JP4314932B2 - 薄膜製造装置および薄膜製造方法 - Google Patents
薄膜製造装置および薄膜製造方法 Download PDFInfo
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Description
図10に示すように、成膜室100は、断続的に搬送されてくる可撓性基板200の上面側および下面側に函状の上部成膜室壁体101と下部成膜室壁体102が対向配置されている。下部成膜室には電源103に接続された高電圧電極104が、上部成膜室にはヒータ105を内蔵した接地電極106が設けられている。成膜時には、図11に示すように、上部成膜室壁体101が下部成膜室壁体102側へ下降し、可撓性基板200が接地電極106に押えられて下部成膜室壁体102の開口側の端面に取り付けられたシール材102aに接触する。これにより、下部成膜室壁体102と可撓性基板200によって排気管107に連通する気密に密閉された成膜空間108が形成される。高電圧電極104に高周波電圧が印加されると、成膜空間108にプラズマが発生し、図示しない導入管から導入された原料ガスが分解され、可撓性基板200にa−Si膜などが形成される。
図1は薄膜製造装置の平面図、図2は薄膜製造装置の断面図である。
薄膜製造装置1は、可撓性基板20にa−Siなどの薄膜を形成するための成膜室として、真空容器1a内に複数のプラズマCVD室2を有している。さらに、薄膜製造装置1は、可撓性基板20の送りロール3および巻取りロール4を有しており、可撓性基板20は、送りロール3から送り出されて各プラズマCVD室2を通って所定の成膜処理が施され、巻取りロール4に巻き取られていくようになっている。搬送される可撓性基板20の下面側と上面側には、下部成膜室壁体5と上部成膜室壁体6が対向して設けられている。下部成膜室壁体5の内側に形成される下部成膜室には、電源7に接続された高電圧電極8が配置され、上部成膜室壁体6の内側に形成される上部成膜室には、ヒータ9を内蔵した接地電極10が配置されている。成膜時には、上部成膜室壁体6が下部成膜室壁体5側へ下降し、接地電極10が可撓性基板20を上面側から押え、可撓性基板20は、下部成膜室壁体5の開口側の端面に取り付けられたシール材5aに接触する。これにより、下部成膜室壁体5と可撓性基板20により、排気管11に連通する気密に密閉された成膜空間が形成される。高電圧電極8への高周波電圧の印加により、成膜空間にはプラズマが発生し、図示しない導入管から導入された原料ガスが分解され、可撓性基板20にa−Siなどの薄膜が形成されるようになっている。
第1保持機構部30は、ベース31に固定されたボディ32を有し、このボディ32にはスプール33が内蔵されている。スプール33は、例えばフッ素ゴム製のOリングである第1シール34aおよび第2シール34bによって気密を保持してボディ32内を摺動するようになっている。ここではスプール33の駆動源にはコンプレッサが用いられ、圧力調整弁によって圧力制御されたエアが第1チューブ35aおよび第2チューブ35bからボディ32内に導入され、第1シール34aで気密を保ち、エア圧に応じてスプール33が移動するようになっている。第2シール34bは、ボディ32内部とボディ32外部(図1および図2に示した真空容器1a内)との気密を保持するようになっている。
図9に示す薄膜製造装置60には、送りロール3から巻取りロール4へ巻き取られて搬送される可撓性基板20幅方向の各プラズマCVD室2の外側に、プラズマCVD室2外にはみ出した可撓性基板20の対向位置の端部を挟持する第1保持機構部30aおよび第2保持機構部40aが配置されている。この薄膜製造装置60における第1,第2保持機構部30a,40aは、上記薄膜製造装置1における場合と同様に、可撓性基板20を流体圧力などによって駆動制御されるパッドで挟めるように構成されている。図9に示したように、第1,第2保持機構部30a,40aは、各プラズマCVD室2と同幅または長尺幅の広い領域の端部を挟持できる構成になっている。
1a 真空容器
2 プラズマCVD室
3 送りロール
4 巻取りロール
5 下部成膜室壁体
5a シール材
6 上部成膜室壁体
7 電源
8 高電圧電極
9 ヒータ
10 接地電極
11 排気管
20 可撓性基板
30,30a 第1保持機構部
31 ベース
32,42,52 ボディ
33,43,53 スプール
34a,44a,54a 第1シール
34b,44b,54b 第2シール
35a,45a,55a 第1チューブ
35b,45b,55b 第2チューブ
36a,46a 第1パッド
36b,46b パッド受け
36c,46c 第2パッド
40,40a 第2保持機構部
41 連結ブロック
50,50a 引張機構部
51 プレート
51a 直線ガイド
Claims (7)
- 成膜室に搬送される可撓性基板上に薄膜を形成する薄膜製造装置において、
前記可撓性基板を前記成膜室に搬送する第1のロールと、
送られた前記可撓性基板を巻取る第2のロールと、
前記成膜室の前記可撓性基板搬送方向両側に固定配置されて前記可撓性基板搬送方向に直交する前記可撓性基板幅方向における前記可撓性基板の一端部を挟持する第1保持機構部と、
前記第1保持機構部に対向配置されて前記可撓性基板幅方向における前記可撓性基板の他端部を挟持する第2保持機構部と、
前記第2保持機構部を前記第1保持機構部との距離を広げる方向へ移動させて前記他端部を前記可撓性基板幅方向へ引っ張る引張機構部と、
前記引張機構部により引っ張られた前記可撓性基板を前記成膜室の壁体の開口側の端面に取り付けられたシール材に接触させる押え機構と、
を有することを特徴とする薄膜製造装置。 - 前記第1保持機構部、前記第2保持機構部および前記引張機構部は、前記可撓性基板を挟持するときまたは前記他端部を引っ張るときに、流体圧力によって駆動制御されるようにしたことを特徴とする請求項1記載の薄膜製造装置。
- 前記第1保持機構部および前記第2保持機構部は、前記可撓性基板を挟持する部分が耐熱性ゴムを用いて形成されていることを特徴とする請求項1記載の薄膜製造装置。
- 前記第1保持機構部および前記第2保持機構部は、前記可撓性基板を挟持する部分が金属またはセラミックを用いて形成されていることを特徴とする請求項1記載の薄膜製造装置。
- 前記第1保持機構部および前記第2保持機構部は、前記可撓性基板を挟持する部分に互いに噛み合う凹凸面が形成されて前記凹凸面の間に前記可撓性基板を挟持することを特徴とする請求項1記載の薄膜製造装置。
- 成膜室に搬送される可撓性基板上に薄膜を形成する薄膜製造装置において、
前記可撓性基板を前記成膜室に搬送する第1のロールと、
送られた前記可撓性基板を巻取る第2のロールと、
前記成膜室の前記可撓性基板搬送方向に直交する前記可撓性基板幅方向の外側に固定配置され、前記可撓性基板幅方向における前記可撓性基板の一端部であって前記成膜室と同幅または長尺幅の前記一端部を挟持する第1保持機構部と、
前記成膜室を挟んで前記第1保持機構部に対向配置され、前記可撓性基板幅方向における前記可撓性基板の他端部であって前記成膜室と同幅または長尺幅の前記他端部を挟持する第2保持機構部と、
前記第2保持機構部を前記第1保持機構部との距離を広げる方向へ移動させて前記他端部を前記可撓性基板幅方向へ引っ張る引張機構部と、
前記引張機構部により引っ張られた前記可撓性基板を前記成膜室の壁体の開口側の端面に取り付けられたシール材に接触させる押え機構と、
を有することを特徴とする薄膜製造装置。 - 成膜室に搬送される可撓性基板上に薄膜を形成する薄膜製造方法において、
前記可撓性基板を前記成膜室に第1のロールで搬送し、
送られた前記可撓性基板を第2のロールで巻取り、
前記可撓性基板搬送方向に直交する前記可撓性基板幅方向における前記可撓性基板の一端部および他端部を挟持し、
前記他端部を前記可撓性基板幅方向へ引っ張り、
引っ張られた前記可撓性基板を前記成膜室の壁体の開口側の端面に取り付けられたシール材に接触させ、
前記可撓性基板上に前記薄膜を形成することを特徴とする薄膜製造方法。
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