JP4240531B2 - ベンゾイル誘導体 - Google Patents

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Description

ベンゾイル誘導体
本発明は除草作用を有する新規のベンゾイル誘導体、このベンゾイル誘導体の製造法、これらを含有する組成物、および該誘導体または該誘導体を含有する薬剤の、雑草を防除するための使用法に関する。
除草作用を有する2−アロイルシクロヘキサンジオンは、EP90262、EP135191、EP186118、EP186119、EP186120、EP319075、WO9005712、J03052862、J03120202などの文献に開示されている。
しかしながら公知化合物の除草特性および農作物によるこれらに対する耐性は限られた程度においてのみ満足とされている。
しかるに本発明は、より優れた特性を有する新規の2−アロイルシクロヘキサンジオン誘導体を提供することをその課題とする。
本発明の上記課題は、式I
Figure 0004240531
で表され、式中
L、Mが水素、C1−C6アルキル、C2−C6アルケニル、C2−C6アルキニル、C1−C4アルコキシを意味し、これら各基は非置換であっても、1−5個のハロゲン原子またはC1−C4アルコキシ基により置換されていてもよく、またはそれぞれハロゲン、シアノ、ニトロ、−(Y)n−S(O)m7で表される基または−(Y)n−CO−R8で表される基を意味し、
Zが酸素、硫黄および窒素から選択される1〜3個のヘテロ原子を有し、非置換であっても、ハロゲン、シアノ、ニトロ、−CO−R8、C1−C4アルキル、C1−C4ハロアルキル、C3−C8シクロアルキル、C1−C4アルコキシ、C1−C4ハロアルコキシ、C1−C4アルキルチオ、C1−C4ハロアルキルチオ、ジ−C1−C4アルキルアミノにより置換されてもよい、または非置換またはハロゲン、シアノ、ニトロ、C1−C4アルキルまたはC1−C4ハロアルキルによって置換されているフェニルによって置換されてもよい、または互変異性状態のヒドロキシル基として存在可能なオキソ基によって置換されてもよい、またはハロゲン、シアノ、ニトロ、C1−C4アルキルまたはC1−C4ハロアルキルにより置換された縮合フェニル環と共に、または縮合炭素環と共に、または非置換またはハロゲン、シアノ、ニトロ、C1−C4アルキル、ジ−C1−C4アルキルアミノ、C1−C4アルコキシ、C1−C4ハロアルコキシまたはC1−C4ハロアルキルにより置換された縮合した第二の複素環と共に二環化合物を形成する、5員または6員の複素環式飽和または不飽和基を意味し、
YがOまたはNR9を意味し、
nが0または1であり、
mが0、1または2であり、
7がC1−C4アルキル、C1−C4ハロアルキルまたはNR910を意味し、
8がC1−C4アルキル、C1−C4ハロアルキル、C1−C4アルコキシまたはNR910を意味し、
9が水素またはC1−C4アルキルを意味し、
10がC1−C4アルキルを意味し、
Qが2位で結合し、式II
Figure 0004240531
で表され、式中
1、R2、R4およびR6がそれぞれ水素またはC1−C4アルキルを、
5が水素、C1−C4アルキルまたは−COOR10で示される基を、
3が水素、または1−3個のハロゲン、C1−C4アルキルチオおよびC1−C4アルコキシを有しても良いC1−C4アルキルまたはC3−C6シクロアルキルを、または
3がテトラヒドロピラン−3−イル、テトラヒドロピラン−4−イル、またはテトラヒドロチオピラン−3−イルをそれぞれ意味するか、もしくは
3とR5が合体して結合または3員から6員までの炭素環基を形成する、シクロヘキサン−1,3−ジオン環を意味することを特徴とする、新規のベンゾイル誘導体、または化合物Iの農業上使用可能な塩により、達成されることを本発明者らが見出した。
式Ia
Figure 0004240531
で表され、式中LがC1−C6アルキル、C2−C6アルケニル、C2−C6アルキニル、C1−C4アルコキシ、C1−C4アルキルチオ、C1−C4ハロアルキル、C1−C4ハロアルコキシ、C1−C4ハロアルキルチオ、C1−C4アルキルスルホニル、ハロゲン、ニトロまたはシアノを意味し、Mが水素、C1−C6アルキル、C2−C6アルケニル、C2−C6アルキニル、C1−C4アルコキシ、C1−C4アルキルチオ、C1−C4ハロアルキル、C1−C4ハロアルコキシ、C1−C4ハロアルキルチオ、C1−C4アルキルスルホニル、ハロゲン、ニトロまたはシアノを意味し、QおよびZが上記の意味を有する、ベンゾイル誘導体が好ましい。
他の好ましいベンゾイル誘導体には、式Ib
Figure 0004240531
で表され、式中LおよびMがそれぞれC1−C6アルキル、C2−C6アルケニル、C2−C6アルキニル、C1−C4アルコキシ、C1−C4アルキルチオ、C1−C4ハロアルキル、C1−C4ハロアルコキシ、C1−C4ハロアルキルチオ、C1−C4アルキルスルホニル、ハロゲン、ニトロまたはシアノを意味し、QおよびZが請求項1に記載の意味を有する化合物がある。
式Icの化合物は、式IIの化合物を式IIIの安息香酸誘導体と反応させ、得られた生成物を転移反応に付することにより、式Icのベンゾイル誘導体として得られる。
式1
Figure 0004240531
上記式中、Tはハロゲンを、L、M、Zは上記定義による各基を意味する。
反応経路の第一工程、つまりアシル化は、公知方法により、例えば式III(T=Cl)の塩化アシルをシクロヘキサン−1,3−ジオンIIの溶液または懸濁液に、補助塩基の存在下に添加することにより行われる。反応体および補助塩基をほぼ当モル量で用いると好ましい。場合によってはIIに対して助剤塩基をやや過剰に、例えば1.2〜1.5モル当量として用いることも有効である。
適する補助塩基としては第三アルキルアミン、ピリジンまたはアルカリ金属炭酸塩が用いられ、溶媒としては、例えば塩化メチレン、ジエチルエーテル、トルエンまたは酢酸エチルが用いられる。
塩化アシルの添加の間に、反応混合物を0−10℃に冷却すると好ましく、次いで反応が完了するまで20−100℃、好ましくは25−50℃で攪拌する。後処理は、慣用の方法で行われる。例えば反応混合物を水に注入し、塩化メチレンを用いて抽出する。有機相を乾燥させた後、溶媒を除去し、粗エノールエステルを、更に精製せずに転移反応に用いることができる。シクロヘキサン−1,3−ジオンのエノールエステルの製造例はヨーロッパ特許出願公開第186118号公報およびUS4780127号に記載されている。
式Icの化合物を得るための、エノールエステルの転移反応は20−40℃で溶媒中、補助塩基の存在下、触媒としてのシアノ化合物を用いて行われると有効である。
使用可能の溶媒の例にはアセトニトリル、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタン、酢酸エチルまたはトルエンがある。好ましい溶媒としてはアセトニトリルが用いられる。適する補助塩基には第三アルキルアミン、ピリジンまたはアルカリ金属炭酸塩が挙げられ、これらはベンゾイルエノールエステルに対して当モル量、または4倍までの過剰量で使用される。トリエチルアミンを助剤塩基として等モル量の二倍量で用いると好ましい。
適する触媒は、シアン化カリウムまたはアセトンシアノヒドリンであり、エノールエステルに対して、好ましくは1−50モル%の量で用いられる。アセトンシアノヒドリンを、例えば5−15、特に10モル%の量で添加すると好ましい。シクロヘキサン−1,3−ジオンのエノールエステルの、シアン化物触媒作用による転移の例は、例えばヨーロッパ特許出願公開第186118号公報またはUS4780127号に開示されている。
後処理は公知方法により行われる。例えば反応混合物を濃度5%の塩酸または硫酸等の希鉱酸で酸性化し、塩化メチレンまたは酢酸エチル等の有機溶媒を用いて抽出する。精製に際して抽出物を、冷却した濃度5−10重量%のアルカリ金属炭酸塩で抽出し、最終生成物を水相中に投入する。水溶液を酸性化し、式Icの生成物を沈殿させるか、塩化メチレンで再抽出し、乾燥し、次いで溶媒から分離する。
出発材料として使用される式IIの1,3−ジケトンは公知であり、公知方法により製造可能である(ヨーロッパ特許出願公開第71707号、同第142741号、同第243313号各公報、US4294937号、WO92/13821号)。シクロヘキサン−1,3−ジオンおよびジメドンは市販の化合物である。
以下のように式IIIの安息香酸誘導体を製造する。
式III(T=Cl)の塩化ベンゾイルなどのハロゲン化ベンゾイルは、公知方法により式III(T=OH)の安息香酸を塩化チオニルと反応させて製造される。
式III(T=OH)の安息香酸は公知方法により、酸性または塩基性加水分解により式IIIの対応するエステル(T=C1−C4アルコキシ)から得られる。
式IIIの中間生成物は以下の式2および3により示される例により以下に記載の経路により合成可能である。
式2
Figure 0004240531
上記式中
TはC1−C4アルコキシを、
XはCl、Br、I、−OS(O)2CF3、−OS(O)2Fを、
1はSn(C1−C4アルキル)3、B(OH)2、ZnHal(HalはClまたはBrを示す)を意味し、
L、M、Zは上記定義と同様の意味を有するものとする。
この工程によると、アリールハロゲン化合物またはアリールスルホナートIVを、公知方法により錫酸ヘテロアリール(スチレカップリング(Stille Coupling))、ヘテロアリール硼素化合物(スズキカップリング)、またはヘテロアリール−亜鉛化合物(ネギシ反応)Vと(例えばSynthesis(1987)、51−53、Synthesis(1992)、413)、パラジウムまたはニッケル遷移金属触媒の存在下に、および塩基の存在または不存在下に反応させ、式IIIで表される新規化合物を得る。
また、式VI
式3
Figure 0004240531
で表され、
1がZまたはCNを意味し、
TがOHまたはC1−C4アルコキシを意味し、
LおよびMが上記定義による意味を有する、適当な臭素または沃素置換化合物を一酸化炭素および水と、圧力を上昇させて、パラジウム、ニッケル、コバルトまたはロジウム遷移金属触媒、および塩基の存在下に反応させることによっても式IIIの安息香酸誘導体が得られる。
本発明における好ましいベンゾイル誘導体は式IIIa
Figure 0004240531
で表され、式中
Tが塩素、OHまたはC1−C4アルコキシを、
LがC1−C6アルキル、C2−C6アルケニル、C2−C6アルキニル、C1−C4アルコキシ、C1−C4アルキルチオ、C1−C4ハロアルキル、C1−C4ハロアルコキシ、C1−C4ハロアルキルチオ、C1−C4アルキルスルホニル、ハロゲン、ニトロまたはシアノを意味し、
MがC1−C6アルキル、C2−C6アルケニル、C2−C6アルキニル、C1−C4アルコキシ、C1−C4アルキルチオ、C1−C4ハロアルキル、C1−C4ハロアルコキシ、C1−C4ハロアルキルチオ、C1−C4アルキルスルホニル、ハロゲン、ニトロまたはシアノを意味し、
Zが上記定義と同様の意味を有するものである。
更に、式IIIb
Figure 0004240531
で表され、式中
Tが塩素、OHまたはC1−C4アルコキシを意味し、
L、MがC1−C6アルキル、C2−C6アルケニル、C2−C6アルキニル、C1−C4アルコキシ、C1−C4アルキルチオ、C1−C4ハロアルキル、C1−C4ハロアルコキシ、C1−C4ハロアルキルチオ、C1−C4アルキルスルホニル、ハロゲン、ニトロまたはシアノを意味し、
Zが上記定義による意味を有するベンジル誘導体が好ましい。
ニッケル、コバルト、ロジウム、および特にパラジウム触媒は金属状態で、または慣用の塩の形態で、例えばPdCl2、PhCl3、H2O等のハロゲン化合物、Pd(OAc)2等の酢酸塩、またはシアン化物等の形状で、公知原子価水準で存在可能である。これらの触媒は第三ホスフィンとの金属錯体、金属アルキルカルボニル、金属カルボニル、例えばCO2(CO)8、Ni(CO)4として、第三ホスフィンとのカルボニル錯体、例えば(PPh32Ni(CO)2として、または第三ホスフィンと遷移金属塩との錯体として存在することもできる。ここで最後に挙げた実施形態は触媒としてパラジウムが用いられる場合に特に好ましい。ホスフィン配位子の性質は大幅に変化する。例えば、これらは以下の式
Figure 0004240531
(式中のnは1、2、3または4の数値を意味し、R11−R14で示される基は低分子量アルキル、例えばC1−C6アルキル、アリール、C1−C4アルキルアリール、例えばベンジル、フェネチルまたはアリールオキシ)で表される。ここでアリールとしては、例えばナフチル、アントリルおよび、好ましくは置換または非置換のフェニルが挙げられる。この場合置換基は広範囲に選択可能であり、カルボニル化おいて不活性であることのみが重要である。この様な置換基の例にはあらゆる不活性C−有機基、例えばC1−C6アルキル基、例えばメチル、カルボキシル基、例えばCOOH、COOM(Mは例えばアルキル金属、アルカリ土類金属またはアンモニウム塩である)、または酸素原子を介して結合しているC−有機基、例えばC1−C6アルコキシ基がある。
ホスフィン錯体は公知方法で、例えば冒頭に記載した文献中に記載されている方法により製造可能である。例えば、出発材料としては慣用の市販されている金属塩、例えばPdCl2またはPd(OCOCH32であり、ホスフィン、例えばP(C653、P(n−C493、PCH3(C652または1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタンを用いることが可能である。
遷移金属に対するホスフィン使用量は、従来より0−20モル当量、特に0.1−10モル当量、特に好ましくは1−5モル当量である。
遷移金属の使用量は臨界的でははいが、コストによる理由から、例えば出発材料IIまたはIIIに対して0.1〜10モル%、特に1〜5モル%といった少量の遷移金属を用いると良いことは言うまでもない。
安息香酸III(T=OH)を製造するために、一酸化炭素と、少なくとも出発材料VIに対して当モル量の水とを用いて、反応を行う。反応体である水を同時に溶媒としても用いることが可能であり、最大使用量は臨界的ではない。
しかしながら、出発材料と使用する触媒によっては、反応体ではない溶媒として、他の不活性溶媒またはカルボニル化用の塩基を用いることも有効である。
適する不活性溶媒としては、カルボニル化反応に慣用の溶媒、例えばトルエン、キシレン、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン等の炭化水素、メチルtert−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタンなどのエーテル、ジメチルホルムアミドなどの置換アミド、テトラ−C1−C4アルキル尿素などの多置換尿素、またはベンゾニトリルまたはアセトニトリルなどのニトリルが用いられる。
この方法による好ましい実施の形態において、反応体の1つ、好ましくは塩基を過剰で用い、他の溶媒を用いる必要を省くことができる。
上記方法において適する塩基としては、反応中に遊離した沃化水素または臭化水素を結合可能なあらゆる不活性塩基が用いられる。この様な塩基の例は、tert−アルキルアミンなどの第三アミン、例えばトリエチルアミンなどのトリアルキルアミン、N−メチルピペリジン、N,N’−ジメチルピペラジン、ピリジンなどの環状アミン、アルカリ金属重炭酸塩、またはテトラアルキル置換尿素誘導体、例えばテトラメチル尿素などのテトラ−C1−C4アルキル尿素が用いられる。
塩基の使用量は臨界的ではなく、一般的に1−10、特に1−5モルが通常用いられる。塩基を同時に触媒としても用いる場合は、実際的な理由により反応体が溶解した後の必要以上の過剰が避けられるような量に計量して用いらるのが一般的であり、これによりコストが節減され、小さな反応容器の使用を可能とし、反応体同士を最大限に接触させることが可能となる。
反応中の一酸化炭素圧を、VIに対してCOが常に過剰となるように調整する。室温における一酸化炭素圧は1−250バール、特に5−150バールであると好ましい。
通常、カルボニル化は20−250℃、特に30−150℃で、連続的にもバッチ式にも行われる。操作をバッチ式に行う場合、一酸化炭素を反応混合物に連続的に圧入し、一定圧を保つことが有効である。
出発化合物として用いられるアリールハロゲン化合物VIは公知であり、公知合成法を好適に組み合わせることにより容易に得られる。
例えば、ハロゲン化合物VIは、適するニトロ化合物を還元することにより合成可能な適当なアニリンからサンドマイヤー反応により、合成することができる(VI(Z1=CN)の場合:Liebigs Ann.Chem.(1980)、768−778)。更に臭化アリールVIは適当な出発化合物を直接臭素化することにより得られる[例えばMonatsh.Chem.99、815−822参照]。
式4
Figure 0004240531
(上記式中、
TはC1−C4アルコキシを、
XはCl、Br、I、−OS(O)2CF3、−OS(O)2Fを意味し、
L、M、Zは上述の定義と同様の意味を有し、
15は水素、C1−C4アルキル、C1−C4ハロアルキル、C3−C8シクロアルキル、非置換または置換フェニルまたはトリメチルシリルを、および
16は水素、C1−C4ハロアルキル、C3−C8シクロアルキルまたは非置換または置換フェニルを意味する。)
パラジウムまたはニッケル遷移金属触媒の存在下、塩基の存在下または不存在下に、文献に公知の方法によりアリールハロゲン化合物またはアリールスルホナートIVから出発し、これをビニルアルキルエーテルと反応させた後、加水分解に付すことによりアリールメチルケトンIVaが得られる[例えばTetrahedron Lett.32、(1991)、1753−1756参照]。
エチニル化芳香族化合物IVbは、アリールハロゲン化合物またはアリールスルホナートIVを置換アセチレンと、パラジウムまたはニッケル遷移金属触媒の存在下に反応させることにより得られる(例えばHeterocycles、24、(1986)、31−32)。R15=Hの場合の誘導体IVbを、R15=−Si(CH33の場合のシリル化合物IVbから得ると有利である[J.Org.Chem.46、(1981)、2280−2286]。
パラジウム触媒の存在下のアリールハロゲン化合物またはアリールスルホナートIVとオレフィンとのヘック反応(Heck reaction)によりアリールアルケンIVcが得られる(例えばHeck、Paradium Reagents in Organic Synthesis、アカデミックプレス、ロンドン1985、またはSynthesis 1993、735−762参照)。
出発材料として用いられるベンゾイル誘導体IV[例えばColl.Czech.Chem.Commn.40、(1975)、3009−3019]は、公知合成法を適宜組み合わせることにより簡単な方法で製造可能である。
例えば、スルホナートIV(X=−OS(O)2CF3、または−OS(O)2F)は対応の公知フェノール(例えばEP195247参照)または公知方法により製造されたフェノール(例えばSynthesis 1993、735−762)から得られる。
ハロゲン化合物IV(X=Cl、BrまたはI)は、例えばサンドマイヤー反応により対応するアニリンから得られる。
式5
Figure 0004240531
上記AはS、NHまたはNOHを意味し、
TはC1−C4アルコキシを、LおよびMは上記定義の意味を有する。
イソフタル酸誘導体IVfはアルデヒドIVeから公知方法により得られる[J.March Advanced Organic Chemistry第三版、629頁等、Wiley−Interscience Publication(1985)]。
アルデヒドIVeを公知方法によりヒドロキシルアミンと反応させることによりオキシムIVgを得ると有利である[J.March Advanced Organic Chemistry第三版、805−806頁等、Wiley−Interscience Publication(1985)]。
オキシムIVgは公知方法によりニトリルIVhに変換可能である[J.March Advanced Organic Chemistry第三版、931−932頁、Wiley−Interscience Publication(1985)]。
出発化合物として必要であるアルデヒドIVeは公知方法により製造可能である。例えば式6に準じてメチル化合物VIIからアルデヒドIVeを合成することができる。
式6
Figure 0004240531
上記式中、T、MおよびLは式5と同様の基を意味する。メチル化合物VIIを、例えばN−ブロムスクシンイミドまたは1,3−ジブロモ−5,5−ジメチルヒダントインと、一般的に公知の方法により反応させて臭化ベンジルVIIIを得ることができる。ベンズアルデヒドIVeを得るための臭化ベンジルの反応も文献により公知である[Synth.Commum.22(1992)、1967−1971]。
先駆物質IVa−IVhは複素環式中間体IIIの合成に適している。
例えば、5−オキサゾリル[例えばJ.Heterocyclic Chem.28、(1991)、17−28参照]または4−チアゾリル誘導体[例えばMetzger、Thiazoles in:The Chemistry of heterocyclic compounds、第34巻、175頁等、(1976)参照]は、アセトフェノールIVaから、ハロゲン化中間体IVdを経て得られる。
アセチレンIVbまたはアルケンIVcは4−イソキサゾリル、5−イソキサゾリル、4,5−ジヒドロイソキサゾール−4−イル、4,5−ジヒドロイソキサゾール−5−イル誘導体[例えばHowben−Weyl、Methoden der organischen Chemie、第四版、第X/3巻、843頁等、(1965)参照]の合成に好適に用いられる。
2−オキサゾリル、1,2,4−オキサジアゾール−5−イルまたは1,3,4−オキサジアゾール−2−イル誘導体[例えばJ.Heterocyclic Chem.28、(1991)、17−28]または2−ピロリル誘導体[例えばHeterocycles 26、(1987)、3141−3151]は、例えば文献により公知の方法で、安息香酸IVfまたは標準的な方法で得られる塩化アシルIViから得られる。
1,2,4−トリアゾール−3−イル誘導体はベンゾニトリルIVhから、公知方法により得られる[例えばJ.Chem.Soc.(1954)、3461−3464参照]。
ベンゾニトリルIVhは、1,2,4−オキサジアゾール−3−イル[例えばJ.Heterocyclic Chem.28、(1991)、17−28]、2−チアゾリル、4,5−ジヒドロチアゾール−2−イル、または5,6−ジヒドロ−4H−1,3−チアジン−2−イル誘導体[例えばHowben−Weyl、Methoden der organischen Chemie、第4版、第E5巻、1268頁等、(1985)]に、中間段階としてのチオアミド、アミドオキシムまたはアミジンIVmを経て変換される。更に、文献により公知の方法により、チオアミドIVm(A=S)が1,2,4−チアジアゾール−5−イル誘導体[例えばJ.Org.Chem.45、(1980)、3750−3753]または1,3,4−チアジアゾール−2−イル誘導体[例えばJ.Chem.Soc.Perkin Trans.I 1987−1991(1982)]に変換される。
オキシムIVgは、公知方法により、中間体としてのヒドロキシアミルクロリドIVkを経て3−イソキサゾリル誘導体に変換される[例えばHowben−Weyl、Metohden der organischen Chemie、第4版、第X/3巻、843頁等(1965)参照]。
式Iのベンゾイル誘導体の目的に応じた使用において、置換基として以下の基が好ましく用いられる。
LおよびMは水素、
1−C6アルキル、例えばメチル、エチル、プロピル、1−メチルエチル、ブチル、1−メチルプロピル、2−メチルプロピルまたは1,1−ジメチルエチル、ペンチル、1−メチルブチル、2−メチルブチル、3−メチルブチル、1,1−ジメチルプロピル、1,2−ジメチルプロピル、2,2−ジメチルプロピル、1−エチルプロピル、ヘキシル、1−メチルペンチル、2−メチルペンチル、3−メチルペンチル、4−メチルペンチル、1,1−ジメチルブチル、1,2−ジメチルブチル、1,3−ジメチルブチル、2,2−ジメチルブチル、2,3−ジメチルブチル、3,3−ジメチルブチル、1−エチルブチル、1,1,2−トリメチルプロピル、1,2,2−トリメチルプロピル、1−エチル−1−メチルプロピルまたは1−エチル−2−メチルプロピル、
特にメチル、エチル、1−メチルエチル、1−メチルプロピル、2−メチルプロピル、1,1−ジメチルエチルまたは1,1−ジメチルプロピル、または
2−C6アルケニル、例えば2−プロペニル、2−ブテニル、3−ブテニル、1−メチル−2−プロペニル、2−メチル−2−プロペニル、2−ペンテニル、3−ペンテニル、4−ペンテニル、3−メチル−2−ブテニル、1−メチル−2−ブテニル、2−メチル−2−ブテニル、1−メチル−3−ブテニル、2−メチル−4−ブテニル、3−メチル−3−ブテニル、1,1−ジメチル−2−プロペニル、1,2−ジメチル−2−プロペニル、1−エチル−2−プロペニル、2−ヘキセニル、3−ヘキセニル、4−ヘキセニル、5−ヘキセニル、1−メチル−2−ペンテニル、2−メチル−2−ペンテニル、3−メチル−2−ペンテニル、4−メチル−2−ペンテニル、1−メチル−3−ペンテニル、2−メチル−3−ペンテニル、3−メチル−3−ペンテニル、4−メチル−3−ペンテニル、1−メチル−4−ペンテニル、2−メチル−4−ペンテニル、3−メチル−4−ペンテニル、4−メチル−4−ペンテニル、1,1−ジメチル−2−ブテニル、1,1−ジメチル−3−ブテニル、1,3−ジメチル−3−ブテニル、2,2−ジメチル−3−ブテニル、2,3−ジメチル−2−ブテニル、2,3−ジメチル−3−ブテニル、1−エチル−2−ブテニル、1−エチル−3−ブテニル、2−エチル−2−ブテニル、2−エチル−3−ブテニル、1,1,2−トリメチル−2−プロペニル、1−エチル−1−メチル−2−プロペニルまたはエチル−2−メチル−2−プロペニル、
特に1−メチル−2−プロペニル、1−メチル−2−ブテニル、1,1−ジメチル−2−プロペニルまたは1,1−ジメチル−2−ブテニルまたは、
2−C6アルキニル、例えばプロパルギル、2−ブチニル、3−ブテニル、2−ペンチニル、3−ペンチニル、4−ペンチニル、1−メチル−3−ブチニル、2−メチル−3−ブチニル、1−メチル−2−ブチニル、1,1−ジメチル−2−プロピニル、1−エチル−2−プロピニル、2−ヘキシニル、3−ヘキシニル、4−ヘキシニル、5−ヘキシニル、1−メチル−2−ペンチニル、1−メチル−3−ペンチニル、1−メチル−4−ペンチニル、3−メチル−4−ペンチニル、4−メチル−2−ペンチニル、1,1−ジメチル−2−ブチニル、1,1−ジメチル−3−ブチニル、1,2−ジメチル−3−ブチニル、2,2−ジメチル−3−ブチニル、1−エチル−2−ブチニル、1−エチル−3−ブチニル、2−エチル−3−ブチニルまたは1−エチル−1−メチル−2−プロピニルまたは、
1−C4アルコキシ、例えばメトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、1−メチルエトキシ、n−ブトキシ、1−メチルプロポキシ、2−メチルプロポキシまたは1,1−ジメチルエトキシ、
特にC1−C3アルコキシ、例えばメトキシ、エトキシまたはi−プロポキシであり、
これらの基は非置換であるか、または上述のように1−5個までのハロゲン原子、例えば弗素、塩素、臭素および沃素、好ましくは弗素および塩素、またはC1−C4アルコキシにより置換されてもよい。
上記定義による−(Y)n−S(O)m7は例えば、
1−C4アルキルチオ、例えばメチルチオ、エチルチオ、n−プロピルチオ、1−メチルエチルチオ、n−ブチルチオ、1−メチルプロピルチオ、2−メチルプロピルチオまたは1,1−ジメチルエチルチオ、特にメチルチオ、または
1−C4アルキルスルフィニル、例えばメチルスルフィニル、エチルスルフィニル、n−プロピルスルフィニル、1−メチルエチルスルフィニル、n−ブチルスルフィニル、1−メチルプロピルスルフィニル、2−メチルプロピルスルフィニルまたは1,1−ジメチルエチルスルフィニル、特にメチルスルフィニル、
1−C4アルキルスルホニル、例えばメチルスルホニル、エチルスルホニル、n−プロピルスルホニル、1−メチルエチルスルホニル、n−ブチルスルホニル、1−メチルプロピルスルホニル、2−メチルプロピルスルホニルまたは1,1−ジメチルエチルスルホニル、特にメチルスルホニル、
1−C4アルコキシスルホニル、例えばメトキシスルホニル、エトキシスルホニル、n−プロポキシスルホニル、1−メチルエトキシスルホニル、n−ブトキシスルホニル、1−メチルプロポキシスルホニル、2−メチルプロポキシスルホニルまたは1,1−ジメチルエトキシスルホニル、特にメトキシスルホニル、
N−C1−C4アルキルスルファモイル、例えばN−メチルスルファモイル、N−エチルスルファモイル、N−n−プロピルスルファモイル、N−1−メチルエチルスルファモイル、N−2−メチルプロピルスルファモイルまたはN−1,1−ジメチルエチルスルファモイル、特にN−メチルスルファモイル、
N−C1−C4アルキルスルフィナモイル、例えばN−メチルスルフィナモイル、N−エチルスルフィナモイル、N−n−プロピルスルフィナモイル、N−1−メチルエチルスルフィナモイル、N−n−ブチルスルフィナモイル、N−1−メチルプロピルスルフィナモイル、N−2−メチルプロピルスルフィナモイルまたはN−1,1−ジメチルエチルスルフィナモイル、例えばN−メチルスルフィナモイル、
ジ−C1−C4アルキルスルファモイル、例えばジメチルスルファモイル、ジエチルスルファモイル、ジプロピルスルファモイル、ジブチルスルファモイル、N−メチル−N−エチルスルファモイル、N−メチル−N−プロピルスルファモイル、N−メチル−N−1−メチルエチルスルファモイル、N−メチル−N−1,1−ジメチルエチルスルファモイル、ジ−1−メチルエチルスルファモイル、N−エチル−N−1−メチルスルファモイルまたはN−エチル−N−1,1−ジメチルエチルスルファモイル、特にジメチルスルファモイル、
ジ−C1−C4アルキルスルフィナモイル、例えばジメチルスルフィナモイル、ジエチルスルフィナモイル、ジプロピルスルフィナモイル、ジブチルスルフィナモイル、N−メチル−N−エチルスルフィナモイル、N−メチル−N−プロピルスルフィナモイル、N−メチル−N−1−メチルエチルスルフィナモイル、N−メチル−N−1,1−ジメチルエチルスルフィナモイル、ジ−1−メチルエチルスルフィナモイル、N−エチル−N−1−メチルエチルスルフィナモイルおよびN−エチル−N−1,1−ジメチルエチルスルフィナモイル、特にジメチルスルフィナモイル、
1−C4アルキルスルフィニルオキシ、例えばメチルスルフィニルオキシ、エチルスルフィニルオキシ、n−プロピルスルフィニルオキシ、1−メチルエチルスルフィニルオキシ、n−ブチルスルフィニルオキシ、1−メチルプロピルスルフィニルオキシ、2−メチルプロピルスルフィニルオキシおよび1,1−ジメチルエチルスルフィニルオキシ、特にメチルスルフィニルオキシ、
1−C4アルキルスルホニルオキシ、例えばメチルスルホニルオキシ、エチルスルホニルオキシ、n−プロピルスルホニルオキシ、1−メチルエチルスルホニルオキシ、n−ブチルスルホニルオキシ、1−メチルプロピルスルホニルオキシ、2−メチルプロピルスルホニルオキシまたは1,1−ジメチルエチルスルホニルオキシ、特にメチルスルホニルオキシ、
1−C4アルキルスルフィニルアミノ、例えばメチルスルフィニルアミノ、エチルスルフィニルアミノ、n−プロピルスルフィニルアミノ、1−メチルエチルスルフィニルアミノ、n−ブチルスルフィニルアミノ、1−メチルプロピルスルフィニルアミノ、2−メチルプロピルスルフィニルアミノまたは1,1−ジメチルエチルスルフィニルアミノ、特にメチルスルフィニルアミノ、
1−C4アルキルスルホニルアミノ、例えばメチルスルホニルアミノ、エチルスルホニルアミノ、n−プロピルスルホニルアミノ、1−メチルエチルスルホニルアミノ、n−ブチルスルホニルアミノ、1−メチルプロピルスルホニルアミノ、2−メチルプロピルスルホニルアミノまたは1,1−ジメチルエチルスルホニルアミノ、特にメチルスルホニルアミノ、
N−C1−C4アルキルスルフィニル−N−メチルアミノ、例えばN−メチルスルフィニル−N−メチルアミノ、N−エチルスルフィニル−N−メチルアミノ、N−n−プロピルスルフィニル−N−メチルアミノ、N−1−メチルエチルスルフィニル−N−メチルアミノ、N−n−ブチルスルフィニル−N−メチルアミノ、N−1−メチルプロピルスルフィニル−N−メチルアミノ、N−2−メチルプロピルスルフィニル−N−メチルアミノまたはN−1,1−ジメチルエチルスルフィニル−N−メチルアミノ、特にN−メチルスルフィニル−N−メチルアミノ、
N−C1−C4アルキルスルフィニル−N−エチルアミノ、例えばN−メチルスルフィニル−N−エチルアミノ、N−エチルスルフィニル−N−エチルアミノ、N−n−プロピルスルフィニル−N−エチルアミノ、N−1−メチルエチルスルフィニル−N−エチルアミノ、N−n−ブチルスルフィニル−N−エチルアミノ、N−1−メチルプロピルスルフィニル−N−エチルアミノ、N−2−メチルプロピルスルフィニル−N−エチルアミノまたはN−1,1−ジメチルエチルスルフィニル−N−エチルアミノ、特にN−メチルスルフィニル−N−エチルアミノ、
N−C1−C4アルキルスルホニル−N−メチルアミノ、例えばN−メチルスルホニル−N−メチルアミノ、N−エチルスルホニル−N−メチルアミノ、N−n−プロピルスルホニル−N−メチルアミノ、N−1−メチルエチルスルホニル−N−メチルアミノ、N−n−ブチルスルホニル−N−メチルアミノ、N−1−メチルプロピルスルホニル−N−メチルアミノ、N−2−メチルプロピルスルホニル−N−メチルアミノまたはN−1,1−ジメチルエチルスルホニル−N−メチルアミノ、特にN−メチルスルホニル−N−メチルアミノ、
N−C1−C4アルキルスルホニル−N−エチルアミノ、例えばN−メチルスルホニル−N−エチルアミノ、N−エチルスルホニル−N−エチルアミノ、N−n−プロピルスルホニル−N−エチルアミノ、N−1−メチルエチルスルホニル−N−エチルアミノ、N−n−ブチルスルホニル−N−エチルアミノ、N−1−メチルプロピルスルホニル−N−エチルアミノ、N−2−メチルプロピルスルホニル−N−エチルアミノまたはN−1,1−ジメチルエチルスルホニル−N−エチルアミノ、特にN−メチルスルホニル−N−エチルアミノ、または
1−C4ハロアルキルチオ、例えばクロロメチルチオ、ジクロロメチルチオ、トリクロロメチルチオ、フルオロメチルチオ、ジフルオロメチルチオ、トリフルオロメチルチオ、クロロフルオロメチルチオ、クロロジフルオロメチルチオ、1−フルオロエチルチオ、2−フルオロエチルチオ、2,2−ジフルオロエチルチオ、2,2,2−トリフルオロエチルチオ、2−クロロ−2,2−ジフルオロエチルチオ、2,2−ジクロロ−2−フルオロエチルチオ、2,2,2−トリクロロエチルチオまたはペンタフルオロエチルチオ、特にトリフルオロメチルチオを意味する。
上記定義による−(Y)n−CO−R8で示される基は、例えば
1−C4アルキルカルボニル、例えばメチルカルボニル、エチルカルボニル、n−プロピルカルボニル、1−メチルエチルカルボニル、n−ブチルカルボニル、1−メチルプロピルカルボニル、2−メチルプロピルカルボニルまたは1,1−ジメチルエチルカルボニル、特にメチルカルボニル、
1−C4アルコキシカルボニル、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、n−プロポキシカルボニル、1−メチルエトキシカルボニル、n−ブトキシカルボニル、1−メチルプロポキシカルボニル、2−メチルプロポキシカルボニルまたは1,1−ジメチルエトキシカルボニル、特にメトキシカルボニル、
N−C1−C4アルキルカルバモイル、例えばN−メチルカルバモイル、N−エチルカルバモイル、N−n−プロピルカルバモイル、N−1−メチルエチルカルバモイル、N−n−ブチルカルバモイル、N−1−メチルプロピルカルバモイル、N−2−メチルプロピルカルバモイルまたはN−1,1−ジメチルエチルカルバモイル、特にN−メチルカルバモイル、
ジ−C1−C4アルキルカルバモイル、例えばジメチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、ジプロピルカルバモイル、ジブチルカルバモイル、N−メチル−N−エチルカルバモイル、N−メチル−N−プロピルカルバモイル、N−メチル−N−1−メチルエチルカルバモイル、N−メチル−N−1,1−ジメチルエチルカルバモイル、ジ−1−メチルエチルカルバモイル、N−エチル−N−メチルエチルカルバモイルまたはN−エチル−N−1,1−ジメチルエチルカルバモイル、特にジメチルカルバモイル、
1−C4アルキルカルボニルオキシ、例えばメチルカルボニルオキシ、エチルカルボニルオキシ、n−プロピルカルボニルオキシ、1−メチルエチルカルボニルオキシ、n−ブチルカルボニルオキシ、1−メチルプロピルカルボニルオキシ、2−メチルプロピルカルボニルオキシまたは1,1−ジメチルエチルカルボニルオキシ、特にメチルカルボニルオキシ、
1−C4アルキルカルボニルアミノ、例えばメチルカルボニルアミノ、エチルカルボニルアミノ、n−プロピルカルボニルアミノ、1−メチルエチルカルボニルアミノ、n−ブチルカルボニルアミノ、1−メチルプロピルカルボニルアミノ、2−メチルプロピルカルボニルアミノまたは1,1−ジメチルエチルカルボニルアミノ、特にメチルカルボニルアミノ、
N−C1−C4アルキルカルボニル−N−メチルアミノ、例えばN−メチルカルボニル−N−メチルアミノ、N−エチルカルボニル−N−メチルアミノ、N−n−プロピルカルボニル−N−メチルアミノ、N−1−メチルエチルカルボニル−N−メチルアミノ、N−n−ブチルカルボニル−N−メチルアミノ、N−1−メチルプロピルカルボニル−N−メチルアミノ、N−2−メチルプロピルカルボニル−N−メチルアミノまたはN−1,1−ジメチルエチルカルボニル−N−メチルアミノ、特にN−メチルカルボニル−N−メチルアミノを意味する。
Zは例えば、
酸素、硫黄および窒素から選択される1−3個のヘテロ原子を有する飽和または不飽和の5員または6員複素環基、例えば2−フリル、3−フリル、2−チエニル、3−チエニル、2−ピロリル、3−ピロリル、3−イソキサゾリル、4−イソキサゾリル、5−イソキサゾリル、3−イソチアゾリル、4−イソチアゾリル、5−イソチアゾリル、3−ピラゾリル、4−ピラゾリル、5−ピラゾリル、2−オキサゾリル、4−オキサゾリル、5−オキサゾリル、2−チアゾリル、4−チアゾリル、5−チアゾリル、2−イミダゾリル、4−イミダゾリル、1,2,4−オキサジアゾール−3−イル、1,2,4−オキサジアゾール−5−イル、1,3,4−オキサジアゾール−2−イル、1,2,3−オキサジアゾール−4−イル、1,2,3−オキサジアゾール−5−イル、1,2,5−オキサジアゾール−3−イル、1,2,4−チアジアゾール−3−イル、1,2,4−チアジアゾール−5−イル、1,3,4−チアジアゾール−2−イル、1,2,3−チアジアゾール−4−イル、1,2,3−チアジアゾール−5−イル、1,2,5−チアジアゾール−3−イル、1,2,4−トリアゾール−3−イル、1,3,4−トリアゾール−2−イル、1,2,3−トリアゾール−4−イル、1,2,3−トリアゾール−5−イル、1,2,4−トリアゾール−5−イルまたはテトラゾール−5−イル、特に2−チアゾリルまたは3−イソキサゾリル、
6員の複素環基、例えば2−ピリジル、3−ピリジル、4−ピリジル、3−ピリダジニル、4−ピリダジニル、2−ピリミジニル、4−ピリミジニル、5−ピリミジニル、2−ピラジニル、1,3,5−トリアジン−2−イル、1,2,4−トリアジン−5−イル、1,2,4−トリアジン−3−イル、1,2,4−トリアジン−6−イル、1,2,4,5−トリアジン−3−イル、または
1−3個の窒素原子および/または1−2個の酸素または硫黄原子を有する飽和または部分的に不飽和の5員または6員の複素環基、例えば2−テトラヒドロフラニル、3−テトラヒドロフラニル、2−テトラヒドロチエニル、3−テトラヒドロチエニル、テトラヒドロチオピラン−2−イル、テトラヒドロチオピラン−3−イル、テトラヒドロチオピラン−4−イル、1,3−ジチオラン−2−イル、1,3−ジチオラン−4−イル、1,3−ジチアン−2−イル、1,3−ジチアン−4−イル、5,6−ジヒドロ−4H−1,3−チアジン−2−イル、1,3−オキサチオラン−2−イル、1,3−オキサチアン−2−イル、1−ピロリジニル、2−ピロリジニル、3−ピロリジニル、3−イソキサゾリジニル、4−イソキサゾリジニル、5−イソキサゾリジニル、3−イソチアゾリジニル、4−イソチアゾリジニル、5−イソチアゾリジニル、3−ピラゾリジニル、4−ピラゾリジニル、5−ピラゾリジニル、2−オキサゾリジニル、4−オキサゾリジニル、5−オキサゾリジニル、2−チアゾリジニル、4−チアゾリジニル、5−チアゾリジニル、2−イミダゾリジニル、4−イミダゾリジニル、1,2,4−オキサジアゾリジン−3−イル、1,2,4−オキサジアゾリジン−5−イル、1,2,4−チアジアゾリジン−3−イル、1,2,4−チアジアゾリジン−5−イル、1,3,4−オキサジアゾリジン−2−イル、1,3,4−チアジアゾリジン−2−イル、1,3,4−トリアゾリジン−2−イル、2,3−ジヒドロフラ−2−イル、2,3−ジヒドロフラ−3−イル、2,4−ジヒドロフラ−2−イル、2,4−ジヒドロフラ−3−イル、2,3−ジヒドロチエン−2−イル、2,3−ジヒドロチエン−3−イル、2,4−ジヒドロチエン−2−イル、2,4−ジヒドロチエン−3−イル、2,3−ピロリン−2−イル、2,3−ピロリン−3−イル、2,4−ピロリン−2−イル、2,4−ピロリン−3−イル、2,3−イソキサゾリン−3−イル、3,4−イソキサゾリン−3−イル、4,5−イソキサゾリン−3−イル、2,3−イソキサゾリン−4−イル、3,4−イソキサゾリン−4−イル、4,5−イソキサゾリン−4−イル、2,3−イソキサゾリン−5−イル、3,4−イソキサゾリン−5−イル、4,5−イソキサゾリン−5−イル、2,3−イソチアゾリン−3−イル、3,4−イソチアゾリン−3−イル、4,5−イソチアゾリン−3−イル、2,3−イソチアゾリン−4−イル、3,4−イソチアゾリン−4−イル、4,5−イソチアゾリン−4−イル、2,3−イソチアゾリン−5−イル、3,4−イソチアゾリン−5−イル、4,5−イソチアゾリン−5−イル、2,3−ジヒドロピラゾール−1−イル、2,3−ジヒドロピラゾール−2−イル、2,3−ジヒドロピラゾール−3−イル、2,3−ジヒドロピラゾール−4−イル、2,3−ジヒドロピラゾール−5−イル、3,4−ジヒドロピラゾール−1−イル、3,4−ジヒドロピラゾール−3−イル、3,4−ジヒドロピラゾール−4−イル、3,4−ジヒドロピラゾール−5−イル、4,5−ジヒドロピラゾール−1−イル、4,5−ジヒドロピラゾール−3−イル、4,5−ジヒドロピラゾール−4−イル、4,5−ジヒドロピラゾール−5−イル、2,3−ジヒドロオキサゾール−2−イル、2,3−ジヒドロオキサゾール−3−イル、2,3−ジヒドロオキサゾール−4−イル、2,3−ジヒドロオキサゾール−5−イル、4,5−ジヒドロオキサゾール−2−イル、4,5−ジヒドロオキサゾール−4−イル、4,5−ジヒドロオキサゾール−5−イル、1,3−ジオキソラン−2−イル、1,3−ジオキソラン−4−イル、1,3−ジオキサン−5−イル、1,4−ジオキサン−2−イル、2−ピペリジニル、3−ピペリジニル、4−ピペリジニル、3−テトラヒドロピリダジニル、4−テトラヒドロピリダジニル、2−テトラヒドロピリミジニル、4−テトラヒドロピリミジニル、5−テトラヒドロピリミジニル、2−テトラヒドロピラジニル、1,3,5−テトラヒドロトリアジン−2−イルまたは1,2,4−テトラヒドロトリアジン−3−イル、特に2−テトラヒドロフラニル、1,3−ジオキソラン−2−イルまたは1,3−ジオキサン−2−イルを意味し、
非置換であっても、上述のハロゲン、例えば弗素または塩素、
シアノ、ニトロ、
−COR8で示される基、例えば上述のアルキルカルボニル、上述のアルコキシカルボニル、上述のN−アルキルカルバモイル、または上述のジアルキルカルバモイル、
上述のC1−C4アルキル、
1−C4ハロアルキル、例えばクロロメチル、ジフルオロメチル、ジクロロメチル、トリフルオロメチル、トリクロロメチル、クロロジフルオロメチル、1−フルオロエチル、2−フルオロエチル、2,2−ジフルオロエチル、1,1,2,2−テトラフルオロエチル、2,2,2−トリフルオロエチル、2−クロロ−1,1,2−トリフルオロエチルまたはペンタフルオロエチル、デカフルオロブチル、1,1−ビストリフルオロメチル−2,2,2−トリフルオロエチル、好ましくはジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリクロロメチルまたはクロロジフルオロメチル、
3−C8クロロアルキル、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、特にシクロプロピルおよびシクロヘキシル、
上述のC1−C4アルコキシ、
1−C4ハロアルコキシ、例えばクロロメトキシ、ジクロロメトキシ、トリクロロメトキシ、トリフルオロメトキシ、ジフルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ、クロロジフルオロメトキシ、ジクロロフルオロメトキシ、1−フルオロメトキシ、2−フルオロエトキシ、2,2−ジフルオロエトキシ、1,1,2,2−テトラフルオロエトキシ、2,2,2−トリフルオロエトキシ、2−クロロ−1,1,2−トリフルオロエトキシまたはペンタフルオロエトキシ、特にC1−C3ハロアルコキシ、例えば2,2,2−トリフルオロエトキシまたは2−クロロ−2,2−ジフルオロエトキシ、
上述のC1−C4アルキルチオ、
上述のC1−C4ハロアルキルチオ、
ジ−C1−C4アルキルアミノ、例えばジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、N−メチル−N−エチルアミノ、N−メチル−N−プロピルアミノ、N−メチル−N−1−メチルエチルアミノ、N−メチル−N−1,1−ジメチルエチルアミノ、ジ−1−メチルエチルアミノ、N−エチル−N−1−メチルエチルアミノまたはN−エチル−N−1,1−ジメチルエチルアミノ、
置換または非置換のフェニル、または
互変異性形態としてヒドロキシル基としても存在可能なオキソ基、例えばチアゾリン−4,5−ジオン−2−イル、3−オキソ−3H−1,2,4−ジチアゾリルまたは2−オキソ−2H−1,3,4−ジチアゾリルにより置換されてもよい。
ベンゾ縮合した5員または6員のヘテロ芳香族基は、例えばベンゾフラニル、ベンゾチエニル、インドリル、ベンズオキサゾリル、ベンゾイソキサゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾイソチアゾリル、ベンゾピラゾリル、インダゾリル、1,2,3−ベンゾチアジアゾリル、2,1,3−ベンゾチアジアゾリル、ベンゾトリアゾリル、ベンゾフロキサニル、キノリニル、インキノリニル、シンノリニル、キナゾリニル、キノキサリニルまたはフタラジニルを意味する。一般式Iで表される特に好ましい化合物の例を以下の表1〜5に挙げる。
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化合物Iまたはこれらの農業において有効な塩は、異性体混合物形態、および純粋な異性体の形態のいずれによっても除草剤として好適に使用される。Iを含有する除草組成物は非耕作地帯において、特に高使用率で、草木を非常に良好に防除する。これらは、栽培植物に大きな害を与えることなく、小麦、稲、とうもろこし、大豆、綿花などの栽培植物における広葉の雑草および稲科の雑草を非常に良好に防除することができる。この効果は特に低使用量において顕著である。
施与方法に応じて、化合物Iまたはこれらを含有する除草剤を多種類の農作物に使用して望ましくない植物を除去することも可能である。使用に適する農作物の例を以下に示す。
タマネギ(Allium cepa)
パイナップル(Ananas comosus)
ナンキンマメ(Arachis hypogaea)
アスパラガス(Asparagus officinalis)
フダンソウ(Beta vulgaris spp.altissima)
サトウジシヤ(Beta vulgaris spp.rapa)
アブラナ(変種カブラ)(Brassica napus var.napus)
カブカンラン(変種ナポプラシーカ)(Brassica napus var.napobrassica)
テンサイ(変種シルベストリス)(Brassica rapa var.silvestris)
トウツバキ(Camellia sinensis)
ベニバナ(Carthamus tinctorius)
キヤリーヤイリノイネンシス(Carya illinoinensis)
レモン(Citrus limon)
ナツミカン(Citrus sinensis)
コーヒー〔Coffea arabica(Coffea canephora,Coffea liberica)〕
キユウリ(Cucumis sativus)
ギヨウギシバ(Cynodon dactylon)
ニンジン(Daucus carota)
アブラヤシ(Elaeis guineensis)
イチゴ(Fragaria vesca)
大豆(Glycine max)
木棉〔Gossypium hirsutum(Gossypium arboreum、Gossypium herbaceum、Gossypium vitifolium)〕
ヒマワリ(Helianthus annuus)
ゴムノキ(Hevea brasiliensis)
大麦(Hordeum vulgare)
カラハナソウ(Humulus lupulus)
アメリカイモ(Ipomoea batatas)
オニグルミ(Juglans regia)
レンズマメ(Lens culinaris)
アマ(Linum usitatissimum)
トマト(Lycopersicon lycopersicum)
リンゴ属(Malus spp.)
キヤツサバ(Manihot esculenta)
ムラサキウマゴヤシ(Medicago sativa)
バシヨウ属(Musa spp.)
タバコ〔Nicotiana tabacum(N.rustica)〕
オリーブ(Olea europaea)
イネ(Oryza sativa)
アズキ(Phaseolus lunatus)
ゴガツササゲ(Phaseolus vulgaris)
トウヒ(Picea abies)
マツ属(Pinus spp.)
シロエンドウ(Pisum sativum)
サクラ(Prunus avium)
モモ(Prunus persica)
ナシ(Pyrus communis)
スグリ(Ribes sylvestre)
トウゴマ(Ricinus communis)
サトウキビ(Saccharum officinarum)
ライムギ(Secale cereale)
ジャガイモ(Solanum tuberosum)
モロコシ〔Sorghum bicolor(s.vulgare)〕
カカオ(Theobroma cacao)
ムラサキツメクサ(Trifolium pratense)
小麦(Triticum aestivum)
トリテイカム、ドラム(Triticum durum)
ソラマメ(Vicia faba)
ブドウ(Vitis vinifera)
トウモロコシ(Zea mays)。
更に、遺伝子工学的方法等の栽培の結果として、除草剤の作用に抵抗性を有する農作物においても化合物Iを使用することができる。
除草剤またはその有効物質は事前法または事後法により施用される。有効物質がある種の栽培植物にうまく適合しない場合は、下部に成長している雑草または露出している土壌には付着しても、敏感な栽培植物の葉にできるだけ接触しないように、噴霧装置により除草剤を噴霧することができる(後直接撒布、レイーバイ)。
化合物Iおよびこれを含有する除草剤は、例えば直接的に噴霧可能な溶液、粉末、懸濁液、高濃度の水性、油性またはその他の懸濁液または分散液、エマルジョン、油性分散液、ペースト、ダスト剤、散布剤又は顆粒の形で噴霧、ミスト法、ダスト法、散布法又は注入法によって適用することができる。適用形式は、完全に使用目的に基づいて決定される。いずれの場合にも、本発明の有効物質の可能な限りの微細分が保証されるべきである。
適する不活性添加剤としては、主に中位乃至高位の沸点の鉱油留分、例えば燈油又はディーゼル油、更にコールタール油等、並びに植物性又は動物性産出源の油、脂肪族、環状及び芳香族炭化水素、例えばパラフィン、テトラヒドロナフタリン、アルキル置換ナフタレン又はその誘導体、アルキル化ベンゼン及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、シクロヘキサノール、シクロヘキサノン、または強極性溶剤、例えばN−メチルピロリドン、水が使用される。
水性使用形は乳濁液濃縮物、懸濁液、ペースト、又は湿潤可能の粉末、水分散可能の粉末より水の添加により製造することができる。乳濁液、ペースト又は油分散液を製造するためには、物質をそのまま、或いは油又は溶剤中に溶解して、湿潤剤、接着剤、分散剤又は乳化剤により水中に均質に混合することができる。しかも有効物質、湿潤剤、接着剤、分散剤又は乳化剤及び場合により溶剤又は油よりなる濃縮物を製造することもでき、これは水にて希釈するのに適する。
界面活性剤としては、芳香族スルホン酸、たとえばリグニンスルホン酸、フェノールスルホン酸、ナフタリンスルホン酸、ジブチルナフタリンスルホン酸の各アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、並びに脂肪酸、アルキルスルホナート、アルキルアリールスルホナート、アルキルスルファート、ラウリルエーテルスルファート、脂肪アルコールスルファートのアルカリ金属塩及びアルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、並びに硫酸化ヘキサデカノール、ヘプタデカノール及びオクタデカノールの塩、並びに硫酸化脂肪アルコールグリコールエーテルの塩、スルホン化ナフタリン及びナフタリン誘導体とホルムアルデヒドとの縮合生成物、ナフタリン或はナフタリンスルホン酸とフェノール及びホルムアルデヒドとの縮合生成物、ポリオキシエチレン−オクチルフェノールエーテル、エトキシル化イソオクチルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、アルキルフェノールポリグリコールエーテル、トリブチルフェニルポリグリコールエーテル、アルキルアリールポリエーテルアルコール、イソトリデシルアルコール、脂肪アルコールエチレンオキシド−縮合物、エトキシル化ヒマシ油、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、又はポリオキシプロピレン、ラウリルアルコールポリグリコールエーテルアセタート、ソルビットエステル、リグニン−亜硫酸廃液及びメチルセルロースが挙げられる。
粉末、散布剤及び振りかけ剤は有効物質と固状担体物質とを混合又は一緒に磨砕することにより製造することができる。
粒状体例えば被覆−、含浸−及び均質粒状体は、有効物質を固状担体物質に結合することにより製造することができる。固状担体物質は、例えば鉱物土、例えばシリカゲル、珪酸、珪酸ゲル、珪酸塩、滑石、カオリン、石灰石、石灰、白亜、膠塊粒土、石灰質黄色粘土、粘土、白雲石、珪藻土、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、酸化マグネシウム、磨砕合成樹脂、肥料例えば硫酸アンモニウム、燐酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、尿素及び植物性生成物例えば穀物粉、樹皮、木材及びクルミ穀粉、セルロース粉末及び他の固状担体物質である。
直接使用可能な組成における有効物質の濃度は広範囲に変更可能であるが、例えば0.001〜98重量%、特に0.01〜95重量%を含有する。この際有効物質は純度90〜100%、特に95〜100%(NMRスペクトルによる)で使用される。
本発明による化合物Iは以下のように調製される。
I.20重量部の化合物No.1.1232を、アルキル化ベンゼン80重量部、エチレンオキシド8乃至10モルをオレイン酸−N−モノエタノールアミド1モルに付加した付加生成物10重量部、ドデシルベンゼンルスルホン酸のカルシウム塩5重量部、およびエチレンオキシド40モルをヒマシ油1モルに付加した付加生成物5重量部よりなる混合物中に添加する。この混合物を100000重量部に注入しかつ細分布することにより有効物質0.02重量%を含有する水性分散液が得られる。
II.20重量部の化合物No.1.1232を、シクロヘキサノン40重量部、イソブタノール30重量部、エチレンオキシド7モルをイソオクチルフェノール1モルに付加した付加生成物20重量部、エチレンオキシド7モルをイソオクチルフェノール1モルに付加した付加生成物20重量部、エチレンオキシド40モルをヒマシ油1モルに付加した付加生成物10重量部よりなる混合物中に溶解する。この溶液を水100000重量部に注入することにより有効成分0.02重量%を含有する水性分散液が得られる。
III.20重量部の有効成分No.1.1232を、シクロヘキサノン25重量部、沸点210乃至280℃の鉱油留分65重量部、およびエチレンオキシド40モルをヒマシ油1モルに付加した付加生成物10重量部よりなる混合物中に分散する。この混合物を水100000重量部に注入することにより有効物質0.02重量%を含有する水性分散液が得られる。
IV.20重量部の有効成分No.1.1232を、ジイソブチルナフタレン−α−スルホン酸のナトリウム塩3重量部、亜硫酸−廃液よりのリグニンスルホン酸のナトリウム塩17重量部及び粉末状シリカゲル60重量部と充分に混和し、かつハンマーミル中において磨砕する。この混合物を水20000重量部に細分布することにより有効物質0.1重量%を含有する噴霧液が得られる。
V.3重量部の有効成分No.1.1232を細粒状カオリン97重量部と密に混和する。かくして有効物質3重量%を含有する噴霧液が得られる。
VI.20重量部の有効成分No.1.1232を、ドデシルベンゼンスルホン酸のカルシウム塩2重量部、脂肪アルコールポリグリコールエーテル8重量部、フェノール−尿素−ホルムアルデヒド−縮合物のナトリウム塩2重量部及びパラフィン系鉱油68重量部と密に混和する。安定な油状分散液が得られる。
VII.1重量部の化合物No.1.1232を、シクロヘキサノン70重量部、エトキシル化イソオクチルフェノール20重量部、およびエトキシル化ヒマシ油10重量部から成る混合物に溶解する。これにより安定な乳濁液濃縮物が得られる。
VIII.1重量部の化合物No.1.1232をシクロヘキサノン80重量部とEmulphor EL20重量部から成る混合物に溶解する。これにより安定な乳濁液濃縮物が得られる。
有効作用範囲を拡張し、相乗効果を達成するために、ベンゾイル誘導体Iは、多様な他の除草剤ないし生長抑制有効物質と混合され、同時に施与される。その混合対称物質としては、例えばジアジン、4H−3,1−ベンズオキサジン誘導体、ベンゾチアジアジノン、2,6−ジニトロアニリン、N−フェニルカルバマート、チオカルバマート、ハロゲンカルボン酸、トリアジン、アミド、尿素、ジフェニルエーテル、トリアジノン、ウラシル、ベンゾフラン誘導体、2−位に例えばカルボキシ基、カルボイミノ基を有するシクロヘキサン−1,3−ジオン誘導体、キノリンカルボン酸誘導体、イミダゾリノン、スルホンアミド、スルホニル尿素、アリールオキシ−ならびにヘテロアリールオキシ−フェノキシプロピオン酸ならびにこれらの塩、エステル、アミドなどが挙げられる。
更に、化合物Iは、単独でまたは他の除草剤または生長抑制剤と、また更なる植物保護剤と組み合わせ、混合し、例えば殺害虫剤または植物殺菌剤または殺バクテリア剤と共に施用することができるという利点を有する。苗栄養不足、希元素欠乏などの症状治癒のために使用されるミネラル塩溶液と混合し得ること、植物に無害の油類、油濃縮物類に添加し得ることも重要である。
有効成分の施与割合は、使用目的、季節、対象植物および発育段階に応じて1ヘクタールあたりの有効成分(a.i.)0.001−3.0、好ましくは0.01−1.0kgとされる。
使用実施例
式Iのベンゾイル誘導体Iの除草効果を以下の温室実験で示す。
プラスチック植木鉢を栽培容器として用い、約3.0%腐蝕したローム質の砂を培養基とした。被検植物の種子を種類ごとに播種した。
事前法により、水中に懸濁または乳化させた有効物質を、種子を撒いた後に細分布したノズルを使用して直接撒布した。出芽と成長を促進するために容器を軽く灌水し、次いで植物が根付くまで透明のプラスチックの覆いを被せた。有効物質により害が与えられない限り、この被覆が被検植物の均一な出芽を促進する。
事後法による処理を行う目的で、被検植物を発育型により、草丈3−15cmとなった後、水中に懸濁または乳化させた有効物質で処理した。この場合、被検植物を直接播種し同一の容器で栽培することも、当初は別々に苗として植え、処理の行われる2−3日前に試験用容器に移植することも可能である。事後法における有効物質の施与量を1ヘクタールあたり0.125−0.0625kgとした。
各被検植物を種類ごとに10−25℃または20−35℃に保持し、実験期間を2−4週間とした。この間、被検植物を管理し、個々の処理に対する反応を評価した。
0−100の基準に基づき評価を行った。この基準において100は植物が全く出芽しないか、或いは少なくとも地上に出ている部分の全てが破壊してしまったことを示し、0は全く被害がなく正常な成長を遂げたことを示す。
温室実験で使用した植物の種類は以下の通りである。
Figure 0004240531
Figure 0004240531
Figure 0004240531
Figure 0004240531
製造実施例
A)出発材料の合成
1.2−クロロ−3−ホルミル−4−メチルスルホニル安息香酸メチル
a.420ミリリットルの1,2−ジクロロエタン中の286g(2.14モル)三塩化アルミニウムの懸濁液に、420モルの1,2−ジクロロエタン中の157g(2モル)の塩化アセチルの溶液を15−20℃で滴下した。次いで1リットルの1,2−ジクロロエタン中の346g(2モル)の2−クロロ−6−メチルチオトルエン溶液をこれに滴下した。攪拌を12時間継続し、反応混合物を3リットルの氷と、1リットルの濃塩酸との混合物に注入した。塩化メチレンを用いて混合物を抽出し、有機相を水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮した。残渣を減圧下に蒸留した。
これにより256g(化学量論量の60%)の、融点46℃の2−クロロ−3−メチル−4−メチルチオアセトフェノンを得た。
b.163g(0.76モル)の2−クロロ−3−メチル−4−メチルチオアセトフェノンを1.5リットルの氷酢酸に溶解し、18.6gのタングステン酸ナトリウムを添加し、冷却しつつ173.3gの濃度30%の過酸化水素溶液を滴下した。攪拌を2日間継続し、次いで混合物を水で希釈した。沈殿した固体を吸引濾過し、水で洗浄し、乾燥した。
これにより164g(化学量論量の88%)の2−クロロ−3−メチル−4−メチルスルホニルアセトフェノンを得た。融点:110−111℃。
c.82g(0.33モル)の2−クロロ−3−メチル−4−メチルスルホニルアセトフェノンを700ミリリットルのジオキサン中に溶解し、1リットルの濃度12.5%の次亜塩素酸ナトリウム溶液で室温にて添加した。80℃にて更に1時間攪拌を継続した。冷却後、形成された2相の下相を水で希釈し、弱酸性とした。沈殿した固体を水で洗浄し、乾燥した。
これにより60g(化学量論量の73%)の、融点を230−231℃とする2−クロロ−3−メチル−4−メチルスルホニル安息香酸が得られた。
d.100g(0.4モル)の2−クロロ−3−メチル−4−メチルスルホニル安息香酸を1リットルのメタノール中に溶解し、還流温度にてHClを5時間通過させた。次いで混合物を濃縮した。
これにより88.5g(化学量論量の84%)の、融点を107−108℃とする2−クロロ−3−メチル−4−メチルスルホニル安息香酸メチルを得た。
e.82g(0.31モル)の2−クロロ−3−メチル−4−メチルスルホニル安息香酸メチルを、2リットルのテトラクロロメタンに溶解し、56g(0.31モル)の一度に少量づつのN−ブロモスクシンイミドを用い、露光により処理した。反応混合物を濾過し、濾液を濃縮し、残渣を200ミリリットルのメチルtert−ブチルエーテルに取り込んだ。溶液に石油エーテルを添加し、沈殿した固体を吸引濾過し、乾燥した。
これにより74.5g(化学量論量の70%)の、融点を74−75℃とする3−ブロモメチル−2−クロロ−4−メチルスルホニル安息香酸メチルが得られた。
f.250ミリリットルのアセトニトリル中の41g(0.12モル)の3−ブロモメチル−2−クロロ−4−メチルスルホニル安息香酸メチルの溶液に、42.1g(0.36モル)のN−メチルモルホリンN−オキシドを添加した。バッチの攪拌を室温にて12時間継続し、この後、濃縮し、残渣を酢酸エチル中に取り込んだ。溶液を水で抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮した。
これにより31.2g(化学量論量の94%)の、融点を98−105℃とする2−クロロ−3−ホルミル−4−メチルスルホニル安息香酸メチルを得た。
2.2−クロロ−4−メチルスルホニル−3−トリフルオロメチルスルホニル)オキシ安息香酸メチル
a.101g(0.41モル)の2−クロロ−3−ヒドロキシ−4−メチルスルホニル安息香酸を1.3リットルのメタノールに溶解し、還流下にHCLガスを4時間通過させた。溶液を濃縮し、残渣をジクロロメタン中に取り込み、K2CO3溶液で抽出した。希塩酸を用いて水相をpH7とし、ジクロロメタンを用いて洗浄した。次いでpH1に酸性化し、生成物をジクロロメタンで抽出した。
これにより76.2g(化学量論量の71%)の2−クロロ−3−ヒドロキシ−4−メチルスルホニル安息香酸メチルを得た。
b.700ミリリットルのジクロロメタン中の76g(0.29モル)2−クロロ−3−ヒドロキシ−4−メチルスルホニル安息香酸メチルおよび68gのピリジンの溶液に、89g(0.32モル)の無水トリフルオロメタンスルホン酸を、−20℃にて添加した。溶液の攪拌を室温にて12時間継続し、溶液をジクロロメタンで希釈し、水で抽出した。有機相を硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。
これにより、94g(化学量論量の82%)の、融点を69℃とする、2−クロロ−4−メチルスルホニル−3−(トリフルオロメチルスルホニル)オキシ安息香酸メチルを得た。
B)中間生成物の製造法
1.3−(3−イソプロピルイソキサゾール−5−イル)−4−メチルスルホニル安息香酸メチル
a.200ミリリットルのジエチルアミンと60ミリリットルのジメチルホルムアミド中の30g(102ミリモル)3−ブロモ−4−メチルスルホニル安息香酸メチル、90mgの二塩化パラジウム、および240mgのトリフェニルホスフィンに10g(102ミリモル)の(トリメチルシリル)アセチレンおよび180mgの沃化銅(I)を添加し、混合物を40℃で、4.5時間攪拌した。室温での攪拌を更に12時間継続した。得られた反応混合物を濾過し、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィーに付し、移動相としてトルエンを用いた。
これにより17.3g(化学量論量の55%)の4−メチルスルホニル−3−(トリメチルシリル)エチニル安息香酸メチルを油状物として得た。
b.25gの4−メチルスルホニル−3−(トリメチルシリル)エチニル安息香酸メチルを100ミリリットルのメタノールおよび0.9gの炭酸カリウムと共に室温で18時間攪拌した。次いで固体を吸引濾過し、濾液を濃縮して、酢酸エチル/水で抽出した。有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮した。
これにより15g(化学量論量の79%)の、融点を95−98℃とする4−メチルスルホニル−3−エチル安息香酸メチルを得た。
c.13.5g(57ミリモル)の4−メチルスルホニル−3−エチニル安息香酸メチルを50ミリリットルのジクロロメタンに溶解し、5.2g(60ミリモル)のイソブチルアルデヒドオキシムを添加し、濃度12.5%の次亜塩素酸ナトリウム溶液41gを滴下した。次いで、得られた混合物の攪拌を室温にて24時間継続した。この後、反応バッチをジクロロメタン/水を用いて抽出し、有機相を濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィーに付し、移動相としてトルエン/酢酸エチルを用いた。
これにより8.8g(化学量論量の48%)の、融点を102−104℃とする3−(3−イソプロピルイソキサゾール−5−イル)−4−メチルスルホニル安息香酸メチルが得られた。
2.2−クロロ−3−イソキサゾール−3−イル)−4−メチルスルホニル安息香酸メチル
a.15g(54ミリモル)の2−クロロ−3−ホルミル−4−メチルスルホニル安息香酸メチル(Ex.A.1.)および4.2g(60ミリモル)の塩化ヒドロキシルアミンを300ミリリットルのメタノールとともに攪拌し、80ミリリットルの水中の炭酸ナトリウム3.18g(30ミリモル)の溶液を滴下した。反応混合物を室温にて一晩攪拌し、次いでメタノールを留去し、バッチをエーテル/水で抽出した。エーテル相を硫酸ナトリウムで乾燥させ、濃縮した。
これにより14.4g(化学量論量の91%)の、融点を126−128℃とする2−クロロ−3−ヒドロキシイミノメチル−4−メチルスルホニル安息香酸メチルを得た。
b.5.3g(18ミリモル)の2−クロロ−3−ヒドロキシイミノメチル−4−メチルスルホニル安息香酸メチルを50ミリリットルのジクロロメタンに溶解し、アセチレンを0−5℃で、30分間通過させた。次いで少量の酢酸ナトリウムを添加し、更にアセチレンを通過させながら、濃度10%の次亜塩素酸ナトリウム溶液15ミリリットルを10℃で滴下した。添加終了後、アセチレンを10℃で更に15分間通過させ、更に攪拌を12時間継続した。この後各相を分離し、有機相を水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮した。これにより、4.8g(化学量論量の84%)の、融点を145−147℃とする2−クロロ−3−(イソキサゾール−3−イル)−4−メチルスルホニル安息香酸メチルが得られた。
3.2−クロロ−3−(トリアゾール−2−イル)−4−メチルスルホニル安息香酸メチル
33g(88ミリモル)の2−(トリブチルスタニル)−チアゾール、17.5g(44ミリモル)の2−クロロ−4−メチルスルホニル−3−(トリフルオロメチルスルホニル)オキシ安息香酸メチル(EX.A.2.)、5.8gの塩化リチウム、1gのテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム−(O)、少量の2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルフェノール、および200ミリリットルの1,4−ジオキサンを140℃のオートクレーブ中、固有圧力下に3時間攪拌した。冷却後、反応混合物をシリカゲル層を通して濾過し、メチルtert−ブチルエーテルで洗浄し、濃縮した。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーに付し、移動相としてトルエン/酢酸エチルを用いた。
これにより9.1g(化学量論量の62.6%)の、融点を135−138℃とする2−クロロ−3−(チアゾール−2−イル)−4−メチルスルホニル安息香酸メチルを得た。
4.2−クロロ−3−(オキサゾール−5−イル)−4−メチルスルホニル安息香酸メチル
25g(0.09モル)の2−クロロ−3−ホルミル−4−メチルスルホニル安息香酸メチル(Ex.A.1.)、17.6g(0.09ミリモル)のイソシアン化トシルメチレンおよび6.2g(0.045モル)の微粉砕状の炭酸カリウムを、450ミリリットルのメタノールと共に還流温度にて5時間攪拌した。次いで溶媒を除去し、残渣を酢酸エチルに取り込み、水で抽出した。酢酸エチル相を硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮した。
これにより24.7g(化学量論量の87%)の2−クロロ−3−(オキサゾール−5−イル)−4−メチルスルホニル安息香酸メチルを得た。
1H NMR(CDCl3
δ:8.24(d、1H)、8.15(s、1H)、8.01(d、1H)、7.40(s、1H)、4.0(s、3H)、2.96(s、3H)。
以下の表に記載の中間生成物を同様の方法で得た。
Figure 0004240531
Figure 0004240531
C)最終生成物の製造
1.2−[3−(3−イソプロピルイソキサゾール−5−イル)−4−メチルスルホニルベンゾイル]−シクロヘキサン−1,3−ジオン(実施例No.1.474)
a.8g(25ミリモル)の3−(3−イソプロピルイソキサゾール−5−イル)−4−メチルスルホニル安息香酸メチル(実施例B.1.)を50ミリリットルのメタノールに溶解し、1.5g(37ミリモル)のNaOHを添加した。得られた溶液を室温にて12時間攪拌した。この後、反応混合物を濃縮し、残渣を水中に取り込み、溶液を塩酸で酸性化した。長時間攪拌すると、淡黄色の結晶が得られた。固体を吸引濾過し、乾燥した。
6.6g(化学量論量の86%)の、融点を176−178℃とする3−(3−イソプロピルイソキサゾール−5−イル)−4−メチルスルホニル安息香酸を得た。
b.6g(19ミリモル)の3−(3−イソプロピルイソキサゾール−5−イル)−4−メチルスルホニル安息香酸を60ミリリットルのトルエンに溶解し、ここにジメチルホルムアミドを1滴添加し、32g(27ミリモル)の塩化チオニルを導入した。4時間還流後、反応混合物を濃縮した。
6.3g(化学量論量の99%)の、融点を102−105℃とする塩化3−(3−イソプロピルイソキサゾール−5−イル)−4−メチルスルホニルベンゾイルを得た。
c.0.56g(5.5ミリモル)のトリエチルアミンを、30ミリリットルのジクロロメタン中の0.5g(4.6ミリリットル)のシクロヘキサン−1.3−ジオンの懸濁液に添加し、次いで20ミリリットルのジクロロメタン中の1.5g(4.6ミリモル)の塩化3−(3−イソプロピルイソキサゾール−5−イル)−4−メチルスルホニルベンゾイルを25℃で滴下した。次いで40℃にて12時間攪拌を継続した。冷却後、混合物を水で希釈し、ジクロロメタン相を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。得られた残渣を30ミリリットルのアセトニトリルに溶解し、2.8gのトリエチルアミン、次いで0.15gのアセトンシアノヒドリンを添加し、室温にて12時間攪拌を継続した。この後、反応バッチを濃縮し、残渣を酢酸エチルに取り込み、溶媒を希塩酸で抽出した。水で二回洗浄後、有機相を濃度5%の炭酸カリウム溶液で抽出した。水相をpH6と成した後、酢酸エチルで再抽出した。乾燥および濃縮により、融点95−98℃の2−[3−(3−イソプロピルイソキサゾール−5−イル)−4−メチルスルホニルベンゾイル]シクロヘキサン−1,3−ジオン0.51g(化学量論量の28%)を得た。
同様の方法で以下の表に記載の化合物を得た。
Figure 0004240531
Figure 0004240531
Figure 0004240531
Figure 0004240531

Claims (10)

  1. 式I
    Figure 0004240531
    で表され、式中
    L、Mがそれぞれ水素、C1−C6アルキル、C2−C6アルケニル、C2−C6アルキニル、C1−C4アルコキシを意味し、これら各基は非置換であっても、1−5個のハロゲン原子またはC1−C4アルコキシ基により置換されていてもよく、またはそれぞれハロゲン、シアノ、ニトロ、−(Y)n−S(O)m7で表される基または−(Y)n−CO−R8で表される基を意味し、
    Zが酸素、硫黄および窒素から選択される1〜3個のヘテロ原子を有し、非置換であっても、ハロゲン、シアノ、ニトロ、−CO−R8、C1−C4アルキル、C1−C4ハロアルキル、C3−C8シクロアルキル、C1−C4アルコキシ、C1−C4ハロアルコキシ、C1−C4アルキルチオ、C1−C4ハロアルキルチオ、ジ−C1−C4アルキルアミノにより置換されてもよい、または非置換またはハロゲン、シアノ、ニトロ、C1−C4アルキルまたはC1−C4ハロアルキルによって置換されているフェニルによって置換されてもよい、または互変異性状態のヒドロキシル基として存在可能なオキソ基によって置換されてもよい、または非置換またはハロゲン、シアノ、ニトロ、C1−C4アルキルまたはC1−C4ハロアルキルにより置換された縮合フェニル環と共に、または縮合炭素環と共に、または非置換またはハロゲン、シアノ、ニトロ、C1−C4アルキル、ジ−C1−C4アルキルアミノ、C1−C4アルコキシ、C1−C4ハロアルコキシまたはC1−C4ハロアルキルにより置換された縮合した第二の複素環と共に二環化合物を形成する、5員または6員の複素環式飽和または不飽和基を意味し、
    YがOまたはNR9を意味し、
    nが0または1であり、
    mが0、1または2であり、
    7がC1−C4アルキル、C1−C4ハロアルキルまたはNR910を意味し、
    8がC1−C4アルキル、C1−C4ハロアルキル、C1−C4アルコキシまたはNR910を意味し、
    9が水素またはC1−C4アルキルを意味し、
    10がC1−C4アルキルを意味し、
    Qが2位に結合し、式II
    Figure 0004240531
    で表され、式中
    1、R2、R4およびR6がそれぞれ水素またはC1−C4アルキルを、
    5が水素、C1−C4アルキルまたは−COOR10で示される基を、
    3が水素、または1−3個のハロゲン、C1−C4アルキルチオおよびC1−C4アルコキシを有しても良いC1−C4アルキルまたはC3−C6シクロアルキルを、または
    3がテトラヒドロピラン−3−イル、テトラヒドロピラン−4−イル、またはテトラヒドロチオピラン−3−イルをそれぞれ意味するか、もしくはR3とR5が合体して結合または3員から6員までの炭素環基を形成する、シクロヘキサン−1,3−ジオン環を意味することを特徴とする、ベンゾイル誘導体、または化合物Iの農業上使用可能な塩。
  2. 式Ia
    Figure 0004240531
    で表され、式中
    LがC1−C6アルキル、C2−C6アルケニル、C2−C6アルキニル、C1−C4アルコキシ、C1−C4アルキルチオ、C1−C4ハロアルキル、C1−C4ハロアルコキシ、C1−C4ハロアルキルチオ、C1−C4アルキルスルホニル、ハロゲン、ニトロまたはシアノを意味し、
    Mが水素、C1−C6アルキル、C2−C6アルケニル、C2−C6アルキニル、C1−C4アルコキシ、C1−C4アルキルチオ、C1−C4ハロアルキル、C1−C4ハロアルコキシ、C1−C4ハロアルキルチオ、C1−C4アルキルスルホニル、ハロゲン、ニトロまたはシアノを意味し、
    QおよびZが請求項1で定義した意味を有することを特徴とする請求項1に記載のベンゾイル誘導体。
  3. 式Ib
    Figure 0004240531
    で表され、式中
    L、MがそれぞれC1−C6アルキル、C2−C6アルケニル、C2−C6アルキニル、C1−C4アルコキシ、C1−C4アルキルチオ、C1−C4ハロアルキル、C1−C4ハロアルコキシ、C1−C4ハロアルキルチオ、C1−C4アルキルスルホニル、ハロゲン、ニトロまたはシアノを意味し、
    QおよびZが請求項1に記載した意味を有することを特徴とする請求項1に記載のベンゾイル誘導体。
  4. LおよびMが、それぞれ水素、メチル、メトキシ、メチルチオ、塩素、シアノ、メチルスルホニル、ニトロまたはトリフルオロメチルを意味することを特徴とする、請求項1に記載の式Iのベンゾイル誘導体。
  5. 式II
    Figure 0004240531
    で表される特定の出発物質を、式III
    Figure 0004240531
    で表され、式中Tがハロゲンを意味し、L、MおよびZが請求項1に記載した意味を有する安息香酸誘導体によりアシル化させ、得られたアシル化生成物を触媒の存在下に転移反応させて化合物Iを得ることを特徴とする、請求項1に記載の式Iの化合物の製造法。
  6. 請求項1に記載の式Iで示される少なくとも1種類のベンゾイル誘導体と、慣用の不活性添加剤とを含有することを特徴とする除草剤。
  7. 請求項1に記載の式Iで示されるベンゾイル誘導体の除草有効量を植物またはその生長圏に作用させることを特徴とする、望ましくない草木の防除方法。
  8. 式III
    Figure 0004240531
    で表され、式中Tがハロゲン、OH、またはC1−C4アルコキシを、L、M、Zが請求項1に記載の意味を有する安息香酸誘導体であり、且つ
    Zが、
    Figure 0004240531
    を意味し、MがCl(4位)を、LがF(6位)を意味し、そしてTがOCH(CH32、OCH(CH3)CH2CH3、OCH2CH(CH32、OCH3、OCH2CH3、OH、OCH2CH2CH2CH3又はOC(CH33を意味する場合の安息香酸誘導体、
    Zが、
    Figure 0004240531
    を意味し、MがCl(4位)を、LがCl(6位)を意味し、そしてTがOH又はOCH3を意味する場合の安息香酸誘導体、
    Zが、
    Figure 0004240531
    を意味し、MがCl(4位)を、LがCl(6位)を意味し、そしてTがOH、OCH2CH3又はOCH3を意味する場合の安息香酸誘導体、
    Zが、
    Figure 0004240531
    を意味し、MがF又はCl(4位)を、LがCl(6位)を意味し、そしてTがOH、OCH2CH3又はOCH3を意味する(M=F(4位)、L=Cl(6位)且つT=OHの場合を除く)場合の安息香酸誘導体、
    Zが、
    Figure 0004240531
    を意味し、MがCl(4位)、LがCl(6位)を意味し、そしてTがOCH2CH3を意味する場合の安息香酸誘導体、
    Zが、
    Figure 0004240531
    を意味し、MがH(4位)、LがCl(6位)を意味し、そしてTがOH、OCH3又はOCH(CH32を意味する場合の安息香酸誘導体、
    Zが、
    Figure 0004240531
    を意味し、MがF(4位)、LがCl(6位)を意味し、そしてTがOH又はOCH(CH32を意味する場合の安息香酸誘導体、
    Zが、
    Figure 0004240531
    を意味し、MがH(4位)、LがCl(6位)を意味し、そしてTがOH、OCH3又はOCH(CH32を意味する場合の安息香酸誘導体、
    Zが、
    Figure 0004240531
    を意味し、MがF(4位)、LがCl(6位)を意味し、そしてTがOH、OCH3又はOCH(CH32を意味する場合の安息香酸誘導体、
    Zが、
    Figure 0004240531
    を意味し、MがCl(4位)、LがCl(6位)を意味し、そしてTがOHを意味する場合の安息香酸誘導体、
    Zが、
    Figure 0004240531
    を意味し、MがF(4位)、LがCl(6位)を意味し、そしてTがOCH(CH32を意味する場合の安息香酸誘導体、
    Zが、
    Figure 0004240531
    を意味し、MがH(4位)、LがCl(6位)を意味し、そしてTがOH、OCH3又はOCH(CH32を意味する場合の安息香酸誘導体、
    Zが、
    Figure 0004240531
    を意味し、MがF(4位)、LがCl(6位)を意味し、そしてTがOH又はOCH(CH32を意味する場合の安息香酸誘導体、
    Zが、
    Figure 0004240531
    を意味し、MがH(4位)、LがCl(6位)を意味し、そしてTがOH又はOCH(CH32を意味する場合の安息香酸誘導体、
    Zが、
    Figure 0004240531
    を意味し、MがF(4位)、LがCl(6位)を意味し、そしてTがOH又はOCH(CH32を意味する場合の安息香酸誘導体、
    Zが、
    Figure 0004240531
    を意味し、MがCl(4位)、LがCl(6位)を意味し、そしてTがOH、OCH3又はOCH(CH32を意味する場合の安息香酸誘導体、
    Zが、
    Figure 0004240531
    を意味し、MがF(4位)、LがCl(6位)を意味し、そしてTがOHを意味する場合の安息香酸誘導体、
    Zが、
    Figure 0004240531
    を意味し、MがH(4位)、LがCl(6位)を意味し、そしてTがOH、OCH3又はOCH(CH32を意味する場合の安息香酸誘導体、
    Zが、
    Figure 0004240531
    又は
    Figure 0004240531
    を意味し、MがH(4位)、LがCl(6位)を意味し、そしてTがOCH3を意味する場合の安息香酸誘導体、
    Zが、
    Figure 0004240531
    を意味し、MがH(4位)、LがCl(6位)を意味し、そしてTがOHを意味する場合の安息香酸誘導体、
    Zが、
    Figure 0004240531
    を意味し、MがH(4位)、LがCl(6位)を意味し、そしてTがOH、OCH3又はOCH(CH32を意味する場合の安息香酸誘導体、
    Zが、
    Figure 0004240531
    を意味し、MがOCH3(2位)、LがCH3(6位)を意味し、そしてTがOCH3を意味する場合の安息香酸誘導体、
    Zが、ピロリジノ基を意味し、MがCOOCH3(2位)を、LがH、CH33(4位)又はCH3(6位)を意味し、そしてTがOCH3を意味する場合の安息香酸誘導体、
    5−(2,5−ジメチル−3−チエニル)−3−メチルフタル酸ジメチルエステル、メチル2−メトキシ−5−メチルスルホニル−3−ピロール−1−イル)ベンゾアート、2,6−ジフルオロ−3−(ピロール−1−イル)安息香酸、ジメチル5−(1,1−ジメチルエチル)−3−(1−ピロリジニル)−1,2−ベンゼンジカルボキシラート、及びジメチル5−メチル−3−(1−ピロリジノ)−フタラート
    が除外されている安息香酸誘導体。
  9. 式IIIa
    Figure 0004240531
    で表され式中
    Tが塩素、OHまたはC1−C4アルコキシを、
    LがC1−C6アルキル、C2−C6アルケニル、C2−C6アルキニル、C1−C4アルコキシ、C1−C4アルキルチオ、C1−C4ハロアルキル、C1−C4ハロアルコキシ、C1−C4ハロアルキルチオ、C1−C4アルキルスルホニル、ハロゲン、ニトロ、シアノを、
    MがC1−C6アルキル、C2−C6アルケニル、C2−C6アルキニル、C1−C4アルコキシ、C1−C4アルキルチオ、C1−C4ハロアルキル、C1−C4ハロアルコキシ、C1−C4ハロアルキルチオ、C1−C4アルキルスルホニル、ハロゲン、ニトロまたはシアノを意味し、
    Zが請求項1に記載の意味を有することを特徴とする請求項8に記載のベンゾイル誘導体。
  10. Zが酸素、硫黄および窒素から選択される1〜3個のヘテロ原子を有し、非置換またはハロゲン、シアノ、ニトロ、C1−C4アルキル、C1−C4ハロアルキル、C3−C8シクロアルキル、C1−C4アルコキシ、C1−C4ハロアルコキシ、C1−C4アルキルチオ、C1−C4ハロアルキルチオ、ジ−C1−C4アルキルアミノにより置換された、または非置換またはハロゲン、シアノ、ニトロ、C1−C4アルキルまたはC1−C4ハロアルキルにより置換されたフェニルによって置換された、5員または6員ヘテロ芳香族構造、または非置換またはハロゲン、シアノ、ニトロ、C1−C4アルキル、C1−C4ハロアルキルにより置換された、5員または6員環を有するベンゾ縮合ヘテロ芳香族構造を意味し、
    L、MおよびQが請求項1に記載の意味を有することを特徴とする請求項1に記載の式Iのベンゾイル誘導体。
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