JP4228457B2 - Electronic module and electronic device - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の半導体チップが基板に接続された電子モジュール及びこの電子モジュールを備えた電子機器に係わる。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体チップのパッケージにおいて、QFP(Quad Flat Package )構造やSOP(Small Outline Package )構造のパッケージが用いられていた。
これらの構造では、それぞれ離れて配置された半導体チップとリードフレームとの間をワイヤで接続しているため、その分マザー基板への実装面積が大きくなる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、最近半導体チップと同等或いはわずかに大きいCSP(チップ・サイズ(スケール)・パッケージ)構造が採用されてきている。
【0004】
このCSP構造を採ることにより、マザー基板への実装面積を大幅に低減することができるが、接続端子数は従来とほぼ同じで減少しないため、マザー基板の配線ルールによって厳しい仕様が要求され、その結果コストアップや品質低下の問題が生じることがある。
【0005】
この問題に対して、パッケージ内に複数の半導体チップを形成してMCM(マルチチップモジュール)化することにより、回路的に関連の強い半導体チップ間の配線をパッケージ内に集約させて、マザー基板との接続点数を減らすことが可能である。
【0006】
内部に2つの半導体チップを配置した電子モジュールの断面図を図16に示す。
この電子モジュール51は、第1の半導体チップ52及び第2の半導体チップ53が、インターポーザー基板54上に並列して配置され、その周囲を封止樹脂62で埋めて構成される。
【0007】
第1の半導体チップ52及び第2の半導体チップ53は、共にダイペースト55を介してインターポーザー基板54に接合されている。
【0008】
また、第1の半導体チップ52及び第2の半導体チップ53の上面には、それぞれパッド61が形成され、このパッド61とインターポーザー基板54の上面に形成されたランド56との間がワイヤ60を介して電気的に接続されている。
【0009】
インターポーザー基板54の下面には、薄い板状の電極端子58が形成され、電極端子58以外の部分にはソルダーレジスト57が形成されている。
また、インターポーザー基板54の外縁部には補強端子59が形成されて、電子モジュール51と図示しないマザー基板との半田接続を補強している。
【0010】
インターポーザー基板54の上面のランド56と、下面の電極端子58との間には図示しないが配線が形成されて電気的に接続される。
この配線は、例えばインターポーザー基板54を貫通したスルーホールによって構成することができる。
【0011】
しかしながら、この場合には、半導体チップの数が増えることにより、電子モジュール51の面積が増加する。
【0012】
また、電子モジュール51が大面積になることにより、マザー基板との接続の信頼性が低下する等の問題もある。
特に、メモリ素子の半導体チップを使用する場合には、端子数のが少ない割にチップが大きく、この傾向が顕著になる。
【0013】
上述した問題の解決のために、本発明においては、面積が少なく小型集積化が図れ、かつ接続の信頼性も確保することができる電子モジュール及び電子機器を提供するものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子モジュールは、基板と、基板の表面上に積層された複数の半導体チップとを有し、基板及び複数の半導体チップが封止樹脂により封止され、複数の半導体チップにおいて、上の半導体チップが下の半導体チップから少なくとも一部がはみ出して積層されており、上の半導体チップが下の半導体チップからはみ出した部分の下に、封止樹脂とは別体の樹脂又はペーストが充填されており、複数の半導体チップのうち、基板の直上の半導体チップが基板の表面とフリップチップ接続されているものである。
【0015】
本発明の電子機器は、基板と、基板の表面上に積層された複数の半導体チップとを有し、基板及び複数の半導体チップが封止樹脂により封止され、複数の半導体チップにおいて、上の半導体チップが下の半導体チップから少なくとも一部がはみ出して積層されており、上の半導体チップが下の半導体チップからはみ出した部分の下に、封止樹脂とは別体の樹脂又はペーストが充填されており、複数の半導体チップのうち、基板の直上の半導体チップが基板の表面とフリップチップ接続されている電子モジュールを搭載したものである。
【0016】
上述の本発明によれば、基板上に複数の半導体チップが積層されていることにより、複数の半導体チップを基板上に並列に配置した場合と比較して、電子モジュールの面積を低減することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
本発明は、基板と、基板の表面上に積層された複数の半導体チップとを有し、基板及び複数の半導体チップが封止樹脂により封止され、複数の半導体チップにおいて、上の半導体チップが下の半導体チップから少なくとも一部がはみ出して積層されており、上の半導体チップが下の半導体チップからはみ出した部分の下に、封止樹脂とは別体の樹脂又はペーストが充填されており、複数の半導体チップのうち、基板の直上の半導体チップが基板の表面とフリップチップ接続されている電子モジュールである。
【0025】
本発明は、基板と、基板の表面上に積層された複数の半導体チップとを有し、基板及び複数の半導体チップが封止樹脂により封止され、複数の半導体チップにおいて、上の半導体チップが下の半導体チップから少なくとも一部がはみ出して積層されており、上の半導体チップが下の半導体チップからはみ出した部分の下に、封止樹脂とは別体の樹脂又はペーストが充填されており、複数の半導体チップのうち、基板の直上の半導体チップが基板の表面とフリップチップ接続されている電子モジュールを搭載した電子機器である。
【0026】
図1及び図2は本発明の一実施の形態として、電子モジュールの概略構成図を示す。
図1Aは電子モジュールの表面側の斜視図、図1Bは裏面側の斜視図、図2は断面図をそれぞれ示す。
【0027】
この電子モジュール1は、第1の半導体チップ2と第2の半導体チップ3が積層されて、この積層された2つの半導体チップがインターポーザー基板4上に配置され、その周囲を封止樹脂12で埋めて構成される。
【0028】
第1の半導体チップ2は、ダイペースト5を介してインターポーザー基板4に接合されている。
第2の半導体チップ3は、同様にダイペースト5を介して第1の半導体チップ2に接合されている。この第2の半導体チップ3は、縦・横が共に第1の半導体チップ2より小さくなっていて、第1の半導体チップ2の主面内に収まる大きさとなっている。
【0029】
また、第1の半導体チップ2及び第2の半導体チップ3の上面には、それぞれパッド11が形成され、このパッド11とインターポーザー基板4の上面に形成されたランド6との間がワイヤ10を介して電気的に接続されている。
【0030】
インターポーザー基板4の下面には、薄い略円板状の電極端子8が形成され、電極端子8以外の部分にはソルダーレジスト7が形成されている。
ソルダーレジスト7は、プリント基板等のマザー基板と半田により接続を行う際に、隣接する電極端子8間を半田が短絡しないようにする作用も有している。
また、下面の外縁部には補強端子9が形成されて、電子モジュール1と図示しないマザー基板との半田接続を補強している。
この補強端子9は、図1Bに示すようにインターポーザー基板4の4隅に形成され、うち1つのみ四角形状とすることにより、電子モジュール1の向きを示す目印としている。
【0031】
インターポーザー基板4の上面のランド6と、下面の電極端子8との間には図示しないが配線が形成されて電気的に接続される。
この配線は、例えばインターポーザー基板4を貫通したスルーホールによって構成することができる。
【0032】
電子モジュール1の各部の材料は、特に限定しないが、例えば次のような材料を用いることができる。
インターポーザー基板4は、例えばポリイミドやガラスエポキシを用いることができる。
ダイペースト5は、ダイボンディングに通常用いられる材料、例えばエポキシ樹脂中に無機フィラーを充填した絶縁ペーストを用いることができる。
ランド6は、例えばパターン表面に金メッキをすることにより形成することができる。
ワイヤ10は、例えば金ワイヤにより形成することができる。
パッド11は、例えばアルミにより形成することができる。
封止樹脂12には、例えばエポキシ樹脂やその他熱硬化樹脂を用いることができる。
【0033】
上述の本実施の形態の電子モジュール1によれば、インターポーザー基板4上に2つの半導体チップ2,3を積層して構成したことにより、図16に示した2つの半導体チップ52,53を横に並べた電子モジュール51よりも面積が低減される。
そして、2つの半導体チップ2,3を積層していることにより、単位面積当たりの集積度が向上している。
【0034】
また、前述のQFPのように外側にリードフレームを引き出す代わりに、電極端子8を全てインターポーザー基板4の下面に設けているので、リードフレームを引き出した場合よりも面積が低減されている。
【0035】
マザー基板の反りや衝撃等により、マザー基板と電子モジュールとの接続状態に及ぶ影響は、電子モジュールの面積が大きいほど顕著になる。
本実施の形態によれば、電子モジュール1の面積が低減されるため、この影響を小さくすることができ、従ってマザー基板との接続の信頼性をより向上させることができる。
【0036】
本実施の形態の電子モジュール1は、例えば次のようにして製造することができる。
まず、複数個の電子モジュール1に対応する面積のインターポーザー基板4を用意する。
【0037】
このインターポーザー基板4上に、第1の半導体チップ2をダイペースト5を介してマウントし、加熱してダイペースト5を熱硬化させることで第1の半導体チップ2を固定する。
次に、第1の半導体チップ2上面のパッド11と、インターポーザー基板4上面のランド6とを、ワイヤ10で接続する。
【0038】
次に、第2の半導体チップ3を同様にダイペースト5を介して第1の半導体チップ2上にマウントする。続いて、第2の半導体チップ2上面のパッド11と、インターポーザー基板4上面のランド6とワイヤ10で接続する。
このとき、下の第1の半導体チップ2のワイヤ10に接触しないように第2の半導体チップ3をマウントすると共に、第2の半導体チップ3のワイヤ10が下段の第1の半導体チップ1やそのワイヤ10に接触しないように、ワイヤの10ループ形状を制御する。
【0039】
次に、全てのワイヤ10が隠れる厚さの封止枠(図示せず)をインターポーザー基板4に張り付ける。
【0040】
その後、封止枠内の半導体チップ2,3とワイヤ10が隠れるように、封止樹脂12を充填する。
さらに、真空脱泡した後、封止樹脂12を熱硬化させる。
【0041】
最後に、インターポーザー基板4をダイサーにて単体即ち各電子モジュール1に切り分けて、上述の電子モジュール1を形成することができる。
製造した電子モジュール1に対して、必要な電気チェックを行う。
【0042】
尚、上述の製造方法において、インターポーザー基板4は、複数個の電子モジュール1に対応した面積のものであったが、封止樹脂12は各電子モジュール1に対応して分離して設けてもよいし、インターポーザー基板4と同様に複数個の電子モジュール1に対応した面積に形成してもよい。
封止樹脂12を各電子モジュール1に対応して分離する場合には、上述の封止枠を各電子モジュール1に対応した格子状にして、格子の中にそれぞれ封止樹脂12を充填する。この場合、ダイサーで切断するのは封止枠とインターポーザー基板4となる。
封止樹脂12をインターポーザー基板4と同様に複数個の電子モジュール1に対応した面積に形成する場合には、封止枠をインターポーザー基板4の外縁にのみ略ロ字形状にして、封止樹脂12をインターポーザー基板4上に一体に充填する。この場合、ダイサーで切断するのは封止樹脂12とインターポーザー基板4となる。
【0043】
また、上述の製造方法では、第1の半導体チップ2にワイヤ10を接続してから第2の半導体チップ3を取り付けたが、先に2つの半導体チップ2,3を取り付けてから各半導体チップにワイヤ10を接続するようにしてもよい。
【0044】
尚、製造方法については、その他の従来公知の技術を適用することが可能である。
【0045】
尚、本実施の形態の電子モジュール1では、インターポーザー基板4は1層の基板の両面に端子が形成されていたが、その他の構成、例えば1層の基板の上面のみに端子が形成された構成、2層以上の基板を積層してその層間にも配線を通す構成等を採ることができる。
【0046】
また、電極端子8は、上述の薄い板状の他、いわゆるBGA(ボールグリッドアレイ)のようにボール状にしてもよい。
上述のように電極端子8を薄い板状にすると、ボール状にした場合より、電子モジュール1をマザー基板に接続したときの高さを低くすることができる利点を有する。
【0047】
上述の実施の形態の電子モジュール1では、上段の第2の半導体チップ3が下段の第1の半導体チップ2の主面に収まる構成であったが、上段の半導体チップ3が下段の半導体チップから一部はみ出すように構成することもできる。
その場合の実施の形態を次に示す。
【0048】
本発明の他の実施の形態の電子モジュールの概略構成図を図3に示す。図3Aは電子モジュールの斜視図、図3Bは平面図を示す。尚、図3Bではワイヤ10と基板4上のランド6は省略している。
図3A及び図3Bに示すように、この電子モジュール21は、下段の長方形の第1の半導体チップ2上に、略正方形の第2の半導体チップ3を積層した構成であり、上段の第2の半導体チップ3の一部が下段の第1の半導体チップ2からはみ出している。
以下、このはみだしている部分をオーバーハング部3aとする。
【0049】
この電子モジュール21では、第2の半導体チップ3のパッド11の1端子分がオーバーハング部3aとなっている。
そして、パッド11及びワイヤ10は、各半導体チップ2,3のオーバーハング部3a以外の2辺に形成されている。
【0050】
尚、その他の構成は、先の実施の形態の電子モジュール1と同様であるので、同一符号を付して重複説明を省略する。
【0051】
尚、半導体チップのパッド(端子)にワイヤ10をボンディングするには、通常超音波と圧力を印加して熱圧着させており、オーバーハング部3aが振動することで、超音波が減衰し、ボンディング強度が低下、ないしはボンディングができないことがあるが、この電子モジュール21のようにオーバーハング部3aが1端子分程度なら、問題ないことが確認されている。
【0052】
本実施の形態の電子モジュール21によれば、オーバーハング部3aを形成することにより、上下の半導体チップ2,3が異形のものでも積層することが可能となり、目的に合った最適の半導体チップを選択して電子モジュールを構成することが可能になる。
【0053】
ところで、オーバーハング部を大きくした場合、即ち上段の半導体チップが下段の半導体チップから大きくはみ出して積層させた場合に、上段の半導体チップのオーバーハング部にパッドを形成してワイヤを接続しようとすると、オーバーハング部の振動により超音波が減衰するため、ワイヤの接続が不安定になる。
従って、オーバーハング部3aを余り大きくすることができなかった。
このように、オーバーハング部を設けた場合でも、まだ上段の半導体チップの設計条件に制約がある。
【0054】
そこで、上段の半導体チップの設計条件の自由度をさらに上げる目的で、オーバーハング部の隙間を埋めるようにする。
実際には、オーバーハング部の下の隙間に、スペーサを入れたり或いは樹脂やペースト等を充填したりすることにより、隙間を埋めておいてからボンディングを行う。
その場合の電子モジュールの実施の形態を次に示す。
【0055】
図4は、スペーサを設けた電子モジュールの概略構成図を示す。図4Aは電子モジュールの斜視図を示し、図4Bは複数の半導体チップの積層方法を斜視図で示す。尚、図4ではパッド11に接続するワイヤと基板4上のランドは省略している。また図4Cと図4Dは製造工程を平面図及び断面図で示す。
【0056】
この電子モジュール22は、下段の第1の半導体チップ2と比較して、上段の第2の半導体チップ3の寸法及び面積が充分大きくなっており、上段の第2の半導体チップ3がはみ出したオーバーハング部3aの下の隙間に、下段の第1の半導体チップ2と略同じ厚さのスペーサ13を入れて構成されている。
【0057】
そして、図4Bに示すように、インターポーザー基板4上の、第1の半導体チップ2の両側にそれぞれスペーサ13を配置してから、上段の第2の半導体チップ3を接合する。
【0058】
尚、図4では、下段の第1の半導体チップ2のボンディング方法を示していないが、上段の第2の半導体チップ3の下から見えている部分にパッドを設ければ、ワイヤによるボンディングを行うことができる。
また、後述する実施の形態のように、フリップチップ接続を用いることも可能である。
【0059】
半導体チップのパッドへワイヤをボンディングする際には、通常超音波と圧力をかけ熱圧着させている。
本実施の形態の電子モジュール22によれば、オーバーハング部3aへのボンディングにおいて、上段の第2の半導体チップ3にかかる圧力をスペーサ13で受けて上段の第2の半導体チップ3の振動を防ぐことができるので、より安定した確実なボンディングが可能となる。
【0060】
尚、スペーサ13を入れる代わりに、オーバーハング部の下の隙間に樹脂やペーストを充填するようにしてからボンディングしても同様の効果が得られる。
【0061】
この樹脂やペーストは、例えば印刷により、ダイペーストと同時に供給することも可能である。
例えば図4Cに示すように、基板上に樹脂やペーストを印刷するときに、スペーサ13となる部分とダイペースト13′となる部分とをそれぞれ同時に印刷より形成する。
次に、図4Dに示すように、ダイペースト13′となる部分上に第1の半導体チップ2を押しつけて、第1の半導体チップ2の上面とスペーサ13の上面が同じ高さになるようにする。この面の上に図4Bに示すように第2の半導体チップ3が取り付けられる。
【0062】
次に、本発明のさらに他の実施の形態として、フリップチップ接続を用いた電子モジュールの概略構成図(断面図)を図5に示す。
本実施の形態の電子モジュール31では、下段の第1の半導体チップ2をフリップチップ接続によりインターポーザー基板4と接続したものである。
【0063】
図5に示すように、この電子モジュール31では、下段の第1の半導体チップ2下面のパッド11にスタッドバンプ14が形成され、このスタッドバンプ14がインターポーザー基板4上面のランド15に配置されて、さらに半田16により周囲を覆われて電気的に接続されている。
【0064】
また、図5では、インターポーザー基板4の上面のランド6と下面の電極端子8との間の配線となるスルーホール17を一部図示している。スタッドバンプ14に接続されたランド15についても同様に配線により電極端子8と接続される。
【0065】
第1の半導体チップ2のスタッドバンプ14以外の部分とインターポーザー基板4との間の隙間には、封止樹脂12が充填されている。
尚、この隙間に充填される樹脂は、電子モジュール31全体の封止樹脂12と同一の樹脂に限定されない。
【0066】
上段の第2の半導体チップ3は、前述の実施の形態の電子モジュール1と同様に、その上面のパッド11とインターポーザー基板4上面のランド6とをワイヤ10で接続することにより、電気的に接続されている。
その他の構成は、前述の実施の形態の電子モジュール1と同様であるので、同一符号を付して重複説明を省略する。
【0067】
尚、スタッドバンプ14の代わりに、メッキまたは蒸着後ウエットバックした半田バンプ等、その他の種類のバンプを形成するようにしてもよい。
【0068】
本実施の形態の電子モジュール31によれば、基板4上に複数の半導体チップ2,3を積層していることにより、先の実施の形態と同様に電子モジュール31の面積を低減することができる。
そして、本実施の形態では、特に半導体チップをフェイスダウンで実装するフリップチップ接続を用いているため、全てワイヤ接続でボンディングを行う場合に比べて、ワイヤ10が少なくてすみ、ワイヤ10が減る分のスペースを詰めることができるので、電子モジュール31を確実に小さくすることができる。
【0069】
また、ワイヤ接続だけの場合には、複数の半導体チップ2,3と接続される基板4表面のランド6を全て半導体チップ2,3の外側まで出して、それから基板4に形成された配線で内側に持ってくる必要がある。
これに対して、下段の半導体チップ2をフリップチップ接続にした場合には、半導体チップ2の下面でボンディングされるため、その分基板配線を短くすることができる。
また、上段の半導体チップ3と接続するランド6からの基板配線との引き回しの制約も少なくなる。
【0070】
上述の本実施の形態の電子モジュール31は、例えば次のようにして製造することができる。尚、前述の実施の形態の電子モジュール1の製造と共通する工程は説明を省略する。
【0071】
まず、予め第1の半導体チップ2下面のパッド11に、ワイヤを用いることによりスタッドバンプ14を形成しておく。
また、インターポーザー基板4上面の、フリップチップ接続用のランド15に、スクリーン印刷でクリーム状の半田16を供給する。
【0072】
次に、第1の半導体チップ2を、そのスタッドバンプ14がある面を下にしてマウントを行う。このとき、各スタッドバンプ14がそれぞれ該当するランド15に乗るように位置合わせをする。
【0073】
続いて、リフロー炉を通して半田16による接続を行い、洗浄によりフラックスを除去し、乾燥させる。
【0074】
次に、第1の半導体チップ2の一辺に、封止樹脂例えばエポキシ系樹脂を供給し、第1の半導体チップ2とインターポーザー基板4との間の隙間に浸透させた後、加熱硬化させる。
【0075】
次に、上段の第2の半導体チップ3をダイペースト5を介してマウントし、加熱してペーストを熱硬化させることでチップを固定する。
そして、第2の半導体チップ3のパッド11とインターポーザー基板4のランド6とをワイヤ10で接続する。
【0076】
その後は、先の実施の形態で説明したと同様の工程を経て、本実施の形態の電子モジュール31を製造することができる。
【0077】
上述の実施の形態ではフリップチップ接続を半田16を用いて行ったが、その他の接続方法を採った実施の形態を次に示す。
【0078】
図6は、電子モジュールの概略断面図である。
この電子モジュール32では、先の実施の形態の電子モジュール31で用いた半田16の代わりに、接合材18を用いてフリップチップ接続を行った構成である。
【0079】
この接合材18としては、異方性導電フィルム(ACF)、絶縁性の接着剤となる樹脂を用いることができる。絶縁性の接着剤となる樹脂としては、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリイミドとの熱可塑性樹脂を用いることができる。
そして、第1の半導体チップ2とインターポーザー基板4との間の隙間には、接合材18が充填されて接合がなされる。
【0080】
いずれの材料を接合材18に用いた場合も、同様にインターポーザー基板4上に接合材18を形成した後、第1の半導体チップ2を加熱加圧して押しつけることにより、スタッドバンプ14とランド15とを接続される。
【0081】
ただし、異方性導電フィルムを接合材18に用いた場合には、フィルム中の微細な導電性粒子がスタッドバンプ14とランド15の間に挟まれるようにして電気的に接続させる。
一方、樹脂を接合材18に用いた場合は、接続部の周囲に樹脂が逃げるようにしてスタッドバンプ14とランド15との間には樹脂が残らないようにする。
【0082】
異方性導電フィルム(ACF)を接合材18に用いた場合には、例えば次のように製造を行う。
インターポーザー基板4の第1の半導体チップ2を乗せる位置に、第1の半導体チップ2のサイズと同等以上の異方性導電フィルムを貼り付け、カバーフィルムを剥がす。
【0083】
次に、第1の半導体チップ2を、そのスタッドバンプ14が形成された面を下にして、各バンプ14が該当するランド15に乗るように位置合わせをしてマウントする。続いて、加熱加圧して、バンプ14とランド15とを接触させると共に異方性導電フィルムを硬化させる。
【0084】
その後は上段の第2の半導体チップ3を、ダイペースト5を介してマウントし、以降は前述の実施の形態と同様にして電子モジュールを製造することができる。
【0085】
また、樹脂を接合材18として用いた場合は、例えば次のようにして製造を行う。
インターポーザー基板4の第1の半導体チップ2を載せる位置に、樹脂ペーストを供給する。尚、樹脂の供給方法は、ディスペンサによって行う他、スクリーン印刷によって行うことも可能である。
【0086】
次に、第1の半導体チップ2を、そのスタッドバンプ14が形成された面を下にして、各バンプ14が該当するランド15に乗るように位置合わせをしてマウントする。続いて、加熱して樹脂ペーストを熱硬化させることにより第1の半導体チップ2を固定する。
【0087】
その後は上段の第2の半導体チップ3を、ダイペースト5を介してマウントし、以降は前述の実施の形態と同様にして電子モジュール32を製造することができる。
【0088】
次に、本発明のさらに他の実施の形態として、フリップチップ接続を用いたさらに他の電子モジュールの概略構成図を図7及び図8に示す。図7Aは電子モジュールの斜視図を示し、図7Bは複数の半導体チップの積層方法を示す斜視図であり、図8Bは電子モジュールの断面図を示す。
【0089】
この電子モジュール33は、下段の第1の半導体チップ2の上面から、上段の第2の半導体チップ3の4辺がはみ出している構成である。
下段の第1の半導体チップ2をワイヤ接続とすると、半導体チップ2のパッドを上面に形成する必要があり、ワイヤ接続をするために上段の半導体チップ3を4辺ではみ出すように構成することができないが、下段の第1の半導体チップ2に前述のフリップチップ接続を用いることにより、このように上段の第2の半導体チップ3の4辺がはみ出した構成とすることができる。
【0090】
従って、上段の第2の半導体チップ3の設計条件の自由度が向上する。
また、図7に示すように、オーバーハング部の幅が小さい場合には、スペーサ等を設けなくても接続が可能である。
【0091】
尚、オーバーハング部の幅を大きく取りたい場合には、前述の電子モジュール22と同様に、オーバーハング部の下にスペーサ13を入れるか或いは樹脂を充填しておく。
【0092】
次に、本発明のさらに他の実施の形態として、3つの半導体チップを積層した電子モジュールの概略構成図(斜視図)を図9に示す。
【0093】
この電子モジュール34は、3つの半導体チップを積層させた構成である。
即ち、第1の半導体チップ2と第2の半導体チップ3と第3の半導体チップ20とが積層されて構成されている。
第1の半導体チップ2は、フリップチップ接続によりインターポーザー基板4と接続されている。
第2の半導体チップ3は、ワイヤ10によりインターポーザー基板4と電気的に接続されている。そして、第2の半導体チップ3は、第1の半導体チップ2より2辺がはみ出している。
【0094】
そして、第3の半導体チップ20は、第2の半導体チップ3上にダイペース値5を介して接合され、ワイヤ10によりインターポーザー基板4と電気的に接続されている。
この第3の半導体チップ20は、第2の半導体チップ3から一部が後退した大きさとなっていて、第2の半導体チップ3上面のワイヤ10を接続するためのパッド11付近を露出させている。
これにより、第2の半導体チップ3と第3の半導体チップ20のそれぞれにワイヤ10を接続することができる。
【0095】
本実施の形態の電子モジュール34によれば、3つの半導体チップ2,3,20を有していても、これらが積層されていることにより、電子モジュール34の占有する面積は小さくて済み、単位面積当たりの集積度がさらに向上する。
【0096】
本発明のさらに他の実施の形態として、3つの半導体チップを積層した他の電子モジュールの概略構成図を図10に示す。図10Aは電子モジュールの斜視図を示し、図10Bは複数の半導体チップの積層方法を斜視図で示す。
【0097】
この電子モジュール35では、半導体チップを3つ有して構成されている。
そして、そのうち2つの半導体チップ、即ち第1の半導体チップ41及び第2の半導体チップ42が共に並列してインターポーザー基板4の上面にフリップチップ接続され、残りの第3の半導体チップ43がこれら2つの半導体チップ41,42上に積層された構成である。
【0098】
第3の半導体チップ43は、第1の半導体チップ41及び第2の半導体チップ42の上面に、ダイペーストを介して接合されている。また、上面のパッド11とインターポーザー基板4上面のランド6とがワイヤ10で電気的に接続されている。
【0099】
3つの半導体チップ41,42,43は、それぞれ主面の寸法が異なっており、第1の半導体チップ41は主面が長方形であり、第2の半導体チップ42は主面が略正方形であり、第3の半導体チップ43は主面が長方形でありかつ下段の2つの半導体チップが収まる大きさとなっている。
【0100】
このように、それぞれ大きさや形状が異なる半導体チップ41,42,43を積層して、電子モジュール35を構成することもできる。
これにより、各種の半導体チップを組み合わせても、容易に面積の小さい電子モジュールを構成することができる。
【0101】
図11は、スペーサを設けた電子モジュールの他の構成における半導体チップの積層方法を示す斜視図である。
この電子モジュール36は、下段の第1の半導体チップ2の略2倍の面積の第2の半導体チップ3を上段に載せる場合であり、スペーサ13の大きさが下段の第1の半導体チップ2と略同一面積となっている。
尚、図示しないが下段の半導体チップ2は、フリップチップ接続により基板4と接続されている。
【0102】
このように構成することにより、大きく面積が異なる半導体チップ2,3を積層することができる。
【0103】
図12は、スペーサを設けた電子モジュールのさらに他の構成における半導体チップの積層方法を示す斜視図である。
この電子モジュール37は、下段の第1の半導体チップ41及び第2の半導体チップ42を間隔を置いて並列に配置して、これら2つの半導体チップ41,42の間にスペーサ13を入れている。
そして、2つの半導体チップ41,42及びスペーサ13上に、上段の第3の半導体チップ43を載置するようにしている。
尚、図示しないが下段の半導体チップ41,42は、フリップチップ接続により基板4と接続されている。
【0104】
即ち、この電子モジュール37は、図10に示した電子モジュール35にさらにスペーサ13を設けた構造になっている。
スペーサ13を設けたことにより、上段の半導体チップ43のパッド11の配置の自由度が高まると共に、ボンディングの際の圧力をスペーサ13に吸収させることができる利点を有している。
【0105】
上述の各実施の形態では、電子部品としては半導体チップのみを有して電子モジュールが構成されていたが、複数の半導体チップと一般の電子部品とを組み合わせて、より機能的な電子モジュールを構成することもできる。
その場合を次に示す。
【0106】
図13及び図14は、本発明のさらに別の実施の形態として、半導体チップの他の電子部品を混載した電子モジュールの概略構成図を示す。図13は斜視図、図14は図13のX−Xにおける断面図を示す。
【0107】
この電子モジュール40は、インターポーザー基板4上に第1の半導体チップ2及び第2の半導体チップ3が積層されている。
下段の第1の半導体チップ2は、先に図5に示した電子モジュール31と同様に、フリップチップ接続によりインターポーザー基板4上面のランド15に接続され、接続部のスタッドバンプ14の周囲が半田16により接続されている。
【0108】
本実施の形態の電子モジュール40では、特に2つの半導体チップ2,3の周囲のインターポーザー基板4上に、一般の電子部品19が配置接続されている。この電子部品19は、上段の第2の半導体チップ3とを電気的に接続するワイヤ10の付近に配置されている。また、電子部品19の下のランド15は、図示したスルーホール17を介してインターポーザー基板4下面の電極端子8と接続されている。
【0109】
その他の構成は、先に図5に示した電子モジュール31と同様であるので、重複説明を省略する。
【0110】
そして、この一般の電子部品19としては、小さいチップ状の素子や抵抗素子、コンデンサ等を配置することが可能である。
半導体チップ2,3に比して面積が比較的小さい電子部品19であれば、このように搭載することが可能である。
【0111】
さらに、本実施の形態の電子モジュール40では、フリップチップ接続の接続部の周囲に半田16を用いていることにより、容易に一般の電子部品19との混載が可能になりモジュール化することができる。
【0112】
尚、半田接続を使用しない場合には、一般の電子部品19の実装が別工程になる。
このとき、下段の半導体チップ2を先に基板4に付けると、一般の電子部品19用の半田印刷が困難になってしまう。
一方、一般の電子部品19の半田接続を先に行うと、薄い半導体チップの実装するときに電子部品が邪魔になってしまう。
このため、周りの電子部品19を半導体チップ2,3から遠ざけて配置することや、下段の半導体チップ2の実装前に一般部品19を実装した後のごみや余分なフラックスを洗浄する作業等が必要になる。
【0113】
従って、半田接続を用いた方が、他の一般の電子部品19と混載した電子モジュール40を容易に製造することができる。
【0114】
尚、電子部品19が下段の半導体チップ2と比較して薄い場合には、上段の半導体チップ3をオーバーハングさせて、そのオーバーハング部の下に電子部品19を配置する構成も可能である。
この場合はオーバーハング部の下にスペーサ等を配置できないので、ワイヤ10用のパッド11は、主としてオーバーハング部以外の部分に配置する。
【0115】
本実施の形態の電子モジュール40によれば、半導体チップ2,3以外に一般の電子部品19も一括してリフローで半田接続することができ、半導体チップ周辺の回路を取り込んで、機能的な電子モジュール40を形成することができる。
【0116】
本実施の形態の電子モジュール40は、例えば次のようにして製造することができる。尚、先の実施の形態と同様の工程は重複説明を省略する。
【0117】
インターポーザー基板4上面のフリップチップ接続用のランド15に、スクリーン印刷でクリーム状の半田16を供給する。
【0118】
次に、一般の電子部品19の接続用のランド15に、スクリーン印刷でクリーム状の半田を供給する。
このとき、先に印刷したフリップチップ接続用の半田16がつぶれないように、メタルスクリーンの基板4側をエッチングにより削って逃がしておく。
【0119】
続いて、インターポーザー基板4上に、位置合わせして一般の電子部品19をマウントする。
【0120】
その後は、第1の半導体チップ2、第3の半導体チップ3を順次マウントし、以下前述の実施の形態と同様にして、電子モジュール40を製造することができる。
【0121】
尚、本発明において、複数の半導体チップの種類の組み合わせは任意であり、同種の半導体チップ同士を組み合わせても、異種の半導体チップ同士を組み合わせてもよい。
【0122】
半導体チップの種類としては、ROM,SRAM,DRAM,フラッシュメモリ等のメモリ素子、CPUやMPU等の制御素子・演算素子、或いはその他の素子を用いることが可能である。
【0123】
ここで、上述の各実施の形態のように複数の半導体チップが積層されて構成された電子モジュールを搭載することにより、図15に示すような携帯電話等の電子機器100を構成することができる。
そして、上述のように面積が小さくかつ複数の半導体チップを有して集積度の高い電子モジュール101を搭載しているので、小型でかつ高機能の電子機器100を構成することができる。
また、上述のように電子モジュール101の信頼性が高いため、電子機器100の信頼性も高くなる。
【0124】
本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
【0125】
【発明の効果】
上述の本発明によれば、複数の半導体チップを積層することにより、複数の半導体チップを平面的に並べる場合と比較して、著しく電子モジュールの面積を低減することができる。
従って、単位面積当たりの集積度を向上させることができる。
【0126】
そして、電子モジュールの面積が低減されるため、マザー基板の反りや衝撃等によりマザー基板と電子モジュールとの接続状態に及ぶ影響を小さくすることができ、マザー基板との接続の信頼性をより向上させることができる。
【0127】
また、基板の直上の下段の半導体チップをフリップチップ接続したことにより、その上に載せる上段の半導体チップの大きさの制約がなくなり、設計の自由度が向上する。
さらに、下段の半導体チップのワイヤ接続のためのスペースが不要になるため、電子モジュールの面積をより小さくすることができる。
また、基板配線を短くすると共に、基板配線の配置の制約を低減することができる。
【0128】
また、上の半導体チップが下の半導体チップから少なくとも一部がはみ出して積層された構成とすることにより、上下の半導体チップが異形のものでも積層することが可能となり、目的に合った最適の半導体チップを選択して電子モジュールを構成することが可能になる。
【0129】
さらに、上の半導体チップが下の半導体チップからはみ出した部分の下に、樹脂やペーストが充填されている構成としたことにより、ボンディングの際にかかる圧力を受けることができると共に、超音波が逃げる(減衰する)のを防止するという働きを有し、より安定した確実なボンディングが可能となる。
【0133】
また、複数の半導体チップが積層されて構成された電子モジュールを搭載して電子機器を構成することにより、小型でかつ高機能の電子機器を構成することができる。そして、電子モジュールの信頼性が高いため、電子機器の信頼性も高くなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態の電子モジュールの概略構成図である。
A 表面側の斜視図である。
B 裏面側の斜視図である。
【図2】図1の電子モジュールの断面図である。
【図3】本発明の他の実施の形態の電子モジュールの概略構成図である。
A 斜視図である。
B 平面図である。
【図4】スペーサを設けた電子モジュールの概略構成図である。
A 斜視図である。
B 複数の半導体チップの積層方法を示す斜視図である。
C,D 図4Aの電子モジュールの製造工程を示す平面図及び断面図である。
【図5】フリップチップ接続を用いた電子モジュールの概略構成図(断面図)である。
【図6】フリップチップ接続を用いた他の電子モジュールの概略構成図(断面図)である。
【図7】フリップチップ接続を用いたさらに他の電子モジュールの概略構成図である。
A 斜視図である。
B 複数の半導体チップの積層方法を示す斜視図である。
【図8】図7の電子モジュールの断面図である。
【図9】3つの半導体チップを積層した電子モジュールの概略構成図(斜視図)である。
【図10】3つの半導体チップを積層した他の電子モジュールの概略構成図である。
A 斜視図である。
B 複数の半導体チップの積層方法を示す斜視図である。
【図11】スペーサを設けた電子モジュールの他の構成における半導体チップの積層方法を示す斜視図である。
【図12】スペーサを設けた電子モジュールのさらに他の構成における半導体チップの積層方法を示す斜視図である。
【図13】半導体チップの他の電子部品を混載した電子モジュールの概略構成図(斜視図)である。
【図14】図13の電子モジュールの断面図である。
【図15】電子機器に電子モジュールを搭載した状態を示す図である。
【図16】内部に2つの半導体チップを配置した電子モジュールの断面図である。
【符号の説明】
1,21,22,31,32,33,34,35,36,37,40,101 電子モジュール、2,41 第1の半導体チップ、3,42 第2の半導体チップ、4 インターポーザー基板、5 ダイペースト、6,15 ランド、7 ソルダーレジスト、8 電極端子、9 補強端子、10 ワイヤ、11 パッド、12 封止樹脂、13 スペーサ、14 スタッドバンプ、16 半田、17 スルーホール、18 接合材、19 電子部品、20,43 第3の半導体チップ、100 電子機器
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electronic module in which a plurality of semiconductor chips are connected to a substrate, and an electronic device including the electronic module.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a package of a QFP (Quad Flat Package) structure or a SOP (Small Outline Package) structure has been used as a package of a semiconductor chip.
In these structures, the semiconductor chip and the lead frame, which are spaced apart from each other, are connected by wires, so that the mounting area on the mother board increases accordingly.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
Therefore, recently, a CSP (chip size (scale) package) structure equivalent to or slightly larger than a semiconductor chip has been adopted.
[0004]
By adopting this CSP structure, the mounting area on the mother board can be greatly reduced. However, since the number of connection terminals is almost the same as before and does not decrease, strict specifications are required by the wiring rules of the mother board. As a result, the problem of cost increase and quality deterioration may occur.
[0005]
To solve this problem, a plurality of semiconductor chips are formed in a package to form an MCM (multi-chip module), whereby wiring between semiconductor chips that are strongly related in terms of circuit is integrated in the package. It is possible to reduce the number of connection points.
[0006]
FIG. 16 shows a cross-sectional view of an electronic module in which two semiconductor chips are arranged.
The electronic module 51 is configured by arranging a first semiconductor chip 52 and a second semiconductor chip 53 in parallel on an interposer substrate 54 and filling the periphery with a sealing resin 62.
[0007]
Both the first semiconductor chip 52 and the second semiconductor chip 53 are bonded to the interposer substrate 54 via a die paste 55.
[0008]
Also, pads 61 are formed on the upper surfaces of the first semiconductor chip 52 and the second semiconductor chip 53, respectively, and the wires 60 are connected between the pads 61 and the lands 56 formed on the upper surface of the interposer substrate 54. Is electrically connected.
[0009]
A thin plate-like electrode terminal 58 is formed on the lower surface of the interposer substrate 54, and a solder resist 57 is formed on portions other than the electrode terminal 58.
Further, reinforcing terminals 59 are formed on the outer edge of the interposer substrate 54 to reinforce the solder connection between the electronic module 51 and a mother substrate (not shown).
[0010]
Although not shown, a wiring is formed between the land 56 on the upper surface of the interposer substrate 54 and the electrode terminal 58 on the lower surface to be electrically connected.
This wiring can be constituted by, for example, a through hole penetrating the interposer substrate 54.
[0011]
However, in this case, the area of the electronic module 51 increases as the number of semiconductor chips increases.
[0012]
Further, since the electronic module 51 has a large area, there is a problem that the reliability of connection with the mother board is lowered.
In particular, when a semiconductor chip of a memory element is used, the chip is large for a small number of terminals, and this tendency becomes remarkable.
[0013]
In order to solve the above-described problems, the present invention provides an electronic module and an electronic device that have a small area, can be miniaturized, and can ensure connection reliability.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
The electronic module of the present invention has a substrate and a plurality of semiconductor chips stacked on the surface of the substrate, The substrate and the plurality of semiconductor chips are sealed with a sealing resin, In the plurality of semiconductor chips, the upper semiconductor chip is stacked so that at least part of the upper semiconductor chip protrudes from the lower semiconductor chip, and the upper semiconductor chip is below the portion of the lower semiconductor chip that protrudes, Separate from the sealing resin Resin or paste is filled, and among the plurality of semiconductor chips, the semiconductor chip immediately above the substrate is flip-chip connected to the surface of the substrate.
[0015]
The electronic device of the present invention has a substrate and a plurality of semiconductor chips stacked on the surface of the substrate, The substrate and the plurality of semiconductor chips are sealed with a sealing resin, In the plurality of semiconductor chips, the upper semiconductor chip is stacked so that at least part of the upper semiconductor chip protrudes from the lower semiconductor chip, and the upper semiconductor chip is below the portion of the lower semiconductor chip that protrudes, Separate from the sealing resin A resin or paste is filled, and among the plurality of semiconductor chips, an electronic module in which a semiconductor chip immediately above the substrate is flip-chip connected to the surface of the substrate is mounted.
[0016]
According to the above-described present invention, the plurality of semiconductor chips are stacked on the substrate, so that the area of the electronic module can be reduced as compared with the case where the plurality of semiconductor chips are arranged in parallel on the substrate. it can.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The present invention has a substrate and a plurality of semiconductor chips stacked on the surface of the substrate, The substrate and the plurality of semiconductor chips are sealed with a sealing resin, In the plurality of semiconductor chips, the upper semiconductor chip is stacked so that at least part of the upper semiconductor chip protrudes from the lower semiconductor chip, and the upper semiconductor chip is below the portion of the lower semiconductor chip that protrudes, Separate from the sealing resin The electronic module is filled with resin or paste, and of the plurality of semiconductor chips, the semiconductor chip immediately above the substrate is flip-chip connected to the surface of the substrate.
[0025]
The present invention has a substrate and a plurality of semiconductor chips stacked on the surface of the substrate, The substrate and the plurality of semiconductor chips are sealed with a sealing resin, In the plurality of semiconductor chips, the upper semiconductor chip is stacked so that at least part of the upper semiconductor chip protrudes from the lower semiconductor chip, and the upper semiconductor chip is below the portion of the lower semiconductor chip that protrudes, Separate from the sealing resin An electronic device is mounted with an electronic module that is filled with resin or paste and in which a semiconductor chip directly above the substrate is flip-chip connected to the surface of the substrate among a plurality of semiconductor chips.
[0026]
1 and 2 are schematic configuration diagrams of an electronic module as an embodiment of the present invention.
1A is a perspective view of the front side of the electronic module, FIG. 1B is a perspective view of the back side, and FIG. 2 is a cross-sectional view.
[0027]
In this electronic module 1, a first semiconductor chip 2 and a second semiconductor chip 3 are laminated, and the two laminated semiconductor chips are arranged on an interposer substrate 4, and the periphery thereof is sealed with a sealing resin 12. It is filled and configured.
[0028]
The first semiconductor chip 2 is bonded to the interposer substrate 4 via a die paste 5.
Similarly, the second semiconductor chip 3 is bonded to the first semiconductor chip 2 via the die paste 5. The second semiconductor chip 3 is smaller than the first semiconductor chip 2 in both length and width, and is sized to fit within the main surface of the first semiconductor chip 2.
[0029]
Further, pads 11 are formed on the upper surfaces of the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chip 3, respectively, and wires 10 are connected between the pads 11 and the lands 6 formed on the upper surface of the interposer substrate 4. Is electrically connected.
[0030]
A thin substantially disk-shaped electrode terminal 8 is formed on the lower surface of the interposer substrate 4, and a solder resist 7 is formed on portions other than the electrode terminal 8.
The solder resist 7 also has an action of preventing the solder from short-circuiting between the adjacent electrode terminals 8 when connecting to a mother substrate such as a printed circuit board by solder.
A reinforcing terminal 9 is formed on the outer edge of the lower surface to reinforce the solder connection between the electronic module 1 and a mother board (not shown).
The reinforcing terminals 9 are formed at the four corners of the interposer substrate 4 as shown in FIG. 1B, and only one of them has a quadrangular shape, which serves as a mark indicating the direction of the electronic module 1.
[0031]
Although not shown, a wiring is formed between the land 6 on the upper surface of the interposer substrate 4 and the electrode terminal 8 on the lower surface to be electrically connected.
This wiring can be constituted by, for example, a through hole penetrating the interposer substrate 4.
[0032]
Although the material of each part of the electronic module 1 is not specifically limited, For example, the following materials can be used.
For example, polyimide or glass epoxy can be used for the interposer substrate 4.
The die paste 5 can be a material usually used for die bonding, for example, an insulating paste in which an epoxy resin is filled with an inorganic filler.
The land 6 can be formed, for example, by performing gold plating on the pattern surface.
The wire 10 can be formed of, for example, a gold wire.
The pad 11 can be formed of aluminum, for example.
For the sealing resin 12, for example, an epoxy resin or other thermosetting resin can be used.
[0033]
According to the above-described electronic module 1 of the present embodiment, the two semiconductor chips 2 and 3 are stacked on the interposer substrate 4 so that the two semiconductor chips 52 and 53 shown in FIG. The area is reduced as compared with the electronic modules 51 arranged in a row.
Further, by stacking the two semiconductor chips 2 and 3, the degree of integration per unit area is improved.
[0034]
Further, since the electrode terminals 8 are all provided on the lower surface of the interposer substrate 4 instead of pulling out the lead frame to the outside like the above-mentioned QFP, the area is reduced as compared with the case where the lead frame is pulled out.
[0035]
The influence on the connection state between the mother board and the electronic module due to warpage or impact of the mother board becomes more significant as the area of the electronic module is larger.
According to the present embodiment, since the area of the electronic module 1 is reduced, this influence can be reduced, and therefore the reliability of connection with the mother board can be further improved.
[0036]
The electronic module 1 of the present embodiment can be manufactured as follows, for example.
First, an interposer substrate 4 having an area corresponding to a plurality of electronic modules 1 is prepared.
[0037]
The first semiconductor chip 2 is fixed on the interposer substrate 4 by mounting the first semiconductor chip 2 via the die paste 5 and heating and thermosetting the die paste 5.
Next, the pads 11 on the upper surface of the first semiconductor chip 2 and the lands 6 on the upper surface of the interposer substrate 4 are connected by wires 10.
[0038]
Next, the second semiconductor chip 3 is similarly mounted on the first semiconductor chip 2 via the die paste 5. Subsequently, the pads 11 on the upper surface of the second semiconductor chip 2 are connected to the lands 6 on the upper surface of the interposer substrate 4 by wires 10.
At this time, the second semiconductor chip 3 is mounted so as not to contact the wire 10 of the lower first semiconductor chip 2, and the wire 10 of the second semiconductor chip 3 is connected to the lower first semiconductor chip 1 and its The 10 loop shape of the wire is controlled so as not to contact the wire 10.
[0039]
Next, a sealing frame (not shown) having a thickness that hides all the wires 10 is attached to the interposer substrate 4.
[0040]
Thereafter, the sealing resin 12 is filled so that the semiconductor chips 2 and 3 and the wires 10 in the sealing frame are hidden.
Furthermore, after vacuum degassing, the sealing resin 12 is thermally cured.
[0041]
Finally, the above-described electronic module 1 can be formed by cutting the interposer substrate 4 into a single unit, that is, each electronic module 1 with a dicer.
Necessary electrical checks are performed on the manufactured electronic module 1.
[0042]
In the above manufacturing method, the interposer substrate 4 has an area corresponding to the plurality of electronic modules 1, but the sealing resin 12 may be provided separately for each electronic module 1. Alternatively, it may be formed in an area corresponding to the plurality of electronic modules 1 similarly to the interposer substrate 4.
When the sealing resin 12 is separated corresponding to each electronic module 1, the above-described sealing frame is formed in a lattice shape corresponding to each electronic module 1, and the sealing resin 12 is filled in each lattice. In this case, the cutting frame and the interposer substrate 4 are cut by the dicer.
When the sealing resin 12 is formed in an area corresponding to the plurality of electronic modules 1 similarly to the interposer substrate 4, the sealing frame is formed in a substantially square shape only at the outer edge of the interposer substrate 4. Resin 12 is integrally filled on the interposer substrate 4. In this case, the sealing resin 12 and the interposer substrate 4 are cut by the dicer.
[0043]
In the above-described manufacturing method, the second semiconductor chip 3 is attached after the wire 10 is connected to the first semiconductor chip 2. However, after the two semiconductor chips 2 and 3 are attached first, each semiconductor chip is attached. The wire 10 may be connected.
[0044]
In addition, about a manufacturing method, it is possible to apply another conventionally well-known technique.
[0045]
In the electronic module 1 according to the present embodiment, the interposer substrate 4 has terminals formed on both surfaces of a single-layer substrate. However, the terminals are formed only on the other surface, for example, the upper surface of the single-layer substrate. A configuration in which two or more substrates are stacked and wiring is passed between the layers can also be adopted.
[0046]
Further, the electrode terminal 8 may be formed into a ball shape like a so-called BGA (ball grid array) in addition to the above-described thin plate shape.
When the electrode terminal 8 is formed into a thin plate shape as described above, there is an advantage that the height when the electronic module 1 is connected to the mother board can be made lower than when the electrode terminal 8 is formed into a ball shape.
[0047]
In the electronic module 1 of the above-described embodiment, the upper second semiconductor chip 3 is configured to fit on the main surface of the lower first semiconductor chip 2. However, the upper semiconductor chip 3 is separated from the lower semiconductor chip. It can also be configured to protrude partially.
An embodiment in that case is shown below.
[0048]
FIG. 3 shows a schematic configuration diagram of an electronic module according to another embodiment of the present invention. 3A is a perspective view of the electronic module, and FIG. 3B is a plan view. In FIG. 3B, the wire 10 and the land 6 on the substrate 4 are omitted.
As shown in FIGS. 3A and 3B, the electronic module 21 has a configuration in which a substantially square second semiconductor chip 3 is stacked on a lower rectangular first semiconductor chip 2. A part of the semiconductor chip 3 protrudes from the first semiconductor chip 2 in the lower stage.
Hereinafter, the protruding portion is referred to as an overhang portion 3a.
[0049]
In the electronic module 21, one terminal of the pad 11 of the second semiconductor chip 3 is an overhang portion 3 a.
The pads 11 and the wires 10 are formed on two sides of the semiconductor chips 2 and 3 other than the overhang portion 3a.
[0050]
In addition, since the other structure is the same as that of the electronic module 1 of previous embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and duplication description is abbreviate | omitted.
[0051]
In order to bond the wire 10 to the pad (terminal) of the semiconductor chip, the ultrasonic wave and pressure are usually applied and thermocompression bonded, and the overhang portion 3a vibrates so that the ultrasonic wave is attenuated and bonded. Although the strength may be reduced or bonding may not be possible, it has been confirmed that there is no problem if the overhang portion 3a is about one terminal as in the electronic module 21.
[0052]
According to the electronic module 21 of the present embodiment, by forming the overhang portion 3a, it is possible to stack even if the upper and lower semiconductor chips 2 and 3 are of different shapes, and an optimal semiconductor chip suitable for the purpose can be obtained. The electronic module can be configured by selecting.
[0053]
By the way, when the overhang portion is enlarged, that is, when the upper semiconductor chip protrudes greatly from the lower semiconductor chip and is stacked, when a wire is formed by forming a pad on the overhang portion of the upper semiconductor chip. Since the ultrasonic wave is attenuated by the vibration of the overhang portion, the wire connection becomes unstable.
Therefore, the overhang portion 3a cannot be made too large.
As described above, even when the overhang portion is provided, the design conditions of the upper semiconductor chip are still limited.
[0054]
Therefore, in order to further increase the degree of freedom in the design conditions of the upper semiconductor chip, the gap in the overhang portion is filled.
Actually, bonding is performed after filling the gap by inserting a spacer or filling a resin, paste, or the like in the gap under the overhang portion.
An embodiment of the electronic module in that case will be described below.
[0055]
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of an electronic module provided with a spacer. 4A shows a perspective view of the electronic module, and FIG. 4B shows a method for stacking a plurality of semiconductor chips in a perspective view. In FIG. 4, wires connected to the pads 11 and lands on the substrate 4 are omitted. 4C and 4D show the manufacturing process in a plan view and a cross-sectional view.
[0056]
In the electronic module 22, the size and area of the upper second semiconductor chip 3 are sufficiently large as compared with the lower first semiconductor chip 2, and the upper second semiconductor chip 3 protrudes. A spacer 13 having a thickness substantially the same as that of the lower first semiconductor chip 2 is placed in the gap below the hang portion 3a.
[0057]
Then, as shown in FIG. 4B, spacers 13 are arranged on both sides of the first semiconductor chip 2 on the interposer substrate 4, and then the second semiconductor chip 3 on the upper stage is bonded.
[0058]
4 does not show the bonding method of the first semiconductor chip 2 in the lower stage, but bonding with a wire is performed if a pad is provided in a portion visible from below the second semiconductor chip 3 in the upper stage. be able to.
Also, flip-chip connection can be used as in the embodiments described later.
[0059]
When bonding a wire to a pad of a semiconductor chip, an ultrasonic wave and pressure are usually applied and thermocompression bonded.
According to the electronic module 22 of the present embodiment, in bonding to the overhang portion 3a, the pressure applied to the upper second semiconductor chip 3 is received by the spacer 13 to prevent vibration of the upper second semiconductor chip 3. Therefore, more stable and reliable bonding is possible.
[0060]
The same effect can be obtained by bonding the resin 13 or paste after filling the gap under the overhang portion instead of inserting the spacer 13.
[0061]
The resin or paste can be supplied simultaneously with the die paste, for example, by printing.
For example, as shown in FIG. 4C, when a resin or paste is printed on the substrate, a portion to be the spacer 13 and a portion to be the die paste 13 ′ are simultaneously formed by printing.
Next, as shown in FIG. 4D, the first semiconductor chip 2 is pressed onto the portion to become the die paste 13 'so that the upper surface of the first semiconductor chip 2 and the upper surface of the spacer 13 are at the same height. To do. On this surface, the second semiconductor chip 3 is attached as shown in FIG. 4B.
[0062]
Next, as another embodiment of the present invention, a schematic configuration diagram (cross-sectional view) of an electronic module using flip-chip connection is shown in FIG.
In the electronic module 31 of the present embodiment, the lower first semiconductor chip 2 is connected to the interposer substrate 4 by flip chip connection.
[0063]
As shown in FIG. 5, in the electronic module 31, stud bumps 14 are formed on the pads 11 on the lower surface of the lower first semiconductor chip 2, and the stud bumps 14 are arranged on the lands 15 on the upper surface of the interposer substrate 4. Further, the periphery is covered with a solder 16 and electrically connected.
[0064]
Further, in FIG. 5, a part of the through hole 17 serving as a wiring between the land 6 on the upper surface of the interposer substrate 4 and the electrode terminal 8 on the lower surface is illustrated. Similarly, the land 15 connected to the stud bump 14 is connected to the electrode terminal 8 by wiring.
[0065]
A sealing resin 12 is filled in a gap between the portion other than the stud bump 14 of the first semiconductor chip 2 and the interposer substrate 4.
The resin filled in the gap is not limited to the same resin as the sealing resin 12 of the entire electronic module 31.
[0066]
The upper second semiconductor chip 3 is electrically connected to the pad 11 on the upper surface thereof and the land 6 on the upper surface of the interposer substrate 4 by wires 10 in the same manner as the electronic module 1 of the above-described embodiment. It is connected.
Since other configurations are the same as those of the electronic module 1 of the above-described embodiment, the same reference numerals are given and redundant description is omitted.
[0067]
Instead of the stud bumps 14, other types of bumps such as solder bumps that are plated or wet-backed after deposition may be formed.
[0068]
According to the electronic module 31 of the present embodiment, by stacking the plurality of semiconductor chips 2 and 3 on the substrate 4, the area of the electronic module 31 can be reduced as in the previous embodiment. .
In this embodiment, since flip chip connection for mounting a semiconductor chip face down is used, the number of wires 10 can be reduced and the number of wires 10 can be reduced as compared with the case of bonding by wire connection. Therefore, the electronic module 31 can be reliably reduced in size.
[0069]
Further, in the case of only wire connection, all the lands 6 on the surface of the substrate 4 connected to the plurality of semiconductor chips 2 and 3 are extended to the outside of the semiconductor chips 2 and 3, and then the wiring formed on the substrate 4 It is necessary to bring in.
On the other hand, when the lower semiconductor chip 2 is flip-chip connected, bonding is performed on the lower surface of the semiconductor chip 2, so that the substrate wiring can be shortened accordingly.
In addition, restrictions on routing with the substrate wiring from the land 6 connected to the upper semiconductor chip 3 are reduced.
[0070]
The electronic module 31 of the above-described embodiment can be manufactured as follows, for example. The description of the steps common to the manufacture of the electronic module 1 of the above-described embodiment will be omitted.
[0071]
First, the stud bump 14 is formed in advance on the pad 11 on the lower surface of the first semiconductor chip 2 by using a wire.
Further, the cream solder 16 is supplied to the flip chip connecting land 15 on the upper surface of the interposer substrate 4 by screen printing.
[0072]
Next, the first semiconductor chip 2 is mounted with the surface with the stud bumps 14 facing down. At this time, alignment is performed so that each stud bump 14 rides on the corresponding land 15.
[0073]
Subsequently, the solder 16 is connected through a reflow furnace, and the flux is removed by washing, followed by drying.
[0074]
Next, a sealing resin, for example, an epoxy resin is supplied to one side of the first semiconductor chip 2, penetrates into the gap between the first semiconductor chip 2 and the interposer substrate 4, and is then cured by heating.
[0075]
Next, the second semiconductor chip 3 in the upper stage is mounted via the die paste 5, and the chip is fixed by heating and curing the paste.
Then, the pads 11 of the second semiconductor chip 3 and the lands 6 of the interposer substrate 4 are connected by wires 10.
[0076]
Thereafter, the electronic module 31 of the present embodiment can be manufactured through the same steps as described in the previous embodiment.
[0077]
In the above-described embodiment, the flip-chip connection is performed using the solder 16, but an embodiment using another connection method will be described below.
[0078]
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the electronic module.
The electronic module 32 has a configuration in which flip-chip connection is performed using the bonding material 18 instead of the solder 16 used in the electronic module 31 of the previous embodiment.
[0079]
As the bonding material 18, an anisotropic conductive film (ACF) or a resin that becomes an insulating adhesive can be used. As a resin that becomes an insulating adhesive, for example, a thermosetting resin such as an epoxy resin, or a thermoplastic resin with polyimide can be used.
The gap between the first semiconductor chip 2 and the interposer substrate 4 is filled with the bonding material 18 and bonded.
[0080]
Whichever material is used for the bonding material 18, similarly, after forming the bonding material 18 on the interposer substrate 4, the first semiconductor chip 2 is heated and pressed to be pressed, whereby the stud bump 14 and the land 15. And be connected.
[0081]
However, when an anisotropic conductive film is used as the bonding material 18, the fine conductive particles in the film are electrically connected so as to be sandwiched between the stud bump 14 and the land 15.
On the other hand, when the resin is used for the bonding material 18, the resin escapes around the connection portion so that the resin does not remain between the stud bump 14 and the land 15.
[0082]
When an anisotropic conductive film (ACF) is used for the bonding material 18, for example, the manufacturing is performed as follows.
An anisotropic conductive film equal to or larger than the size of the first semiconductor chip 2 is attached to the position where the first semiconductor chip 2 of the interposer substrate 4 is placed, and the cover film is peeled off.
[0083]
Next, the first semiconductor chip 2 is positioned and mounted so that each bump 14 rides on the corresponding land 15 with the surface on which the stud bump 14 is formed facing down. Subsequently, heat and pressure are applied to bring the bumps 14 and the lands 15 into contact with each other and the anisotropic conductive film is cured.
[0084]
Thereafter, the upper second semiconductor chip 3 is mounted via the die paste 5, and thereafter, the electronic module can be manufactured in the same manner as in the above-described embodiment.
[0085]
Moreover, when resin is used as the bonding material 18, for example, the manufacturing is performed as follows.
Resin paste is supplied to a position on the interposer substrate 4 where the first semiconductor chip 2 is placed. The resin supply method can be performed by screen printing as well as by a dispenser.
[0086]
Next, the first semiconductor chip 2 is positioned and mounted so that each bump 14 rides on the corresponding land 15 with the surface on which the stud bump 14 is formed facing down. Subsequently, the first semiconductor chip 2 is fixed by heating and thermosetting the resin paste.
[0087]
Thereafter, the upper second semiconductor chip 3 is mounted via the die paste 5, and thereafter, the electronic module 32 can be manufactured in the same manner as in the above-described embodiment.
[0088]
Next, as still another embodiment of the present invention, a schematic configuration diagram of still another electronic module using flip chip connection is shown in FIGS. 7A is a perspective view of the electronic module, FIG. 7B is a perspective view showing a method of stacking a plurality of semiconductor chips, and FIG. 8B is a cross-sectional view of the electronic module.
[0089]
The electronic module 33 has a configuration in which the four sides of the upper second semiconductor chip 3 protrude from the upper surface of the lower first semiconductor chip 2.
When the lower first semiconductor chip 2 is wire-connected, the pads of the semiconductor chip 2 need to be formed on the upper surface, and the upper semiconductor chip 3 may be configured to protrude from the four sides in order to connect the wires. However, by using the above-described flip-chip connection for the first semiconductor chip 2 in the lower stage, a configuration in which the four sides of the second semiconductor chip 3 in the upper stage protrude in this way can be obtained.
[0090]
Therefore, the degree of freedom in the design conditions of the upper second semiconductor chip 3 is improved.
As shown in FIG. 7, when the width of the overhang portion is small, connection is possible without providing a spacer or the like.
[0091]
When it is desired to increase the width of the overhang portion, the spacer 13 is inserted under the overhang portion or filled with resin, as in the electronic module 22 described above.
[0092]
Next, FIG. 9 shows a schematic configuration diagram (perspective view) of an electronic module in which three semiconductor chips are stacked as still another embodiment of the present invention.
[0093]
The electronic module 34 has a configuration in which three semiconductor chips are stacked.
That is, the first semiconductor chip 2, the second semiconductor chip 3, and the third semiconductor chip 20 are stacked.
The first semiconductor chip 2 is connected to the interposer substrate 4 by flip chip connection.
The second semiconductor chip 3 is electrically connected to the interposer substrate 4 by wires 10. The second semiconductor chip 3 has two sides protruding from the first semiconductor chip 2.
[0094]
The third semiconductor chip 20 is bonded onto the second semiconductor chip 3 via the die pace value 5 and is electrically connected to the interposer substrate 4 by the wire 10.
The third semiconductor chip 20 has a size partially retracted from the second semiconductor chip 3 and exposes the vicinity of the pad 11 for connecting the wire 10 on the upper surface of the second semiconductor chip 3. .
Thereby, the wire 10 can be connected to each of the second semiconductor chip 3 and the third semiconductor chip 20.
[0095]
According to the electronic module 34 of the present embodiment, even if the three semiconductor chips 2, 3, and 20 are provided, the area occupied by the electronic module 34 can be reduced by stacking these semiconductor chips. The degree of integration per area is further improved.
[0096]
As yet another embodiment of the present invention, FIG. 10 shows a schematic configuration diagram of another electronic module in which three semiconductor chips are stacked. FIG. 10A shows a perspective view of the electronic module, and FIG. 10B shows a method of stacking a plurality of semiconductor chips in a perspective view.
[0097]
This electronic module 35 has three semiconductor chips.
Two of the semiconductor chips, that is, the first semiconductor chip 41 and the second semiconductor chip 42 are both flip-chip connected to the upper surface of the interposer substrate 4 in parallel, and the remaining third semiconductor chip 43 is connected to these two semiconductor chips 43. In this configuration, the semiconductor chips 41 and 42 are stacked.
[0098]
The third semiconductor chip 43 is bonded to the upper surfaces of the first semiconductor chip 41 and the second semiconductor chip 42 via a die paste. Further, the pad 11 on the upper surface and the land 6 on the upper surface of the interposer substrate 4 are electrically connected by a wire 10.
[0099]
The three semiconductor chips 41, 42, and 43 have different main surface dimensions, the first semiconductor chip 41 has a rectangular main surface, and the second semiconductor chip 42 has a substantially square main surface. The third semiconductor chip 43 has a rectangular main surface and is large enough to accommodate the two lower semiconductor chips.
[0100]
As described above, the electronic module 35 can be configured by stacking the semiconductor chips 41, 42, and 43 having different sizes and shapes.
Thereby, even if various semiconductor chips are combined, an electronic module having a small area can be easily configured.
[0101]
FIG. 11 is a perspective view showing a method for stacking semiconductor chips in another configuration of an electronic module provided with spacers.
This electronic module 36 is a case where the second semiconductor chip 3 having an area approximately twice as large as that of the lower first semiconductor chip 2 is placed on the upper stage, and the size of the spacer 13 is the same as that of the lower first semiconductor chip 2. The areas are substantially the same.
Although not shown, the lower semiconductor chip 2 is connected to the substrate 4 by flip chip connection.
[0102]
By comprising in this way, the semiconductor chips 2 and 3 from which an area differs greatly can be laminated | stacked.
[0103]
FIG. 12 is a perspective view showing a semiconductor chip stacking method in still another configuration of the electronic module provided with the spacer.
In the electronic module 37, a lower first semiconductor chip 41 and a second semiconductor chip 42 are arranged in parallel at a distance from each other, and a spacer 13 is inserted between the two semiconductor chips 41 and 42.
The upper third semiconductor chip 43 is placed on the two semiconductor chips 41 and 42 and the spacer 13.
Although not shown, the lower semiconductor chips 41 and 42 are connected to the substrate 4 by flip chip connection.
[0104]
That is, the electronic module 37 has a structure in which the spacer 13 is further provided to the electronic module 35 shown in FIG.
By providing the spacer 13, the degree of freedom of arrangement of the pads 11 of the upper semiconductor chip 43 is increased, and the spacer 13 can absorb pressure during bonding.
[0105]
In each of the above-described embodiments, the electronic module is configured with only a semiconductor chip as the electronic component. However, a more functional electronic module is configured by combining a plurality of semiconductor chips and general electronic components. You can also
The case is shown below.
[0106]
FIGS. 13 and 14 are schematic configuration diagrams of an electronic module in which other electronic components of a semiconductor chip are mixedly mounted as still another embodiment of the present invention. 13 is a perspective view, and FIG. 14 is a cross-sectional view taken along line XX in FIG.
[0107]
In the electronic module 40, the first semiconductor chip 2 and the second semiconductor chip 3 are stacked on the interposer substrate 4.
The lower first semiconductor chip 2 is connected to the land 15 on the upper surface of the interposer substrate 4 by flip chip connection, and the periphery of the stud bump 14 in the connection portion is soldered, as in the electronic module 31 previously shown in FIG. 16 is connected.
[0108]
In the electronic module 40 of the present embodiment, general electronic components 19 are arranged and connected particularly on the interposer substrate 4 around the two semiconductor chips 2 and 3. The electronic component 19 is disposed in the vicinity of the wire 10 that electrically connects the upper second semiconductor chip 3. The land 15 under the electronic component 19 is connected to the electrode terminal 8 on the lower surface of the interposer substrate 4 through the illustrated through hole 17.
[0109]
Other configurations are the same as those of the electronic module 31 previously shown in FIG.
[0110]
And as this general electronic component 19, it is possible to arrange a small chip-like element, a resistance element, a capacitor, or the like.
The electronic component 19 having a relatively small area compared to the semiconductor chips 2 and 3 can be mounted in this way.
[0111]
Furthermore, in the electronic module 40 of the present embodiment, the solder 16 is used around the flip-chip connection portion, so that it can be easily mixed with the general electronic component 19 and can be modularized. .
[0112]
When solder connection is not used, mounting of the general electronic component 19 is a separate process.
At this time, if the lower semiconductor chip 2 is first attached to the substrate 4, solder printing for a general electronic component 19 becomes difficult.
On the other hand, if the solder connection of the general electronic component 19 is performed first, the electronic component becomes an obstacle when a thin semiconductor chip is mounted.
For this reason, the surrounding electronic component 19 is disposed away from the semiconductor chips 2 and 3, and the operation of cleaning dust and excess flux after mounting the general component 19 before mounting the lower semiconductor chip 2 is performed. I need it.
[0113]
Therefore, the electronic module 40 mixed with other general electronic components 19 can be easily manufactured by using the solder connection.
[0114]
When the electronic component 19 is thinner than the lower semiconductor chip 2, it is possible to overhang the upper semiconductor chip 3 and arrange the electronic component 19 under the overhang portion.
In this case, since a spacer or the like cannot be disposed under the overhang portion, the pad 11 for the wire 10 is mainly disposed in a portion other than the overhang portion.
[0115]
According to the electronic module 40 of the present embodiment, in addition to the semiconductor chips 2 and 3, general electronic components 19 can also be soldered together by reflow, and a circuit around the semiconductor chip can be taken in and functional electronic A module 40 can be formed.
[0116]
The electronic module 40 of the present embodiment can be manufactured as follows, for example. Note that the description of the same steps as those in the previous embodiment is omitted.
[0117]
The cream-like solder 16 is supplied to the flip chip connecting land 15 on the upper surface of the interposer substrate 4 by screen printing.
[0118]
Next, cream-like solder is supplied to the connecting lands 15 of the general electronic component 19 by screen printing.
At this time, the substrate 4 side of the metal screen is removed by etching so that the previously printed solder 16 for flip chip connection is not crushed.
[0119]
Subsequently, a general electronic component 19 is mounted on the interposer substrate 4 in alignment.
[0120]
Thereafter, the first semiconductor chip 2 and the third semiconductor chip 3 are sequentially mounted, and the electronic module 40 can be manufactured in the same manner as in the above-described embodiment.
[0121]
In the present invention, the combination of the types of the plurality of semiconductor chips is arbitrary, and the same type of semiconductor chips may be combined or different types of semiconductor chips may be combined.
[0122]
As the types of semiconductor chips, memory elements such as ROM, SRAM, DRAM, and flash memory, control elements / arithmetic elements such as CPU and MPU, or other elements can be used.
[0123]
Here, an electronic device 100 such as a mobile phone as shown in FIG. 15 can be configured by mounting an electronic module configured by stacking a plurality of semiconductor chips as in the above-described embodiments. .
Since the electronic module 101 having a small area and a plurality of semiconductor chips and having a high degree of integration is mounted as described above, the electronic device 100 having a small size and a high function can be configured.
Moreover, since the electronic module 101 has high reliability as described above, the reliability of the electronic device 100 is also high.
[0124]
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various other configurations can be taken without departing from the gist of the present invention.
[0125]
【The invention's effect】
According to the above-described present invention, by stacking a plurality of semiconductor chips, the area of the electronic module can be significantly reduced as compared with the case where the plurality of semiconductor chips are arranged in a plane.
Therefore, the degree of integration per unit area can be improved.
[0126]
And since the area of the electronic module is reduced, the influence on the connection state between the mother board and the electronic module due to warpage or impact of the mother board can be reduced, and the reliability of the connection with the mother board is further improved Can be made.
[0127]
Also, flip the lower semiconductor chip directly above the substrate By connecting, There is no restriction on the size of the upper semiconductor chip placed thereon, and the degree of freedom in design is improved.
Furthermore, since the space for wire connection of the lower semiconductor chip is not required, the area of the electronic module can be further reduced.
In addition, the substrate wiring can be shortened, and the restrictions on the arrangement of the substrate wiring can be reduced.
[0128]
In addition, a configuration in which the upper semiconductor chip is stacked so that at least a part thereof protrudes from the lower semiconductor chip By Even if the upper and lower semiconductor chips have irregular shapes, they can be stacked, and an electronic module can be configured by selecting an optimal semiconductor chip suitable for the purpose.
[0129]
Furthermore, under the part where the upper semiconductor chip protrudes from the lower semiconductor chip, By having a configuration filled with resin and paste, Bonding When While being able to receive such a pressure, it has the function of preventing the ultrasonic waves from escaping (attenuating), thereby enabling more stable and reliable bonding.
[0133]
In addition, by mounting an electronic module configured by stacking a plurality of semiconductor chips to configure an electronic device, a small and highly functional electronic device can be configured. And since the reliability of an electronic module is high, the reliability of an electronic device also becomes high.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an electronic module according to an embodiment of the present invention.
It is a perspective view of A surface side.
B is a perspective view of the back side.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the electronic module of FIG.
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of an electronic module according to another embodiment of the present invention.
It is A perspective view.
B is a plan view.
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of an electronic module provided with a spacer.
It is A perspective view.
B is a perspective view showing a method for stacking a plurality of semiconductor chips. FIG.
FIG. 4D is a plan view and a cross-sectional view showing a manufacturing process of the electronic module of FIG. 4A.
FIG. 5 is a schematic configuration diagram (cross-sectional view) of an electronic module using flip-chip connection.
FIG. 6 is a schematic configuration diagram (cross-sectional view) of another electronic module using flip-chip connection.
FIG. 7 is a schematic configuration diagram of still another electronic module using flip-chip connection.
It is A perspective view.
B is a perspective view showing a method for stacking a plurality of semiconductor chips. FIG.
8 is a cross-sectional view of the electronic module of FIG.
FIG. 9 is a schematic configuration diagram (perspective view) of an electronic module in which three semiconductor chips are stacked.
FIG. 10 is a schematic configuration diagram of another electronic module in which three semiconductor chips are stacked.
It is A perspective view.
B is a perspective view showing a method for stacking a plurality of semiconductor chips. FIG.
FIG. 11 is a perspective view showing a method of stacking semiconductor chips in another configuration of an electronic module provided with a spacer.
FIG. 12 is a perspective view showing a method of stacking semiconductor chips in still another configuration of an electronic module provided with a spacer.
FIG. 13 is a schematic configuration diagram (perspective view) of an electronic module in which other electronic components of a semiconductor chip are mixedly mounted.
14 is a cross-sectional view of the electronic module of FIG.
FIG. 15 is a diagram illustrating a state where an electronic module is mounted on an electronic device.
FIG. 16 is a cross-sectional view of an electronic module in which two semiconductor chips are arranged.
[Explanation of symbols]
1, 2, 22, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 40, 101 Electronic module, 2, 41 First semiconductor chip, 3, 42 Second semiconductor chip, 4 Interposer substrate, 5 Die paste, 6, 15 lands, 7 solder resist, 8 electrode terminals, 9 reinforcing terminals, 10 wires, 11 pads, 12 sealing resin, 13 spacers, 14 stud bumps, 16 solder, 17 through holes, 18 bonding materials, 19 Electronic parts 20, 43 Third semiconductor chip, 100 Electronic equipment

Claims (2)

基板と、前記基板の表面上に積層された複数の半導体チップとを有し、
前記基板及び前記複数の半導体チップが、封止樹脂により封止され、
前記複数の半導体チップにおいて、上の半導体チップが下の半導体チップから少なくとも一部がはみ出して積層されており、前記上の半導体チップが前記下の半導体チップからはみ出した部分の下に、前記封止樹脂とは別体の樹脂又はペーストが充填されており、
前記複数の半導体チップのうち、前記基板の直上の前記半導体チップが前記基板の表面とフリップチップ接続されている
電子モジュール。
A substrate and a plurality of semiconductor chips stacked on the surface of the substrate;
The substrate and the plurality of semiconductor chips are sealed with a sealing resin,
In the plurality of semiconductor chips, the semiconductor chips of the upper are stacked protrudes at least partially from the bottom of the semiconductor chip, the lower part of the upper semiconductor chip protrudes from the lower semiconductor chip, the sealing Filled with a resin or paste separate from the resin,
An electronic module in which the semiconductor chip directly above the substrate is flip-chip connected to the surface of the substrate among the plurality of semiconductor chips.
基板と、前記基板の表面上に積層された複数の半導体チップとを有し、前記基板及び前記複数の半導体チップが、封止樹脂により封止され、前記複数の半導体チップにおいて、上の半導体チップが下の半導体チップから少なくとも一部がはみ出して積層されており、前記上の半導体チップが前記下の半導体チップからはみ出した部分の下に、前記封止樹脂とは別体の樹脂又はペーストが充填されており、前記複数の半導体チップのうち、前記基板の直上の前記半導体チップが前記基板の表面とフリップチップ接続されている電子モジュールを搭載してなる
電子機器。
A substrate and a plurality of semiconductor chips stacked on the surface of the substrate, wherein the substrate and the plurality of semiconductor chips are sealed with a sealing resin; Is stacked so that at least part of the upper semiconductor chip protrudes from the lower semiconductor chip, and a resin or paste separate from the sealing resin fills the portion of the upper semiconductor chip that protrudes from the lower semiconductor chip. An electronic device in which an electronic module in which the semiconductor chip directly above the substrate is flip-chip connected to the surface of the substrate among the plurality of semiconductor chips is mounted.
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