JP4228806B2 - 薄板搬送方法および半導体チップの実装方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄板搬送方法および半導体チップの実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体チップを搬送する方法として、吸引によりダイコレット（保持部材）の端面に半導体チップを吸着させた状態で、その半導体チップを搬送する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
近年、電子機器の小型化に伴って、半導体チップが薄型になる傾向にあり、かかる薄型の半導体チップの搬送に、特許文献１に記載の方法を用いると、半導体チップの変形や破損等の不都合が生じるという問題がある。
【０００３】
【特許文献１】
特開２０００−７７４３８号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、薄板の変形や破損等を防止しつつ、搬送元から搬送先へ確実に搬送し得る薄板搬送方法、半導体チップを配線基板に搬送して、実装する半導体チップの実装方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の薄板搬送方法は、保持部材の保持面に、液体を介して薄板を保持させた状態で、前記薄板を搬送元から搬送先に搬送する薄板搬送方法であって、
前記保持面に液体を供給して、液滴を形成する第１の工程と、
前記搬送元に設置された前記薄板に、前記液滴を接触させるように前記保持部材を接近させて、前記保持面と前記薄板との間隙に前記液体を展開し、該液体の表面張力により前記保持面に前記薄板を保持させる第２の工程と、
前記保持面に前記薄板を保持させた状態で、前記薄板を前記搬送先に搬送する第３の工程と、
前記搬送先において、前記保持面から前記薄板を離脱させる第４の工程とを有することを特徴とする。
これにより、薄板の変形や破損等を防止しつつ、搬送元から搬送先へ確実に搬送することができる。
【０００６】
本発明の薄板搬送方法では、前記第１の工程において、前記液滴は、貯留容器に貯留された前記液体に前記保持面を接触させることにより形成されることが好ましい。
これにより、保持部材の保持面に液体を確実に供給することができる。
本発明の薄板搬送方法では、前記第１の工程において、前記液滴は、前記液体を液滴として前記保持面に吐出して付着させることにより形成されることが好ましい。
これにより、保持部材の保持面の目的とする位置に液滴を精度よく形成することができる。
【０００７】
本発明の薄板搬送方法では、前記保持部材には、前記保持面に開口する流路が形成されており、
前記第１の工程において、前記液滴は、前記液体を前記流路を介して前記保持面に供給することにより形成されることが好ましい。
これにより、保持部材の保持面に液体を確実に供給することができる。
【０００８】
本発明の薄板搬送方法では、前記第４の工程において、前記間隙に存在する前記液体の少なくとも一部を除去することにより、前記薄板を前記保持面から離脱させることが好ましい。
これにより、液体の表面張力を減少させ、薄板を保持部材の保持面から離脱させることができる。
【０００９】
本発明の薄板搬送方法では、前記第４の工程において、前記間隙に存在する前記液体の少なくとも一部を前記流路へ吸引することにより、前記薄板を前記保持面から離脱させることが好ましい。
これにより、液体の除去を確実に行うことができる。
本発明の薄板搬送方法では、前記第４の工程において、前記間隙に存在する前記液体の少なくとも一部を蒸発させることにより、前記薄板を前記保持面から離脱させることが好ましい。
これにより、大掛かりな設備を必要とせず、比較的容易に液体の除去を行うことができる。
【００１０】
本発明の薄板搬送方法では、前記液体の蒸発は、加熱および／または送風により行われることが好ましい。
これにより、設備の小型化を図ることができる。
本発明の薄板搬送方法では、前記搬送先には、基材上に第２の液体が供給されており、
前記第４の工程において、前記薄板の前記液体と反対側の面を前記第２の液体に接触させ、前記液体の表面張力と前記第２の液体の表面張力との差により、前記薄板を前記保持面から離脱させることが好ましい。
これにより、薄板を保持部材の保持面から、比較的容易に離脱させることができる。
【００１１】
本発明の薄板搬送方法では、前記第４の工程において、前記薄板を前記第２の液体が前記薄板のほぼ中央に位置するように前記第２の液体に接触させることが好ましい。
これにより、第２の液体は、基材と薄板との間隙により均一に展開するようになる。
【００１２】
本発明の薄板搬送方法では、前記第１の工程において、前記液滴を前記保持面のほぼ中央に形成することが好ましい。
これにより、液滴は、保持面と薄板との間隙により均一に展開するようになる。
本発明の薄板搬送方法では、前記第１の工程において形成された前記液滴の曲率半径は、０．８〜２０ｍｍであることが好ましい。
これにより、保持部材に薄板を保持させる際、保持部材の保持面と薄板とを離間させる距離の設定がより容易となり、保持部材の保持面が薄板に直接、接触することをより確実に防止することができる。
【００１３】
本発明の薄板搬送方法では、前記第１の工程において、前記液滴を前記保持面の複数の個所に形成することが好ましい。
これにより、大型（大面積）の薄板を搬送する搬送方法に適用することが可能となる。
本発明の薄板搬送方法では、前記保持面は、その少なくとも前記液滴が形成される部分に撥水性を有していることが好ましい。
これにより、液滴の形状を調整することが容易となる。
【００１４】
本発明の薄板搬送方法では、前記保持部材は、前記薄板を保持した状態で、前記薄板の前記保持部材に対する位置決めを行う位置決め手段を有することが好ましい。
これにより、薄板のより確実な搬送が可能となる。
本発明の薄板搬送方法では、前記位置決め手段は、前記保持面の外周部に設けられていることが好ましい。
これにより、薄板を保持面の所定の位置により確実に保持することができる。
【００１５】
本発明の薄板搬送方法では、前記薄板は、その曲げ応力が前記液体の表面張力より小さいものであることが好ましい。
これにより、搬送先において、第２の液体を介して薄板を基材に設置する場合には、第２の液体中に気泡が生じるのを防止または抑制することができる。
本発明の薄板搬送方法では、前記薄板は、その厚さが１〜６００μｍのものであることが好ましい。
本発明は、各種の薄板の搬送に適用可能であるが、このように非常に薄い薄板の搬送への適用に適する。
【００１６】
本発明の半導体チップの実装方法は、本発明の薄板搬送方法を用いて半導体チップを配線基板に搬送して、実装することを特徴とする。
これにより、半導体チップを配線基板に、容易かつ確実に実装することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の薄板搬送方法および半導体チップの実装方法を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
なお、以下では、本発明の薄板搬送方法を半導体チップ（ＩＣチップ）を配線基板に搬送して実装する半導体チップの実装方法に適用した場合を代表に説明する。
【００１８】
＜第１実施形態＞
図１および図２は、それぞれ、本発明の薄板搬送方法を半導体チップの実装方法に適用した場合の第１実施形態を示す図、図３は、図１および図２で示す半導体チップの実装方法で用いる保持部材の他の構成例を示す部分断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図１および図２中（図４〜図９も同様）の上側を「上方」または「上」、下側を「下方」または「下」と言う。
【００１９】
図１および図２に示す半導体チップの実装方法は、保持部材１の保持面２に、液体Ｑを介して半導体チップＰを保持させた状態で、半導体チップＰを搬送元から搬送先に搬送する搬送方法である。
ここで、保持部材１は、図示しない移動機構の作動により、３次元的に移動可能となっている。なお、保持部材１は、移動機構の作動により移動するが、以下では、単に「保持部材１が移動する」と言う。
【００２０】
この半導体チップＰの実装方法は、保持面２に液体Ｑを供給して、液滴Ｑ１を形成する液滴形成工程と、搬送元において、液体Ｑの表面張力により保持面２に半導体チップＰを保持させる半導体チップ保持工程と、この状態で、半導体チップＰを搬送先に搬送する半導体チップ搬送工程と、搬送先において、保持面２から半導体チップＰを離脱させる半導体チップ離脱工程とを有している。
【００２１】
以下、各工程について詳細に説明する。
［Ａ１］ 液滴形成工程（第１の工程）
まず、図１（ａ）に示すように、保持部材１を液体Ｑが貯留された貯留容器３０上に移動する。その後、保持部材１を貯留容器３０に向かって下降させる（下方に移動する）ことにより、保持面２を貯留容器３０内の液体Ｑに接触させる。これにより、保持面２に液体Ｑが供給される。
【００２２】
次いで、図１（ｂ）に示すように、保持部材１を上昇させる（上方に移動する）と、液体Ｑの表面張力により、保持面２に液体Ｑからなる液滴Ｑ１が形成される。
この液滴Ｑ１は、保持面２のほぼ中央に形成するのが好ましい。これにより、液滴Ｑ１は、半導体チップＰの上面Ｐ１に接触した際、保持面２と半導体チップＰの上面Ｐ１との間隙２１により均一に展開するようになる。その結果、保持部材１に半導体チップＰをより安定して保持させることができる。
【００２３】
また、液滴Ｑ１の曲率半径は、０．８〜２０ｍｍであるのが好ましく、１．８〜１６ｍｍであるのがより好ましい。これにより、保持部材１に半導体チップＰを保持させる際、保持部材１の保持面２と半導体チップＰの上面Ｐ１とを離間させる距離の設定がより容易となり、保持部材１の保持面２が半導体チップＰの上面Ｐ１に直接、接触することをより確実に防止することができる。その結果、保持部材１に半導体チップＰをより確実に保持させることができる。
また、液滴Ｑ１の体積（量）は、半導体チップＰの大きさに応じて適宜設定され、特に限定されないが、０．２〜２８０ｍｍ^３であるのが好ましい。例えば、５ｍｍ×５ｍｍの半導体チップＰの場合には、３〜２０ｍｍ^３程度とされる。前記範囲の量の液滴Ｑ１で、十分に半導体チップＰの保持が可能である。
【００２４】
液体Ｑには、例えば、水（例えば蒸留水、純水、超純水、イオン交換水、ＲＯ水等）、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、アリルアルコール、フルフリルアルコール、エチレングリコールモノアセタートのような単価アルコール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、分子量２０００以下のポリエチレングリコール、１，３−プロピレングリコール、イソプロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、グリセリン、チオジグリコールのような多価アルコール、またはこれらを含む混合液を用いることができる。これらのものは、半導体チップＰを保持部材１に保持させるのに十分な表面張力を有するとともに、後述するように、これらの除去方法に蒸発による方法を用いる場合には、比較的容易に蒸発させ、除去することができるという利点がある。
【００２５】
また、液体Ｑ中には、必要に応じて、例えば、カチオン系、アニオン系、ノニオン系の各種界面活性剤、ロジン、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の各種添加剤を添加するようにしてもよい。
液体Ｑの表面張力は、添加する添加剤の種類や、液体Ｑの種類（粘度）、液滴Ｑ１の体積（量）、保持面２の材質、半導体チップＰの材質、液体Ｑと各部材との接触面積等のうちの、任意の１または２以上を適宜設定することにより調整することができる。
【００２６】
液体Ｑの粘度は、常温で、１〜５０ｃｐｓであるのが好ましく、１．５〜３０ｃｐｓであるのがより好ましい。このような粘度の液体Ｑを用いることにより、液体Ｑの表面張力の調整が容易となり、液滴Ｑ１の形成や、半導体チップＰの保持面２への保持をより確実に行うことができる。
また、保持面２は、少なくとも液滴Ｑ１が形成される部分が撥水性を有しているのが好ましい。これにより、液滴Ｑ１の形状（例えば曲率半径等）を調整することが容易となる。
【００２７】
保持面２に撥水性を付与する方法、すなわち撥水化処理（疎水化処理）としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体のようなフッ素系樹脂等の撥水性材料（疎水性材料）で構成された被膜の形成、シリコーン系樹脂で構成された被覆の形成等の方法が挙げられる。また、他の方法としては、例えば、保持部材１の少なくとも表面付近を撥水性材料で形成する方法、保持面２に微細凹凸を形成する方法、または保持面２に形成した微細凹凸上に撥水性樹脂で構成された被覆を形成する方法等を用いてもよい。
【００２８】
［Ａ２］ 半導体チップ保持工程（第２の工程）
次に、図１（ｃ）に示すように、液滴Ｑ１が形成された保持部材１を搬送元に設置された半導体チップＰ上に移動した後、液滴Ｑ１が半導体チップＰの上面Ｐ１に接触するように下降させる（半導体チップＰに接近させる）。
液滴Ｑ１は、半導体チップＰの上面Ｐ１に接触すると、図１（ｄ）に示すように、保持面２と上面Ｐ１と間に形成された間隙２１に展開する。これにより、半導体チップＰは、液体Ｑの表面張力により保持面２に引き寄せられ、この液体Ｑを介して保持面２（保持部材１）に保持される。
なお、本工程［Ａ２］において、半導体チップＰは、液体Ｑの表面張力により保持面２に保持されるため、半導体チップＰを保持面２に保持するに際し、保持部材１を半導体チップＰに押し当てることを必要としないので、保持部材１の押圧による半導体チップＰの変形や破損等を防止することができる。
【００２９】
［Ａ３］ 半導体チップ搬送工程（第３の工程）
次に、前記工程［Ａ２］の状態で、図２（ｅ）に示すように、保持部材１を上昇させた後、保持部材１を半導体チップＰの搬送元から搬送先に移動する。これにより、半導体チップＰが搬送元から搬送先に搬送される。
ここで、半導体チップＰを保持面２に保持するのに、従来の吸引による方法を適用した場合、半導体チップＰの搬送時において、半導体チップＰには、常に強い応力が作用し、これが半導体チップＰの変形や破損等の原因となる。これに対し、本発明では、半導体チップＰは、保持面２に液体Ｑの表面張力により保持されるため、強い応力が作用することが防止され、その結果、半導体チップＰに生じる前記不都合を好適に防止することができる。
【００３０】
次いで、搬送先において、保持部材１を半導体チップＰが実装される配線基板（基材）２０の上方へ移動した後、保持部材１を配線基板２０に向かって下降させる。これにより、半導体チップＰを配線基板２０に向かって接近させる。
そして、図２（ｆ）に示すように、半導体チップＰの端子Ｐ３と、これに接合すべき配線基板２０の端子２０２とを接触させる。
【００３１】
この状態から、さらに保持部材１を配線基板２０に向かって下降（接近）させる。これにより、半導体チップＰは、液体Ｑを介して配線基板２０に向かって押圧され、接合すべき端子Ｐ３、２０２同士をより確実に接触させることができる。
なお、このとき、保持部材１による半導体チップＰの押圧は、液体Ｑを介して行われるため、液体Ｑが緩衝材として機能して、半導体チップＰの変形や破損等を確実に防止することができる。
【００３２】
［Ａ４］ 半導体チップ離脱工程（第４の工程）
次に、この状態で、半導体チップＰを保持面２から離脱させる。これは、図２（ｇ）に示すように、間隙２１に存在する液体Ｑを蒸発させる（除去する）ことにより行われる。
液体Ｑを蒸発させる方法（除去方法）としては、例えば、加熱による方法、送風による方法、またはこれらを組み合わせた手法等が好適である。かかる手法によれば、大掛かりな設備を必要とせず、比較的容易に液体Ｑの蒸発（除去）を行うことができる。
【００３３】
また、液体Ｑは、半導体チップＰが保持面２から離脱する程度に除去されればよく、具体的には、その除去量は、半導体チップＰの重量（自重）が液体Ｑの表面張力を上回る程度であればよい。
次いで、半導体チップＰの端子Ｐ３および配線基板２０の端子２０２の一方または双方を、例えば加熱により溶融した後、硬化（固化）して、対応する端子Ｐ３、２０２同士を接合する。
【００３４】
以上のような工程を経て、配線基板２０に半導体チップＰが実装され、図２（ｈ）に示すような半導体実装基板１００が得られる。
なお、この状態では、半導体チップＰと配線基板２０との間には、間隙２０３が形成されるが、この間隙２０３には、アンダーフィル材を供給して、封止するようにしてもよい。
このアンダーフィル材としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、ケトン樹脂等の熱硬化性樹脂の前駆体（未硬化または半硬化の熱硬化性樹脂）を主材料とするものが好適に使用される。
【００３５】
また、アンダーフィル材は、必要に応じて、例えば、加熱、紫外線や電子線等の照射、超音波の付与等により硬化させるようにしてもよい。
このような実装方法に用いられる半導体チップＰは、その厚さが１〜６００μｍのものであることが好ましく、１〜４５０μｍのものであることがより好ましい。このように非常に薄い半導体チップＰの搬送方法に、従来の吸引により方法を適用した場合、この吸引により、半導体チップＰに変形や破損等が容易に生じる。これに対し、本発明によれば、半導体チップＰに吸引により生じるような強い応力が作用することなく、その変形や破損等が好適に防止される。換言すれば、本発明は、このような非常に薄い半導体チップＰ（薄板）の搬送への適用に適する。
ここで、半導体チップの搬送方法（本発明の薄板搬送方法）に用いられる保持部材の他の構成例について、図３を参照しつつ説明する。
なお、図３（ａ）は、保持部材の下面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ線断面図、図３（ｃ）は、図３（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【００３６】
以下、図３に示す保持部材１Ａについて説明するが、前述した保持部材１の相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
図３に示すように、保持部材１Ａは、半導体チップＰを保持させた状態で、保持部材１Ａに対する半導体チップＰの位置決めを行う位置決め手段３を有している。この位置決め手段３は、保持面２の外周縁部に沿って形成された凸部３１で構成されている。
【００３７】
半導体チップＰを保持面２に保持させた状態で、半導体チップＰは、凸部３１の内側の空間に収納され、これにより、保持面２に対して位置決めされる。
また、凸部３１は、その幅が先端に向かって漸減している。図示の構成では、凸部３１の外面は、保持面２に対してほぼ垂直をなし、凸部３１の内面が、その対向する面同士が先端に向かって離間するように傾斜している。
【００３８】
このような構成により、前記工程［Ａ２］（図１（ｃ）参照）において、保持部材１Ａと半導体チップＰとの位置ズレが若干ある場合でも、この凸部３１によって、半導体チップＰが保持面２に向かって案内され、適正な位置に正確に保持される。
また、このような構成により、前記工程［Ａ４］（図２（ｇ）参照）において、保持部材１Ａ（保持面２）からの半導体チップＰの離脱が、凸部３１に沿って行われるため、対応する端子同士に位置ズレが生じるのをより確実に防止することができる。
【００３９】
＜第２実施形態＞
次に、半導体チップの実装方法の第２実施形態について説明する。
図４は、半導体チップの実装方法の第２実施形態（一部工程）を示す図である。
以下、半導体チップの実装方法の第２実施形態について説明するが、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
第２実施形態では、搬送先において、保持面２から半導体チップＰを離脱させる工程（半導体チップ離脱工程）が異なり、それ以外は前記第１実施形態と同様である。
【００４０】
［Ｂ１］ 液滴形成工程（第１の工程）
前記工程［Ａ１］と同様の工程を行う。
［Ｂ２］ 半導体チップ保持工程（第２の工程）
前記工程［Ａ２］と同様の工程を行う。
なお、工程［Ｂ１］および［Ｂ２］については、図示を省略した。
【００４１】
［Ｂ３］ 半導体チップ搬送工程（第３の工程）
本実施形態では、図４（ｅ）に示すように、搬送先にある配線基板２０の上面２０１には、液体Ｑの表面張力より大きい表面張力を有する接合材（第２の液体）Ｒが供給されている。
そして、前記工程［Ａ３］と同様に、半導体チップＰを保持させた保持部材１を配線基板２０に向かって下降させる。この保持部材１の下降により、半導体チップＰの下面（液体Ｑと反対側の面）Ｐ２を接合材Ｒに接触させる。
【００４２】
この状態から、さらに保持部材１を配線基板２０に向かって下降（接近）させる。これにより、半導体チップＰは、液体Ｑを介して配線基板２０に向かって押圧され、接合すべき端子Ｐ３、２０２同士は、接合材Ｒを介して接触する。
この接合材Ｒとしては、例えば、フラックスや、液体Ｑの表面張力より大きい表面張力を有する液状（流動性）の基材に導電性粒子を分散させた導電性ペースト、接着剤等を用いることができる。接合材Ｒとしてフラックスを用いることにより、端子Ｐ３、２０２の表面の酸化皮膜を除去することができ、これらをより確実に導通させることができる。また、接合材Ｒとして導電性ペーストを用いることにより、後述する半導体実装基板１００において形成される間隙２０３の封止工程を省略することができるという利点がある。
【００４３】
また、このとき、半導体チップＰを、その中央に接合材Ｒが位置するように、接合材Ｒに接触させるのが好ましい。これにより、接合材Ｒは、半導体チップＰの下面Ｐ２と配線基板２０の上面２０１との間隙２０３に均一に展開される。このため、次工程［Ｂ４］において、半導体チップＰを保持面２からより確実に離脱させることができるようになる。
【００４４】
［Ｂ４］ 半導体チップ離脱工程（第４の工程）
次に、図４（ｇ）に示すように、保持部材１を上昇させると、液体Ｑと接合材Ｒとの表面張力の差により、半導体チップＰは、接合材Ｒの方へ引っ張られ、半導体チップＰが保持面２から離脱する。
なお、このとき、半導体チップＰを接合材Ｒが半導体チップＰのほぼ中央に位置するように接合材Ｒに接触させるのが好ましい。これにより、接合材Ｒは、半導体チップＰの下面Ｐ２に接触した際、配線基板２０の上面２０１と半導体チップＰの下面Ｐ２との間隙２０３により均一に展開するようになる。その結果、保持部材１から半導体チップＰをより確実に離脱させることができる。
【００４５】
また、この接合材Ｒにより、半導体チップＰの離脱後において、接合すべき端子Ｐ３、２０２同士の位置ズレが防止され、これらのより確実な接合が可能となる。
その後、必要に応じて後処理（例えば、加熱、紫外線や電子線等の照射、超音波の付与等）を施す。例えば、接合材Ｒの基材が熱硬化性樹脂の前駆体等を主成分とするものである場合、接合材Ｒは、熱硬化して、間隙２０３が封止される。
また、本実施形態では、液体Ｑおよび接合材Ｒの表面張力や剪断応力を適宜設定しておくことにより、半導体チップＰの保持面２からの離脱をより容易にすることができる。この表面張力や剪断応力の調整は、前記液体Ｑの表面張力の調整で説明したのと同様にして行うことができる。
以上のような工程を経て、配線基板２０に半導体チップＰが実装され、図４（ｈ）に示すような半導体実装基板１００’が得られる。
このような第２実施形態においても、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。
【００４６】
＜第３実施形態＞
次に、半導体チップの実装方法の第３実施形態について説明する。
図５は、半導体チップの実装方法の第３実施形態（一部工程）を示す図である。
以下、半導体チップの実装方法の第３実施形態について説明するが、前述した第１および第２実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
第３実施形態では、保持面２に液滴Ｑ１を形成する工程（液滴形成工程）が異なり、それ以外は前記第１実施形態と同様である。
【００４７】
［Ｃ１］ 液滴形成工程（第１の工程）
まず、図５（ａ）に示すように、保持部材１（保持面２）を、液体Ｑの液滴を保持面２に吐出して付着させるノズル４付近に移動させる。このとき、ノズル４の先端口部４１は、保持面２の方に向けられている。
次いで、液体Ｑは、液滴として先端口部４１から吐出され、保持面２に付着して、図５（ｂ）に示すように、液滴Ｑ１が保持面２に形成させる。
【００４８】
かかる方法によれば、保持面２の目的とする位置に液滴Ｑ１を精度よく形成することができる。
なお、ノズル４の寸法（ノズル４の開口径）、液体Ｑの１回の吐出量、吐出速度、単位時間あたりの吐出回数等を適宜設定することにより、保持面２に形成する液滴Ｑ１の大きさを調整することができる。
【００４９】
［Ｃ２］ 半導体チップ保持工程（第２の工程）
前記工程［Ａ２］と同様の工程を行う（図５（ｃ）および（ｄ）参照）。
［Ｃ３］ 半導体チップ搬送工程（第３の工程）
前記工程［Ａ３］と同様の工程を行う。
［Ｃ４］ 半導体チップ離脱工程（第４の工程）
前記工程［Ａ４］と同様の工程を行う。
なお、工程［Ｃ３］および［Ｃ４］については、図示を省略した。
以上のような工程を経て、配線基板２０に半導体チップＰが実装され、図２（ｈ）に示すような半導体実装基板１００が得られる。
このような第３実施形態においても、前記第１および第２実施形態と同様の作用・効果が得られる。
【００５０】
＜第４実施形態＞
次に、半導体チップの実装方法の第４実施形態について説明する。
図６および図７は、それぞれ、半導体チップの実装方法の第４実施形態を示す図である。
以下、半導体チップの実装方法の第４実施形態について説明するが、前述した第１〜第３実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００５１】
第４実施形態では、保持面２に液滴Ｑ１を形成する工程（液滴形成工程）および保持面２から半導体チップＰを離脱させる工程（半導体チップ離脱工程）が異なり、それ以外は、前記第１実施形態と同様である。
第４実施形態の保持部材１Ｂには、保持面２に開口する流路１１が形成されており、この流路１１を介して保持面２に対して液体Ｑの供給および吸引（除去）が可能となっている。
【００５２】
［Ｄ１］ 液滴形成工程（第１の工程）
まず、図６（ａ）に示すように、液体Ｑを保持部材１Ｂに形成された流路１１を介して保持面２に供給する。これにより、図６（ｂ）に示すように、保持面２に液滴Ｑ１が形成される。
なお、保持部材１Ｂの流路１１の内径は、形成する液滴Ｑ１の寸法に応じて適宜設定することができる。
また、液滴Ｑ１は、保持部材１Ｂを搬送元に設置された半導体チップＰ上に移動する前に形成するようにしてもよいし、その他、例えば、保持部材１Ｂを下降させつつ形成するようにしてもよく、保持面２を半導体チップＰの上面Ｐ１に所定の距離まで接近させた後に、形成してもよい。
【００５３】
［Ｄ２］ 半導体チップ保持工程（第２の工程）
前記工程［Ａ２］と同様の工程を行う（図６（ｃ）および（ｄ）参照）。
［Ｄ３］ 半導体チップ搬送工程（第３の工程）
前記工程［Ａ３］と同様の工程を行う（図７（ｅ）参照）。
［Ｄ４］ 半導体チップ離脱工程（第４の工程）
次に、図７（ｆ）に示す状態で、半導体チップＰを保持面２から離脱させる。これは、図７（ｇ）に示すように、間隙２１に存在する液体Ｑを流路１１へ吸引することにより行われる。
【００５４】
なお、このような構成により、部品点数を削減して、半導体チップＰの実装装置の簡素化を図ることができる。
また、吸引する液体Ｑの量は、前述した第１実施形態と同様とすることができる。
以上のような工程を経て、配線基板２０に半導体チップＰが実装され、図７（ｈ）に示すような半導体実装基板１００が得られる。
このような第４実施形態においても、前記第１〜第３実施形態と同様の作用・効果が得られる。
【００５５】
＜第５実施形態＞
次に、半導体チップの実装方法の第５実施形態について説明する。
図８および図９は、それぞれ、半導体チップの実装方法の第５実施形態を示す図である。
以下、半導体チップの実装方法の第５実施形態について説明するが、前述した第１〜第４実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
第５実施形態の半導体チップの実装方法は、曲げ応力が液体Ｑの表面張力より小さい半導体チップＰを配線基板２０に実装する方法であり、それ以外は前記第２実施形態と同様である。
【００５６】
［Ｅ１］ 液滴形成工程（第１の工程）
前記工程［Ｂ１］と同様の工程を行う（図８（ａ）および（ｂ）参照）。
［Ｅ２］ 半導体チップ保持工程（第２の工程）
前記工程［Ｂ２］と同様の工程を行う（図８（ｃ）および（ｄ）参照）。
このとき、半導体チップＰは、その曲げ応力が液体Ｑの表面張力より小さいため、液滴Ｑ１の形状に沿って湾曲した状態、すなわち、その中央部が下方に向かって突出した状態で保持面２に保持される。
【００５７】
［Ｅ３］ 半導体チップ搬送工程（第３の工程）
前記工程［Ｂ３］と同様の工程を行う（図９（ｅ）参照）。
［Ｅ４］ 半導体チップ離脱工程（第４の工程）
前記工程［Ｂ４］と同様の工程を行う（図９（ｆ）〜（ｈ）参照）。
このとき、半導体チップＰの下面Ｐ２を接合材Ｒに接触させると、半導体チップＰは、まず、その下面Ｐ２の中央部が接合材Ｒと接触し、徐々に外側の部分が接合材Ｒと接触するようになる。
【００５８】
このため、半導体チップＰの下面Ｐ２と配線基板２０の上面２０１との間隙２０３に存在する空気は、中央部から外側に向かって徐々に押し出され、その結果、この間隙２０３に気泡が残存するのを防止または抑制することができる。
これにより、得られる半導体実装基板１００’が経時的に劣化することをより確実に防止して、信頼性の高いものとすることができる。
【００５９】
以上のような工程を経て、配線基板２０に半導体チップＰが実装され、図９（ｈ）に示すような半導体実装基板１００’が得られる。
このような第５実施形態においても、前記第１〜第４実施形態と同様の作用・効果が得られる。
なお、以上説明した第１〜第５実施形態の構成は、それらのうちの任意の２以上の構成を組み合わせるようにしてもよい。
【００６０】
例えば、第４実施形態の半導体チップ離脱工程（第４の工程）において、他の実施形態の半導体チップ離脱工程における方法を併用してもよい。これにより、保持面２から半導体チップＰをより迅速かつ確実に離脱させることができる。
また、各前記実施形態では、液滴Ｑ１は、保持面２の一箇所に形成されるものであったが、保持面２の複数個所に形成するようにしてもよい。これにより、保持部材１（または１Ａ、１Ｂ）に半導体チップＰをより確実に保持させることができる。また、液滴Ｑ１の形成個所の数を適宜設定することにより、大型（大面積）の半導体チップの実装（薄板搬送方法）に適用することもできる。
【００６１】
次に、上述のような半導体実装基板１００（または１００’）を備える電子デバイス、すなわち、電子デバイスについて説明する。
以下では、電子デバイスを表示装置に適用した場合を一例に説明する。
図１０は、電子デバイスを表示装置に適用した場合の実施形態を示す断面図である。なお、以下の説明では、図１０中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００６２】
図１０に示す表示装置（電気光学装置）３００は、透過型の液晶表示装置であり、表示パネル（表示部）２００と、半導体実装基板１００（または１００’）と、図示しないバックライトとを有している。
表示パネル２００は、枠状のシール材２３０を介して貼りあわされた第１パネル基板２２０と、第１パネル基板２２０に対向する第２パネル基板２４０と、これらで囲まれる空間に封入された液晶を含む液晶層２７０とを有している。
【００６３】
第１パネル基板２２０および第２パネル基板２４０は、それぞれ、例えば、ガラス基板で構成されている。これらのパネル基板２２０、２４０の液晶層２７０側の面には、それぞれ、例えばＩＴＯ等で構成される透明電極２１０、２５０が設けられている。これらの透明電極２１０、２５０を介して、液晶層２７０に電圧が印加される。
【００６４】
また、第１パネル基板２２０の下面および第２パネル基板２４０の上面（いずれも液晶層２７０と反対側の面）には、それぞれ、偏光板２６０、２８０が設けられている。
また、第１パネル基板２２０は、第２パネル基板２４０から張り出した部分（張出領域２０９）を有している。この張出領域２０９にまで、各透明電極２１０、２５０が延在して設けられている。
【００６５】
半導体実装基板（可撓性回路基板）１００は、配線基板２０と、この配線基板２０に実装された半導体チップＰとを有している。
配線基板２０は、可撓性を有する基板５の一方の面（図１０中、上面）５１に配線パターン（リード）６０が形成され、その一端部（図１０中、左側）において、配線パターン６０が下方を向くように長手方向の途中で折り曲げられている。
【００６６】
そして、この一端部において、配線パターン６０と張出領域２０９に延在する各透明電極２１０、２５０の端部とが、導電性粒子４１０を含む異方性導電性材料（異方性導電ペースト、異方性導電膜）４００を介して接続されている。
また、配線パターン６０の面方向の中央部には、配線パターン６０の端部により端子２０２が形成されており、この端子２０２に半導体チップＰの端子Ｐ３が接合（接続）されている。
これにより、各透明電極２１０、２５０と半導体チップＰとの電気的導通が得られている。
【００６７】
半導体チップＰは、表示パネル２００の駆動用ＩＣとして設けられており、各透明電極２１０、２５０への電圧の印加量、印加パターン等を制御する。この半導体チップＰの駆動制御により、表示パネル２００では、所望の情報（静止画および動画の双方を含む画像）が表示される。
なお、電子デバイスは、図示の表示装置３００への適用に限定されず、例えば、有機または無機ＥＬ表示装置、電気泳動表示装置等の他の表示装置、インクジェット記録ヘッド等の液滴吐出用ヘッド等に適用することもできる。
そして、このような電子デバイスを備える電子機器は、各種の電子機器に適用することができる。
【００６８】
以下、電子機器について、図１１〜図１３に示す実施形態に基づき、詳細に説明する。
図１１は、電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００は、表示ユニット１１０６が前述の表示装置３００を備えており、表示パネル（表示部）２００の表示面が表示ユニット１１０６の前面に向くよう配置されている。
【００６９】
図１２は、電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、前述の表示装置３００を備えている。
表示装置３００の表示パネル（表示部）２００は、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間において、その表示面が携帯電話機１２００の前面に向くよう配置されている。
【００７０】
図１３は、電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００７１】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、前述の表示装置３００の表示パネル（表示部）２００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示パネル２００は、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図１３においては裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【００７２】
撮影者が表示パネル２００に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリ１３０８に転送・格納される。
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図１３に示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリ１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００７３】
なお、電子機器は、図１１のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図１２の携帯電話機、図１３のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ等に適用することができる。
以上、本発明の薄板搬送方法および半導体チップの実装方法を図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。
【００７４】
例えば、本発明の薄板搬送方法では、任意の１または２以上の工程を追加してもよい。
また、各前記実施形態では、本発明の薄板搬送方法を半導体チップの実装方法に適用した場合を代表に説明したが、本発明の薄板搬送方法は、これに限定されず、例えば、フィルム（シート材）、薄型ガラス（例えば、カバーガラス、液晶パネルのガラス基板等）、セラミックス基板、またはマイクロマシニング機能部品のような薄板の搬送にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 半導体チップの実装方法の第１実施形態を示す図である。
【図２】 半導体チップの実装方法の第１実施形態を示す図である。
【図３】 保持部材の他の構成例を示す部分断面図である。
【図４】 半導体チップの実装方法の第２実施形態（一部工程）を示す図である。
【図５】 半導体チップの実装方法の第３実施形態（一部工程）を示す図である。
【図６】 半導体チップの実装方法の第４実施形態を示す図である。
【図７】 半導体チップの実装方法の第４実施形態を示す図である。
【図８】 半導体チップの実装方法の第５実施形態を示す図である。
【図９】 半導体チップの実装方法の第５実施形態を示す図である。
【図１０】 電子デバイスを表示装置に適用した場合の実施形態を示す断面図である。
【図１１】 電子デバイスを備える電子機器（ノート型パーソナルコンピュータ）である。
【図１２】 電子デバイスを備える電子機器（携帯電話機）である。
【図１３】 電子デバイスを備える電子機器（ディジタルスチルカメラ）である。
【符号の説明】
１、１Ａ、１Ｂ……保持部材 １１……流路 ２……保持面 ２１……間隙 ３……位置決め手段 ３１……凸部 ４……ノズル ４１……先端口部 ５……基板 ５１……面 ２０……配線基板 ２０１……上面 ２０２……端子 ２０３……間隙 ３０……貯留容器 ６０……配線パターン １００、１００’……半導体実装基板 Ｐ……半導体チップ Ｐ１……上面 Ｐ２……下面 Ｐ３……端子 Ｑ……液体 Ｑ１……液滴 Ｒ……接合材 ２００‥‥表示パネル ２０９‥‥張出領域 ２１０‥‥透明電極 ２２０‥‥第１パネル基板 ２３０‥‥シール材 ２４０‥‥第２パネル基板 ２５０‥‥透明電極 ２６０、２８０‥‥偏光板 ２７０‥‥液晶層 ３００‥‥表示装置 ４００‥‥異方性導電性材料 ４１０‥‥導電性粒子 １１００‥‥パーソナルコンピュータ １１０２‥‥キーボード １１０４‥‥本体部 １１０６‥‥表示ユニット １２００‥‥携帯電話機 １２０２‥‥操作ボタン １２０４‥‥受話口 １２０６‥‥送話口 １３００‥‥ディジタルスチルカメラ １３０２‥‥ケース（ボディー） １３０４‥‥受光ユニット １３０６‥‥シャッタボタン １３０８‥‥メモリ １３１２‥‥ビデオ信号出力端子 １３１４‥‥データ通信用の入出力端子 １４３０‥‥テレビモニタ １４４０‥‥パーソナルコンピュータ

Claims (19)

1. 保持部材の保持面に、液体を介して薄板を保持させた状態で、前記薄板を搬送元から搬送先に搬送する薄板搬送方法であって、
   前記保持面に液体を供給して、液滴を形成する第１の工程と、
   前記搬送元に設置された前記薄板に、前記液滴を接触させるように前記保持部材を接近させて、前記保持面と前記薄板との間隙に前記液体を展開し、該液体の表面張力により前記保持面に前記薄板を保持させる第２の工程と、
   前記保持面に前記薄板を保持させた状態で、前記薄板を前記搬送先に搬送する第３の工程と、
   前記搬送先において、前記保持面から前記薄板を離脱させる第４の工程とを有することを特徴とする薄板搬送方法。
2. 前記第１の工程において、前記液滴は、貯留容器に貯留された前記液体に前記保持面を接触させることにより形成される請求項１に記載の薄板搬送方法。
3. 前記第１の工程において、前記液滴は、前記液体を液滴として前記保持面に吐出して付着させることにより形成される請求項１に記載の薄板搬送方法。
4. 前記保持部材には、前記保持面に開口する流路が形成されており、
   前記第１の工程において、前記液滴は、前記液体を前記流路を介して前記保持面に供給することにより形成される請求項１に記載の薄板搬送方法。
5. 前記第４の工程において、前記間隙に存在する前記液体の少なくとも一部を除去することにより、前記薄板を前記保持面から離脱させる請求項１ないし４のいずれかに記載の薄板搬送方法。
6. 前記第４の工程において、前記間隙に存在する前記液体の少なくとも一部を前記流路へ吸引することにより、前記薄板を前記保持面から離脱させる請求項４に記載の薄板搬送方法。
7. 前記第４の工程において、前記間隙に存在する前記液体の少なくとも一部を蒸発させることにより、前記薄板を前記保持面から離脱させる請求項１ないし６のいずれかに記載の薄板搬送方法。
8. 前記液体の蒸発は、加熱および／または送風により行われる請求項７に記載の薄板搬送方法。
9. 前記搬送先には、基材上に第２の液体が供給されており、
   前記第４の工程において、前記薄板の前記液体と反対側の面を前記第２の液体に接触させ、前記液体の表面張力と前記第２の液体の表面張力との差により、前記薄板を前記保持面から離脱させる請求項１ないし８のいずれかに記載の薄板搬送方法。
10. 前記第４の工程において、前記薄板を前記第２の液体が前記薄板のほぼ中央に位置するように前記第２の液体に接触させる請求項９に記載の薄板搬送方法。
11. 前記第１の工程において、前記液滴を前記保持面のほぼ中央に形成する請求項１ないし１０のいずれかに記載の薄板搬送方法。
12. 前記第１の工程において形成された前記液滴の曲率半径は、０．８〜２０ｍｍである請求項１ないし１１のいずれかに記載の薄板搬送方法。
13. 前記第１の工程において、前記液滴を前記保持面の複数の個所に形成する請求項１ないし１２のいずれかに記載の薄板搬送方法。
14. 前記保持面は、その少なくとも前記液滴が形成される部分に撥水性を有している請求項１ないし１３のいずれかに記載の薄板搬送方法。
15. 前記保持部材は、前記薄板を保持した状態で、前記薄板の前記保持部材に対する位置決めを行う位置決め手段を有する請求項１ないし１４のいずれかに記載の薄板搬送方法。
16. 前記位置決め手段は、前記保持面の外周部に設けられている請求項１５に記載の薄板搬送方法。
17. 前記薄板は、その曲げ応力が前記液体の表面張力より小さいものである請求項１ないし１６のいずれかに記載の薄板搬送方法。
18. 前記薄板は、その厚さが１〜６００μｍのものである請求項１ないし１７のいずれかに記載の薄板搬送方法。
19. 請求項１ないし１８のいずれかに記載の薄板搬送方法を用いて半導体チップを配線基板に搬送して、実装することを特徴とする半導体チップの実装方法。

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