JP4236872B2 - 折畳み式携帯情報端末装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、折畳み式の携帯電話機や携帯情報端末などの装置本体の開閉の有無を高感度に検知可能とする、折畳み式携帯情報端末装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
携帯電話機や携帯情報端末などの装置は、人が携行するために、小型化の必要性が高い反面、表示器やボタン類は、操作性向上の観点から大きい方が望まれる。そこで、装置の構造を折畳み式にすることが知られている。閉じた状態では、装置全体の投影面積が小さく、開いた状態では、装置の表面積が増大して表示器やボタン類を大きくすることができる。
【０００３】
また、折畳み式携帯電話機では、装置全体が開いているか閉じているかを検出し、表示器のバックライトの点灯あるいは消灯を行ったり、通話の開始あるいは切断を行うなど、開閉検知により折畳み式携帯電話機の動作状態を制御することが行われている。
【０００４】
図１０は、従来の折り畳み式携帯電話機における磁気式開閉検知スイッチ機構を示す。
【０００５】
折り畳み式携帯電話機は、第１の本体４１と第２の本体４２とから構成され、第１の本体４１及び第２の本体４２は、結合部４３を介して開閉可能に結合されている。
【０００６】
第１の本体４１は、各種情報を可視表示する液晶表示器４４と、アンテナ４５と、ボタンスイッチ４６と、受話時に音声を出力する受話器５３とを有している。第２の本体４２は、文字・数字入力スイッチを含む機能ボタンスイッチ４７を有し、本体内部には、着信音を出力するスピーカー５４が設けられている。
【０００７】
折畳み式携帯電話機の第２の本体４２には磁気センサ５１が、第１の本体４１にはマグネット５２が配設されている。磁気センサ５１とマグネット５２は、折畳み式電話機を閉じた状態において、ほぼ対向するような位置関係に配置されている。
【０００８】
このような構成により、折畳み式携帯電話機を閉じた状態の時には、マグネット５２から磁気センサ５１へ貫通する磁束密度が大きいため、磁気センサ５１は、予め定めた規定値以上の信号を出力する。折畳み式携帯電話機を開いた状態の時には、マグネット５２から磁気センサ５１へ貫通する磁束密度が小さくなるため、磁気センサ５１は、予め定めた規定値以下の信号を出力する。このようにして、磁気センサ５１の信号出力を利用して、折畳み式携帯電話機の開閉検知を行っている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、携帯電話機に必須の部品であるスピーカー及び受話器などの発音装置は、机上で使用される一般電話機に使用されるものと比較して小型化がなされているので、同等の機能を持たせるために、強力なマグネットが使用されている。例えば直径７ｍｍ程度のサマリウム−コバルト系もしくはネオジ系のマグネットが使用されている。このような発音装置に内包されるマグネットは、磁気センサの感磁部付近にまで漏れ磁界を発生させることがあり、折畳み式携帯電話機の開閉検知に誤動作をひき起こすという問題があった。
【００１０】
また、近年の携帯電話機の高機能化が進むにつれて、より一層の部品点数の削減と、小型・軽量化とが望まれている。しかしながら、折畳み式携帯電話機においては、磁気センサとマグネット間のギャップが、大きいもので１０ｍｍ程度あるため、携帯電話機で使用される部品としては、比較的大きな５ｍｍ角程度のマグネットを使用しなければならず、小型化が図れないという問題もあった。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、スピーカーや受話器などに内蔵された磁束発生手段から発生した磁束を高感度に検出することにより、本体間での漏れ磁束による開閉有無の検知の誤作動を防いで検出精度を向上させることが可能な、折畳み式携帯情報端末装置、および、磁気センサを提供することにある。
【００１２】
また、本発明の他の目的は、部品点数を削減して製造コストを安価にし、小型化・軽量化を図ることが可能な、折畳み式携帯情報端末装置、および、磁気センサを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、開閉可能に結合した対向する少なくとも２つの本体部を備え、各本体部に情報処理機能を有する情報処理手段が設けられた折畳み式携帯情報端末装置であって、前記一方の本体部に設けられた前記情報処理手段が、磁束を発生する磁束発生手段を内蔵している構成において、前記他方の本体部内における前記磁束発生手段からの磁束を検出可能な所定の領域に、該磁束発生手段によって発生された磁束密度を検出する磁気センサを具え、ここで、前記所定の領域は、前記磁束発生手段を内蔵した前記情報処理手段に対向する位置、又は、該対向する位置から離れた周辺領域を含み、前記磁気センサが、感磁面に対して垂直方向の磁束を検出する、化合物半導体からなるセンサ部と、前記センサ部により検出された信号から、オフセット成分を除去して信号成分を出力する信号処理制御部と、前記信号処理された信号をデジタル的に遷移する信号として出力する、トランジスタを含む出力部とを具え、前記信号処理制御部と前記出力部は、ＣＭＯＳのＩＣにより一体に構成され、前記信号処理制御部は、前記信号成分を±１．５ｍＴの範囲内での磁束密度の変化に対応して出力変化し、磁束密度が±１．５ｍＴの範囲内での増減変化に対応して、出力値がデジタル的な遷移を行うヒステリシス特性を有することを特徴とする。
【００１５】
前記磁気センサは、ホールセンサであり、該ホールセンサは、磁束を検出可能な領域であって前記情報処理手段に対向する位置に配設してもよい。
【００１７】
前記一方の本体部の前記情報処理手段は、音声を出力する発音手段であり、前記磁束発生手段は、前記発音手段に内蔵されたマグネットとしてもよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
［第１の例］
本発明の第１の実施の形態を、図１〜図７に基づいて説明する。
（装置構成）
図１は、本発明にかかる折畳み式携帯情報端末装置としての折畳み式携帯電話機を、本体の開いた状態として示す。図２は、折畳み式携帯電話機を、本体の閉じた状態として示す。
【００１９】
折畳み式携帯電話機は、第１の本体１と第２の本体２とから構成され、第１の本体１および第２の本体２は、結合部３を介して開閉可能に結合されている。これら第１の本体１および第２の本体２には、以下に述べるような各種の情報処理手段を備えている。
【００２０】
第１の本体１は、情報処理手段として、各種情報を可視表示する液晶表示器４と、アンテナ５と、ボタンスイッチ６と、音声を出力する発音手段としての受話器１３とを有している。受話器１３は、磁束発生手段としてのマグネット１３ａを内蔵している。なお、発音手段から出力される音声には、受話時の音声又は着信音、ゲーム時の音楽等を含む。
【００２１】
第２の本体２は、文字・数字入力スイッチを含む機能ボタンスイッチ７を有し、本体内部には、着信音を出力するスピーカー１４が設けられている。
【００２２】
この第２の本体２において、磁束発生手段であるマグネット１３ａからの磁束を検出可能な所定の領域には、折畳み式携帯電話機の開閉検出手段として用いられる、磁束密度を検出する磁気センサ１１が配置されている。ここでいう所定の領域とは、磁束発生手段を内蔵した情報処理手段（例えば、発音手段としての受話器１３）に対向する位置、又は、該対向する位置から離れた周辺領域のことをいうものとする。
【００２３】
本例では、磁気センサ１１は、第１の本体１の受話器１３にほぼ対向する第２の本体２の場所に配置されているものとする。また、磁気センサ１１を受話器１３と対向する場所ではなく、スピーカー１４と対向する場所に配置しても、同様の機能を有する開閉検知手段を構成することができる。
【００２４】
この構成により、図１に示した折畳み式携帯電話機が開いた状態では、磁気センサ１１が受話器１３に内蔵されたマグネット１３ａの磁束密度を検知せず、図２に示した折畳み式携帯電話機を閉じた状態では、磁気センサ１１が受話器１３に内蔵されたマグネット１３ａの磁束密度を検知して、折畳み式電話機の開閉を知ることができる。
【００２５】
本例によれば、従来、開閉検知のためだけに別個に設けていたマグネットを備える必要がなく、磁気センサ１１を備えるだけで、折畳み式電話機の開閉検知を行うことができる。
【００２６】
（磁気センサの回路構成）
図３は、折畳み式携帯電話機に使用する磁気センサ１１の回路構成を示す。
磁気センサ１１は、本例では、ホールＩＣを用いるものとする。ホールＩＣは、回路に一定電圧を供給するレギュレータ３０と、ホール素子３１と、チョッパー回路３２と、信号処理回路３３と、信号処理されたホール素子３１からの検出信号を増幅する増幅器３４と、増幅された検出信号をヒステリシスを有した出力信号に変換するように識別するシュミットトリガ回路３５と、シュミットトリガ回路３５の識別結果を出力する出力トランジスタ３６ａ，３６ｂ（ＣＭＯＳトランジスタ）とから構成されている。
【００２７】
この構成により、レギュレータ３０から電流が供給されていたホール素子３１は、このホール素子３１を通過する感磁面に対して垂直な磁場を検出し、磁束密度によって出力値が変化する。そして、ホール素子３１から出力された検出信号は、チョッパー回路３２によって信号の切替え制御が行われて、信号処理回路３３によってオフセット等の不要な成分を除去する信号処理が行われた後、増幅器３４によって増幅され、シュミットトリガ回路３５において、ヒステリシスを有した特性によりＯＮ／ＯＦＦが識別される。シュミットトリガ回路３５の識別結果は、出力トランジスタ３６から開閉検知用の出力信号Ｖｏとして出力される。
【００２８】
図３のホールＩＣの回路において、ホール素子３１と増幅器３４の間に接続されたチョッパー回路３２を用いて、ホール素子３１の入力端子と出力端子とをある一定周期毎に切り替え制御を行う。そして、信号処理回路３３を用いて、そのホール素子３１の出力電圧を平均化する。
【００２９】
具体的には、今、時刻ｔ１において、ホール素子３１は、入力端子ａ，ｃ、出力端子ｂ，ｄの接続状態にあるとすると、ホール素子３１の出力電圧Ｖｏは、ホール電圧Ｖｈの他に正のオフセット電圧＋Ｖｆを含むため、Ｖｏ＝Ｖｈ＋Ｖｆとなる。次に、一周期後の時刻ｔ２において、入力端子ｂ，ｄ、出力端子ａ，ｃの接続状態にあるとすると、ホール電圧Ｖｈの他に負のオフセット電圧−Ｖｆを含むため、ホール素子３１の出力電圧Ｖｏは、Ｖｏ＝Ｖｈ−Ｖｆとなる。そして、これら出力電圧Ｖｏを平均化して、Ｖｏ＝{（Ｖｈ＋Ｖｆ）＋（Ｖｈ−Ｖｆ）}／２＝Ｖｈが求まる。
【００３０】
これにより、従来、ホールＩＣの特性バラツキの主原因であったホール素子３１の出力オフセットである不平衡電圧の影響を無視できるようになるので、特性バラツキの非常に小さいホールＩＣを作製することができ、検出精度すなわちセンサ感度を図４に示すような従来の回路よりも格段に向上させることができる。
【００３１】
本発明では、磁気センサ１１は、図５に示すように、磁束密度Ｂが±１．５ｍＴの範囲内でのハイレベル／ローレベルの増減変化に対応して、出力電圧Ｖａがデジタル的な遷移を行うヒステリシス特性を有する。
【００３２】
（磁気センサの比較）
ここで、図３に示す本発明の磁気センサ１１の特徴を、図４に示す従来の磁気センサ１１ａに対して比較して説明する。
【００３３】
図３の回路に用いるホール素子３１の膜材料としては、高感度なインジウム・アンチモン膜や、温度特性の良好なガリウム・砒素膜が適している。
【００３４】
しかし、図４に示したような従来のホールＩＣに用いられるホール素子３１の膜材料は、シリコン膜であることがほとんどである。ホール素子３１の感度は、上記膜材料の持つ移動度μ（＝ｖ／Ｅ、ｖ：キャリアの移動速度、Ｅ：電界）によって決定されるが、シリコンがμ＝０．１５〔ｍ２／Ｖｓ〕であるのに対し、化合物半導体としてのインジウム・アンチモン（ＩｎＳｂ）の持つ移動度は、μ＝８．２０であり、ガリウム・砒素（ＧａＡｓ）の持つ移動度は、μ＝０．９７である。
【００３５】
シリコンのように低感度な膜材料からなるホール素子３１を用いて図３に示すような従来のホールＩＣを構成する場合、もともとのホール素子３１のＳ／Ｎが小さいうえ、増幅器３４のゲインを大きくする必要があるため、特性バラツキは、図６に示すような値、すなわち、磁束密度Ｂが±６ｍＴの範囲内で変化する程度の値に抑えるのが限界である。
【００３６】
また、Ｓ／Ｎの良好なインジウム・アンチモンの膜材料からなるホール素子を用いて図４に示すような従来のホールＩＣを構成したとしても、図６に示す程度のバラツキしか抑えることができない。
【００３７】
これに対して、Ｓ／Ｎが大きく高感度な化合物半導体からなるホール素子３１を用いて図３に示す本発明のような回路構成とした場合、図５に示す値、すなわち、磁束密度Ｂが±１．５ｍＴの範囲内で変化する程度の特性バラツキが非常に小さな値に抑えることが可能となり、高感度なホールＩＣを作製することができる。
【００３８】
次に、図４の従来の磁気センサ１１ａは、全ての回路素子をパイポーラＩＣとして一体に作り込んだものである。
【００３９】
これに対して、図３の本発明の磁気センサ１１は、化合物半導体（ＩｎＳｂ、ＧａＡｓ）からなるホール素子３１以外の全ての回路素子をＣＭＯＳＩＣとして作り込んだものである。
【００４０】
従って、バイポーラＩＣとせずＣＭＯＳＩＣとして構成していることから、低消費電力化を図ることができ、また、ホール素子３１の出力信号に対して、高速な信号処理を行うことができる。このような高速処理を可能とし、さらにホール素子３１のＳ／Ｎが大きいので、ホール素子３１のもつ不平衡電圧を無視することもできる。
【００４１】
そして、本発明のホールＩＣに備えられた図３のチョッパー回路３２の端子切替え機能、信号処理回路回路３３の信号判別処理の機能は、図４の従来のパイポーラＩＣには存在しない新たな制御機能である。
【００４２】
従って、ホール素子３１による検出信号から、±１．５ｍＴの範囲内での磁束密度の変化を高感度に検出することができ、出力オフセット等の不平衡電圧の影響を除去した高精度な出力信号を得ることができる。
【００４３】
（磁気センサの適用例）
図７は、市販の携帯電話機に用いられるスピーカがもつ周囲磁束密度分布の実測値を示す。
【００４４】
発音手段としてのスピーカに内蔵される磁石は、円柱状磁石であるので、周方向（ｒ方向）はどの方向に向かっても対称な分布を示し、スピーカに対向する場所から離れる（ｚ方向）ほど磁束密度Ｂｚは小さくなる。
【００４５】
もし、スピーカに対向する場所から磁気センサ１１を配置する場所までの距離が、ｚ＝６．８ｍｍよりも近い範囲内に配置できれば、磁束密度Ｂｚが±６ｍＴ以内で反応するセンサでよいが、実際はそれ以上離れた場所（ｚ＝７．８ｍｍ，８．８ｍｍ，９．８ｍｍ）にしか配置できないようなこともあり、このような場合には高感度の磁気センサが必要になっている。
【００４６】
その一方で、ｚ方向の磁束密度Ｂｚを検知するホールＩＣは、磁束密度の大きい発音手段等の情報処理手段に対向する場所の近くに配置することが望ましい。
【００４７】
そこで、磁束密度が±１．５ｍＴの範囲内で変化するのを検出可能な、高感度な磁気センサ１１を作製したことによって、スピーカに対向する場所からｚ＝６．８ｍｍ以上離れた場所においても配置することが可能となり、これにより、携帯電話機等の回路設計やスペース面における制約も解消することができ、コンパクトな構成とすることができる。
【００４８】
上述したように、発音手段に内蔵された磁束発生手段（マグネット等）は、従来開閉検知用として別個に用いていたものとは異なり、表面磁束密度等の特性値のばらつきが大きいため、磁気センサ１１を±１．５ｍＴ以内の磁束密度で出力変化する高感度センサにすることによって、発音手段に予め内蔵されている磁束発生手段の特性値のばらつきを無視することができ、確実に開閉検知を行うことができるようになる。
【００４９】
以上の説明により、マグネット１３ａを内蔵する受話器１３又はスピーカー１４と、±１．５ｍＴ以内の磁束密度で出力変化する磁気センサ１１との組み合わせによって開閉検知を行うので、部品点数を削減して製造コストを安価にし、小型・軽量化を図った折畳み式携帯電話機を構成できる。
【００５０】
また、スピーカー１４および受話器１３などのマグネットの漏れ磁束や、マグネットの特性ばらつきによる開閉検知の誤動作を防ぐことができる。
【００５１】
なお、磁気センサ１１としては、ホール素子、ホールＩＣ、磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ＩＣ、またはリードスイッチなど、様々な磁気センサが適用可能である。磁気センサは、好ましくは、開閉検知信号がデジタル出力されるものが望ましい。
【００５２】
［第２の例］
本発明の第２の実施の形態を、図８〜図９に基づいて説明する。なお、前述した第１の例と同一部分についてはその説明を省略し、同一符号を付す。
本例は、磁気センサ１１を、前述したホールＩＣの代わりに磁気抵抗効果ＩＣを用いて構成した場合の例である。
【００５３】
この磁気抵抗効果ＩＣも、磁束密度が±１．５ｍＴの範囲内での増減変化に対応して、出力値がデジタル的な遷移を行うヒステリシス特性を有する。
【００５４】
ホールＩＣの場合と同様に、磁気抵抗効果ＩＣについてもシリコンの磁気抵抗効果は非常に小さいので、強磁性体ＭＲ（例えば、ニッケル・鉄）などの磁気抵抗効果素子とＩＣとを組み合わせることによって、特性バラツキの小さい磁気センサを構成することができる。
【００５５】
ただし、磁気抵抗効果素子のオフセットの影響を無視できるような回路構成（図３に示したようなホールＩＣを用いた構成）は現在存在しないので、ホールＩＣの方が磁気抵抗効果ＩＣに比べ、特性バラツキを小さくすることができる可能性がある。
【００５６】
（オフセット配置）
磁気抵抗効果ＩＣは、磁石（磁束発生手段）を内蔵した発音手段（情報処理手段）に対して、オフセット配置することができる。ここでいうオフセット配置とは、磁束発生手段を内蔵した情報処理手段に対向する位置から離れた周辺領域を意味するものである。
【００５７】
図８および図９は、それぞれ、円柱状磁石のｒ方向、ｚ方向に対する磁束密度Ｂｒ，Ｂｚの分布（計算値）を示す。
【００５８】
円柱状磁石のサイズは、５ｍｍφで厚さが１．５ｍｍである。図９のｚ方向の磁束密度Ｂｚは円柱状磁石中心に対向する場所が一番大きくなるのに対して、図８のｒ方向の磁束密度Ｂｒは磁石中心よりオフセットした場所（この例では、ｒ方向に４〜５ｍｍだけ中心からずれた場所）で最大値をとることがわかる。
【００５９】
この磁気抵抗効果ＩＣに関しては、ｒ方向の磁束密度Ｂｒを検知するので、オフセットした場所に当たる上記最大値をとる場所に、磁気センサ１１を配置することが望ましい。
【００６０】
以上のようにオフセット配置することにより、以下の利点を得る。
【００６１】
一般に、折畳み式携帯電話器の受話器に内包されるマグネットと磁気センサとしてホールセンサを用いて開閉検知を行う場合、受話器と対向する場所で検出磁束密度が最大になるので、受話器に対向する場所に磁気センサを配置することが望ましいが、通常、受話器に対向する場所には送話器が配置されているので、磁気センサを配置することは難しい。
【００６２】
しかしながら、磁気センサ１１として感磁面に対して平行な磁場を検出する磁気抵抗効果センサを用いる場合は、受話器に対向する場所ではなく、オフセットした場所で検出される磁束密度が最大となり、さらに、本発明の特徴である±１．５ｍＴという高感度な検出機能を合わせもつことによって、その対向する場所からより遠く離れた場所においても広範囲に渡って検出可能となるため、送話器の配置を変更することなく、開閉検出手段を構成することができる。その結果、”回路基板の部品配置を余儀なく変更しなければならない”といった不具合もなく、設計段階の制約を解消することができる。
【００６３】
なお、携帯情報端末装置としては、ノート型パーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）、電子手帳、ゲーム機、又は携帯電話機など様々な装置を用いることができる。
【００６４】
また、発音装置としては、マグネットを内蔵していればよく、例えば、コイルに電流を流して音を発生するスピーカーを用いることができる。携帯電話機においては、着信音を発生させたり、音楽を出力するスピーカーや、受話時に音声を出力する受話器を使用することができる。
【００６５】
さらに、発音装置以外にも携帯電話機で使用される部品としては、アイソレータ（ｉｓｏｌａｔｏｒ）などマグネット等の磁束発生手段を内蔵する情報処理手段の部品が他にもあるので、それら部品を開閉検知に用いてもよい。
【００６６】
上述した例では、第２の本体２側に磁気センサ１３を配置したが、これとは逆の構成で第１の本体１側に配置してもよく、さらに、対向する本体が２つ以上ある場合にも、同様に構成することができる。
【００６７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、開閉可能な対向する本体間において、その一方の本体に配設された磁束発生手段（マグネット等）を内蔵する情報処理手段と、他方の本体に配設された±１．５ｍＴの範囲内での磁束密度の変化を高感度に検出可能な磁気センサとを組み合わせて構成し、チョッパー回路や信号処理回路を用いた信号制御処理によって本体間の開閉有無を高感度に検出するようにしたので、マグネットの漏れ磁束や、マグネットの特性ばらつきによる開閉有無の検知の誤動作を防いで、検出精度を一段と向上させることができる。
【００６８】
また、本発明によれば、磁束発生手段を別個に設けず、既存のスピーカや受話器等の情報処理手段に内蔵された磁束発生手段を使用したので、部品点数を削減して製造コストを安価にすることができる。
【００６９】
さらに、本発明によれば、磁束発生手段を内蔵した情報処理手段に対向した位置のみなず、その対向した位置から離れた周辺領域にも磁気センサを配置できるので、部品配置等の設計変更に裕度をもたせることができ、小型化・軽量化を図った折畳み式携帯情報端末装置を作製することができる。
【００７０】
さらにまた、磁気センサ材料として化合物半導体を使用し、ＣＭＯＳＩＣ回路を構成しているので、非常に高感度で、特性バラツキが小さいのみならず、消費電力の小さい携帯情報端末装置に適した磁気センサを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態である、折畳み式携帯電話機の開状態の外観を示す斜視図である。
【図２】折畳み式携帯電話機の閉状態の外観を示す斜視図である。
【図３】折畳み式携帯電話機に使用する磁気センサを示す回路図である。
【図４】比較例として示す従来の折畳み式携帯電話機に使用する磁気センサを示す回路図である。
【図５】ホールＩＣの出力特性（磁束密度−出力電圧）を示す特性図である。
【図６】従来のホールＩＣの出力特性（磁束密度−出力電圧）を示す特性図である。
【図７】ホールＩＣのｒ方向に対するｚ方向磁束密度Ｂｚの分布を示す特性図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態である、磁気抵抗効果ＩＣのｒ方向に対するｒ方向磁束密度Ｂｒの分布を示す特性図である。
【図９】磁気抵抗効果ＩＣのｒ方向に対するｚ方向磁束密度Ｂｚの分布を示す特性図である。
【図１０】従来の折畳み式携帯電話機における磁気式開閉検知スイッチ機構を示す斜視図である。
【符号の説明】
１ 第１の本体
２ 第２の本体
３ 結合部
４ 液晶表示器
５ アンテナ
６ ボタンスイッチ
７ 機能ボタンスイッチ
１１ 磁気センサ
１１ａ 磁気センサ
１３ 受話器
１３ａ マグネット
１４ スピーカー
３０ レギュレータ
３１ ホール素子
３２ チョッパー回路
３３ 信号処理回路
３４ 増幅器
３５ シュミットトリガ
３６ａ，３６ｂ ＣＭＯＳトランジスタ
４１ 第１の本体
４２ 第２の本体
４３ 結合部
４４ 液晶表示器
４５ アンテナ
４６ ボタンスイッチ
４７ 機能ボタンスイッチ
５１ 磁気センサ
５２ マグネット
５３ 受話器
５４ スピーカー
【発明の属する技術分野】
本発明は、折畳み式の携帯電話機や携帯情報端末などの装置本体の開閉の有無を高感度に検知可能とする、折畳み式携帯情報端末装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
携帯電話機や携帯情報端末などの装置は、人が携行するために、小型化の必要性が高い反面、表示器やボタン類は、操作性向上の観点から大きい方が望まれる。そこで、装置の構造を折畳み式にすることが知られている。閉じた状態では、装置全体の投影面積が小さく、開いた状態では、装置の表面積が増大して表示器やボタン類を大きくすることができる。
【０００３】
また、折畳み式携帯電話機では、装置全体が開いているか閉じているかを検出し、表示器のバックライトの点灯あるいは消灯を行ったり、通話の開始あるいは切断を行うなど、開閉検知により折畳み式携帯電話機の動作状態を制御することが行われている。
【０００４】
図１０は、従来の折り畳み式携帯電話機における磁気式開閉検知スイッチ機構を示す。
【０００５】
折り畳み式携帯電話機は、第１の本体４１と第２の本体４２とから構成され、第１の本体４１及び第２の本体４２は、結合部４３を介して開閉可能に結合されている。
【０００６】
第１の本体４１は、各種情報を可視表示する液晶表示器４４と、アンテナ４５と、ボタンスイッチ４６と、受話時に音声を出力する受話器５３とを有している。第２の本体４２は、文字・数字入力スイッチを含む機能ボタンスイッチ４７を有し、本体内部には、着信音を出力するスピーカー５４が設けられている。
【０００７】
折畳み式携帯電話機の第２の本体４２には磁気センサ５１が、第１の本体４１にはマグネット５２が配設されている。磁気センサ５１とマグネット５２は、折畳み式電話機を閉じた状態において、ほぼ対向するような位置関係に配置されている。
【０００８】
このような構成により、折畳み式携帯電話機を閉じた状態の時には、マグネット５２から磁気センサ５１へ貫通する磁束密度が大きいため、磁気センサ５１は、予め定めた規定値以上の信号を出力する。折畳み式携帯電話機を開いた状態の時には、マグネット５２から磁気センサ５１へ貫通する磁束密度が小さくなるため、磁気センサ５１は、予め定めた規定値以下の信号を出力する。このようにして、磁気センサ５１の信号出力を利用して、折畳み式携帯電話機の開閉検知を行っている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、携帯電話機に必須の部品であるスピーカー及び受話器などの発音装置は、机上で使用される一般電話機に使用されるものと比較して小型化がなされているので、同等の機能を持たせるために、強力なマグネットが使用されている。例えば直径７ｍｍ程度のサマリウム−コバルト系もしくはネオジ系のマグネットが使用されている。このような発音装置に内包されるマグネットは、磁気センサの感磁部付近にまで漏れ磁界を発生させることがあり、折畳み式携帯電話機の開閉検知に誤動作をひき起こすという問題があった。
【００１０】
また、近年の携帯電話機の高機能化が進むにつれて、より一層の部品点数の削減と、小型・軽量化とが望まれている。しかしながら、折畳み式携帯電話機においては、磁気センサとマグネット間のギャップが、大きいもので１０ｍｍ程度あるため、携帯電話機で使用される部品としては、比較的大きな５ｍｍ角程度のマグネットを使用しなければならず、小型化が図れないという問題もあった。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、スピーカーや受話器などに内蔵された磁束発生手段から発生した磁束を高感度に検出することにより、本体間での漏れ磁束による開閉有無の検知の誤作動を防いで検出精度を向上させることが可能な、折畳み式携帯情報端末装置、および、磁気センサを提供することにある。
【００１２】
また、本発明の他の目的は、部品点数を削減して製造コストを安価にし、小型化・軽量化を図ることが可能な、折畳み式携帯情報端末装置、および、磁気センサを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、開閉可能に結合した対向する少なくとも２つの本体部を備え、各本体部に情報処理機能を有する情報処理手段が設けられた折畳み式携帯情報端末装置であって、前記一方の本体部に設けられた前記情報処理手段が、磁束を発生する磁束発生手段を内蔵している構成において、前記他方の本体部内における前記磁束発生手段からの磁束を検出可能な所定の領域に、該磁束発生手段によって発生された磁束密度を検出する磁気センサを具え、ここで、前記所定の領域は、前記磁束発生手段を内蔵した前記情報処理手段に対向する位置、又は、該対向する位置から離れた周辺領域を含み、前記磁気センサが、感磁面に対して垂直方向の磁束を検出する、化合物半導体からなるセンサ部と、前記センサ部により検出された信号から、オフセット成分を除去して信号成分を出力する信号処理制御部と、前記信号処理された信号をデジタル的に遷移する信号として出力する、トランジスタを含む出力部とを具え、前記信号処理制御部と前記出力部は、ＣＭＯＳのＩＣにより一体に構成され、前記信号処理制御部は、前記信号成分を±１．５ｍＴの範囲内での磁束密度の変化に対応して出力変化し、磁束密度が±１．５ｍＴの範囲内での増減変化に対応して、出力値がデジタル的な遷移を行うヒステリシス特性を有することを特徴とする。
【００１５】
前記磁気センサは、ホールセンサであり、該ホールセンサは、磁束を検出可能な領域であって前記情報処理手段に対向する位置に配設してもよい。
【００１７】
前記一方の本体部の前記情報処理手段は、音声を出力する発音手段であり、前記磁束発生手段は、前記発音手段に内蔵されたマグネットとしてもよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
［第１の例］
本発明の第１の実施の形態を、図１〜図７に基づいて説明する。
（装置構成）
図１は、本発明にかかる折畳み式携帯情報端末装置としての折畳み式携帯電話機を、本体の開いた状態として示す。図２は、折畳み式携帯電話機を、本体の閉じた状態として示す。
【００１９】
折畳み式携帯電話機は、第１の本体１と第２の本体２とから構成され、第１の本体１および第２の本体２は、結合部３を介して開閉可能に結合されている。これら第１の本体１および第２の本体２には、以下に述べるような各種の情報処理手段を備えている。
【００２０】
第１の本体１は、情報処理手段として、各種情報を可視表示する液晶表示器４と、アンテナ５と、ボタンスイッチ６と、音声を出力する発音手段としての受話器１３とを有している。受話器１３は、磁束発生手段としてのマグネット１３ａを内蔵している。なお、発音手段から出力される音声には、受話時の音声又は着信音、ゲーム時の音楽等を含む。
【００２１】
第２の本体２は、文字・数字入力スイッチを含む機能ボタンスイッチ７を有し、本体内部には、着信音を出力するスピーカー１４が設けられている。
【００２２】
この第２の本体２において、磁束発生手段であるマグネット１３ａからの磁束を検出可能な所定の領域には、折畳み式携帯電話機の開閉検出手段として用いられる、磁束密度を検出する磁気センサ１１が配置されている。ここでいう所定の領域とは、磁束発生手段を内蔵した情報処理手段（例えば、発音手段としての受話器１３）に対向する位置、又は、該対向する位置から離れた周辺領域のことをいうものとする。
【００２３】
本例では、磁気センサ１１は、第１の本体１の受話器１３にほぼ対向する第２の本体２の場所に配置されているものとする。また、磁気センサ１１を受話器１３と対向する場所ではなく、スピーカー１４と対向する場所に配置しても、同様の機能を有する開閉検知手段を構成することができる。
【００２４】
この構成により、図１に示した折畳み式携帯電話機が開いた状態では、磁気センサ１１が受話器１３に内蔵されたマグネット１３ａの磁束密度を検知せず、図２に示した折畳み式携帯電話機を閉じた状態では、磁気センサ１１が受話器１３に内蔵されたマグネット１３ａの磁束密度を検知して、折畳み式電話機の開閉を知ることができる。
【００２５】
本例によれば、従来、開閉検知のためだけに別個に設けていたマグネットを備える必要がなく、磁気センサ１１を備えるだけで、折畳み式電話機の開閉検知を行うことができる。
【００２６】
（磁気センサの回路構成）
図３は、折畳み式携帯電話機に使用する磁気センサ１１の回路構成を示す。
磁気センサ１１は、本例では、ホールＩＣを用いるものとする。ホールＩＣは、回路に一定電圧を供給するレギュレータ３０と、ホール素子３１と、チョッパー回路３２と、信号処理回路３３と、信号処理されたホール素子３１からの検出信号を増幅する増幅器３４と、増幅された検出信号をヒステリシスを有した出力信号に変換するように識別するシュミットトリガ回路３５と、シュミットトリガ回路３５の識別結果を出力する出力トランジスタ３６ａ，３６ｂ（ＣＭＯＳトランジスタ）とから構成されている。
【００２７】
この構成により、レギュレータ３０から電流が供給されていたホール素子３１は、このホール素子３１を通過する感磁面に対して垂直な磁場を検出し、磁束密度によって出力値が変化する。そして、ホール素子３１から出力された検出信号は、チョッパー回路３２によって信号の切替え制御が行われて、信号処理回路３３によってオフセット等の不要な成分を除去する信号処理が行われた後、増幅器３４によって増幅され、シュミットトリガ回路３５において、ヒステリシスを有した特性によりＯＮ／ＯＦＦが識別される。シュミットトリガ回路３５の識別結果は、出力トランジスタ３６から開閉検知用の出力信号Ｖｏとして出力される。
【００２８】
図３のホールＩＣの回路において、ホール素子３１と増幅器３４の間に接続されたチョッパー回路３２を用いて、ホール素子３１の入力端子と出力端子とをある一定周期毎に切り替え制御を行う。そして、信号処理回路３３を用いて、そのホール素子３１の出力電圧を平均化する。
【００２９】
具体的には、今、時刻ｔ１において、ホール素子３１は、入力端子ａ，ｃ、出力端子ｂ，ｄの接続状態にあるとすると、ホール素子３１の出力電圧Ｖｏは、ホール電圧Ｖｈの他に正のオフセット電圧＋Ｖｆを含むため、Ｖｏ＝Ｖｈ＋Ｖｆとなる。次に、一周期後の時刻ｔ２において、入力端子ｂ，ｄ、出力端子ａ，ｃの接続状態にあるとすると、ホール電圧Ｖｈの他に負のオフセット電圧−Ｖｆを含むため、ホール素子３１の出力電圧Ｖｏは、Ｖｏ＝Ｖｈ−Ｖｆとなる。そして、これら出力電圧Ｖｏを平均化して、Ｖｏ＝{（Ｖｈ＋Ｖｆ）＋（Ｖｈ−Ｖｆ）}／２＝Ｖｈが求まる。
【００３０】
これにより、従来、ホールＩＣの特性バラツキの主原因であったホール素子３１の出力オフセットである不平衡電圧の影響を無視できるようになるので、特性バラツキの非常に小さいホールＩＣを作製することができ、検出精度すなわちセンサ感度を図４に示すような従来の回路よりも格段に向上させることができる。
【００３１】
本発明では、磁気センサ１１は、図５に示すように、磁束密度Ｂが±１．５ｍＴの範囲内でのハイレベル／ローレベルの増減変化に対応して、出力電圧Ｖａがデジタル的な遷移を行うヒステリシス特性を有する。
【００３２】
（磁気センサの比較）
ここで、図３に示す本発明の磁気センサ１１の特徴を、図４に示す従来の磁気センサ１１ａに対して比較して説明する。
【００３３】
図３の回路に用いるホール素子３１の膜材料としては、高感度なインジウム・アンチモン膜や、温度特性の良好なガリウム・砒素膜が適している。
【００３４】
しかし、図４に示したような従来のホールＩＣに用いられるホール素子３１の膜材料は、シリコン膜であることがほとんどである。ホール素子３１の感度は、上記膜材料の持つ移動度μ（＝ｖ／Ｅ、ｖ：キャリアの移動速度、Ｅ：電界）によって決定されるが、シリコンがμ＝０．１５〔ｍ２／Ｖｓ〕であるのに対し、化合物半導体としてのインジウム・アンチモン（ＩｎＳｂ）の持つ移動度は、μ＝８．２０であり、ガリウム・砒素（ＧａＡｓ）の持つ移動度は、μ＝０．９７である。
【００３５】
シリコンのように低感度な膜材料からなるホール素子３１を用いて図３に示すような従来のホールＩＣを構成する場合、もともとのホール素子３１のＳ／Ｎが小さいうえ、増幅器３４のゲインを大きくする必要があるため、特性バラツキは、図６に示すような値、すなわち、磁束密度Ｂが±６ｍＴの範囲内で変化する程度の値に抑えるのが限界である。
【００３６】
また、Ｓ／Ｎの良好なインジウム・アンチモンの膜材料からなるホール素子を用いて図４に示すような従来のホールＩＣを構成したとしても、図６に示す程度のバラツキしか抑えることができない。
【００３７】
これに対して、Ｓ／Ｎが大きく高感度な化合物半導体からなるホール素子３１を用いて図３に示す本発明のような回路構成とした場合、図５に示す値、すなわち、磁束密度Ｂが±１．５ｍＴの範囲内で変化する程度の特性バラツキが非常に小さな値に抑えることが可能となり、高感度なホールＩＣを作製することができる。
【００３８】
次に、図４の従来の磁気センサ１１ａは、全ての回路素子をパイポーラＩＣとして一体に作り込んだものである。
【００３９】
これに対して、図３の本発明の磁気センサ１１は、化合物半導体（ＩｎＳｂ、ＧａＡｓ）からなるホール素子３１以外の全ての回路素子をＣＭＯＳＩＣとして作り込んだものである。
【００４０】
従って、バイポーラＩＣとせずＣＭＯＳＩＣとして構成していることから、低消費電力化を図ることができ、また、ホール素子３１の出力信号に対して、高速な信号処理を行うことができる。このような高速処理を可能とし、さらにホール素子３１のＳ／Ｎが大きいので、ホール素子３１のもつ不平衡電圧を無視することもできる。
【００４１】
そして、本発明のホールＩＣに備えられた図３のチョッパー回路３２の端子切替え機能、信号処理回路回路３３の信号判別処理の機能は、図４の従来のパイポーラＩＣには存在しない新たな制御機能である。
【００４２】
従って、ホール素子３１による検出信号から、±１．５ｍＴの範囲内での磁束密度の変化を高感度に検出することができ、出力オフセット等の不平衡電圧の影響を除去した高精度な出力信号を得ることができる。
【００４３】
（磁気センサの適用例）
図７は、市販の携帯電話機に用いられるスピーカがもつ周囲磁束密度分布の実測値を示す。
【００４４】
発音手段としてのスピーカに内蔵される磁石は、円柱状磁石であるので、周方向（ｒ方向）はどの方向に向かっても対称な分布を示し、スピーカに対向する場所から離れる（ｚ方向）ほど磁束密度Ｂｚは小さくなる。
【００４５】
もし、スピーカに対向する場所から磁気センサ１１を配置する場所までの距離が、ｚ＝６．８ｍｍよりも近い範囲内に配置できれば、磁束密度Ｂｚが±６ｍＴ以内で反応するセンサでよいが、実際はそれ以上離れた場所（ｚ＝７．８ｍｍ，８．８ｍｍ，９．８ｍｍ）にしか配置できないようなこともあり、このような場合には高感度の磁気センサが必要になっている。
【００４６】
その一方で、ｚ方向の磁束密度Ｂｚを検知するホールＩＣは、磁束密度の大きい発音手段等の情報処理手段に対向する場所の近くに配置することが望ましい。
【００４７】
そこで、磁束密度が±１．５ｍＴの範囲内で変化するのを検出可能な、高感度な磁気センサ１１を作製したことによって、スピーカに対向する場所からｚ＝６．８ｍｍ以上離れた場所においても配置することが可能となり、これにより、携帯電話機等の回路設計やスペース面における制約も解消することができ、コンパクトな構成とすることができる。
【００４８】
上述したように、発音手段に内蔵された磁束発生手段（マグネット等）は、従来開閉検知用として別個に用いていたものとは異なり、表面磁束密度等の特性値のばらつきが大きいため、磁気センサ１１を±１．５ｍＴ以内の磁束密度で出力変化する高感度センサにすることによって、発音手段に予め内蔵されている磁束発生手段の特性値のばらつきを無視することができ、確実に開閉検知を行うことができるようになる。
【００４９】
以上の説明により、マグネット１３ａを内蔵する受話器１３又はスピーカー１４と、±１．５ｍＴ以内の磁束密度で出力変化する磁気センサ１１との組み合わせによって開閉検知を行うので、部品点数を削減して製造コストを安価にし、小型・軽量化を図った折畳み式携帯電話機を構成できる。
【００５０】
また、スピーカー１４および受話器１３などのマグネットの漏れ磁束や、マグネットの特性ばらつきによる開閉検知の誤動作を防ぐことができる。
【００５１】
なお、磁気センサ１１としては、ホール素子、ホールＩＣ、磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ＩＣ、またはリードスイッチなど、様々な磁気センサが適用可能である。磁気センサは、好ましくは、開閉検知信号がデジタル出力されるものが望ましい。
【００５２】
［第２の例］
本発明の第２の実施の形態を、図８〜図９に基づいて説明する。なお、前述した第１の例と同一部分についてはその説明を省略し、同一符号を付す。
本例は、磁気センサ１１を、前述したホールＩＣの代わりに磁気抵抗効果ＩＣを用いて構成した場合の例である。
【００５３】
この磁気抵抗効果ＩＣも、磁束密度が±１．５ｍＴの範囲内での増減変化に対応して、出力値がデジタル的な遷移を行うヒステリシス特性を有する。
【００５４】
ホールＩＣの場合と同様に、磁気抵抗効果ＩＣについてもシリコンの磁気抵抗効果は非常に小さいので、強磁性体ＭＲ（例えば、ニッケル・鉄）などの磁気抵抗効果素子とＩＣとを組み合わせることによって、特性バラツキの小さい磁気センサを構成することができる。
【００５５】
ただし、磁気抵抗効果素子のオフセットの影響を無視できるような回路構成（図３に示したようなホールＩＣを用いた構成）は現在存在しないので、ホールＩＣの方が磁気抵抗効果ＩＣに比べ、特性バラツキを小さくすることができる可能性がある。
【００５６】
（オフセット配置）
磁気抵抗効果ＩＣは、磁石（磁束発生手段）を内蔵した発音手段（情報処理手段）に対して、オフセット配置することができる。ここでいうオフセット配置とは、磁束発生手段を内蔵した情報処理手段に対向する位置から離れた周辺領域を意味するものである。
【００５７】
図８および図９は、それぞれ、円柱状磁石のｒ方向、ｚ方向に対する磁束密度Ｂｒ，Ｂｚの分布（計算値）を示す。
【００５８】
円柱状磁石のサイズは、５ｍｍφで厚さが１．５ｍｍである。図９のｚ方向の磁束密度Ｂｚは円柱状磁石中心に対向する場所が一番大きくなるのに対して、図８のｒ方向の磁束密度Ｂｒは磁石中心よりオフセットした場所（この例では、ｒ方向に４〜５ｍｍだけ中心からずれた場所）で最大値をとることがわかる。
【００５９】
この磁気抵抗効果ＩＣに関しては、ｒ方向の磁束密度Ｂｒを検知するので、オフセットした場所に当たる上記最大値をとる場所に、磁気センサ１１を配置することが望ましい。
【００６０】
以上のようにオフセット配置することにより、以下の利点を得る。
【００６１】
一般に、折畳み式携帯電話器の受話器に内包されるマグネットと磁気センサとしてホールセンサを用いて開閉検知を行う場合、受話器と対向する場所で検出磁束密度が最大になるので、受話器に対向する場所に磁気センサを配置することが望ましいが、通常、受話器に対向する場所には送話器が配置されているので、磁気センサを配置することは難しい。
【００６２】
しかしながら、磁気センサ１１として感磁面に対して平行な磁場を検出する磁気抵抗効果センサを用いる場合は、受話器に対向する場所ではなく、オフセットした場所で検出される磁束密度が最大となり、さらに、本発明の特徴である±１．５ｍＴという高感度な検出機能を合わせもつことによって、その対向する場所からより遠く離れた場所においても広範囲に渡って検出可能となるため、送話器の配置を変更することなく、開閉検出手段を構成することができる。その結果、”回路基板の部品配置を余儀なく変更しなければならない”といった不具合もなく、設計段階の制約を解消することができる。
【００６３】
なお、携帯情報端末装置としては、ノート型パーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）、電子手帳、ゲーム機、又は携帯電話機など様々な装置を用いることができる。
【００６４】
また、発音装置としては、マグネットを内蔵していればよく、例えば、コイルに電流を流して音を発生するスピーカーを用いることができる。携帯電話機においては、着信音を発生させたり、音楽を出力するスピーカーや、受話時に音声を出力する受話器を使用することができる。
【００６５】
さらに、発音装置以外にも携帯電話機で使用される部品としては、アイソレータ（ｉｓｏｌａｔｏｒ）などマグネット等の磁束発生手段を内蔵する情報処理手段の部品が他にもあるので、それら部品を開閉検知に用いてもよい。
【００６６】
上述した例では、第２の本体２側に磁気センサ１３を配置したが、これとは逆の構成で第１の本体１側に配置してもよく、さらに、対向する本体が２つ以上ある場合にも、同様に構成することができる。
【００６７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、開閉可能な対向する本体間において、その一方の本体に配設された磁束発生手段（マグネット等）を内蔵する情報処理手段と、他方の本体に配設された±１．５ｍＴの範囲内での磁束密度の変化を高感度に検出可能な磁気センサとを組み合わせて構成し、チョッパー回路や信号処理回路を用いた信号制御処理によって本体間の開閉有無を高感度に検出するようにしたので、マグネットの漏れ磁束や、マグネットの特性ばらつきによる開閉有無の検知の誤動作を防いで、検出精度を一段と向上させることができる。
【００６８】
また、本発明によれば、磁束発生手段を別個に設けず、既存のスピーカや受話器等の情報処理手段に内蔵された磁束発生手段を使用したので、部品点数を削減して製造コストを安価にすることができる。
【００６９】
さらに、本発明によれば、磁束発生手段を内蔵した情報処理手段に対向した位置のみなず、その対向した位置から離れた周辺領域にも磁気センサを配置できるので、部品配置等の設計変更に裕度をもたせることができ、小型化・軽量化を図った折畳み式携帯情報端末装置を作製することができる。
【００７０】
さらにまた、磁気センサ材料として化合物半導体を使用し、ＣＭＯＳＩＣ回路を構成しているので、非常に高感度で、特性バラツキが小さいのみならず、消費電力の小さい携帯情報端末装置に適した磁気センサを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態である、折畳み式携帯電話機の開状態の外観を示す斜視図である。
【図２】折畳み式携帯電話機の閉状態の外観を示す斜視図である。
【図３】折畳み式携帯電話機に使用する磁気センサを示す回路図である。
【図４】比較例として示す従来の折畳み式携帯電話機に使用する磁気センサを示す回路図である。
【図５】ホールＩＣの出力特性（磁束密度−出力電圧）を示す特性図である。
【図６】従来のホールＩＣの出力特性（磁束密度−出力電圧）を示す特性図である。
【図７】ホールＩＣのｒ方向に対するｚ方向磁束密度Ｂｚの分布を示す特性図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態である、磁気抵抗効果ＩＣのｒ方向に対するｒ方向磁束密度Ｂｒの分布を示す特性図である。
【図９】磁気抵抗効果ＩＣのｒ方向に対するｚ方向磁束密度Ｂｚの分布を示す特性図である。
【図１０】従来の折畳み式携帯電話機における磁気式開閉検知スイッチ機構を示す斜視図である。
【符号の説明】
１ 第１の本体
２ 第２の本体
３ 結合部
４ 液晶表示器
５ アンテナ
６ ボタンスイッチ
７ 機能ボタンスイッチ
１１ 磁気センサ
１１ａ 磁気センサ
１３ 受話器
１３ａ マグネット
１４ スピーカー
３０ レギュレータ
３１ ホール素子
３２ チョッパー回路
３３ 信号処理回路
３４ 増幅器
３５ シュミットトリガ
３６ａ，３６ｂ ＣＭＯＳトランジスタ
４１ 第１の本体
４２ 第２の本体
４３ 結合部
４４ 液晶表示器
４５ アンテナ
４６ ボタンスイッチ
４７ 機能ボタンスイッチ
５１ 磁気センサ
５２ マグネット
５３ 受話器
５４ スピーカー
Claims (3)
- 開閉可能に結合した対向する少なくとも２つの本体部を備え、各本体部に情報処理機能を有する情報処理手段が設けられた折畳み式携帯情報端末装置であって、
前記一方の本体部に設けられた前記情報処理手段が、磁束を発生する磁束発生手段を内蔵している構成において、
前記他方の本体部内における前記磁束発生手段からの磁束を検出可能な所定の領域に、該磁束発生手段によって発生された磁束密度を検出する磁気センサを具え、ここで、
前記所定の領域は、前記磁束発生手段を内蔵した前記情報処理手段に対向する位置、又は、該対向する位置から離れた周辺領域を含み、
前記磁気センサが、
感磁面に対して垂直方向の磁束を検出する、化合物半導体からなるセンサ部と、
前記センサ部により検出された信号から、オフセット成分を除去して信号成分を出力する信号処理制御部と、
前記信号処理された信号をデジタル的に遷移する信号として出力する、トランジスタを含む出力部とを具え、
前記信号処理制御部と前記出力部は、ＣＭＯＳのＩＣにより一体に構成され、
前記信号処理制御部は、前記信号成分を±１．５ｍＴの範囲内での磁束密度の変化に対応して出力変化し、磁束密度が±１．５ｍＴの範囲内での増減変化に対応して、出力値がデジタル的な遷移を行うヒステリシス特性を有することを特徴とする折畳み式携帯情報端末装置。 - 前記一方の本体部の前記情報処理手段は、音声を出力する発音手段であり、
前記磁束発生手段は、前記発音手段に内蔵されたマグネットであることを特徴とする請求項１に記載の折畳み式携帯情報端末装置。 - 前記磁気センサは、ホールセンサであり、
該ホールセンサは、磁束を検出可能な領域であって前記情報処理手段に対向する位置に配設されたことを特徴とする請求項１または２に記載の折畳み式携帯情報端末装置。
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