JP4208958B2 - 増幅回路および連想メモリ - Google Patents
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Description
本発明の実施形態による全並列型連想メモリの概略構成を図1に示す。この連想メモリは、参照データを保存するユニットデータ保存回路(Unit Storage:US)、参照データと検索データを比較するユニットデータ比較回路(Unit Comparator:UC))、比較信号を電流値に変換するワード比較回路(Word Comparator:WC)、比較電流信号を電圧に変換し増幅するWinner Line−up増幅回路(Winner Line−up Amplifier:WLA)100、WLA回路100からの出力をさらに増幅するWinner Take All回路(WTA)200を備えている。また、この連想メモリは、周辺回路として、検索データ保存回路、行デコーダ、列デコーダ、Read/Write回路を有している。
本実施形態によるWLA回路100の内部構成を図3に示す。このWLA回路100は、電流電圧変換回路110−1〜110−Rと、差動増幅器120−1〜120−Rと、制御回路130とを備えている。
図4に示すように、ワイドレンジ差動増幅器120−1〜120−Rの動作は、INPUT1の電圧(VI)<INPUT2の電圧(CONTROL)のとき出力電圧は、GNDとなり(Winner)、INPUT1(VI)>INPUT2(CONTROL)のとき出力電圧は、VDDとなる(Losers)ため、OUTPUTの電圧は、WinnerがGND、LoserがVDDとなる。図4のグラフからわかるように、入力された電圧差は、差動増幅器120−1〜120−Rの増幅度に依存して出力される。具体的な動作は以下のとおりである。
本実施形態のWLA回路100(図3)と以前までのWLA回路(図2)との大きな違いは、以前までのWLA回路の場合、増幅器へ入力される比較電圧信号VI1〜VIRのレベルを、増幅器の動作範囲に収まるように、直接制御していたが、本実施形態のWLA回路100では、増幅器120−1〜120−Rへ入力される比較電圧信号VI1〜VIRのレベルは固定し、増幅器120−1〜120−Rの他方の入力にCONTROL電圧を与えることにより動作範囲を制御していることである。また、増幅度の違いが大きな点もこの回路の利点である。以下に本実施形態のWLA回路100の利点を挙げる。
以前のWLA回路の場合、数mVの差を数Vに増幅するために4段〜6段必要だったのに対し、本実施形態では、差動増幅器120−1〜120−Rを用いるため、2段で十分である。この効果は、高速な検索や消費電力・信頼性・小面積にもつながる。
[1]でも述べたとおり、従来の回路に比べ段数が1/2〜1/3で十分なため、面積もその分減らすことができる(WTAの一段ずつのトランジスタ数は従来のものに比べ3倍近く多いが、トランジスタの大きさが従来のものは大きいため、ほぼ同じと考えられる)。
これまでの問題点であった「最小距離データとその他のデータの電圧差を増幅するための回路の動作が遅いため、最小距離を検索するまでの時間が長い」に対し、ワイドレンジ差動増幅器120−1〜120−Rを用いることで、数mVの差を数Vに増幅することが可能であるため、高速に最小距離検索を行うことができる。また、以前のWLA回路においては、電圧が高い場合、動作が遅いという欠点があったのに対し、本回路を用いることで高速動作することが可能である。また、差動増幅器120−1〜120−Rへ入力される比較電圧信号VI1〜VIRのレベル制御を行わないため、入力電圧に付随するトランジスタを極力少なくすることができ、これにより負荷容量が減り動作速度も速くなる。
本実施形態のWLA回路100には、制御用のフィードバック部分(制御回路130)がある。以前の回路の場合、連続的なフィードバック制御のため信号遅延に対して弱いのに対し、本実施形態の回路では随時的なフィードバック制御のため、動作時には回路が自動的に正しく最小距離検索を行なうための補正をかけるため、入力データとの距離差にかかわらず、最終的に動作安定時に正確な最小距離検索が可能になる。
チップを作成し、実際に動作するときに、入力信号にノイズが加わることはよくあり、場合によっては、誤動作や誤検索の原因になる。これに対して差動増幅器を用いることで2つの入力で差動制御することになり、同位相ノイズに対して感度を低くすることができる。
本実施形態のWLA回路100では、動作時最小距離データ行の制御回路のみ電流を大きく流すため、消費電力を低く保つことができる。
アナログ回路を多く用いる場合、作製されたトランジスタの特性のばらつきにより、動作が不安定になることはよくあることである。従来の技術では、十分大きな距離まで正確に最小距離検索を行うために、WLA及びWTA回路が4〜6段必要なのに対し、本実施形態によれば2段で十分であり、その分、アナログ回路が減り、回路全体の信頼性も向上する。また、本実施形態のWLA回路100では、差動増幅器120−1〜120−Rへ入力される比較電圧信号VI1〜VIRを制御するのではなく、比較対象を制御する(CONTROL電圧を制御する)ため、もし誤検索の方向に回路が動作したとしてもすぐに修正することができる。
差動増幅器120−1〜120−Rおよび制御回路130のみを用いた場合、安定時前に出力電圧が大きく振れてしまう場合がある。それに対処するために、図5に示すように、制御回路130の出力に容量140を付加することで、大きな振れを抑制する。
CONTROLラインの電圧は、制御回路130によって決定される。しかし、その電圧には制限があり、GNDからVDDまでの全ての範囲をカバーすることはできない。また、GNDまでCONTROLラインの電圧を短い時間で落とすには、より大きなトランジスタが必要となる。これに対処するために、図6に示すように、Voltage Follower回路150を付加する。これによりGNDからVDDの大部分の範囲をカバーすることができ、また、高速動作が可能となり、また、トランジスタサイズも抑制することができる。
図7は、本発明の実施形態によるWLA回路の内部構成を示す回路図である。図7に示すWLA回路100は、図6に示すWLA回路100のVoltage Follower回路150に代えて、レベルシフト回路160および差動増幅器170を備える。
図8に示すように、本発明の増幅回路は、WLA回路100と同様、WTA回路200にも適用される。WTA回路200は、WLA回路100からの比較電圧信号LA1〜LARをさらに増幅する。そして、最終決定回路210により、一致信号MとしてWinner行に1が出力され、その他のLoser行には0が出力される。なお、WTA回路200についても、WLA回路100と同様、図5から図7に示したような変形が可能である。
本実施形態による連想メモリの性能を回路シミュレーションソフトウェアHSPICEによって回路シミュレーションで確認した。設計に用いたテクノロジは、0.35μm CMOSであり、15個の5-bitバイナリデータから構成される64参照データの連想メモリを設計して行なった。回路シミュレーションの結果、本実施形態の連想メモリは、Winnerを参照データとWinner距離の広い範囲において高速化かつ低消費電力で見つけることができることが確認された。
Claims (6)
- 複数の入力電圧を受ける複数の入力ノードと、
前記複数の入力ノードに対応して設けられ、対応する入力ノードの電圧を一方の入力に受ける複数の差動増幅器と、
前記複数の入力電圧のうちの最小または最大電圧に追従する制御電圧を前記複数の差動増幅器の出力から生成し、生成した制御電圧を前記複数の差動増幅器の他方の入力に共通に与える制御回路とを備える増幅回路。 - 前記制御回路は、
前記複数の差動増幅器に対応して設けられ、対応する差動増幅器の出力をゲートに受け、前記複数の差動増幅器の他方の入力が共通に接続されたノードと第1の電源電圧を受けるノードとの間に並列に接続された複数の第1のMOSトランジスタと、
前記複数の差動増幅器の他方の入力が共通に接続されたノードと第2の電源電圧を受けるノードとの間に接続され所定のバイアス電圧をゲートに受ける第2のMOSトランジスタとを含む、請求の範囲第1項に記載の増幅回路。 - 前記複数の差動増幅器の他方の入力が共通に接続されたノードに接続された容量をさらに備える、請求の範囲第2項に記載の増幅回路。
- 前記複数の第1のMOSトランジスタと前記第2のMOSトランジスタとの共通接続ノードと前記複数の差動増幅器の他方の入力の共通接続ノードとの間に設けられたvoltage follower回路をさらに備える、請求の範囲第2項に記載の増幅回路。
- 前記複数の第1のMOSトランジスタと前記第2のMOSトランジスタとの共通接続ノードと前記複数の差動増幅器の他方の入力の共通接続ノードとの間に設けられ、前記複数の差動増幅器の他方の入力に供給する電圧を低下させる電圧低下回路をさらに備える、請求の範囲第2項に記載の増幅回路。
- 予め記憶された複数の参照データの各々と入力された検索データとの比較を並列に実行し、各比較結果に応じた電流値を有する複数の比較電流信号を生成するメモリアレイ部と、
前記複数の比較電流信号を電圧に変換し増幅するWLA(Winner Line−up Amplifier)回路と、
前記WLA回路からの出力をさらに増幅するWTA(WinnerTake All)回路とを備え、
前記WLA回路は、
前記複数の比較電流信号に対応して設けられ、対応する比較電流信号を比較電圧信号に変換する複数の電流変圧変換回路と、
前記複数の電流電圧変換回路に対応して設けられ、対応する電流電圧変換回路からの比較電圧信号を一方の入力に受ける複数の差動増幅器と、
前記複数の比較電圧信号のうちの最小または最大電圧に追従する制御電圧を前記複数の差動増幅器の出力から生成し、生成した制御電圧を前記複数の差動増幅器の他方の入力に共通に与える制御回路とを備える連想メモリ。
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