JP4234748B2 - 電子放出素子の製造方法、電子管の製造方法 - Google Patents
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Description
まず図5(a)のように、ガラスの基板11にカソード導体12を形成し、そのカソード導体12に繊維状カーボンとカーボン不純物の混合物からなるペーストを塗布してカーボン層13を形成してカソード基板1を作製する。そのカーボン層13に粘着テープ(図示せず)を貼り付け、その後粘着テープを剥してカーボン層13の表面のカーボン不純物の一部を剥ぎ取り、表面を荒らして(破壊して)、図5(b)のように繊維状カーボン141,142を露出させる方法が提案されている(例えば特許文献1参照)。またカーボン層13にホットメルト樹脂をコーテイングし、加熱して張り合わせ、その後剥して繊維状カーボン141,142を露出させる方法(例えば特許文献2参照)、カーボン層13をプラズマエッチングして繊維状カーボン141,142を露出させる方法(例えば特許文献3参照)が提案されている。
均一化方法としては、図5(b)のカソード基板1と図示しないアノード基板(アノード導体を形成してある)を対向配置し、カソード導体12とアノード導体に、蛍光表示管等の通常の駆動電圧よりも高い電圧を印加して電子放出を行い、その放出電子のジュール熱によって長い繊維状カーボン141の先端を焼き切る方法(例えば特許文献4参照)、前記配置において、O2,H2,CO2,H2O等の反応ガスを導入して、長い繊維状カーボン141の先端をエッチングして除去する方法(例えば特許文献5参照)が提案されている。
本願発明は、従来の活性化方法と均一化方法の前記問題点に鑑み、従来の活性化方法よりも電子放出素子のエミッションサイト数を増加できる活性化方法を提供すること、及び活性化方法と均一化方法を同一の工程で実施できる処理方法を提供することを目的とする。
請求項2に記載の電子放出素子の製造方法は、請求項1に記載の電子放出素子の製造方法において、前記アノード基板は、ガラスの基板にアノード導体を形成しアノード導体に蛍光体を被着してあることを特徴とする。
請求項3に記載の電子放出素子の製造方法は、請求項1に記載の電子放出素子の製造方法により製造したカソード基板とアノード基板を減圧雰囲気中に対向させて配置し、カソード基板のカソード導体とアノード基板のアノード導体に順バイアス電圧を印加して繊維状カーボンを均一化することを特徴とする。
請求項4に記載の電子放出素子の製造方法は、請求項3に記載の電子放出素子の製造方法において、前記アノード基板は、ガラスの基板にアノード導体を形成しアノード導体に蛍光体を被着してあることを特徴とする。
請求項5に記載の電子放出素子の製造方法は、請求項3に記載の電子放出素子の製造方法において、前記減圧雰囲気中に反応ガスを導入して繊維状カーボンを均一化することを特徴とする。
請求項6に記載の電子放出素子の製造方法は、請求項5に記載の電子放出素子の製造方法において、活性化の減圧雰囲気と均一化の減圧雰囲気は同じであることを特徴とする。
請求項7に記載の蛍光表示管の製造方法は、請求項3又は請求項5に記載の電子放出素子の製造方法によって製造した電子放出素子を備えたカソード基板とアノード導体に蛍光体を被着したアノード基板をシール材により封着することを特徴とする。
本願発明の活性化方法に用いるアノード基板は、活性化専用のアノード基板でもよいし、蛍光体を被着したアノード基板でもよい。したがって活性化専用のアノード基板を用いた場合には、蛍光表示管等の最終製品を製造する前に電子放出素子を活性化する専用工程において、電子放出素子を大量に容易に作製することができる。また蛍光体を被着したアノード基板を用いる場合には、蛍光表示管等の最終製品の組立工程(製造工程)において、電子放出素子を活性化することができるから、その場合には、活性化専用の工程を設ける必要がない。
本願発明の活性化方法と均一化方法によって製造した電子放出素子は、エミッションサイト数が増加し、かつ繊維状カーボンの長さが揃っている。したがって本願発明によって作製した電子放出素子を用いて蛍光表示管を作製することにより、発光輝度が高く、むらのない(輝点のない)均一な発光で、高表示品質の蛍光表示管を製造することができる。
まず図1により活性化方法を説明する。
図1(a)のように、カソード基板1は、ガラス(絶縁材)の基板11にカソード導体12を形成し、そのカソード導体12に繊維状カーボンとカーボン不純物の混合物を含むペーストを塗布し、乾燥してカーボン層13を形成してある。ペーストは、例えばエチルセルローズ(バインダ)をテルピオネールに溶解した溶液に、繊維状カーボンとカーボン不純物の混合物を分散したものを用いる。
アノード基板2とカソード基板1を、活性化ガスを導入した減圧雰囲気中(例えば減圧室内)に対向させて配置する。その状態において、カソード導体12に電源E1の正電圧を印加し、アノード導体22に負電圧を印加する。即ちカソード導体12とアノード導体22には、逆バイアス電圧を印加する。両導体に逆バイアス電圧を印加すると、図1(c)のように、カーボン層13の表面が荒れて(破壊して)繊維状カーボン141,142が露出する。
また図1(b)において、アノード基板2は、図1(d)のようにアノード導体22に蛍光体23を被着したものを用いることもできる。その場合、カソード基板1とアノード基板2は、蛍光表示管のカソード基板とアノード基板に相当するから、両基板の周辺部の内面にフリットガラス等のシール材を塗布してそれらを重ね、保持用治具(封着クリップ)により一体的に保持(いわゆる面付け)した状態で、或いはそのシール材を加熱し軟化して両基板を接着(いわゆる封着)した状態で活性化処理を行なうこともできる。即ち蛍光表示管の作製(製造)工程において活性化処理を行なうこともできる。
なおカソード導体12とアノード導体22には、逆バイアス電圧を印加するから、活性化処理の際、繊維状カーボン141,142が電子を放出することはない。また電源E1は、直流電源、パルス電源のいずれでもよい。
図1(b)の活性化方法は、カーボン層13を直接活性化処理しているが、従来の粘着テープを用いる活性化方法等と併用することもできる。即ちまず粘着テープ等を用いて繊維状カーボン141,142を露出し、次に図1(b)の方法によってさらに露出してもよい。
図4(b)は、従来粘着テープを用いて活性化処理をした場合のSEM像を示し、図4(a)は、粘着テープを用いて活性化処理をした後、さらに図1(b)の活性化方法を実施した場合のSEM像を示す。
図4(a)と図4(b)のSEM像を比較すると、図4(a)のカーボン層の表面は、図4(b)のカーボン層の表面よりもよく荒れている(破壊されている)ことが分かる。即ち図1(b)の活性化方法は、カーボン層の活性化に有効であることが分かる。そして従来の粘着テープを用いた活性化方法と図1(b)の活性化方法を併用すると、活性化の効果が一層大きくなることが分かる。
本実施例は、10-2Torr程度以上に真空排気した後、活性化ガス(Ar又はN2)を1Pa以上(好ましくは10〜2000Pa(0.1〜20Torr))で導入した減圧雰囲気中において、アノード基板2とカソード基板1の間隔を、100μm以下(好ましくは50μm)に保持し、逆バイアス電圧を100〜170Vに設定して数分間活性化処理を行なった。
図2(a)のように、図1の活性化方法によって作製したカソード基板1(図1(c)と同じ)とアノード基板2を対向させて減圧雰囲気中(例えば減圧室内)に配置し、カソード導体12に電源E2の負電圧を印加し、アノード導体22に正電圧を印加する。即ちカソード導体12とアノード導体22に順バイアス電圧を印加する。電源E2は、直流電源、パルス電源のいずれでもよい。
両導体に順バイアス電圧を印加すると、繊維状カーボン141,142は、電子を放出する。その際、長い繊維状カーボン141の先端は、短い繊維状カーボン142の先端よりもアノード導体22に近いため、電子は、繊維状カーボン141の先端から集中的に放出される。そのため繊維状カーボン141の先端は、ジュール熱により加熱されて焼失し、図2(b)のように、繊維状カーボン142と同程度の長さになる。その結果繊維状カーボン141,142の長さは、均一化され、各繊維状カーボンから放出される電子の量も均一化される。
図2(a)において、カソード基板1とアノード基板2は、平行に配置するのが望ましいが、仮に両基板の平行がずれていても、活性化処理の場合と同様に、カソード基板1、アノード基板2のいずれか一方を一定の時間毎に180度回転すると、その平行のずれによる不均一をキャンセルすることができる。
図3(a1),(a2)は、活性化方法を示し、図3(b1),(b2)は、均一化方法を示す。
まず図3(a1),(a2)について説明する。
図3(a1)において、カソード基板1とアノード基板2は、活性化ガスを導入した減圧雰囲気中に対向させて配置してある。カソード導体12には、スイッチSWを介して電源E1の正電圧を印加し、アノード導体22には、負電圧を印加する。即ち両導体には、逆バイアス電圧を印加する。なお活性化ガスは、実施例1の活性化ガスと同じである。
図3(a1)のように、カソード導体12とアノード導体22に逆バイアス電圧を印加すると、実施例1と同様に、活性化した図3(a2)のカソード基板1を作製することができる。
図3(b1)において、カソード基板1とアノード基板2は、反応ガスを導入した減圧雰囲気中に対向させて配置してある。スイッチSWを図の位置へ切り換え、カソード導体12には、スイッチSWを介して電源E1の負電圧を印加し、アノード導体22には、正電圧を印加する。即ち両導体には、順バイアス電圧を印加する。なお反応ガスは、実施例1の反応ガスと同じであり、図3(a1)の活性化ガスと同じである。
図3(b1)のように、カソード導体12とアノード導体22に順バイアス電圧を印加すると、実施例1と同様に、均一化した図3(b2)のカソード基板1を作製することができる。
11 ガラスの基板
12 カソード導体
13 カーボン層
141,142 繊維状カーボン
2 アノード基板
21 ガラスの基板
22 アノード導体
23 蛍光体
E1,E2 電源
SW スイッチ
Claims (7)
- カソード導体に繊維状カーボンとカーボン不純物を含むペーストを塗布し乾燥したカーボン層を形成してあるカソード基板とアノード基板を、活性化ガスを導入した減圧雰囲気中に対向させて配置し、カソード基板のカソード導体とアノード基板のアノード導体に逆バイアス電圧を印加してカーボン層を活性化することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
- 請求項1に記載の電子放出素子の製造方法において、前記アノード基板は、ガラスの基板にアノード導体を形成しアノード導体に蛍光体を被着してあることを特徴とする電子放出素子の製造方法。
- 請求項1に記載の電子放出素子の製造方法により製造したカソード基板とアノード基板を減圧雰囲気中に対向させて配置し、カソード基板のカソード導体とアノード基板のアノード導体に順バイアス電圧を印加して繊維状カーボンを均一化することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
- 請求項3に記載の電子放出素子の製造方法において、前記アノード基板は、ガラスの基板にアノード導体を形成しアノード導体に蛍光体を被着してあることを特徴とする電子放出素子の製造方法。
- 請求項3に記載の電子放出素子の製造方法において、前記減圧雰囲気中に反応ガスを導入して繊維状カーボンを均一化することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
- 請求項5に記載の電子放出素子の製造方法において、活性化の減圧雰囲気と均一化の減圧雰囲気は同じであることを特徴とする電子放出素子の製造方法。
- 請求項3又は請求項5に記載の電子放出素子の製造方法によって製造した電子放出素子を備えたカソード基板とアノード導体に蛍光体を被着したアノード基板をシール材により封着することを特徴とする蛍光表示管の製造方法。
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