JP4300175B2 - 半導体試験装置及びその方法並びに半導体の製造方法 - Google Patents
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- 被試験メモリへ電源電圧を供給する電圧生成部と、前記被試験メモリを試験するための試験パターンを生成して印加するアルゴリズミックパターン発生器と、前記被試験メモリからの応答信号と該アルゴリズミックパターン発生器からの期待値を比較して被試験メモリの少なくとも良否を判定する比較器とを備えた半導体試験装置であって、
前記アルゴリズミックパターン発生器から試験パターン発生中に割り込み通知を発生させる割り込み生成部と、
前記試験メモリへの電源電圧及び任意の変化率の値を設定するコントローラと、
前記割り込み生成部からの割り込み通知を受け付けた際、前記コントローラによって設定された電源電圧及び任意の変化率の値に応じて、前記電圧生成部から前記被試験メモリへ供給する電源電圧を前記任意の変化率で可変させるように前記電圧生成部を制御する電圧制御部とを備え、
前記割り込み生成部は、前記試験パターン中の任意の試験サイクルを繰り返し行うためのリピート制御部と、割り込み通知及び解除を行う割り込み通知・解除部とを備え、前記試験パターン発生中に前記電圧制御部に割り込みを通知し、前記電圧制御部から割り込みが解除されるまで任意の試験サイクルを行うように構成したことを特徴とする半導体試験装置。 - 被試験メモリへ電源電圧を供給する電圧生成部と、前記被試験メモリを試験するための試験パターンを生成して印加するアルゴリズミックパターン発生器と、前記被試験メモリからの応答信号と該アルゴリズミックパターン発生器からの期待値を比較して被試験メモリの少なくとも良否を判定する比較器とを備えた半導体試験装置であって、
前記アルゴリズミックパターン発生器から試験パターン発生中に割り込み通知を発生させる割り込み生成部と、
前記試験メモリへの電源電圧及び任意の変化率の値を設定するコントローラと、
前記割り込み生成部からの割り込み通知を受け付けた際、前記コントローラによって設定された電源電圧及び任意の変化率の値に応じて、前記電圧生成部から前記被試験メモリへ供給する電源電圧を前記任意の変化率で可変させるように前記電圧生成部を制御する電圧制御部とを備え、
前記電圧制御部は、前記コントローラによって設定された電源電圧及び任意の変化率のパラメータを格納するパラメータ格納部と、該パラメータ格納部に格納されたパラメータに応じて、前記電圧生成部を制御するための刻む電圧及び時間の分解能並びに該分解能を刻む処理回数を演算する演算部と、前記電源電圧の変化率を可変させるための前記刻まれる時間の分解能を計測して時間分解能毎にイベントを発生する時間計測部と、該時間計測部からのイベントによって前記演算部で演算された電圧値を前記電圧生成部に出力する出力処理部とを備えたことを特徴とする半導体試験装置。 - 前記電圧制御部は、前記コントローラによって設定された電源電圧及び任意の変化率のパラメータを格納するパラメータ格納部と、該パラメータ格納部に格納されたパラメータに応じて、前記電圧生成部を制御するための刻む電圧及び時間の分解能並びに該分解能を刻む処理回数を演算する演算部と、前記電源電圧の変化率を可変させるための前記刻まれる時間の分解能を計測して時間分解能毎にイベントを発生する時間計測部と、該時間計測部からのイベントによって前記演算部で演算された電圧値を前記電圧生成部に出力する出力処理部とを備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体試験装置。
- 前記アルゴリズミックパターン発生器は、前記被試験メモリに印加するアドレス及び試験データを出力する演算及び出力回路と、前記被試験メモリに印加するコマンド並びにアドレス及び試験データの演算制御命令が格納されているインストラクションメモリと、該インストラクションメモリのメモリアドレスを決定して前記試験パターンの順序を制御するコマンドポインタ制御部とを備えたことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体試験装置。
- 電圧生成部から被試験メモリへ電源電圧を供給し、アルゴリズミックパターン発生器から前記被試験メモリを試験するための試験パターンを生成して印加し、前記被試験メモリからの応答信号と該アルゴリズミックパターン発生器からの期待値を比較して被試験メモリの少なくとも良否を判定する半導体試験方法であって、
前記アルゴリズミックパターン発生器から試験パターン発生中に割り込み通知を発生させる割り込み生成ステップと、
前記試験メモリへの電源電圧及び任意の変化率の値を設定する設定ステップと、
前記割り込み生成ステップで発生させた割り込み通知を受け付けた際、前記設定ステップによって設定された電源電圧及び任意の変化率の値に応じて、前記電圧生成部から前記被試験メモリへ供給する電源電圧を前記任意の変化率で可変させる電圧制御ステップとを有し、
前記割り込み生成ステップは、前記試験パターン中の任意の試験サイクルを繰り返し行うためのリピート制御ステップと、割り込み通知及び解除を行う割り込み通知・解除ステップとを含み、前記試験パターン発生中に前記電圧制御ステップにおいて電圧制御できるように割り込みを通知し、前記電圧制御ステップにおいて割り込みが解除されるまで任意の試験サイクルを行うことを特徴とする半導体試験方法。 - 電圧生成部から被試験メモリへ電源電圧を供給し、アルゴリズミックパターン発生器から前記被試験メモリを試験するための試験パターンを生成して印加し、前記被試験メモリからの応答信号と該アルゴリズミックパターン発生器からの期待値を比較して被試験メモリの少なくとも良否を判定する半導体試験方法であって、
前記アルゴリズミックパターン発生器から試験パターン発生中に割り込み通知を発生させる割り込み生成ステップと、
前記試験メモリへの電源電圧及び任意の変化率の値を設定する設定ステップと、
前記割り込み生成ステップで発生させた割り込み通知を受け付けた際、前記設定ステップによって設定された電源電圧及び任意の変化率の値に応じて、前記電圧生成部から前記被試験メモリへ供給する電源電圧を前記任意の変化率で可変させる電圧制御ステップとを有し、
前記電圧制御ステップは、前記設定ステップにおいて設定された電源電圧及び任意の変化率のパラメータを格納するパラメータ格納部と、該パラメータ格納部に格納されたパラメータに応じて、前記電圧生成部を制御するための刻む電圧及び時間の分解能並びに該分解能を刻む処理回数を演算する演算ステップと、前記電源電圧の変化率を可変させるための前記刻まれる時間の分解能を計測して時間分解能毎にイベントを発生する時間計測ステップと、該時間計測ステップにおいて発生したイベントによって前記演算ステップにおいて演算された電圧値を前記電圧生成部に出力する出力処理ステップとを含むことを特徴とする半導体試験方法。 - 前記電圧制御ステップは、前記設定ステップにおいて設定された電源電圧及び任意の変化率のパラメータを格納するパラメータ格納部と、該パラメータ格納部に格納されたパラメータに応じて、前記電圧生成部を制御するための刻む電圧及び時間の分解能並びに該分解能を刻む処理回数を演算する演算ステップと、前記電源電圧の変化率を可変させるための前記刻まれる時間の分解能を計測して時間分解能毎にイベントを発生する時間計測ステップと、該時間計測ステップにおいて発生したイベントによって前記演算ステップにおいて演算された電圧値を前記電圧生成部に出力する出力処理ステップとを含むことを特徴とする請求項5記載の半導体試験方法。
- 半導体ウエハに回路素子を作り込む作り込み工程と、
該作り込み工程で作り込まれた回路素子の電極と外部接続端子を電気的に接続する配線を形成する配線形成工程と、
該配線形成工程で配線が形成された半導体ウエハ上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記半導体ウエハ上で半導体の電気的特性を検査するプローブ検査工程と、
前記保護膜形成工程で保護膜が形成された半導体ウエハをダイシングして半導体素子を作るダイシング工程と、
前記ダイシング工程で作られた半導体素子をパッケージングするパッケージング工程と、
前記パッケージング工程でパッケージングされた状態で半導体素子の良否を検査する良否検査工程とを有する半導体の製造方法であって、
前記良否検査工程において、請求項5乃至7の何れか一つに記載の半導体試験方法を用いて半導体素子の試験を行うことを特徴とする半導体の製造方法。
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