JP4290780B2 - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、帯電防止材料、熱線カットフィルター材料、紫外線カットフィルター材料、電磁波シールド材料又は液晶ディスプレイ、タッチパネル及びプラズマディスプレイ等の透明電極材料、或は窓ガラス等用の氷結防止ヒーター等に利用される導電材料の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、透明導電膜を製造する手段は複数あるが、主に蒸着法及び塗布法の２つの方法に大別される。前者では、金属或は金属酸化物材料の真空蒸着或はスパッタリング等が採用されてきた。後者の塗布法においては、金属アルコキシドの加水分解と重縮合反応を利用するゾル−ゲル法により基体に金属酸化物薄膜を形成する方法、更には金属或は金属酸化物粒子を有機バインダー中に分散させた溶液を塗布する方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、これらの従来技術は、前者の蒸着法では比較的高度な真空を要するため製造コストが高く、又、量産性に難点があった。後者の塗布法では、ゾル−ゲル法の場合、十分な導電性を得るためには、一般には４００℃以上の熱処理を必要とする。この点に関して、低温成膜を目的とし、ＵＶ等の熱以外のエネルギーを用いることで導電性を向上させる試みが為されている。しかし、一般にコーティング液となるゾル液の反応性が高く、不安定なため、塗布法の利点を生かした製品の開発、例えば、大面積の透明導電膜の塗布等による形成が行えなかった。又、原材料のコストが高いという難点もあった。
【０００４】
一方、微粒子溶液を用いる方法は、コーティング液が安定且つ比較的安価で、量産性に優れた方法である。しかし、バインダー成分や分散剤等の有機物が膜中に残存するため、又、蒸着膜のような粒子同士の繋がりができないため、導電性等の性能が蒸着法よりも劣っている等の問題点があった。
本発明は、これらの問題点を解決するために為されたもので、比較的低温度の膜形成でも優れた導電性を示し、大面積の透明導電膜の塗布等による形成が可能であり、量産性及びコスト面で優れた透明導電膜とその製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的は以下の本発明によって達成される。即ち、本発明は、平均一次粒子径が１ｎｍ〜５００ｎｍの無機導電性微粒子を溶媒に分散させた、バインダー成分を含有しないコーティング液を、基体上に塗布および乾燥し、この塗布膜にレーザを線源とする活性エネルギー線、又は電子線を照射することで塗布膜中の残留有機物を除去する工程のみで、無機導電性微粒子同士を繋げることを特徴とする透明導電膜の製造方法を提供する。
【０００６】
本発明者が鋭意検討を行った結果、活性エネルギー線照射を無機導電性微粒子を主成分をする塗布膜に対して行うことにより、微粒子塗布膜でも優れた導電性を示す透明導電膜が得られることを知見し、本発明に至った。
【０００７】
【発明の実施の形態】
次に好ましい実施の形態を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
本発明の重要な特徴は、塗布膜に活性エネルギー線を照射することにより、導電性発現を阻害している因子を減らすことにある。詳述すると、活性エネルギー線により塗布膜中の残留有機物が減少し、更に無機導電性微粒子同士が繋がることにより、膜の導電特性が無機導電性微粒子が本来持ち合わせている導電特性により近づくことである。
【０００８】
本発明において透明導電膜が形成される基体としては、特に限定する必要はなく、ガラス、金属、プラスチック、紙、木材等の板状のもの、フィルム状のもの或いは成形体等を用いることができる。
本発明においては、まず、上記基体に無機導電性微粒子溶液が塗布される。この場合、無機微粒子は導電性を持つものであればよく、特に限定されないが、例えばＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｂ等の単独金属酸化物やそれらの複合酸化物等が挙げられるが、導電性の優れているＩＴＯを用いるのが好ましい。又、塗布膜の透明性の点から、その粒子径が１ｎｍ〜５００ｎｍの範囲である方が好ましい。
【０００９】
本発明で用いる無機導電性微粒子は、溶剤に均一に分散されているものであればよく、どのような製法で作られたものでも使用できる。無機微粒子の製法は特には限定されないが、作製する導電性微粒子に必要な金属種、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｂ等の金属或いはそれらの塩化物等の金属化合物を原料とし、それらを単独或いは複数併せて使用する。これらの原料を塩酸等の酸で溶解し、水溶液又は溶媒液を得、それに炭酸水素アンモニウム等の析出剤を加え、微粒子を析出させる。このままコーティング液として用いてもよく、それらの析出微粒子を加熱処理した後、溶剤に再分散させてコーティング液としてもよい。又、原料として金属アルコキシドを用いてもよい。
【００１０】
無機導電性微粒子溶液の溶媒としては、基体上に塗布した後、除去させる必要があるために揮発性の溶媒が好ましいが、特に限定されない。例えば、エチルアルコール、メチルアルコール、ｉｓｏ−プロピルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、ｎ−ブトキシアルコール、ｓｅｃ−ブトキシアルコール、ｔｅｒｔ−ブトキシアルコール等のアルコール、水、酢酸エチル、酢酸メチル、２−メトキシ酢酸エチル等の酢酸エステル、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ポリエチレングリコール等のエチレングリコール、エチレングリコールモノエチルエーテル等のエチレングリコールアルキルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル、ジメチルフォルムアミド、ジメチルスルフォキシド、キシレン、クロロベンゼン、ジオキサン、酢酸イソアミル等が挙げられる。
【００１１】
本発明で使用する無機導電性微粒子を含有する溶液は、前記無機導電性微粒子を上記溶媒中に溶解分散させて調製される。このようにして得られた分散溶液の固形分濃度は約１〜３０重量％が適当であり、濃度が低過ぎると塗布膜が連続膜にならない等の問題があり、一方、濃度が高過ぎると微粒子が二次凝集を起こし、塗布膜の透明性を損なう等の問題がある。又、無機導電性微粒子溶液中には、必要に応じて分散剤等の添加剤を含有させることができる。例えば、アセチルアセトン、エチルアセチルアセトン等のベータジケトンが適宜用いられる。
【００１２】
上記無機導電性微粒子溶液の基体上への塗布方法としては、スプレー、ディップ、バーコーティング、ロールコート、スピンコート、ブレードコート、フレキソ印刷等の各種方法が可能である。又、オフセット印刷或はスクリーン印刷法でのパターン印刷法も採用可能である。この場合、塗布後に乾燥を行なうと、溶剤の蒸発とともに微粒子同士の接触が事前に促され、その後の活性エネルギー線照射が効果的になり好ましい。加熱による乾燥を行なう場合には、基体の耐熱性を有する範囲であれば如何なる温度でもよい。例えば、プラスチック基板を用いる場合等は室温〜２５０℃である。以上において微粒子溶液の基体に対する塗布量は、その用途によって異なるが、一般的には固形分換算で約０．０１〜１ｇ／ｍ2の範囲が好適であり、塗布量が少な過ぎると塗布膜が連続膜にならない等の問題があり、一方、塗布量が多過ぎると塗布膜の透明性を損なう等の問題がある。
【００１３】
本発明においては、このように基体上に無機導電性微粒子溶液を塗布した後、その塗膜に活性エネルギー線照射を行なう。上記活性エネルギー線としては、エキシマレーザ、高調波発生ＹＡＧレーザ、他各種レーザを線源とする波長１ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線が残留有機物の除去には効果的であり、好ましい。
【００１４】
又、その中でも最大瞬間エネルギーの高いレーザ、例えば、エキシマレーザ、高調波発生ＹＡＧレーザが効果的である。これらのレーザを用いる場合の照射エネルギー密度は１〜１０００ｍＪ／ｃｍ２の範囲であることが望ましく、それより低い場合は残留有機物を除去することができず、又、それより大きい場合は膜自身が破壊されるために所望の特性が得られない。活性エネルギー線は、電子線でもその効果を発揮する。この場合、線量は１０〜１０００Ｍｒａｄの範囲であることが望ましい。
【００１５】
【実施例】
以下、実施例及び比較例により本発明を詳細に説明する。尚、以下の説明で示される実施例は本発明の範囲内の好適例に過ぎない。従って、本発明が以下に示す実施例にのみ限定されるものではない。
１．ＩＴＯ微粒子溶液の調製
体積抵抗値（１００ｋｇ／ｃｍ：加圧時測定値）１０-2Ωｃｍ、平均一次粒子径が２０ｎｍのＩＴＯ微粒子（Ｉｎ２Ｏ３／ＳｎＯ２比は９５／５重量比）５ｇを、イソプロピルアルコール９４ｇにアセチルアセトン１ｇを添加した溶媒に均一に分散し、ＩＴＯ微粒子溶液（固形分濃度７重量％）とした。
【００１６】
２．膜形成方法
次に、上述のように調製したＩＴＯ微粒子溶液を石英ウエハ（（株）信越化学製）上に、スピンコーティング法により５００ｒｐｍで５秒、そして１，５００ｒｐｍで１５秒の条件で塗布する（塗布量：固形分約０．２ｇ／ｍ２）。これを循環式クリーンオーブンにて１２０℃及び３０分間の条件で予備乾燥する。
【００１７】
実施例１
予備乾燥後に、エキシマレーザ（ラムダフィジックス社製）にて、波長３０８ｎｍ及びエネルギー密度２００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を塗布膜に照射した。照射パルス数は１パルスである。以上のようにして膜厚約１，５００Åの透明導電膜を得た。
【００１８】
実施例２
予備乾燥後に、４倍高調波ＹＡＧレーザ（Photonics Industries International社製）にて、波長２６６ｎｍ及びエネルギー密度２０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を塗布膜に照射した。照射パルス数は１００パルスである。以上のようにして膜厚約１，５００Åの透明導電膜を得た。
【００１９】
実施例３
予備乾燥後に、電子線照射装置Curetron（日新ハイボルテージ社製）にて、線量１００Ｍｒａｄの電子線を塗布膜に照射した。以上のようにして膜厚約１，５００Åの透明導電膜を得た。
【００２０】
比較例
前述の実施例において、活性エネルギー線線照射工程を除いた点以外は、実施例と同様にして膜を形成した。
【００２１】
３．透明導電膜の評価
上述のようにして得られた実施例及び比較例の透明導電膜について、比抵抗の評価を行った。尚、比抵抗評価には三菱油化（株）製の四端針法抵抗測定機を用いた。その結果、本実施例により得られた透明導電膜の比抵抗はいずれも１０-2Ωｃｍの値を示した。以下に結果を示す。
実施例 比抵抗（Ωｃｍ）
実施例１ ３．０×１０-2
実施例２ ２．８×１０-2
実施例３ ４．５×１０-2
比較例 ７．７×１０+1
【００２２】
【発明の効果】
本発明による透明導電膜は、無機導電性微粒子分散溶液を塗布する方法でありながら、活性エネルギー線を照射することにより実用上充分な導電性を有することができる。即ち、活性エネルギー線照射により、導電性を低下させている残留有機物の除去や、微粒子同士の繋がりができ、膜の導電特性が、無機導電性微粒子が本来持ち合わせている導電特性に近づくのである。従って、本発明によれば比較的低温度の膜形成でも優れた導電性を示し、大面積の透明導電膜の塗布形成が可能であり、量産性及びコスト面で優れた透明導電膜を得ることができる。
【発明の属する技術分野】
本発明は、帯電防止材料、熱線カットフィルター材料、紫外線カットフィルター材料、電磁波シールド材料又は液晶ディスプレイ、タッチパネル及びプラズマディスプレイ等の透明電極材料、或は窓ガラス等用の氷結防止ヒーター等に利用される導電材料の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、透明導電膜を製造する手段は複数あるが、主に蒸着法及び塗布法の２つの方法に大別される。前者では、金属或は金属酸化物材料の真空蒸着或はスパッタリング等が採用されてきた。後者の塗布法においては、金属アルコキシドの加水分解と重縮合反応を利用するゾル−ゲル法により基体に金属酸化物薄膜を形成する方法、更には金属或は金属酸化物粒子を有機バインダー中に分散させた溶液を塗布する方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、これらの従来技術は、前者の蒸着法では比較的高度な真空を要するため製造コストが高く、又、量産性に難点があった。後者の塗布法では、ゾル−ゲル法の場合、十分な導電性を得るためには、一般には４００℃以上の熱処理を必要とする。この点に関して、低温成膜を目的とし、ＵＶ等の熱以外のエネルギーを用いることで導電性を向上させる試みが為されている。しかし、一般にコーティング液となるゾル液の反応性が高く、不安定なため、塗布法の利点を生かした製品の開発、例えば、大面積の透明導電膜の塗布等による形成が行えなかった。又、原材料のコストが高いという難点もあった。
【０００４】
一方、微粒子溶液を用いる方法は、コーティング液が安定且つ比較的安価で、量産性に優れた方法である。しかし、バインダー成分や分散剤等の有機物が膜中に残存するため、又、蒸着膜のような粒子同士の繋がりができないため、導電性等の性能が蒸着法よりも劣っている等の問題点があった。
本発明は、これらの問題点を解決するために為されたもので、比較的低温度の膜形成でも優れた導電性を示し、大面積の透明導電膜の塗布等による形成が可能であり、量産性及びコスト面で優れた透明導電膜とその製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的は以下の本発明によって達成される。即ち、本発明は、平均一次粒子径が１ｎｍ〜５００ｎｍの無機導電性微粒子を溶媒に分散させた、バインダー成分を含有しないコーティング液を、基体上に塗布および乾燥し、この塗布膜にレーザを線源とする活性エネルギー線、又は電子線を照射することで塗布膜中の残留有機物を除去する工程のみで、無機導電性微粒子同士を繋げることを特徴とする透明導電膜の製造方法を提供する。
【０００６】
本発明者が鋭意検討を行った結果、活性エネルギー線照射を無機導電性微粒子を主成分をする塗布膜に対して行うことにより、微粒子塗布膜でも優れた導電性を示す透明導電膜が得られることを知見し、本発明に至った。
【０００７】
【発明の実施の形態】
次に好ましい実施の形態を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
本発明の重要な特徴は、塗布膜に活性エネルギー線を照射することにより、導電性発現を阻害している因子を減らすことにある。詳述すると、活性エネルギー線により塗布膜中の残留有機物が減少し、更に無機導電性微粒子同士が繋がることにより、膜の導電特性が無機導電性微粒子が本来持ち合わせている導電特性により近づくことである。
【０００８】
本発明において透明導電膜が形成される基体としては、特に限定する必要はなく、ガラス、金属、プラスチック、紙、木材等の板状のもの、フィルム状のもの或いは成形体等を用いることができる。
本発明においては、まず、上記基体に無機導電性微粒子溶液が塗布される。この場合、無機微粒子は導電性を持つものであればよく、特に限定されないが、例えばＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｂ等の単独金属酸化物やそれらの複合酸化物等が挙げられるが、導電性の優れているＩＴＯを用いるのが好ましい。又、塗布膜の透明性の点から、その粒子径が１ｎｍ〜５００ｎｍの範囲である方が好ましい。
【０００９】
本発明で用いる無機導電性微粒子は、溶剤に均一に分散されているものであればよく、どのような製法で作られたものでも使用できる。無機微粒子の製法は特には限定されないが、作製する導電性微粒子に必要な金属種、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｂ等の金属或いはそれらの塩化物等の金属化合物を原料とし、それらを単独或いは複数併せて使用する。これらの原料を塩酸等の酸で溶解し、水溶液又は溶媒液を得、それに炭酸水素アンモニウム等の析出剤を加え、微粒子を析出させる。このままコーティング液として用いてもよく、それらの析出微粒子を加熱処理した後、溶剤に再分散させてコーティング液としてもよい。又、原料として金属アルコキシドを用いてもよい。
【００１０】
無機導電性微粒子溶液の溶媒としては、基体上に塗布した後、除去させる必要があるために揮発性の溶媒が好ましいが、特に限定されない。例えば、エチルアルコール、メチルアルコール、ｉｓｏ−プロピルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、ｎ−ブトキシアルコール、ｓｅｃ−ブトキシアルコール、ｔｅｒｔ−ブトキシアルコール等のアルコール、水、酢酸エチル、酢酸メチル、２−メトキシ酢酸エチル等の酢酸エステル、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ポリエチレングリコール等のエチレングリコール、エチレングリコールモノエチルエーテル等のエチレングリコールアルキルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル、ジメチルフォルムアミド、ジメチルスルフォキシド、キシレン、クロロベンゼン、ジオキサン、酢酸イソアミル等が挙げられる。
【００１１】
本発明で使用する無機導電性微粒子を含有する溶液は、前記無機導電性微粒子を上記溶媒中に溶解分散させて調製される。このようにして得られた分散溶液の固形分濃度は約１〜３０重量％が適当であり、濃度が低過ぎると塗布膜が連続膜にならない等の問題があり、一方、濃度が高過ぎると微粒子が二次凝集を起こし、塗布膜の透明性を損なう等の問題がある。又、無機導電性微粒子溶液中には、必要に応じて分散剤等の添加剤を含有させることができる。例えば、アセチルアセトン、エチルアセチルアセトン等のベータジケトンが適宜用いられる。
【００１２】
上記無機導電性微粒子溶液の基体上への塗布方法としては、スプレー、ディップ、バーコーティング、ロールコート、スピンコート、ブレードコート、フレキソ印刷等の各種方法が可能である。又、オフセット印刷或はスクリーン印刷法でのパターン印刷法も採用可能である。この場合、塗布後に乾燥を行なうと、溶剤の蒸発とともに微粒子同士の接触が事前に促され、その後の活性エネルギー線照射が効果的になり好ましい。加熱による乾燥を行なう場合には、基体の耐熱性を有する範囲であれば如何なる温度でもよい。例えば、プラスチック基板を用いる場合等は室温〜２５０℃である。以上において微粒子溶液の基体に対する塗布量は、その用途によって異なるが、一般的には固形分換算で約０．０１〜１ｇ／ｍ2の範囲が好適であり、塗布量が少な過ぎると塗布膜が連続膜にならない等の問題があり、一方、塗布量が多過ぎると塗布膜の透明性を損なう等の問題がある。
【００１３】
本発明においては、このように基体上に無機導電性微粒子溶液を塗布した後、その塗膜に活性エネルギー線照射を行なう。上記活性エネルギー線としては、エキシマレーザ、高調波発生ＹＡＧレーザ、他各種レーザを線源とする波長１ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線が残留有機物の除去には効果的であり、好ましい。
【００１４】
又、その中でも最大瞬間エネルギーの高いレーザ、例えば、エキシマレーザ、高調波発生ＹＡＧレーザが効果的である。これらのレーザを用いる場合の照射エネルギー密度は１〜１０００ｍＪ／ｃｍ２の範囲であることが望ましく、それより低い場合は残留有機物を除去することができず、又、それより大きい場合は膜自身が破壊されるために所望の特性が得られない。活性エネルギー線は、電子線でもその効果を発揮する。この場合、線量は１０〜１０００Ｍｒａｄの範囲であることが望ましい。
【００１５】
【実施例】
以下、実施例及び比較例により本発明を詳細に説明する。尚、以下の説明で示される実施例は本発明の範囲内の好適例に過ぎない。従って、本発明が以下に示す実施例にのみ限定されるものではない。
１．ＩＴＯ微粒子溶液の調製
体積抵抗値（１００ｋｇ／ｃｍ：加圧時測定値）１０-2Ωｃｍ、平均一次粒子径が２０ｎｍのＩＴＯ微粒子（Ｉｎ２Ｏ３／ＳｎＯ２比は９５／５重量比）５ｇを、イソプロピルアルコール９４ｇにアセチルアセトン１ｇを添加した溶媒に均一に分散し、ＩＴＯ微粒子溶液（固形分濃度７重量％）とした。
【００１６】
２．膜形成方法
次に、上述のように調製したＩＴＯ微粒子溶液を石英ウエハ（（株）信越化学製）上に、スピンコーティング法により５００ｒｐｍで５秒、そして１，５００ｒｐｍで１５秒の条件で塗布する（塗布量：固形分約０．２ｇ／ｍ２）。これを循環式クリーンオーブンにて１２０℃及び３０分間の条件で予備乾燥する。
【００１７】
実施例１
予備乾燥後に、エキシマレーザ（ラムダフィジックス社製）にて、波長３０８ｎｍ及びエネルギー密度２００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を塗布膜に照射した。照射パルス数は１パルスである。以上のようにして膜厚約１，５００Åの透明導電膜を得た。
【００１８】
実施例２
予備乾燥後に、４倍高調波ＹＡＧレーザ（Photonics Industries International社製）にて、波長２６６ｎｍ及びエネルギー密度２０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を塗布膜に照射した。照射パルス数は１００パルスである。以上のようにして膜厚約１，５００Åの透明導電膜を得た。
【００１９】
実施例３
予備乾燥後に、電子線照射装置Curetron（日新ハイボルテージ社製）にて、線量１００Ｍｒａｄの電子線を塗布膜に照射した。以上のようにして膜厚約１，５００Åの透明導電膜を得た。
【００２０】
比較例
前述の実施例において、活性エネルギー線線照射工程を除いた点以外は、実施例と同様にして膜を形成した。
【００２１】
３．透明導電膜の評価
上述のようにして得られた実施例及び比較例の透明導電膜について、比抵抗の評価を行った。尚、比抵抗評価には三菱油化（株）製の四端針法抵抗測定機を用いた。その結果、本実施例により得られた透明導電膜の比抵抗はいずれも１０-2Ωｃｍの値を示した。以下に結果を示す。
実施例 比抵抗（Ωｃｍ）
実施例１ ３．０×１０-2
実施例２ ２．８×１０-2
実施例３ ４．５×１０-2
比較例 ７．７×１０+1
【００２２】
【発明の効果】
本発明による透明導電膜は、無機導電性微粒子分散溶液を塗布する方法でありながら、活性エネルギー線を照射することにより実用上充分な導電性を有することができる。即ち、活性エネルギー線照射により、導電性を低下させている残留有機物の除去や、微粒子同士の繋がりができ、膜の導電特性が、無機導電性微粒子が本来持ち合わせている導電特性に近づくのである。従って、本発明によれば比較的低温度の膜形成でも優れた導電性を示し、大面積の透明導電膜の塗布形成が可能であり、量産性及びコスト面で優れた透明導電膜を得ることができる。
Claims (6)
- 平均一次粒子径が１ｎｍ〜５００ｎｍの無機導電性微粒子を溶媒に分散させた、バインダー成分を含有しないコーティング液を、基体上に塗布および乾燥し、この塗布膜にレーザを線源とする活性エネルギー線、又は電子線を照射することで塗布膜中の残留有機物を除去する工程のみで、無機導電性微粒子同士を繋げることを特徴とする透明導電膜の製造方法。
- 活性エネルギー線が、波長１ｎｍ〜４００ｎｍの電磁波である請求項１に記載の透明導電膜の製造方法。
- 活性エネルギー線が、照射エネルギー密度１〜１０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線レーザである請求項１又は２に記載の透明導電膜の製造方法。
- 活性エネルギー線が、照射エネルギー密度１〜１０００ｍＪ／ｃｍ2のエキシマレーザである請求項１〜３の何れか１項に記載の透明導電膜の製造方法。
- 活性エネルギー線が、照射エネルギー密度１〜１０００ｍＪ／ｃｍ2の高調波発生ＹＡＧレーザである請求項１〜３の何れか１項に記載の透明導電膜の製造方法。
- 電子線の照射量が、線量１０〜１０００Ｍｒａｄである請求項１に記載の透明導電膜の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP08132098A JP4290780B2 (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 透明導電膜の製造方法 |
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| JP08132098A JP4290780B2 (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 透明導電膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11283445A JPH11283445A (ja) | 1999-10-15 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101387963B1 (ko) * | 2012-08-23 | 2014-04-22 | 인제대학교 산학협력단 | 전자기파 보조 졸겔법에 의한 박막 제조 방법, 및 이에 의하여 제조된 박막 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2012212642A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-11-01 | Sekisui Chem Co Ltd | 金属酸化物粒子分散組成物 |
-
1998
- 1998-03-27 JP JP08132098A patent/JP4290780B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| KR101387963B1 (ko) * | 2012-08-23 | 2014-04-22 | 인제대학교 산학협력단 | 전자기파 보조 졸겔법에 의한 박막 제조 방법, 및 이에 의하여 제조된 박막 |
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