JP4281193B2 - 出力回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、出力回路に関し、特に低消費電力でかつ高速動作の出力回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
最近、携帯用通信装置等で、デジタル通信が用いられて、さらに、通信容量の増加と、高速化が進んでいる。これらの携帯用高速デジタル通信装置において、装置が小型、軽量化されると共にバッテリー駆動が一般的となってきている。
【0003】
高速デジタル通信を実現する為の回路の一つに、パイポーラトランジスタで構成されたICにECL(Emitter Coupled Logic)回路がある。
バイポーラトランジスタで構成されたバイポーラIC回路において、アナログ信号を信号処理した後、デジタル信号に変換するA/Dコンバータ(ADC)からのデジタル信号を出力端子から出力し、この出力端子からの出力信号を上述のECL回路を用い、さらに配線を介してデジタル信号処理するCMOSデジタル回路に供給する。
【0004】
高速信号処理に用いられるECL回路は、図3に示すように、それぞれのベースに互いに逆相のパルス信号が供給されたトランジスタQ1とQ2のエミッタ同士が共通接続され、この共通接続点は定電流源を介して例えば、VEE(−5.2V)の基準電位に接続されている。一方、トランジスタQ1のコレクタは基準電位、例えば0Vに、また、トランジスタQ2のコレクタは負荷抵抗R1を介して0Vの基準電位に接続されている。また、出力用トランジスタQ3のべースがトランジスタQ2のコレクタと負荷抵抗R1の共通接続点に接続され、コレクタは基準電位0Vに接続され、かつ、エミッタは一般にオープン状態にされ、ICの端子から外部に信号を取り出すよう設定されている。
【0005】
さらに、エミッタは外部端子から電流を設定するための抵抗を介してVEE(−5.2V)の基準電位に接続されている。このECL回路の出力スルーレートは、立ち上がりはトランジスタの能力で、立ち下がりはエミッタに接続した抵抗の値により決定される。立下りを速くする為には抵抗の値を小さくする必要があり、消費電流の増大を招く。
【0006】
次にアクティブプルダウン回路と称されるCCPP(Complementary Push Pull Circuit)の1例を、図4の回路図にそって説明する。
互いに逆相の信号がそれぞれのベースに供給されるNPNで構成される差動トランジスタQ11、Q12のエミッタが共通接続され、定電流I10を介して基準電位0Vに接続されている。また、NPNトランジスタQ11のコレクタは負荷抵抗R11を介して基準電源VCCに接続され、またNPNトランジスタQ12のコレクタも負荷抵抗R12を介して基準電源VCCに接続されている。
【0007】
NPNトランジスタQ11のコレクタと負荷抵抗R11との共通接続点が、反転アンプA1を介して次段の電圧レベルシフト回路を構成するエミッタフォロアNPNトランジスタQ14のベースに接続される。コレクタは基準電位VCCに接続され、エミッタは定電流源I12を介して0Vの基準電位に接続される。
また、NPNトランジスタQ12のコレクタと負荷抵抗R12との共通接続点が、次段の電圧レベルシフト回路を構成するするエミッタフォロアPNPトランジスタQ13のベースに接続される。コレクタは0Vの基準電位に接続され、エミッタは定電流源I11を介して5Vの基準電位VCCに接続される。
【0008】
出力段は、コンプリメンタリーPNPトランジスタとNPNトランジスタで構成されていて、PNPトランジスタQ13のエミッタがNPNトランジスタQ15のベースに接続されていて、このNPNトランジスタQ13のコレクタは0Vの基準電位に接続されている。
トランジスタQ14のエミッタは、PNPトランジスタQ16のベースに接続され、PNPトランジスタQ16のエミッタは、NPNトランジスタQ15のエミッタに接続されている。PNPトランジスタQ16のコレクタは、0Vの基準電位に接続されている。
このPNPトランジスタQ16とNPNトランジスタQ15の共通接続されたエミッタが出力端子に接続され、この端子から出力信号が導出される。
【0009】
互いに逆相の差動信号が差動増幅器(トランジスタ)を構成するNPNトランジスタQ11とQ12のベースに供給され、ベースに供給された信号が反転(180度位相が変わり)して、それぞれのコレクタから出力される。この差動増幅器の利得はエミッタ抵抗の1/2と負荷抵抗R11とR12との比で決まる。
この差動増幅器で所定倍増幅された信号(パルス矩形波が多い)は、次段のエミッタフォロア回路を構成するNPNトランジスタQ14とPNPトランジスタQ13のベースに供給され、ここでVf(トランジスタのベース・エミッタの順方向電圧;約0.7V)電圧がシフトされる。具体的には、NPNトランジスタQ11のコレクタに出力された信号は反転アンプで信号が反転された後、NPNトランジスタQ14でVf[V]だけ下がって、出力PNPトランジスタQ16のベースに供給される。
【0010】
一方、NPNトランジスタQ12のコレクタに出力された信号は、PNPトランジスタQ13でVf[V]だけ上がって、出力NPNトランジスタQ15のベースに供給される。
いま、NPNトランジスタQ11のベースが“H”、NPNトランジスタQ12のベースが“L”レベルとすると、これらの信号が反転されてトランジスタQ11のコレクタには“L”レベル、トランジスタQ12のコレクタには“H”レベルの信号が導出される。
すると、PNPトランジスタQ13のベースは“H”(=VCC)レベルになり、さらにエミッタも“H”(=VCC)レベルになり、その結果、出力NPNトランジスタQ15のベースも“H”(VCC−Vf)レベルになるため、ON動作し、5Vの基準電源VCCからコレクタ、エミッタを介して出力に電流が流れる。そのため出力端子(エミッタ)は“H”(=VCC−Vf)レベルになる。
【0011】
一方、NPNトランジスタQ14のベースは反転アンプA1で“H”(VCC)レベルになり、この“H”レベルになった信号(パルス)は伝送されて、次段のNPNトフンジスタQ14のエミッタは“H”(VCC−Vf)レベルになり、その結果、出力PNPトランジスタQ16のベースも“H”(VCC−Vf)レベルになるため、Q16はOFF動作し、エミッタ端子はオープンになる。そのため出力端子(エミッタ)はNPNトランジスタQ15のエミッタで決まる電位レベルの“H”レベルになる。
【0012】
次に、NPNトランジスタQ11のベースが、“L”、NPNトランジスタQ12のベースが“H”レベルとすると、これらの信号が反転されて、トランジスタQ11のコレクタには“H”レベル、トランジスタQ12のコレクタには、“L”レベルの信号が導出される。
すると、PNPトランジスタQ13のベースは“L”(=VCC−VL1)レベルになり、さらに、エミッタは、“L”(=VCC−VL+Vf)レベルになり、その結果、出力NPNトランジスタQ15のベースも“L”(=VCC−VL+Vf)レベルになる。
【0013】
一方、NPNトランジスタQ11のコレクタの“H”レベルの信号は次段の反転アンプA1で反転されて“L”レベルになり、この“L”レベルの信号(パルス)は伝送され、NPNトランジスタQ14のベースは、“L”(=VCC−VL2)レベルになり、さらにエミッタは“L”(=VCC−VL2−Vf)レベルになり、その結果、出力PNPトランジスタQ16のベースも“L”(=VCC−VL2−Vf)レベルになる。このため、出力PNPトランジスタQ16はON動作し、出力端子に接続されていた負荷容量や抵抗からPNPトランジスタQ16のエミッタ、コレクタを介して0Vの基準電位に電流が流れる。
この結果、エミッタ電位は下がり、出力レベル(VCC−VL1)とA1の出力レベル(VCC−VL2)をVL1>>VL2に設定すると、トランジスタQ15はOFFとなり、トランジスタQ16のみONとなる。
【0014】
また、ECL回路の他に、TTL回路があり、これを用いた高速TTL出力回路の例を図5に示す。互いに逆相の信号がそれぞれのベースに供給されたNPNトランジスタQ21、Q22はエミッタ同士が共通接続され、この共通接続が定電流源I20を介して、0Vの基準電位に接続される。
一方、NPNトランジスタQ21のコレクタに接続されている抵抗R21は5Vの基準電位VCCに接続されている。またNPNトランジスタQ22のコレクタは抵抗R22を介して5Vの基準電位VCCに接続されている。
【0015】
NPNトランジスタQ21のコレクタは、NPNトランジスタQ23のベースに接続され、このトランジスタのコレクタは5Vの基準電位VCCに接続され、エミッタは定電流源I21を介して0Vの基準電位に接続されている。
NPNトランジスタQ22のコレクタは、次段のNPNトランジスタQ24のベースに接続され、このトランジスタのコレクタは5Vの基準電位VCCに、エミッタは抵抗R23(とR24)を介して0Vの基準電位に接続されている。
【0016】
NPNトランジスタQ25のコレクタは、5Vの基準電位VCCに接続され、エミッタは出力端子に接続されると共に、NPNトランジスタQ26のコレクタに接続されている。NPNトランジスタQ24のベースは、ダイオードD21、D22を介して出力端子に接続され、またNPNトランジスタQ26のベースは、抵抗R23と抵抗R24の共通接続点に接続されている。このNPNトランジスタQ26のエミッタは、0Vの基準電位に接続されている。
【0017】
いま、差動増幅用トランジスタQ21のべースに“H”レベルの信号が、トランジスタQ22のベースに“L”レベルの信号が供給されたとすると、NPNトランジスタQ21のコレクタでは、入力信号が反転して、“L”レベルの信号が取り出される。また、NPNトランジスタQ22のコレクタは、“H”レベルとなる。
NPNトランジスタQ21のコレクタから取り出された“L”レベルの信号は、NPNトランジスタQ23のベースに供給され、NPNトランジスタQ23のエミッタからは“L”レベル信号が導出される。するとこの“L”レベルの信号は出力段のNPNトランジスタQ25のベースに供給され、その結果このトランジスタQ25はOFFとなる。
【0018】
一方、NPNトランジスタQ22のコレクタは“H”レベルとなり、この“H”レベルの信号が、次段のNPNトランジスタQ24のベースとダイオードD21のアノードに印加される。この“H”レベルの信号は、抵抗R23、R24で分割され、この共通接続点も、“H”レベルとなり、その結果、出力NPNトランジスタQ26のベースに“H”レベルの信号が供給される。そして、NPNトランジスタQ26はON動作し、出力のコレクタは、“L”レベルとなる。この出力用NPNトランジスタQ26はVcesatまで下がろうとする。
よって、出力端子に接続されていた負荷抵抗、容量から電流をNPNトランジスタQ26のコレクタ、エミッタを介して0Vの基準電位に電流が流れ込み、出力端子は“L”レベルになる。
【0019】
この時、出力端子のレベルが下がり過ぎると、ダイオードD21、D22が導通し、この出力端子の電圧はR23とR24の比がR23:R24=1:2とすると、Q24のエミッタは1.5Vf、ベースは2.5Vfとなり、従がってコレクタは0.5Vfにクランプされる。従って出力レベルの“L”レベルは0.5Vfとなる。
【0020】
次に、差動用トランジスタQ21のベースに“L”レベルの信号が、トランジスタQ22のベースに“H”レベルの信号が、それぞれ印加されると、NPNトランジスタQ21のコレクタでは、入力信号が反転して、“H”レベルの信号が取り出される。また、NPNトランジスタQ22のコレクタは“L”レベルとなる。
【0021】
NPNトランジスタQ21のコレクタから取り出された“H”レベルの信号はNPNトランジスタQ23のベースに供給され、エミッタから“H”信号が導出される。するとこの“H”レベルの信号は、出力段のNPNトランジスタQ25のベースに供給され、その結果、このトランジスタQ25はONとなる。従って出力“H”レベルはVCC−2Vfとなる。
【0022】
一方、NPNトランジスタQ22のコレクタは“L”レベルとなり、この“L”レベルの信号が次段のNPNトランジスタのベースとダイオードD21のアノードに印加される。さらに、この“L”レベルの信号は抵抗R23、R24で分割され、この共通接続点“L”レベルとなり、その結果、出力NPNトランジスタQ26のベースに“L”レベルの信号が供給される。そして、NPNトランジスタQ26はOFF動作し、出力のコレクタはオープン状態になる。
よって、NPNトランジスタQ26はON動作状態であるので、5Vの基準電位VCCからコレクタ、エミッタを介して出力端子に電流が流れ込む。それに伴ってこの出力端子の電位は上昇し“H”レベルになる。
【0023】
上述したように、図3に示したECL回路はオープンエミッタで、かつそのエミッタから外部抵抗を用いてエミッタの出力電流を設定している。この設定電流は高速動作させるためと、インピーダンスマッチングさせるために、数mA程度としている。これらのECL ICの数が多い場合、トータルの電流が増え、その結果、消費電流が増加することになる。このためバッテリー駆動している携帯通信機器には不向きである。
【0024】
また、図4に示したアクティブプルダウン回路は、PNPトランジスタを用いているため、このトランジスタのftがNPNトランジスタのそれより低いので、回路動作のスピードが遅くなる。
これを少しでも改善するため、PNPトランジスタのプロセスを追加してftを上げることも行つているが、プロセス工程が増え、その分コストが高くなる不利な点がある。
【0025】
さらに、図5に示したTTL回路を用いた例では、NPNトランジスタを用いるために、回路動作のスピードを改善することができるが、出力段のトランジスタが飽和動作を繰り返すため、その動作スピードは決して十分に早いとはいえず、また、電源電圧の変化や温度変動に対して不安定であるという不具合点を有している。
【0026】
【発明が解決しようとする課題】
上述のごとく、従来の出力回路において、ECL回路を用いたものは消費電流が多く、アクティブプルダウン回路を用いたものは回路動作のスピードに問題があり、TTL回路を用いたものも動作スピードが十分ではなく、電源電圧の変化や温度変動に対して不安定であるという問題を持っていた。
本発明は、比較的簡単な方法でこれらの問題を解決して、消費電力が少なく、動作速度が速く、かつ、安定した動作が得られる出力回路を、比較的廉価に実現することを課題とする。
【0027】
【課題を解決するための手段】
上記課題を達成するため、本発明は、それぞれのベースに互いに逆相の入力信号が供給され、エミッタ同士が共通接続され、それぞれのコレクタが負荷抵抗を介して第1の基準電位に接続された第1および第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタのコレクタにベースが接続され、前記第1の基準電位にコレクタが接続された第3のトランジスタと、前記第3のトランジスタのエミッタにその一端が接続された第1のレベルシフトと、前記第2のトランジスタのコレクタと前記第1のレベルシフトの他端とにベースが接続され、前記第1の基準電位にコレクタが接続された第4のトランジスタと、前記第4のトランジスタのエミッタにその一端が接続された第2のレベルシフトと、前記第2のレベルシフトの他端と第2の基準電位間に接続され、電流を任意に設定するバイアスを備えた定電流源と、前記定電流源と前記第2のレベルシフトの他端との共通接続点にべースが接続され、前記第3のトランジスタのエミッタにコレクタが接続された第5のトランジスタとを具備し、出力が前記第5のトランジスタのコレクタと前記第3のトランジスタのエミッタとの共通接続点と前記第2の基準電位との間で得られることを特徴とする。
【0028】
また、それぞれのベースに互いに逆相の入力信号が供給され、エミッタ同士が共通接続され、それぞれのコレクタが負荷抵抗を介して第1の基準電位に接続された第1および第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタのコレクタにベースが接続され、前記第1の基準電位にコレクタが接続された第3のトランジスタと、前記第3のトランジスタのエミッタにその一端が接続された第1のレベルシフトと、前記第2のトランジスタのコレクタと前記第1のレベルシフトの他端とにベースが接続され、前記第1の基準電位にコレクタが接続された第4のトランジスタと、前記第4のトランジスタのエミッタにその一端が接続された第2のレベルシフトと、前記第2のレベルシフトの他端と第2の基準電位間に接続され、電流を任意に設定するバイアスを備えた定電流源と、前記定電流源と前記第2のレベルシフトの他端との共通接続点にべースが接続され、前記第3のトランジスタのエミッタにコレクタが接続された第5のトランジスタと、前記定電流源と前記第2のレベルシフトの他端との共通接続点に所定の電圧を供給する電圧源とを具備し、出力が前記第5のトランジスタのコレクタと前記第3のトランジスタのエミッタとの共通接続点と前記第2の基準電位との間で得られることを特徴とする。
【0029】
さらにまた、それぞれのベースに互いに逆相の入力信号が供給され、エミッタ同士が共通接続さ
れ、それぞれのコレクタが負荷抵抗を介して第1の基準電位に接続された第1および第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタのコレクタにベースが接続され、前記第1の基準電位にコレクタが接続された第3のトランジスタと、前記第3のトランジスタのエミッタにその一端が接続された第1のレベルシフトと、前記第2のトランジスタのコレクタと前記第1のレベルシフトの他端とにベースが接続され、前記第1の基準電位にコレクタが接続された第4のトランジスタと、前記第4のトランジスタのエミッタにその一端が接続された第2のレベルシフトと、前記第2のレベルシフトの他端と第2の基準電位間に接続され、電流を任意に設定するバイアスを備えた第1の定電流源と、前記第1の定電流源と前記第2のレベルシフトの他端との共通接続点にべースが接続され、前記第3のトランジスタのエミッタにコレクタが接続された第5のトランジスタと、抵抗を介して第3の基準電位にベースが接続され、前記第3の基準電位にコレクタが接続された第6のトランジスタと、一端が前記第6のトランジスタのベースに接続され、他端が第7のトランジスタのコレクタおよびオペアンプの反転入力端子に接続された第3のレベルシフトと、前記第6のトランジスタのエミッタにその一端が接続された第4のレベルシフトと、前記第4のレベルシフトの他端と第4の基準電位間に接続され、電流を任意に設定するバイアスを備えた第2の定電流源と、前記第2の定電流源と前記第4のレベルシフトの他端との共通接続点にベースが接続され、前記第4の基準電位にエミッタが接続された第7のトランジスタとから構成されるダミー出力段回路と、非反転入力端子が電圧源に接続された前記オペアンプから構成され、前記ダミー出力段回路の出力を反転増幅する反転増幅回路を具備し、前記反転増幅回路の出力は、前記第1およびに前記第2の定電流源にバイアス電圧として帰還され、出力が前記第5のトランジスタのコレクタと前記第3のトランジスタのエミッタとの共通接続点と前記第2の基準電位との間で得られるものである。
【0030】
これらにより、比較的簡単な回路で、消費電力が少なく、動作速度が速く、かつ、安定した動作が得られる出力回路を、廉価に実現することができる。
【0031】
【発明の実施の形態】
以下、本発明にかかる出力回路を添付図面を参照にして詳細に説明する。
【0032】
図1に、本発明の出力回路の回路図を示す。
差動用NPNトランジスタQ57、Q59のそれぞれのベースに互いに位相が異なる信号が供給され、エミッタ同士が共通接続され、この共通接続点が定電流源を構成するNPNトランジスタQ58のコレクタに接続される。
NPNトランジスタQ58のベースには、エミッタ電流を所定値に設定するための電圧VB1が印加されている。またエミッタは、直接0Vの基準電位に接続されるか、またはエミッタ抵抗R52を介して0Vの基準電位に接続される。
一方、差動用NPNトランジスタQ57のコレクタは負荷抵抗R58を介して3.3Vの基準電位VCCに接続されている。また、NPNトランジスタQ59のコレクタは負荷抵抗R59を介して、VCCに接続されている。
【0033】
また差動用NPNトランジスタQ57、Q59のコレクタにはクランプ電圧を供給するように設定されている。すなわち、基準電圧発生回路が以下のように構成されている。3.3Vの基準電位VCCから抵抗R61を介してPNPトランジスタQ51のエミッタに接続され、べースには所定のエミッタ電流を設定するための電圧VBが印加されている。また、コレクタはコレクタとベースが共通接続され、ダイオード構成されたトランジスタQ54のコレクタに接続され、カソードに相当するエミッタは、また、コレクタとベースが共通接続され、ダイオードを構成するNPNトランジスタQ53のコレクタに接続されている。このダイオードを構成するトランジスタQ53のエミッタは、さらにダイオードを構成するNPNトランジスタQ52のコレクタとベースに共通接続され、カソードに相当するエミッタは0Vの基準電位に接続される。
【0034】
ダイオードを構成するトランジスタQ54のコレクタとエミッタ間に並列に抵抗R62とR63が直列接続され、これらの抵抗の共通接続点がNPNトランジスタQ55、Q56のベースに接続され、NPNトランジスタQ55のエミッタはNPNトランジスタQ57のコレクタに接続され、コレクタは基準電位VCCに接続される。
また、NPNトランジスタQ56のエミッタは、NPNトランジスタQ59のコレクタに接続され、コレクタは基準電位VCCに接続される。
NPNトランジスタQ59のコレクタは出力NPNトランジスタQ66のベースに接続され、NPNトランジスタQ66のコレクタは基準電位VCCに接続され、さらにエミッタは出力端子とNPNトランジスタQ67のコレクタに接続されている。
【0035】
一方、NPNトランジスタQ57のコレクタは、レベルシフト用NPNトランジスタQ63のベースに接続されると共に、ダイオード構成されたNPNトランジスタQ65のコレクタとベースに接続される。NPNトランジスタQ65のエミッタは出力端子に接続されている。
NPNトランジスタQ63のコレクタは基準電位VCCに接続され、エミッタは抵抗R74を介して定電流源に接続されている。
この定電流源と抵抗R74の共通接続点はNPNトランジスタQ67のベースに接続され、このトランジスタのエミッタは0Vの基準電位に、またコレクタは出力端子にそれぞれ接続されている。
【0036】
さらに、定電流源と抵抗R74の共通接続点はNPNトランジスタQ62のエミッタに接続され、NPNトランジスタQ62のベースはダイオードを構成するNPNトランジスタQ53のコレクタ・ベースとエミッタ間に並列に抵抗R64とR65が直列に接続された共通接続点に接続され、またNPNトランジスタQ62のコレクタは基準電位VCCに接続されている。
出力NPNトランジスタQ66のベースにダイオードを構成するNPNトランジスタQ61のコレクタとベースが共通接続され、カソードに相当するエミッタには所定の基準電圧VB2が供給される。
また、上述した抵抗R74と0Vの基準電位間に接続される定電流源は、例えば、NPNトランジスタQ64と抵抗R75で構成し、このNPNトランジスタQ64のコレクタを抵抗R74に接続し、エミッタは抵抗R75を介して0Vの基準電位に接続すると共に、ベースに所定の電圧VB3を印加するとよい。
【0037】
次に、定電流源を構成するNPNトランジスタQ64のベースに供給する電圧発生回路について図2を用いて説明する。
NPNトランジスタQ100のベースは抵抗R100を介して基準電位VCCに接続されると共に、ダイオードD100のカソードの接続されている。またコレクタもこの基準電位VCCに接続されている。エミッタは抵抗R101を介してNPNトランジスタQ101のコレクタに接続されている。
抵抗R101とNPNトランジスタQ101のコレクタとの共通接続点は、NPNトランジスタQ102のベースに接続され、このNPNトランジスタQ102のエミッタは0Vの基準電位に、コレクタはダイオードD100のカソードとオペアンプAの反転入力端子に接続されている。オペアンプAの正(非反転)入力端子は所定の電圧VB4(=VCC/2−0.4V)の基準電圧に接続されている。
このオペアンプAの出力端子はNPNトランジスタQ101のベースと図1に示した定電流源用NPNトランジスタQ64のべースと接続され、所定の電圧が供給される。
【0038】
次に、図1を用いて本発明の回路の動作を説明する。
差動用NPNトランジスタQ57のベースに、“H”レベルが、NPNトランジスタQ59のベースに“L”レベルの信号が印加されたとする。するとNPNトランジスタQ57のコレクタには“L”レベルの信号が、NPNトフンジスタQ59のコレクタには“H”レベルの信号が出力される。
すると、出力用NPNトランジスタQ66のベースに“H”レベルの信号が、NPNトランジスタQ63のベースには“L”レベルの信号がそれぞれ印加される。
【0039】
これにより、NPNトランジスタQ66はON動作し、VCCから抵抗R77を介して出力端子OUTに電流が流れ、出力端子OUTは“H”レベルになる。
NPNトランジスタQ63のベースが“L”レベルであり、ベースよりVBE[V]だけ電位が下がり、さらに電流値×抵抗R73(R74)下がった電位が出力用NPNトランジスタQ67のベースに供給される。しかし、このベースに供給される電位はVBE[V]以下に設定されているので、NPNトランジスタQ67はOFFとなる。
【0040】
出力が、“H”レベルのとき、出力端子の電圧が上昇し続けると、ダイオードを構成するNPNトランジスタQ61と、これと直列接続されている電圧源VB2(=VCC/2+0.4[V])とが動作し、(VB2+Vf[V])の値にクランプするよう設定されている。これにより、出力トランジスタQ66のエミッタはVB2にクランプされる。
従って、出力“H”レベルはVB2により設定することができる。出力の“L”レベルから“H”レベルへの立ち上がり時定数は負荷抵抗R59と負荷容量CLで決まり、τ=CL×R59/βとなリ、ECL回路と同程度のスルーレートにすることができる。
【0041】
また、差動用NPNトランジスタQ57、Q59の各コレクタにNPNトランジスタQ55、Q56のエミッタが接続されているが、これも差動用トランジスタQ57、Q59のコレクタ電位が下がり過ぎないように“L”レベルのクランプレベルを設定している。
さらに、NPNトランジスタQ67のベース電位が下がり過ぎないように、NPNトランジスタQ62のエミッタがNPNトランジスタQ62のベースに接続してクランプ動作するよう設定してあり、ベース電位をたとえばVBE−0.3[V]に設定してある。
【0042】
一方、入力信号として、差動用NPNトランジスタQ57のベースに“L”レベルが、NPNトランジスタQ59のに“H”レベルの信号が印加されたとすると、NPNトランジスタQ57のコレクタには“H”レベルの信号が、NPNトランジスタQ59のコレクタには“L”レベルの信号が出力される。
すると、出力用NPNトランジスタQ66のベースに“L”レベルの信号が、NPNトランジスタQ63のベースには“H”レベルの信号がそれぞれ印加される。
【0043】
NPNトランジスタQ66はOFF動作し、エミッタはオープン状態になる。NPNトランジスタQ63のベースが“H”レベルであり、ベースよりVBE[V]だけ電位がさがり、さらに電流×抵抗(R73)R74下がった電位が出力用NPNトランジスタTQ67のベースに供給される。このとき、ベースに供給される電位はVBE[V]以上に設定されているので、NPNトランジスタQ67はONとなる。
【0044】
すると、出力端子からNPNトランジスタQ67のコレクタ、エミッタを介して0Vの基準電位に電流が流れ、その結果、出力端子は“L”レベルになる。出力端子の電圧レベルは定電流源の電流値をIとすると、出力NPNトランジスタQ67のVBEから、VBE(Q65)+I×R74+VBE(Q63)−VBE(Q65)=Vf+I×R74[V]となる。
したがって、定電流源Iの電流値を任意に設定することにより、出力端子における“L”レベルの電位を任意に設定することができる。
【0045】
すなわち、NPNトランジスタQ64のベースに印加される電位を任意に設定してコレクタ・エミッタ間を流れる電流を変えることができる。具体的には、NPNトランジスタQ64のベース電位をVB3とすると、I=VB3−VBE/R75(KΩ)[mA]で設定するとよい。
この設定したIにより、“L”レベルの出力電位は前述したように、VL=VBE+I×R75[V]とすることができる。出力“H”レベルから“L”レベルの立下り時定教はτ=CL×R74/βとなり、R74を適切に設定することにより、立上がりでも立下りと同様のスルーレートを得ることができる。
【0046】
上述した各クランプ電位は、基準電源VCCと0Vの基準電位間に抵抗R61、PNPトランジスタQ51、ダイオードQ54、Q53、Q52を直列接続し、さらに、ダイオードQ54間に並列に担抗R62、R63を直列接続し、この共通接続点からNPNトランジスタQ55、Q56と介して差動用トランジスタQ57、Q59のコレクタにクランプ電圧を供給している。
また、ダイオードQ53と並列に、抵抗R64と抵抗R65を直列接続し、この共通接続点からNPNトランジスタQ62のベースにクランプ電圧を供給している。
【0047】
次に、“L”レベルを決定する定電流源用NPNトランジスタQ64に供給するバイアス回路VB3について図2を用いて説明する。
基準電位VCCから抵抗R100を介してNPNトランジスタQ100のベースに接続され、コレクタは基準電位VCCに、エミッタは抵抗R101に接続されている。この抵抗R101の他端はNPNトランジスタQ101のコレクタに接続されると共に、NPNトランジスタQ102のベースにも接続される。
【0048】
NPNトランジスタQ101のエミッタは、R102を介して0Vの基準電位に、またNPNトランジスタQ102のエミッタも同様に0Vの基準電位に接続されている。NPNトランジスタQ100のベースは、ダイオードD100のアノードに接続され、ダイオードD100のカソードはNPNトランジスタのコレクタに接続されると共に、オペアンプAの反転入力端子に接続されている。
また、このオペアンプAの非反転入力端子は電源VB4に接続されている。出力端子はNPNトランジスタQ101のベースと接続され、出力電圧を入力に帰還している。
【0049】
ここで、この電圧源VB3について説明する。非反転入力端子VB4にVCC/2−0.4[V]の電圧を印加し、反転入力端子の電圧が、今、このVB4より上がったとする。すると、出力端子の電圧は下がり、その電圧がNPNトランジスタQ101のベースにフィードバックされる。ベース電位が下がったため、コレクタ、エミッタ電流が小さくなり、その結果、NPNトランジスタQ100のエミッタ電位が上昇し、ベースの電位も上昇する。
【0050】
しかし、NPNトランジスタQ102のベース電位が上がり、コレクタ電流が増加するため、ダイオードD100に流れる電流も増加し、その結果ダイオードの両端でドロップする電圧も大きくなり、非反転入力端子に供給される電圧は減少して、反転入力端子の電圧VB4と等しくなる。
一方、非反転入力転子に印加される電圧が下がったときは、上述の動作とは逆の動作になる。(詳細な説明は省略する。)
【0051】
このNPNトランジスタQ101のベースにオペアンプAからフィードバックされた電圧が供給され、この電圧が図1で説明した定電流源用トランジスタQ64のべースに印加されるため、安定した電圧が供給されることになる。図2は、図1の出力レベル“L”が出力された時の構成図と同一であるため、図1中で出力“L”レベルは、図2中の反転入力端子と等しくなる。
よって、出力“H”レベルはVB2=VCC/2+0.4により、VOH=VCC/2+0.4、出力レベル“L”はVB4=VCC/2−0.4により、VOL=VCC/2−0.4となる。この出力電圧は電源電圧の変動、温度変化に対して安定である。
【0052】
以上述べたように、本発明の回路は、出力回路の最終段の上下のNPNトランジスタが飽和せずにプッシュプル動作を行うことにより、ECLと同等のスピードで動作させることができ、さらにECL回路のように立下りスピードを確保するためにエミッタ抵抗を小さくする必要も無い。したがって、消費電力も小さくすることができる。
さらに、ロジックレベルの“H”レベルと“L”レベルを任意の値に設定することができ、扱う信号振幅を可変することができる特徴もある。
また、出力レベル、とくに“L”レベルを設定するため、図1と同じ回路を一部に用いて電圧源を構成したため、安定に動作させることができる。
【0053】
【発明の効果】
以上説明したように請求項1の発明は、出力回路において、それぞれのベースに互いに逆相の入力信号が供給され、エミッタ同士が共通接続され、それぞれのコレクタが負荷抵抗を介して第1の基準電位に接続された第1および第2のトランジスタと、第1のトランジスタのコレクタにベースが接続され、第1の基準電位にコレクタが接続された第3のトランジスタと、第3のトランジスタのエミッタにその一端が接続された第1のレベルシフトと、第2のトランジスタのコレクタと第1のレベルシフトの他端とにベースが接続され、第1の基準電位にコレクタが接続された第4のトランジスタと、第4のトランジスタのエミッタにその一端が接続された第2のレベルシフトと、第2のレベルシフトの他端と第2の基準電位間に接続され、電流を任意に設定するバイアスを備えた定電流源と、定電流源と第2のレベルシフトの他端との共通接続点にべースが接続され、第3のトランジスタのエミッタにコレクタが接続された第5のトランジスタとを具備し、出力が第5のトランジスタのコレクタと第3のトランジスタのエミッタとの共通接続点と第2の基準電位との間で得られることを特徴とする。
これにより、本発明の出力回路は、最終段の上下のNPNトランジスタを飽和させずにプッシュプル動作を行わせることができ、ECLと同等のスピードで動作させることができる。さらにECL回路のように立下りスピードを確保するためにエミッタ抵抗を小さくする必要も無く、したがって、消費電力も小さくすることができる。
【0054】
また、請求項4の発明は、出力回路において、それぞれのベースに互いに逆相の入力信号が供給され、エミッタ同士が共通接続され、それぞれのコレクタが負荷抵抗を介して第1の基準電位に接続された第1および第2のトランジスタと、第1のトランジスタのコレクタにベースが接続され、第1の基準電位にコレクタが接続された第3のトランジスタと、第3のトランジスタのエミッタにその一端が接続された第1のレベルシフトと、第2のトランジスタのコレクタと第1のレベルシフトの他端とにベースが接続され、第1の基準電位にコレクタが接続された第4のトランジスタと、第4のトランジスタのエミッタにその一端が接続された第2のレベルシフトと、第2のレベルシフトの他端と第2の基準電位間に接続され、電流を任意に設定するバイアスを備えた定電流源と、定電流源と第2のレベルシフトの他端との共通接続点にべースが接続され、第3のトランジスタのエミッタにコレクタが接続された第5のトランジスタと、定電流源と第2のレベルシフトの他端との共通接続点に所定の電圧を供給する電圧源とを具備し、出力が第5のトランジスタのコレクタと第3のトランジスタのエミッタとの共通接続点と第2の基準電位との間で得られることを特徴とする。
これにより、本発明の出力回路では、最終段の上下のNPNトランジスタを飽和させずにプッシュプル動作を行わせることができ、ECLと同等のスピードで動作させることができる。さらにECL回路のように立下りスピードを確保するためにエミッタ抵抗を小さくする必要も無く、したがって、消費電力も小さくすることができる。さらに、ロジックレベルの“H”レベルと“L”レベルを任意の値に設定することができ、扱う信号振幅を可変することができる。
【0055】
また、請求項7の発明は、出力回路において、それぞれのベースに互いに逆相の入力信号が供給され、エミッタ同士が共通接続され、それぞれのコレクタが負荷抵抗を介して第1の基準電位に接続された第1および第2のトランジスタと、第1のトランジスタのコレクタにベースが接続され、第1の基準電位にコレクタが接続された第3のトランジスタと、第3のトランジスタのエミッタにその一端が接続された第1のレベルシフトと、第2のトランジスタのコレクタと第1のレベルシフトの他端とにベースが接続され、第1の基準電位にコレクタが接続された第4のトランジスタと、第4のトランジスタのエミッタにその一端が接続された第2のレベルシフトと、第2のレベルシフトの他端と第2の基準電位間に接続され、電流を任意に設定するバイアスを備えた第1の定電流源と、第1の定電流源と第2のレベルシフトの他端との共通接続点にべースが接続され、第3のトランジスタのエミッタにコレクタが接続された第5のトランジスタと、抵抗を介して第3の基準電位にベースが接続され、第3の基準電位にコレクタが接続された第6のトランジスタと、一端が第6のトランジスタのベースに接続され、他端が第7のトランジスタのコレクタおよびオペアンプの反転入力端子に接続された第3のレベルシフトと、第6のトランジスタのエミッタにその一端が接続された第4のレベルシフトと、第4のレベルシフトの他端と第4の基準電位間に接続され、電流を任意に設定するバイアスを備えた第2の定電流源と、第2の定電流源と第4のレベルシフトの他端との共通接続点にベースが接続され、第4の基準電位にエミッタが接続された第7のトランジスタとから構成されるダミー出力段回路と、非反転入力端子が電圧源に接続されたオペアンプから構成され、ダミー出力段回路の出力を反転増幅する反転増幅回路を具備し、反転増幅回路の出力は、第1およびに第2の定電流源にバイアス電圧として帰還され、出力が第5のトランジスタのコレクタと第3のトランジスタのエミッタとの共通接続点と第2の基準電位との間で得られるものである。これにより、本発明の出力回路では、最終段の上下のNPNトランジスタを飽和させずにプッシュプル動作を行わせることができ、ECLと同等のスピードで動作させることができる。さらにECL回路のように立下りスピードを確保するためにエミッタ抵抗を小さくする必要も無く、したがって、消費電力も小さくすることができる。さらに、ロジックレベルの“H”レベルと“L”レベルを任意の値に設定することができ、扱う信号振幅を可変することができる。また、電源の電圧変動や温度変化の影響を受けずに、安定に動作させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の出力回路の一実施の形態の回路図。
【図2】図1の出力回路に用いられる電圧発生回路の回路図。
【図3】従来のECLを用いた出力回路の回路図。
【図4】従来のCCPPを用いた出力回路の回路図。
【図5】従来のTTLを用いた出力回路の回路図。
【符号の説明】
A、A1…反転増幅器、C…容量、D21、D22、D100…ダイオード、I0、I10〜I12、I20〜I21…電流源、Q1、Q2、Q11〜Q16、Q21〜Q26、Q51〜Q67、Q100〜Q102…トランジスタ、R11〜R12、R21〜R24、R61〜R75、R100〜R102…抵抗、VCC、VEE…基準電圧、VB、VB1〜VB4…電圧源。
Claims (9)
- それぞれのベースに互いに逆相の入力信号が供給され、エミッタ同士が共通接続され、それぞれのコレクタが負荷抵抗を介して第1の基準電位に接続された第1および第2のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのコレクタにベースが接続され、前記第1の基準電位にコレクタが接続された第3のトランジスタと、
前記第3のトランジスタのエミッタにその一端が接続された第1のレベルシフトと、
前記第2のトランジスタのコレクタと前記第1のレベルシフトの他端とにベースが接続され、前記第1の基準電位にコレクタが接続された第4のトランジスタと、
前記第4のトランジスタのエミッタにその一端が接続された第2のレベルシフトと、
前記第2のレベルシフトの他端と第2の基準電位間に接続され、電流を任意に設定するバイアスを備えた定電流源と、
前記定電流源と前記第2のレベルシフトの他端との共通接続点にべースが接続され、前記第3のトランジスタのエミッタにコレクタが接続された第5のトランジスタとを具備し、
出力が前記第5のトランジスタのコレクタと前記第3のトランジスタのエミッタとの共通接続点と前記第2の基準電位との間で得られる出力回路。 - 前記第1のレベルシフトをダイオードで構成する請求項1に記載の出力回路。
- 前記第2のレベルシフトを抵抗で構成する請求項1に記載の出力回路。
- それぞれのベースに互いに逆相の入力信号が供給され、エミッタ同士が共通接続され、それぞれ
のコレクタが負荷抵抗を介して第1の基準電位に接続された第1および第2のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのコレクタにベースが接続され、前記第1の基準電位にコレクタが接続された第3のトランジスタと、
前記第3のトランジスタのエミッタにその一端が接続された第1のレベルシフトと、
前記第2のトランジスタのコレクタと前記第1のレベルシフトの他端とにベースが接続され、前記第1の基準電位にコレクタが接続された第4のトランジスタと、
前記第4のトランジスタのエミッタにその一端が接続された第2のレベルシフトと、
前記第2のレベルシフトの他端と第2の基準電位間に接続され、電流を任意に設定するバイアスを備えた定電流源と、
前記定電流源と前記第2のレベルシフトの他端との共通接続点にべースが接続され、前記第3のトランジスタのエミッタにコレクタが接続された第5のトランジスタと、
前記定電流源と前記第2のレベルシフトの他端との共通接続点に所定の電圧を供給する電圧源とを具備し、
出力が前記第5のトランジスタのコレクタと前記第3のトランジスタのエミッタとの共通接続点と前記第2の基準電位との間で得られる出力回路。 - 前記第1のレベルシフトをダイオードで構成する請求項4に記載の出力回路。
- 前記第2のレベルシフトを抵抗で構成する請求項4に記載の出力回路。
- それぞれのベースに互いに逆相の入力信号が供給され、エミッタ同士が共通接続され、それぞれのコレクタが負荷抵抗を介して第1の基準電位に接続された第1および第2のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのコレクタにベースが接続され、前記第1の基準電位にコレクタが接続された第3のトランジスタと、
前記第3のトランジスタのエミッタにその一端が接続された第1のレベルシフトと、
前記第2のトランジスタのコレクタと前記第1のレベルシフトの他端とにベースが接続され、前記第1の基準電位にコレクタが接続された第4のトランジスタと、
前記第4のトランジスタのエミッタにその一端が接続された第2のレベルシフトと、
前記第2のレベルシフトの他端と第2の基準電位間に接続され、電流を任意に設定するバイアスを備えた第1の定電流源と、
前記第1の定電流源と前記第2のレベルシフトの他端との共通接続点にべースが接続され、前記第3のトランジスタのエミッタにコレクタが接続された第5のトランジスタと、
抵抗を介して第3の基準電位にベースが接続され、前記第3の基準電位にコレクタが接続された第6のトランジスタと、一端が前記第6のトランジスタのベースに接続され、他端が第7のトランジスタのコレクタおよびオペアンプの反転入力端子に接続された第3のレベルシフトと、前記第6のトランジスタのエミッタにその一端が接続された第4のレベルシフトと、前記第4のレベルシフトの他端と第4の基準電位間に接続され、電流を任意に設定するバイアスを備えた第2の定電流源と、前記第2の定電流源と前記第4のレベルシフトの他端との共通接続点にベースが接続され、前記第4の基準電位にエミッタが接続された第7のトランジスタとから構成されるダミー出力段回路と、
非反転入力端子が電圧源に接続された前記オペアンプから構成され、前記ダミー出力段回路の出力を反転増幅する反転増幅回路を具備し、
前記反転増幅回路の出力は、前記第1およびに前記第2の定電流源にバイアス電圧として帰還され、
出力が前記第5のトランジスタのコレクタと前記第3のトランジスタのエミッタとの共通接続点と前記第2の基準電位との間で得られる出力回路。 - 前記第1および第3のレベルシフトをダイオードで構成する請求項7に記載の出力回路。
- 前記第2および第4のレベルシフトを抵抗で構成する請求項7に記載の出力回路。
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