JP4299231B2 - セラミックグリーンシートの製造方法及びセラミック電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、セラミックグリーンシートの製造方法及びセラミック電子部品の製造方法に関する。

セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品を製造するためには、セラミックグリーンシートが用いられる。例えば、セラミックグリーンシートを基材から剥離、転写、積層することによりセラミック電子部品が製造される。セラミックグリーンシートを基材から剥離させるために、通常、表面に離型処理が施された基材が用いられる。また、セラミックグリーンシートの製造方法として、例えば特許文献１に記載されている方法が知られている。この方法では、まず、光透過性の基材上に、導電ペーストによって所定のパターンの導体パターン層を形成する。その後、基材及び導体パターン層上に光硬化性のセラミック層を形成する。続いて、基材の裏面に光を照射して光硬化性のセラミック層を硬化させ、現像することにより基材上にセラミック層を形成する。
特開２００４−２９６５４３号公報

しかしながら、特許文献１に記載されているセラミックグリーンシートの製造方法では、微細な導体パターン層が基材から剥離してしまう。特に、近年では導体パターンの微細化が顕著であるため、上記方法では微細な導体パターンを基材上に形成することは困難である。また、表面に離型処理が施された基材上に微細な導体パターン部を形成することは一段と困難である。さらに、表面に離型処理が施された基材上に、例えば導電ペーストをパターン印刷する場合、導電ペースト材料のはじき等により、微細な導体パターン部を高精度に形成することは困難となる。

そこで、本発明は、表面に離型処理が施された基材上に微細な導体パターン部を形成できるセラミックグリーンシートの製造方法及びセラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。

上述の課題を解決するため、本発明のセラミックグリーンシートの製造方法は、表面に離型処理が施された光透過性の基材上に、所定の溶媒に対して可溶性を有する導電材料からなる導体層を形成する導体層形成工程と、導体層上に、所定の溶媒に対して不溶性を有する導電材料からなる第１の導体パターン部を形成する第１の導体パターン部形成工程と、第１の導体パターン部形成工程の後、所定の溶媒を用いて導体層をエッチングすることにより第２の導体パターン部を形成する第２の導体パターン部形成工程と、第２の導体パターン部形成工程の後、基材上に感光性セラミック材料からなる感光性セラミック層を形成する感光性セラミック層形成工程と、基材側から感光性セラミック層に露光を施す露光工程と、露光工程の後、感光性セラミック層を現像することにより基材上にセラミック層を形成する現像工程とを含む。ここで、「所定の溶媒に対して不溶性を有する導電材料」とは、所定の溶媒に溶けないか、又は殆ど溶けない導電材料を意味する。

表面に離型処理が施された基材上に微細な導体パターン部を直接形成すると、当該導体パターン部は基材から剥離し易くなる。これに対して、本発明のセラミックグリーンシートの製造方法では、導体層上に第１の導体パターン部が形成されるので、第１の導体パターン部が微細化しても基材から剥離し難い。また、導体層をエッチングすることによって第２の導体パターン部を形成するので、第２の導体パターン部が微細化しても基材から剥離し難い。したがって、本発明のセラミックグリーンシートの製造方法を用いると、表面に離型処理が施された基材上に微細な第１及び第２の導体パターン部を形成できる。

また、第１の導体パターン部の厚さは、導体層の厚さよりも薄いことが好ましい。この場合、第１の導体パターン部形成工程において第１の導体パターン部が広がってしまうことを抑制できるので、第１及び第２の導体パターン部を高精度に形成できる。

また、露光工程において、第２の導体パターン部が、露光方向から見て第１の導体パターン部よりも小さいことが好ましい。これにより、露光方向から見て第１の導体パターン部の外側に位置する感光性セラミック層に露光が施されるので、露光方向から見た第１の導体パターン部の外側近傍に未露光部が残存し難くなる。

また、本発明のセラミック電子部品の製造方法は、上記セラミックグリーンシートの製造方法により製造されるセラミックグリーンシートを焼成する焼成工程を含む。なお、焼成工程では、上記セラミックグリーンシートの製造方法により製造されるセラミックグリーンシートと、上記セラミックグリーンシートの製造方法以外の製造方法により製造されるセラミックグリーンシートとを組み合わせて焼成するとしてもよい。このセラミック電子部品の製造方法によれば、微細な導体パターン部を有するセラミック電子部品が得られる。

本発明のセラミックグリーンシートの製造方法及びセラミック電子部品の製造方法によれば、表面に離型処理が施された基材上に微細な導体パターン部を形成できる。

以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。

［第１実施形態］
図１(ａ)〜図１(ｅ)は、第１実施形態に係るセラミックグリーンシートの製造方法を模式的に示す工程断面図である。図２(ａ)及び図２(ｂ)は、それぞれ、図１(ｂ)及び図１(ｃ)に示される工程断面図の他の例を示す工程断面図である。

（離型処理工程）
まず、図１(ａ)に示されるように、光透過性の基材１の表面１ａに離型処理を施す。これにより、基材１の表面１ａ上には離型層３が形成される。

基材１は、その厚み方向において、後述の露光工程における光Ｌに対する光透過性を有する。基材１は、板状又はフィルム状であり、具体的には、例えばＰＥＴフィルムである。基材１の厚さは、２５〜１００μｍ程度であると好ましく、例えば５０μｍ程度である。離型処理では、まず、例えば付加反応型のシリコーン樹脂材料をトルエン又はメチルエチルケトンといった溶媒に加え、得られた溶液をバーコード法、グラビアコート法、ドクターブレードコート法等により基材１の表面１ａ上に塗布する。その後、例えば１５０℃で３０秒間、加熱による乾燥処理を行う。これにより、付加反応型のシリコーン樹脂材料が付加重合すると共に、溶媒が除去される。このようにして、例えば厚さ０．０１〜０．１μｍ程度の離型層３が形成される。なお、用いるシリコーン樹脂材料の種類や使用量等を変えることにより離型層３の性能（離型性）を調整することができる。

（導体層形成工程）
次に、図１(ｂ)に示されるように、表面１ａに離型処理が施された基材１上に、所定の溶媒に対して可溶性を有する導電材料からなる導体層５ａを形成する。所定の溶媒に対して可溶性を有する導電材料としては、例えば、後述する第２の導体パターン部形成工程におけるエッチング液に対して可溶性を有するバインダー樹脂材料を含有するものが挙げられる。エッチング液としては、例えば、アルカリ溶液、アルカリ水溶液、有機溶剤系エッチング液、水系エッチング液等が挙げられる。バインダー樹脂としては、例えば、アルカリ可溶性セルロース誘導体、アルカリ可溶性アクリル樹脂等を主体とするベースポリマーが挙げられる。導電材料は、バインダー樹脂材料に加えて、金属粒子（例えば、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｕ又はＡｇ−Ｐｄ合金といったこれらの合金等からなる粒子）及び有機溶剤等を更に含有する導電ペーストであることが好ましい。上記導電材料は、例えば電極材料であり、その場合、導体層５ａは電極層となる。

導体層５ａの厚さは、例えば１〜５０μｍ程度である。導体層５ａは、例えば以下のように形成される。まず、塗布コーター（例えばドクターブレードを備えたコーター）を用いて、ペースト状又はスラリー状の導電材料を離型層３上に塗布する。続いて、通常は加熱による乾燥処理を行うことにより、導電材料中の溶剤成分を除去する。

なお、導体層５ａは、図２(ａ)に示されるように、基材１の表面１ａ上に部分的に形成されるとしてもよい。この場合、基材１の表面１ａの全面に導体層５ａを形成する場合に比べて、導電材料の使用量を抑制することができる。さらに、後述する第２の導体パターン部形成工程におけるエッチング液の使用量、処理時間等を少なくできる。よって、例えば高価な導電材料やエッチング液を用いる場合には、セラミックグリーンシートの製造コストを低減できる。このような導体層５ａは、例えば以下のように形成される。まず、印刷機を用いて、ペースト状又はスラリー状の導電材料を離型層３上にパターン印刷する。続いて、通常は加熱による乾燥処理を行うことにより、導電材料中の溶剤成分を除去する。

（第１の導体パターン部形成工程）
次に、図１(ｃ)に示されるように、導体層５ａ上に、所定の溶媒に対して不溶性を有する導電材料からなる第１の導体パターン部７を形成する。本実施形態では、導体パターン部７は一対の導体パターン部である。なお、導体パターン部７が図２(ｂ)に示されるように形成されるとしてもよい。所定の溶媒に対して不溶性を有する導電材料としては、例えば、後述する第２の導体パターン部形成工程におけるエッチング液に対して不溶性を有するバインダー樹脂材料を含有するものが挙げられる。バインダー樹脂としては、例えば、耐アルカリ性を有するセルロース誘導体を含む樹脂（例えばエチルセルロース系樹脂）、又は、当該樹脂とその他の材料との混合物等が挙げられる。導電材料は、バインダー樹脂材料に加えて、金属粒子（例えば、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｕ又はＡｇ−Ｐｄ合金といったこれらの合金等からなる粒子）及び有機溶剤等を更に含有する導電ペーストであることが好ましい。上記導電材料は、例えば電極材料であり、その場合、導体パターン部７は電極パターン部となる。

基材１の厚み方向における導体パターン部７の厚さ（高さ）は、例えば０．５〜１μｍであり、導体パターン部７の機能に応じて適宜設定されることが好ましい。導体パターン部７の厚さは、５μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以下であることが更に好ましく、１．５μｍ以下であることが特に好ましい。導体パターン部７をコンデンサに適用する場合、例えば導体パターン部５の厚さが１〜１．５μｍであるとき、導体パターン部７の厚さは０．５〜１μｍであることが好ましい。導体パターン部５，７をコンデンサに適用する場合、導体パターン部５，７の合算厚さは、１〜２μｍであることが好ましい。導体パターン部７をインダクタに適用する場合、例えば導体パターン部５の厚さが５〜５０μｍであるとき、導体パターン部７の厚さは１．５〜５μｍであることが好ましい。導体パターン部５，７をインダクタに適用する場合、導体パターン部５，７の合算厚さは、５〜５０μｍであることが好ましい。導体パターン部７を回路基板等に適用する場合、例えば導体パターン部５の厚さが５〜５０μｍであるとき、導体パターン部７の厚さは１．５〜５μｍであることが好ましい。導体パターン部５，７を回路基板等に適用する場合、導体パターン部５，７の合算厚さは、５〜５０μｍであることが好ましい。

導体パターン部７がコンデンサ用のポスト電極となる場合、導体パターン部７の厚さは１μｍ前後であることが好ましい。導体パターン部７が、コンデンサ以外に用いられるポスト電極となる場合、導体パターン部７の厚さは５μｍ以下であることが好ましい。

導体パターン部７の厚さ（高さ）は、導体層５ａの厚さよりも薄いことが好ましい。この場合、第１の導体パターン部形成工程において導体パターン部７がだれて広がってしまうことを抑制できる。このため、導体パターン部７及び後述する第２の導体パターン部５を高精度に形成できる。

導体パターン部７は、例えば以下のように形成される。まず、印刷機を用いて、ペースト状又はスラリー状の導電材料を導体層５ａ上にパターン印刷する。続いて、通常は加熱による乾燥処理を行うことにより、導電材料中の溶剤成分を除去する。

（第２の導体パターン部形成工程）
次に、図１(ｄ)に示されるように、エッチング液（所定の溶媒）を用いて導体層５ａをエッチングすることにより第２の導体パターン部５を形成する。本実施形態では、導体パターン部５は一対の導体パターン部であり、導体パターン部７に対応するパターン形状を有する。エッチング液としては、例えば、アルカリ溶液、アルカリ水溶液、有機溶剤系エッチング液、水系エッチング液等が挙げられる。エッチング液は、導電材料に含まれるバインダー樹脂材料との相溶性を考慮して選択されることが好ましい。一実施例において、エッチング液はＮａ_２ＣＯ_３の１質量％水溶液である。この場合、まず、エッチング液をスプレー圧０．０１〜０．３ＭＰａで数十秒〜数分間、導体層５ａに吹き付ける。続いて、純水をスプレー圧０．０１〜０．３ＭＰａで数十秒〜数分間、導体層５ａに吹き付ける。

本実施形態では、基材１の法線方向から見て導体パターン部５が導体パターン部７と略同じサイズとなるようにエッチングする。

（セラミック層形成工程）
次に、図１(ｅ)に示されるように、基材１上にセラミック層９を形成する。これにより、導体パターン部５，７とセラミック層９とを有するセラミックグリーンシート１０が離型層３上に形成される。その後、基材１を剥離してもよい。本実施形態では、導体パターン部５，７は、セラミック層９をその厚み方向に貫通し、セラミックグリーンシート１０の上面及び下面に設けられる電極パターン部間を電気的に接続するためのポスト電極として機能する。

以下、上記セラミック層９の具体例であるセラミック層９ａ，９ｂ，９ｃの形成方法（方法１〜方法４）について説明する。まず、図３及び図４を参照して、セラミック層９ａを形成する方法１について説明する。

＜方法１＞
図３(ａ)〜図３(ｅ)は、セラミック層９ａを形成する方法１を模式的に示す工程断面図である。図３(ａ)は、図１(ｄ)の後に続く図である。図４は、図３(ｂ)に示される工程断面図の他の例を示す工程断面図である。

（感光性セラミック層形成工程）
まず、図３(ａ)に示されるように、基材１上にセラミック層１５ａを形成する。このとき、セラミック層１５ａは導体パターン部５，７を覆うように形成される。セラミック層１５ａは、所定の溶媒に対して可溶な絶縁材料からなることが好ましい。

次に、図３(ｂ)に示されるように、上記所定の溶媒を用いてセラミック層１５ａを全面エッチングすることによりセラミック層１５を形成する。このとき、導体パターン部７が露出し、セラミック層１５の表面位置は、導体パターン部７の表面位置よりも低くなっている。なお、図４に示されるように、導体パターン部７上にセラミック部１５ｂが残存していても構わない。このセラミック部１５ｂは、後述の現像処理によって除去される。

次に、図３(ｃ)に示されるように、セラミック層１５上にネガ型の感光性セラミック材料からなる感光性セラミック層１７ａを形成する。感光性セラミック層１７ａは、所定の溶媒に対して可溶な感光性セラミック材料からなることが好ましい。このような感光性セラミック材料としては、例えば、ＳｉＯ_２を含むガラス系の感光性セラミック材料等が挙げられる。このとき、感光性セラミック層１７ａの表面位置を導体パターン部７の表面位置に略一致させることが好ましい。これにより、得られるセラミックグリーンシートの表面を平坦化し易くなる。

（露光工程）
次に、図３(ｄ)に示されるように、基材１側から感光性セラミック層１７ａに露光を施す。具体的には、基材１の裏面１ｂに紫外線等の光Ｌを入射させる。紫外線は例えば高圧水銀灯から出射される。光Ｌとしては、波長が３６５ｎｍの光（ｉ線）、波長が４０５ｎｍの光（ｈ線）、波長が４３６ｎｍの光（ｇ線）、又はこれらの混合光等が挙げられる。また、光Ｌとして、連続した波長帯を有する光を用いるとしてもよい。

露光法としては、密着露光法、プロキシミティ露光法、プロジェクション露光法等が挙げられる。露光量は、感光性セラミック層１７ａに含まれる感光性セラミック材料の感光性能、感光性セラミック層１７ａの厚さ（高さ）等に応じて適宜調整され、例えば数百〜数千ｍＪ／ｃｍ^２である。また、所望の解像度を得るために、後述の現像処理条件と露光量とを適宜設定することができる。

光Ｌは、基材１、離型層３及びセラミック層１５を透過して感光性セラミック層１７ａに到達する。導体パターン部５，７の少なくともいずれか一方は、照射する光Ｌに対して遮光性を有する。このため、感光性セラミック層１７ａにおける導体パターン部７上の部分には光Ｌが照射されない。したがって、フォトマスクを用いる必要がないので、微細な導体パターン部５，７であっても高い位置精度を維持できる。

（現像工程）
次に、図３(ｅ)に示されるように、上記所定の溶媒を用いて、露光された感光性セラミック層１７ａを現像する。これにより、感光性セラミック層１７ａにおける導体パターン部７上の部分が除去され、セラミック層１７が形成される。その結果、セラミック層１５及びセラミック層１７からなるセラミック層９ａが形成される。このようにして、セラミック層９ａと導体パターン部５，７とを備えたセラミックグリーンシート３０が得られる。この方法１では、セラミック層１５ａの厚さを厚くすることにより、感光性セラミック層１７ａの厚さを薄くすることができるので、感光性セラミック材料の使用量を抑制することができる。感光性セラミック材料（感光性セラミックスラリー）は、通常比較的高価であるため、特に感光性セラミック材料を多量に使用するセラミックグリーンシートの製造方法において、製造コストを低減できる。

続いて、図５を参照して、セラミック層９ｂを形成する方法２について説明する。

＜方法２＞
図５(ａ)〜図５(ｄ)は、セラミック層９ｂを形成する方法２を模式的に示す工程断面図である。図５(ａ)は、図１(ｄ)の後に続く図である。

（感光性セラミック層形成工程）
まず、図５(ａ)に示されるように、基材１上にセラミック層１９ａを形成する。このとき、セラミック層１９ａは導体パターン部５，７を覆うように形成される。セラミック層１９ａの表面位置は、導体パターン部７の表面位置よりも低くなっている。セラミック層１９ａは、所定の溶媒に対して可溶な絶縁材料からなることが好ましい。

次に、図５(ｂ)に示されるように、セラミック層１９ａ上に、ネガ型の感光性セラミック材料からなる感光性セラミック層２１ａを形成する。感光性セラミック層２１ａは、感光性セラミック層１７ａと同様、所定の溶媒に対して可溶な感光性セラミック材料からなることが好ましい。このとき、感光性セラミック層２１ａの表面位置を導体パターン部７の表面位置に略一致させることが好ましい。これにより、得られるセラミックグリーンシートの表面を平坦化し易くなる。

（露光工程）
次に、図５(ｃ)に示されるように、基材１側から感光性セラミック層２１ａに露光を施す。具体的には、基材１の裏面１ｂに紫外線等の光Ｌを入射させる。光Ｌは、基材１、離型層３及びセラミック層１９ａを透過して感光性セラミック層２１ａに到達する。導体パターン部５，７の少なくともいずれか一方は、照射する光Ｌに対して遮光性を有する。このため、感光性セラミック層２１ａにおける導体パターン部７上の部分には光Ｌが照射されない。したがって、フォトマスクを用いる必要がないので、微細な導体パターン部５，７であっても高い位置精度を維持できる。

（現像工程）
次に、図５(ｄ)に示されるように、上記所定の溶媒を用いて、露光された感光性セラミック層２１ａを現像する。これにより、感光性セラミック層２１ａにおける導体パターン部７上の部分が除去され、セラミック層２１が形成される。また、上記所定の溶媒を用いてセラミック層１９ａがエッチングされることにより、セラミック層１９が形成される。その結果、セラミック層１９及びセラミック層２１からなるセラミック層９ｂが形成される。このようにして、セラミック層９ｂと導体パターン部５，７とを備えたセラミックグリーンシート４０が得られる。方法２では、方法１における全面エッチング処理を省略することができる。

続いて、図６を参照して、セラミック層９ｃを形成する方法３について説明する。

＜方法３＞
図６(ａ)〜図６(ｃ)は、セラミック層９ｃを形成する方法３を模式的に示す工程断面図である。図６(ａ)は、図１(ｄ)の後に続く図である。

（感光性セラミック層形成工程）
まず、図６(ａ)に示されるように、基材１上に、ネガ型の感光性セラミック材料からなる感光性セラミック層２３ａを形成する。感光性セラミック層２３ａは、感光性セラミック層１７ａと同様、所定の溶媒に対して可溶な感光性セラミック材料からなることが好ましい。このとき、感光性セラミック層２３ａは導体パターン部５，７を覆うように形成される。

（露光工程）
次に、図６(ｂ)に示されるように、基材１側から感光性セラミック層２３ａに露光を施す。具体的には、基材１の裏面１ｂに紫外線等の光Ｌを入射させる。光Ｌは、基材１及び離型層３を透過して感光性セラミック層２３ａに到達する。導体パターン部５，７の少なくともいずれか一方は、照射する光Ｌに対して遮光性を有する。このため、感光性セラミック層２３ａにおける導体パターン部７上の部分には光Ｌが照射されない。したがって、フォトマスクを用いる必要がないので、微細な導体パターン部５，７であっても高い位置精度を維持できる。また、所望の解像度を得るために、後述の現像処理条件と露光量とを適宜設定することができる。

（現像工程）
次に、図６(ｃ)に示されるように、上記所定の溶媒を用いて、露光された感光性セラミック層２３ａを現像する。これにより、感光性セラミック層２３ａにおける導体パターン部７上の部分が除去され、セラミック層９ｃが形成される。このとき、現像処理条件及び露光量を調整することにより、セラミック層９ｃの表面位置を導体パターン部７の表面位置に略一致させることが好ましい。その結果、セラミック層９ｃと、導体パターン部５，７とを備えたセラミックグリーンシート５０が得られる。

続いて、図７を参照して、セラミック層９ｃを形成する方法４について説明する。

＜方法４＞
図７(ａ)〜図７(ｃ)は、セラミック層９ｃを形成する方法４を模式的に示す工程断面図である。図７(ａ)は、図１(ｄ)の後に続く図である。

（感光性セラミック層形成工程）
まず、図７(ａ)に示されるように、基材１上に、ネガ型の感光性セラミック材料からなる感光性セラミック層２５ａを形成する。感光性セラミック層２５ａは、感光性セラミック層１７ａと同様、所定の溶媒に対して可溶な感光性セラミック材料からなることが好ましい。このとき、感光性セラミック層２５ａは導体パターン部５，７を覆うように形成される。このとき、感光性セラミック層２５ａの表面位置を導体パターン部７の表面位置に略一致させることが好ましい。これにより、得られるセラミックグリーンシートの表面を平坦化し易くなる。

（露光工程）
次に、図７(ｂ)に示されるように、基材１側から感光性セラミック層２５ａに露光を施す。具体的には、基材１の裏面１ｂに紫外線等の光Ｌを入射させる。光Ｌは、基材１及び離型層３を透過して感光性セラミック層２５ａに到達する。導体パターン部５，７の少なくともいずれか一方は、照射する光Ｌに対して遮光性を有する。このため、感光性セラミック層２５ａにおける導体パターン部７上の部分には光Ｌが照射されない。したがって、フォトマスクを用いる必要がないので、微細な導体パターン部５，７であっても高い位置精度を維持できる。

（現像工程）
次に、図７(ｃ)に示されるように、上記所定の溶媒を用いて、露光された感光性セラミック層２５ａを現像する。これにより、感光性セラミック層２５ａにおける導体パターン部７上の部分が除去され、セラミック層９ｃが形成される。その結果、セラミック層９ｃと、導体パターン部５，７とを備えたセラミックグリーンシート５０が得られる。

以上説明したように、本実施形態のセラミックグリーンシートの製造方法によれば、セラミックグリーンシート１０，３０，４０，５０が得られる。

表面１ａに離型処理が施された基材１上に微細な導体パターン部を直接形成すると、当該導体パターン部は基材１から剥離し易くなる。これに対して、本実施形態のセラミックグリーンシートの製造方法では、導体層５ａ上に導体パターン部７が形成されるので、導体パターン部７が微細化しても基材１から剥離し難い。導体パターン部７は、導体層５ａによって基材１に保持されている。また、導体層５ａをエッチングすることによって導体パターン部５を形成するので、導体パターン部５が微細化しても基材１から剥離し難い。例えば、溶解能の高い導体層５ａを用いると、導体パターン部７が剥離しない程度の弱いエッチングにより導体パターン部５を形成することができる。したがって、本実施形態のセラミックグリーンシートの製造方法を用いると、表面１ａに離型処理が施された基材１上に微細で高アスペクト比の導体パターン部５，７を形成できるので、導体パターン部５，７の小型化・高集積化を実現できる。また、例えば、導体パターン部５，７がポスト電極の場合、パッド電極が不要となる。さらに、セラミック層９ａ，９ｂ，９ｃよりも先に導体パターン部５，７を基材１上に形成するので、例えばスルーホールに導電ペーストを充填する工法を用いた場合に発生しがちであり、導電ペーストの充填不足等に起因する空隙が、導体パターン部５，７内には発生しない。

さらに、本実施形態では基材１側から露光を施すので、フォトマスクが不要となる。よって、導体パターン部５，７が微細化しても導体パターン部７の上面及び導体パターン部５の下面を簡便且つ確実に露出させることができると共に、得られるセラミックグリーンシートを簡便且つ確実に平坦化することができる。

また、導体パターン部７の厚さは導体層５ａの厚さよりも薄いことが好ましい。この場合、第１の導体パターン部形成工程において導体パターン部７がだれて広がってしまうことを抑制できる。このため、導体パターン部５，７を高精度にパターニングできる。

また、露光工程において、導体パターン部５が、露光方向から見て導体パターン部７よりも小さいことが好ましい。この場合、露光方向から見て導体パターン部５の外側に位置する感光性セラミック層１７ａ，２１ａ，２３ａ，２５ａに露光が施されるので、導体パターン部７の外側近傍に未露光部が残存し難くなる。よって、得られるセラミックグリーンシート３０，４０，５０において、セラミック層１７，２１，２３，２５と導体パターン部５，７との密着強度が向上する。また、露光方向から見て導体パターン部５が導体パターン部７よりも小さいと、セラミックグリーンシート３０，４０，５０を基材１から剥離する際に導体パターン部５，７が脱落することを抑制できる。

［第２実施形態］
図８(ａ)〜図８(ｄ)及び図９(ａ)〜図９(ｃ)は、第２実施形態に係るセラミックグリーンシートの製造方法を模式的に示す工程断面図である。

（離型処理工程）
まず、図８(ａ)に示されるように、光透過性の基材１の表面１ａに離型処理を施す。これにより、基材１の表面１ａ上には離型層３が形成される。

（導体層形成工程）
次に、図８(ｂ)に示されるように、表面１ａに離型処理が施された基材１上に、所定の溶媒に対して可溶性を有する導電材料からなる導体層５ａを形成する。

（第１の導体パターン部形成工程）
次に、図８(ｃ)に示されるように、導体層５ａ上に、所定の溶媒に対して不溶性を有する導電材料からなる第１の導体パターン部７を形成する。

導体パターン部７の厚さ（高さ）は、導体層５ａの厚さよりも薄いことが好ましい。この場合、第１の導体パターン部形成工程において導体パターン部７がだれて広がってしまうことを抑制できる。このため、導体パターン部７及び後述する導体パターン部５を高精度に形成できる。なお、図１０に示されるように、導体パターン部７の厚さと導体層５ａの厚さとを略同じにしてもよい。

（第２の導体パターン部形成工程）
次に、図８(ｄ)に示されるように、エッチング液（所定の溶媒）を用いて導体層５ａをエッチングすることにより第２の導体パターン部５を形成する。ここで、基材１の法線方向から見て導体パターン部５が導体パターン部７よりも小さくなるようにエッチングすることが好ましい。導体層５ａが等方エッチングされると、導体パターン部７に近付くに連れて細くなる形状（テーパ形状）を有する導体パターン部５が形成される。

（感光性セラミック層形成工程）
次に、図９(ａ)に示されるように、上述の方法４と同様の方法で、感光性セラミック材料からなる感光性セラミック層２５ａを基材１上に形成する。なお、図１１に示されるように、上述の方法３と同様の方法で、感光性セラミック材料からなる感光性セラミック層２３ａを基材１上に形成するとしてもよい。

（露光工程）
次に、図９(ｂ)に示されるように、基材１側から感光性セラミック層２５ａに露光を施す。具体的には、基材１の裏面１ｂに紫外線等の光Ｌを入射させる。導体パターン部７又は導体パターン部５，７両方は、照射する光Ｌに対して遮光性を有する。このため、感光性セラミック層２５ａにおける導体パターン部７上の部分には光Ｌが照射されない。ここで、導体パターン部５が、露光方向から見て導体パターン部７よりも小さいことが好ましい。これにより、露光方向から見て導体パターン部７の外側に位置する感光性セラミック層２５ａに、確実に光Ｌが照射されるので、露光方向から見た導体パターン部７の外側近傍に未露光部（未硬化部）が残存し難くなる。

なお、露光条件によっては、感光性セラミック層２５ａにおいて導体パターン５の陰になる部分が光Ｌの散乱光によって露光される場合がある。この散乱光は、感光性セラミック層２５ａ中で光Ｌが散乱することにより得られる。

（現像工程）
次に、図９(ｃ)に示されるように、感光性セラミック層２５ａを現像することにより基材１上にセラミック層９ｃを形成する。このようにして、セラミック層９ｃと導体パターン部５，７とを備えるセラミックグリーンシート５０が得られる。なお、セラミック層９ｃに代えて、例えば、上述の方法１又は方法２を用いてセラミック層９ａ，９ｂを形成するとしてもよい。

本実施形態のセラミックグリーンシートの製造方法においても、上記第１実施形態と同様に、表面１ａに離型処理が施された基材１上に微細な導体パターン部５，７を形成できる。また、露光工程においてフォトマスクを用いる必要がないので、微細な導体パターン部５，７であっても高い位置精度を維持できると共に、得られるセラミックグリーンシート５０を簡便且つ確実に平坦化することができる。

また、露光方向から見て導体パターン部５が導体パターン部７よりも小さいと、得られるセラミックグリーンシート５０において、セラミック層９ｃと導体パターン部５，７との密着強度が向上する。このため、セラミックグリーンシート５０を基材１から剥離する際に導体パターン部５，７が脱落し難くなる。また、露光方向から見て導体パターン部５が導体パターン部７よりも小さいと、セラミックグリーンシート５０を基材１から剥離する際に導体パターン部５，７がセラミック層９ｃから抜け出し難くなる。したがって、セラミックグリーンシート５０において導体パターン部５，７を微細化できる。

［導体パターン部の形状］
続いて、図１２及び図１３を参照して、上記第１実施形態に係るセラミックグリーンシートの製造方法により形成される導体パターン部５，７の形状について説明する。図１２(ａ)、図１２(ｂ)、図１３(ａ)及び図１３(ｂ)は、基材１上に形成された導体パターン部５，７の斜視図である。図１２及び図１３には、導体パターン部５，７の形状の具体例が示されている。なお、第２実施形態に係るセラミックグリーンシートの製造方法により形成される導体パターン部５，７の形状についても同様の形状が考えられる。

図１２(ａ)に示されるように、導体パターン部５，７は円柱状であるとしてもよい。この場合、円柱の直径を５０μｍ以下にすることができる。また、図１２(ｂ)に示されるように、導体パターン部５，７は角柱状であるとしてもよい。図１２(ａ)及び図１２(ｂ)に示される導体パターン部５，７は、例えばポスト電極として使用される。

また、基材１及び離型層３の面方向に沿った導体パターン部５，７の断面形状は、導体パターン部７の頂面７ｔ及び導体パターン部５の底面５ｂに接続される配線パターン部の幅や形状に応じて任意に調整される。このような導体パターン部５，７の断面形状としては、例えば、円形（図１２(ａ)参照）、方形（図１２(ｂ)参照）等が挙げられる。導体パターン部５，７の断面の面積を小さくしたい場合には、上記断面形状を円形にすることが有効である。

図１３(ａ)に示されるように、導体パターン部５，７は回路を形成していてもよい。図１３(ａ)に示される導体パターン部５，７は、例えばインダクタの巻回パターン部として使用される。なお、導体パターン部５，７のいずれか一方又は両方の厚さを変えてもよい。このとき、導体パターン部５，７の形成条件（例えば溶解性や溶解条件）を適宜調整するとしてもよい。また、所望の電気特性を得るために導体パターン部５，７のパターン幅を狭くしつつパターン断面積を大きくしたい場合に、導体パターン部５，７のいずれか一方又は両方の厚さを厚くすることが有効である。

また、図１３(ｂ)に示されるように、導体パターン部５，７が高アスペクト比のラインパターン形状を有するとしてもよい。導体パターン部５，７の厚さは、例えば導体パターン部５，７のライン幅よりも大きく設定される。また、複数の導体パターン部５，７が高密度のラインパターン形状を有するとしてもよい。各導体パターン部５，７のライン幅は、例えば各導体パターン部５，７間のスペース幅よりも大きく設定される。この場合、導体パターン部５，７は高密度配線として使用される。さらに、導体パターン部５，７が高アスペクト比且つ高密度のラインパターン形状を有するとしてもよい。上記セラミックグリーンシートの製造方法を用いると、導体パターン部５，７のライン幅又はスペース幅を３０μｍ未満にすることができる。

なお、図１２及び図１３に示される導体パターン部５，７の各エッジは面取りされていてもよい。

［第１実施形態の他の例］
続いて、図１４〜図１６を参照して、上記第１実施形態の他の例について説明する。なお、上記第２実施形態についても同様に他の例が考えられる。

図１４(ａ)〜図１４(ｄ)は、セラミックグリーンシート８０の製造方法を模式的に示す工程断面図である。図１４(ａ)は、図１(ｄ)の後に続く図である。

まず、図１４(ａ)に示されるように、基材１上にセラミック層９ｄを形成する。このとき、導体パターン部７は露出している。セラミック層９ｄは、セラミック層９と同様に形成され、具体的には、例えば上述の方法１〜方法４のいずれか一つを用いて形成される。

次に、図１４(ｂ)に示されるように、セラミック層９ｄ上に導体層１４を形成する。導体層１４は、一方の導体パターン部７に電気的に接続されており、他方の導体パターン部７には電気的に接続されていない。導体層１４は、例えばパターン電極層である。

次に、図１４(ｃ)に示されるように、導体パターン部７及び導体層１４を覆うように、セラミック層９ｄ上にセラミック層１８ａを形成する。セラミック層１８ａは、所定の溶媒に対して可溶な絶縁材料からなることが好ましい。

次に、図１４(ｄ)に示されるように、上記所定の溶媒を用いてセラミック層１８ａをエッチングすることにより、セラミック層９ｄ上にセラミック層１８を形成する。このとき、導体パターン部７は露出している。これにより、セラミックグリーンシート８０が得られる。なお、導体層１４上にセラミック層１８ａの一部が残存していてもよい。

図１５(ａ)は、セラミックグリーンシート８０の平面図であり、図１５(ｂ)は、図１５(ａ)のXVb−XVb線に沿った断面図である。一対の導体パターン部７，７は互いに絶縁されている。

図１６(ａ)は、セラミックグリーンシート８１の平面図であり、図１６(ｂ)は、図１６(ａ)のXVIb−XVIb線に沿った断面図である。セラミックグリーンシート８１はセラミックグリーンシート８０の変形例である。セラミックグリーンシート８１における一対の導体パターン部７，７間の距離は、セラミックグリーンシート８０におけるそれよりも大きく設定されている。

続いて、図１７を参照して、上記セラミックグリーンシート１０上に導体部２７及びセラミック層２９を形成する方法ａについて説明する。

＜方法ａ＞
図１７(ａ)〜図１７(ｄ)は、セラミックグリーンシート１０上に導体部２７及びセラミック層２９を形成する方法ａを模式的に示す工程断面図である。図１７(ａ)は、図１(ｅ)の後に続く図である。

まず、図１７(ａ)に示されるように、セラミックグリーンシート１０上にパターニングされた導体部２７を形成する。導体部２７は、導体パターン部７に電気的に接続するように形成される。また、導体部２７は、例えば印刷機によるパターン印刷により形成される電極部である。導体部２７は、例えば、インダクタの巻回パターン部となる。

次に、図１７(ｂ)に示されるように、導体部２７を覆うようにネガ型の感光性セラミック材料からなる感光性セラミック層２９ａをセラミックグリーンシート１０上に形成する。感光性セラミック層２９ａは、所定の溶媒に対して可溶な感光性セラミック材料からなることが好ましい。

次に、図１７(ｃ)に示されるように、基材１側から感光性セラミック層２９ａに光Ｌを照射する。具体的には、基材１の裏面１ｂに光Ｌを入射させる。照射する光Ｌに対して導体部２７が遮光性を有し、且つ、セラミック層９が光透過性を有している場合、感光性セラミック層２９ａにおける導体部２７上の部分には光Ｌが照射されない。また、所望の解像度を得るために、後述の現像処理条件と露光量とを適宜設定することができる。

次に、図１７(ｄ)に示されるように、上記所定の溶媒を用いて、露光された感光性セラミック層２９ａを現像することにより、感光性セラミック層２９ａにおける導体部２７上の部分が除去され、セラミック層２９が形成される。このとき、現像処理条件及び露光量を調整することにより、セラミック層９の表面位置を導体部２７の表面位置に略一致させることが好ましい。その結果、セラミック層２９、導体部２７及びセラミックグリーンシート１０を備えたセラミックグリーンシート６０が得られる。

続いて、図１８及び図１９を参照して、セラミックグリーンシート１０上に導体部２７及びセラミック層２９を形成する方法ｂについて説明する。

＜方法ｂ＞
図１８(ａ)〜図１８(ｄ)は、セラミックグリーンシート１０上に導体部２７及びセラミック層２９を形成する方法ｂを模式的に示す工程断面図である。図１８(ａ)は、図１(ｅ)の後に続く図である。図１９は、図１８(ｃ)に示される工程断面図の他の例を示す工程断面図である。

まず、図１８(ａ)に示されるように、セラミックグリーンシート１０上にパターニングされた導体部２７を形成する。導体部２７は、導体パターン部７に電気的に接続するように形成される。

次に、図１８(ｂ)に示されるように、導体部２７を覆うようにネガ型の感光性セラミック材料からなる感光性セラミック層３１ａをセラミックグリーンシート１０上に形成する。感光性セラミック層３１ａは、所定の溶媒に対して可溶な感光性セラミック材料からなることが好ましい。このとき、感光性セラミック層３１ａの表面位置を導体部２７の表面位置に略一致させることが好ましい。これにより、得られるセラミックグリーンシートの表面を平坦化し易くなる。

次に、図１８(ｃ)に示されるように、マスク３３を介して感光性セラミック層３１ａに露光を施す。マスク３３は、導体部２７に対応するパターン形状を有する遮光部３３ｂと、遮光部３３ｂを取り囲む光透過部３３ａとを備える。このため、感光性セラミック層３１ａにおける導体部２７上の部分には光Ｌが照射されない。マスク３３としては、例えばガラスマスク、フィルムマスク等が挙げられる。なお、マスク３３を用いずに、感光性セラミック層３１ａの所定部分にレーザ光を選択的に照射するとしてもよい。レーザ光を照射する際には、レーザ描画装置を好適に用いることができる。

なお、図１９に示されるように、マスク３３を用いずに、基材１側から感光性セラミック層３１ａに光Ｌを照射するとしてもよい。具体的には、基材１の裏面１ｂに光Ｌを入射させる。照射する光Ｌに対して導体部２７が遮光性を有し、且つ、セラミック層９が光透過性を有している場合、感光性セラミック層３１ａにおける導体部２７上の部分には光Ｌが照射されない。

次に、図１８(ｄ)に示されるように、上記所定の溶媒を用いて、露光された感光性セラミック層３１ａを現像することにより、感光性セラミック層３１ａにおける導体部２７上の部分が除去され、セラミック層２９が形成される。その結果、セラミック層２９、導体部２７及びセラミックグリーンシート１０を備えたセラミックグリーンシート６０が得られる。

なお、上記方法ａ及び方法ｂにおいて、セラミックグリーンシート１０に代えて、セラミックグリーンシート３０，４０，５０のいずれか一つを用いることもできる。

上記各実施形態に係るセラミックグリーンシートの製造方法により製造されるセラミックグリーンシート（例えば、セラミックグリーンシート１０，３０，４０，５０，６０，８０，８１）等を焼成すると、例えば図２０〜図２２に示されるようにセラミック電子部品を製造することができる。このようなセラミック電子部品の製造方法を用いれば、微細で高アスペクト比の導体パターン部を有するセラミック電子部品が得られる。

セラミック電子部品としては、例えば、回路基板；インダクタ；コンデンサ；バリスタ；ＮＴＣ（Negative Temperature Coefficient）サーミスタ、ＰＴＣ（Positive Temperature Coefficient）サーミスタ等のサーミスタ；アクチュエータ；及びこれらの積層品又は複合部品等が挙げられる。上記積層品としては、例えば多層基板等が挙げられ、上記複合部品としては、例えばＬＣフィルタ等が挙げられる。

図２０(ａ)〜図２０(ｃ)は、多層基板の製造方法の一例を模式的に示す工程断面図である。まず、図２０(ａ)に示されるように、上記セラミックグリーンシートの製造方法により製造されるセラミックグリーンシート４０、及び、セラミックグリーンシート１０１〜１０３等を積層する。セラミックグリーンシート１０１，１０３は、例えば絶縁材料からなる。セラミックグリーンシート１０２は、例えば、導体層１０２ｂと、導体層１０２ｂを取り囲む絶縁層１０２ａとからなる。続いて、必要に応じて、積層方向にプレスし、切断することにより、図２０(ｂ)に示される積層体１１０が得られる。その後、積層体１１０を焼成することにより、図２０(ｃ)に示される多層基板１２０を得る（焼成工程）。多層基板１２０は、例えば、導体部１２０ｂと、導体部１２０ｂを取り囲む絶縁部１２０ａとからなる。また、セラミックグリーンシート４０の導体パターン部５，７は、多層基板１２０のポスト電極（図１２(ａ)及び図１２(ｂ)参照）又は配線パターン部（図１３(ａ)及び図１３(ｂ)参照）となる。

図２１(ａ)〜図２１(ｄ)は、インダクタの製造方法の一例を模式的に示す工程断面図である。まず、図２１(ａ)に示されるように、上記セラミックグリーンシートの製造方法により製造されるセラミックグリーンシート１０，４０，７０、及び、セラミックグリーンシート２０２等を積層する。セラミックグリーンシート２０２は、例えば絶縁材料からなる。セラミックグリーンシート７０は、例えば、セラミックグリーンシート４０上に導体部２７と、セラミック層２９とが形成されたものである。本例では、セラミックグリーンシート１０の導体パターン部５，７は、ポスト電極（図１２(ａ)及び図１２(ｂ)参照）となり、セラミックグリーンシート４０の導体パターン部５，７は、巻回パターン部（図１３(ａ)参照）となる。ただし、セラミックグリーンシート７０においては、導体部２７が巻回パターン部となり、セラミックグリーンシート４０の導体パターン部５，７がポスト電極となる。まず、ポスト電極及び巻回パターン部が、巻回パターン部の中心に対して９０°ずつ回転して配置されたセラミックグリーンシート１０，４０（セラミックグリーンシート１０，４０に代えてセラミックグリーンシート７０を用いてもよい）を複数作製し、それらを交互に積層することにより、コイルが形成される。

続いて、必要に応じて、積層方向にプレスし、切断することにより、図２１(ｂ)に示される積層体２１０が得られる。その後、積層体２１０を焼成することにより、図２１(ｃ)に示される焼成体２２０を得る（焼成工程）。焼成体２２０は、例えば、導体部２２０ｂと、導体部２２０ｂを取り囲む絶縁部２２０ａとからなる。続いて、焼成体２２０の表面上に端子２２１を形成することにより、焼成体２２０の表面に露出した導体部２２０ｂに端子２２１を電気的に接続する。これにより、図２１(ｄ)に示されるインダクタ２３０を得る。

図２２(ａ)〜図２２(ｄ)は、コンデンサの製造方法の一例を模式的に示す工程断面図である。まず、図２２(ａ)に示されるように、上記セラミックグリーンシートの製造方法により製造されるセラミックグリーンシート８０、及び、セラミックグリーンシート３０１を積層する。セラミックグリーンシート３０１は、例えば絶縁材料からなる。続いて、必要に応じて、積層方向にプレスし、切断することにより、図２２(ｂ)に示される積層体３１０が得られる。その後、積層体３１０を焼成することにより、図２２(ｃ)に示される焼成体３２０を得る（焼成工程）。焼成体３２０は、例えば、導体部３２０ｂと、導体部３２０ｂを取り囲む絶縁部３２０ａとからなる。続いて、焼成体３２０の表面上に端子３２１を形成することにより、焼成体３２０の表面に露出した導体部３２０ｂに端子３２１を電気的に接続する。これにより、図２２(ｄ)に示されるコンデンサ３３０を得る。コンデンサ３３０は底面端子構造を有している。また、セラミックグリーンシート８０の導体パターン部５，７は、コンデンサ３３０のポスト電極となる。

以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されない。

図１(ａ)〜図１(ｅ)は、第１実施形態に係るセラミックグリーンシートの製造方法を模式的に示す工程断面図である。 図２(ａ)及び図２(ｂ)は、それぞれ、図１(ｂ)及び図１(ｃ)に示される工程断面図の他の例を示す工程断面図である。 図３(ａ)〜図３(ｅ)は、セラミック層を形成する方法１を模式的に示す工程断面図である。 図３(ｂ)に示される工程断面図の他の例を示す工程断面図である。 図５(ａ)〜図５(ｄ)は、セラミック層を形成する方法２を模式的に示す工程断面図である。 図６(ａ)〜図６(ｃ)は、セラミック層を形成する方法３を模式的に示す工程断面図である。 図７(ａ)〜図７(ｃ)は、セラミック層を形成する方法４を模式的に示す工程断面図である。 図８(ａ)〜図８(ｄ)は、第２実施形態に係るセラミックグリーンシートの製造方法を模式的に示す工程断面図である。 図９(ａ)〜図９(ｃ)は、第２実施形態に係るセラミックグリーンシートの製造方法を模式的に示す工程断面図である。 図８(ｃ)に示される工程断面図の他の例を示す工程断面図である。 図９(ａ)に示される工程断面図の他の例を示す工程断面図である。 図１２(ａ)及び図１２(ｂ)は、基材上に形成された導体パターン部の斜視図である。 図１３(ａ)及び図１３(ｂ)は、基材上に形成された導体パターン部の斜視図である。 図１４(ａ)〜図１４(ｄ)は、セラミックグリーンシートの製造方法を模式的に示す工程断面図である。 図１５(ａ)は、セラミックグリーンシートの平面図であり、図１５(ｂ)は、図１５(ａ)のXVb−XVb線に沿った断面図である。 図１６(ａ)は、セラミックグリーンシートの平面図であり、図１６(ｂ)は、図１６(ａ)のXVIb−XVIb線に沿った断面図である。 図１７(ａ)〜図１７(ｄ)は、セラミックグリーンシート上に導体部及びセラミック層を形成する方法ａを模式的に示す工程断面図である。 図１８(ａ)〜図１８(ｄ)は、セラミックグリーンシート上に導体部及びセラミック層を形成する方法ｂを模式的に示す工程断面図である。 図１８(ｃ)に示される工程断面図の他の例を示す工程断面図である。 図２０(ａ)〜図２０(ｃ)は、多層基板の製造方法の一例を模式的に示す工程断面図である。 図２１(ａ)〜図２１(ｄ)は、インダクタの製造方法の一例を模式的に示す工程断面図である。 図２２(ａ)〜図２２(ｄ)は、コンデンサの製造方法の一例を模式的に示す工程断面図である。

符号の説明

１ａ…表面、１ｂ…裏面、１…基材、３…離型層、５ａ…導体層、７…導体パターン部（第１の導体パターン部）、５…導体パターン部（第２の導体パターン部）、Ｌ…光、１７ａ，２１ａ，２３ａ，２５ａ…感光性セラミック層、９，９ａ，９ｂ，９ｃ…セラミック層、１０，３０，４０，５０，６０，７０，８０，８１…セラミックグリーンシート、１２０…多層基板（セラミック電子部品）、２３０…インダクタ（セラミック電子部品）、３３０…コンデンサ（セラミック電子部品）。

Claims (5)

1. 表面に離型処理が施された光透過性の基材上に、所定の溶媒に対して可溶性を有する導電材料からなる導体層を形成する導体層形成工程と、
   前記導体層上に、前記所定の溶媒に対して不溶性を有する導電材料からなる第１の導体パターン部を形成する第１の導体パターン部形成工程と、
   前記第１の導体パターン部形成工程の後、前記所定の溶媒を用いて前記導体層をエッチングすることにより第２の導体パターン部を形成する第２の導体パターン部形成工程と、
   前記第２の導体パターン部形成工程の後、別の所定の溶媒に対して可溶な絶縁材料からなる可溶性セラミック層を前記基材上に形成する可溶性セラミック層形成工程と、
   前記可溶性セラミック層形成工程の後、感光性セラミック材料からなる感光性セラミック層を前記可溶性セラミック層上に形成する感光性セラミック層形成工程と、
   前記基材側から前記感光性セラミック層に露光を施す露光工程と、
   前記露光工程の後、前記別の所定の溶媒を用いて前記感光性セラミック層を現像することにより前記基材上にセラミック層を形成する現像工程と、
   を含み、
   前記第１の導体パターン部及び前記第２の導体パターン部の少なくともいずれか一方は、露光時に照射する光に対して遮光性を有し、
   前記可溶性セラミック層は、露光時に照射する光を透過する、セラミックグリーンシートの製造方法。
2. 前記可溶性セラミック層は、前記感光性セラミック層よりも厚く形成される、請求項１に記載のセラミックグリーンシートの製造方法。
3. 前記第１の導体パターン部の厚さは、前記導体層の厚さよりも薄い、請求項１又は２に記載のセラミックグリーンシートの製造方法。
4. 前記露光工程において、前記第２の導体パターン部が、露光方向から見て前記第１の導体パターン部よりも小さい、請求項１〜３のいずれか一項に記載のセラミックグリーンシートの製造方法。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載のセラミックグリーンシートの製造方法により製造されるセラミックグリーンシートを焼成する焼成工程を含む、セラミック電子部品の製造方法。

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