JP4222074B2 - Circuit board manufacturing method and manufacturing apparatus - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路基板の製造方法およびその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の回路基板の製造方法においては、可撓性フィルムは保護フィルムであり、可撓性フィルムが剥離されたリジット基板が回路の形成される基板であった。したがって、可撓性フィルムの剥離は、確実に可撓性フィルムを剥離することに主眼が置かれており、可撓性フィルム自身の品位を保って剥離することは全く留意されていなかった。
【0003】
近年、可撓性フィルムを補強板に貼り合わせ、寸法精度を維持する事で、非常に微細な回路パターンを形成し、その後ICチップなどの電子部品を実装することが提案されている(例えば、特許文献1参照)。この技術は電子部品が実装された可撓性フィルムは、補強板から剥離して使用されるが、補強板から可撓性フィルムを剥離するときの静電気が大きいと可撓性フィルム上に搭載された電子部品が破壊される恐れがある。また、静電気の発生により微細な回路が放電で破断したり、帯電によりフィルムが扱いにくくなる、ゴミが吸着しやすくなる等の問題をもたらし、生産歩留まりを低下させる要因となる。したがって、可撓性フィルムに極力静電気帯電を発生させずに剥離することが求められている。
【0004】
一方、静電気帯電を抑えて可撓性フィルムを剥離する方法としては、イオナイザー等によりイオン化したエアーを吹き付ける方法が知られている(例えば、特許文献2参照)。また、剥離工程を仕切られた空間で行ない、常に湿度60%RH以上に設定する方法(例えば、特許文献3参照)が提案されている。しかし、これらの方法では、剥離によって順次現れる剥離界面は可撓性フィルムと補強板とに挟まれた極めて狭い空間の奥にあり、剥離進行中に静電気の帯電を抑えるのに十分なイオン化エアーまたは水蒸気を供給していくことは難しい。
【0005】
【特許文献1】
国際公開第03/009657号パンフレット
【0006】
【特許文献2】
特開2002−69395号公報(第2頁)
【0007】
【特許文献3】
特開2000−26019号公報(第3頁)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、剥離時の可撓性フィルムの帯電発生を抑えることにより、実装された電子部品への静電気による損傷を抑えることが可能な剥離方法および剥離装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、(1)補強板に剥離可能な有機物層を介して貼り付けられた回路パターンを有する可撓性フィルムを補強板から剥離する回路基板の製造方法であって、補強板と可撓性フィルムの間に液体を存在させて、補強板と可撓性フィルムを剥離することを特徴とする回路基板の製造方法。
(2)液体の供給をノズルで行うことを特徴とする(1)記載の回路基板の製造方法。
(3)回路パターンに電子部品が接合されていることを特徴とする(1)記載の回路基板の製造方法。
(4)補強板に剥離可能な有機物層を介して貼り付けられた可撓性フィルムの貼り合わせ面とは反対面に回路パターンを形成した後、可撓性フィルムを剥離する回路基板の製造装置であって、補強板と可撓性フィルムの間に液体を供給する手段を有することを特徴とする回路基板の製造装置。
(5)液体を供給するためのノズルと、可撓性フィルムを保持する保持手段と、補強板を固定する手段と、液体を入れる容器と、容器内に可撓性フィルムと補強板を固定させる固定手段を有することを特徴とする(4)記載の回路基板の製造装置。
【0010】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の一態様である剥離装置1の概略正面図、図2は本発明の別の態様である剥離装置20の概略正面図である。
【0011】
まず、図1の剥離装置1について説明する。可撓性フィルム6を剥離可能な有機物層5を介して補強板に接着した可撓性フィルム基板7(可撓性フィルム6、剥離可能な有機物層5、補強板4の総称)を用いて、補強板4から可撓性フィルム6を剥離する剥離装置1がある。剥離装置1は、液体3で満たされる容器2、可撓性フィルム6を補強板4から剥離する剥離ユニット12より構成される。
【0012】
容器2は内部に剥離ユニット12を有し、可撓性フィルム6と補強板4の剥離位置が液体中に位置するように液体3が満たされる。
【0013】
剥離ユニット12は剥離用ロール8、剥離時に可撓性フィルム基板7の非貼り付け部分の補強板を保持する基板固定用ロール10、可撓性フィルム保持部11、可撓性フィルム移動用ベルト13、ベルト駆動用ロール9より構成されている。可撓性フィルム移動用ベルト13は図示しない駆動源により回転するベルト駆動用ロール9によって回転し、可撓性フィルム基板7を移動させる。剥離完了後、補強板4、可撓性フィルム6は基板移動用ベルト13や図示しない移載手段により次の工程に移載させる。剥離用ロール8、基板固定用ロール10、基板移動用ベルト13は図示しない駆動源により各々独立に回転させることができ、補強板4と可撓性フィルム6の剥離位置が一定であるように同期制御が行われる。可撓性フィルム保持部11は剥離用ロール8の一端に設置され、可撓性フィルム6の端部をかぎ型に保持するものである。可撓性フィルム保持部11は、図示しない駆動源により可撓性フィルム保持部11のかぎ型部と剥離用ロール8との間を小さくするように動作し、可撓性フィルム保持部11のかぎ型部と剥離用ロール8で可撓性フィルム6を挟み込むことにより、剥離用ロール8の一端に可撓性フィルム6を保持する。剥離完了後、可撓性フィルム保持部11は可撓性フィルム6を解放し、基板移動用ベルト13に移載する。剥離用ユニット12は、容器2内を昇降自由に取り付けられており、図示しない駆動源により自在に昇降できる。フィルム保持部11のかぎ型部のかわりに両面テープなどを用いることも可能である。
【0014】
図1に示す剥離装置1を用いた可撓性フィルム6の剥離方法について説明する。
【0015】
剥離用ユニット12を最高点まで上昇させた後に、図示しない移載手段により、可撓性フィルム基板7を基板移動用ベルト13に載置させる。続いて、可撓性フィルム基板7を基板移動用ベルト13に載置させた状態で、所定の高さまで下降させる。その後、基板移動用ベルト13を回転させて可撓性フィルム基板6を移動させ、基板固定用ロール10で挟みこめる位置まで移動させ、基板固定用ロール10で挟み込んで固定する。続いて、基板固定用ロール10および基板移動用ベルト13を回転させて可撓性フィルム保持部11でフィルム保持が可能な位置まで移動させ、可撓性フィルム保持部11により剥離用ロール8にフィルムを保持させる。このとき、基板進行方向の先端側で、可撓性フィルムの一部がはみ出していることが、可撓性フィルムを保持部11によって保持しやすい点で好ましい。また、可撓性フィルム基板7の固定方法として、基板進行方向幅方向を棒状のもので抑える方法も有効である。その後、剥離用ロール8、基板移動用ベルト13、基板固定用ロール10を剥離位置が一定になるように同期して回転させて、補強板4を移動させながら可撓性フィルム7を剥離用ロールで剥離し、巻き取る。剥離が完了したら、所定の位置まで基板移動用ロール9を上昇させ、補強板4を次の工程に移載させる。また、可撓性フィルム6を可撓性フィルム保持部11より解放させ基板移動用ベルト13に載置する。その後、基板移動用ベルト13により可撓性フィルム6を移動させ、可撓性フィルム6を次の工程に移載する。続いて、以降同じ動作を繰り返して、次の可撓性フィルム基板7の剥離を行う。
【0016】
次に本発明の別の態様として図2に記載した剥離装置20について説明する。剥離装置20は、容器22、液体の吹きつけ部21、可撓性フィルム6を補強板4から剥離する剥離ユニット12より構成される。
【0017】
液体の吹きつけ部21は、補強板4と可撓性フィルム6の間に液体が入るよう供給する。剥離が進行しつつある部位に供給することも好ましく、この場合出方向を調整し、また放出圧力を調整する。
【0018】
容器22は、プロセス室の環境に影響を及ぼさないことを目的として設けられ、可撓性フィルム基板搬入口23、可撓性フィルム基板搬出口24は、可撓性フィルム基板7の大きさに合わせて調整する。排液口25の形状は排液速度が液体の吹きつけ部21の液体26の放水速度より大きくなるように適宜決定される。
【0019】
次に、剥離装置20を用いた可撓性フィルム6の剥離方法について説明する。可撓性フィルム基板7を可撓性フィルム基板入り口23より投入し、基板移動用ベルト13で移動させ、基板固定用ロール10で挟みこめる位置まで移動させ、基板固定用ロール10と基板移動用ベルト13とで挟み込んで固定する。続いて、基板固定用ロール10により可撓性フィルム保持部11によるフィルム保持が可能な位置まで移動させ、可撓性フィルム保持部11にフィルムを保持させる。この時、液体の吹きつけ部21より液体26の放出を始める。その後、剥離用ロール8、基板移動用ベルト13、基板固定用ロール10を剥離位置が一定になるように同期して回転させて、補強板4を移動させながら可撓性フィルム6を剥離用ロール8で剥離し、巻き取る。剥離が進行している間も、液体の吹きつけ部21からの放出により、剥離部分の補強板4と可撓性フィルム6の間に液体26が供給されている。剥離が完了したら、液体の吹きつけ部21より放出を止める。基板移動用ベルト13の上の補強板4を次の工程に移載させる。また、可撓性フィルム6を可撓性フィルム保持部11より解放させ基板移動用ベルト13に載置する。その後、基板移動用ベルト13により可撓性フィルム6を移動させ、可撓性フィルム6を次の工程に移載する。続いて、以降同じ動作を繰り返して、次の可撓性フィルム基板7の剥離を行う。
【0020】
なお、ICチップ等の電子部品が搭載されている場合は、図3に示すように、電子部品31が干渉しないように、剥離用ロール8には電子部品収納凹部30が設けられていることが好ましい。電子部品収納凹部30のサイズ変更は、アダプターを設けることで行っても良い。
【0021】
本発明は可撓性フィルムの帯電を制御するだけでなく、帯電があったとしても可撓性フィルムと補強板との間で放電に至らしめることが無く、放電による電子部品や配線の破損を防止できる。すなわち、正負の電荷が剥離直後の補強板と可撓性フィルムの狭隘な間隙を挟んで相対するときに、補強板と可撓性フィルムの狭隘な間隙にコンデンサが形成される。相対する正負の電荷量が同じである場合、間隙に現れる電圧はコンデンサの容量の大きさに反比例し、さらに容量の大きさは間隙にある物質の比誘電率に比例する。そのため、現れる電圧は間隙にある物質の比誘電率に反比例する。よって、液体の比誘電率が空気の比誘電率よりも大きいために、本発明では間隙に現れる電圧を小さくできて放電の発生を防止できるのである。
【0022】
本発明で用いる液体3は取り扱い易さや補強板4、可撓性フィルム6、剥離可能な有機物層5にダメージを与えない点などで水が好ましい。表面張力を下げる、導電性を向上させるなどの目的で、液体に添加物があってもよい。十分な導電性を示し、剥離によって発生した電荷を速やかに流すことができるように液体の体積抵抗は18MΩ・cm以下が好ましく、液体自体の帯電を減少させるために液体の体積抵抗値は1MΩ・cm以下であることがさらに好ましい。表面張力を下げる目的で加える添加物としては、n―ヘプタン、エチルエーテル、ヘキサン、アセトン、メタノール、エタノールなどの表面張力が小さいものが好ましい。導電性を向上させる目的で加える添加物としては、テトラクロロエチレン、ギ酸メチル、ギ酸プロピル、ギ酸イソブチル、プルピオン酸エチル、安息香酸メチル、スクシノニトリル、二硫化炭素、2−エトキシエタノール、トリエチレングリコール、2−エトキシエチルアセタート、サノ酢酸エチルなどが好ましい。また、液体に炭酸ガスを注入することも好ましい。
【0023】
本発明に使用する補強板4は、ソーダライムガラス、ホウケイ酸系ガラス、石英ガラス、などの無機ガラス類からなる板、アルミナ、窒化シリコン、ジルコニアなどのセラミックス、ステンレススチール、インバー合金、チタンなどの金属やガラス繊維補強樹脂からなる板など、線膨張係数や吸湿膨張係数が小さいものが好ましい。さらに、耐熱性、耐薬品性に優れている点、大面積で表面平滑性が高く基板が安価に入手しやすい点、搬送装置などとの接触によりパーティクルを発生しにくい点、絶縁体で電解めっきによる析出が無い点、等により、無機ガラス類からなる板が特に好ましい。
【0024】
補強板にガラス基板を用いる場合、ガラス基板の厚みが小さいと本発明の剥離の際に保持手段による平坦さの維持が難しい。また、可撓性フィルムの膨張・収縮力で反りやねじれが大きくなり、平坦な載置台上に真空吸着したときにガラス基板が割れることがある。また、真空吸着・脱着で可撓性フィルムが変形することになり、位置精度の確保が難しくなる傾向がある。一方、ガラス基板が厚いと、肉厚ムラにより平坦性が低下し、露光精度も低くなる。また、ロボット等によるハンドリング負荷が大きくなり素早い動作ができずに生産性が低下する要因になる他、運搬コストも増加する。これらの点から、ガラス基板の厚さは、0.3mmから1.1mmの範囲が好ましい。
【0025】
補強板に金属を用いる場合、金属基板の厚みが小さいと本発明の剥離の際に保持手段による平坦さの維持が難しい。また、可撓性フィルムの膨張・収縮力で反りやねじれが大きくなり、平坦な載置台上に真空吸着できなくなったり、金属基板の反りやねじれが発生する分だけ可撓性フィルムが変形することにより、所定の位置精度が確保できなくなる。また、折れがあるとその時点で不良品となる。一方、金属基板が厚いと、肉厚ムラにより平坦性が低くなるとともに、露光精度も低下する。また、ロボット等によるハンドリング負荷が大きくなり、素早い動作ができなくなって生産性が低下するほか、運搬コストも増加する。したがって、金属板の厚さは、0.1mmから0.7mmの範囲が好ましい。
【0026】
本発明において、可撓性フィルムとしては、プラスチックフイルムを使用する。例えば、ポリカーボネート、ポリエーテルサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミド、ポリアミド、液晶ポリマーなどのフイルムを採用することができる。中でもポリイミドフィルムは耐熱性に優れると共に耐薬品性にも優れているので好適に採用される。また、低誘電損失など電気的特性が優れている点や低吸湿性の点で、液晶ポリマーが好適に採用される。可撓性のガラス繊維補強樹脂板を採用することも可能である。また、これらのフィルムが積層されても良い。
【0027】
上記ガラス繊維補強樹脂板の樹脂としては、例えば、エポキシ、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンエーテル、マレイミド(共)重合樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどが挙げられる。
【0028】
可撓性フィルムの厚さは、軽量化、小型化、あるいは微細なビアホール形成のためには薄い方が好ましく、一方、機械的強度を確保するためや平坦性を維持するためには厚い方が好ましい点から、4μmから125μmの範囲が好ましい。
【0029】
本発明に用いられる剥離可能な有機物層としては、接着剤または粘着剤が使用される。剥離可能な接着剤または粘着剤としては、例えば、アクリル系またはウレタン系の再剥離剤と呼ばれる粘着剤を挙げることができる。可撓性フィルム加工中は十分な接着力があり、剥離時は容易に剥離でき、可撓性フィルム基板に歪みを生じさせないために、弱粘着から中粘着と呼ばれる領域の粘着力のものが好ましい。タック性があるシリコーン樹脂を使用することもできる。また、タック性があるエポキシ系樹脂を使用することも可能である。
【0030】
剥離可能な有機物としては、低温領域で接着力、粘着力が減少するもの、紫外線照射で接着力、粘着力が減少するものや加熱処理で接着力、粘着力が減少するものも好適に用いられる。これらの中でも紫外線照射によるものは、接着力、粘着力の変化が大きく好ましい。紫外線照射で接着力、粘着力が減少するものの例としては、2液架橋型のアクリル系粘着剤が挙げられる。また、低温領域で接着力、粘着力が減少するものの例としては、結晶状態と非結晶状態を可逆的に変化するアクリル系粘着剤が挙げられ、好ましく使用される。
【0031】
本発明において、剥離力は、剥離可能な有機物層を介して補強板と貼り合わせた1cm幅の可撓性フィルムを剥離するときの180°方向ピール強度で測定される。剥離力を測定するときの剥離速度は300mm/分とする。本発明において剥離力は0.1g/cmから100g/cmの範囲が好ましい。
【0032】
剥離可能な有機物層の厚みは、0.1μmから20μmの範囲が好ましく、0.3μmから10μmの範囲であることがさらに好ましい。
【0033】
本発明では、可撓性フィルムに回路パターンが形成されたものを用いるが、回路パターンは、可撓性フィルムを補強板に剥離可能な有機物層を介して貼り付けられた後、補強板側とは反対面に回路パターンを形成してもよい。このとき、剥離可能な有機物層を回路基板に転写させることなく剥離することが好ましい。これは後工程において粘着剤の脱離によって、薬液や回路基板の汚染が発生したり、可撓性フィルムの洗浄工程が付加され生産性を低下させるなどの問題を抑えることができるからである。
【0034】
また剥離可能な有機物層と補強板との粘着力を、剥離可能な有機物層と可撓性フィルムとの粘着力よりも大きくすることにより、剥離後に剥離可能な有機物層が可撓性フィルムに転写することを防ぐことができる。このような手段として、補強板に粘着剤を塗布してから、空気を遮断した状態で所定の期間架橋を進行させることが挙げられ、粘着剤層における補強板とは反対側の面の粘着力を選択的に低下させることができる。
【0035】
本発明における回路基板の製造方法の一例を以下に説明するが、本発明は、これに限定されるものではない。
【0036】
厚さ1.1mmのアルミノホウケイ酸塩ガラスに、スピンコーター、ブレードコーター、ロールコーター、バーコーター、ダイコーター、スクリーン印刷などを用いて、剥離可能な有機物を塗布する。間欠的に送られてくる枚葉基板に均一に塗布するためには、ダイコーターの使用が好ましい。剥離可能な有機物塗布後、加熱乾燥や真空乾燥などにより乾燥し、厚みが2μmの剥離可能な有機物層を得る。塗布した剥離可能な有機物層つきガラス基板に、ポリエステルフィルム上にシリコーン樹脂層を設けた離型フィルムからなる空気遮断用フィルムを貼り付けて1週間室温で放置する。この期間は、熟成と呼ばれ、剥離可能な有機物の架橋が進行して、徐々に粘着力が低下する。放置期間や保管温度は、所望の粘着力が選られるように選択される。空気遮断用フィルムを貼り合わせる代わりに、窒素雰囲気中や真空中で保管することもできる。剥離可能な有機物を長尺フィルム基体に塗布、乾燥後、補強板に転写することも可能である。
【0037】
次に、厚さ25μmのポリイミドフィルムを準備する。ガラス基板上の空気遮断用フィルムを剥がして、ポリイミドフィルムをガラス基板に貼り付ける。ポリイミドフィルムの片面または両面に金属層があらかじめ形成されていても良い。
【0038】
ポリイミドフィルムの貼り合わせ面とは反対側の面に金属層が設けられていない場合は、フルアディティブ法やセミアディティブ法やサブトラクティブ法で金属層を形成する。更に必要に応じて金、ニッケル、錫などのめっきを施して、回路パターンを得る。
【0039】
また、回路パターンにおいて、ポリイミドフィルムに接続孔を設けることができる。すなわち、枚葉基板との貼り合わせ面側に設けた金属層との電気的接続をとるビアホールを設けたり、ボールグリッドアレイのボール接地用の孔を設けたりすることができる。接続孔の設け方としては、レーザー孔開けやケミカルエッチングを採用することができる。電気的接続をとる場合は、接続孔形成後、前述の回路パターン形成と同時にめっき法で孔内面を導体化することが好ましい。ボール接地用の孔は、直径が50μmから800μmが好ましく、80μmから800μmがより好ましい。
【0040】
次いで形成した回路パターン上にICチップ、抵抗やコンデンサなどの電子部品を実装する。電子部品搭載装置は、光学的位置検出機能と可動ステージなどの位置合わせ機能を有し、搭載精度を確保できるものが好ましく使用される。本発明は、特に接続ピッチが小さく、かつピン数が大きい大規模LSIの実装精度確保に効果が大きい。LSIのパッケージ形態は特に限定されず、ベアチップ、ボールグリッドアレイタイプのいずれにも適用することができる。
【0041】
また、電子部品と回路基板との接続方法としては、回路基板の接続部に形成された金属層と電子部品の接続部に形成された金属層とを加熱圧着し金属接合させる方法が挙げられる。また、回路基板の接続部の金属層と電子部品の接合部に形成された金属層とを圧着しつつ回路基板と電子部品間に配置した異方導電性接着剤または非導電性接着剤を硬化させ、機械的に接合させる方法などを挙げることもできる。
【0042】
回路基板と電子部品とを接続した後、本発明の剥離方法を用いて回路基板とガラス基板とを剥離する。レーザー、高圧水ジェットやカッターなどを用いて、個片または個片の集合体に回路パターン付きポリイミドフィルムを切り分けてから、電子部品が実装された回路基板をガラス基板から剥離することもできる。
【0043】
本発明は、回路パターンに抵抗素子や容量阻止を入れ込むことは適宜許される。また、可撓性フィルム基板の少なくとも一方の面に絶縁層と配線層を積層し、多層化することも可能である。
【0044】
本発明の製造方法で得られた回路基板の用途は特に限定されないが、好ましくは電子機器の配線板、ICパッケージ用インターポーザー、ウエハレベルバーンインソケット用配線板などに使用される。
【0045】
【実施例】
以下実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なおフィルム帯電電位は、電位計Model−523(TRek(株)製)で測定した。また、液体の体積抵抗値は、液体容器兼電極LP−05((株)川口電気製作所製)をシールドボックスに納め、ユニバーサルエレクトロメーターMMAII−17B((株)川口電機製作所製)と結線して測定した。
【0046】
実施例1
可撓性フィルムとして、厚さ25μm、290mm角のポリイミドフィルム(“カプトン”100EN 東レデュポン(株)製)を準備した。補強板として準備した厚さ1.1mm、300mm角の片面研磨ソーダガラスにダイコーターで、紫外線硬化型粘着剤“SKダイン”SW−22(綜研化学(株)製)と硬化剤L45(綜研化学(株)製)を100:3(重量比)で混合したものを塗布し、80℃で2分間乾燥した。乾燥後の剥離可能な有機物層厚みを2μmとした。次いで剥離可能な有機物層に、ポリエステルフィルム上に離型容易なシリコーン樹脂層を設けたフィルムからなる空気遮断用フィルムを貼り付けて1週間放置した。
【0047】
上記ポリエステルフィルムとシリコーン樹脂層からなる空気遮断用フィルムを剥がしつつ、剥離可能な有機物層が形成されているガラスにロール式ラミネータで、ポリイミドフィルムを貼り付けた。
【0048】
次いで、スパッタにて厚さ6nmのクロム:ニッケル=20:80(重量比)の合金膜と厚さ200nmの銅膜をこの順にポリイミドフィルム上に積層した。銅膜上にポジ型フォトレジストをスピンコーターで塗布して90℃で30分間乾燥した。フォトレジストをフォトマスクを介して露光、現像して、めっき膜が不要な部分に厚さ10μmのフォトレジストを形成した。
【0049】
テスト用フォトマスクパターンは、50μmピッチで60個の接続パッド(幅25μm、長さ80μm)を一列として正方形に4列を配置し、それぞれの接続パッドの幅25μmの中心から幅20μmで長さ5mmの配線が正方形の外側に向かって伸びたものを、1ユニットとして、これを290mm角の基板上に40mmピッチで6行6列に均等配置したものとした。
【0050】
次いで、銅膜を電極として厚さ5μmを硫酸銅めっき液中での電解めっきで形成した。フォトレジストをフォトレジスト剥離液で剥離し、つづいて、過酸化水素−硫酸系水溶液によるソフトエッチングにてレジスト層の下にあった銅膜およびクロムーニッケル合金膜を除去した。引き続き、銅めっき膜上に、無電解めっきで厚さ0.4μmの錫層を形成し、片面回路パターンが形成された可撓性フィルム基板を得た。次に、50μmピッチで60個の金めっきバンプを一列として正方形に4列を配置したモデルICチップを、プリップチップボンダーFC−70(東レエンジニアリング(株)製)にてICチップ側から300℃に加熱しつつ、回路基板上の接続パッドと金属接合した。
【0051】
ガラス基板にフィルムを貼り合わせた状態で、静電気除去ブロワーにて除電してから、フィルムの帯電電位を測定したところ、0.02〜0.06kVであった。図1に示した基板移動用ベルト13にICチップを接続した可撓性フィルム基板7を載置した。図3に示すように剥離用ロール8にはICチップに対応した凹部(5×5mm、深さ1mm)を設けておいた。次いで、図1に示した剥離装置1を使用し、ガラス基板4からICチップを接続した回路パターン付きポリイミドフィルムを剥離した。可撓性フィルム保持部11には硬度70°のポリウレタンゴムを使用した。また、液体3には体積抵抗が12MΩ・cmのイオン交換水を使用した。剥離速度は300mm/分とした。剥離後にフィルムの帯電電位を測定したところ、0.04〜0.1kVであった。
【0052】
実施例2
可撓性フィルムとして、厚さ25μm、幅290mmのポリイミドフィルム(“カプトン”100EN東レデュポン(株)製)を準備した。スパッタにて厚さ6nmのクロム:ニッケル=20:80(重量比)の合金膜と厚さ200nmの銅膜をこの順にポリイミドフィルム上に積層した。合金膜を電極として、硫酸銅液中で電解めっきをおこない、厚さ3μmの銅めっき膜を形成した。銅めっき膜上にドライレジストフィルムをラミネートしつつ290mm角にカットし、ドライフィルムレジストを所定パターンのフォトマスクを介して、露光、現像して、ドライフィルムレジストパターンを形成した。塩化鉄の銅エッチング液にドライフィルムレジストパターンが形成されたポリイミドフィルムを浸漬し、銅膜をパターニングすると同時に銅膜下のクロム−ニッケル合金膜もパターニングした。その後、ドライフィルムレジストを剥離剤で剥離した。
【0053】
実施例1と同様にして剥離可能な有機物層が形成されているガラスを得た。 銅膜をパターニングしたポリイミドフィルムを、銅膜をパターニングした面がガラス面と対向するように、剥離可能な有機物層が形成されているガラスにロール式ラミネータで貼り付けた。次いで、炭酸ガスレーザを用いて、直径100μmの接続孔を10mmピッチで格子状に配置して形成した。接続孔は、ポリイミドフィルムのガラス基板貼りつけ面の反対側から形成され、貼り付け面側のパターニングした銅膜に到達していた。次いで、実施例1と同様にして、合金膜と銅膜を形成し、さらにフォトレジストを形成した。
【0054】
テスト用フォトマスクパターンは、実施例1と同様に作製した。次いで、銅膜を電極として厚さ5μmを硫酸銅めっき液中での電解めっきで形成した。フォトレジストをフォトレジスト剥離液で剥離し、つづいて、過酸化水素−硫酸系水溶液によるソフトエッチングにてレジスト層の下にあった銅膜およびクロム−ニッケル合金膜を除去した。引き続き、銅めっき膜上に、無電解めっきで厚さ0.4μmの錫層を形成し、両面回路パターンを得た。
【0055】
ガラス基板にフィルムを貼り合わせた状態で、静電気除去ブロワーにて除電してから、フィルムの帯電電位を測定したところ、0.02〜0.06kVであった。図1に示した基板移動用ベルト13に両面回路パターン付きポリイミドフィルムを載置した。次いで、図1に示した剥離装置1を使用し、ガラス基板から両面回路パターン付きポリイミドフィルムを剥離した。可撓性フィルム保持部11には硬度70°のポリウレタンゴムを使用した。また、液体3は体積抵抗が12MΩ・cmのイオン交換水を使用した。剥離速度は300mm/分とした。剥離後にフィルムの帯電電位を測定したところ、0.02〜0.1kVであった。
【0056】
実施例3
実施例1と同様にして回路パターンを得、モデルICチップを金属接合した。ガラス基板にフィルムを貼り合わせた状態で、静電気除去ブロワーにて除電してから、フィルムの帯電電位を測定したところ、0.02〜0.06kVであった。図2に示した基板移動用ベルト13にICチップを接続した回路パターン付きポリイミドフィルムを載置した。図3に示すように剥離用ロール8にはICチップに対応した凹部(5×5mm、深さ1mm)を設けておいた。次いで、図2に示した剥離装置20を使用し、ガラス基板からICチップを接続した回路パターン付きポリイミドフィルムを剥離した。可撓性フィルム保持部11には硬度70°のポリウレタンゴムを使用した。また、液体26は体積抵抗が12MΩ・cmのイオン交換水を使用した。放水角度は30度で、放水速度は1.2L/分とした。剥離速度は300mm/分とした。剥離後にフィルムの帯電電位を測定したところ、0.04〜0.1kVであった。
【0057】
実施例4
実施例2と同様にして、両面回路パターンを得た。ガラス基板にフィルムを貼り合わせた状態で、静電気除去ブロワーにて除電してから、フィルムの帯電電位を測定したところ、0.02〜0.06kVであった。次いで、図2に示した基板移動用ベルト13に片面回路パターン付きポリイミドフィルムを載置した。次いで、図2に示した剥離装置20を使用し、ガラス基板から片面回路パターン付きポリイミドフィルムを剥離した。可撓性フィルム保持部11には硬度70°のポリウレタンゴムを使用した。また、液体26は体積抵抗が12MΩ・cmのイオン交換水を使用した。放水角度は30度で、放水速度は1.2L/分とした。剥離速度は300mm/分とした。剥離後にフィルムの帯電電位を測定したところ、0.02〜0.1kVであった。
【0058】
実施例5
実施例1と同様にして回路パターンを得、モデルICチップを金属接合した。ガラス基板にフィルムを貼り合わせた状態で、静電気除去ブロワーにて除電してから、フィルムの帯電電位を測定したところ、0.02〜0.06kVであった。図2に示した基板移動用ベルト13にICチップを接続した回路パターン付きポリイミドフィルムを載置した。次いで、図2に示した剥離装置20を使用し、液体として水の代わりに体積抵抗が0.3MΩ・cmのイソプロピルアルコールを用いたこと以外は実施例3と同様にして、ガラス基板からICチップを接続した回路パターン付きポリイミドフィルムを剥離した。剥離後にフィルムの帯電電位を測定したところ、0.02〜0.1kVであった。
【0059】
比較例1
液体を使用しないこと以外は実施例1と同様にして、ガラス基板からICチップを接続した回路パターン付きポリイミドフィルムを剥離した。ガラス基板にフィルムを貼り合わせた状態で、静電気除去ブロワーにて除電してから、フィルムの帯電電位を測定したところ、0.02〜0.06kVであった。剥離後にフィルムの帯電電位を測定したところ6〜14kVとなり、剥離によってフィルムが強く帯電し、放電による電子部品の破損や配線の断線がみられた。
【0060】
比較例2
液体を使用しないこと以外は実施例2と同様にして、ガラス基板から両面回路パターン付きポリイミドフィルムを剥離した。ガラス基板にフィルムを貼り合わせた状態で、静電気除去ブロワーにて除電してから、フィルムの帯電電位を測定したところ、0.02〜0.06kVであった。剥離後にフィルムの帯電電位を測定したところ6〜14kVとなり、剥離によってフィルムが強く帯電し、放電による電子部品の破損や配線の断線がみられた。
【0061】
【発明の効果】
本発明によれば、剥離時に静電気による帯電なく剥離でき、放電による電子部品や配線の破損を防ぐことができる。また本発明による回路基板の製造方法によれば、高品質の回路基板を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の剥離装置1の概略正面図。
【図2】本発明の剥離装置20の概略正面図。
【図3】剥離用ロール8の一様態を示す概略正面図。
【符号の説明】
1、20 剥離装置
2、22 容器
3 液体
4 補強板
5 剥離可能な有機物層
6 可撓性フィルム
7 可撓性フィルム基板
8 剥離用ロール
9 ベルト駆動用ロール
10 基板固定用ロール
12 剥離ユニット
13 基板移動用ベルト
21 液体の吹きつけ部
23 可撓性フィルム基板搬入口
24 可撓性フィルム基板搬出口
25 排液口
30 電子部品収納凹部
31 電子部品
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a circuit board manufacturing method and apparatus.
[0002]
[Prior art]
In the conventional method for manufacturing a circuit board, the flexible film is a protective film, and the rigid board from which the flexible film has been peeled is a board on which a circuit is formed. Therefore, peeling of the flexible film is focused on reliably peeling the flexible film, and no attention has been paid to peeling while maintaining the quality of the flexible film itself.
[0003]
In recent years, it has been proposed to form a very fine circuit pattern by laminating a flexible film on a reinforcing plate and maintaining dimensional accuracy, and then mount an electronic component such as an IC chip (for example, Patent Document 1). In this technology, a flexible film on which electronic components are mounted is peeled off from the reinforcing plate. However, if the static electricity when peeling the flexible film from the reinforcing plate is large, the flexible film is mounted on the flexible film. Electronic components may be destroyed. In addition, due to the generation of static electricity, a fine circuit is broken by discharge, and the film becomes difficult to handle due to electrification, and dust is easily adsorbed, which causes a reduction in production yield. Therefore, it is required to peel the flexible film without generating electrostatic charge as much as possible.
[0004]
On the other hand, as a method of peeling the flexible film while suppressing electrostatic charging, a method of blowing air ionized by an ionizer or the like is known (for example, see Patent Document 2). In addition, a method has been proposed in which the peeling process is performed in a partitioned space and the humidity is always set to 60% RH or higher (see, for example, Patent Document 3). However, in these methods, the peeling interface that appears in turn by peeling is in the back of an extremely narrow space sandwiched between the flexible film and the reinforcing plate, and sufficient ionized air or It is difficult to supply water vapor.
[0005]
[Patent Document 1]
International Publication No. 03/009657 Pamphlet
[0006]
[Patent Document 2]
JP 2002-69395 A (page 2)
[0007]
[Patent Document 3]
JP 2000-26019 A (page 3)
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
The objective of this invention is providing the peeling method and peeling apparatus which can suppress the damage by the static electricity to the mounted electronic component by suppressing generation | occurrence | production of the charge of the flexible film at the time of peeling.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
That is, the present invention relates to (1) a method for producing a circuit board, in which a flexible film having a circuit pattern attached to a reinforcing plate via an organic layer that can be peeled off is peeled from the reinforcing plate. A method of manufacturing a circuit board, wherein a liquid is present between flexible films and the reinforcing plate and the flexible film are peeled off.
(2) The method for producing a circuit board according to (1), wherein the liquid is supplied by a nozzle.
(3) The method of manufacturing a circuit board according to (1), wherein an electronic component is bonded to the circuit pattern.
(4) Circuit board manufacturing apparatus for peeling a flexible film after forming a circuit pattern on a surface opposite to a bonding surface of the flexible film attached to the reinforcing plate via an organic layer that can be peeled off An apparatus for manufacturing a circuit board, comprising means for supplying a liquid between the reinforcing plate and the flexible film.
(5) A nozzle for supplying a liquid, a holding means for holding the flexible film, a means for fixing the reinforcing plate, a container for containing the liquid, and the flexible film and the reinforcing plate are fixed in the container. The circuit board manufacturing apparatus according to (4), further comprising a fixing unit.
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is a schematic front view of a peeling apparatus 1 which is an aspect of the present invention, and FIG. 2 is a schematic front view of a peeling apparatus 20 which is another aspect of the present invention.
[0011]
First, the peeling apparatus 1 in FIG. 1 will be described. Using a flexible film substrate 7 (a general term for the flexible film 6, the peelable organic material layer 5, and the reinforcing plate 4) bonded to the reinforcing plate through the organic material layer 5 that can peel the flexible film 6, There is a peeling device 1 for peeling the flexible film 6 from the reinforcing plate 4. The peeling apparatus 1 includes a container 2 filled with a liquid 3 and a peeling unit 12 that peels the flexible film 6 from the reinforcing plate 4.
[0012]
The container 2 has a peeling unit 12 inside, and the liquid 3 is filled so that the peeling position of the flexible film 6 and the reinforcing plate 4 is located in the liquid.
[0013]
The peeling unit 12 includes a peeling roll 8, a substrate fixing roll 10 that holds a reinforcing plate of a non-attached portion of the flexible film substrate 7 at the time of peeling, a flexible film holding portion 11, and a flexible film moving belt 13. The belt driving roll 9 is used. The flexible film moving belt 13 is rotated by a belt driving roll 9 that is rotated by a driving source (not shown) to move the flexible film substrate 7. After completion of the peeling, the reinforcing plate 4 and the flexible film 6 are transferred to the next step by the substrate moving belt 13 or a transfer means (not shown). The peeling roll 8, the substrate fixing roll 10, and the substrate moving belt 13 can be independently rotated by a driving source (not shown), and are synchronized so that the peeling position of the reinforcing plate 4 and the flexible film 6 is constant. Control is performed. The flexible film holding part 11 is installed at one end of the peeling roll 8 and holds the end part of the flexible film 6 in a hook shape. The flexible film holding part 11 operates so as to reduce the space between the hook-shaped part of the flexible film holding part 11 and the peeling roll 8 by a driving source (not shown). The flexible film 6 is held at one end of the peeling roll 8 by sandwiching the flexible film 6 between the mold part and the peeling roll 8. After the completion of peeling, the flexible film holding unit 11 releases the flexible film 6 and transfers it to the substrate moving belt 13. The peeling unit 12 is mounted in the container 2 so as to freely move up and down, and can be moved up and down freely by a drive source (not shown). It is also possible to use a double-sided tape or the like instead of the hook portion of the film holding portion 11.
[0014]
The peeling method of the flexible film 6 using the peeling apparatus 1 shown in FIG. 1 is demonstrated.
[0015]
After raising the peeling unit 12 to the highest point, the flexible film substrate 7 is placed on the substrate moving belt 13 by transfer means (not shown). Subsequently, the flexible film substrate 7 is lowered to a predetermined height while being placed on the substrate moving belt 13. Thereafter, the flexible film substrate 6 is moved by rotating the substrate moving belt 13, moved to a position where it is sandwiched by the substrate fixing roll 10, and is sandwiched and fixed by the substrate fixing roll 10. Subsequently, the substrate fixing roll 10 and the substrate moving belt 13 are rotated and moved to a position where the flexible film holding unit 11 can hold the film, and the flexible film holding unit 11 moves the film to the peeling roll 8. Hold. At this time, it is preferable that a part of the flexible film protrudes from the front end side in the substrate traveling direction because the flexible film can be easily held by the holding unit 11. Further, as a method of fixing the flexible film substrate 7, a method of suppressing the width direction of the substrate traveling direction with a rod-shaped one is also effective. Thereafter, the peeling roll 8, the substrate moving belt 13, and the substrate fixing roll 10 are rotated synchronously so that the peeling position becomes constant, and the flexible film 7 is moved while the reinforcing plate 4 is moved. Peel off and wind up. When the peeling is completed, the substrate moving roll 9 is raised to a predetermined position, and the reinforcing plate 4 is transferred to the next step. Further, the flexible film 6 is released from the flexible film holding portion 11 and placed on the substrate moving belt 13. Thereafter, the flexible film 6 is moved by the substrate moving belt 13, and the flexible film 6 is transferred to the next step. Subsequently, the same operation is repeated thereafter, and the next flexible film substrate 7 is peeled off.
[0016]
Next, the peeling apparatus 20 described in FIG. 2 is demonstrated as another aspect of this invention. The peeling device 20 includes a peeling unit 12 that peels the container 22, the liquid spraying portion 21, and the flexible film 6 from the reinforcing plate 4.
[0017]
The liquid blowing unit 21 supplies the liquid so that the liquid enters between the reinforcing plate 4 and the flexible film 6. It is also preferable to supply to the part where peeling is proceeding. In this case, the outlet direction is adjusted and the discharge pressure is adjusted.
[0018]
The container 22 is provided for the purpose of not affecting the environment of the process chamber, and the flexible film substrate carry-in port 23 and the flexible film substrate carry-out port 24 are adjusted to the size of the flexible film substrate 7. Adjust. The shape of the drainage port 25 is appropriately determined so that the drainage speed is greater than the water discharge speed of the liquid 26 in the liquid spraying part 21.
[0019]
Next, the peeling method of the flexible film 6 using the peeling apparatus 20 is demonstrated. The flexible film substrate 7 is inserted from the flexible film substrate entrance 23, moved by the substrate moving belt 13, and moved to a position where it is sandwiched by the substrate fixing roll 10, and the substrate fixing roll 10 and the substrate moving belt are moved. 13 and fix it. Subsequently, the substrate fixing roll 10 is moved to a position where the flexible film holding unit 11 can hold the film, and the flexible film holding unit 11 holds the film. At this time, the liquid 26 starts to be discharged from the liquid spraying portion 21. Thereafter, the peeling roll 8, the substrate moving belt 13, and the substrate fixing roll 10 are rotated synchronously so that the peeling position is constant, and the flexible film 6 is moved while the reinforcing plate 4 is moved. Remove at 8 and take up. While peeling is in progress, the liquid 26 is supplied between the reinforcing plate 4 and the flexible film 6 at the peeled portion due to the discharge of the liquid from the sprayed portion 21. When the peeling is completed, the discharge is stopped from the liquid spraying part 21. The reinforcing plate 4 on the substrate moving belt 13 is transferred to the next step. Further, the flexible film 6 is released from the flexible film holding portion 11 and placed on the substrate moving belt 13. Thereafter, the flexible film 6 is moved by the substrate moving belt 13, and the flexible film 6 is transferred to the next step. Subsequently, the same operation is repeated thereafter, and the next flexible film substrate 7 is peeled off.
[0020]
When an electronic component such as an IC chip is mounted, as shown in FIG. 3, the peeling roll 8 may be provided with an electronic component storage recess 30 so that the electronic component 31 does not interfere. preferable. The electronic component storage recess 30 may be resized by providing an adapter.
[0021]
The present invention not only controls the charging of the flexible film but also does not lead to a discharge between the flexible film and the reinforcing plate even if there is a charge. Can be prevented. That is, when positive and negative charges are opposed to each other with a narrow gap between the reinforcing plate and the flexible film immediately after peeling, a capacitor is formed in the narrow gap between the reinforcing plate and the flexible film. When the opposite positive and negative charges are the same, the voltage appearing in the gap is inversely proportional to the capacitance of the capacitor, and the capacitance is proportional to the relative dielectric constant of the substance in the gap. Therefore, the voltage that appears is inversely proportional to the relative permittivity of the material in the gap. Therefore, since the relative permittivity of the liquid is larger than the relative permittivity of air, the present invention can reduce the voltage appearing in the gap and prevent the occurrence of discharge.
[0022]
The liquid 3 used in the present invention is preferably water because it is easy to handle, does not damage the reinforcing plate 4, the flexible film 6, and the peelable organic layer 5. There may be additives in the liquid for the purpose of lowering the surface tension and improving the conductivity. The volume resistance of the liquid is preferably 18 MΩ · cm or less so that it exhibits sufficient conductivity and the electric charge generated by peeling can be flowed quickly, and the volume resistance of the liquid is 1 MΩ · cm in order to reduce the charge of the liquid itself. More preferably, it is not more than cm. Additives added for the purpose of reducing the surface tension are preferably those having a low surface tension such as n-heptane, ethyl ether, hexane, acetone, methanol, ethanol and the like. Additives added to improve conductivity include tetrachloroethylene, methyl formate, propyl formate, isobutyl formate, ethyl propionate, methyl benzoate, succinonitrile, carbon disulfide, 2-ethoxyethanol, triethylene glycol, 2 -Ethoxyethyl acetate, ethyl sanoacetate and the like are preferred. It is also preferable to inject carbon dioxide into the liquid.
[0023]
The reinforcing plate 4 used in the present invention is made of inorganic glass such as soda lime glass, borosilicate glass, quartz glass, ceramics such as alumina, silicon nitride, zirconia, stainless steel, invar alloy, titanium, etc. Those having a small linear expansion coefficient and hygroscopic expansion coefficient such as a plate made of metal or glass fiber reinforced resin are preferable. In addition, it has excellent heat resistance and chemical resistance, has a large area with high surface smoothness, is easily available at low cost, is less likely to generate particles when in contact with transport equipment, and is electroplated with an insulator. A plate made of inorganic glass is particularly preferable because of no precipitation due to the above.
[0024]
When a glass substrate is used for the reinforcing plate, if the thickness of the glass substrate is small, it is difficult to maintain flatness by the holding means at the time of peeling of the present invention. Further, warping and twisting increase due to the expansion / contraction force of the flexible film, and the glass substrate may be broken when vacuum-adsorbed on a flat mounting table. Moreover, a flexible film will deform | transform by vacuum adsorption | suction and removal | desorption, and there exists a tendency for ensuring of position accuracy to become difficult. On the other hand, when the glass substrate is thick, flatness is lowered due to uneven thickness, and the exposure accuracy is also lowered. In addition, the handling load by the robot or the like becomes large, and it becomes impossible to operate quickly, resulting in a decrease in productivity and an increase in transportation cost. From these points, the thickness of the glass substrate is preferably in the range of 0.3 mm to 1.1 mm.
[0025]
When a metal is used for the reinforcing plate, if the thickness of the metal substrate is small, it is difficult to maintain flatness by the holding means at the time of peeling of the present invention. Also, warping and twisting increase due to the expansion / contraction force of the flexible film, and the flexible film cannot be vacuum-adsorbed on a flat mounting table, or the flexible film is deformed by the amount of warping or twisting of the metal substrate. As a result, a predetermined positional accuracy cannot be ensured. Further, if there is a fold, it becomes a defective product at that time. On the other hand, when the metal substrate is thick, the flatness is lowered due to uneven thickness, and the exposure accuracy is also lowered. In addition, the handling load by a robot or the like increases, and it becomes impossible to operate quickly, resulting in a decrease in productivity and an increase in transportation cost. Therefore, the thickness of the metal plate is preferably in the range of 0.1 mm to 0.7 mm.
[0026]
In the present invention, a plastic film is used as the flexible film. For example, films such as polycarbonate, polyether sulfide, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyphenylene sulfide, polyimide, polyamide, and liquid crystal polymer can be employed. Among them, a polyimide film is suitably employed because it is excellent in heat resistance and chemical resistance. In addition, a liquid crystal polymer is preferably used in terms of excellent electrical characteristics such as low dielectric loss and low hygroscopicity. It is also possible to employ a flexible glass fiber reinforced resin plate. Moreover, these films may be laminated.
[0027]
Examples of the resin for the glass fiber reinforced resin plate include epoxy, polyphenylene sulfide, polyphenylene ether, maleimide (co) polymer resin, polyamide, and polyimide.
[0028]
The thickness of the flexible film is preferably thin for light weight, downsizing, or formation of fine via holes, while the thicker one is required to ensure mechanical strength and maintain flatness. From a preferable point, the range of 4 μm to 125 μm is preferable.
[0029]
As the peelable organic layer used in the present invention, an adhesive or a pressure-sensitive adhesive is used. Examples of the peelable adhesive or pressure-sensitive adhesive include a pressure-sensitive adhesive called an acrylic or urethane-based re-peeling agent. Adhesive strength in the region called weak to medium adhesive is preferable in order to have sufficient adhesive force during flexible film processing, and can be easily peeled off during peeling and does not cause distortion in the flexible film substrate. . A silicone resin having tackiness can also be used. It is also possible to use an epoxy resin having tackiness.
[0030]
As organic materials that can be peeled, those whose adhesive strength and adhesive strength are reduced at low temperatures, those whose adhesive strength and adhesive strength are reduced by ultraviolet irradiation, and those whose adhesive strength and adhesive strength are reduced by heat treatment are suitably used. . Among these, those caused by ultraviolet irradiation are preferable because of large changes in adhesive strength and adhesive strength. An example of a material whose adhesive strength and adhesive strength are reduced by ultraviolet irradiation is a two-component cross-linking acrylic pressure-sensitive adhesive. Examples of those in which adhesive strength and adhesive strength decrease in a low temperature region include acrylic pressure-sensitive adhesives that reversibly change between a crystalline state and an amorphous state, and are preferably used.
[0031]
In this invention, peeling force is measured by 180 degree direction peel strength when peeling the 1-cm-wide flexible film bonded with the reinforcement board through the peelable organic substance layer. The peeling speed when measuring the peeling force is 300 mm / min. In the present invention, the peel force is preferably in the range of 0.1 g / cm to 100 g / cm.
[0032]
The thickness of the peelable organic layer is preferably in the range of 0.1 μm to 20 μm, and more preferably in the range of 0.3 μm to 10 μm.
[0033]
In the present invention, a flexible film in which a circuit pattern is formed is used. After the flexible film is attached to the reinforcing plate through an organic material layer that can be peeled off, May form a circuit pattern on the opposite surface. At this time, it is preferable to peel the peelable organic layer without transferring it to the circuit board. This is because it is possible to suppress problems such as contamination of the chemical solution and the circuit board due to the desorption of the adhesive in the subsequent process, and a decrease in productivity due to the addition of a flexible film cleaning process.
[0034]
In addition, by making the adhesive strength between the peelable organic layer and the reinforcing plate greater than the peel strength between the peelable organic layer and the flexible film, the peelable organic layer is transferred to the flexible film after peeling. Can be prevented. As such a means, after applying the adhesive to the reinforcing plate, the crosslinking is allowed to proceed for a predetermined period in a state where the air is shut off, and the adhesive force on the surface opposite to the reinforcing plate in the adhesive layer is mentioned. Can be selectively reduced.
[0035]
An example of a method for manufacturing a circuit board in the present invention will be described below, but the present invention is not limited to this.
[0036]
A peelable organic substance is applied to an aluminoborosilicate glass having a thickness of 1.1 mm using a spin coater, a blade coater, a roll coater, a bar coater, a die coater, screen printing, or the like. Use of a die coater is preferable in order to uniformly apply to a single-wafer substrate sent intermittently. After applying the peelable organic material, drying is performed by heat drying or vacuum drying to obtain a peelable organic material layer having a thickness of 2 μm. An air barrier film composed of a release film in which a silicone resin layer is provided on a polyester film is applied to the applied glass substrate with a peelable organic layer, and left at room temperature for one week. This period is called aging, and the cross-linking of the peelable organic substance proceeds and the adhesive force gradually decreases. The standing period and the storage temperature are selected so that a desired adhesive strength can be selected. Instead of laminating the air blocking film, it can be stored in a nitrogen atmosphere or in a vacuum. It is also possible to apply a peelable organic substance to a long film substrate, dry it, and then transfer it to a reinforcing plate.
[0037]
Next, a polyimide film having a thickness of 25 μm is prepared. The air blocking film on the glass substrate is peeled off, and the polyimide film is attached to the glass substrate. A metal layer may be formed in advance on one or both sides of the polyimide film.
[0038]
When the metal layer is not provided on the surface opposite to the bonding surface of the polyimide film, the metal layer is formed by a full additive method, a semi-additive method, or a subtractive method. Furthermore, gold, nickel, tin or the like is plated as necessary to obtain a circuit pattern.
[0039]
In the circuit pattern, a connection hole can be provided in the polyimide film. That is, it is possible to provide a via hole for electrical connection with a metal layer provided on the bonding surface side with the single wafer substrate, or to provide a ball grounding hole for the ball grid array. Laser holes and chemical etching can be employed as the method for providing the connection holes. When electrical connection is made, it is preferable that the inner surface of the hole is made into a conductor by plating after the formation of the connection hole and simultaneously with the formation of the circuit pattern. The diameter of the ball grounding hole is preferably 50 μm to 800 μm, more preferably 80 μm to 800 μm.
[0040]
Next, electronic components such as an IC chip, a resistor and a capacitor are mounted on the formed circuit pattern. As the electronic component mounting apparatus, an apparatus having an optical position detection function and a positioning function such as a movable stage, which can ensure mounting accuracy is preferably used. The present invention is particularly effective in ensuring mounting accuracy of a large-scale LSI having a small connection pitch and a large number of pins. The package form of the LSI is not particularly limited, and can be applied to either a bare chip or a ball grid array type.
[0041]
In addition, as a method for connecting the electronic component and the circuit board, there is a method in which a metal layer formed on the connection portion of the circuit board and a metal layer formed on the connection portion of the electronic component are thermocompression bonded to perform metal bonding. Also, the anisotropic conductive adhesive or non-conductive adhesive placed between the circuit board and the electronic component is cured while crimping the metal layer formed at the connection part of the circuit board and the metal layer formed at the joint of the electronic component. And a method of mechanically joining them.
[0042]
After connecting the circuit board and the electronic component, the circuit board and the glass substrate are peeled using the peeling method of the present invention. The circuit board on which the electronic component is mounted can be peeled off from the glass substrate after the polyimide film with a circuit pattern is cut into pieces or an assembly of pieces using a laser, a high-pressure water jet, a cutter, or the like.
[0043]
In the present invention, it is permissible to insert a resistance element or a capacitance block into a circuit pattern. In addition, an insulating layer and a wiring layer can be laminated on at least one surface of the flexible film substrate to form a multilayer.
[0044]
The use of the circuit board obtained by the production method of the present invention is not particularly limited, but it is preferably used for a wiring board of an electronic device, an IC package interposer, a wafer level burn-in socket wiring board, and the like.
[0045]
【Example】
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. The film charging potential was measured with an electrometer Model-523 (manufactured by TRek Co., Ltd.). The volume resistance of the liquid is measured by placing the liquid container / electrode LP-05 (manufactured by Kawaguchi Electric Co., Ltd.) in a shield box and connecting it to the universal electrometer MMAII-17B (manufactured by Kawaguchi Electric Co., Ltd.). It was measured.
[0046]
Example 1
A polyimide film (“Kapton” 100EN manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.) having a thickness of 25 μm and a 290 mm square was prepared as a flexible film. A 1.1 mm thick, 300 mm square single-side polished soda glass prepared as a reinforcing plate is coated with an ultraviolet curable adhesive “SK Dyne” SW-22 (manufactured by Soken Chemical Co., Ltd.) and a curing agent L45 (Soken Chemical). (Mixed) was mixed at 100: 3 (weight ratio) and dried at 80 ° C. for 2 minutes. The peelable organic layer thickness after drying was 2 μm. Next, an air-blocking film made of a film in which a silicone resin layer that can be easily released was provided on a polyester film was attached to the peelable organic material layer and left for 1 week.
[0047]
While peeling off the air blocking film composed of the polyester film and the silicone resin layer, a polyimide film was attached to the glass on which the peelable organic layer was formed with a roll laminator.
[0048]
Subsequently, a 6 nm thick chromium: nickel = 20: 80 (weight ratio) alloy film and a 200 nm thick copper film were laminated on the polyimide film in this order by sputtering. A positive photoresist was applied onto the copper film with a spin coater and dried at 90 ° C. for 30 minutes. The photoresist was exposed and developed through a photomask to form a photoresist having a thickness of 10 μm in a portion where a plating film was unnecessary.
[0049]
The test photomask pattern has 60 connection pads (width 25 μm, length 80 μm) arranged in a square with 4 rows arranged in a square with a pitch of 50 μm, and a width of 20 μm and a length of 5 mm from the center of the width of each connection pad 25 μm. The wirings extending toward the outside of the square were taken as one unit, and this was equally arranged in 6 rows and 6 columns at a pitch of 40 mm on a 290 mm square substrate.
[0050]
Next, a copper film was used as an electrode, and a thickness of 5 μm was formed by electrolytic plating in a copper sulfate plating solution. The photoresist was stripped with a photoresist stripping solution, and then the copper film and the chromium-nickel alloy film under the resist layer were removed by soft etching with a hydrogen peroxide-sulfuric acid aqueous solution. Subsequently, a 0.4 μm thick tin layer was formed on the copper plating film by electroless plating to obtain a flexible film substrate on which a single-sided circuit pattern was formed. Next, a model IC chip in which 60 gold-plated bumps at a pitch of 50 μm are arranged in a row and 4 rows are arranged in a square shape is heated to 300 ° C. from the IC chip side by a plip chip bonder FC-70 (manufactured by Toray Engineering Co., Ltd.). While heating, metal bonding was performed to the connection pads on the circuit board.
[0051]
In a state where the film was bonded to the glass substrate, the charge was removed with a static eliminating blower, and the charged potential of the film was measured to be 0.02 to 0.06 kV. A flexible film substrate 7 having an IC chip connected thereto was placed on the substrate moving belt 13 shown in FIG. As shown in FIG. 3, the peeling roll 8 was provided with a recess (5 × 5 mm, depth 1 mm) corresponding to the IC chip. Next, using the peeling apparatus 1 shown in FIG. 1, the polyimide film with a circuit pattern to which the IC chip was connected was peeled from the glass substrate 4. A polyurethane rubber having a hardness of 70 ° was used for the flexible film holding part 11. As the liquid 3, ion exchange water having a volume resistance of 12 MΩ · cm was used. The peeling speed was 300 mm / min. When the charge potential of the film was measured after peeling, it was 0.04 to 0.1 kV.
[0052]
Example 2
As a flexible film, a polyimide film (“Kapton” 100EN manufactured by Toray Du Pont Co., Ltd.) having a thickness of 25 μm and a width of 290 mm was prepared. A 6 nm thick chromium: nickel = 20: 80 (weight ratio) alloy film and a 200 nm thick copper film were laminated on the polyimide film in this order by sputtering. Using the alloy film as an electrode, electrolytic plating was performed in a copper sulfate solution to form a copper plating film having a thickness of 3 μm. While laminating a dry resist film on the copper plating film, it was cut into 290 mm square, and the dry film resist was exposed and developed through a photomask having a predetermined pattern to form a dry film resist pattern. A polyimide film on which a dry film resist pattern was formed was immersed in a copper etching solution of iron chloride, and the copper film was patterned, and at the same time, the chromium-nickel alloy film under the copper film was also patterned. Thereafter, the dry film resist was stripped with a stripping agent.
[0053]
In the same manner as in Example 1, a glass on which a peelable organic layer was formed was obtained. The polyimide film patterned copper film was affixed with a roll laminator to glass on which a peelable organic material layer was formed such that the surface patterned copper film was opposed to the glass surface. Next, a carbon dioxide laser was used to form connection holes having a diameter of 100 μm arranged in a grid at a pitch of 10 mm. The connection holes were formed from the opposite side of the polyimide film glass substrate attachment surface, and reached the patterned copper film on the attachment surface side. Next, in the same manner as in Example 1, an alloy film and a copper film were formed, and a photoresist was further formed.
[0054]
A test photomask pattern was prepared in the same manner as in Example 1. Next, a copper film was used as an electrode, and a thickness of 5 μm was formed by electrolytic plating in a copper sulfate plating solution. The photoresist was stripped with a photoresist stripping solution, and then the copper film and the chromium-nickel alloy film that were under the resist layer were removed by soft etching with a hydrogen peroxide-sulfuric acid aqueous solution. Subsequently, a 0.4 μm thick tin layer was formed on the copper plating film by electroless plating to obtain a double-sided circuit pattern.
[0055]
In a state where the film was bonded to the glass substrate, the charge was removed with a static eliminating blower, and the charged potential of the film was measured to be 0.02 to 0.06 kV. A polyimide film with a double-sided circuit pattern was placed on the substrate moving belt 13 shown in FIG. Subsequently, the peeling apparatus 1 shown in FIG. 1 was used, and the polyimide film with a double-sided circuit pattern was peeled from the glass substrate. A polyurethane rubber having a hardness of 70 ° was used for the flexible film holding part 11. As the liquid 3, ion exchange water having a volume resistance of 12 MΩ · cm was used. The peeling speed was 300 mm / min. When the charging potential of the film was measured after peeling, it was 0.02 to 0.1 kV.
[0056]
Example 3
A circuit pattern was obtained in the same manner as in Example 1, and the model IC chip was metal bonded. In a state where the film was bonded to the glass substrate, the charge was removed with a static eliminating blower, and the charged potential of the film was measured to be 0.02 to 0.06 kV. A polyimide film with a circuit pattern in which an IC chip was connected was placed on the substrate moving belt 13 shown in FIG. As shown in FIG. 3, the peeling roll 8 was provided with a recess (5 × 5 mm, depth 1 mm) corresponding to the IC chip. Next, using the peeling apparatus 20 shown in FIG. 2, the polyimide film with a circuit pattern to which the IC chip was connected was peeled from the glass substrate. A polyurethane rubber having a hardness of 70 ° was used for the flexible film holding part 11. As the liquid 26, ion-exchanged water having a volume resistance of 12 MΩ · cm was used. The water discharge angle was 30 degrees, and the water discharge speed was 1.2 L / min. The peeling speed was 300 mm / min. When the charge potential of the film was measured after peeling, it was 0.04 to 0.1 kV.
[0057]
Example 4
In the same manner as in Example 2, a double-sided circuit pattern was obtained. In a state where the film was bonded to the glass substrate, the charge was removed with a static eliminating blower, and the charged potential of the film was measured to be 0.02 to 0.06 kV. Next, a polyimide film with a single-sided circuit pattern was placed on the substrate moving belt 13 shown in FIG. Subsequently, the peeling apparatus 20 shown in FIG. 2 was used, and the polyimide film with a single-sided circuit pattern was peeled from the glass substrate. A polyurethane rubber having a hardness of 70 ° was used for the flexible film holding part 11. As the liquid 26, ion-exchanged water having a volume resistance of 12 MΩ · cm was used. The water discharge angle was 30 degrees, and the water discharge speed was 1.2 L / min. The peeling speed was 300 mm / min. When the charging potential of the film was measured after peeling, it was 0.02 to 0.1 kV.
[0058]
Example 5
A circuit pattern was obtained in the same manner as in Example 1, and the model IC chip was metal bonded. In a state where the film was bonded to the glass substrate, the charge was removed with a static eliminating blower, and the charged potential of the film was measured to be 0.02 to 0.06 kV. A polyimide film with a circuit pattern in which an IC chip was connected was placed on the substrate moving belt 13 shown in FIG. Next, using the peeling apparatus 20 shown in FIG. 2 and using isopropyl alcohol having a volume resistance of 0.3 MΩ · cm instead of water as a liquid, the glass chip was replaced with an IC chip. The polyimide film with a circuit pattern connected to was peeled off. When the charging potential of the film was measured after peeling, it was 0.02 to 0.1 kV.
[0059]
Comparative Example 1
Except not using a liquid, it carried out similarly to Example 1, and peeled the polyimide film with a circuit pattern which connected the IC chip from the glass substrate. In a state where the film was bonded to the glass substrate, the charge was removed with a static eliminating blower, and the charged potential of the film was measured to be 0.02 to 0.06 kV. When the charging potential of the film was measured after peeling, it was 6 to 14 kV. The film was strongly charged by peeling, and damage to the electronic parts and disconnection of the wiring due to discharge were observed.
[0060]
Comparative Example 2
Except not using liquid, it carried out similarly to Example 2, and peeled the polyimide film with a double-sided circuit pattern from the glass substrate. In a state where the film was bonded to the glass substrate, the charge was removed with a static eliminating blower, and the charged potential of the film was measured to be 0.02 to 0.06 kV. When the charging potential of the film was measured after peeling, it was 6 to 14 kV. The film was strongly charged by peeling, and damage to the electronic parts and disconnection of the wiring due to discharge were observed.
[0061]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to peel without being charged by static electricity at the time of peeling, and it is possible to prevent damage to electronic components and wiring due to electric discharge. Further, according to the circuit board manufacturing method of the present invention, it is possible to manufacture a high-quality circuit board.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic front view of a peeling apparatus 1 according to the present invention.
FIG. 2 is a schematic front view of a peeling apparatus 20 according to the present invention.
FIG. 3 is a schematic front view showing a uniform state of a peeling roll 8;
[Explanation of symbols]
1,20 Peeling device
2, 22 containers
3 Liquid
4 Reinforcement plate
5 Peelable organic layer
6 Flexible film
7 Flexible film substrate
8 Peeling roll
9 Belt drive roll
10 Substrate fixing roll
12 Peeling unit
13 Substrate moving belt
21 Liquid spraying part
23 Flexible film substrate inlet
24 Flexible film substrate exit
25 Drainage port
30 Electronic component storage recess
31 Electronic components

Claims (4)

補強板に剥離可能な有機物層を介して貼り付けられた回路パターンを有する可撓性フィルムを補強板から剥離する回路基板の製造方法であって、補強板と可撓性フィルムの間に液体を存在させて、補強板と可撓性フィルムを剥離することを特徴とする回路基板の製造方法。A method for manufacturing a circuit board, in which a flexible film having a circuit pattern attached to a reinforcing plate via a peelable organic layer is peeled from the reinforcing plate, wherein a liquid is applied between the reinforcing plate and the flexible film. A method for producing a circuit board, comprising the step of removing a reinforcing plate and a flexible film. 回路パターンに電子部品が接合されていることを特徴とする請求項1記載の回路基板の製造方法。2. The circuit board manufacturing method according to claim 1, wherein an electronic component is bonded to the circuit pattern. 補強板に剥離可能な有機物層を介して貼り付けられた可撓性フィルムの貼り合わせ面とは反対面に回路パターンを形成した後、可撓性フィルムを剥離する回路基板の製造装置であって、補強板と可撓性フィルムの間に液体を供給する手段を有することを特徴とする回路基板の製造装置。A circuit board manufacturing apparatus for peeling a flexible film after forming a circuit pattern on a surface opposite to a bonding surface of a flexible film attached to a reinforcing plate through an organic layer that can be peeled off. An apparatus for manufacturing a circuit board, comprising means for supplying a liquid between the reinforcing plate and the flexible film. 液体を供給するためのノズルと、可撓性フィルムを保持する保持手段と、補強板を固定する手段と、液体を入れる容器と、容器内に可撓性フィルムと補強板を固定させる固定手段を有すること特徴とする請求項3記載の回路基板の製造装置。A nozzle for supplying a liquid; a holding means for holding the flexible film; a means for fixing the reinforcing plate; a container for storing the liquid; and a fixing means for fixing the flexible film and the reinforcing plate in the container. 4. The circuit board manufacturing apparatus according to claim 3, further comprising:
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