JP3551667B2 - はんだバンプの高さ測定方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はLSI等の半導体モジュールやTAB(Tape Automated Bonding)等に形成される球面状はんだバンプの高さ測定方法に係わり、特に厳密な位置決めがなされてない球面状の該被測定物に対し、微細な凹凸変色等で表面状態が安定していない場合に対応した頂点高さの測定方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
光ビームにより三角測量法を用いて非接触で物体の高さを測定する方法は、種々知られている。その中でも、被測定物が球面状でその位置決めが厳密にされていない場合、すなわち被測定物の頂点の位置が正確にわからない場合の頂点高さを測定する方法としては、三次元直行座標X,Y,Zを設定し、図8(a)に示すように、光ビームの相対的走査を被測定物のX軸方向に行い(801)、上記光ビームの反射光量から後述する方法でその走査線上の変曲点の位置を求め、ついで、上記光ビームの相対的走査を該変曲点を含むY軸方向に行い(802)、同様に反射光量から走査線上の変曲点位置を求め、図8(b)に示すように、この位置を被測定物の頂点位置803とし、この場所の高さを被測定物の高さと判定するものがある。
【0003】
前述の反射光量から変曲点を求める判定手段は、反射光量が所定の判定レベルを超えた位置とそれ以下となった位置との間の中心位置を変曲点と判定するものである。
【0004】
なおこの種の技術として関連するものには、たとえば特開昭60―196608号公報に記載の技術がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来技術は、被測定物の表面状態についての配慮がなされておらず、被測定物の表面に変色・凹凸等があった場合、該被測定物表面での光の反射に乱れが起こるため、反射光量のピークが複数出力されることになり、変曲点位置を誤判定してしまい頂点高さを高精度に測定できないという問題があった。
【0006】
本発明の目的は、被測定物の表面状態に影響されずに、高精度に球面状の被測定物の頂点高さを測定する方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明では、光マイクロヘッドで検出し記憶された各バンプ毎の高さを示すディジタルデータから形成される波形と、事前に作成しておいた標準波形とを上下左右にシフトしながら比較し、それぞれシフトした場合の相関係数を演算し、演算結果から相関係数の最も大きい場合のシフト量と該標準波形のシフト前の高さをもとに、被測定バンプの頂点高さを算出する。そのため、バンプ表面の微細な凹凸・変色等による反射光量波形の局部的な形状異常に影響されず、検出波形全体から頂点高さを判定することができる。
【0008】
尚、波形を比較する際、比較の対象となる波形幅は、記憶された前記ディジタルデータのそれぞれの各バンプ毎の反射光量データを元に、それぞれ各バンプ毎に決定する。
【0009】
また、比較する標準波形は、その被測定物を一列走査した場合に得られる複数のバンプの高さデータから作成し、各列走査を行うごとに更新していくため、被測定対象物のバンプ面の曲率、光沢等が、製造ロット、製造プロセスなどの変更により変化しても、標準波形もそれに追従することになり、安定した計測が可能となる。更に、この測定方法においては、基準となる標準波形データを予め設定しておくのではなく、列走査毎に作成するため、バンプ高さ、及び、径の異なる他の品種のバンプも同様の方法または装置で測定可能である。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施例を図面を用いて詳細に説明する。
【0011】
図6は、本発明を行うための高さ測定装置の構成を示す装置構成図である。
【0012】
半球状の被測定バンプ601がベース602上に近接して複数個搭載されている。本実施例では、被測定バンプのサイズとしては、バンプ径100μm、バンプピッチ300μm程度とする。検出器603は高さ測定用の検出ヘッド部であり、光ビームを斜め方向に発する光源と、反射光の位置を検出する素子を有する。被測定バンプ601と検出器603との距離は三角法の原理で測定され、その値と検出器603とベース602との距離より、被測定バンプの高さを検出する。検出された反射光量信号608及び高さ信号609は、測定器本体604よりメモリ605及び、判定手段606を有する制御部607に送られる。被測定バンプ601及びベース602は、制御部607からの指令でXステージ610、Yステージ611により検出器603に対し相対的にXY方向に移動可能な構成となっている。
【0013】
図7は被測定バンプ601に対する検出器603の相対的な走査方法を示した図である。検出器603は、ベース602上の被測定バンプ601の頂点付近をX方向に列毎に複数回走査し、一列分の反射光量信号608及び高さ信号609のサンプリングを行い、そのデータを制御部607に保存する。この走査をバンプ列毎にYステージ611をシフトしながら繰り返し、ベース602上全ての被測定バンプ601を走査する。
【0014】
図1は、本実施例における頂点判定の原理を説明する図である。検出波形102は、被測定バンプ601の一個分の検出高さ信号であり、標準波形101は後に述べる方法により作成したバンプ頂点付近の標準的なモデル波形である。検出波形102の仮の中心位置104は、バンプ上を走査した場合の設計上の位置及び、従来の方法により高さ情報と反射光量情報を元に求めた、仮の中心位置である。
【0015】
まず、標準波形の頂点位置103と検出波形の仮の頂点位置105を重ね合わせて相関係数を求める。標準波形の中心軸を検出波形の中心軸に合わせたときの標準波形の頂点位置103を原点として、検出器走査方向にX軸、高さ方向にZ軸をとる。相関係数は、点データの集まりである標準波形と検出波形のX座標とそのX座標におけるZ座標のそれぞれの値より計算し、この結果は制御部607のメモリ605に保存する。
【0016】
ここで、相関係数とは、検出波形102と標準波形101との形状の一致度を量的に表現する係数で、相関係数が大きい程二つの波形の形状が近いことを表している。
【0017】
本実施例では、X座標幅は2μmに設定して計算するが、求めるバンプの大きさ及び求めたい精度により設定できる。
【0018】
更に、標準波形1をX方向またはZ方向にシフトする。実際には検出波形102の比較範囲の切り出し位置を上下左右にシフトし同様に相関係数を演算する。この上下左右のシフトの比較演算を、予め設定した範囲内で繰り返し行い、それぞれの場合の相関係数を求める。この中で、最も大きい相関係数になった場所のZ方向へのシフト量と、標準波形101の頂点位置103の高さを加算したものをその走査線上における被測定バンプの頂点高さと判定する。
【0019】
Z方向にシフトする範囲は、ハンダバンプを形成する装置の精度により予め決めておく。例えば、ハンダバンプ形成装置により生産されうる、最も高さの低いハンダバンプと最も高さの高いハンダバンプとの差の1.5倍程度とする。また、シフトピッチは、検出器603の測定分解能程度とする。
【0020】
本実施例では図7に示すように、一列のハンダバンプについて3回の走査を行っているため、一つのバンプにつき3つの頂点高さが得られるが、図4に示す反射光量閾値レベルを越える光量波形の幅が最も大きいものを真の頂点高さとして採用することにしている。
【0021】
図2は、上記方法によりXZ方向に±5回シフトして求めた相関係数とその位置関係を現した例である。図中ABCDE(A>B>C>D>E)と記入された部分はそれぞれほぼ同一の相関係数を示すポイントであり、Xシフト量とZシフト量によりあらわせる。この様に、相関係数の分布は、相関係数が最大であるA(201)の位置を中心に同心円のようになっている。それ故、例えば仮の頂点位置105などがわからないバンプについては、任意の何点かのポイントのみ演算し、その内で最も大きい相関係数を示すポイント付近を中心に走査し演算する方法もある。又、比較演算手段として相関係数でなく、単純に検出波形と標準波形のZ座標の差分をカウントし、差分の合計値が最も小さいポイントを最も一致している場所と判断する方法もある。更に、比較する検出波形102の範囲内で、それぞれの場所の反射光量を見て、予め設定した基準値に達しない場所の高さ信号は、比較演算に含めない方法により、誤った信号による判定精度の低下を防ぐ事ができる。これらの色々な方法は、検出器のサンプリング速度、判定演算機の速度、必要な測定精度、また対象とするワークのサイズ等に応じて自由に選ぶことができる。
【0022】
次に、上記標準波形101の作成方法を図3、4、5により説明する。
【0023】
図3は、一列分(n個)のバンプを走査することにより得られた各バンプの変位波形301、302、303、304及び光量波形311を示すグラフである。図4はバンプの波形の拡大図であり、図5は、標準波形の作成手順を示したフローチャートである。
【0024】
比較判定時のモデルとなる標準波形作成の基本原理は、比較判定する各バンプの波形を平均して求める方法である。
【0025】
図4において、403は検出された変位の波形であり、404は反射光量の波形をあらわしている。標準波形を求めるときに使用する有効データは404の光量が光量閾値レベル▲2▼406を上回ったもののみとし、光量閾値レベル▲2▼406以下のデータは参考にしない。即ち、図4では、変位波形403の401(a)部及び401(b)部は、光量閾値レベル▲2▼を上回ったデータとして標準波形を作成するときの有効データとなるが、他の部分の変位データは標準波形を作成するときの有効データとしては採用しない。
【0026】
まず、有効データの抽出を図3の301、302、303、304の各バンプの波形について行う。図3では4個のバンプしか記載してないが実際には数10個〜数100個ぐらいのバンプがある。その有効データ321、322、323、324を走査列の全てのバンプについて加算平均する。加算平均の方法は、走査方向にX軸(仮の中心位置が0)、高さ方向にZ軸(基板面が0)をとり、有効データの存在する各X座標毎におけるZ座標の値を全てのバンプについて加算し、該加算した座標の数で割る。例えば、列中の100個のバンプの内の80個において、特定のX座標X1に対するZ座標(Z1・・・Zn)が有効データとなる場合には(図3では、Z1,Z2,ZnのみでZ3は有効データではない)、その80個それぞれのZ座標の値を加えあわせ80で割ることになる。
【0027】
尚、仮の中心位置402は、反射光量が光量閾値レベル▲1▼405を越えてからそれ以下に下がるまでの波形幅の中心位置であり、中心位置と検出波形の交点を仮の頂点105とする(502)。
【0028】
各X座標における有効データの加算平均値の集まりが標準波形となる。
【0029】
標準波形を作成すると、直ちに前述の比較作業に移り、検出波形と標準波形をシフトしながら相関係数を求める。その走査列での比較作業が終わると、保存されていた標準波形データをクリアして次の列走査に移り、その列での標準波形の作成及び比較作業を行う。これを全てのバンプ列について繰り返す。
【0030】
図4では有効データが2分割されているが、平均処理は一列全てのバンプについて、ポイント毎に有効データの平均化を行うため問題とはならない(504)。又、最終的に作成された標準波形が分割されていたとしても、比較演算のときにはポイントの集合として扱うため障害にはならない。
【0031】
また、比較する標準波形は、その被測定物を一列走査した場合に得られる複数のバンプの高さデータから作成し、各列走査を行うごとに更新していくため、被測定対象物のバンプ面の曲率、光沢等が、製造ロット、製造プロセスなどの変更により変化しても、標準波形もそれに追従することになり、安定した計測が可能となる。更に、この測定方法においては、基準となる標準波形データを予め設定しておくのではなく、列走査毎に作成するため、バンプ高さ、及び、径の異なる他の品種のバンプも同様の方法または装置で測定可能である。
【0032】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、バンプ頂点高さ判定に反射光量の波形ではなく、頂点付近の標準波形と変位波形との比較手段をもちいるため、反射光量の波形が乱れていても判定には関係なく、バンプ表面の凹凸等の影響を受けることなく判定をする事が出来る。更に標準波形は、絶対的な基準を持つ必要がなく、測定対象自身からリアルタイムに作成するため、対象ワークの品種の変更等に柔軟に対応可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】は本発明の波形マッチングの原理説明図である。
【図2】は各シフトに対する相関係数の分布を現す等高線を示す。
【図3】は1列分のバンプを走査した場合に得られる変位と光量を示すグラフである。
【図4】は1列走査分の中の1バンプについて、標準波形の元データである有効データの算出原理を示す。
【図5】は標準波形の作成手順を示す。
【図6】は本発明を行うための高さ測定装置の構成を示す装置構成図、
【図7】はステージの走査方法を説明する図である。
【図8】は従来の測定方法を示した図である。
【符号の説明】
101:標準波形
102:検出波形
103:標準波形の頂点位置
104:検出波形の仮の中心位置
105:検出波形の仮の頂点位置
201:相関係数最大の位置
202:X方法シフト量
203:Y方向シフト量
603:検出器
604:測定器本体
605:メモリ
606:判定手段
607:制御部
608:高さ信号
609:反射光量信号
610:Xステージ
611:Yステージ
Claims (4)
- ベース上に複数個搭載されているはんだバンプの高さを測定する方法において、
各はんだバンプに光ビームを照射することにより各はんだバンプの高さを検出し、はんだバンプ毎に前記検出された高さデータから形成される波形に対して事前に用意した比較用の標準波形を任意の位置に配置し、更に、該標準波形を上下方向または左右方向にシフトし、前記標準波形の各位置における相関係数を演算し、該演算結果より、前記相関係数の最も大きい位置に応じて各はんだバンプの頂点高さを判定することを特徴とする高さ測定方法。 - 請求項1記載の高さ測定方法において、
前記頂点高さの判定は、前記相関係数の最も値の大きい位置迄の前記標準波形の上下方向のシフト量と、前記標準波形の頂点位置の高さを加算した結果を各はんだバンプの頂点高さと判定することを特徴とする高さ測定方法。 - 請求項1記載の高さ測定方法において、
列状に配置されている複数個のはんだバンプに対して列毎に光ビームを走査して前記複数個のはんだバンプの高さデータ及び反射光量データを検出し、前記高さデータのうちの少なくとも一部の高さデータを前記反射光量データに応じて抽出して加算平均することにより前記標準波形を用意することを特徴とする高さ測定方法。 - はんだバンプの高さを測定する測定装置において、
X方向及びY方向に移動可能なステージと、前記ステージ上に載置されたベース上に複数個搭載されているはんだバンプに光ビームを照射し、反射光の位置を検出する検出手段と、前記検出手段により検出された反射光の位置から前記はんだバンプの高さを検出する測定手段と、前記測定手段により検出された高さデータと予め用意された標準波形を記憶する記憶手段と、前記高さデータから形成される検出波形と前記標準波形を用いて前記はんだバンプの頂点の高さを判定する判定手段とを有し、前記判定手段は、前記検出波形に対して前記標準波形を任意に配置し、更に前記標準波形を上下方向または左右方向にシフトし、前記標準波形の各位置における前記検出波形と前記標準波形との相関係数を計算し、前記相関係数の最も大きい位置に応じて前記はんだバンプの頂点の高さを判定することを特徴とする測定装置。
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