JP4251052B2 - 超音波パラメトリックスピーカ - Google Patents
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Description
本発明に係る超音波パラメトリックスピーカの基本構成1を図1〜図5に基づいて説明する。
本発明に係る超音波パラメトリックスピーカの基本構成2を図6に基づいて説明する。
本発明の実施形態1を図7及び図8に基づいて説明する。本実施形態では、基本構成1で説明した超音波パラメトリックスピーカにおいて、周波数解析・合成手段5と変調周波数出力手段6との間に周波数補正手段7を設けている。周波数補正手段7は、超音波発生器1から出力される超音波の波形が周波数解析・合成手段5で生成された電気信号の波形と略同じ波形となるように、周波数解析・合成手段5で生成された電気信号を補正した信号を変調周波数出力手段6に出力するものであり、周波数解析・合成手段5で生成された電気信号波形(電圧波形)にバイアス電圧を加えて正の値とするバイアス電圧加算回路7aと、バイアス電圧加算回路7aの出力の平方根を補正信号として変調周波数出力手段6に出力する平方根回路7bとで構成される。尚、周波数補正手段7以外の構成は基本構成1で説明した超音波パラメトリックスピーカと同様であるので、共通する構成要素には同一の符号を付してその説明は省略する。
この式(1)から明らかなように、発熱体12で発生される熱量Wは電圧V1の二乗に比例するので、超音波発生器1から出力される超音波の音圧変化も電圧V1の二乗に比例することになる。
つまり、超音波発生器1から出力される超音波の周波数は、発熱体12に印加される電圧信号V1の周波数の2倍の周波数となってしまう。
本発明の参考例を図9に基づいて説明する。本参考例では、基本構成1で説明した超音波パラメトリックスピーカにおいて、周波数解析・合成手段5と変調周波数出力手段6との間に、空気(媒質)の非線形性によって発生する高調波成分を抑制するように周波数解析・合成手段5で生成された電気信号を補正した信号を変調周波数出力手段6に出力する非線形波生成手段8を設けている。尚、非線形波生成手段8以外の構成は基本構成1で説明した超音波パラメトリックスピーカと同様であるので、共通する構成要素には同一の符号を付してその説明は省略する。
本発明に係る超音波パラメトリックスピーカの基本構成3を図11及び図12に基づいて説明する。この超音波パラメトリックスピーカでは、上述した図6の超音波パラメトリックスピーカにおいて、基板10に設けた断熱層11の表面に9個の発熱体12a,12b…12iを3×3のアレイ状に形成してあり、変調周波数出力手段6で生成された電気信号の位相を制御して個々の発熱体12a,12b…に個別に入力する位相制御回路9a,9b…を信号生成手段に付加してある。尚、図11及び図12(b)では図示を簡単にするために、発熱体12a…および位相制御回路9a…の一部のみを省略して図示してある。また超音波パラメトリックスピーカの基本的な構成は基本構成2で説明した超音波パラメトリックスピーカと同様であるので、共通する構成要素には同一の符号を付して、その説明は省略する。
本発明に係る超音波パラメトリックスピーカの基本構成4を図13に基づいて説明する。この超音波パラメトリックスピーカでは、上述した基本構成1、2の超音波パラメトリックスピーカにおいて、超音波発生器1から出力される超音波を反射して所望の位置で収束させる凹面形状の反射部材14を、超音波発生器1からレイリー長以内に配置している。尚、反射部材14以外は基本構成1、2で説明した超音波パラメトリックスピーカと同様であるので、共通する構成要素には同一の符号を付して、図示及び説明は省略する。
本発明に係る超音波パラメトリックスピーカの基本構成5を図16に基づいて説明する。この超音波パラメトリックスピーカでは、上述した基本構成2の超音波パラメトリックスピーカにおいて、変調周波数出力手段6から発熱体12に出力される電気信号の振幅を調整する振幅調整手段15を設けてある。尚、振幅調整手段15以外の構成は基本構成2の超音波パラメトリックスピーカと同様であるので、共通する構成要素には同一の符号を付して、その説明は省略する。
本発明に係る超音波パラメトリックスピーカの基本構成6を図18及び図19に基づいて説明する。本スピーカでは、上述した基本構成1の超音波パラメトリックスピーカにおいて、基板10に設けた断熱層11の表面に複数個(例えば4個)の発熱体12a〜12dを2×2のアレイ状に形成してある。そして、基本構成3と同様に変調周波数出力手段6又は固定周波数出力手段3で生成された電気信号の位相を制御して個々の発熱体12a…に個別に入力する位相制御回路9a…を信号生成手段に付加してある(図11参照)。尚、超音波パラメトリックスピーカの基本的な構成は基本構成1又は3と同様であるので、共通する構成要素には同一の符号を付して、その説明は省略する。
本発明に係る超音波パラメトリックスピーカの基本構成7を図21及び図22に基づいて説明する。尚、超音波パラメトリックスピーカの基本的な構成は上述した基本構成1又は2の超音波パラメトリックスピーカと同様であるので、共通する構成要素には同一の符号を付して、図示及び説明は省略する。
3 固定周波数出力手段
6 変調周波数出力手段
10 半導体基板
11 断熱層
12 発熱体
SP1,SP2 スピーカ
Claims (8)
- 基板、該基板の表面の少なくとも一部に設けられた基板よりも熱伝導率が小さい断熱層、及び断熱層における基板と反対側の面に設けられ入力された電気信号に応じて発熱する薄膜状の発熱体からなり、発熱体の発熱による媒質の膨張及び収縮で超音波を発生させる1乃至複数の超音波発生手段と、前記1乃至複数の超音波発生手段から、差音の周波数が可聴域となるような周波数の異なる複数の超音波を発生させるための電気信号を生成する信号生成手段とを備え、前記信号生成手段は、可聴音の周波数を解析して基本周波数の超音波を変調した電気信号を生成する周波数解析・合成手段と、入力信号に基づいて前記超音波発生手段を駆動する変調周波数出力手段を具備し、超音波発生手段から出力される超音波の波形が周波数解析・合成手段で生成された電気信号の波形と略同じ波形になるように、周波数解析・合成手段で生成された電気信号を補正した信号を変調周波数出力手段に出力する補正手段を設けるとともに、当該補正手段を、周波数解析・合成手段で生成された電気信号をバイアスして正の値とするバイアス手段と、バイアス手段の出力の平方根を補正信号として変調周波数出力手段に出力する平方根出力手段とで構成したことを特徴とする超音波パラメトリックスピーカ。
- 上記断熱層が多孔質層からなることを特徴とする請求項1記載の超音波パラメトリックスピーカ。
- 上記基板は半導体基板であって、該半導体基板及び上記多孔質層がそれぞれシリコンからなることを特徴とする請求項2記載の超音波パラメトリックスピーカ。
- 前記超音波発生手段は、前記基板に設けた前記断熱層の表面に複数の前記発熱体をアレイ状に配置して構成されており、前記信号生成手段に、前記超音波発生手段から出力される超音波が所望の位置で収束するように当該超音波発生手段の備える個々の発熱体に出力する電気信号を個別に位相制御する位相制御手段を設けたことを特徴とする請求項1記載の超音波パラメトリックスピーカ。
- 前記超音波発生手段から出力される超音波を反射して所望の位置で収束させる凹面形状の反射部材を、当該超音波発生手段からレイリー長以内に配置したことを特徴とする請求項1記載の超音波パラメトリックスピーカ。
- 前記信号生成手段から前記発熱体に出力される電気信号の振幅を調整する振幅調整手段を設けたことを特徴とする請求項1記載の超音波パラメトリックスピーカ。
- 前記基板に設けた前記断熱層の表面に複数の前記発熱体がアレイ状に配置して構成された前記超音波発生手段を複数備え、前記信号生成手段に、各超音波発生手段から出力される超音波の方向を制御するために、各超音波発生手段の備える個々の発熱体に出力する電気信号を個別に位相制御する位相制御手段を設けたことを特徴とする請求項1記載の超音波パラメトリックスピーカ。
- 前記超音波発生手段から出力される超音波のレイリー長を表示する表示手段を設けたことを特徴とする請求項1記載の超音波パラメトリックスピーカ。
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