JP4303206B2 - 光近接効果補正処理検証方法 - Google Patents

Description

本発明は、一般にマスクパターン形成におけるマスクパターンデータ処理の検証方法、検証プログラム、及び検証システムに関し、特に光近接効果補正処理の検証方法、検証プログラム、及び検証システムに関する。

半導体装置の製造においては、光転写装置により、マスクパターンのパターン形状をウェハ上に焼き付ける。半導体装置の微細化が進むと、光近接効果の影響で、隣合うパターン同士が接触したり、パターンの角が丸まったり、線が細くなり切れてしまうといった現象が起こる。そこでこのようなパターン変形を予測して、変形を相殺又は緩和するようにパターンデータを加工することで、所望のパターン形状を忠実にウェハ上に形成できるような補正処理をする。これを光近接効果補正（以下ＯＰＣ処理：Optical Proximity Correction）と呼ぶ。

ＯＰＣ処理は、レチクル上のパターンを補正して目的とするウェーハ転写イメージを実現するために、マスクパターンデータに対して補助パターンを発生する。従来のパターン補正方法では、設計データに対して補正を行うパターンをルール化し、補正パターンの発生ルールに基づいてレチクルパターンデータに対して補助パターンを発生させる。

パターン補正処理の適／不適を検証するためには、所定の単純なテストパターンに対して補正パターンを発生させ、この補正パターンを目視することで所望のパターンが得られているか否かを確認する等の方法がある。しかし実際の製品のように複雑で大規模なデータについては、補正パターンを目視検証することは現実的に不可能であった。またツールを利用した検証においても、比較結果が全て一致しないこともあるために、相違部分が膨大となり検証作業が困難であった。
特開２００２−１０７９０８号公報

従って、本発明は、上記関連技術の１つ又はそれ以上の問題点を解決することを目的とする。

また本発明は、マスクパターンデータ作成においてＯＰＣ処理が適切に動作しているか否かを効率的に確認することができる検証方法を提供することを更なる具体的な目的とする。

上記目的を達成するために、本発明による光近接効果補正処理検証方法は、設計データから第１の条件で第１のマスクパターンデータを生成し、第１のマスクパターンデータを光近接効果補正処理して第１の補正パターンデータを生成し、設計データから第２の条件で、該第１のマスクパターンデータとマスクとしての実体は同一であるがデータとしては異なる第２のマスクパターンデータを生成し、該第１のマスクパターンに施した光近接効果補正処理と同一の補正ルールを用いて、第２のマスクパターンデータを光近接効果補正処理して第２の補正パターンデータを生成し、第１の補正パターンデータと第２の補正パターンデータとを比較して両データが一致するか否かを判断する各段階を含む。

また本発明は、上記光近接効果補正処理を検証する方法の各段階を計算機に実行させるプログラムを提供すると共に、光近接効果補正処理を検証する方法を実行するシステムを提供する。

上記方法によれば、両データが一致するか否かの判断に基づいて、両データが一致する場合には光近接効果補正処理には図形処理操作等に関するエラーが無く、適切な補正処理動作が実行されていると判断することができる。また両データが一致しない場合には、光近接効果補正処理に修正を施すことにより、適切な光近接効果補正処理を達成することができる。

以下に、本発明の実施例を添付の図面を用いて詳細に説明する。

本発明は、設計データから得られる第１のマスクパターンデータをＯＰＣ処理することにより、第１の補正パターンデータを生成する。更に、異なる条件下で同一の設計データから得られる第２のマスクパターンデータをＯＰＣ処理することにより、第２の補正パターンデータを生成する。これら第１の補正パターンデータと第２の補正パターンデータとを比較することで、両者が一致するか否かを判断する。この判断により両者が一致する場合には、ＯＰＣ処理には図形処理操作等に関するエラーが無く、適切な補正処理動作が実行されていると判断することができる。

異なる条件下で第２の補正パターンデータを生成する具体例としては、第１のマスクパターンデータを所定の角度回転させることで第２のマスクパターンデータを生成し、この第２のマスクパターンデータにＯＰＣ処理を施した後に逆方向に回転して元の角度に戻すことで、第２の補正パターンデータを生成する方法がある。また別の具体例として、マスクパターンデータが分割され複数のフィールドのデータとして表現され処理される場合に、第１のマスクパターンデータとは異なる位置で複数フィールドに分割することにより、第２のマスクパターンデータを生成する方法がある。この分割の位置を異ならせる方法としては、分割の方向を異ならせたり、処理グリッドの幅を変化させることで分割のピッチを異ならせたり、分割の位置をシフトさせたりすることができる。

図１は、角度を変化させることで補正パターンデータを生成してＯＰＣ処理の適否を判定する処理のフローチャートである。

図１のステップＳＴ１において、設計データ１０をマスクパターンデータ１１に変換する。この際データ処理情報２１を参照することで、この情報に指定される条件で変換処理を実行する。データ処理情報２１としては、パターンのレイヤーに関するレイヤー情報、最上層のパターンに関するトップフィグ情報、パターンの大きさに関するサイジング情報、複数のフィールドに分割する領域に関する分割領域情報等を含む。

ステップＳＴ２において、マスクパターンデータ１１にＯＰＣ処理を施して、補正後のマスクパターンデータ（第１の補正パターンデータ）１２を生成する。この際、補正情報２２を参照することで、この情報に指定される条件でＯＰＣ処理を実行する。補正情報２２は、光近接効果の補正についてのルールを定めたものである。

上記ＯＰＣ処理においては、マスクパターンデータを多角形の幾何学図形として認識し、パターンの幅やスペースの探索、補正値の決定、補正後図形の形成等の処理を実行する。この処理の殆どは、図形の頂点座標を操作することにより行われる。頂点操作は通常、Ｘ座標とＹ座標とを別々に実行し、また図形の各辺は一定規則に基づいて水平方向、垂直方向、及び斜め方向に分類して別々に操作する。例えば１個の長方形を補正する場合、４辺を左回りの４本のベクトルとして認識し、向かい合うベクトルのＸ座標及びＹ座標を変更する。

ステップＳＴ３において、マスクパターンデータ１１に回転処理Ａを実行し、マスクパターンデータ１３を生成する。

ステップＳＴ４において、マスクパターンデータ１３にＯＰＣ処理を施して、補正後のマスクパターンデータ（補正パターンデータ）１４を生成する。この際、補正情報２２を参照することで、この情報に指定される条件でＯＰＣ処理を実行する。補正情報２２は、光近接効果の補正についてのルールを定めたものであり、ステップＳＴ２で使用する補正情報２２と同一である。

ステップＳＴ５において、マスクパターンデータ（補正パターンデータ）１４に回転処理Ｂを実行し、マスクパターンデータ（第２の補正パターンデータ）１５を生成する。ここで回転処理Ｂは回転処理Ａとは逆方向に同一の角度だけパターンデータを回転する処理であり、これによりマスクパターンデータ（第２の補正パターンデータ）１５は元のマスクパターンデータ１１の角度に戻されることになる。

ステップＳＴ６で、マスクパターンデータ（第１の補正パターンデータ）１２とマスクパターンデータ（第２の補正パターンデータ）１５とを計算機上でデータ比較することにより、両データが一致するか否かを判断する。判断の結果、両データが一致する場合にはマスクパターンデータ１２は適切なデータであるとして、マスク作成に使用することができる。判断の結果、両データが一致しない場合にはマスクパターンデータ１２が不適であり、ＯＰＣ処理に問題があることが分かるので、ステップＳＴ７で所定のツールによりＯＰＣ処理を修正する。

図２は、回転の場合の検証処理を説明するための図である。図２は、回転各が９０度の場合について示している。

まず図２の左上コーナーから開始して反時計回りに、マスクパターンデータ１１をベクトル化することで、ベクトルデータ１１Ａを得る。このベクトルデータ１１Ａに対して、Ｘ方向及びＹ方向に均等に補正処理を施し補正データを生成することで、マスクパターンデータ（第１の補正パターンデータ）１２を生成する。

また図２の左上コーナーから開始して時計回りに、マスクパターンデータ１１を９０度回転することで、マスクパターンデータ１３を生成する。このマスクパターンデータ１３をベクトル化することで、ベクトルデータ１３Ａを得る。このベクトルデータ１３Ａに対して、Ｘ方向及びＹ方向に均等に補正処理を施し補正データを生成することで、マスクパターンデータ（補正パターンデータ）１４を生成する。更にマスクパターンデータ（補正パターンデータ）１４を、−９０度回転することで、マスクパターンデータ（第２の補正パターンデータ）１５を生成する。

最後に、マスクパターンデータ（第１の補正パターンデータ）１２とマスクパターンデータ（第２の補正パターンデータ）１５とを比較して、両者が一致するか否かを判断することにより、ＯＰＣ処理の検証を行う。図２に示す例では、Ｘ方向及びＹ方向に均等に補正処理を施している筈であるにも関わらず、例えばＹ方向の補正処理に問題があり、Ｙ方向に十分に補正が行われない状態である。従って、マスクパターンデータ（第１の補正パターンデータ）１２は本来の補正後のサイズよりもＹ方向に短く、マスクパターンデータ（第２の補正パターンデータ）１５は本来の補正後のサイズよりもＸ方向に短い。このようにして、Ｙ方向の補正処理に問題があることが、補正パターンデータ同士を比較することで知ることができる。

図３は、マスクパターンデータのデータ構造の一例を示す図である。

図３に示されるように、設計データ１０をマスクデータ変換処理（図１のＳＴ１に示す処理）することで、マスクパターンデータ１１が生成される。ここで図３に設計データ１０及びマスクパターンデータ１１として示すのは、データそのものではなく、マスクパターンのイメージ図である。マスクパターンデータ１１は、フィールドａからフィールドｄまでの４つのフィールドと、サブフィールド１からサブフィールド６までの６つのサブフィールドに分割される。

図３の下部には、マスクパターンデータ１１のデータ構造の一例が、ヘッダ情報３１及び実データ情報３２として示される。ヘッダ情報３１は、１つのマスクパターンデータ１１について１つ設けられるヘッダであり、データファイルのファイル名、処理グリッドのサイズ、及び各フィールドの開始アドレスを示す。図３の例では、データファイルのファイル名はＡａａ．ｄａｔａであり、処理グリッドのサイズは0.01ミクロンであり、フィールドａ乃至フィールドｄの開始アドレスはそれぞれ０００１、０Ａ００、０Ｂ０１、及び０Ｆ０１である。

実データ情報３２は、ヘッダ情報３１が示す各フィールドの開始アドレスを開始点として、該当フィールドの各サブフィールドに対するマスクパターンデータを格納する。例えば、フィールドａの開始アドレスは０００１であり、このアドレス０００１を開始点として、フィールドａのサブフィールド１についてのマスクパターンデータ、フィールドａのサブフィールド２についてのマスクパターンデータ、フィールドａのサブフィールド３についてのマスクパターンデータ、・・・が格納される。ここで例えばフィールドａのサブフィールド１のマスクパターンデータとは、図３に示されるマスクパターンデータ１１のイメージ図において、左上コーナーに位置する分割領域３３の内部に含まれるマスクパターンデータである。

図４は、マスクパターンデータのデータ構造の一例でありマスクパターンデータを回転させた場合を示す図である。

図４に示されるように、設計データ１０をマスクデータ変換処理（回転処理有り）することで、マスクパターンデータ１３が生成される。なお図１や図２の例では、マスクパターンデータ１３はマスクパターンデータ１１から生成するものとしたが、図４のように設計データ１０から直接に回転後のマスクパターンデータ１３を生成してもよい。マスクパターンデータ１３は、フィールドａからフィールドｄまでの４つのフィールドと、サブフィールド１からサブフィールド６までの６つのサブフィールドに分割される。

マスクパターンデータ１３のヘッダ情報３１は、図３のヘッダ情報３１と同一である。それに対して実データ情報４２は、図３の実データ情報３２とはデータ内容が全く異なったものとなる。これは、マスクパターンデータ１１に対してマスクパターンデータ１３は９０度回転されているために、各サブフィールドに含まれるマスクパターンデータが、マスクパターンデータ１１とマスクパターンデータ１３とで全く異なるからである。

このようにして回転処理により、マスクとしての実体は同一でありながらも、データとしては互いに全く異なるマスクパターンデータ１１及び１３を得ることができる。このマスクパターンデータ１１及び１３にＯＰＣ処理を施して、その後角度を戻してから比較することで、ＯＰＣ処理のエラーを検出できることは前述のとおりである。

図５は、分割位置を変化させることで補正パターンデータを生成してＯＰＣ処理の適否を判定する処理のフローチャートである。図５に示すのは、図１のマスクパターンデータ（第１の補正パターンデータ）１２と比較する対象となるマスクパターンデータ（第２の補正パターンデータ）を生成する処理に対応する部分である。

ステップＳＴ１で、データ処理情報２１Ａに基づいて変換条件の設定を行う。ここでデータ処理情報２１Ａは、パターンのレイヤーに関するレイヤー情報、最上層のパターンに関するトップフィグ情報、パターンの大きさに関するサイジング情報、複数のフィールドに分割する領域に関する分割領域情報等を含む。図５の処理では、図１に示すマスクパターンデータ１１とは異なる領域分割によりマスクパターンデータを生成するために、データ処理情報２１Ａの分割領域情報が図１のデータ処理情報２１の分割領域情報とは異なった設定となっている。

ステップＳＴ２で、設計データ１０をマスクパターンデータ１６に変換する。マスクパターンデータ１６は、図１のマスクパターンデータ１１とマスクとしての実体は同一であるが、フィールド及びサブフィールドへの分割の仕方が異なるために、データとしては全く異なるデータとなっている。

ステップＳＴ４において、マスクパターンデータ１６にＯＰＣ処理を施して、補正後のマスクパターンデータ（第２の補正パターンデータ）１７を生成する。この際、補正情報２２を参照することで、この情報に指定される条件でＯＰＣ処理を実行する。補正情報２２は、光近接効果の補正についてのルールを定めたものであり、図１のステップＳＴ２で使用する補正情報２２と同一である。

このようにして得られたマスクパターンデータ（第２の補正パターンデータ）１７を、図１のマスクパターンデータ（第１の補正パターンデータ）１２と計算機上でデータ比較することにより、両データが一致するか否かを判断する。判断の結果、両データが一致する場合にはマスクパターンデータ１２は適切なデータであるとして、マスク作成に使用することができる。判断の結果、両データが一致しない場合にはマスクパターンデータ１２が不適であり、ＯＰＣ処理に問題があることが分かるので、所定のツールによりＯＰＣ処理を修正する。

図６は、マスクパターンデータのデータ構造の一例でありマスクパターンデータの領域分割を変化させた場合を示す図である。

図６において、マスクパターンデータ１６は、フィールドａからフィールドｅまでの５つのフィールドと、サブフィールド１からサブフィールド７までの７つのサブフィールドに分割される。図３に示すマスクパターンデータ１１と比較して、フィールド数及びサブフィールド数がそれぞれ１ずつ増えている。これはフィールド及びサブフィールドのピッチが狭く設定されているためであり、これにより分割位置が、図３のマスクパターンデータ１１と図６のマスクパターンデータ１６とでは異なることになる。

マスクパターンデータ１６のヘッダ情報５１は、図３のヘッダ情報３１とは異なる。処理グリッドの間隔が0.008ミクロンに指定され、図３の場合の0.01ミクロンよりも狭く設定されている。これによりフィールド及びサブフィールドのピッチが狭く設定されることになる。またこれに伴い、フィールドｅが第５のフィールドとして追加されている。

実データ情報５２は、当然ながら図３の実データ情報３２とはデータ内容が全く異なったものとなる。これは、マスクパターンデータ１１とマスクパターンデータ１６とでは、フィールド及びサブフィールドのピッチが異なり、領域分割の位置が異なるからである。

このようにして分割位置を変化させる処理により、マスクとしての実体は同一でありながらも、データとしては互いに全く異なるマスクパターンデータ１１及び１６を得ることができる。このマスクパターンデータ１１及び１６にＯＰＣ処理を施して比較することで、ＯＰＣ処理のエラーを検出できることは前述のとおりである。

上記説明では、回転処理と分割位置を変化させる処理とは、それぞれ互いに独立した実施例として説明したが、回転処理と分割位置を変化させる処理とを一体化して実行する構成としてもよい。以下に、そのような場合の実施例について説明する。

図７は、回転処理と分割位置を変化させる処理とを一体化した場合の検証処理を説明するための図である。

図７の左上コーナーに示されるように、マスクパターンデータ７１に対して２つのフィールド６１及び６２が設定されている。ここでマスクパターンデータ７１は、まだフィールド６１及び６２に分割された状態にはない。フィールド６１及び６２は、説明の便宜上、マスクパターンデータ７１の位置に重ね合わせて示してある抽象的な分割領域に過ぎない。

この左上コーナーから開始して反時計回りに矢印を辿り、まずマスクパターンデータ７１を９０度回転してマスクパターンデータ７２を得る。このマスクパターンデータ７２を実際にフィールド６１及び６２に分割して、各フィールドのデータとして表現する。更にマスクパターンデータ７２の各要素間のスペース８１及び８２を認識する。このスペースの認識に基づいてＯＰＣ処理を実行することにより、補正後のマスクパターンデータ７３を得る。次にこの補正後のマスクパターンデータ７３を−９０度回転することで、マスクパターンデータ（第１の補正パターンデータ）７４を得る。

また図７の左上コーナーから開始して時計回りに矢印を辿り、まずマスクパターンデータ７１を実際にフィールド６１及び６２に分割して、各フィールドのデータとして表現する。ここで、マスクパターンデータ７１をフィールド６１及び６２へ分割する場合の分割位置は、上述の９０度回転したマスクパターンデータ７２をフィールド６１及び６２へ分割する場合の分割位置とは異なることが分かる。これはフィールド６１及び６２に対してマスクパターンデータを回転させているためである。こうして得られたマスクパターンデータ７１に対して、次に各要素間のスペース９１及び９２を認識する。このスペースの認識に基づいてＯＰＣ処理を実行することにより、マスクパターンデータ（第２の補正パターンデータ）７５を得る。

最後に、マスクパターンデータ（第１の補正パターンデータ）７４とマスクパターンデータ（第２の補正パターンデータ）７５とを比較して、両者が一致するか否かを判断することにより、ＯＰＣ処理の検証を行う。この例のようにマスクパターンデータをフィールド６１及び６２に分割した場合、ＯＰＣ処理において、領域間の境界付近にあるパターンの存在を認識しなければならない。しかし各領域のパターンはフィールド毎の別のデータとして扱われるために、境界付近においては、プログラムミスによって適切なパターンの認識ができないという不具合が発生しやすい。上記の例では、フィールド６１及び６２に対してマスクパターンデータを９０度回転することで、分割の仕方を異ならせて、これらの不具合を検出することができる。

図８は、本発明によるＯＰＣ処理検証方法を実行する装置の構成を示す図である。

図８に示されるように、本発明によるＯＰＣ処理検証方法を実行する装置は、例えばパーソナルコンピュータやエンジニアリングワークステーション等のコンピュータにより実現される。図８の装置は、コンピュータ５１０と、コンピュータ５１０に接続されるディスプレイ装置５２０、通信装置５２３、及び入力装置よりなる。入力装置は、例えばキーボード５２１及びマウス５２２を含む。コンピュータ５１０は、ＣＰＵ５１１、ＲＡＭ５１２、ＲＯＭ５１３、ハードディスク等の二次記憶装置５１４、可換媒体記憶装置５１５、及びインターフェース５１６を含む。

キーボード５２１及びマウス５２２は、ユーザとのインターフェースを提供するものであり、コンピュータ５１０を操作するための各種コマンドや要求されたデータに対するユーザ応答等が入力される。ディスプレイ装置５２０は、コンピュータ５１０で処理された結果等を表示すると共に、コンピュータ５１０を操作する際にユーザとの対話を可能にするために様々なデータ表示を行う。通信装置５２３は、遠隔地との通信を行なうためのものであり、例えばモデムやネットワークインターフェース等よりなる。

本発明によるＯＰＣ処理検証方法は、コンピュータ５１０が実行可能なコンピュータプログラムとして提供される。このコンピュータプログラムは、可換媒体記憶装置５１５に装着可能な記憶媒体Ｍに記憶されており、記憶媒体Ｍから可換媒体記憶装置５１５を介して、ＲＡＭ５１２或いは二次記憶装置５１４にロードされる。或いは、このコンピュータプログラムは、遠隔地にある記憶媒体（図示せず）に記憶されており、この記憶媒体から通信装置５２３及びインターフェース５１６を介して、ＲＡＭ５１２或いは二次記憶装置５１４にロードされる。

キーボード５２１及び／又はマウス５２２を介してユーザからプログラム実行指示があると、ＣＰＵ５１１は、記憶媒体Ｍ、遠隔地記憶媒体、或いは二次記憶装置５１４からプログラムをＲＡＭ５１２にロードする。ＣＰＵ５１１は、ＲＡＭ５１２の空き記憶空間をワークエリアとして使用して、ＲＡＭ５１２にロードされたプログラムを実行し、適宜ユーザと対話しながら処理を進める。なおＲＯＭ５１３は、コンピュータ５１０の基本動作を制御するための制御プログラムが格納されている。

上記コンピュータプログラムを実行することで、上記各実施例で説明されたように、ＯＰＣ処理検証方法を実行する。またこのＯＰＣ処理検証方法を実行する計算機環境が、ＯＰＣ処理検証システム又はＯＰＣ処理検証装置である。

以上、本発明を実施例に基づいて説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で様々な変形が可能である。

角度を変化させることで補正パターンデータを生成してＯＰＣ処理の適否を判定する処理のフローチャートである。 回転の場合の検証処理を説明するための図である。 マスクパターンデータのデータ構造の一例を示す図である。 マスクパターンデータのデータ構造の一例でありマスクパターンデータを回転させた場合を示す図である。 分割位置を変化させることで補正パターンデータを生成してＯＰＣ処理の適否を判定する処理のフローチャートである。 マスクパターンデータのデータ構造の一例でありマスクパターンデータの領域分割を変化させた場合を示す図である。 回転処理と分割位置を変化させる処理とを一体化した場合の検証処理を説明するための図である。 本発明によるＯＰＣ処理検証方法を実行する装置の構成を示す図である。

符号の説明

５１０ コンピュータ

Claims (10)

1. 設計データから第１の条件で第１のマスクパターンデータを生成し、
   該第１のマスクパターンデータを光近接効果補正処理して第１の補正パターンデータを生成し、
   該設計データから第２の条件で、該第１のマスクパターンデータとマスクとしての実体は同一であるがデータとしては異なる第２のマスクパターンデータを生成し、
   該第１のマスクパターンに施した光近接効果補正処理と同一の補正ルールを用いて、該第２のマスクパターンデータを光近接効果補正処理して第２の補正パターンデータを生成し、
   該第１の補正パターンデータと該第２の補正パターンデータとを比較して両データが一致するか否かを判断する
   各段階を含むことを特徴とする光近接効果補正処理検証方法。
2. 該両データが一致しない場合には該光近接効果補正処理を修正する段階を更に含むことを特徴とする請求項１記載の光近接効果補正処理検証方法。
3. 設計データから第１の条件で第１のマスクパターンデータを生成し、
   該第１のマスクパターンデータを光近接効果補正処理して第１の補正パターンデータを生成し、
   該設計データから第２の条件で第２のマスクパターンデータを生成し、
   該第２のマスクパターンデータを光近接効果補正処理して第２の補正パターンデータを生成し、
   該第１の補正パターンデータと該第２の補正パターンデータとを比較して両データが一致するか否かを判断する
   各段階を含み、
   該第１のマスクパターンデータを生成する段階は該設計データを回転させないで第１のマスクパターンデータを生成し、該第２のマスクパターンデータを生成する段階は該設計データを所定の角度だけ所定の方向に回転させて第２のマスクパターンデータを生成し、該第２の補正パターンデータを生成する段階は該第２のマスクパターンデータを光近接効果補正処理して得られるデータを該所定の角度だけ該所定の方向とは逆の方向に回転して該第２の補正パターンデータを生成することを特徴とする光近接効果補正処理検証方法。
4. 該所定の角度は９０度の整数倍であることを特徴とする請求項３記載の光近接効果補正処理検証方法。
5. 設計データから第１の条件で第１のマスクパターンデータを生成し、
   該第１のマスクパターンデータを光近接効果補正処理して第１の補正パターンデータを生成し、
   該設計データから第２の条件で第２のマスクパターンデータを生成し、
   該第２のマスクパターンデータを光近接効果補正処理して第２の補正パターンデータを生成し、
   該第１の補正パターンデータと該第２の補正パターンデータとを比較して両データが一致するか否かを判断する
   各段階を含み、
   該第１のマスクパターンデータを生成する段階は該設計データを第１の所定の領域に分割して第１のマスクパターンデータを生成し、該第２のマスクパターンデータを生成する段階は該設計データを第１の所定の領域とは異なる第２の所定の領域に分割して第２のマスクパターンデータを生成することを特徴とする光近接効果補正処理検証方法。
6. 該第１のマスクパターンデータを生成する段階は該第１の所定の領域を第１の処理グリッドにより規定し、該第２のマスクパターンデータを生成する段階は該第２の所定の領域を該第１の処理グリッドとは異なる第２の処理グリッドにより規定することを特徴とする請求項５記載の光近接効果補正処理検証方法。
7. 設計データから第１の条件で第１のマスクパターンデータを生成し、
   該第１のマスクパターンデータを光近接効果補正処理して第１の補正パターンデータを生成し、
   該設計データから第２の条件で第２のマスクパターンデータを生成し、
   該第２のマスクパターンデータを光近接効果補正処理して第２の補正パターンデータを生成し、
   該第１の補正パターンデータと該第２の補正パターンデータとを比較して両データが一致するか否かを判断する
   各段階を含み、
   該第１のマスクパターンデータを生成する段階は該設計データを回転させることなく所定の領域に分割して第１のマスクパターンデータを生成し、該第２のマスクパターンデータを生成する段階は該設計データを所定の角度だけ所定の方向に回転させ該所定の領域に分割して第２のマスクパターンデータを生成し、該第２の補正パターンデータを生成する段階は該第２のマスクパターンデータを光近接効果補正処理して得られるデータを該所定の角度だけ該所定の方向とは逆の方向に回転して該第２の補正パターンデータを生成することを特徴とする光近接効果補正処理検証方法。
8. 該所定の角度は９０度の整数倍であることを特徴とする請求項７記載の光近接効果補正処理検証方法。
9. 設計データから第１の条件で第１のマスクパターンデータを生成し、
   該第１のマスクパターンデータを光近接効果補正処理して第１の補正パターンデータを生成し、
   該設計データから第２の条件で、該第１のマスクパターンデータとマスクとしての実体は同一であるがデータとしては異なる第２のマスクパターンデータを生成し、
   該第１のマスクパターンに施した光近接効果補正処理と同一の補正ルールを用いて、該第２のマスクパターンデータを光近接効果補正処理して第２の補正パターンデータを生成し、
   該第１の補正パターンデータと該第２の補正パターンデータとを比較して両データが一致するか否かを判断する
   各段階をコンピュータに実行させることを特徴とする光近接効果補正処理検証プログラム。
10. 設計データから第１の条件で第１のマスクパターンデータを生成するユニットと、
    該第１のマスクパターンデータを光近接効果補正処理して第１の補正パターンデータを生成するユニットと、
    該設計データから第２の条件で、該第１のマスクパターンデータとマスクとしての実体は同一であるがデータとしては異なる第２のマスクパターンデータを生成するユニットと、
    該第１のマスクパターンに施した光近接効果補正処理と同一の補正ルールを用いて、該第２のマスクパターンデータを光近接効果補正処理して第２の補正パターンデータを生成するユニットと、
    該第１の補正パターンデータと該第２の補正パターンデータとを比較して両データが一致するか否かを判断するユニット
    を含むことを特徴とする光近接効果補正処理検証システム。

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