JP4208958B2 - 増幅回路および連想メモリ - Google Patents

増幅回路および連想メモリ Download PDF

Info

Publication number
JP4208958B2
JP4208958B2 JP2008527230A JP2008527230A JP4208958B2 JP 4208958 B2 JP4208958 B2 JP 4208958B2 JP 2008527230 A JP2008527230 A JP 2008527230A JP 2008527230 A JP2008527230 A JP 2008527230A JP 4208958 B2 JP4208958 B2 JP 4208958B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
voltage
input
differential amplifiers
comparison
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008527230A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2008105157A1 (ja
Inventor
ハンス ユルゲン マタウシュ
哲士 小出
裕己 田中
モハマド アノワルル アベディン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hiroshima University NUC
Original Assignee
Hiroshima University NUC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hiroshima University NUC filed Critical Hiroshima University NUC
Application granted granted Critical
Publication of JP4208958B2 publication Critical patent/JP4208958B2/ja
Publication of JPWO2008105157A1 publication Critical patent/JPWO2008105157A1/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C15/00Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores
    • G11C15/04Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores using semiconductor elements

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

本発明は、複数の入力電圧のうちの最小または最大電圧とそれ以外の電圧との電圧差を増幅する回路、および、この増幅回路を用いた連想メモリに関するものである。
近年、情報処理技術、特に画像圧縮・画像認識の分野においては、最小距離検索機能を持つ連想メモリが注目されている。連想メモリは、知的情報処理で必要となる物体認識のためのパターンマッチングやコードブックと呼ばれるデータ群を利用したデータ圧縮に非常に有効である。連想メモリは、入力されたデータ列(検索データ)に対して連想メモリ内にある複数の参照データ中から最も類似した(距離の近い)データを検索する機能を持つ機能メモリの代表的なものの一つであり、その優れた検索機能により、先に述べた画像圧縮・画像認識などのパターンマッチング機能を有するアプリケーションにおいて、その性能を飛躍的に向上できるものとして期待されている。
Wビット幅R個の参照データから入力データと最も似ているデータを見つけることはパターンマッチングにおいて基本的な処理である[非特許文献1]。ゆえに画像圧縮,画像認識などの情報処理において、最小距離検索連想メモリ[特許文献1]は中核を担う部分であるといえる。既存の全並列最小距離検索連想メモリとしては、単純な距離であるハミング,マンハッタンおよびユークリッド距離の検索機能を持つものがそれぞれ提案されている。これらの距離は[数1][数2]で定義される[非特許文献2]。
Figure 0004208958
Figure 0004208958
ここでS={S,S,…,S}は、入力データを表し、R={R,R,…,R}は、参照データを表す。[数1]において、SとRが1ビットの2進数である場合、Dは、ハミング距離となり、SとRがnビット(n>1)の2進数であるとき、Dは、マンハッタン距離となる。[数2]の場合、Dは、ユークリッド距離をあらわす。
これまでに、全並列最小ハミング距離検索アーキテクチャ[非特許文献2]や全並列最小マンハッタン距離検索アーキテクチャ[非特許文献3および特許文献2]が提案されている。これらのアーキテクチャを用いた全並列型連想メモリの全体構成を図1に示す。
この連想メモリは、ユニットデータ保存回路(Unit Storage:US)と、ユニットデータ比較回路(Unit Comparator:UC)と、ワード比較回路(Word Comparator:WC)と、Winner Line−up増幅回路(Winner Line−up Amplifier:WLA)100と、Winner Take All回路(WTA)200とを備える。
ユニットデータ保存回路は、参照データを保存する。ユニットデータ比較回路は、参照データと検索データを比較する。ワード比較回路は、比較信号を電流値に変換する。Winner Line−up増幅回路(WLA回路:Winner Line−up Amplifier回路)100は、比較電流信号を電圧に変換し増幅する。Winner Take All回路200は、WLA回路100からの出力をさらに増幅する。また、この連想メモリは、周辺回路として、検索データ保存回路、行デコーダ、列デコーダ、Read/Write回路を有している。
ユニットデータ比較回路UCは、参照データを検索データと比較し、ワード比較回路WCは、参照データと検索データとの比較結果を示す比較電流信号CをWLA回路100へ出力する。WLA回路100は、比較電流信号Cを比較電圧信号LAに変換し、かつ、増幅する。WTA回路200は、さらに比較電圧信号LAを増幅する。そして、WTA回路200は、最終的にしきい値を設けることで、最も類似するデータ(Winner)を1、その他(Loser)を0として出力する。
特開2002-288985号公報 特開2005-209317号公報 特開2004-5825号公報 D. R. Tveter, "The Pattern Recognition Basis of Art-ificial Intelligence," Los Alamitos, CA: IEEE computer society, 1998. H. J. Mattausch, T. Gyohten, Y. Soda, and T. Koide, "Compact Associative-Memory Architecture with Fully-Parallel Search Cap-ability for the Minimum Hamming Distance," IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 37, pp. 218-227, 2002. H. J. Mattausch, N. Omori, S. Fukae, T. Koide and T. Gyohten, "Fully-Parrallel Pattern-Matching Engine with Dynamic Adaptib-ility to Hamming or Manhattan Distance," 2002 Symposium on VLSI Circuits Digest of Technical Papers, pp. 252-255, 2002. Y. Yano, T. Koide and H. J. Mattausch, "Fully Parallel Nearest Manhattan-distance Search Memory with Large Reference-pattern Number, "Extend. Abst. Of the Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM'2002), pp. 254-255, 2002. M. A. Abedin, Y. Tanaka, A. Ahmadi, T. Koide and H. J. Mattausch, "Mixed Digital-Analog Associative Memory Enabling Fully-Parallel Nearest Euclidean Distance Search," JapaneseJournal of Applied Physics (JJAP), vol. 46, No. 4B, in press, (accepted on January 12, 2007).
図1において、ワード比較回路WC、WLA回路100、およびWTA回路200は、アナログ回路であり、全並列最小距離検索を実現する。しかし、これらの回路において、最小距離データとその他のデータの電圧差を増幅するための回路の動作速度が遅いため、最小距離を検索するまでの時間が長い。また、信号の入力遅延によって誤検索が起こるため信頼性が低い。従来の回路の構成を図2に示す。
そこで、この発明は、かかる問題を解決するためになされたものであり、その目的は、最小距離の検索の信頼性を高くできる増幅回路を提供することである。
また、この発明の別の目的は、最小距離の検索の信頼性を高くできる増幅回路を備えた連想メモリを提供することである。
本発明による増幅回路は、複数の入力電圧を受ける複数の入力ノードと、複数の入力ノードに対応して設けられ、対応する入力ノードの電圧を一方の入力に受ける複数の差動増幅器と、複数の入力電圧のうちの最小または最大電圧に追従する制御電圧を複数の差動増幅器の出力から生成し、生成した制御電圧を複数の差動増幅器の他方の入力に共通に与える制御回路とを備える。
さらに上記増幅回路において、制御回路は、複数の差動増幅器に対応して設けられ、対応する差動増幅器の出力をゲートに受け、複数の差動増幅器の他方の入力が共通に接続されたノードと第1の電源電圧を受けるノードとの間に並列に接続された複数の第1のMOSトランジスタと、複数の差動増幅器の他方の入力が共通に接続されたノードと第2の電源電圧を受けるノードとの間に接続され所定のバイアス電圧をゲートに受ける第2のMOSトランジスタとを備える。
さらに上記増幅回路において、複数の差動増幅器の他方の入力が共通に接続されたノードに接続された容量をさらに備える。
さらに上記増幅回路において、複数の第1のMOSトランジスタと第2のMOSトランジスタとの共通接続ノードと複数の差動増幅器の他方の入力の共通接続ノードとの間に設けられたvoltage follower回路をさらに備える。
さらに、上記増幅回路において、複数の第1のMOSトランジスタと第2のMOSトランジスタとの共通接続ノードと複数の差動増幅器の他方の入力の共通接続ノードとの間に設けられ、複数の差動増幅器の他方の入力に供給する電圧を低下させる電圧低下回路をさらに備える。
本発明による連想メモリは、予め記憶された複数の参照データの各々と入力された検索データとの比較を並列に実行し、各比較結果に応じた電流値を有する複数の比較電流信号を生成するメモリアレイ部と、複数の比較電流信号を電圧に変換し増幅するWLA(Winner Line−up Amplifier)回路と、WLA回路からの出力をさらに増幅するWTA(Winner Take All)回路とを備え、WLA回路は、複数の比較電流信号に対応して設けられ、対応する比較電流信号を比較電圧信号に変換する複数の電流変圧変換回路と、複数の電流電圧変換回路に対応して設けられ、対応する電流電圧変換回路からの比較電圧信号を一方の入力に受ける複数の差動増幅器と、複数の比較電圧信号のうちの最小または最大電圧に追従する制御電圧を複数の差動増幅器の出力から生成し、生成した制御電圧を複数の差動増幅器の他方の入力に共通に与える制御回路とを備える。
本発明の増幅回路では、複数の差動増幅器の一方の入力に与えられる入力電圧のレベルは制御せず固定し、他方の入力に共通の制御電圧を与えることにより差動増幅器の動作範囲を制御している。この増幅回路を例えば連想メモリのWLA回路に適用した場合、随時的なフィードバック制御が行われるため、動作時には自己で正しく最小距離検索するための補正がかかり、最終的に動作安定時に正確な最小距離検索が可能になる。また、差動増幅器へ入力される比較電圧信号を制御するのではなく、比較対象を制御する(制御電圧を制御する)ため、もし誤検索の方向に回路が動作したとしてもすぐに修正することができる。
全並列型連想メモリの概略構成を示すブロック図である。 従来のWLA回路の内部構成を示す回路図である。 本発明の実施形態によるWLA回路の内部構成を示す回路図である。 WLA回路内部の差動増幅器の動作を説明するための図である。 本発明の実施形態によるWLA回路の内部構成を示す回路図である。 本発明の実施形態によるWLA回路の内部構成を示す回路図である。 本発明の実施形態によるWLA回路の内部構成を示す回路図である。 本発明の実施形態によるWTA回路の内部構成を示す回路図である。
本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。
[全並列型連想メモリ]
本発明の実施形態による全並列型連想メモリの概略構成を図1に示す。この連想メモリは、参照データを保存するユニットデータ保存回路(Unit Storage:US)、参照データと検索データを比較するユニットデータ比較回路(Unit Comparator:UC))、比較信号を電流値に変換するワード比較回路(Word Comparator:WC)、比較電流信号を電圧に変換し増幅するWinner Line−up増幅回路(Winner Line−up Amplifier:WLA)100、WLA回路100からの出力をさらに増幅するWinner Take All回路(WTA)200を備えている。また、この連想メモリは、周辺回路として、検索データ保存回路、行デコーダ、列デコーダ、Read/Write回路を有している。
ユニットデータ比較回路UCは、参照データを検索データと比較し、ワード比較回路WCは、参照データと検索データとの比較結果を示す比較電流信号CをWLA回路100へ出力する。WLA回路100は、比較電流信号Cを比較電圧信号LAに変換し、かつ、増幅する。WTA回路200は、さらに比較電圧信号LAを増幅する。そして、WTA回路200は、最終的にしきい値を設けることで、最も類似するデータ(Winner)を1、その他(Loser)を0として出力する。
この連想メモリでは、全並列で動作することにより、高速な検索を可能にしている。また、ワード比較回路WC、WLA回路100、およびWTA回路200にアナログ方式を用いることにより、ディジタルのみの連想メモリに比べ大幅に面積を削減している。
本実施形態による連想メモリのブロック構成図(図1)は、従来のものと同じである。本実施形態の連想メモリは、WLA回路100およびWTA回路200の内部構成に特徴を有している。
[WLA回路100]
本実施形態によるWLA回路100の内部構成を図3に示す。このWLA回路100は、電流電圧変換回路110−1〜110−Rと、差動増幅器120−1〜120−Rと、制御回路130とを備えている。
最小距離データとその他のデータは、予め、ワード比較回路WC1〜WCRによって最小距離データ(Winner)=低電流、その他のデータ(Losers)=高電流の比較電流信号C〜CとしてWLA回路100に入力され、電流電圧変換回路110−1〜110−Rによって比較電圧信号VI〜VIに変換される。このようにワード比較回路WC〜WCからの比較電流信号C〜Cは、Winner行において最小となり、比較電圧信号VI〜VIも、Winner行において最小となる。
比較電圧信号VI〜VIは、それぞれ、差動増幅器120−1〜120−Rの入力の一方に入力される。差動増幅器120−1〜120−Rの入力の他方には、制御回路130からのCONTROL電圧が共通に入力される。
制御回路130は、Winner行(最小距離データ)の比較電圧信号VIと同程度のCONTROL電圧を生成する回路である。
入力データとWinnerの距離が大きくなり、WinnerとLosersの距離が小さくなると、比較電圧信号VI〜VIは、数mVの電圧差しか生じない。従来の回路[特許文献1]では、増幅度が低く、数mVの電圧差を増幅し、しきい値で分けるためには、数段のWTA回路(増幅器)が必要となり、検索時間・消費電力・面積が増加する。そこで、本実施形態では、図3に示すように、ワイドレンジ差動増幅器120−1〜120−Rを用いている。これにより、従来の全並列型連想メモリの欠点を改善している。
[差動増幅器120−1〜Rの動作]
図4に示すように、ワイドレンジ差動増幅器120−1〜120−Rの動作は、INPUT1の電圧(VI)<INPUT2の電圧(CONTROL)のとき出力電圧は、GNDとなり(Winner)、INPUT1(VI)>INPUT2(CONTROL)のとき出力電圧は、VDDとなる(Losers)ため、OUTPUTの電圧は、WinnerがGND、LoserがVDDとなる。図4のグラフからわかるように、入力された電圧差は、差動増幅器120−1〜120−Rの増幅度に依存して出力される。具体的な動作は以下のとおりである。
まず、非動作時にINPUT1とCONTROLの電圧は、VDDにプリチャージされる。次に、動作時、Winner及びLosersの電圧がINPUT1に入力される。Winner及びLosersの電圧入力によりINPUT1の電圧が減少し、追従するようにOUTPUTの電圧が減少する。OUTPUTの電圧が減少することで、制御回路130のボルテージフォロアに流れる電流が多くなり、CONTROL電圧が徐々に減少する。CONTROL電圧が下がることによってOUTPUTの電圧がある程度まで下がり、最終的に制御回路130においてVDDから流れる電流とGNDに流れる電流が等しくなると、CONTROLの電圧は、安定する。INPUT1に入る電圧は、予めワード比較回路WCによってWinner行が一番低く制御されており、OUTPUTの電圧は一番初めに下がるため、CONTROLの電圧は、Winnerの電圧に追従することになる。
[特徴点]
本実施形態のWLA回路100(図3)と以前までのWLA回路(図2)との大きな違いは、以前までのWLA回路の場合、増幅器へ入力される比較電圧信号VI〜VIのレベルを、増幅器の動作範囲に収まるように、直接制御していたが、本実施形態のWLA回路100では、増幅器120−1〜120−Rへ入力される比較電圧信号VI〜VIのレベルは固定し、増幅器120−1〜120−Rの他方の入力にCONTROL電圧を与えることにより動作範囲を制御していることである。また、増幅度の違いが大きな点もこの回路の利点である。以下に本実施形態のWLA回路100の利点を挙げる。
[1]増幅度が高い
以前のWLA回路の場合、数mVの差を数Vに増幅するために4段〜6段必要だったのに対し、本実施形態では、差動増幅器120−1〜120−Rを用いるため、2段で十分である。この効果は、高速な検索や消費電力・信頼性・小面積にもつながる。
[2]面積効率がよい
[1]でも述べたとおり、従来の回路に比べ段数が1/2〜1/3で十分なため、面積もその分減らすことができる(WTAの一段ずつのトランジスタ数は従来のものに比べ3倍近く多いが、トランジスタの大きさが従来のものは大きいため、ほぼ同じと考えられる)。
[3]高速に最小距離検索を行うことができる
これまでの問題点であった「最小距離データとその他のデータの電圧差を増幅するための回路の動作が遅いため、最小距離を検索するまでの時間が長い」に対し、ワイドレンジ差動増幅器120−1〜120−Rを用いることで、数mVの差を数Vに増幅することが可能であるため、高速に最小距離検索を行うことができる。また、以前のWLA回路においては、電圧が高い場合、動作が遅いという欠点があったのに対し、本回路を用いることで高速動作することが可能である。また、差動増幅器120−1〜120−Rへ入力される比較電圧信号VI〜VIのレベル制御を行わないため、入力電圧に付随するトランジスタを極力少なくすることができ、これにより負荷容量が減り動作速度も速くなる。
[4]自己補正することができる
本実施形態のWLA回路100には、制御用のフィードバック部分(制御回路130)がある。以前の回路の場合、連続的なフィードバック制御のため信号遅延に対して弱いのに対し、本実施形態の回路では随時的なフィードバック制御のため、動作時には回路が自動的に正しく最小距離検索を行なうための補正をかけるため、入力データとの距離差にかかわらず、最終的に動作安定時に正確な最小距離検索が可能になる。
[5]ノイズに強い
チップを作成し、実際に動作するときに、入力信号にノイズが加わることはよくあり、場合によっては、誤動作や誤検索の原因になる。これに対して差動増幅器を用いることで2つの入力で差動制御することになり、同位相ノイズに対して感度を低くすることができる。
[6]消費電力が低い
本実施形態のWLA回路100では、動作時最小距離データ行の制御回路のみ電流を大きく流すため、消費電力を低く保つことができる。
[7]信頼性が高い
アナログ回路を多く用いる場合、作製されたトランジスタの特性のばらつきにより、動作が不安定になることはよくあることである。従来の技術では、十分大きな距離まで正確に最小距離検索を行うために、WLA及びWTA回路が4〜6段必要なのに対し、本実施形態によれば2段で十分であり、その分、アナログ回路が減り、回路全体の信頼性も向上する。また、本実施形態のWLA回路100では、差動増幅器120−1〜120−Rへ入力される比較電圧信号VI〜VIを制御するのではなく、比較対象を制御する(CONTROL電圧を制御する)ため、もし誤検索の方向に回路が動作したとしてもすぐに修正することができる。
信頼性を議論する場合、比較されるのがディジタル回路である。ディジタル回路では全距離に対して、回路破壊・信号のタイミングミスが起こらない限り正確に出力を得ることが可能である。しかし、最小距離検索を用いるアプリケーションでは、ある程度の距離以上離れた場合には、入力データに対して距離が大きく異なることになるため、最小距離検索処理をする必要がない場合がある(最大距離512に対して、距離128はデータ上1/4が異なっていることになるため、アプリケーションによっては、最小距離のデータが見つからないと判断してもよいことになる)。本実施形態の回路では、入力電圧の電圧差を距離が低いものから重点的に割り振ることができるようになっており(|距離1−距離2|=50mV,|距離50−距離51|=20mV)、さらに増幅度の高い回路を用いることにより、距離100程度までであれば、実用上問題なく、最小距離検索を行なうことができる。
以上より、実用上十分である距離までに対して、正確に最小距離検索を行なうことができ、ディジタル回路より消費電力が小さく、検索時間が短い本実施形態の回路は優れているといえる。
[WLA回路100の変形例1]
差動増幅器120−1〜120−Rおよび制御回路130のみを用いた場合、安定時前に出力電圧が大きく振れてしまう場合がある。それに対処するために、図5に示すように、制御回路130の出力に容量140を付加することで、大きな振れを抑制する。
[WLA回路100の変形例2]
CONTROLラインの電圧は、制御回路130によって決定される。しかし、その電圧には制限があり、GNDからVDDまでの全ての範囲をカバーすることはできない。また、GNDまでCONTROLラインの電圧を短い時間で落とすには、より大きなトランジスタが必要となる。これに対処するために、図6に示すように、Voltage Follower回路150を付加する。これによりGNDからVDDの大部分の範囲をカバーすることができ、また、高速動作が可能となり、また、トランジスタサイズも抑制することができる。
[WLA回路100の変形例3]
図7は、本発明の実施形態によるWLA回路の内部構成を示す回路図である。図7に示すWLA回路100は、図6に示すWLA回路100のVoltage Follower回路150に代えて、レベルシフト回路160および差動増幅器170を備える。
レベルシフト回路160は、制御回路130と、差動増幅器170の非反転入力との間に接続される。差動増幅器170は、その反転入力端子および出力端子が差動増幅器120−1〜120−RのCONTin端子に接続される。
レベルシフト回路160は、制御回路130から供給される電圧のレベルを差動増幅器170の動作電圧範囲の下限値に低下させ、その低下させた電圧を差動増幅器170の非反転入力端子に供給する。より具体的には、差動増幅器170の動作電圧範囲を0.4〜1.4Vとすると、レベルシフト回路160は、制御回路130から供給される電圧を0.4Vに低下させて差動増幅器170の非反転入力端子に供給する。
差動増幅器170は、レベルシフト回路160から供給された電圧を増幅し、その増幅した電圧をCONTROL電圧として差動増幅器120−1〜120−RのCONTin端子に供給する。
レベルシフト回路160および差動増幅器170を設けることによって差動増幅器120−1〜120−Rに供給されるCONTROL電圧は、レベルシフト回路160および差動増幅器170を設けない場合(図5に示す場合)に比べ低下する。
その結果、各差増増幅器120−1〜120−Rは、レベルシフト回路160および差動増幅器170を設けない場合(図5に示す場合)よりも高い電圧からなる出力信号を出力する。
したがって、次段のWTA回路200を高速に動作させることができる。
なお、レベルシフト回路160および差動増幅器170は、差増増幅器120−1〜120−RのCONTin端子に供給するCONTROL電圧を低下させる「電圧低下回路」を構成する。
[WTA回路200]
図8に示すように、本発明の増幅回路は、WLA回路100と同様、WTA回路200にも適用される。WTA回路200は、WLA回路100からの比較電圧信号LA1〜LARをさらに増幅する。そして、最終決定回路210により、一致信号MとしてWinner行に1が出力され、その他のLoser行には0が出力される。なお、WTA回路200についても、WLA回路100と同様、図5から図7に示したような変形が可能である。
[シミュレーションによる評価]
本実施形態による連想メモリの性能を回路シミュレーションソフトウェアHSPICEによって回路シミュレーションで確認した。設計に用いたテクノロジは、0.35μm CMOSであり、15個の5-bitバイナリデータから構成される64参照データの連想メモリを設計して行なった。回路シミュレーションの結果、本実施形態の連想メモリは、Winnerを参照データとWinner距離の広い範囲において高速化かつ低消費電力で見つけることができることが確認された。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明の適用範囲は、上記の実施形態に限定されることはない。たとえば上記実施形態では、全並列型連想メモリのパターンマッチング機能を実現するため、本発明の増幅回路をWLA回路に適用した例について説明したが、本発明の増幅回路を用いたWLA回路の用途は必ずしも全並列型連想メモリのパターンマッチングに限定されるものではない。たとえばネットワークルータ、コードブックベースデータ圧縮、物体認識、および、人工知能システム、データバンクシステム、インターネットルータ、移動端末(たとえばモバイルビデオ端末など)におけるパターンマッチングに対して広く適用することができる。

Claims (6)

  1. 複数の入力電圧を受ける複数の入力ノードと、
    前記複数の入力ノードに対応して設けられ、対応する入力ノードの電圧を一方の入力に受ける複数の差動増幅器と、
    前記複数の入力電圧のうちの最小または最大電圧に追従する制御電圧を前記複数の差動増幅器の出力から生成し、生成した制御電圧を前記複数の差動増幅器の他方の入力に共通に与える制御回路とを備える増幅回路。
  2. 前記制御回路は、
    前記複数の差動増幅器に対応して設けられ、対応する差動増幅器の出力をゲートに受け、前記複数の差動増幅器の他方の入力が共通に接続されたノードと第1の電源電圧を受けるノードとの間に並列に接続された複数の第1のMOSトランジスタと、
    前記複数の差動増幅器の他方の入力が共通に接続されたノードと第2の電源電圧を受けるノードとの間に接続され所定のバイアス電圧をゲートに受ける第2のMOSトランジスタとを含む、請求の範囲第1項に記載の増幅回路。
  3. 前記複数の差動増幅器の他方の入力が共通に接続されたノードに接続された容量をさらに備える、請求の範囲第2項に記載の増幅回路。
  4. 前記複数の第1のMOSトランジスタと前記第2のMOSトランジスタとの共通接続ノードと前記複数の差動増幅器の他方の入力の共通接続ノードとの間に設けられたvoltage follower回路をさらに備える、請求の範囲第2項に記載の増幅回路。
  5. 前記複数の第1のMOSトランジスタと前記第2のMOSトランジスタとの共通接続ノードと前記複数の差動増幅器の他方の入力の共通接続ノードとの間に設けられ、前記複数の差動増幅器の他方の入力に供給する電圧を低下させる電圧低下回路をさらに備える、請求の範囲第2項に記載の増幅回路。
  6. 予め記憶された複数の参照データの各々と入力された検索データとの比較を並列に実行し、各比較結果に応じた電流値を有する複数の比較電流信号を生成するメモリアレイ部と、
    前記複数の比較電流信号を電圧に変換し増幅するWLA(Winner Line−up Amplifier)回路と、
    前記WLA回路からの出力をさらに増幅するWTA(WinnerTake All)回路とを備え、
    前記WLA回路は、
    前記複数の比較電流信号に対応して設けられ、対応する比較電流信号を比較電圧信号に変換する複数の電流変圧変換回路と、
    前記複数の電流電圧変換回路に対応して設けられ、対応する電流電圧変換回路からの比較電圧信号を一方の入力に受ける複数の差動増幅器と、
    前記複数の比較電圧信号のうちの最小または最大電圧に追従する制御電圧を前記複数の差動増幅器の出力から生成し、生成した制御電圧を前記複数の差動増幅器の他方の入力に共通に与える制御回路とを備える連想メモリ。
JP2008527230A 2007-02-27 2008-02-22 増幅回路および連想メモリ Expired - Fee Related JP4208958B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007046555 2007-02-27
JP2007046555 2007-02-27
PCT/JP2008/000309 WO2008105157A1 (ja) 2007-02-27 2008-02-22 増幅回路および連想メモリ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP4208958B2 true JP4208958B2 (ja) 2009-01-14
JPWO2008105157A1 JPWO2008105157A1 (ja) 2010-06-03

Family

ID=39720999

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008527230A Expired - Fee Related JP4208958B2 (ja) 2007-02-27 2008-02-22 増幅回路および連想メモリ

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7746678B2 (ja)
JP (1) JP4208958B2 (ja)
WO (1) WO2008105157A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4427574B2 (ja) * 2007-11-30 2010-03-10 国立大学法人広島大学 連想メモリおよびそれを用いた検索システム
WO2010013295A1 (ja) * 2008-07-31 2010-02-04 国立大学法人広島大学 オフセット除去回路、それを備えた連想メモリおよびオフセット電圧の除去方法
JP5916563B2 (ja) * 2012-08-23 2016-05-11 国立大学法人広島大学 連想メモリ

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2738782B2 (ja) * 1991-06-17 1998-04-08 三菱電機株式会社 半導体集積回路
JP2000298995A (ja) * 1999-04-13 2000-10-24 Sony Corp アナログ連想メモリ及びアナログ演算素子
JP3731046B2 (ja) 2001-01-19 2006-01-05 国立大学法人広島大学 半導体連想メモリ
JP3742878B2 (ja) 2002-05-31 2006-02-08 国立大学法人広島大学 自己調整型ウィンナ・ラインアップ増幅器
US6856528B1 (en) * 2003-07-30 2005-02-15 Micron Technology, Inc. Match line sensing amplifier for content addressable memory
JP2005209317A (ja) 2004-01-26 2005-08-04 Hiroshima Univ 最小マンハッタン距離検索連想メモリ装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2008105157A1 (ja) 2010-06-03
US20100085790A1 (en) 2010-04-08
US7746678B2 (en) 2010-06-29
WO2008105157A1 (ja) 2008-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4427574B2 (ja) 連想メモリおよびそれを用いた検索システム
JP4208958B2 (ja) 増幅回路および連想メモリ
KR100501623B1 (ko) 반도체 연상 메모리
JPH09213079A (ja) 半導体記憶装置
JP3731046B2 (ja) 半導体連想メモリ
JP2005285161A (ja) 半導体集積回路装置
US6721218B2 (en) Semiconductor memory device and data read method thereof
JP2005209317A (ja) 最小マンハッタン距離検索連想メモリ装置
JP5065940B2 (ja) 磁気記憶装置
US10747775B2 (en) Data conversion device, search system, and method
KR100504294B1 (ko) 자기 조정형 위너 라인업 증폭기
JP4892720B2 (ja) 最小ユークリッド距離検索連想メモリ装置
JP5035732B2 (ja) オフセット除去回路、それを備えた連想メモリおよびオフセット電圧の除去方法
KR100308215B1 (ko) 감지 노이즈를 최소화할 수 있는 랜덤 액세스 메모리 장치
US20020048187A1 (en) Small size, low consumption, multilevel nonvolatile memory
CN217643335U (zh) 一种快速比较器、数模混合电路和车载控制器
Abedin et al. Fully parallel associative memory architecture with mixed digital-analog match circuit for nearest Euclidean distance search
CN118487600A (zh) 一种单端输入的精度可配置的sar-adc及其芯片
Kamimura et al. Optimized multi-stage minimum-distance-search circuit with feedback-stabilization for fully-parallel associative memories
Wu et al. A new dynamic ternary sense amplifier for 1.5-bit/cell multi-level low-voltage CMOS DRAMs
Yano et al. Associative Memory for High-Speed Nearest Hamming/Manhattan Distance Search with Large Reference Pattern Number
JP2004185720A (ja) マルチヒット検出回路および内容アドレス可能メモリ装置

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20081021

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081021

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4208958

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111031

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111031

Year of fee payment: 3

S201 Request for registration of exclusive licence

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314201

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111031

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121031

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121031

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131031

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees