JP4268305B2

JP4268305B2 - 光ディスク基板の成形方法および光ディスク基板

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Publication number: JP4268305B2
Application number: JP2000039073A
Authority: JP
Inventors: 仙嗣難波; 広志八谷
Original assignee: Asahi Kasei Chemicals Corp
Current assignee: Asahi Kasei Chemicals Corp
Priority date: 2000-02-17
Filing date: 2000-02-17
Publication date: 2009-05-27
Anticipated expiration: 2020-02-17
Also published as: JP2001225344A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光情報記録用光ディスクの光ディスク基板、特に、反射層や記録層との接着強度に優れ、読み取りエラーの少ない光ディスクを得ることができる光ディスク基板の成形方法及びこの成形方法で得られる光ディスク基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光情報記録用光ディスクは、高密度で大容量であることから注目され、これまでにも様々な用途で使用されている。例えば、再生専用の光ディスクとしてはＣＤやＣＤ−ＲＯＭがあり、音楽分野、コンピュータ分野、ゲーム分野などに広く使用されている。また、一回だけ記録可能な光ディスクであるＣＤ−Ｒは、文書ファイリングシステム、データファイリングシステムなど、特にデータのセキュリティが重要視される分野で利用されている。さらに、記録された情報の消去と再記録ができる書き換え可能型光ディスクでは、光磁気型光ディスク（ＭＯ）や相変化型光ディスク（ＰＣＲ）が実用化されており、光ディスクの用途拡大に貢献するものとして期待されている。
【０００３】
現在実用化されている光ディスクでは、透明な光ディスク基板の裏側から半導体レーザ光を照射し、反射膜上あるいは記録膜上にレーザ光を絞り込んで、情報の再生、記録または消去が行われている。この光ディスクは、サブミクロンオーダの凹凸の情報ピットや、グルーブやランドと言われるトラッキングのための案内溝が表側に形成された薄く透明な光ディスク基板の表面上に反射膜や記録膜が設けられたものとなっている。更に、これら反射膜や記録膜は非常に弱いため、さらにその表面を紫外線硬化樹脂等で被膜して保護してたり、ＤＶＤ（ディジタル・ビデオ・ディスク）では２枚の薄いディスクを反射膜や記録膜側で張り合わせて１枚のディスクとして使用している。
【０００４】
ところで、最近では車載型のＣＤプレーヤーやカーナビゲーションシステム（カーナビ）でＣＤやＤＶＤが急速に普及してきている。これら車載型のＣＤプレーヤーやカーナビは搭載スペースの関係で、非常にコンパクトにする必要があり、これらの機器から発生する熱がこもりやすく内部は高温になることが多い。さらに、夏の昼間に窓ガラスを閉め切った車内では７０〜８０℃以上の高温になることは珍しくない上に、夜間の車内は室温まで下がることとなり、この温度サイクルが繰り返される。
【０００５】
また、このようなＣＤプレーヤーやカーナビで使用されるＣＤやＤＶＤは、例えば、ＣＤプレーヤーではＣＤチェンジャーの普及で、また、カーナビは機器の特性上、機器の中に入れられたままになることが多く、これらＣＤやＤＶＤは、挿入している機器からの発熱や、車内の温度変化に毎日曝されることになり、光ディスク基板と反射膜や記録膜との間の熱収縮率の違いによって、光ディスク基板と反射膜や記録膜との間にはストレスが生じる。
【０００６】
そこで、光ディスク基板と反射膜や記録膜との接着力を強固にする必要があるが、ＣＤやＤＶＤは、レーザー光線による信号の読み書きが必要なため、ピット列情報や案内溝と反射膜や記録膜との間に隙間があれば、レーザー光線が散乱したり、反射しなかったりするため、光ディスク基板と反射膜や記録膜との接着に接着剤を使用することは出来ず、光ディスクに直接反射膜や記録膜を形成する必要がある。そのため、光ディスク基板に直接反射膜や記録膜を蒸着する方法が採用されている。
【０００７】
しかし、上記のような車載型の機器での使用においては、長期間にわたって高温と低温を繰り返される状態におかれ、光ディスク基板と反射膜や記録膜との接着力が弱いため、光ディスク基板と反射膜や記録膜とがはがれ、読み取りエラーが発生する等のトラブルが発生することがある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたもので、反射膜や記録膜との接着力に優れ、データの読み取りエラーが少なく、しかも、温度変化や湿度変化等の環境変化に強い光ディスクを得ることができる光ディスク基板の成形方法及びこの成形方法で得られる光ディスク基板を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的のために、本発明者らは、検討の結果、車載型機器で使用されるＣＤやＤＶＤの読み取りエラーの発生は、ＣＤやＤＶＤが長期間にわたって高温と低温を繰り返される状態におかれ、光ディスク基板と反射膜や記録膜とがはがれることによって発生することをつきとめた。
【００１０】
また一方で、二酸化炭素を吸収した熱可塑性樹脂のガラス転移温度が低下するという挙動に着目して、光ディスク基板の成形への導入について鋭意研究を重ねてきた。その結果、金型キャビティに二酸化炭素を導入した後、射出成形することにより、微細な情報ピットや案内溝の転写性が著しく向上することを見い出して既に公表した（特開平１０−３２０８４８号公報）。
【００１１】
その後、更に高収率に光ディスク基板を得る為に、鋭意研究を重ねてきた結果、フェノール性末端基の比率が全末端数の１５％以上である芳香族ポリカーボネート樹脂を使用し、また、離型剤の量を抑え、かつ、金型キャビティに二酸化炭素を導入した後、射出成形することを組み合わせにることにより、反射膜や記録膜との接着力に優れる光ディスク基板が得られることを見い出し本発明を完成するに至った。
【００１２】
すなわち本発明は、光ディスク用転写情報をもつスタンパーを備えた金型キャビティ内に、二酸化炭素を導入し、ついでフェノール性末端基の比率が全末端数の１５％以上である重量平均分子量（Ｍｗ）１０，０００〜１８，０００の芳香族ポリカーボネート樹脂、及び５００ｐｐｍ以下の離型剤を充填して、スタンパーの光ディスク用転写情報を転写することを特徴とする光ディスク基板の成形方法を提供するものである。
【００１３】
また、本発明は、芳香族ポリカーボネート樹脂が、二酸化炭素が該樹脂の固化温度下で当該樹脂に０．５重量％以上溶解する圧力で金型キャビティ内に存在する状態で、金型キャビティ内へ充填されること、
芳香族ポリカーボネート樹脂が、金型キャビティへの充填前に予め二酸化炭素が０．１〜３重量％溶解されたものであること、
をその好ましい態様として含むものである。
【００１４】
さらに本発明は、上記いずれかの方法で成形された光ディスク基板を提供するものでもある。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１６】
本発明は、光ディスク基板の射出成形にあたり、原料樹脂にフェノール性末端基の比率が全末端数の１５％以上である芳香族ポリカーボネート樹脂を使用して、かつ、金型キャビティ内の空気を特定のガスで置換しておく点の組み合わせに着目したものである。
【００１７】
すなわち、フェノール性末端基の比率が全末端数の１５％以上である芳香族ポリカーボネート樹脂を使用して射出成形する場合、金型キャビティ内に特定のガスとして二酸化炭素を封入しておくことで、得られた光ディスク基板と反射膜や記録膜との接着強度が優れる。
【００１８】
さらに、溶融樹脂が充填されて二酸化炭素が高温下で圧縮されても、樹脂への溶解性が高いために該樹脂中へ溶け込む。従って、特にスタンパーの光ディスク用転写情報を構成する微細な凹凸部への樹脂充填を阻害することが無く、酸化劣化を引き起こすこともない。また、二酸化炭素は、金型キャビティへ充填された溶融樹脂の表面付近で当該樹脂中へ溶解することで、樹脂の可塑剤として働き、溶融した樹脂の固化温度（ガラス転移温度）を下げ、スタンパー表面での樹脂の急激な粘度上昇を押さえるため、スタンパー表面の光ディスク用転写情報を構成する凸凹形状の細部にまで樹脂が流動して密着し、転写性が向上する。
【００１９】
ここで、スタンパーとは、光ディスクに、光ディスク用転写情報を転写させるフィルム状の型であり、スタンパーを金型に取り付けることにより、例えば、音楽ＣＤであれば、異なった曲のＣＤを製造することが可能である。尚、光ディスク用転写情報とは、転写されることによってサブミクロンオーダの凹凸のピット列情報や、グルーブやランドと言われるトラッキングの為の案内溝を形成するための凹凸情報をいう。
【００２０】
また、二酸化炭素の可塑化作用によって、溶解した樹脂の固化温度が下がることにより、金型内部での樹脂の流動性が良くなり、低い射出圧力での成形が可能となる。このため、成形される光ディスク基板の残留歪みを低減させることができる。
【００２１】
本発明で金型キャビティに封入されるガスの種類は、溶融樹脂に対する溶解度が大きく、また使用する樹脂を劣化させないこと、金型や成形する環境に対し危険性がないこと、安価であることなどの制約から、二酸化炭素が使用される。二酸化炭素は、必要な可塑化作用が得やすくなるよう、使用する樹脂の固化温度下で、平衡状態で０．５重量％以上溶ける圧力で金型キャビティに封入されることが好ましい。使用する二酸化炭素の純度は特に限定されないが、９５％以上であることが好まし。また、樹脂に対する溶解度が大きい二酸化炭素以外のガスとの混合物であってもよい。
【００２２】
金型キャビティに封入する二酸化炭素の圧力は、１ショット毎に使用する二酸化炭素の量を最小限に押さえ、金型のシールやガス供給装置の構造を簡単にするために低い方が好ましく、１０ＭＰａ以下が実用的である。１０ＭＰａを超えると金型を開こうとする力が無視できなくなったり、金型のシールが難しくなりやすい。好ましくは０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下、より好ましくは１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下である。
【００２３】
本発明において、樹脂の充填に先立って金型キャビティに封入される二酸化炭素は、溶融樹脂表面に溶解しても、該樹脂が固化してしまえば発泡現象を引き起こすことはない。また、金型キャビティ中で樹脂表面に溶け込んだ二酸化炭素は、光ディスク基板を金型から取り出した後、徐々に大気中に放散すると考えられるため危険性はない。成形時に必要とされるガス圧の条件は、樹脂、金型温度等から決まる。金型温度を高く設定すれば低い二酸化炭素圧力で十分な転写性向上効果が得られる。
【００２４】
また、通常の成形では、樹脂の充填速度により、スタンパーの光ディスク用転写情報の転写状態は大きく変わる。しかし、本発明の方法では、金型キャビティ中における樹脂表面の固化が二酸化炭素の可塑化作用によって遅延されるため、充填速度の影響は少なく、成形条件範囲が広がる。
【００２５】
本発明では、充填（射出）前の樹脂に予め二酸化炭素を可塑剤として溶解させておき、溶融粘度を低下させることで、金型キャビティへの充填を容易にすることができる。
【００２６】
充填前の樹脂に予め二酸化炭素を溶解させておく場合、その溶解量は０．１〜３重量％、特に０．２〜２重量％であることが好ましい。０．１重量％未満では十分な流動性の向上が得にくい。また、二酸化炭素の溶解量をむやみに増しても、二酸化炭素の溶解量の増加に対する樹脂の流動性向上量が少なくなることや、二酸化炭素の気化により樹脂が発泡しやすくなる。これを防止するために、カウンタプレッシャ成形法により成形品表面の発泡模様発生を防止するとしても、必要な金型キャビティ内のガス圧力が著しく高くなる。
【００２７】
予め樹脂に０．１〜３重量％の二酸化炭素を溶解させる方法としては次の２つの方法が好ましい。
【００２８】
１つは、粒状や粉状の樹脂を二酸化炭素雰囲気中に置き、二酸化炭素を吸収させてから成形機に供給する方法で、二酸化炭素雰囲気の圧力や温度、この雰囲気下に樹脂を置く時間により吸収量が決まる。この方法では、可塑化時に樹脂中の二酸化炭素の一部が揮散するため、溶融樹脂中の二酸化炭素量は予め吸収させた量よりも少なくなる。このため、成形機のホッパなど、樹脂の供給経路も二酸化炭素雰囲気にすることが望ましい。
【００２９】
もう１つの方法は、成形機のシリンダー内で樹脂を可塑化するとき、または可塑化した樹脂に二酸化炭素を溶融させる方法で、成形機のホッパ付近を二酸化炭素雰囲気にしたり、スクリュー先端やシリンダーから可塑化樹脂に二酸化炭素を注入することで行うことができる。樹脂中に二酸化炭素を均一に分散させるため、その後、スタティックミキサなどを通すことで樹脂中に二酸化炭素を分散させることもできる。
【００３０】
樹脂中に予め溶解された二酸化炭素は、成形後に得られた光ディスク基板を大気中に放置すれば徐々に大気中に放散する。この放散により光ディスク基板に気泡を生じることはなく、放散後の光ディスク基板の性能は本来の樹脂が有するものと変わらない。
【００３１】
本発明に用いられる芳香族ポリカーボネート樹脂は、例えば、２価フェノールとホスゲンまたは、炭酸ジエステルの反応により製造される。
【００３２】
２価フェノールとしては、ビスフェノール類が好ましく、特に２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以下ビスフェノールＡと記す）が好ましい。また、ビスフェノールＡの一部または、全部を他の２価フェノール化合物で置換してもよい。ビスフェノールＡ以外の２価フェノール化合物は、例えば、ハイドロキノン、４，４−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフォン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトンなどの化合物である。これらの２価フェノールのホモポリマー、または、２種以上のコポリマーあるいは、これらのブレンド品であってもよい。
【００３３】
具体的には、本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、下記式で表される繰り返し単位からなる主鎖を有する。
【００３４】
【化１】

【００３５】
（式中、Ａｒは、二価のＣ₅〜Ｃ₂₀₀芳香族残基であり、例えば、フェニレン、ナフチレン、ビフェニレンやピリジレンであり、それらは非置換又は置換されていてもよく、あるいはまた、下記式で表されるものが挙げられる。）
【００３６】
【化２】

【００３７】
（式中、Ａｒ¹及びＡｒ²は、それぞれアリーレン基である。例えばフェニレン、ナフチレン、ビフェニレン、ピリジレン等の基を表し、それらは非置換又は置換されていてもよく、Ｙは下記式で表されるアルキレン基または置換アルキレン基である。）
【００３８】
【化３】

【００３９】
（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴はそれぞれ独立に水素原子、Ｃ₁〜Ｃ₆低級アルキル基、Ｃ₅〜Ｃ₁₀シクロアルキル基、Ｃ₆〜Ｃ₃₀アリール基、Ｃ₇〜Ｃ₃₁アラルキル基であって、場合によりハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルコキシ基で置換されていてもよく、ｋは３〜１１の整数であり、Ｒ⁵及びＲ⁶は、各Ｘについて個々に選択され、お互いに独立に水素原子、またはＣ₁〜Ｃ₆低級アルキル基、Ｃ₆〜Ｃ₃₀アリール基であって、場合によりハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルコキシ基で置換されていてもよく、Ｘは炭素原子を表す。）
【００４０】
また、下記式で示される二価の芳香族残基を共重合体成分として含有していても良い。
【００４１】
【化４】

【００４２】
（式中、Ａｒ¹、Ａｒ²は前記と同じ。Ｚは単結合、または、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ₂−、−ＣＯＮ（Ｒ¹）−（Ｒ¹は前記と同じ）等の二価の基である。）
【００４３】
これら二価の芳香族残基の具体例としては、下記式で表されるもの等が挙げられる。
【００４４】
【化５】

【００４５】
【化６】

【００４６】
（式中、Ｒ⁷及びＲ⁸は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルコキシ基、Ｃ₅〜Ｃ₁₀シクロアルキル基またはＣ₆〜Ｃ₃₀アリール基である。ｍ及びｎは１〜４の整数で、ｍが２〜４の場合には各Ｒ⁷はそれぞれ同一でも異なるものであってもよいし、ｎが２〜４の場合は各Ｒ⁸はそれぞれ同一でも異なるものであっても良い。）
【００４７】
なかでも、下記式で表される二価の芳香族残基が好ましい一例である。
【００４８】
【化７】

【００４９】
また、上記の式で表されるものをＡｒとする繰り返しユニットを８５モル％以上（ポリカーボネート中の全モノマーユニットを基準として）含むポリカーボネートが特に好ましい。
【００５０】
また、本発明に用いられる芳香族ポリカーボネート樹脂は、三価以上のＣ₆〜Ｃ₃₀₀芳香族残基を共重合成分として含有していても良い。
【００５１】
ポリマー末端の分子構造は特に限定されないが、フェノール性末端基（ヒドロキシル基）、アリールカーボネート基、アルキルカーボネート基から選ばれた１種以上の末端基を結合することができる。アリールカーボネート末端基は、下記式で表される。
【００５２】
【化８】

【００５３】
（式中、Ａｒ³は一価のＣ₆〜Ｃ₃₀芳香族残基であり、芳香環は置換されていても良い。）
【００５４】
アリールカーボネート末端基の具体例としては、例えば、下記式で表されるものが挙げられる。
【００５５】
【化９】

【００５６】
アルキルカーボネート末端基は下記式で表される。
【００５７】
【化１０】

【００５８】
（式中、Ｒ⁹は炭素数１〜２０の直鎖もしくは分岐アルキル基を表す。）
【００５９】
アルキルカーボネート末端基の具体例としては、例えば、下記式で表されるものが挙げられる。
【００６０】
【化１１】

【００６１】
これらの末端基の中で、フェノール性末端基（ヒドロキシル基）、フェニルカーボネート基、ｐ−ｔ−ブチルフェニルカーボネート基、ｐ−クミルフェニルカーボネート基等が好ましく用いられる。
【００６２】
本発明において、フェノール性末端と他の末端との比率は、１種類以上のポリカーボネートにおいて、フェノール性末端基の比率が全末端基数の１５％以上である必要があり、１５〜８０％の範囲あることが好ましい。フェノール性末端基の比率が全末端基数の１５％より低いと、密着強度が低下する。また、８０％を越えるものは、製造が困難である。
【００６３】
フェノール性末端基の比率の測定方法としては、一般にＮＭＲを用いて測定する方法（ＮＭＲ法）や、チタンを用いて測定する方法（チタン法）や、ＵＶもしくはＩＲを用いて測定する方法が知られている。本発明においては、ＮＭＲ法で求めた。
【００６４】
本発明に用いられる芳香族ポリカーボネートの重量平均分子量（Ｍｗ）は１０，０００〜１８，０００の範囲にある。Ｍｗが１０，０００より小さいと強度が不足し、Ｍｗが１８，０００より大きいと成形が行いにくくなる。
【００６５】
本発明において、ポリカーボネートの重量平均分子量（Ｍｗ）の測定はＧＰＣを用いて行い、測定条件は下記の通りである。即ち、テトラヒドロフラン溶媒、ポリスチレンゲルを使用し、標準単分散ポリスチレンの較正曲線から下式を用いる計算によって得られた換算分子量較正曲線を用いて求めた。
【００６６】
Ｍ_PC＝０．３５９１Ｍ_PS ^1.0388
（Ｍ_PCはポリカーボネートの分子量、Ｍ_PSはポリスチレンの分子量）
【００６７】
本発明で用いる芳香族ポリカーボネート樹脂は、公知の方法で製造したものが使用できる。具体的には、例えば、芳香族ジヒドロキシ化合物とカーボネート前駆体（例えばホスゲン）を水酸化ナトリウム水溶液及び塩化メチレン溶媒の存在下に反応させる界面重合法（例えばホスゲン法）、芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステル（例えばジフェニルカーボネート）等を反応させるエステル交換法（溶融法）、ホスゲン法又は溶融法で得られた結晶化カーボネートプレポリマーを固相重合する方法（特開平１−１５８０３３号公報、特開平１−２７１４２６号公報、特開平３−６８６２７号公報等）等の方法により製造されたものが用いられる。
【００６８】
また、光ディスク基板に広く使用されている芳香族ポリカーボネート樹脂は、二酸化炭素の溶解度が高いだけでなく、熱分解した場合に二酸化炭素を生ずることから、溶融状態において二酸化炭素が含まれると分解反応の平衡がずれ、分解反応速度が遅くなる利点もあり、本発明に最適である。
【００６９】
本発明に使用する離型剤は、一般に知られているものであれば問題なく使用できる。離型剤の配合量が５００ｐｐｍを越えると、光ディスク基板と記録層や反射層との密着強度が低下し、記録層や反射層のはがれの原因となり、好ましくない。
【００７０】
【実施例】
以下に実施例、比較例を用いて本発明をさらに具体的に説明する。なお、実施例および比較例における測定項目は以下の通りである。
【００７１】
（１）平均ブロックエラーレート（ＢＬＥＲ）
ＣＤ−ＣＡＴＳ（ＡｕｄｉｏＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ製）を使用して、光ディスクのブロックエラーレート（ＢＬＥＲ）を測定し、全てのブロックのＢＬＥＲの平均を平均ＢＬＥＲとして示す。ＢＬＥＲとは、１ブロックあたりのエラー率を示し、例えばＣＤ−ＲＯＭの１ブロックとは２３５２バイトである。値が小さいほどエラーが少ないことを表す。
【００７２】
（２）密着性（クロスカットテスト）
光ディスクの保護層の上から、２ｍｍ間隔で格子状にカッターナイフで切れ込みを入れ、その上にセロハンテープ（ニチバン製）を貼り、そのテープをはがして光ディスク基板上に残った格子の数を％で示す。この測定を５回行い、その平均値を示す。値が大きいほど、密着強度が強いことを表す。
【００７３】
（３）熱ショック試験
光ディスクを１００℃中に１時間置き、ついで２３℃に１時間置くことを１００回繰り返した後、平均ブロックエラーレート（ＢＬＥＲ）と密着性を測定した。
【００７４】
（４）湿熱試験
光ディスクを８０℃、９０％ＲＨの条件で、１６８時間置いた後、平均ブロックエラーレート（ＢＬＥＲ）と密着性を測定した。
【００７５】
また、実施例および比較例で用いた芳香族ポリカーボネート樹脂、離型剤は以下の通りである。
【００７６】
（ＰＣ−１）
溶融エステル交換法で製造されたビスフェノールＡ系ポリカーボネート（Ｍｗ＝１５，６００、フェノール性末端基比率＝３３％）
（ＰＣ−２）
ホスゲン法で製造されたビスフェノールＡ系ポリカーボネート（Ｍｗ＝１５，５００、フェノール性末端基比率＝２％）
（離型剤）
ユニスターＨ−４７６（日本油脂製）、構造：Ｃ（ＣＨ２ＯＯＣ１７Ｃ３５）４
【００７７】
＜実施例１、比較例１、６＞
図１に本実施例に使用した金型構造を示す。
【００７８】
１は固定側金型本体、２は可動側金型本体、３はスプルーである。４は成形される光ディスク基板にグルーブ・プレピットを転写するための原盤であるスタンパー、５はスタンパーの内周部を保持する内周ホルダー、６は成形された光ディスク基板をスタンパー４から剥離するエジェクター、７は光ディスク基板とスプルー３を分離するカッター、８はスタンパー４の外周部を保持し、光ディスク基板外径を形成する外周リングを示している。また、９は外周リング８内に設けたガス供給・排出孔であり、ここからスタンパー４と外周リング８の隙間を通してキャビティへ二酸化炭素を導入する。１０，１１は光ディスク基板剥離のためのエアーエジェクト孔であるが、切換弁を使い、ここからも二酸化炭素を金型キャビティ内へ導入できる。また、金型キャビティ内の気密性を確保するため、金型外周部と内周部にＯリング１２，１３を設けた。
【００７９】
この金型を成形機（住友重機械製「ＤＩＳＫ−５ＭＩＩＩ」）に取り付け、表１に示す芳香族ポリカーボネート樹脂と離型剤を使用して、光ディスク基板の射出成形を行った。
【００８０】
スタンパーには、コンパクトディスク（ＣＤ）規格に準拠し、ＥＦＭ変調されたピットで情報が記録されたものを取り付けた。成形条件は、可塑化温度３００℃、金型温度１０５℃、型締め力３００ＫＮ、充填時間０．５秒、冷却時間２．５秒で行なった。
【００８１】
二酸化炭素の導入は、溶融樹脂の射出前に行なった。二酸化炭素の充填は、成形機と連動した切換弁を用い、型締め完了から２秒間行い、その後ポリカーボネートを射出するタイムサイクルとした。また、二酸化炭素の充填圧力は、５ＭＰａで純度９９％以上のものを使用した。
【００８２】
こうして作製した光ディスク基板上に、Ａｌ合金薄膜からなる反射層をスパッタリング法により成膜し、さらに反射層の表面を紫外線硬化樹脂で被覆して光ディスクを作製した。
【００８３】
このようにして得られた光ディスクで特性試験を行った。評価結果を表１に示す。
【００８４】
＜比較例２、３＞
二酸化炭素を導入しなかった以外は、実施例１と同様に射出成形を行い、評価用光ディスクを得た。ＰＣ種と離型剤量は表１に示す。
【００８５】
このようにして得られた光ディスクで特性試験を行った。評価結果を表１に示す。
【００８６】
＜実施例２、比較例４＞
スタンパーに、相変化光ディスク「ＰＤ」フォーマット（ＥＣＭＡ−ＰＤ規格）に準拠したスタンパーを取り付け、成形条件は、可塑化温度３３０℃、金型温度１１５℃、型締め力３００ＫＮ、充填時間０．４秒で行った以外は、実施例１と同様に射出成形を行い、評価用光ディスク基板を得た。ＰＣ種と離型剤量は表１に示す。
【００８７】
こうして作製した光ディスク基板上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２薄膜からなる下層保護層、ＳｂＴｅＧｅ合金薄膜からなる記録層、次いでＺｎＳ−ＳｉＯ２薄膜からなる上層保護層、さらにＡｌ合金薄膜からなる反射層を順次スパッタリング法により成膜して積層し、さらに反射層の表面を紫外線硬化樹脂で被覆して相変化型の光ディスクを作製した。
【００８８】
このようにして得られた光ディスクで特性試験を行った。測定結果を表１に示す。
【００８９】
＜比較例５＞
二酸化炭素を導入しなかった以外は、実施例２と同様に射出成形を行い、評価用光ディスクを得た。
【００９０】
このようにして得られた光ディスクで特性試験を行った。評価結果を表１に示す。
【００９１】
＜比較例７＞
市販されている音楽ＣＤで特性試験を行った。評価結果を表１に示す。
【００９２】
＜比較例８＞
市販されているＣＤ−Ｒ（ＴＤＫ製ＣＤ−Ｒ）で特性試験を行った。評価結果を表１に示す。
【００９３】
【表１】

【００９４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、反射膜や記録膜との接着力に優れ、データの読み取りエラーが少なく、しかも、温度変化や湿度変化等の環境変化に強い光ディスクを得ることができる光ディスク基板を成形することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に使用した金型の構造を示す説明図である。
【符号の説明】
１固定側金型本体
２可動側金型本体
３スプルー
４スタンパー
５スタンパー内周ホルダー
６エジェクター
７カッター
８外周リング
９ガス供給・排出孔
１０エアーエジェクト孔
１１エアーエジェクト孔
１２Ｏリング
１３Ｏリング

Claims

光ディスク用転写情報をもつスタンパーを備えた金型キャビティ内に、二酸化炭素を導入し、ついでフェノール性末端基の比率が全末端数の１５％以上である重量平均分子量（Ｍｗ）１０，０００〜１８，０００の芳香族ポリカーボネート樹脂、及び５００ｐｐｍ以下の離型剤を充填して、スタンパーの光ディスク用転写情報を転写することを特徴とする光ディスク基板の成形方法。
芳香族ポリカーボネート樹脂が、二酸化炭素が該樹脂の固化温度下で当該樹脂に０．５重量％以上溶解する圧力で金型キャビティ内に存在する状態で、金型キャビティ内へ充填されることを特徴とする請求項１記載の光ディスク基板の成形方法。
芳香族ポリカーボネート樹脂が、金型キャビティへの充填前に予め二酸化炭素が０．１〜３重量％溶解されたものであることを特徴とする請求項１または２記載の光ディスク基板の成形方法。
請求項１〜３のいずれかに記載の方法で成形された光ディスク基板。