JP4310308B2 - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
ステップ・モード:マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体が目標部分Cに1回で投影される(即ち単一静止露光)。次に、基板テーブルWTがX及び/又はY方向にシフトされ、異なる目標部分Cが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Cのサイズが制限される。
走査モード:放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが同期走査される(即ち単一動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの倍率(縮小率)及び画像反転特性によって決まる。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光における目標部分の幅(非走査方向の幅)が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ(走査方向の高さ)が決まる。
その他のモード:プログラム可能パターン化デバイスを保持するべくマスク・テーブルMTが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動若しくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルWTが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化デバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化デバイスを利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
B 放射ビーム
BD ビーム引渡しシステム
C 基板の目標部分
CO コンデンサ
IF 位置センサ
IL 照明システム(イルミネータ)
IN インテグレータ
MA パターン化デバイス(マスク)
MT 支持構造(マスク・テーブル)
M1、M2 マスク・アライメント・マーク
PM 第1のポジショナ
PS 投影システム
PW 第2のポジショナ
P1、P2 基板アライメント・マーク
SO 放射源
W 基板
WT 基板テーブル
10 プレディクタ
13 フィルタ
14、16 低域通過フィルタ
30 レーザ
31 x方向
32 ステージ
33 y方向
34 ミラー
36a、36b 偏光ビームスプリッタ
37 基準ミラー
38 4分の1波長板
39 逆反射体
40、42、44、46 測定軸
50、52 オプティカル・フィードバックを示すビーム
60a、60b 干渉計
Claims (12)
- 放射ビームを条件付けるようになされた照明システムと、
パターン化された放射ビームを形成するべく前記放射ビームの断面にパターンを付与することができるパターン化デバイスを支持するように構築された支持構造と、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
前記パターン化された放射ビームを前記基板の目標部分に投射するようになされた投影システムと、
前記基板テーブルの位置を測定するようになされた干渉計システムと、
前記干渉計システムの位置測定に基づいて前記支持構造及び前記基板テーブルの位置を制御するようになされた位置制御システムとを備えたリソグラフィ装置であって、
前記位置制御システムが、前記干渉計システムのオプティカル・フィードバックによって生成される妨害周波数をサンプル周波数でサンプリングするようになされ、それによりfが前記妨害周波数であり、fsが前記サンプル周波数であるfモジュロfsに実質的に等しい基板テーブル誤差信号の周波数が生成され、
前記位置制御システムはさらに、前記fモジュロfsに実質的に等しい基板テーブル誤差信号の周波数が閾値周波数未満となるように基板テーブル速度を選択するようになされ、それにより前記妨害周波数による位置決め誤差が防止されるリソグラフィ装置。 - 前記妨害周波数が、vbが前記テーブル速度であり、λairが前記干渉計システムによって使用される放射の波長である(2*vb)/λairに実質的に等しい、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記サンプル周波数が約2.5kHzである、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記閾値周波数が約300Hzである、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 放射ビームを条件付けるようになされた照明システムと、
パターン化された放射ビームを形成するべく前記放射ビームの断面にパターンを付与することができるパターン化デバイスを支持するように構築された支持構造と、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
前記パターン化された放射ビームを前記基板の目標部分に投射するようになされた投影システムと、
サンプル周波数で前記基板テーブルの位置を測定するための干渉計システムと、
前記干渉計システムの位置測定に基づいて前記支持構造及び前記基板テーブルの位置を制御するようになされた位置制御システムであって、基板テーブル位置誤差のための基板テーブル位置コントローラから支持構造位置コントローラまでの制御経路を含み、前記基板テーブル位置誤差と支持構造位置誤差との間の差が閾値周波数未満の周波数に対する前記基板テーブル位置誤差より小さい位置制御システムとを備えたリソグラフィ装置であって、
前記位置制御システムが、前記干渉計システムのオプティカル・フィードバックによって生成される妨害周波数を前記サンプル周波数でサンプリングするようになされ、それによりfが前記妨害周波数であり、fsが前記サンプル周波数であるfモジュロfsに実質的に等しい基板テーブル誤差信号の周波数が生成され、
前記位置制御システムはさらに、前記fモジュロfsに実質的に等しい基板テーブル誤差信号の周波数が閾値周波数未満となるように基板テーブル速度を選択するようになされたリソグラフィ装置。 - 前記閾値周波数が約300Hzである、請求項5に記載のリソグラフィ装置。
- 前記妨害周波数が、vbが前記テーブル速度であり、λairが前記干渉計システムによって使用される放射の波長である(2*vb)/λairに実質的に等しい、請求項5に記載のリソグラフィ装置。
- パターン化デバイスから基板へパターンを転送するステップと、
支持構造を使用して前記パターン化デバイスを支持するステップと、
前記基板を基板テーブル上で保持するステップと、
干渉計システムを使用して前記基板テーブルの位置を測定するステップと、
前記干渉計システムの位置測定に基づいて前記支持構造及び前記基板テーブルの位置を制御するステップと、
前記干渉計システムのオプティカル・フィードバックによって生成される妨害周波数をサンプル周波数でサンプリングし、fが前記妨害周波数であり、fsが前記サンプル周波数であるfモジュロfsに実質的に等しい基板テーブル誤差信号の周波数を生成するステップと、
前記妨害周波数による位置決め誤差を防止するべく、前記fモジュロfsに実質的に等しい基板テーブル誤差信号の周波数が閾値周波数未満となるように基板テーブル速度を選択するステップと
を含むデバイス製造方法。 - 前記妨害周波数が、vbが前記テーブル速度であり、λairが前記干渉計システムによって使用される放射の波長である(2*vb)/λairに実質的に等しい、請求項8に記載の方法。
- パターン化デバイスから基板へパターンを転送するステップと、
支持構造を使用して前記パターン化デバイスを支持するステップと、
前記基板を基板テーブル上で保持するステップと、
干渉計システムを使用してサンプリング周波数で前記基板テーブルの位置を測定するステップと、
前記干渉計システムの位置測定に基づいて前記支持構造及び前記基板テーブルの位置を制御するステップであって、位置制御システムが、基板テーブル位置誤差のための基板テーブル位置コントローラから支持構造位置コントローラまでの制御経路を含み、前記基板テーブル位置誤差と支持構造位置誤差との間の差が閾値周波数未満の周波数に対する前記基板テーブル位置誤差より小さいステップと、
前記干渉計システムのオプティカル・フィードバックによって生成される妨害周波数を前記サンプル周波数でサンプリングし、fが前記妨害周波数であり、fsが前記サンプル周波数であるfモジュロfsに実質的に等しい基板テーブル誤差信号の周波数を生成するステップと、
前記fモジュロfsに実質的に等しい基板テーブル誤差信号の周波数が閾値周波数未満となるように基板テーブル速度を選択するステップと
を含むデバイス製造方法。 - 前記閾値周波数が約300Hzである、請求項10に記載の方法。
- 前記妨害周波数が、vbが前記テーブル速度であり、λairが前記干渉計システムによって使用される放射の波長である(2*vb)/λairに実質的に等しい、請求項10に記載の方法。
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