JP4222339B2 - 表示パネル及びその表示パネルを備えた電子機器 - Google Patents
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- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 34
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 23
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 12
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- UPGUYPUREGXCCQ-UHFFFAOYSA-N cerium(3+) indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[In+3].[Ce+3] UPGUYPUREGXCCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 325
- 239000010408 film Substances 0.000 description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 18
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 18
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 18
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 8
- 229910021387 carbon allotrope Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- -1 TiO x Chemical compound 0.000 description 3
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000003738 black carbon Substances 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSNUFIFRDBKVIE-UHFFFAOYSA-N DMF Natural products CC1=CC=C(C)O1 GSNUFIFRDBKVIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- FHKPLLOSJHHKNU-INIZCTEOSA-N [(3S)-3-[8-(1-ethyl-5-methylpyrazol-4-yl)-9-methylpurin-6-yl]oxypyrrolidin-1-yl]-(oxan-4-yl)methanone Chemical compound C(C)N1N=CC(=C1C)C=1N(C2=NC=NC(=C2N=1)O[C@@H]1CN(CC1)C(=O)C1CCOCC1)C FHKPLLOSJHHKNU-INIZCTEOSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 239000003097 hole (electron) Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 229940025656 proin Drugs 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
本発明は上記のような問題を解決するとともに、表示パネルにおける新たな低反射構造の提案、及び従来から知られている低反射構造の更なる改善を行って、屋外においても視認性を高めることができる表示用パネル及びそれを利用した機器を得ることを目的とする。
図1は本発明の参考例1に係る表示用パネルの構成を表すための一部の断面図である。図1において1は基板である。本参考例では、基板1には制御素子(駆動素子)となる薄膜トランジスタ(以下、TFT(Thin Film Transistor)という)を設けた半導体膜が付けられているものとする。
図8、図9は本発明の参考例2に係る表示用パネルの構成を表す一部の断面図である。これらの図において、図1と同じ符号を付しているものは参考例1で説明したものと同一物又は相当物であるので説明を省略する。参考例2は、参考例1の封止膜8に代えて、同じく封止材として機能する樹脂又はガラスなどの透明な封止板8Aを用い、発光層と発光層との間、すなわち隔壁7に対向する封止板8Aの領域に外部から入射する光の反射を低減させる低反射化層を形成したものである。従って、参考例2では、第1低反射層3と第2低反射層4からなる低反射層を、隔壁底部にまで延長して形成しなくてもよい。なお、上記低反射化層は、カーボンブラック、カーボン、カーボン同素体、あるいは酸化クロムなどからなる黒色層か、あるいは先述した第1低反射層と第2低反射層と同様な構成の低反射層からなる。
図10、図11は本発明の参考例3に係る表示用パネルの構成を表す一部の断面図である。これらの図において、図1と同じ符号を付しているものは参考例1で説明したものと同一物又は相当物であるので説明を省略する。この参考例3は、画素間の光反射抑制のため、隔壁7の頂面に低反射化層を形成したものである。すなわち、参考例1,2のように隔壁の底部や封止材に低反射化層を設ける代わりに、隔壁7の表面に低反射化層を形成したものである。従って、参考例3でも、第1低反射層3と第2低反射層4からなる低反射層を、隔壁底部にまで延長して形成する必要はない。なお、上記低反射化層は、カーボンブラック、カーボン、カーボン同素体などからなる黒色層か、あるいは先述した第1低反射層3と第2低反射層4と同様な構成の低反射層からなる。また、必要に応じて、隔壁7の側面に対しても低反射化層を形成してもよいが、絶縁性が必要なため上記低反射層は用いない。
図12、図13は本発明の実施の形態1に係る表示用パネルの構成を表す一部の断面図である。これらの図において、図1と同じ符号を付しているものは参考例1で説明したものと同一物又は相当物であるので説明を省略する。実施の形態1は、基板1とEL層5との間に、参考例1〜3で採用した第1低反射層3と第2低反射層4からなる低反射層に代えて、光反射抑制のための黒色層を形成したものである。そして、隔壁の頂面に光反射抑制のための低反射化層を形成したものである。なお、上記低反射化層は、カーボンブラック、カーボン、カーボン同素体などからなる黒色層か、あるいは先述した第一低反射層と第二低反射層と同様な構成の低反射層からなる。また、必要に応じて、隔壁7の側面に対しても低反射化層を形成してもよいが、そこには絶縁性が必要なため上記低反射層は用いない。
Claims (9)
- 基板上に陽極と陰極とを構成する電極が対向して形成されており、前記陽極と前記陰極との間に画素となる発光層を複数備え、前記基板と反対側が表示画面となる表示パネルであって、前記各発光層間に隔壁が設けられているものにおいて、
前記基板と前記発光層との間に黒色層を形成し、
前記隔壁の頂面に、チタンから構成される第一低反射層とインジウム合金又はガリウム合金から構成される第二低反射層とを積層してなる低反射層を形成したことを特徴とする表示パネル。 - 基板上に陽極と陰極とを構成する電極が対向して形成されており、前記陽極と前記陰極との間に画素となる発光層を複数備え、前記基板と反対側が表示画面となる表示パネルであって、前記各発光層間に隔壁が設けられているものにおいて、
前記基板と前記発光層との間及び前記隔壁の頂面に黒色層を形成したことを特徴とする表示パネル。 - 基板上に陽極と陰極とを構成する電極が対向して形成されており、前記陽極と前記陰極との間に画素となる発光層を複数備え、前記基板と反対側が表示画面となる表示パネルであって、前記各発光層間に隔壁を有し、前記発光層の表示面側に配置されて前記発光層を封止する封止材を備えたものにおいて、
前記基板と前記発光層との間に黒色層を形成し、
前記封止材の前記隔壁と対向する部分に黒色層を形成したことを特徴とする表示パネル。 - 基板上に陽極と陰極とを構成する電極が対向して形成されており、前記陽極と前記陰極との間に画素となる発光層を複数備え、前記基板と反対側が表示画面となる表示パネルであって、前記各発光層間に隔壁を有し、前記発光層の表示面側に配置されて前記発光層を封止する封止材を備えたものにおいて、
前記基板と前記発光層との間に黒色層を形成し、
前記封止材の前記隔壁と対向する部分に、チタンから構成される第一低反射層とインジウム合金又はガリウム合金から構成される第二低反射層とを積層してなる低反射層を形成したことを特徴とする表示パネル。 - 前記隔壁の側面に、絶縁性を有する黒色層を形成したことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の表示パネル。
- 前記チタンから構成される第一低反射層が、酸化チタン、窒化チタン、チタンタングステン合金のいずれかからなる層であることを特徴とする請求項1又は4のいずれかに記載の表示パネル。
- 前記インジウム合金から構成される第二低反射層が、インジウム酸化錫、インジウム酸化セリウム、インジウム酸化亜鉛のいずれかからなる層であることを特徴とする請求項1又は4のいずれかに記載の表示パネル。
- 前記第一低反射層としてチタンが100〜400nm形成され、前記第二低反射層としてインジウム酸化錫が60〜100nm形成されていることを特徴とする請求項1又は4のいずれかに記載の表示パネル。
- 請求項1から8のいずれかに記載の表示パネルを備え、該表示パネルに表示機能を行わせることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005147733A JP4222339B2 (ja) | 2002-10-03 | 2005-05-20 | 表示パネル及びその表示パネルを備えた電子機器 |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002291164 | 2002-10-03 | ||
JP2002378852 | 2002-12-27 | ||
JP2002378850 | 2002-12-27 | ||
JP2002378851 | 2002-12-27 | ||
JP2003010732 | 2003-01-20 | ||
JP2005147733A JP4222339B2 (ja) | 2002-10-03 | 2005-05-20 | 表示パネル及びその表示パネルを備えた電子機器 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003196237A Division JP3705283B2 (ja) | 2002-10-03 | 2003-07-14 | 表示パネル及びその表示パネルを備えた電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005235790A JP2005235790A (ja) | 2005-09-02 |
JP4222339B2 true JP4222339B2 (ja) | 2009-02-12 |
Family
ID=35018467
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005147733A Expired - Fee Related JP4222339B2 (ja) | 2002-10-03 | 2005-05-20 | 表示パネル及びその表示パネルを備えた電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4222339B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101688674B (zh) * | 2007-06-12 | 2012-01-04 | 大金工业株式会社 | 湿度调节装置 |
CN101688676B (zh) * | 2007-06-12 | 2012-01-04 | 大金工业株式会社 | 湿度调节装置 |
JP7109672B2 (ja) | 2019-06-19 | 2022-07-29 | 三菱電機株式会社 | 熱交換型換気装置 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5160754B2 (ja) | 2006-01-31 | 2013-03-13 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | El装置 |
KR101504117B1 (ko) * | 2013-11-14 | 2015-03-19 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 |
CN113299850B (zh) * | 2021-05-08 | 2022-08-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、显示面板的制作方法和显示装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61284092A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-15 | アルプス電気株式会社 | 薄膜el表示素子 |
CA2275542A1 (en) * | 1996-12-23 | 1998-07-02 | The Trustees Of Princeton University | An organic light emitting device containing a protection layer |
JP3931489B2 (ja) * | 1998-09-01 | 2007-06-13 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示用基板の製造方法 |
DE69922922T2 (de) * | 1998-09-17 | 2005-05-19 | Seiko Epson Corp. | Verfahren zur herstellung einer elektrolumineszensvorrichtung |
JP2000235891A (ja) * | 1998-12-14 | 2000-08-29 | Toray Ind Inc | 有機電界発光装置 |
JP2001351777A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Rohm Co Ltd | 有機el表示装置 |
-
2005
- 2005-05-20 JP JP2005147733A patent/JP4222339B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101688674B (zh) * | 2007-06-12 | 2012-01-04 | 大金工业株式会社 | 湿度调节装置 |
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JP7109672B2 (ja) | 2019-06-19 | 2022-07-29 | 三菱電機株式会社 | 熱交換型換気装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005235790A (ja) | 2005-09-02 |
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