JP4215101B2 - 加圧接触式整流装置 - Google Patents
加圧接触式整流装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4215101B2 JP4215101B2 JP2006508494A JP2006508494A JP4215101B2 JP 4215101 B2 JP4215101 B2 JP 4215101B2 JP 2006508494 A JP2006508494 A JP 2006508494A JP 2006508494 A JP2006508494 A JP 2006508494A JP 4215101 B2 JP4215101 B2 JP 4215101B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- case
- lead
- pressure contact
- diode chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
- H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Rectifiers (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
はんだを使わない整流装置の構造として、例えば、日本国特許3198693号公報では、外周面に雄ネジを有する金属製のステム、内周面に雌ネジを有する金属製のキャップ、絶縁体に固定されたリード端子、ステムの上に配置されたダイオードチップで構成され、ステムとキャップをネジで嵌め合わせることで、ダイオードチップの一方の電極とリード端子、他方の電極とステムを電気的に接続したものが開示されている。このような従来の整流装置では、鉛を含有するはんだを使わないことを実現することはできたが、動作中にダイオードチップの抵抗上昇や断線などが発生するという問題があった。
発明者らは上述のような課題の原因を調べ、リード端子とダイオードチップとの接触面あるいはダイオードチップとステムとの接触面の電気的な接触抵抗で動作中に熱が発生し、リード端子、ダイオードチップおよびステムが温度上昇すること、このとき各材料の熱膨張率の違いによりそれぞれの接触面で摩擦による応力集中が発生することを見出した。その結果、リード端子とダイオードチップとの接触面あるいはダイオードチップとステムとの接触面での電気的導通不良、それにともなう抵抗上昇によるダイオードチップの焼損、あるいは応力によるダイオードチップの破損などの問題を引き起こすことがわかり、この発明に至った。
この発明に係わる加圧接触式整流装置は、キャップ、上記キャップを貫通して弾性体で支持されたリード、上記キャップに嵌合可能なケース、上記リードの端部と上記ケースに接触する電極をもつ整流素子、上記電極表面の少なくとも一方に設けられた摩擦軽減部で構成され、上記整流素子が上記キャップと上記ケースとで加圧固定されている。
かかる加圧接触式整流装置では、リードと整流素子との接触面あるいは整流素子とケースとの接触面に設けられた摩擦軽減部が動作中の温度上昇による摩擦を緩和して接触面の応力集中を小さくすすることができるので、電気的導通の不良、それにともなう抵抗上昇による整流素子の焼損、あるいは応力による整流素子の破損などが起こらず、信頼性の高い加圧接触式整流装置が得られる。
このように摩擦軽減部で応力集中を小さくするには、摩擦軽減部が応力によって変形すればよく、導電性の微粒子で形成されているのが好ましい。また、リードと整流素子との接触面あるいは整流素子とケースとの接触面の電気的導通をよくするためには、微粒子は、カーボン、銀、銅、金、アルミニウム、二硫化モリブデンの少なくとも一つの材料で構成されていることが好ましい。また、変形量と電気的導通とを同時に確保するためには、微粒子の粒径が0.01μm以上50μm以下であることが好ましい。また、粒径が小さすぎると摩擦軽減部が密になりすぎて変形量が小さくなること、さらに粒径が大きすぎると電気抵抗が大きくなることから、微粒子の粒径は0.05μm以上20μm以下であることがよく、さらに信頼性を考慮すると0.1μm以上10μm以下であることがよい。
また、本発明にかかる他の加圧接触式整流装置は、キャップ、上記キャップを貫通して弾性体で支持されたリード、上記キャップに嵌合可能なケース、上記リードの端部と上記ケースに接触する電極をもつ整流素子、上記電極の表面の少なくとも一方に設けられた摩擦軽減部で構成され、上記整流素子が上記キャップと上記ケースとで加圧固定されており、整流素子とリードとの接触部あるいは整流素子とケースとの接触部の少なくとも一方に軟質部材が挿入されたものである。
かかる加圧接触式整流装置では、キャップとケースを嵌合したときに軟質部材が変形して、リードと整流素子との接触面あるいはケースと整流素子との接触面の微小な凸凹を埋めることにより接触面積を増加させることができ、リード、整流素子およびケース間の電気伝導性および熱伝導性を向上させることができる。
また、本発明にかかる他の加圧接触式整流装置は、キャップ、上記キャップを貫通して弾性体で支持されたリード、上記キャップに嵌合可能なケース、上記リードの端部と上記ケースに接触する電極をもつ整流素子、上記電極の表面の少なくとも一方に設けられた摩擦軽減部で構成され、上記整流素子が上記キャップと上記ケースとで加圧固定されており、キャップの外部に位置するリードに伸縮部が設けられ、かつ上記リードが上記キャップに固定されたものである。
かかる加圧接触式整流装置では、リードに伸縮部が設けられ、かつリードがキャップに固定されているので、リードに外側に向かって働く力が加わっても、伸縮部が伸びてその力を吸収し、キャップより内側の構成部品の位置変移を防ぐことができるので、リードと整流素子との接触面積が変化せず、通電中の抵抗上昇や断線のない信頼性の高い加圧接触式整流装置が得られる。
また、本発明にかかる他の加圧接触式整流装置は、キャップ、上記キャップを貫通して弾性体で支持されたリード、上記キャップに嵌合可能なケース、上記リードの端部と上記ケースに接触する電極をもつ整流素子、上記電極表面の少なくとも一方に設けられた摩擦軽減部で構成され、キャップの外周面とケースの内周とに嵌合可能なネジを有し、上記ネジで締結されて、整流素子が上記キャップと上記ケースとで加圧固定されたものである。
かかる加圧接触式整流装置では、キャップとケースをネジで嵌合するので、整流素子の加圧固定のために他の部材を必要とせず、安価に加圧接触式整流装置を製造することができる。
実施の形態1.
第1図は、この発明を実施するための実施の形態1における加圧接触式整流装置10の概略構成を示す模式図である。第1図において、外周表面に雄ネジ1aが切られた絶縁性のキャップ1にリード2が貫通されている。リード2は例えばシリコンゴムでできた絶縁性の弾性体3に固定されている。リード2の下端部は下表面が平坦なリード端子2aとなっており、これらは例えば銅で作製されている。内周表面にキャップ1と嵌合可能な雌ネジ4aが切られ底面部を有するケース4にダイオードチップ5の位置を固定するために中央部がくり抜かれたダイオードホルダー6が挿入され、このくり抜かれた部分に整流素子としてダイオードチップ5が配置されている。ケース4は電気伝導性、熱伝導性のよい例えば銅で形成されている。ケース4の底面部の内表面のダイオードチップ5と接触する部位はダイオードチップ5との接触面積を大きくするためにとくに平坦に加工されている。例えば平坦なパンチで加圧して塑性流動を起こさせて平坦性を向上させてある。ダイオードホルダー6は絶縁性で耐熱性の高い例えばPPS(ポリフェニレンサルフィド)樹脂で形成されている。
ダイオードチップ5は上下の表面が電極となっており、その表面には摩擦軽減部7としてカーボンの蒸着膜が形成されている。このカーボン蒸着膜は抵抗加熱蒸着で形成されており、膜厚は約10μmである。上記のような膜厚のカーボンの蒸着膜は通常連続膜では形成されず、粒径が約1μmの微粒子の積層体で構成されている。雄ネジ1aと雌ネジ4aを嵌め合わせてキャップ1とケース4を締め付けることで、弾性体3を介してダイオードチップ5はリード端子2aとケース4に強固に加圧接触させられる。第2図はキャップ1とケース4をネジ部で嵌め合わせて加圧接触式整流装置10として作動するように構成された模式図である。
このように構成された加圧接触式整流装置10においては、動作中に発生する熱でダイオードチップ5およびダイオードチップ5に接触した部材の温度が上昇し、リード端子2a、ダイオードチップ5、ケース4のそれぞれの接触面で摩擦が生じても、摩擦軽減部7が摩擦で生じた応力集中を緩和することができる。具体的には摩擦軽減部7を構成するカーボン蒸着膜の微粒子が移動あるいは回転することで接触面の歪が緩和される。その結果、長時間動作させても、ダイオードチップ5の焼損などのない加圧接触式整流装置を得ることができる。第3図はこの実施の形態においてダイオードチップ5の表面に摩擦軽減部7が形成されている場合(A)と摩擦軽減部7が形成されていない場合(B)の信頼性の比較を示す説明図である。第3図から、摩擦軽減部7を設けることで不具合発生率が減少し、加圧接触式整流装置の信頼性が向上することがわかる。
実施の形態2.
上記実施の形態1ではダイオードチップ5の電極表面に摩擦軽減部7としてカーボン蒸着膜が形成された例を示したが、本実施の形態は、摩擦軽減部7として金属、例えば銀を蒸着したものである。蒸着膜は、粒径が0.5μmの微粒子で膜厚が約5μmの積層体で構成されている。このように構成された加圧接触式整流装置10においては、動作中に発生する熱でダイオードチップ5およびダイオードチップ5周辺の温度が上昇し、リード端子2a、ダイオードチップ5、ケース4のそれぞれの接触面で摩擦が生じても、摩擦軽減部7を構成する銀の微粒子が移動することで、摩擦で生じた応力集中を緩和することができる。その結果、長時間動作させても、ダイオードチップ5の焼損などのない加圧接触式整流装置を得ることができる。
なお、本実施の形態では摩擦軽減部7として銀の蒸着膜を用いたが、銅、金、アルミニウム、二硫化モリブデンの少なくとも一つの材料の蒸着膜を用いてもよい。
実施の形態3.
上記実施の形態1では摩擦軽減部7を粒径1μmで膜厚10μmのカーボンの蒸着膜で形成した例を示したが、本実施の形熊ではカーボンの粒径を0.005μm以上70μm以下の範囲で変化させた摩擦軽減部7を形成し、加圧接触式整流装置を完成させて動作時間に対する不具合発生率を調べた。摩擦軽減部7の膜厚は粒径の10倍とした。実際の耐久試験は10倍に加速するため印加電圧を通常試験の10倍にして、1年間動作後の不具合発生率を10年後の不具合発生率とした。
第4図は粒径に対する動作年数10年後の不具合発生率の関係を示す説明図である。粒径が0.01μm以上50μm以下の範囲で不具合発生率は10%以下となり、摩擦軽減部7がない場合の不具合率12%より改善される。また、粒径が0.05μm以上20μm以下の範囲で不具合率が8%以下となりさらに信頼性が向上する。さらに、粒径が0.1μm以上10μm以下の範囲で不具合率が6%以下となりさらに良好となる。
粒径が0.01μmより小さい場合は、摩擦軽減部7が緻密になりすぎて、摩擦による応力集中を緩和させるための粒子の移動が困難になるため、ダイオードチップ5の破損が起こり易くなり不具合発生率が上昇し、粒径が50μmより大きい場合は、摩擦軽減部7とリード2、ダイオードチップ5およびケース4の表面との接触面積が減少することによる接触抵抗が高くなり、動作中の発熱量が増大して、ダイオードチップ5の焼損が起こり易くなり不具合発生率が上昇する。
実施の形態4.
第5図は、この実施の形態4における加圧接触式整流装置10の概略構成を示す模式図である。第5図において、外周表面に雄ネジ1aが切られた絶縁性のキャップ1にリード2が貫通されている。リード2は例えばシリコンゴムでできた絶縁性の弾性体3に固定されている。リード2の下端部は下表面が平坦なリード端子2aとなっており、これらは例えば銅で作製されている。内周表面にキャップ1と嵌合可能な雌ネジ4aが切られ底面部を有するケース4にダイオードチップ5の位置を固定するために中央部がくり抜かれたダイオードホルダー6が挿入され、このくり抜かれた部分にダイオードチップ5が配置されている。ケース4は電気伝導性、熱伝導性のよい例えば銅で形成されている。ケース4の底面部の内表面のダイオードチップ5と接触する部位はダイオードチップ5との接触面積を大きくするためにとくに平坦に加工されている。例えば平坦なパンチで加圧して塑性流動を起こさせて平坦性を向上させてある。ダイオードホルダー6は絶縁性で耐熱性の高い例えばPPS(ポリフェニレンサルフィド)樹脂で形成されている。リード端子2aとダイオードチップ5との間およびケース4とダイオードチップ5の間に、軟質部材51aと51bとして例えば板状の銀が挿入されている。
ダイオードチップ5は上下の表面が電極となっており、その表面には摩擦軽減部7としてカーボンの蒸着膜が形成されている。このカーボン蒸着膜は抵抗加熱蒸着で形成されており、膜厚は約10μmである。雄ネジ1aと雌ネジ4aを嵌め合わせてキャップ1とケース4を締め付けることで、弾性体3を介してダイオードチップ5はリード端子2aとケース4に強固に加圧接触させられて、加圧接触式整流装置10となる。
このように構成された加圧接触式整流装置10においては、ダイオードチップ5がリード端子2aおよびケース4と強固に加圧接触されるときに、軟質部材51aと51bが弾性変形してリード端子2a、ダイオードチップ5およびホルダーカップ4の接触面の微小な凸凹を埋めることができる。その結果、ダイオードチップ5とリード端子2aあるいはダイオードチップ5とケース4との接触面積を増加させることができ、電気伝導性および熱伝導性を向上させることができる。
実施の形態5.
第6図は、この実施の形態6における加圧接触式整流装置10を示すものである。第6図において、外周表面に雄ネジ1aが切られた絶縁性のキャップ1にリード2が貫通されている。リード2は例えばシリコンゴムでできた絶縁性の弾性体3に固定されている。リード線2の外部には伸縮部61が設けられている。伸縮部61は、例えばリード2をU字型の屈曲構造にしたものである。リード2の下端部は下表面が平坦なリード端子2aとなっており、これらは例えば銅で作製されている。内周表面にキャップ1と嵌合可能な雌ネジ4aが切られ底面部を有するケース4にダイオードチップ5の位置を固定するために中央部がくり抜かれたダイオードホルダー6が挿入され、このくり抜かれた部分にダイオードチップ5が配置されている。ケース4は電気伝導性、熱伝導性のよい例えば銅で形成されている。ケース4の底面部の内表面のダイオードチップ5と接触する部位はダイオードチップ5との接触面積を大きくするためにとくに平坦に加工されている。例えば平坦なパンチで加圧して塑性流動を起こさせて平坦性を向上させてある。ダイオードホルダー6は絶縁性で耐熱性の高い例えばPBT(ポリブチレンテレフタレート)樹脂で形成されている。
ダイオードチップ5は上下の表面が電極となっており、その表面には摩擦軽減部としてカーボンの蒸着膜6が形成されている。このカーボン蒸着膜は抵抗加熱蒸着で形成されており、膜厚は約10μmである。雄ネジ1aと雌ネジ4aを嵌め合わせてキャップ1とケース4を締め付けることで、弾性体3を介してダイオードチップ5はリード端子2aとケース4に強固に加圧接触させられる。その後、リード2はキャップ1に絶縁性を有する接着剤62で固定される。接着剤としては、例えばエポキシ樹脂などを用いることができる。
このように構成された加圧接触式整流装置10では、リード2に上方に引っ張られる力が加わったとしても上記伸縮部61が変形してその力を吸収し、キャップ1より下の構成部品の位置変移を防ぐことができる。その結果、リード端子2aとダイオードチップ5との接触面積の減少を防止することができ、通電中の抵抗上昇や断線のない信頼性の高い加圧接触式整流装置が得られる。
なお、上記の実施の形態1〜実施の形態5において、キャップの外周表面に雄ネジを、それと嵌合可能な雌ネジをケースの内周表面に形成した例を示したが、嵌合可能であればよいので、ネジの雌雄が逆であってもよい。さらにはネジ以外の例えば圧着など別の機構によってキャップとケースを嵌合してもよい。
なお、上記実施の形態1および実施の形態2において、摩擦軽減部が蒸着で形成された例を示したが、粉末微粒子を溶液に分散した懸濁液を塗布したのち乾燥させて形成するなど他の方法で形成してもよい。
また、上記実施の形態4において、軟質部材として板状の銀を用いた例を示したが、電気導電性で変形し易い材料例えば、銅、アルミニウムなどの金属や導電性ゴムでもよい。
なお、上記実施の形態5において、リードの伸縮部が屈曲構造の例を示したが、ばね構造やシリンダー構造など、他の伸縮性のある構造を用いてもよい。
また、上記実施の形態1〜実施の形態5において、整流素子としてダイオードチップを用いて説明したが、ダイオードチップの替わりに、電気的な動作が同じ別のチップ、例えばMOS−FETを応用した整流素子などを用いてもよい。
Claims (4)
- キャップ、上記キャップを貫通して弾性体で支持されたリード、上記キャップに嵌合可能なケース、上記リードの端部と上記ケースに接触する電極をもつ整流素子、上記電極の表面の少なくとも一方に設けられた摩擦軽減部を備え、上記整流素子が上記キャップと上記ケースとで加圧固定され、上記摩擦軽減部は粒径が0.1μm以上10μm以下の上記電極に蒸着されたカーボン微粒子であることを特徴とする加圧接触式整流装置。
- 整流素子とリード端部との接触部、あるいは整流素子とケースとの接触部の少なくとも一方に軟質部材が挿入されたことを特徴とする請求の範囲第1項に記載の加圧接触式整流装置。
- キャップの外部に位置するリードに伸縮部が設けられ、かつ上記リードが上記キャップに固定されたことを特徴とする請求の範囲第1項に記載の加圧接触式整流装置。
- キャップの外周面とケースの内周面とに嵌合可能なネジを有し、上記ネジで締結されて、整流素子が上記キャップと上記ケースとで加圧固定されたことを特徴とする請求の範囲第1項に記載の加圧接触式整流装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2004/006877 WO2005112111A1 (ja) | 2004-05-14 | 2004-05-14 | 加圧接触式整流装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2005112111A1 JPWO2005112111A1 (ja) | 2008-03-27 |
JP4215101B2 true JP4215101B2 (ja) | 2009-01-28 |
Family
ID=35394428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006508494A Expired - Fee Related JP4215101B2 (ja) | 2004-05-14 | 2004-05-14 | 加圧接触式整流装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7534979B2 (ja) |
EP (1) | EP1746646B1 (ja) |
JP (1) | JP4215101B2 (ja) |
WO (1) | WO2005112111A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6108026B1 (ja) * | 2016-12-16 | 2017-04-05 | 富士電機株式会社 | 圧接型半導体モジュール |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013038493A1 (ja) | 2011-09-13 | 2013-03-21 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体モジュール |
WO2013054416A1 (ja) * | 2011-10-13 | 2013-04-18 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体モジュール |
WO2013061392A1 (ja) | 2011-10-24 | 2013-05-02 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体モジュール |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1514483B2 (de) | 1965-06-22 | 1971-05-06 | Siemens AG, 1000 Berlin u 8000 München | Druckkontakt halbleiter gleichrichter |
JPS438377Y1 (ja) | 1965-07-22 | 1968-04-13 | ||
JPS438377B1 (ja) * | 1966-06-22 | 1968-03-30 | ||
US3581163A (en) * | 1968-04-09 | 1971-05-25 | Gen Electric | High-current semiconductor rectifier assemblies |
JPS52119166A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-06 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | Semiconductor device |
JPS6120766Y2 (ja) * | 1980-05-07 | 1986-06-21 | ||
JPS56164557A (en) | 1980-05-23 | 1981-12-17 | Ricoh Co Ltd | Tin bump |
JPH0724271B2 (ja) * | 1987-07-23 | 1995-03-15 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
JPH0593052U (ja) | 1992-05-15 | 1993-12-17 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
JP3198693B2 (ja) * | 1993-01-19 | 2001-08-13 | 株式会社村田製作所 | ダイオード |
DE59407080D1 (de) * | 1993-08-09 | 1998-11-19 | Siemens Ag | Leistungs-Halbleiterbauelement mit Druckkontakt |
JPH08186188A (ja) * | 1995-01-06 | 1996-07-16 | Fuji Electric Co Ltd | スタッド型半導体装置 |
JP2930074B1 (ja) * | 1998-06-02 | 1999-08-03 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP4085536B2 (ja) * | 1998-11-09 | 2008-05-14 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 電気機器およびその製造方法並びに圧接型半導体装置 |
DE19903245A1 (de) * | 1999-01-27 | 2000-08-03 | Asea Brown Boveri | Leistungshalbleitermodul |
JP2002043491A (ja) | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Hitachi Ltd | 電子部品の製造方法 |
-
2004
- 2004-05-14 JP JP2006508494A patent/JP4215101B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-05-14 EP EP04733151.7A patent/EP1746646B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-05-14 WO PCT/JP2004/006877 patent/WO2005112111A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2004-05-14 US US10/585,351 patent/US7534979B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6108026B1 (ja) * | 2016-12-16 | 2017-04-05 | 富士電機株式会社 | 圧接型半導体モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1746646A4 (en) | 2008-09-17 |
WO2005112111A1 (ja) | 2005-11-24 |
JPWO2005112111A1 (ja) | 2008-03-27 |
US20070139979A1 (en) | 2007-06-21 |
US7534979B2 (en) | 2009-05-19 |
EP1746646A1 (en) | 2007-01-24 |
EP1746646B1 (en) | 2015-03-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7396261B2 (en) | Contact maker for power semiconductor modules and disc cells | |
JPH10335579A (ja) | 大電力半導体モジュール装置 | |
US2307561A (en) | Terminal construction for electrical devices | |
US20120187554A1 (en) | Power semiconductor device, printed wiring board, and mechanism for connecting the power semiconductor device and the printed wiring board | |
US20100066482A1 (en) | Electronic component with lead wire | |
CN108934178B (zh) | 传感器元件及传感器元件的制造方法 | |
JP6012533B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP2017041375A (ja) | コネクタ | |
CN106463686B (zh) | 二次电池和二次电池的制造方法 | |
JPH11307682A (ja) | 半導体装置 | |
JP4215101B2 (ja) | 加圧接触式整流装置 | |
JP5306243B2 (ja) | 半導体装置 | |
US4644316A (en) | Positive temperature coefficient thermistor device | |
JP5187148B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2002009217A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
CN107078126B (zh) | 半导体模块以及半导体模块用的导电构件 | |
KR100826368B1 (ko) | 가압 접촉식 정류 장치 | |
JP6292066B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
US9153516B2 (en) | Voidlessly encapsulated semiconductor die package | |
JP4677328B2 (ja) | 補助端子を備えたパワー半導体モジュール | |
JP6382950B2 (ja) | 電気的に導通した機械的結合部の生成のための固定構造および方法 | |
JP2538657B2 (ja) | ハイブリッドモジュ―ル | |
JP2020174020A (ja) | 雄型コネクタ、およびコネクタ | |
JP5451655B2 (ja) | 端子連結構造、及びこの端子連結構造を有する半導体装置 | |
JP2667027B2 (ja) | 圧接型半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080520 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080714 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081014 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081027 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4215101 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111114 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121114 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121114 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131114 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |