロックドメインのいずれも、外部システムクロックのタイミングを真に正確に反映せず、メモリーデバイスの動作中に、プロセス、電圧、及び温度(PVT:Process, Voltage, Temperature)の変動により、2つのドメインにおけるクロック信号のタイミングが互いに食い違うことがある。このことは、読出しデータを出力ラッチに伝送する役割をする一方のクロックドメインが、このデータを出力ラッチに伝送する時点が、このデータをラッチするためのバックタイム読出しクロックがラッチに存在する時点とは異なり得る、という問題を生じさせ得る。
指定の読出しレイテンシに適合するために、メモリーデバイスは、読出し(READ)コマンドの受信に続くクロック信号をカウントして、出力ラッチを活性化させて、出力データをバックタイム読出しクロックによって、指定の読出しレイテンシを生成するために必要な正確な時点でラッチする、ということが可能でなければならない。このことは、第1及び第2クロックドメインが互いに食い違ったままである際には困難である。
読出しクロックのバックタイミングの量が、データ・アベイラビリティ(利用可能性、可用性)に対して不定になるので、読出しクロックを制御して、適正なデータ出力及び外部クロックサイクル単位で測定した指定の読出しレイテンシを保証することは非常に困難である。
(発明の概要)
本発明は、データフローに対する読出しクロックのバックタイミング(時間戻り)量の不確定性及び変動を補償して、適正なデータ出力を、外部クロックサイクル単位で測定した指定の読出しレイテンシで得る方法及び装置を提供する。
本発明では、スタート信号を外部システムクロックドメインから内部システムクロックドメインに転送して、これにより前記スタート信号が読出しクロックと固定のタイミング関係を有する。前記スタート信号は、読出しクロックタイミングのあらゆる変化に追従して、メモリーアレイからの読出しデータと読出しクロックとが、メモリーデバイスの出力において適正に同期することを保証するために用いる。
前記スタート信号は、読出しコマンドの受信時にコマンドデコーダ(復号化器)によって発生し、遅延ロックループ(DLL)遅延線のスレーブ線である遅延線を通して伝送され、このDLL遅延線は、読出しクロックをバックタイム(時間戻り)させるために用いられる。前記スタート信号は、スレーブの遅延線を通過した後に、読出しクロックと同じ位相及びバックタイミングを有する。
カウンタには、モードレジスタ及びオフセットレジスタによって提供される値をプリロード(事前設定)する。この値は、読出しクロック信号のDLL、クロックツリー、出力ラッチ、及び出力ドライバを通した供給における遅延を、所望の読出しレイテンシから差し引いた値を表わす。前記カウンタは、前記スタート信号の受信に続く読出しクロックを用いて、指定値までカウントする。前記カウンタにプリロードする実際のカウント値をさらに1カウント以上オフセットさせて、復号化(デコード)あるいはメモリーデバイス内の他の種々の遅延を許容することができる。前記カウンタが指定値に達すると、前記カウンタは、読出しデータ及び読出しクロックを受信する出力回路に読出しデータを同期的にラッチさせて、この読出しデータを指定の読出しレイテンシで出力させる。
これにより、読出しクロック出力のバックタイミングが変動して、クロックサイクルの境界と食い違っても、前記スタート信号がこのバックタイミングと共に移動して、データの挙動と読出しクロックとの同期を保つ。
本発明の以上及び他の特徴、及び利点は、以下の本発明の好適な実施例の図面を参照した詳細な説明より一層明らかになる。
(実施例の詳細な説明)
本発明は、バックタイム(時間戻り)させた読出しクロックに適正に時間合わせしたデータを出力ラッチに伝送することによって、DRAMにおける読出しクロックのバックタイミング量の不確定性及び変動を補償して、適正なデータが指定の読出しレイテンシでデータバスに伝送されることを保証する。
図1に、本発明の第1実施例の動作部分を、メモリーデバイス100の一部分として示す。外部メモリーコントローラ160は、外部システムクロックXWCLKを外部クロック線116上で、コマンド及びアドレス信号をコマンド/アドレスバス112で、メモリーデバイス100に供給する。コントローラ160とメモリーデバイス100との間のメモリーアレイデータはマルチデータバス上で交換され、図1では、このマルチデータバスを1本のデータライン(線)108で表わす。本発明は特に、メモリーデバイス100内で発生する読出し動作のタイミングに指向したものであるので、データライン108は、選択した読出しデータを、メモリーアレイ170からパイプ(データパイプライン)104を通して読出しラッチ124、ラインドライバ126、ライン108、及びメモリーコントローラ160に伝送するものとして示してある。データパイプ104は、並列伝送されるアレイデータを、DQパス(経路)108への伝送用のシリアルデータに変換するためのシリアライザ(直列化器)を含む。
メモリーデバイス100はさらに、外部システムクロックXWCLK用のバッファであるクロックバッファ117、コマンド兼アドレスバス112上に現われるコマンド及びアドレス信号用のバッファであるコマンド/アドレスバッファ119、及びメモリーコントローラ160からの入力コマンドを復号化(デコード)するためのコマンド(CMD)デコーダ121を具えている。デコーダ121によって復号化した読出しコマンドを利用して、メモリーアレイ170上の読出し動作を開始して、メモリーデバイス100の制御論理回路による読出し動作を開始して、この制御論理回路は図1では読出し論理回路123として表わし、論理回路123はメモリーアレイ170を操作して、コントローラ160によって指定されてアドレスデコーダ125によって復号化された1つ以上のメモリーアドレスからのデータを読み出す。読出し論理回路123は、バッファを介した外部システムクロック信号XWCLKによって駆動される。
バッファを介した外部クロックは、コマンド(CMD)デコーダ121及びアドレスデコーダ125にも供給して、メモリーコントローラ160からのコマンド及びアドレスデータを適切に読み込む。バッファを介した外部クロックは遅延クロックループ120にも供給して、遅延クロックループ120はクロックツリー127との組み合わせでメモリーデバイス100用の追加的な内部クロック信号を発生して、これらの内部クロック信号の1つはライン129上の読出しクロック信号である。上述したように、遅延クロックループ120及びクロックツリー127によって生成される読出しクロックは、出力経路中の遅延によってバックタイム(時間戻り)される。読出しクロック信号の特定エッジを選定して、出力読出しラッチ124を駆動して、アレイ170から読み出す特定データ用に指定された読出しレイテンシを達成する。
PVTあるいは他のタイミング変動にもかかわらず、読出しデータと読出しクロック信号とが適正な時間関係で読出しラッチ124に到着することを保証するために、読出しスタート(開始)信号を採用する。読出しスタート信号は、コマンドデコーダ121が読出しコマンドを復号化した際にライン118上に発行する。読出しスタート信号はスレーブ遅延回路132に供給され、スレーブ遅延回路は遅延ロックループ120のタイミングに支配される。スレーブ遅延回路132の出力はクロックツリーモデル133に供給され、クロックツリーモデル133は、クロックツリー127からの読出しクロックにもたらされる遅延を複製すべく調整することができる。従って、DLL120によって生成され、ライン129上の読出しクロック信号にもたらされるあらゆるタイミング変動が、読出しスタート信号174にももたらされる。結果として、読出しスタート信号には、ライン129上の読出しクロック信号にもたらされるのと同じPVTあるいは他のタイミング変動がもたらされて、読出しスタート信号は、出力パスの遅延については、ライン129上の読出しクロック信号と同量だけバックタイムされる。読出しスタート信号は、遅延したスタート信号としてクロックツリーモデル133からライン174上に出力される。
ライン174上の遅延したスタート信号はダウン(減少)カウンタ148に供給されて、ダウンカウンタ148には、モードレジスタ144からの読出しデータの指定のレイテンシがロードされる。この指定のレイテンシはクロックサイクル数の形で表わされ、製造時にメモリーデバイス100内に固定するか、あるいは、初期化時にメモリーコントローラ160によるデコーダ121におけるコマンドの復号化によってモードレジスタ144内にプログラムした値とすることができる。これに加えて、他のメモリーデバイス100の動作における遅延を考慮するために追加的なオフセットが必要な場合には、これらのオフセットを、モードレジスタ144からカウンタ148にロードしたレイテンシ値から減算する。これらのオフセットは、独立したオフセット回路145から発生するか、あるいは、モードレジスタ144に記憶されている元のレイテンシデータ内に含めることができる。
このようにして、ライン174上の遅延したスタート信号の出現に続いて発生しなければならない読出しクロック数をダウンカウンタ148にロードして、メモリーデバイス100に対して指定された読出しレイテンシを達成する。ライン174上のスタート信号は、ダウンカウンタ148がライン129上のクロック信号を用いて、カウンタ148の初期値からカウントダウン(減少カウント)することを可能にする。一旦、カウンタ148が所定カウント値、例えば0に達すると、カウンタ148はデータパイプ104をイネーブル(有効)状態にして、アレイ170からのデータが、ライン129上の読出しクロックに対して適正なタイミングで読出しラッチ124に到達するようにして、指定の読出しレイテンシを保証する。
例示した本発明は、読出しクロックに現われるPVTあるいは他のタイミング変動のおかんにかかわらず、これらのPVTあるいは他の変動はライン174上の遅延したスタート信号にも現われて、これにより、出力ラッチ124に伝送されるデータと読出しクロック信号とが互いに適正に同期して、指定の読出しレイテンシを満足することが保証される。
前記のように、図1は、オフセット回路145からダウンカウンタ148に供給されるオフセットを示す。このオフセットは、特定の読出しデータ用の読出しクロック信号に現われる固有の遅延を考慮したものである。従って、読出しラッチ124では、コマンド(CMD)デコーダ121による読出しコマンドの受信に続く、読出しクロック信号の生成における固有の遅延が存在する。この遅延は、遅延ロックループ120、クロックツリー127、及び読出しクロック信号経路中の他の回路遅延によって生成されたものである。従って、例えば、読出しコマンドの受信に続く、アドレス指定されたデータ用の読出しクロック信号が読出しラッチ124に出現するために、外部システムクロック5サイクル分を要する。これらの遅延は、整数の外部クロックサイクル数で測定すれば、例えば外部クロック5サイクル分であり、オフセット回路145によってダウンカウンタ148に供給されて、モードレジスタ144によって供給される読出しレイテンシの絶対値から減算される。従って、モードレジスタ144には、コントローラ160が想定した読出しレイテンシの絶対値、例えば外部クロックXWCLK8サイクル分が初期に設定されるが、オフセット回路145は、この値から例えば5クロック分のオフセットの減算を行って、この減算は、読み出すべき特定データ用の読出しクロック信号の発生における固有の遅延にもとづくものである。ダウンカウンタ回路148は、8クロックサイクルの読出しレイテンシの絶対値に対する正味の結果、例えば3クロックサイクル、及び5クロックサイクルの読出しクロック信号遅延を記憶する。
ダウンカウンタ148が、スタート信号の出現に続いて3サイクルの読出しクロック信号をカウントする際には(従って、読出しコマンドに続いて合計8サイクルの読出しクロックサイクルが経過する)、8番目の読出しクロックサイクルが出力パッド上にデータをラッチして、外部システムクロック8サイクル分に相当する合計8サイクルの読出しクロックサイクルが発生する。カウンタ148はデータパイプ104の始動を可能にして、データパイプ104は、読出しデータのバースト期間中は動作状態を保つ。
オフセット回路145が供給するオフセット値は、図2に示すシステムによるシステムの初期化において容易に定めることができる。図2は図1と同様であるが、追加的に、タイマー128、I/O経路(パス)モデル回路158、及び入力パルスをDLL120に選択的に供給するためのスイッチ146を示す。初期化期間中には、DLL120がロックした後に、タイマー128はDLLロック信号を受信して、パルス信号をスイッチ146経由でDLL120を通して送信し、そしてライン116上の外部クロック信号XWCLKのカウントを開始する。タイマー128は、I/O経路モデル回路158からの入力を受信すると、外部クロック信号のカウントを停止して、前記入力は、供給されたパルス信号がライン129上に出現した際に発生する。I/O経路モデル回路158は、到着した読出しクロック信号のタイミングを、想定したPVT変動を考慮に入れるべく調整して、調整した読出しクロック信号をタイマー128に供給して、この読出しクロック信号はタイマー128に外部クロック信号のカウントを停止させる。タイマー128に保持されるカウント値は、外部クロック信号におけるオフセットであり、一旦読出しコマンドが発行されてから読出しクロック信号が発生するまでの遅延を表わす。このオフセット値はオフセット回路145に記憶されて、コントローラ160によってモードレジスタ144に設定された読出しレイテンシの絶対値をオフセットさせる(オフセットを与える)ために用いる。
以上から明らかなように、図1、2の実施例によって表わされる本発明は、PVTあるいは読出しクロック信号にもたらされる他のタイミング変動が存在しても、アレイ170からの読出しデータが指定の読出しレイテンシでラッチ124に出現するのと同時に、読出しデータ用の適正な読出しクロックがラッチ124に存在することを保証する。読出しスタート信号はスレーブ遅延回路を通過して、このスレーブ遅延回路は、読出しクロックの生成において固有のものと同じ遅延及びタイミング調整を読出しスタート信号に加えて、読出しスタート信号を用いて、アレイから出て出力経路を通過するデータを、読出しクロックの到着時刻と同期させるために用いる。
ダウンカウンタ148が値0までカウントダウンして、データパイプ104を起動する例についてシステムを説明してきたが、例えばデータパイプ104の起動、あるいは読出しコマンドの復号化においても固有の遅延が存在し得る。従って、こうした状況では、ダウンカウンタ148は、データパイプ104を満たす前に、値0までずっとカウントダウンする必要はないが、その代わりに、こうした遅延を考慮に入れた値までカウントダウンすることがある。例えば、外部クロック8サイクル分の好適読出しレイテンシの絶対値を、5クロックサイクルのオフセットと共に用いて、読出しクロックを発生する場合には、前記ダウンカウンタは、遅延したスタート信号によってイネーブル(有効)状態にされると、読出しコマンドの復号化あるいは出力パイプ104の始動において外部クロック1サイクル分の遅延が存在するならば、3から恐らくは1のカウント値までのカウントを開始する。
あるいはまた、オフセット回路145が出力経路の遅延を考慮に入れて、データ経路の遅延を考慮に入れたオフセット値を供給することができる。
カウンタ148がどの値までカウントダウンしても、この値に達すると、カウンタ148、あるいはカウンタ148に関連する追加的な回路は、読出しデータのバースト期間だけデータ経路を開放(オープン)状態に保持し、その後にカウンタ148は、次の読み出し動作のために、モードレジスタ144及びオフセット回路145からの新たなカウント値にリセットされる。
図3に、図1の実施例の変形例を示し、この変形例では、ダウンカウンタ148はデータパイプ104を起動させる代わりに、イネーブル信号ENを読出しラッチ124に供給して、アレイからのデータ出力をライン129上の読出しクロックに同期させる。それ以外は、図3の実施例は図1の実施例と全く同様である。図3の変形例では、カウンタ148が、カウンタ148にプリロード(事前設定)された値から値0まで、あるいは考慮に入れるべき追加的な遅延が存在すれば他の値までカウントダウンする際に、前記イネーブル信号が供給される。このイネーブル信号は、ダウンカウンタ148、あるいはこれに関連する他の論理回路によっても、データ出力バーストに必要な読出しクロック数分だけ維持される。その後に、カウンタ148は次の読出し動作のために再び値をロードされてリセットされる。図3の実施例は図1の実施例と同様に、出力経路における読出しデータと読出しクロックとの同期を行う。
図4に、図1〜3に開示した本発明の実施例によるDRAMメモリーデバイス100を利用した好適な処理システム500を示す。図4は、パーソナルコンピュータまたはワークステーションの好適なアーキテクチャを示す。処理システム500は、ローカルバス504に結合した1つ以上のプロセッサ501を具えている。メモリーコントローラ160及び主バスブリッジ503もローカルバス504に結合されている。処理システム500は、複数のメモリーコントローラ160及び/または複数の主バスブリッジ503を具えることができる。メモリーコントローラ160及び主バスブリッジ503は単一デバイス506として統合することができる。
メモリーコントローラ160は、1つ以上のメモリーバス507にも結合されている。各メモリーバス507は、少なくとも1つのメモリーデバイス100を含むメモリー・コンポーネント(構成要素)508を受け入れる。メモリー・コンポーネント508はメモリーカードあるいはメモリーモジュールとすることができる。メモリーモジュールの例は、シングル・インライン・メモリーモジュール(SIMM:Single Inline Memory Module)及びデュアル・インライン・メモルーモジュール(DIMM:Dual Inline Memory Module)を含む。メモリー・コンポーネント508は、1つ以上の追加的なデバイス909を含むことができる。例えば、SIMMまたはDIMMでは、追加的なデバイス509を、シリアル・プレゼンス・ディテクト(SPD:Serial Presence Detect:逐次存在検出)メモリーのような構成メモリーとすることができる。メモリーコントローラ160は、キャッシュメモリー505にも結合することができる。キャッシュメモリー505は、処理システム500内の唯一のキャッシュメモリーとすることができる。あるいはまた、他のデバイス、例えばプロセッサ501もキャッシュメモリーを含むことができ、これらのキャッシュメモリーはキャッシュメモリー505とキャッシュ階層構造をなすことができる。処理システム500が周辺装置またはコントローラを含み、これらがバスマスターであるか、あるいはこれらがダイレクト・メモリーアクセス(DMA:Direct Memory Access)をサポート(支援)する場合には、メモリーコントローラ160がキャッシュ・コヒーレンシ・プロトコルを実現することができる。メモリーコントローラ160を複数のメモリーバス507に結合した場合には、各メモリーバス507を並列的に動作させるか、あるいは異なるアドレス範囲を異なるメモリーバスにマッピング(対応付け)することができる。
主バスブリッジ503は、少なくとも1つの周辺バス510に結合する。種々の装置、例えば周辺装置あるいは追加的なバスブリッジを、周辺バス510に結合することができる。これらの装置は、記憶装置コントローラ511、種々のI/O装置514、二次バスブリッジ515,マルチメディア・プロセッサ518、及び旧型装置のインタフェース520を含むことができる。主バスブリッジ503は、一つ以上の特定目的の高速ポート522にも結合することができる。パーソナルコンピュータでは、特定目的ポート522は例えば、高性能ビデオカードを処理システム500に結合するために用いるアクセレレーティッド・グラフィックスポート(AGP:Accelerated Graphics Port:グラフィックスボード用入出力インタフェース)とすることができる。
記憶装置コントローラ511は、1つ以上の記憶装置513を、記憶バス512経由で周辺バス510に結合する。例えば、記憶装置コントローラ511をSCSIコントローラとして、記憶装置513をSCSI装置とすることができる。I/O装置514はあらゆる種類の周辺装置とすることができる。I/O装置514は例えば、イーサネット(登録商標)カードのようなローカルエリア・ネットワーク・インタフェースとすることができる。二次バスブリッジ515は、追加的な装置を他のバス経由で処理システム500にインタフェースさせるために用いることができる。例えば、二次バスブリッジ515は、USB装置517を処理システム500に結合するために用いるユニバーサル・シリアルバス(USB:Universal Serial Bus)コントローラとすることができる。マルチメディア・プロセッサ518は、サウンドカード、ビデオキャプチャ・カード、あるいは他の種類のメディア・インタフェースとすることができ、これらはスピーカ519のような追加的な装置にも結合することができる。旧型装置インタフェース520は、例えば旧式のキーボードあるいはマウスのような旧型装置を処理システム500に結合するために用いる。
図4に示す処理システム500は、本発明を利用可能な好適な処理システムに過ぎない。図4は、パーソナルコンピュータまたはワークステーションのような汎用コンピュータに特に適した処理アーキテクチャを示すが、処理システム500に周知の変更を行って、種々の用途により適したものとすることができることは明らかである。例えば、処理を必要とする多くの電子装置を、メモリー・コンポーネント508及び/またはメモリーバッファ装置504に結合したCPU501に依存する、より簡単なアーキテクチャを用いて実現することができる。これらの電子装置は、オーディオ/ビデオのプロセッサ及びデコーダ、ゲーム操作器、ディジタルテレビジョン、有線または無線電話機、ナビゲーション装置(全地球測位システム(GPS:Global Positioning System)及び/または内部ナビゲーション(自立航法)にもとづくシステムを含む)を含むことができるが、これらに限定されない。上記変更は、例えば、不要な構成要素の除去、特化した装置または回路の追加、及び/または複数のデバイスの統合を含むことができる。
本発明は、特に好適な実施例について説明及び図示してきたが、本発明の範囲を逸脱することなしに、多くの変更及び代替が可能であることは明らかである。従って、本発明は以上の説明に限定されるものではなく、特許請求の範囲のみによって限定される。
本発明を採用したメモリーデバイスの第1実施例のブロック図である。 初期化中に用いる追加的な回路を示す、本発明の第1実施例のブロック図である。 本発明の第2実施例における、図1の修正部分を示すブロック図である。 プロセッサシステム内に実現した図1及び図2のメモリーデバイスを示すブロック図である。

Claims (51)

  1. メモリーデバイスを動作させる方法において、
    第1遅延ロックループを含む第1信号処理経路を用いて外部クロック信号から内部的な読出しクロック信号を発生するステップであって、前記第1信号処理経路が、前記第1遅延ロックループによって前記発生した読出しクロック信号にタイミング変動を生じさせるステップと;
    受信した読出しコマンドに応答して、読出しスタート信号を発生するステップと;
    前記読出しスタート信号を第2信号処理経路に通すステップであって、前記第2信号経路は、前記第1信号処理経路のスレーブ経路とすることができ、前記第1遅延ロックループのスレーブ回路である遅延回路を含み、前記第1信号処理経路によって生じる前記発生した読出しクロック信号のタイミング変動を複製して前記読出しスタート信号に与えて、遅延したスタート信号を発生するステップと;
    前記遅延したスタート信号を用いて、前記読出しクロック信号の読出しクロックサイクルを初期値から所定値までカウントすることを可能にし、前記読出しクロックサイクルのカウント数が前記所定値に達すると、前記メモリーデバイスのメモリーアレイからの読出しデータを、データパイプを通して前記読出しラッチに伝送することによって、読出しラッチにおける読出しデータの出力を、所定の読出しレイテンシを伴って、前記読出しクロック信号に同期させるステップとを具え、
    前記所定の読出しレイテンシは、前記メモリーコントローラによる前記読出しコマンドの発行に続く前記外部クロック信号の所定クロックサイクル数分の時間であり、
    前記タイミング変動が、製造プロセス、電圧、及び温度の少なくとも1つを誘因とするタイミング変動であることを特徴とするメモリーデバイスの動作方法。
  2. さらに、
    前記読出しクロックサイクルのカウント数が前記所定値に達すると、前記読出しラッチをイネーブル状態にするステップと
    を具えていることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. さらに、
    カウンタに初期値を設定するステップと;
    前記遅延したスタート信号によって前記カウンタをイネーブル状態にして、前記読出しクロックサイクルを前記初期値から前記所定値までカウントするステップと
    を具えていることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
  4. 前記初期値を、前記所定の読出しレイテンシを表わす第1データ、及び前記メモリーコントローラによる前記読出しコマンドの発行から前記読出しクロック信号が前記第1信号処理経路を出るまでに要する時間を表わす第2データから決定し、前記所定値を、前記読出しコマンドを復号化して前記遅延回路を起動するのに必要な前記読出しクロックサイクルの数から決定することを特徴とする請求項3に記載の方法。
  5. 前記第1及び第2データを、前記メモリーデバイスに記憶することを特徴とする請求項4に記載の方法。
  6. 前記第1データを、前記メモリーデバイスのモードレジスタに記憶することを特徴とする請求項5に記載の方法。
  7. 前記第2データを、前記メモリーデバイスのオフセット回路に記憶することを特徴とする請求項6に記載の方法。
  8. 前記第1データを、前記メモリーコントローラによって前記モードレジスタに供給することを特徴とする請求項6に記載の方法。
  9. さらに、
    前記読出しコマンドが発行された後に、前記読出しクロック信号が前記第1信号処理経路によって発生されるのに要する時間を測定するステップと;
    前記測定した時間を、前記外部クロック信号のクロックサイクル数として前記オフセット回路に記憶するステップと
    を具えていることを特徴とする請求項7に記載の方法。
  10. メモリーデバイスを動作させる方法において、
    外部クロック信号を第1遅延ロックループへの入力として用いて、読出しクロック信号を発生するステップと;
    読出しコマンドの受信に応答して発生した読出しスタート信号を、前記第1遅延ロックループのスレーブ回路である遅延回路に通して、遅延したスタート信号を発生するステップと;
    前記遅延したスタート信号を用いて、前記読出しクロック信号の読出しクロックサイクルを初期値から所定カウント値までカウントするカウンタをイネーブル状態にし、前記読出しクロックサイクルのカウント数が前記所定カウント値に達すると、前記メモリーデバイスのメモリーアレイのデータを出力ラッチに供給するデータ回路をイネーブル状態にすることによって、前記メモリーデバイスのメモリーアレイからの読出しデータの出力を前記読出しクロック信号に同期させるステップと;
    前記出力ラッチに供給されたデータを、前記読み出しクロック信号によってラッチするステップとを具え、
    前記所定カウント値は、前記読出しコマンドを復号化して前記遅延回路を起動するのに必要な読出しクロックサイクルの数から決定されることを特徴とするメモリーデバイスの動作方法。
  11. 前記読出しデータの出力を前記読出しクロック信号に同期させるステップが、
    前記読出しクロックサイクルのカウント数が前記所定カウント値に達すると、前記出力ラッチをイネーブル状態にすることを含むことを特徴とする請求項10に記載の方法。
  12. 前記カウントを、前記出力ラッチが前記読出しデータを所定の読出しレイテンシ後に出力バスに出力するように行うことを特徴とする請求項10または11に記載の方法。
  13. 前記所定カウント値までのカウントを、少なくとも部分的に前記所定の読出しレイテンシによって決まるプリセット値から開始することを特徴とする請求項12に記載の方法。
  14. 前記プリセット値が前記所定の読出しレイテンシにもとづくものであり、前記所定の読出しレイテンシは、少なくとも、前記読出しコマンドに続いて前記読出しクロック信号が前記第1遅延ロックループを含む信号処理経路によって発生されるのに要する時間分のオフセット値であることを特徴とする請求項13に記載の方法。
  15. 前記所定の読出しレイテンシに、前記メモリーデバイスの動作に固有の追加的な遅延分のオフセット値がさらに加わることを特徴とする請求項14に記載の方法。
  16. 前記追加的な遅延が、少なくとも部分的に、前記読出しコマンドの復号化によって生じることを特徴とする請求項15に記載の方法。
  17. 前記追加的な遅延が、少なくとも部分的に、データ経路の起動によって生じることを特徴とする請求項15に記載の方法。
  18. 前記遅延ロックループ及び前記遅延回路に、同じ誘因の信号タイミング変動がもたらされることを特徴とする請求項10に記載の方法。
  19. 前記信号タイミング変動の誘因が、製造プロセスの変動、電圧変動、及び温度変動の少なくとも1つであることを特徴とする請求項18に記載の方法。
  20. 外部クロック信号から内部的な読出しクロック信号を発生する第1信号処理経路であって、第1遅延ロックループを含み、前記読出しクロック信号にタイミング変動を生じさせる第1信号処理経路と;
    受信した読出しコマンドから、遅延したスタート信号を発生する第2信号処理経路であって、前記第1遅延ロックループのスレーブ回路である遅延回路を含み、前記遅延したスタート信号に前記タイミング変動と同じタイミング変動を与える第2信号処理経路と;
    前記読出しクロック信号に同期した読出しデータを出力するデータフロー制御回路とを具えたメモリーデバイスであって、
    前記データフロー制御回路が、
    読出しラッチと、
    前記メモリーデバイスのメモリーアレイからの読出しデータを前記読出しラッチに供給する供給回路と;
    前記読出しラッチを通る読出しデータの出力を、前記遅延したスタート信号の発生から前記読出しクロック信号の所定サイクル数分の時間後に、前記読出しクロック信号に同期させるイネーブル回路とを具え、前記時間は、前記読出しデータを所定の読出しレイテンシ後に前記メモリーデバイスの出力パッドに供給するのに要する時間に相当し、
    前記イネーブル回路が、前記読出しクロック信号の前記所定サイクル数をカウントするカウンタを具え、前記カウンタが前記遅延したスタート信号によってカウントを開始し
    前記タイミング変動が、製造プロセス、電圧、及び温度の少なくとも1つを誘因とするタイミング変動であることを特徴とするメモリーデバイス。
  21. 前記読出しクロック信号の前記所定サイクル数がカウントされると、前記読出しラッチがイネーブル状態にされることを特徴とする請求項20に記載のメモリーデバイス。
  22. さらに、前記カウンタに特定カウント値をプリロードするプリロード回路を具えて、前記カウンタが、前記読出しクロック信号の前記所定サイクル数を、前記特定カウント値からカウントすることを特徴とする請求項20または21に記載のメモリーデバイス。
  23. 前記特定カウント値が、前記メモリーデバイス用の指定の読出しレイテンシを生成するために必要な前記読出しクロック信号のサイクル数に関連することを特徴とする請求項22に記載のメモリーデバイス。
  24. 前記特定カウント値が、メモリーコントローラが前記読出しコマンドを発行してから前記読出しクロック信号が前記第1信号処理経路を出るまでに要する時間分のオフセット値である前記指定の読出しレイテンシにもとづくものであることを特徴とする請求項23に記載のメモリーデバイス。
  25. 前記特定カウント値が、前記オフセット値に前記メモリーデバイス内の追加的な遅延分をさらに加えたオフセット値である前記指定の読出しレイテンシにもとづくものであることを特徴とする請求項24に記載のメモリーデバイス。
  26. 前記追加的な遅延が、少なくとも部分的に、前記読出しコマンドの復号化によって生じることを特徴とする請求項25に記載のメモリーデバイス。
  27. 前記追加的な遅延が、少なくとも部分的に、読出しデータを前記出力ラッチに供給する回路の起動時間によって生じることを特徴とする請求項25に記載のメモリーデバイス。
  28. 前記プリロード回路が、前記指定の読出しレイテンシに関連する第1カウント値を前記カウンタに供給するモードレジスタを具えていることを特徴とする請求項23に記載のメモリーデバイス。
  29. 前記第1カウント値が前記指定の読出しレイテンシであり、前記プリロード回路がさらに、前記読出しコマンドが発行されてから前記読出しクロック信号が前記第1信号処理経路を出るまでに要する時間に関連する第2カウント値を前記カウンタに供給するオフセット回路を具え、前記カウンタに、前記第1カウント値と前記第2カウント値との差をプリロードすることを特徴とする請求項28に記載のメモリーデバイス。
  30. 前記カウンタに前記差を、読出しデータが前記供給回路及び前記読出しラッチを通過して前記メモリーデバイスの出力パッドに至るのに要する時間に関連するカウント値分のさらなるオフセット値としてプリロードすることを特徴とする請求項29に記載のメモリーデバイス。
  31. 外部クロック信号から読出しクロック信号を発生する遅延ロックループと;
    前記遅延ロックループのスレーブ回路であり、読出しコマンドの受信に応答して発生したスタート信号から、遅延したスタート信号を発生する遅延回路と;
    読出しデータラッチと;
    メモリーアレイからのデータを前記読出しラッチに伝送するデータ伝送回路と;
    前記遅延したスタート信号に応答して、前記読出しクロック信号の所定サイクル数をカウントした後に、前記データ伝送回路からのデータを前記読出しクロック信号によって読出し可能にするイネーブル回路と
    を具えていることを特徴とするメモリーデバイス。
  32. 前記データ伝送回路がデータパイプライン回路であることを特徴とする請求項31に記載のメモリーデバイス。
  33. 前記データパイプライン回路が並列−直列変換器を含むことを特徴とする請求項32に記載のメモリーデバイス。
  34. 前記イネーブル回路が、前記読出しラッチにおける読出しデータの読み出しを、前記読出しクロック信号のタイミングと同期させることを特徴とする請求項31に記載のメモリーデバイス。
  35. 前記イネーブル回路及び前記読出しクロック信号が、前記メモリーデバイスの出力において、指定の読出しレイテンシでデータを供給することを特徴とする請求項34に記載のメモリーデバイス。
  36. 前記イネーブル回路が、第1の値をプリロードされたカウンタを具え、前記カウンタが、前記読出しクロック信号のサイクル数を前記第1の値から第2の値までカウントして、前記第2の値に達すると、前記読出しクロック信号による前記読出しデータの読み出しを可能にすることを特徴とする請求項31に記載のメモリーデバイス。
  37. 前記カウンタがダウンカウンタであることを特徴とする請求項36に記載のメモリーデバイス。
  38. プロセッサと;
    前記プロセッサとデータを交換するメモリーデバイスとを具えたプロセッサシステムにおいて、前記メモリーデバイスが、
    外部クロック信号から読出しクロック信号を発生する第1信号処理経路であって、遅延ロックループを含み、前記発生した読出しクロック信号にタイミング変動を生じさせる第1信号処理経路と;
    受信した読出しコマンドから、遅延したスタート信号を発生する第2信号処理経路であって、前記第1遅延ロックループのスレーブ回路である遅延回路を含み、前記遅延したスタート信号に前記タイミング変動と同じタイミング変動を与える第2信号処理経路と;
    前記読出しクロック信号に同期した読出しデータを出力するデータフロー制御回路とを具え、
    前記データフロー制御回路が、
    読出しラッチと;
    前記メモリーデバイスのメモリーアレイからの読出しデータを前記読出しラッチに供給する供給回路と;
    前記読出しラッチを通る読出しデータの出力を、前記遅延したスタート信号の発生から前記読出しクロック信号の所定サイクル数分の時間後に、前記読出しクロック信号に同期させるイネーブル回路とを具え、
    前記イネーブル回路は、前記読出しクロック信号の前記所定サイクル数をカウントするカウンタを具え、前記カウンタが前記遅延したスタート信号によってカウントを開始し
    前記読出しクロック信号の所定サイクル数は、読出しデータを前記メモリーデバイスの出力パッドに所定の読出しレイテンシで供給するのに要する時間に相当し、
    前記タイミング変動が、製造プロセス、電圧、及び温度の少なくとも1つを誘因とするタイミング変動であることを特徴とするプロセッサシステム。
  39. 前記読出しクロック信号の前記所定サイクル数がカウントされると、前記読出しラッチがイネーブル状態にされることを特徴とする請求項38に記載のプロセッサシステム。
  40. さらに、前記カウンタに特定カウント値をプリロードするプリロード回路を具え、前記カウンタが、前記読出しクロック信号の前記所定サイクル数を、前記特定カウント値からカウントすることを特徴とする請求項38または39に記載のプロセッサシステム。
  41. 前記特定カウント値が、前記メモリーデバイス用の指定の読出しレイテンシを生成するために必要な前記読出しクロック信号のサイクル数に関連することを特徴とする請求項40に記載のプロセッサシステム。
  42. 前記プリロード回路が、前記指定の読出しレイテンシに関連する第1カウント値を前記カウンタに供給するモードレジスタを具えていることを特徴とする請求項40に記載のプロセッサシステム。
  43. 前記第1カウント値が前記指定の読出しレイテンシであり、前記プリロード回路がさらに、読出しコマンドが発行されてから前記読出しクロック信号が前記第1信号処理経路を出るまでに要する時間を表わすオフセット値を前記カウンタに供給するオフセット回路を具え、前記カウンタに、前記第1カウント値と前記オフセット値との差をプリロードすることを特徴とする請求項42に記載のプロセッサシステム。
  44. 前記カウンタに前記差を、読出しデータが前記供給回路及び前記読出しラッチを通過して前記メモリーデバイスの出力パッドに至るのに要する時間に関連するカウント値分のさらなるオフセット値としてプリロードすることを特徴とする請求項43に記載のプロセッサシステム。
  45. プロセッサと;
    前記プロセッサとデータを交換するメモリーデバイスとを具えたプロセッサシステムにおいて、前記メモリーデバイスが、
    外部クロック信号から読出しクロック信号を発生する遅延ロックループと;
    前記遅延ロックループのスレーブ回路であり、読出しコマンドの受信に応答して発生したスタート信号から、遅延したスタート信号を発生する遅延回路と;
    読出しラッチと;
    メモリーアレイからのデータを前記読出しラッチに伝送するデータ伝送回路と;
    前記遅延したスタート信号に応答して、前記読出しクロック信号の所定サイクル数をカウントした後に、前記データ伝送回路からのデータを前記読出しクロック信号によって読出し可能にするイネーブル回路と
    を具えていることを特徴とするプロセッサシステム。
  46. 前記データ伝送回路がデータパイプライン回路であることを特徴とする請求項45に記載のプロセッサシステム。
  47. 前記データパイプライン回路が並列−直列変換器を含むことを特徴とする請求項46に記載のプロセッサシステム。
  48. 前記イネーブル回路が、前記読出しラッチへの読出しデータの供給を、前記読出しクロック信号のタイミングと同期させることを特徴とする請求項45に記載のプロセッサシステム。
  49. 前記イネーブル回路及び前記読出しクロック信号が、前記メモリーデバイスの出力において、指定の読出しレイテンシでデータを供給することを特徴とする請求項48に記載のプロセッサシステム。
  50. 前記イネーブル回路が第1の値をプリロードされたカウンタを具え、前記カウンタが、前記読出しクロック信号のサイクル数を前記第1の値から第2の値までカウントして、前記第2の値に達すると、前記読出しクロック信号による前記読出しデータの読み出しを可能にすることを特徴とする請求項45に記載のプロセッサシステム。
  51. 前記カウンタがダウンカウンタであることを特徴とする請求項50に記載のプロセッサシステム。
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Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7058799B2 (en) * 2001-06-19 2006-06-06 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for clock domain crossing with integrated decode
US6930949B2 (en) * 2002-08-26 2005-08-16 Micron Technology, Inc. Power savings in active standby mode
US6762974B1 (en) * 2003-03-18 2004-07-13 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for establishing and maintaining desired read latency in high-speed DRAM
US7177224B2 (en) * 2003-05-21 2007-02-13 Micron Technology, Inc. Controlling multiple signal polarity in a semiconductor device
US20050190193A1 (en) * 2004-03-01 2005-09-01 Freker David E. Apparatus and a method to adjust signal timing on a memory interface
DE102004015868A1 (de) 2004-03-31 2005-10-27 Micron Technology, Inc. Rekonstruktion der Signalzeitgebung in integrierten Schaltungen
KR100840441B1 (ko) 2004-03-31 2008-06-20 마이크론 테크놀로지, 인크. 집적 회로들에서의 신호 타이밍의 재구성
WO2005114106A1 (en) * 2004-05-12 2005-12-01 Northrop Grumman Corporation System and method for aligning multiple navignation components
US7065001B2 (en) * 2004-08-04 2006-06-20 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for initialization of read latency tracking circuit in high-speed DRAM
US7660187B2 (en) * 2004-08-04 2010-02-09 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for initialization of read latency tracking circuit in high-speed DRAM
KR100625296B1 (ko) 2004-12-30 2006-09-19 주식회사 하이닉스반도체 고주파수 동작을 위한 동기식 반도체 장치의 레이턴시제어장치 및 그 제어방법
US7272054B2 (en) * 2005-07-08 2007-09-18 Micron Technology, Inc. Time domain bridging circuitry for use in determining output enable timing
US7526704B2 (en) * 2005-08-23 2009-04-28 Micron Technology, Inc. Testing system and method allowing adjustment of signal transmit timing
KR100665232B1 (ko) * 2005-12-26 2007-01-09 삼성전자주식회사 동기식 반도체 메모리 장치
KR100805007B1 (ko) * 2006-03-22 2008-02-20 주식회사 하이닉스반도체 데이터 출력 속도를 증가시키는 파이프 래치 회로와 이를포함하는 반도체 메모리 장치, 및 그 데이터 출력 동작방법
EP2007060B1 (en) * 2006-04-05 2015-01-28 Panasonic Corporation Removable memory device, phase synchronizing method, phase synchronizing program, medium recording the same, and host terminal
TWI305651B (en) * 2006-09-11 2009-01-21 Nanya Technology Corp Latency counter having frequency detector and latency counting method thereof
JP2008108417A (ja) * 2006-10-23 2008-05-08 Hynix Semiconductor Inc 低電力dram及びその駆動方法
US7716510B2 (en) 2006-12-19 2010-05-11 Micron Technology, Inc. Timing synchronization circuit with loop counter
KR100866958B1 (ko) 2007-02-08 2008-11-05 삼성전자주식회사 고속 dram의 정확한 독출 레이턴시를 제어하는 방법 및장치
US7656745B2 (en) * 2007-03-15 2010-02-02 Micron Technology, Inc. Circuit, system and method for controlling read latency
JP5687412B2 (ja) 2009-01-16 2015-03-18 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. 半導体記憶装置及びそのリード待ち時間調整方法、メモリシステム、並びに半導体装置
US7969813B2 (en) * 2009-04-01 2011-06-28 Micron Technology, Inc. Write command and write data timing circuit and methods for timing the same
US8117483B2 (en) * 2009-05-13 2012-02-14 Freescale Semiconductor, Inc. Method to calibrate start values for write leveling in a memory system
KR101027686B1 (ko) * 2009-07-30 2011-04-12 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치
US8984320B2 (en) 2011-03-29 2015-03-17 Micron Technology, Inc. Command paths, apparatuses and methods for providing a command to a data block
US8509011B2 (en) 2011-04-25 2013-08-13 Micron Technology, Inc. Command paths, apparatuses, memories, and methods for providing internal commands to a data path
US8901938B2 (en) * 2012-02-01 2014-12-02 Nanya Technology Corp. Delay line scheme with no exit tree
US8552776B2 (en) 2012-02-01 2013-10-08 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for altering a forward path delay of a signal path
US9166579B2 (en) 2012-06-01 2015-10-20 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for shifting data signals to match command signal delay
US9054675B2 (en) 2012-06-22 2015-06-09 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for adjusting a minimum forward path delay of a signal path
US9047237B2 (en) * 2012-08-03 2015-06-02 Cypress Semiconductor Corporation Power savings apparatus and method for memory device using delay locked loop
US9329623B2 (en) 2012-08-22 2016-05-03 Micron Technology, Inc. Apparatuses, integrated circuits, and methods for synchronizing data signals with a command signal
US8913448B2 (en) 2012-10-25 2014-12-16 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for capturing data in a memory
KR102011135B1 (ko) * 2012-12-11 2019-08-14 삼성전자주식회사 모바일 장치 및 그것의 스왑을 통한 데이터 관리 방법
US9734097B2 (en) 2013-03-15 2017-08-15 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for variable latency memory operations
US9727493B2 (en) 2013-08-14 2017-08-08 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for providing data to a configurable storage area
US9183904B2 (en) 2014-02-07 2015-11-10 Micron Technology, Inc. Apparatuses, memories, and methods for facilitating splitting of internal commands using a shared signal path
US9508417B2 (en) 2014-02-20 2016-11-29 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for controlling timing paths and latency based on a loop delay
US9530473B2 (en) 2014-05-22 2016-12-27 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for timing provision of a command to input circuitry
US9531363B2 (en) 2015-04-28 2016-12-27 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses including command latency control circuit
US9813067B2 (en) 2015-06-10 2017-11-07 Micron Technology, Inc. Clock signal and supply voltage variation tracking
US9865317B2 (en) 2016-04-26 2018-01-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses including command delay adjustment circuit
US9601170B1 (en) 2016-04-26 2017-03-21 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for adjusting a delay of a command signal path
US9997220B2 (en) 2016-08-22 2018-06-12 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for adjusting delay of command signal path
US10224938B2 (en) 2017-07-26 2019-03-05 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for indirectly detecting phase variations
CN110018789B (zh) * 2019-03-26 2022-03-25 记忆科技(深圳)有限公司 动态适配NAND的Tr和Tprom时间的方法、装置及存储介质
CN111028873B (zh) * 2019-12-19 2022-03-01 西安紫光国芯半导体有限公司 一种用于dram物理接口的自适应读通路延迟计算方法及电路
US11171654B1 (en) * 2021-05-13 2021-11-09 Qualcomm Incorporated Delay locked loop with segmented delay circuit

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1147864C (zh) * 1995-08-31 2004-04-28 株式会社东芝 半导体存储装置
US5923611A (en) * 1996-12-20 1999-07-13 Micron Technology, Inc. Memory having a plurality of external clock signal inputs
CN1223439A (zh) * 1997-11-14 1999-07-21 三菱电机株式会社 具有阻止无效数据输出的功能的同步型半导体存储器
JP2000067583A (ja) * 1998-08-25 2000-03-03 Mitsubishi Electric Corp 同期型半導体記憶装置
US6240042B1 (en) * 1999-09-02 2001-05-29 Micron Technology, Inc. Output circuit for a double data rate dynamic random access memory, double data rate dynamic random access memory, method of clocking data out from a double data rate dynamic random access memory and method of providing a data strobe signal
JP3807593B2 (ja) * 2000-07-24 2006-08-09 株式会社ルネサステクノロジ クロック生成回路および制御方法並びに半導体記憶装置
KR100378191B1 (ko) * 2001-01-16 2003-03-29 삼성전자주식회사 고주파 동작을 위한 레이턴시 제어회로 및 제어방법과이를구비하는 동기식 반도체 메모리장치
JP2002298580A (ja) * 2001-03-28 2002-10-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置

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