JP4207302B2 - バンプ検査方法およびその検査装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、バンプを有する被検査対象、特にフリップチップボンディング方式等の、表面にバンプを設けたチップまたはウェーハ、BGA等の、実装端子としてバンプを有するパッケージのバンプの高さを検査するバンプ検査方法とその装置に関する。
【0002】
近年、LSIチップの入出力端子を高密度に実装できる構造として、接続端子にバンプを用いたフリップチップボンディングやパッケージが注目されている。
【0003】
しかし、バンプの形成時においてその大きさにばらつきが生ずると、チップまたはパッケージの実装時において、隣接するバンプ間の短絡や実装基板への接続不良をおこす原因となる。
【0004】
このような問題を防止するためには、実装前において予めバンプの欠陥を発見する必要がある。ところが、種類によってはチップ上にバンプが数千個以上形成されているものも存在し、この場合目視による検査はほとんど不可能である。従って、バンプの欠陥を自動的に検査できる装置が必要とされている。
【0005】
【従来の技術】
図8は、従来のバンプ検査装置の構成を示す図である。図中、1はウェーハ、2はウェーハ1上に形成されたバンプ、26はウェーハ1を載置する移動可能な検査ステージ、10はレーザ発振器であり照射光3となるレーザ光を発生するもの、11は走査器であり照射光3を一定方向に走査するもの、12は走査された照射光3をバンプ2に照射するための対物レンズ、13はバンプ2で反射された反射光を受ける対物レンズ、14は対物レンズ13からの光を受け、その結像位置と明るさを電気信号により出力するPSD(Position Sensitive Detector)である。
【0006】
次に、このバンプ検査装置の動作を説明する。
【0007】
レーザ発振器10からの照射光3を、走査器11により図面に対して垂直方向(主走査方向)に走査し、その走査光を対物レンズ12によりバンプ2が形成されたウェーハ1面に照射する。ウェーハ1面から反射した光は対物レンズ13を経てPSD14に結像する。PSD14は、結像した光点位置と光の明るさに対応する電気信号を出力する。また、走査器11が走査を行う毎に、ステージ26を図面と水平な方向(副走査方向)に移動させることにより、照射光3をウェーハ1の被検査範囲全面を走査する。ここで、PSD14に結像する反射光4の光点位置はバンプ2の高さにより変化するものであるため、照射光3の走査位置とPSD14からの出力信号によりバンプ2の高さを検出することができる。なお、このような三角測量の技術を使用してバンプを測る公知技術としては、例えば、特開平6−137825号公報に示されるものがある。
【0008】
次に、被検査範囲の全面を走査した場合の、PSD14からの画像と高さプロファイルについて図9を参照しながら説明する。
【0009】
はじめに、図9(a)について説明する。図9(a)は、PSD14からの反射光4の明るさを示す信号を図示しないメモリに逐次記憶させた結果できた画像(反射画像)である。ここでは、説明の簡単化のため、図1に示されるように、バンプ2が1個であって周囲に他のバンプが存在しない場合を想定して説明する。また、バンプ影6は、実際は瓢箪型の形状となるが、本発明の説明と関係しないため楕円として図示する。
【0010】
図中、5は正反射領域であり、照射光3がバンプ2の頂点付近において正反射した反射光4がPSD14の位置に結像した明るい領域を示す。また、6はバンプ影であり、PSDに反射光3が届かない領域である。また、バンプ影6の周囲は、ウェーハ1表面に反射された反射光4により明るい領域となる。この画像は、照射光3がバンプ2の形成面に対して斜め方向から照射され反射光4から構成される画像であるため、バンプ2の頂点付近で正反射した反射光4は、反射画像において、正反射領域5に示されるように、バンプ影6の中に照射光3の進行方向に沿ってずれて現れる。
【0011】
この反射画像についてa−a’線上での高さプロファイルを示したものが図9(b)である。図中、横軸は位置を示し、縦軸は高さプロファイルを示す。高さプロファイルは、照射光3の走査位置とPSD14の光点位置から求められた走査点ごとの高さデータを逐次メモリに記憶させることにより作成されるものである。
【0012】
なお、図9(b)においては、正反射領域5に対応する部分のみ高さプロファイルが高くなっており、その他のバンプ影6の領域に対応する部分については便宜的に低く示してあるが、実際には、バンプ影6に対応する領域においては、高さデータ自体を取得することができないため高さプロファイルが存在しない。即ち、バンプ影6の中において高さデータを取得できる領域は、反射光4がPSD14に結像する正反射領域5のみである。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術の問題点を、図10〜図13を参照しながら説明する。
【0014】
前述のように、バンプが1つだけでその周囲には他のバンプが存在しない場合、反射画像において反射領域となる正反射領域5は一つであるため、バンプ2の高さを求める上で問題となることはない。しかし、通常ウェーハやパッケージ上には、所定ピッチで配置されたバンプが多数存在するため、照射光3が複数のバンプ間で多重に反射され、反射画像においても、正反射領域以外に多重反射による反射領域が多く現れる。
【0015】
この多重反射には無数のパターンがあり、バンプの大きさ、ピッチ、照射光の方向によりいく通りにも変化するものであるが、特に代表的な例を以下に挙げ説明する。
【0016】
図10は、多重反射の例を示す図である。図10(a)中、1はウェーハ、2a〜2cはバンプである。ここで、照射光3aがバンプ2bの頂点付近に当たる場合、その反射光は反射光4aとして反射される。しかし、照射光3bのような位置に照射光が走査された場合、反射光4bは、バンプ2bからバンプ2aに反射した後ウェーハ1表面で反射され再びバンプ2bで反射した後に、図1で示した対物レンズ13を介してPSD14で結像する。
【0017】
また、別の多重反射の例を図10(b)に示す。照射光が、照射光3bの位置に走査された場合、反射光4bは、バンプ2bからバンプ2cを経て対物レンズを介しPSDで結像する。
【0018】
上記の2つの例の多重反射を含む反射画像と高さプロファイルを図11に示す。
【0019】
図11(a)は、多重反射領域を含む反射画像である。図中、5a〜5cは正反射領域であり、バンプの頂点付近において反射された反射光4により構成される領域である。51b、52b、51cは多重反射領域であり、それぞれ図10に示される多重反射により発生する反射領域である。また、6a〜6cはバンプ影であり、図11(a)では一体化して現れる。
【0020】
次に、図11(a)に示される反射画像のa−a’線上での高さプロファイルを図11(b)に示す。図中、横軸が位置、縦軸が高さプロファイルを示す。
【0021】
多重反射領域51b、52b、51cも、反射光4がPSD14に結像する反射領域であるため高さデータが検出される。しかし、多重反射領域における高さデータは、図11(b)に示すように、バンプ2a〜2bの高さとは関係のない値であるため,多重反射領域に基づいてバンプ高さを求めてしまうと誤差を生ずるという問題がある。
【0022】
この問題を解決する方法として、多重反射領域51b、52b、51cにマスクをして正反射領域5a〜5bのみを抽出することが考えられる。この方法を図12を参照しながら説明する。
【0023】
図12は、反射画像にウィンドウを設定することを示す図である。図中7a、7bはウィンドウであり、設定された範囲以外をマスクするものである。
【0024】
前述した多重反射領域に対し、ウィンドウ7aを設けて検出範囲を制限することを考える。しかし、この場合多重反射領域51bが含まれてしまうため多重反射の影響を完全に除去できない。従って、ウィンドウの大きさをウィンドウ7bまで小さくして設定する必要がある。即ち、多重反射領域51bが正反射領域5bの近くに存在するため、ウィンドウは大きく設定することができない。
【0025】
一方、正反射領域5bは、バンプ2bの高さによりその位置が変わってしまう。この様子を図13に示す。図13は、バンプが低い場合の正反射領域の位置ずれを示す図である。図13(a)に示すように、バンプ2bの高さが他のバンプ2a、2cよりも低い場合、その反射光4による正反射領域は、図13(b)に示すように、反射画像において相対的に右側にずれる結果となる。
【0026】
このように、正反射領域5bはバンプ2bの高さによりその位置を変えてしまうのに対し、ウィンドウ7bは多重反射領域を避けるため一定以上に大きくすることができない。従って、反射画像の所定位置に単なるウィンドウを設けて検出領域を制限するだけでは、バンプの高さを正確に測定することは困難である。
【0027】
そこで、本発明は、バンプの高さのバラツキに対しても多重反射の影響を排除し得るウィンドウを設定することにより、正確なバンプ高さを測定できるバンプ検査方法及び検査装置を提供することを目的とする。
【0028】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【0029】
請求項1記載の発明は、バンプを有する被検査対象に対し、該バンプの形成面と所定角度をなす斜め方向から第一照射光を当て、該被検査対象からの第一反射光を結像させ、該バンプからの第一反射光により構成される反射領域である第一正反射領域及び多重反射領域を含む第一反射画像と、該第一正反射領域に対応する該バンプの高さデータを取得し、該第一反射画像における該第一正反射領域及び多重反射領域の位置を、該高さデータの値と該所定角度とに基づいた値に応じて該第一反射画像の中で移動させ、該第一反射画像から、該バンプの中心位置に対応する領域内に存在する該第一正反射領域を抽出し、抽出した該第一正反射領域に対応する該高さデータに基づいて該バンプの高さを検出することを特徴とするものである。
【0030】
請求項2記載の発明は、請求項1記載のバンプの発明において、前記高さデータの値がhであって、前記所定角度がθであるとき、前記第一正反射領域及び前記多重反射領域をh/tan(θ)に基づいた値に応じて移動させることを特徴とするものである。
【0031】
請求項3記載の発明は、請求項1または請求項2に記載のバンプ検査方法において、前記バンプの中心位置に対応する領域は、前記第一反射画像または予め用意されたデータに基づいて定められることを特徴とするものである。
【0032】
請求項4記載の発明は、請求項1または請求項2に記載のバンプ検査方法において、前記被検査対象へ第二照射光を当て、該被検査対象からの第二反射光を結像させて第二反射画像を取得し、該第二反射画像の中の、前記バンプからの第二反射光により構成される反射領域である第二正反射領域に基づいて前記バンプの中心位置に対応する領域を定めることを特徴とするものである。
【0033】
請求項5記載の発明は、請求項4記載のバンプ検査方法において、前記被検査対象からの反射光から、波長選択フィルタを介して前記第一反射光と前記第二反射光とを選択的に得ることを特徴とするものである。
【0034】
請求項6記載の発明は、バンプを有する被検査対象に対し、該バンプの形成面と所定角度をなす斜め方向から第一照射光を当て、該被検査対象からの第一反射光を結像させ、該バンプからの第一反射光により構成される反射領域である第一正反射領域及び多重反射領域を含む第一反射画像と、該第一正反射領域に対応する該バンプの高さデータを取得する第一光学装置と、該第一反射画像における該第一正反射領域及び該多重反射領域の位置を、該高さデータの値と該所定角度とに基づいた値に応じて第一反射画像の中で移動させ、該第一反射画像から該バンプの中心位置に対応する領域内に存在する該第一正反射領域を抽出し、抽出した該第一正反射領域に対応する該高さデータに基づいて該バンプの高さを検出する制御装置とを有することを特徴とするものである。
【0035】
請求項7記載の発明は、請求項6記載のバンプ検査方法において、前記被検査対象へ第二照射光を当て、該被検査対象からの第二反射光を結像させて第二反射画像を取得する第二光学装置を備え、前記制御装置が、該第二反射画像の中の、前記バンプからの第二反射光により構成される反射領域である第二正反射領域に基づいて前記バンプの中心位置に対応する領域を定めることを特徴とするものである。
【0036】
請求項8記載の発明は、バンプを有する被検査対象に対し、該バンプの形成面と所定角度をなす斜め方向から第一照射光を当て、該被検査対象からの第一反射光を結像させ、該バンプからの該第一反射光による反射領域及び多重反射領域を含む第一反射画像と、該反射領域及び該多重反射領域に対応する高さデータを取得し、該第一反射画像における該反射領域及び該多重反射領域の位置を、該高さデータの値と該所定角度とに基づいた値に応じて該第一反射画像の中で移動させ、該移動後の該第一反射画像をマスクし、該バンプの中心位置に対応する領域にウィンドウを設けて、該バンプからの第一反射光により構成される反射領域である第一正反射領域を抽出し、抽出後の該第一正反射領域に対応する該高さデータに基づいて該バンプの高さを検出するものである。
【0037】
請求項9記載の発明は、バンプを有する被検査対象に対し、該バンプの形成面と所定角度をなす斜め方向から第一照射光を当て、該被検査対象からの第一反射光を結像させ、該バンプからの該第一反射光による構成される反射領域である第一正反射領域及び多重反射領域を含む第一反射画像と、該第一正反射領域及び該多重反射領域に対応する該バンプの高さデータを取得し、該第一正反射領域及び該多重反射領域に対応する該高さデータの位置を、該高さデータの値と該所定角度とに基づいた値に応じて該第一反射画像に対応する高さデータ領域の中で移動させ、該高さデータ領域から該バンプの中心位置に対応する領域内に存在する該高さデータを抽出し、抽出した該高さデータに基づいて該バンプの高さを検出するものである。
【0038】
上記各手段は、次のように作用する。
【0039】
請求項1記載の発明によれば、
第一正反射領域の位置を、対応する該高さデータの値と所定角度とに基づいた値に応じて、第一反射画像の中でそれぞれ移動させるので、バンプの高さに関係なく第一正反射領域の位置が定まり、その所定の位置にウィンドウを設定して、多重反射領域をマスクし第一正反射領域を抽出することにより、多重反射の影響を排除しバンプ高さを正確に検出することができる。
【0040】
請求項2記載の発明によれば、
第一正反射領域の位置の移動を単位画素毎に行い、単位画素に対応する高さデータの値をh、所定角度がθとしたときに、単位画素の位置を第一照射光の照射方向とは逆向きにh/tan(θ)に基づいた値に応じて移動させることにより、バンプ高さに関係なく、照射光の方向にずれていた第一正反射領域をバンプ中心に対応する位置に正確に定めることができる。
【0041】
請求項3記載の発明によれば、
第一反射画像またはCADデータを用いて、マスクして抽出するバンプの中心領域を特定することができる。
【0042】
請求項4記載の発明によれば、
被検査対象のバンプ形成面の上部から第二反射画像を取得し、そのバンプの反射領域から抽出すべき第一正反射領域を特定することができる。
【0043】
請求項5記載の発明によれば、
第一照射光と第二照射光との波長を異ならせることにより、第一反射光と第二反射光とを波長選択フィルタを用いて選択的に得ることができる。
【0044】
請求項6記載の発明によれば、
第一正反射領域の位置を、対応する高さデータの値と該所定角度とに基づいた値に応じて、該第一反射画像の中でそれぞれ移動させるので、バンプの高さによらず第一正反射領域の位置が定まり、その所定の位置にウィンドウを設定して第一正反射領域のみを抽出することにより多重反射の影響を排除し、バンプ高さを正確に検出することができる。
【0045】
請求項7記載の発明によれば、
被検査対象のバンプ形成面の上部から第二反射画像を取得し、そのバンプの反射領域から抽出すべき第一正反射領域を特定することができる。
【0046】
請求項8記載の発明によれば
第一反射画像の中の反射領域の位置を、その反射領域に対応する高さデータの値と所定角度とに基づいた値に応じて、第一反射画像の中でそれぞれ移動させた後、第一反射画像の所定領域から、該バンプの頂点付近からの該第一反射光による反射領域(第一正反射領域)を抽出するため、バンプの高さに関係なく第一正反射領域の位置が定まり、多重反射の影響を排除しバンプ高さを正確に検出することができる。
【0047】
請求項9記載の発明によれば
第一反射画像の中の高さデータの位置を、その反射領域に対応する高さデータの値と所定角度とに基づいた値に応じて、第一反射画像に対応する高さデータ領域の中でそれぞれ移動させた後、高さデータ領域の所定領域から、該バンプの頂点付近からの該第一反射光による反射領域(第一正反射領域)に対応する高さデータを抽出するため、バンプの高さに関係なく第一正反射領域の位置が定まり、多重反射の影響を排除しバンプ高さを正確に検出することができる。
【0048】
【発明の実施の形態】
以下、ウェーハ上に形成されたバンプの検査についての実施例を説明する。しかし、本発明は、ウェーハ上にバンプへの適用に限定されるものではなく、ダイシング後のチップ上のバンプや、パッケージ上に形成された実装端子としてのバンプ等に適用可能である。
【0049】
[第一実施例]
以下、本発明のバンプ検査方法に関する第一実施例について図1〜図3を参照しながら説明する。
【0050】
図1は、第一正反射領域の移動量を説明するための図である。図中、1はウェーハ、2a〜2cはウェーハ1上に形成されたバンプである。これらウェーハ1とバンプ2a〜2cにより被検査対象を構成する。なお、バンプの数は被検査対象の種類により変わるが、本実施例においては、説明の簡単化のためバンプを数を3つとしている。
【0051】
また、第一照射光31はレーザ光を走査して得られる光である。第一照射光31は、図面に対して垂直方向(主走査方向)に被検査対象を走査し、走査を行う毎にウェーハ1を載置する図示しない検査ステージを図面と水平な方向(副走査方向)に移動させることにより、ウェーハ1の被検査範囲全面を照射する。なお、走査方法としては、ステージ移動をなしに第一照射光31の二次元走査のみでウェーハ1全面を走査してもよい。また、走査されたレーザ光の代わりに、シリンドリカルレンズを使用した一直線の形状のシート光を第一照射光31として使用し、シート光を走査するかまたはステージ移動するかで被検査対象の全面を照射してもよい。この場合は、後述する第一反射光41の結像位置を検出するには、二次元の位置を検出できる素子、例えば、CCDを使用する必要がある。また、第一照射光31は、バンプ2a〜2cが形成されたウェーハ1の面と45度の角度となる斜め方向から照射される。角度としては、斜め方向からであれば特に限定されないが、ウェーハ1面との角度が0度に近くなると、より多重反射が起きやすくなり、逆に角度が直角に近くなるとバンプ高さ検出の分解能が悪くなるため好ましくない。
【0052】
このようにして、ウェーハ1の検査範囲全面に第一照射光31を照射し、ウェーハ1からの第一反射光41の結像された光の明るさデータをメモリに逐次記憶して第一反射画像を作成する。また、第一反射光41の結像位置と第一照射光31の走査位置とから、三角測量の原理によりバンプ2a〜2cの高さに対応する高さデータを検出し、逐次メモリに記憶し、第一反射画像に対応する高さデータ領域を作成する。即ち、第一反射画像の単位画素ごとに高さデータがメモリに記憶されており、その高さデータが第一反射画像とは異なるメモリ領域に、第一反射画像に対応する形で高さデータ領域が形成されている。
【0053】
次に、ウェーハ1の検査範囲全面を走査した場合の、第一反射光41の結像画像(第一反射画像)について図2(a)を参照しながら説明する。
【0054】
図2(a)は、第一正反射領域の移動を説明するための図である。図中、図5(a)と同じものについては同じ符号を付しその説明を省略する。なお、図2(a)における第一正反射領域50bは、図5(a)における正反射領域5bに対応するものである。また、図2(a)では、説明の簡単化のため、図5(a)に示される反射領域のうち、第一照射光31がバンプ2bに最初に当たったものの反射領域である、第一正反射領域50bと多重反射領域51b、52bのみを示す。
【0055】
図2(a)に示される第一反射画像では、第一正反射領域50bの位置が、バンプ影6に対して第一照射光31の進行方向にずれて現れる。ここで、第一正反射領域50bはバンプ2bの頂点付近からの第一反射光41により構成されている。この場合、第一反射画像において、第一反射バンプ領域50bがバンプ2bの中心位置からどの程度ずれるのか、図1を参照しながら説明する。
【0056】
図1において、反射光41が反射される点をQとし、ウェーハ1表面を基準面とする点Qにおける高さデータをhとする。また、第一照射光31方向の延長線とウェーハ1面との光点をPとし、点Qのウェーハ1面への垂線とウェーハ1面との交点をRとし、第一照射光31のウェーハ1面に対する角度がθとすると、直線PRの長さはh/tan(θ)となる。一方、点Pの位置は第一反射画像での位置の基準となるため、点Qで反射された第一反射光41は点Pの位置における反射光として第一反射画像に現れる。この場合、ウェーハ1面における点RからPまでが、第一反射画像での第一正反射領域50bの位置ずれ量となる。
【0057】
従って、第一反射画像において、第一正反射領域50bを、直線PRに相当する分だけ位置補正すれば、バンプ2bの中心位置に対応する位置に一致することになる。具体的には、第一照射光31とは逆向きにh/tan(θ)に基づいた値に応じて移動させればよい。
【0058】
このように、第一正反射領域50bの位置をバンプ中心位置に補正することにより、第一反射画像における第一正反射領域50bの位置を、バンプ2bの高さに関係なく固定することができる。即ち、点Pの位置はバンプ2bの高さにより移動するが、バンプ2bの中心位置は高さに関係なく固定されているため、第一反射画像におけるバンプ2bの中心位置の対応位置に第一正反射領域50bを移動させることにより、第一反射画像において第一反射領域50bの位置を固定することができる。
【0059】
第一反射領域50bの移動方法について図2(b)を参照しながら詳細に説明する。
【0060】
図2(b)は、第一反射画像における第一正反射領域の移動を説明するための図である。図中、500bは、移動前の第一正反射領域50bや多重反射領域51b、52bを構成する、第一反射画像における単位画素である。また、501bは、移動後の第一正反射領域50bや多重反射領域51b、52bを構成する、第一反射画像における単位画素である。単位画素中に含まれる画素数については、第一反射画像の画素数や要求される精度や速度に応じて変更できる。また、第一反射画像の中で第一正反射領域50bを移動することは、第一反射画像自体を変更することの他に、第一反射画像を別のメモリ領域に転写した後にそのメモリ領域内で第一正反射領域50bを移動して画像を変更することも含む。
【0061】
第一正反射領域及び多重反射領域の移動方法を説明する。バンプ2a〜2cからの反射領域である第一正反射領域50bと多重反射領域51b、52bについて、それらを構成する単位画素500b毎に、高さデータ領域内に記憶された対応する高さデータを読みだす。第一正反射領域50bでは、その画素単位500bに対応する高さデータは、バンプ2bの頂点部分の高さにほぼ対応することになるが、多重反射領域51b、52bでは、その画素単位500bに対応する高さデータは、バンプ2a〜2cで最後に反射された第一反射光41の反射点のウェーハ1面からの高さと、照射光31の走査位置により決まる値になる。なお、第一反射画像の中で移動させる領域の位置は、予めCADデータ等によりおおよその位置を特定して処理を行えば、高速に処理することが可能である。
【0062】
次いで、その単位画素500bの位置、読み出した高さデータh及び角度θにより、それぞれの単位画素500bを元の位置から第一照射光31とは逆向きに、第一反射画像におけるh/tan(θ)に対応した値に応じて移動させ、単位画素501bとする。具体的には、移動後の位置における単位画素に対応する明るさデータを、移動前の位置における単位画素に対応する明るさデータに置き換える処理をする。また、第一反射画像における単位画素500bの移動に対応させて、単位画素500bに対応する高さデータも高さデータ領域において移動させておく。これにより移動前の単位画素500bと対応する高さデータの対応関係が、移動後の単位画素501bにおいても保持される。これらの工程をすべての第一正反射領域50b、多重反射領域51b、52bについて繰り返す。
【0063】
なお、この場合、単位画素が500bと対応する高さデータの対応関係が、移動後の単位画素501bでも保持される構成になっていれば、特に高さデータを高さデータ領域内で移動させる必要はない。また、第一反射画像において第一正反射領域や多重反射領域を移動させる代わりに、高さデータ領域において、第一正反射領域や多重反射領域にそれぞれ対応する高さデータの位置を移動させることもできる。この場合、図2(b)で示した移動前の単位画素500bに対応する高さデータ領域における高さデータを、移動後の単位画素501bに対応する高さデータ領域における位置に移動させることになる。
【0064】
また、上記工程の繰り返しの結果、ノイズの影響等により、複数の画素単位が同一の画素単位に偶然に移動して重なることがある。この場合、移動後の同一の単位画素において、値の異なる高さデータが複数存在し精度を低下させることになるため、この単位画素において高さデータを予め決定しておくことが望ましい。この高さデータを決定するための方法を図3を参照しながら以下に説明する。
【0065】
図3は、複数の単位画素が重なる場合の高さデータの決定を説明するための図である。図中、81a〜81cは単位画素高さを示す点で、移動の結果重なりが生じた単位画素の近傍の単位画素の位置と高さデータの値を示す点であって、そのXY方向の位置が第一反射画像における位置により規定され、そのZ軸方向の位置がその単位画素における高さデータの値により規定されるものである。なお、近傍の単位画素は、第一正反射領域50bや多重反射領域51b、52b内の単位画素で単位画素位置80からの距離が小さいものであって、移動後も対応する高さデータが一意的に決定されているものから少なくとも3つ選択される。
【0066】
また、仮想平面8は、点81a〜81cを通る平面である。また、80は、単位画素位置であり、移動の結果重なりが生じた単位画素に対応する位置に存在し、そのXY方向の位置が第一反射画像における位置により規定され、そのZ軸方向の位置が仮想平面8との交点の位置により規定されるものである。この単位画素位置の高さをHとする。また、高さ点9aは、単位画素位置80を通るZ軸上に存在し、重なりが生じた単位画素における移動前の一方の単位画素に対応する高さデータの値を示す点であり、高さ点9bは、他方の高さデータの値を示す点である。また、h1は高さ点9aから単位画素位置80までの距離を示し、h2は、高さ点9bから単位画素位置80までの距離を示す。
【0067】
上記のように仮定した場合、重なりが生じた単位画素の高さデータの値が示す高さ点9a、9bは、ノイズ等の影響がなければ、その周囲の高さデータで作成される仮想平面8に近い距離に存在するはずである。このような考えから、所定の値βを設定し、以下のように判断する。
【0068】
【表1】
なお、βの値は、例えば、高さデータの最小分解能に設定される。例を挙げて説明する。高さデータが256階調で表される場合に、画素高さ81a〜81cの高さデータがそれぞれ105、97、100であり、単位画素単位位置80での高さHが102.5であると仮定し、高さ点9a、bがそれぞれ103、110と仮定する。このときh1、h2はそれぞれ0.5、7.0となる。このときβを1に設定すると、h1<β、h2>βとなるので、重なる単位画素における高さデータは、H+h1となり102.5+0.5で103となる。
【0069】
以上、2つの単位画素が同一の単位画素に重なる場合を説明したが、3つ以上の単位画素が重なった場合も同様の方法で処理することができる。
【0070】
次に、移動後の第一反射画像を図2(c)に示す。
【0071】
図2(c)は、第一正反射領域の移動後にウィンドウを設定することを示す図である。第一正反射領域50bは、第一反射画像においてバンプ2bの中心位置に対応する位置に補正される。なお、図2(a)に示される多重反射領域51bは第一正反射領域50bに比較的近い位置に存在するが、図2(b)では図2(a)よりも両者は離れた位置に移動する。これは、図5(b)に示されるように、多重反射領域51bは第一正反射領域50bに比べ対応する高さデータが低いため、多重反射領域51bの移動量は第一正反射領域50bの移動量よりも小さくなるためである。これにより、次に説明するウィンドウの設定を容易にする効果がある。
【0072】
次に、図2(c)を参照しながらウィンドウの設定について説明する。図中7a、7bはウィンドウであり、設定された領域の画像のみを抽出しそれ以外の領域をマスクするものである。
【0073】
ウィンドウの設定については、その中心位置と形状、大きさを定めることが必要である。中心位置の決め方は、第一にはバンプ影6を利用する方法がある。これは、例えばバンプ影6の形状からその重心位置を求め、それをバンプの中心点とし、その点を中心とする所定の大きさにウィンドウを設定する方法がある。
【0074】
また、第二に、CADデータを利用する方法がある。これは予め用意しておいたCADデータと第一反射画像の位置合わせを行い、CADデータに存在するバンプの位置情報を利用してウィンドウの中心位置を設定するものである。
【0075】
次に、ウィンドウの形状については、被検査対象であるバンプの形状により、好ましい形状がある。これは、ウィンドウの形状は第一正反射領域の形状と同じであるほうが多重反射領域を除去する上で好ましいからであり、また第一正反射領域の形状は被検査対象のバンプの形状に依存するからである。例えば、球状のバンプであれば、ウィンドウも円形にするのが好ましいが、円柱状や直方体のバンプであれば、それに応じた第一正反射領域の形状にウィンドウの形状を合わせるのが好ましい。また、同様の理由からウィンドウの大きさも第一正反射領域の大きさに合わせるのが好ましい。
【0076】
図2(c)において、ウィンドウ7aの設定では、第一正反射領域50bの他に多重反射領域51bを含んでしまう。この場合、バンプ2bの高さを一意的に正確に検出できない。従って、第一正反射領域50bのみがウィンドウ内に含まれるように、ウィンドウ7bを設定する。この場合、前述のように、多重反射領域51bと第一正反射領域50bとの距離が補正により大きくなるため、ウィンドウ7bの設定が容易となる。
【0077】
以上のように、第一反射画像のバンプ影6またはCADデータに基づいて第一反射画像をマスクし、多重反射領域51b、52bを含む第一反射画像から第一正反射領域50bを抽出する。第一反射画像において、どの第一正反射領域が、実際の被検査対象のどのバンプに対応するかは、CADデータを参照することにより特定することができる。
【0078】
最後に、抽出した第一正反射領域における単位画素に対応する高さデータを高さデータ領域から読み出し、ノイズにより極端に値が大きくなっているデータを除去した上で、一番高い値の高さデータをバンプ2bの高さとして検出する。
【0079】
なお、第一反射画像における第一正反射領域及び多重反射領域を移動を行わずに、高さデータ領域における高さデータの移動を行った場合は、高さデータ領域に対して図2(c)に示されるマスクによりマスクし、ウィンドウ7b内の高さデータを抽出し、上記と同様の処理をしてバンプ2bの高さを検出する。
【0080】
[第二実施例]
第二実施例では、バンプが潰れた形状の場合にも適用できる検査方法を、図4〜図6を参照しながら説明する。
【0081】
はじめに、バンプの形状が潰れている場合の問題点について簡単に説明する。
【0082】
図4は、バンプが潰れた形状の場合の第一正反射領域の拡大を示す図である。図4(a)は、バンプ2bがバンプ2aやバンプ2cに比べ潰れた形状を有していることを除き、図1と同じである。この場合、バンプ2bの頂点領域が広くなるため、それに対応する第一正反射領域も大きくなる。この様子を図4(b)に示す。
【0083】
図4(b)は、図4(a)に示される被検査対象から、第一実施例で示した方法を用いて第一正反射領域を移動させた第一反射画像を示す図であり、図2(c)に対応するものである。図2(c)と異なるのは、第一正反射領域50bが第一正反射領域50a、50cに比べ拡大していることである。
【0084】
このように、第一正反射領域50bが拡大するとウィンドウの設定が困難となる。即ち、バンプ2bの形状が、図4(b)に示されるように均一に潰れている場合はよいが、例えば、頂点部分がバンプの中心位置からずれて潰れている場合等バンプが不均一な形状になっている場合、対応する第一正反射領域50bは面積が大きくなると同時に、バンプの一番高い部分からの第一反射光41による反射領域が第一正反射領域の中心位置からずれてしまう。この場合、第一実施例で示したウィンドウの設定だけでは、バンプ2bの一番高い部分に対応する反射領域がウィンドウ内から外れてしまい、バンプ高さの精度が低下する問題が生ずる。
【0085】
次に、上記の問題を解決する第二実施例を説明する。
【0086】
第二実施例が第一実施例と異なるのは、第一実施例では、第一反射画像から第一正反射領域を抽出するマスクとしてバンプ影やCADデータを用いたのに対して、第二実施例では、被検査対象の上部から得る画像を用いる点である。従って、第一反射画像において第一バンプ反射画像を移動させる工程までは、第二実施例は第一実施例と同様であるためその説明を省略する。
【0087】
はじめに、被検査対象であるウェーハの、バンプが形成された面の上部から第二照射光を当てる。照明の光源としてはハロゲンランプやレーザ光が考えられる。照射方向としては,被検査対象に対して垂直の上部方向の他,第一照射光と同様に斜め方向から照射して反対側の斜め方向から第二反射光を得ることも可能である。
【0088】
次に、被検査対象で反射された第二反射光を上部において結像させ第二反射画像を取得する。
【0089】
図5は、第二反射画像を示す図である。第二反射画像は、第二反射光を結像させた画像である。また、図5は、図1に示される3つのバンプ2a〜2cに対応する第二反射画像を示している。図中53a〜53cは第二正反射領域であり、各バンプ2a〜2cの頂点付近から反射される第二反射光により構成される正反射領域である。また、61a〜61cはバンプ影であり、バンプ2a〜2cのバンプが存在する領域で、上部から照射した第二照射光が第二反射光として上部へ反射されない領域である。なお、図5(a)では、第二正反射領域53a〜53cを等しい大きさで図示しているが、図4(a)に示すように、バンプ2bがその頂点部分が潰れた形状になっている場合、頂点領域が広くなるため第二バンプ領域53bもそれに応じて大きくなる。
【0090】
また、第二反射画像は、バンプ2a〜2cの高さを見る必要はない画像であるため、第二反射光を受ける受光側のレンズのNA(Numerical Aperture)を小さくして第二反射光の入射範囲を制限することができる。これにより第二正反射領域をより限定して抽出することができ、それ以外の領域から反射されてくる多重反射光を影響を抑制することができる。本実施例では、多重反射光の輝度が第二正反射領域における反射光の輝度の80%以下となるように設定する。
【0091】
ただし、受光側レンズのNAを小さくすると、第二正反射領域が相対的に縮小する。この場合、第一反射光を取得する受光側レンズのNAとの差異が生ずると、第一正反射領域に対して第二正反射領域が相対的に小さくなってしまう。このため、図5(a)に示される第二反射画像の第二正反射領域を拡大して補正する必要がある。この様子を図5(b)に示す。図中、点線で描かれている領域は、図5(a)における第二正反射領域に対応する。このときの拡大率は、ダミーのサンプルを用いて実際に第一正反射領域と第二正反射領域を比べた上で設定する他、第一反射光に用いる受光側レンズと第二反射光に用いる受光側レンズのそれぞれのNAの比から求めることができる。
【0092】
以上により第二正反射領域をウィンドウとするマスクが完成する。
【0093】
次に、第一反射画像から第一正反射領域を抽出する工程を図6を参照しながら説明する。
【0094】
図6(a)は、第一正反射領域の移動後の第一反射画像を示す図である。本図は、第一正反射領域を3つとし他の多重反射領域を図示したことを除いて、その図2(c)と同様である。
【0095】
この第一反射画像を、図5(b)に示される第二反射バンプ領域をウィンドウとするマスクによりマスクし、第一反射画像の中の第一正反射領域を抽出する。第一反射画像とマスクとの位置合わせは,例えば,両者における同一対象のずれ量を算出し,補正することに行うことができる。
【0096】
次に,抽出後の第一反射画像を図6(b)に示す。
【0097】
ここで、仮にバンプ2bが、図4(a)に示されるように潰れた形状を有していると、図6(a)に示される第一正反射領域50bが大きくなるが、マスクとなる第二反射画像の第二反射領域53bも同様に大きくなるので、マスクしても多重反射領域を除去しつつ第一正反射領域50bを漏れなく抽出することができる。言い換えれば、第一反射画像に設定するウィンドウの大きさが、第一正反射領域の大きさに応じて自動的に設定される。
【0098】
従って、バンプ2bの頂点位置がバンプの中心位置からずれている場合においても、頂点位置からの第一反射光による第一反射領域をウィンドウにより漏れなく抽出することができるため、高精度のバンプ高さ検出が可能となる。なお、抽出した第一正反射領域からバンプ2a〜2cの高さを検出する方法は、第一実施例で説明したものと同様であるためその説明を省略する。
【0099】
なお、第一反射画像における第一正反射領域及び多重反射領域を移動を行わずに、高さデータ領域における高さデータの移動を行った場合は、高さデータ領域に対して図5(b)に示されるマスクによりマスクし、ウィンドウ7b内の高さデータを抽出してバンプ2bの高さを検出する。
【0100】
[第三実施例]
第三実施例では、バンプ検査装置について図7を参照しながら説明する。
【0101】
図7は、本発明のバンプ検査装置の構成を説明する図である。図中、1はウェーハであり、その表面には図示しないバンプが多数形成されている。
【0102】
次に、第一光学装置に対応する実施例の構成を説明する。10はレーザ発振器であり、第一照射光31となるレーザ光を照射するものである。11はAOD(Acousted Optical Deflector;音響光学素子)であり、第一照射光31を走査するものである。これはポリゴンミラー等の走査器を代用することもできる。また、15a、15bはレンズであり、第一照射光31の走査範囲の倍率を調整するものである。12は対物レンズであり、第一照射光31をウェーハ1面上に結像させるものである。13は対物レンズであり、16は結像レンズであり、それぞれウェーハ1面からの第一反射光41を受けるものである。17は波長選択フィルタであり、反射されて第一反射光41を選択的に透過するものである。14はPSDであり、結像した光の光点位置と明るさに応じた電流を出力するものである。光点位置と明るさを検出する手段としては他にCCD等が使用できる。18は信号処理部であり、PSD14から出力された電流に基づいて光点の位置と明るさのデータを出力するものであり、19はメモリであり、信号処理部18から出力されたデータを記憶するものである。
【0103】
次に、第二光学装置に対応する実施例の構成を説明する。20は照明であり、ハーフミラー21を介してウェーハ1に第二照明光31を照射するハロゲンランプである。22は結像レンズであり、ウェーハ1からの第二反射光42を受けて、波長選択フィルタ23を介してCCDカメラ24にウェーハ1面の像を結像させるものである。25はメモリであり、CCDカメラ24から出力された画像を記憶するものである。
【0104】
次に、ウェーハ搬送ロボットを中心とする実施例の構成について説明する。26は検査ステージであり、ウェーハ1を載置しウェーハ1をXYZ−θ方向に移動可能に構成されている。27はウェーハカセットであり、被検査対象であるウェは1を多数格納するものである。28はアライナであり、ウェーハの回転位置を調整するものである。29はウェーハ搬送ロボットであり、ウェーハ1をウェーハカセット27から取り出し、アライナ28でウェーハ1の回転位置を調整した後、検査ステージ26にウェーハ1を搬送し、また検査の終わったウェーハ1を検査ステージ26からウェーハカセット27に搬送するものである。
【0105】
次に、制御装置を中心とする実施例の構成について説明する。35は制御装置であり、メモリ19に記憶された第一反射画像と、メモリ25に記憶された第二反射画像とを読み出し、所定の処理を行うものである。36は端末であり、制御装置35に対し処理の指示を行うキーボード等や、または制御装置35から処理の結果等を表示する表示装置である。37は外部記憶装置であり、ウェーハ1上に設けられたバンプ位置等のCADデータを記憶したり、検査結果を記憶するものである。38は変調制御回路であり、ウェーハ1を適切な光量かつ走査速度で走査できるようAOD110を制御するものであり、39はステージコントローラであり、AODが主走査方向に走査を行う毎に、制御装置35からの信号に基づいて、検査ステージ26を副走査方向に移動させ速度制御を行うものである。
【0106】
次に、上記のように構成されたバンプ検査装置の動作について説明する。
(第一実施例に対応した動作)
第一実施例にて説明したバンプ検査方法に対応したバンプ検査装置の動作について説明する。なお、本動作の場合、前述した第二光学装置や波長選択フィルタ17は不要である。
【0107】
はじめに、第一光学装置の動作について説明する。
【0108】
レーザ発振器10は、所定の波長を有するレーザ光を第一照明光31として発光する。発光した第一照射光31は、AOD110とレンズ15a、bおよび対物レンズ12により、多数のバンプが形成されたウェーハ1面上を主走査方向に走査する。
【0109】
ウェーハ1面で反射した第一反射光41は、対物レンズ13と結像レンズ16に入射し、波長選択フィルタ17を介してPSD14上で結像する。PSD14から出力される信号は信号処理部18で明るさと高さのデータ信号に変換され、メモリ19は明るさと高さデータを走査位置毎に逐次記憶して第一反射画像と高さデータ領域を作成する。
【0110】
次に、制御装置35の動作について説明する。
【0111】
まず、制御装置35は、変調制御回路38を介してAOD110の走査タイミングを制御する。同時に制御装置35は、AOD110が主走査方向に走査を行う毎に、ステージコントローラ39を介して検査ステージ26を副走査方向に移動させる。これによりウェーハ1の被検査範囲全面を第一照射光31で走査する。 また、制御装置35は、メモリ19に記憶された第一反射画像と高さデータを読み出し、また、外部記憶装置37に記憶されたバンプ位置に関するCADデータを読み出し、そのデータによるバンプ位置を参照しながら第一実施例で示した方法により、第一反射画像における第一正反射領域の移動を実施し、第一反射画像にマスクをして第一正反射領域を抽出し、バンプ高さを検出する。
【0112】
端末36は制御装置35に対して適宜指示を行い、制御装置35は端末36と外部記憶装置37に対して検査結果等のデータを通知し、端末36において表示、印刷を行い、外部記憶装置37で検査結果を記憶する。
【0113】
次に、ウェーハ搬送ロボットを中心とする構成の動作について説明する。
【0114】
まず、ウェーハ搬送ロボット29は、ウェーハカセットに多数格納されたウェーハ1をアライナ28に搬送し、アライナ28はウェーハ1の回転位置の調整を行う。ウェーハ搬送ロボット28は、位置調整後のウェーハ1を検査ステージ26に搬送する。また、ウェーハ搬送ロボット29は、検査が終了したウェーハ1を検査ステージ26からウェーハカセット27に搬送し格納する。この動作を繰り返す。
(第二実施例に対応した動作)
第二実施例にて説明したバンプ検査方法に対応したバンプ検査装置の動作について説明する。なお、本動作の場合、前述した第二光学装置を使用するが、その他の構成の動作についてはほぼ前述の通りであるので、第二光学装置の動作とその動作に関連する他の構成の動作について説明する。
【0115】
はじめに、第二光学装置の動作について説明する。なお、第二光学装置の動作は第一光学装置の動作と同時に行われる。
【0116】
照明20は、第一照射光31とは異なる波長である第二照射光32を発光する。これは波長選択フィルタ17、23によりそれぞれ第一反射光41、第二反射光42をそれぞれ選択的に透過させるためである。発光した第二照射光32は、ハーフミラー21を介してウェーハ1面に照射される。ウェーハ1面上で反射された第二反射光42は、ハーフミラー21を介して結像レンズ22に入射し、波長選択フィルタ23において第二反射光42のみが選択的に透過し、CCDカメラ24に結像する。CCDカメラ24は結像した画像の信号をメモリ25に送付し、メモリ25においてその画像を第二反射画像の原画像として記憶する。
【0117】
次に、制御装置35の動作について説明する。なお、走査に関する制御は前述の通りである。
【0118】
制御装置35は、第二実施例で説明した動作により第一反射画像における第一正反射領域の移動を実施する。また、制御装置35は、メモリ25に記憶された第二反射画像により、第二実施例で示した方法により第一反射画像をマスクし、第一正反射領域を抽出しバンプの高さ検出を行う。
【0119】
また、制御装置35は、第二反射画像に基づいて、ステージコントローラ39を介して検査ステージ26を移動させウェーハ1の姿勢制御を行い、ウェーハ1に形成されたバンプの直径を計測し、エキストラバンプの検出、バンプ欠損有無の検出等を行う。
【0120】
【発明の効果】
以上説明したように、第一正反射領域の位置を、対応する高さデータの値と所定角度とに基づいた値に応じて移動させるので、多重反射に起因する高さエラーデータを効果的に除去でき、より正確なバンプ高さ検出が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 第一正反射領域の移動量を説明するための図
【図2】 第一正反射領域の移動を説明するための図
【図3】 複数の単位画素が重なる場合の高さ決定を説明するための図
【図4】 バンプが潰れた形状の場合の正反射領域の拡大を示す図
【図5】 第二バンプ反射画像を示す図
【図6】 第二正反射領域により第一反射画像をマスクすることを示す図
【図7】 本発明のバンプ検査装置の構成を示す図
【図8】 従来技術のバンプ検査装置の構成を示す図
【図9】 反射画像と高さプロファイルを示す図
【図10】 多重反射の例を示す図
【図11】 反射画像と高さプロファイルを示す図
【図12】 反射画像にウィンドウを設定することを示す図
【図13】 バンプが低い場合の正反射領域の位置ずれを示す図
【符号の説明】
1 ウェーハ
2、2a〜2c バンプ
3、3a、3b 照射光
31 第一照射光
32 第二照射光
4、4a、4b 反射光
41 第一反射光
42 第二反射光
5、5a〜5c 正反射領域
50a〜50c 第一正反射領域
51a〜51c、52a〜52b 多重反射領域
53a〜53c 第二正反射領域
6、6a〜6c、61a〜61c バンプ影
7a、7b ウィンドウ
8 仮想平面
80 単位画素位置
81a〜81c 画素高さ
9a、9b 点
10 レーザ発振器
11 走査器
110 AOD
12、13 対物レンズ
14 PSD
20 照明
21 ハーフミラー
22 結像レンズ
23 波長選択フィルタ
24 CCDカメラ
26 ステージ
35 制御装置
Claims (9)
- バンプを有する被検査対象に対し、該バンプの形成面と所定角度をなす斜め方向から第一照射光を当て、
該被検査対象からの第一反射光を結像させ、該バンプからの第一反射光により構成される反射領域である第一正反射領域及び多重反射領域を含む第一反射画像と、該第一正反射領域に対応する該バンプの高さデータを取得し、
該第一反射画像における該第一正反射領域及び該多重反射領域の位置を、該高さデータの値と該所定角度とに基づいた値に応じて該第一反射画像の中で移動させ、
該第一反射画像から、該バンプの中心位置に対応する領域内に存在する該第一正反射領域を抽出し、抽出した該第一正反射領域に対応する該高さデータに基づいて該バンプの高さを検出することを特徴とするバンプ検査方法。 - 請求項1に記載のバンプ検査方法において、
前記高さデータの値がhであって、前記所定角度がθであるとき、前記第一正反射領域及び前記多重反射領域をh/tan(θ)に基づいた値に応じて移動させる
ことを特徴とするバンプ検査方法。 - 請求項1または請求項2に記載のバンプ検査方法において、
前記バンプの中心位置に対応する領域は、前記第一反射画像または予め用意されたデータに基づいて定められること
を特徴とするバンプ検査方法。 - 請求項1または請求項2に記載のバンプ検査方法において、
前記被検査対象へ第二照射光を当て、
該被検査対象からの第二反射光を結像させて第二反射画像を取得し、
該第二反射画像の中の、前記バンプからの第二反射光により構成される反射領域である第二正反射領域に基づいて前記バンプの中心位置に対応する領域を定めること
を特徴とするバンプ検査方法。 - 請求項4に記載のバンプ検査方法において、
前記被検査対象からの反射光から、波長選択フィルタを介して前記第一反射光と前記第二反射光とを選択的に得ること
を特徴とするバンプ検査方法。 - バンプを有する被検査対象に対し、該バンプの形成面と所定角度をなす斜め方向から第一照射光を当て、該被検査対象からの第一反射光を結像させ、該バンプからの第一反射光により構成される反射領域である第一正反射領域及び多重反射領域を含む第一反射画像と、該第一正反射領域に対応する該バンプの高さデータを取得する第一光学装置と、
該第一反射画像における該第一正反射領域及び該多重反射領域の位置を、該高さデータの値と該所定角度とに基づいた値に応じて第一反射画像の中で移動させ、該第一反射画像から該バンプの中心位置に対応する領域内に存在する該第一正反射領域を抽出し、抽出した該第一正反射領域に対応する該高さデータに基づいて該バンプの高さを検出する制御装置と、
を有することを特徴とするバンプ検査装置。 - 請求項6記載のバンプ検査装置において、
前記被検査対象へ第二照射光を当て、該被検査対象からの第二反射光を結像させて第二反射画像を取得する第二光学装置を備え、
前記制御装置が、該第二反射画像の中の、前記バンプからの第二反射光により構成される反射領域である第二正反射領域に基づいて前記バンプの中心位置に対応する領域を定めること
を特徴とするバンプ検査装置。 - バンプを有する被検査対象に対し、該バンプの形成面と所定角度をなす斜め方向から第一照射光を当て、
該被検査対象からの第一反射光を結像させ、該バンプからの該第一反射光による反射領域及び多重反射領域を含む第一反射画像と、該反射領域及び該多重反射領域に対応する高さデータを取得し、
該第一反射画像における該反射領域及び該多重反射領域の位置を、該高さデータの値と該所定角度とに基づいた値に応じて該第一反射画像の中で移動させ、
該移動後の該第一反射画像をマスクし、該バンプの中心位置に対応する領域にウィンドウを設けて、該バンプからの第一反射光により構成される反射領域である第一正反射領域を抽出し、抽出後の該第一正反射領域に対応する該高さデータに基づいて該バンプの高さを検出すること
を特徴とするバンプ検査方法。 - バンプを有する被検査対象に対し、該バンプの形成面と所定角度をなす斜め方向から第一照射光を当て、
該被検査対象からの第一反射光を結像させ、該バンプからの該第一反射光による構成される反射領域である第一正反射領域及び多重反射領域を含む第一反射画像と、該第一正反射領域及び該多重反射領域に対応する該バンプの高さデータを取得し、
該第一正反射領域及び該多重反射領域に対応する該高さデータの位置を、該高さデータの値と該所定角度とに基づいた値に応じて該第一反射画像に対応する高さデータ領域の中で移動させ、
該高さデータ領域から該バンプの中心位置に対応する領域内に存在する該高さデータを抽出し、抽出した該高さデータに基づいて該バンプの高さを検出すること
を特徴とするバンプ検査方法。
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