JP4206372B2 - Peeling device - Google Patents
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Description
本発明は、剥離装置に関するものである。 The present invention relates to a stripping equipment.
液晶表示装置は、一対の電極基板間に挟持された液晶層の液晶分子の配向状態をその電極基板間の印加電圧によって変えることにより、バックライト等からの光の透過率を調整し、画像を表示するものである。 A liquid crystal display device adjusts the transmittance of light from a backlight or the like by changing the alignment state of liquid crystal molecules of a liquid crystal layer sandwiched between a pair of electrode substrates according to an applied voltage between the electrode substrates, and thereby displays an image. To display.
ところで、これらの電極基板と液晶層との間には配向膜が介設されており、この配向膜によって液晶層の液晶分子が全体として一定の方向に配向するようになっている。例えば、水平配向性の配向膜の場合には、液晶分子が電極基板面に対して斜めになったり、垂直に立ったりしようとせずに、電極基板面に対して横になろうとする。 By the way, an alignment film is interposed between the electrode substrate and the liquid crystal layer, and the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer are aligned in a certain direction as a whole by this alignment film. For example, in the case of a horizontal alignment film, the liquid crystal molecules try to lie on the electrode substrate surface without being inclined or standing vertically.
この配向膜は、一般に、ポリイミド樹脂をフレキソ印刷装置により印刷することにより形成される。 This alignment film is generally formed by printing polyimide resin with a flexographic printing apparatus.
図2は、フレキソ印刷装置30の概略構成図である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of the
このフレキソ印刷装置30は、円柱状のドクターロール25と、ドクターロール25の斜め下側にドクターロール25と接するように設けられた円柱状のアニロックスロール24と、ドクターロール25とアニロックスロール24との間の上方に設けられたディスペンサー26と、アニロックスロール24の斜め下側のドクターロール3側にアニロックスロール4と接するように設けられた円柱状の版胴23と、版胴23の外側の周壁に部分的に取り付けられた樹脂凸版22と、版胴23の樹脂凸版22と塗布面(電極基板5aの表面)とが接する位置にくるように設けられた塗布テーブル21とを備えている。
The
塗布テーブル21は、版胴23の回転に合わせて、アニロックスロール24側(入口側)と版胴23側(出口側)との間を平行に往復移動するように構成されている。
The application table 21 is configured to reciprocate in parallel between the
そして、このフレキソ印刷装置30を用いてポリイミド薄膜を印刷する際には、互いに逆方向に回転するドクターロール25及びアニロックスロール24の間に、ディスペンサ26からその回転方向に沿ってポリイミド樹脂溶液27を添加供給することにより、ドクターロール25及びアニロックスロール24の間でポリイミド樹脂溶液27が練られてアニロックスロール24の表面に薄膜となって保持され、アニロックスロール24から版胴23上の樹脂凸版22に薄膜状のポリイミド樹脂溶液27が転移され、塗布テーブル21上に固定された電極基板5aが版胴23の直下を通過するときに、薄膜状のポリイミド樹脂溶液27が樹脂凸版22から電極基板5aの表面に転写塗布(印刷)される。続いて、ポリイミド樹脂溶液27が転写塗布された電極基板5aを加熱することにより、ポリイミド樹脂溶液27中の溶媒が飛散して、ポリイミド薄膜5bが形成される。(その後、ポリイミド樹脂薄膜5bの表面をラビング処理することにより配向膜が形成される。)
ところで、TFTアレイ基板やカラーフィルター基板の電極基板上にポリイミド樹脂を印刷する前には、数10枚の素ガラス基板にポリイミド樹脂を試し印刷して、印刷状態を安定させる必要がある。
And when printing a polyimide thin film using this
By the way, before printing a polyimide resin on an electrode substrate such as a TFT array substrate or a color filter substrate, it is necessary to test print the polyimide resin on several tens of glass substrates to stabilize the printing state.
この試し印刷する工程は、電極基板の製品仕様、及び樹脂凸版の交換の毎に、実施すべき工程なので、液晶表示装置の製造工程では、ポリイミド薄膜が形成された素ガラス基板が大量に発生することになる。そのため、素ガラス基板からポリイミド薄膜を除去して、素ガラス基板を再生(リサイクル)する技術が重要になっている。 Since the test printing process is a process that should be carried out every time the product specifications of the electrode substrate and the replacement of the resin relief printing plate, a large amount of raw glass substrate on which a polyimide thin film is formed is generated in the manufacturing process of the liquid crystal display device. It will be. Therefore, a technique for removing (recycling) the raw glass substrate by removing the polyimide thin film from the raw glass substrate is important.
この素ガラス基板からポリイミド薄膜を除去する方法として、ポリイミド薄膜が形成された素ガラス基板を無機アルカリ水溶液を含む剥離液によって剥離処理することにより、ポリイミド薄膜を素ガラス基板から剥離させる方法がよく知られている。 As a method of removing the polyimide thin film from the raw glass substrate, a method of peeling the polyimide thin film from the raw glass substrate by peeling the raw glass substrate on which the polyimide thin film is formed with a peeling solution containing an inorganic alkaline aqueous solution is well known. It has been.
図3は、ポリイミド薄膜を剥離する一般的な剥離装置40の構成概略図である。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a
この剥離装置40は、順に連設された第1剥離室15a、第2剥離室15b及びリンス室16と、剥離液用タンク10aと、リンス水用タンク10bとを備えている。
The
第1剥離室15a及び第2剥離室15bの各内部には、搬送ローラー2と、剥離槽8a(8b)と、剥離液用シャワーノズル1aと、回転ブラシ3とが設けられている。
Inside each of the
剥離槽8a(8b)と剥離液用タンク10aとは、剥離液用配管14aによって連結されている。
The
剥離液用タンク10aと剥離液用シャワーノズル1aとは、剥離液用配管14bによって連結され、剥離液用配管14bの剥離液用タンク10a側には、ポンプ11a及びフィルター12aが設けられている。
The
リンス室16の内部には、搬送ローラー2と、リンス槽9と、リンス水用シャワーノズル1bとが設けられている。
Inside the
リンス槽9とリンス水用タンク10bとは、リンス水用配管18aによって連結されている。
The
リンス水用タンク10bとリンス水用シャワーノズル1bとは、リンス水用配管18bによって連結され、リンス水用配管18bのリンス水用タンク10b側には、ポンプ11b及びフィルター12bが設けられている。
The
この剥離装置40を用いてポリイミド薄膜を剥離する際には、剥離室15a及び15bにおいて、ポリイミド薄膜が形成された素ガラス基板(処理基板5)を搬送ローラー2上で搬送させながら、その基板表面(ポリイミド薄膜形成側)に水酸化ナトリウム等の無機アルカリ水溶液からなる剥離液6をシャワーノズル1aからシャワー状に供給すると共に、回転ブラシ3でブラシ洗浄することにより、ポリイミド薄膜が剥離される。そして、リンス室16において、処理基板5を搬送ローラー2上で搬送させながら、その上面(ポリイミド薄膜形成側)にリンス水7をリンス水用シャワーノズル1bからシャワー状に供給することにより、処理基板5が洗浄される。
When the polyimide thin film is peeled off using the
剥離液6は、剥離液用シャワーノズル1aと、剥離槽8a(8b)と、剥離液用配管14aと、剥離液用タンク10aと、剥離液用配管14bとの間をポンプ11aによって循環するものであり、使用中に空気と接触することにより水分が蒸発して、濃縮されるので、定期的に水分量をチェックして、適宜水分を補充することにより、剥離液を管理する必要がある。
The
また、特許文献1には、ポリイミド薄膜の剥離ではないが、フェノール性水酸基を有するフォトレジストの剥離において、レジスト剥離液中の炭酸ガス濃度を3重量%以下に維持するレジスト剥離液の管理方法が開示されている。そして、これによれば、剥離液中の炭酸水素イオン、炭酸イオンの濃度が低く管理されるので、フォトレジストの溶解量が保持されて、レジスト剥離液の性能低下が抑止されると記載されている。
ところで、上記のような剥離装置30を用いて、ポリイミド薄膜を剥離する場合には、水分を補充する剥離液の管理だけでは、剥離装置30の剥離室15a及び15bの内部において、空気中の二酸化炭素と水酸化ナトリウムとが反応して、炭酸ナトリウムが塩として生成することになる。
By the way, when the polyimide thin film is peeled off using the
しかしながら、この炭酸ナトリウムは、粉末として、剥離室15a及び15bの内部の搬送ローラー2や搬送ローラー2の軸を受けるベアリング等に付着及び固着する恐れがある。こうなると、処理基板5が剥離室15a及び15bにおいて正常に搬送されないという問題が発生する。
However, this sodium carbonate may adhere and adhere as a powder to the
また、この粉末が剥離室15a及び15bの内部において処理基板5の位置を検知するセンサー19の受光部に付着すると、センサー19が誤作動して、例えば、処理基板5が所定位置に搬送されて来ているにも拘わらず、処理基板5が所定位置に搬送されて来ていないと検知されるような搬送トラブルが多発する恐れがある。さらに、剥離液用配管14b中のフィルター12aの目詰まりが多くなり、そのフィルター12aの交換頻度が増えるという問題もある。
Further, when this powder adheres to the light receiving portion of the
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、無機アルカリ水溶液を含む剥離液を用いて、基板表面のポリイミド薄膜を基板から剥離する際に、剥離液に起因する粉末の生成を低減すると共に、処理室の内部における基板の搬送トラブルを抑止することにある。 This invention is made | formed in view of this point, The place made into the objective is attributed to peeling liquid when peeling the polyimide thin film of a substrate surface from a board | substrate using the peeling liquid containing inorganic alkali aqueous solution. It is to reduce the generation of powder to be performed and to suppress the trouble of transporting the substrate inside the processing chamber .
本発明は、窒素ガスを含んだ剥離液を用いると共に、窒素ガスの雰囲気中でポリイミド薄膜を剥離するようにしたものである。 In the present invention, a stripping solution containing nitrogen gas is used, and a polyimide thin film is stripped in an atmosphere of nitrogen gas.
具体的に本発明に係る剥離装置は、無機アルカリ水溶液を含む剥離液を用いて、基板の表面に付着しているポリイミド薄膜を上記基板から剥離する剥離装置であって、上記基板を収容して該基板を搬送させながら処理する処理室と、上記剥離液に窒素ガスを供給して該窒素ガスを含ませる第1ガス供給手段と、上記窒素ガスを含んだ剥離液を、上記処理室の内部に収容された基板表面のポリイミド薄膜に供給する剥離液供給手段と、上記処理室の内部に窒素ガスを供給する第2ガス供給手段と、上記処理室の内部に収容された基板の下側に配置し、該基板の有無を検出するためのセンサーとを備えていることを特徴とする。 Peeling device according to the specifically this invention, using a stripping solution containing an inorganic alkaline aqueous solution, a polyimide film adhered to the surface of the substrate a stripping device for peeling from the substrate, to accommodate the substrate A processing chamber for processing the substrate while transporting the substrate; a first gas supply means for supplying nitrogen gas to the stripping solution to contain the nitrogen gas; and a stripping solution containing the nitrogen gas. A stripping solution supplying means for supplying the polyimide thin film on the substrate surface accommodated in the substrate, a second gas supplying means for supplying nitrogen gas into the processing chamber, and a lower side of the substrate accommodated in the processing chamber. And a sensor for detecting the presence or absence of the substrate .
上記の構成によれば、第1ガス供給手段によって剥離液に窒素ガスを含ませて、その窒素ガスを含んだ剥離液が、剥離液供給手段によって基板の表面に付着しているポリイミド薄膜に供給されて、基板表面のポリイミド薄膜が基板から剥離することになる。しかも、基板を収容する処理室の内部には、第2ガス供給手段によって窒素ガスが供給されるので、剥離液が窒素ガスの雰囲気中で基板表面のポリイミド薄膜に供給されることになる。そのため、剥離液に含まれる無機アルカリ成分と空気中の二酸化炭素との接触が抑止され、無機アルカリ成分と二酸化炭素との反応による粉末の生成が低減される。これにより、処理室の内部に収容された基板の下側に配置するセンサーに粉末が付着することが抑制されるので、処理室の内部における基板の搬送トラブルが抑止される。したがって、無機アルカリ水溶液を含む剥離液を用いて、基板表面のポリイミド薄膜を基板から剥離する際に、剥離液に起因する粉末の生成を低減すると共に、処理室の内部における基板の搬送トラブルを抑止することが可能になる。 According to said structure, nitrogen gas is included in stripping solution by the 1st gas supply means, The stripping solution containing the nitrogen gas is supplied to the polyimide thin film adhering to the surface of a board | substrate by stripping solution supply means. As a result, the polyimide thin film on the substrate surface is peeled off from the substrate. In addition, since nitrogen gas is supplied into the processing chamber containing the substrate by the second gas supply means, the stripping solution is supplied to the polyimide thin film on the substrate surface in an atmosphere of nitrogen gas. Therefore, the contact between the inorganic alkali component contained in the stripping solution and carbon dioxide in the air is suppressed, and the production of powder due to the reaction between the inorganic alkali component and carbon dioxide is reduced. Thereby, since it is suppressed that a powder adheres to the sensor arrange | positioned under the board | substrate accommodated in the inside of a process chamber, the conveyance trouble of the board | substrate inside a process chamber is suppressed. Therefore, when stripping the polyimide thin film on the substrate surface from the substrate using a stripping solution containing an inorganic alkaline aqueous solution, the generation of powder due to the stripping solution is reduced and troubles in transporting the substrate inside the processing chamber are suppressed. It becomes possible to do.
上記第1ガス供給手段は、上記剥離液を貯留する貯留槽と、該貯留槽に貯留されている剥離液の中に窒素ガスをバブリングするバブリング部とにより構成されていてもよい。 The first gas supply unit may include a storage tank that stores the stripping solution and a bubbling unit that bubbles nitrogen gas into the stripping solution stored in the storage tank.
上記の構成によれば、バブリング部を介して、貯留槽の内部の剥離液に窒素ガスをバブリングすることにより、剥離液に窒素ガスを効率よく含ませることが可能になり、その剥離液が不活性になる。 According to the above configuration, nitrogen gas can be efficiently contained in the stripping solution by bubbling nitrogen gas into the stripping solution inside the storage tank via the bubbling unit, and the stripping solution is not contained. Become active.
上記処理室には、上記基板の表面に付着している剥離液に窒素ガスを噴射して液切りする液切り手段が設けられていてもよい。 The processing chamber may be provided with a liquid draining means for spraying nitrogen gas onto the stripping liquid adhering to the surface of the substrate to drain the liquid.
上記の構成によれば、例えば、基板の表面に付着しているポリイミド薄膜が基板から剥離した後に、基板の表面に付着している剥離液が液切り手段から噴射される窒素ガスによって液切りされるので、剥離液に含まれる無機アルカリ成分と空気中の二酸化炭素との接触が抑止される。 According to the above configuration, for example, after the polyimide thin film adhering to the surface of the substrate is peeled off from the substrate, the stripping solution adhering to the surface of the substrate is drained by nitrogen gas sprayed from the liquid draining means. Therefore, the contact between the inorganic alkali component contained in the stripping solution and carbon dioxide in the air is suppressed.
上記無機アルカリ水溶液は、水酸化カリウム水溶液であってもよい。 The inorganic alkaline aqueous solution may be a potassium hydroxide aqueous solution.
上記の構成によれば、水酸化カリウムと空気中の二酸化炭素とが反応すると、塩として炭酸カリウムが生成する。また、例えば、一般的な無機アルカリである水酸化ナトリウムと空気中の二酸化炭素とが反応すると、塩として炭酸ナトリウムが生成する。ここで、水に対する溶解度は、炭酸カリウムが炭酸ナトリウムよりも高いので、炭酸カリウムは、炭酸ナトリウムよりも粉末として生成しにくい。これにより、無機アルカリ水溶液が水酸化カリウム水溶液であれば、無機アルカリ水溶液が水酸化ナトリウム水溶液である場合よりも、二酸化炭素との反応による粉末の生成が低減される。 According to said structure, when potassium hydroxide and the carbon dioxide in the air react, potassium carbonate will produce | generate as a salt. For example, when sodium hydroxide, which is a general inorganic alkali, reacts with carbon dioxide in the air, sodium carbonate is generated as a salt. Here, since the solubility with respect to water is potassium carbonate higher than sodium carbonate, potassium carbonate is hard to produce | generate as a powder rather than sodium carbonate. Thereby, if the inorganic alkaline aqueous solution is a potassium hydroxide aqueous solution, the production | generation of the powder by reaction with a carbon dioxide will be reduced rather than the case where an inorganic alkaline aqueous solution is a sodium hydroxide aqueous solution .
本発明の剥離装置は、第1ガス供給手段によって剥離液中に窒素ガスが供給され、その窒素ガスを含んだ剥離液が、剥離液供給手段によって基板上のポリイミド薄膜に供給されて、ポリイミド薄膜が基板から剥離することになる。しかも、基板を収容する処理室の内部には、第2ガス供給手段によって窒素ガスが供給されるので、剥離液が窒素ガスの雰囲気中で基板表面のポリイミド薄膜に供給されることになる。そのため、剥離液に含まれる無機アルカリ成分と空気中の二酸化炭素との接触が抑止され、無機アルカリ成分と二酸化炭素との反応による粉末の生成を低減すると共に、処理室の内部における基板の搬送トラブルを抑止することができる。 In the stripping apparatus of the present invention, nitrogen gas is supplied into the stripping liquid by the first gas supply means, and the stripping liquid containing the nitrogen gas is supplied to the polyimide thin film on the substrate by the stripping liquid supply means. Will peel from the substrate. In addition, since nitrogen gas is supplied into the processing chamber containing the substrate by the second gas supply means, the stripping solution is supplied to the polyimide thin film on the substrate surface in an atmosphere of nitrogen gas. For this reason, contact between the inorganic alkali component contained in the stripper and carbon dioxide in the air is suppressed, reducing the generation of powder due to the reaction between the inorganic alkali component and carbon dioxide, and troubles in transporting the substrate inside the processing chamber. Can be suppressed .
以下、本発明の実施形態に係る剥離装置及びポリイミド薄膜の剥離方法について、図面に基づいて詳細に説明する。 Hereinafter, a peeling apparatus and a polyimide thin film peeling method according to an embodiment of the present invention will be described in detail based on the drawings.
まず、ポリイミド薄膜の剥離方法に用いられる剥離装置について説明する。 First, the peeling apparatus used for the polyimide thin film peeling method will be described.
図1は、本実施形態の剥離装置20の概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a
ここで、剥離処理を行う処理基板5について説明する。 Here, the process board | substrate 5 which performs a peeling process is demonstrated.
処理基板5は、液晶表示装置を構成する、例えば、TFTアレイ基板、対向基板に対応するダミー基板であり、その表面にポリイミド樹脂(薄膜)が試し印刷により付着しており、素ガラス基板とその素ガラス基板上に形成されたポリイミド薄膜とにより構成されている。 The processing substrate 5 is a dummy substrate corresponding to, for example, a TFT array substrate and a counter substrate constituting a liquid crystal display device, and a polyimide resin (thin film) is attached to the surface by trial printing. And a polyimide thin film formed on a raw glass substrate.
剥離装置20は、図中の左側から右側に向かって順に連設された第1剥離室15a(処理室)、第2剥離室15b(処理室)及びリンス室16と、剥離液6を貯留する剥離液用タンク10a(貯留槽)と、リンス水7を貯留するリンス水用タンク10bと、窒素ガスを供給する窒素タンク13とを備えている。
The peeling
第1剥離室15a、第2剥離室15b及びリンス室16は、その側壁にそれぞれの基板搬入部及び基板排出部となる開口部を有しており、各基板搬入部と基板搬出部との間には搬送ローラー2が設けられ、第1剥離室15aの基板搬入部からリンス室16の基板排出部まで搬送ローラー2上を処理基板5が搬送されるように構成されている。
The
第1剥離室15a及び第2剥離室15bの各処理室の内部には、剥離液6を一時的に貯留する剥離槽8a(8b)と、剥離液6をシャワー状に供給する剥離液用シャワーノズル1a(剥離液供給手段)と、処理基板5の表面に接触して洗浄する回転ブラシ3と、所定位置での処理基板5の有無を検出するセンサー19とが設けられている。
In each treatment chamber of the first stripping
そして、第2剥離室15bの内部の基板排出口には、処理基板5の表面に付着している剥離液6に窒素ガスを噴射して液切りする液切り手段としてエアナイフ4aが設けられている。
An
この構成によって、処理基板5の表面に付着しているポリイミド薄膜が素ガラス基板から剥離した後に、素ガラス基板の表面に付着(残留)している剥離液6がエアナイフ4bから噴射される窒素ガスによって液切りされるので、剥離液6に含まれる無機アルカリ成分と空気中の二酸化炭素との接触を抑止することができる。
With this configuration, after the polyimide thin film adhering to the surface of the processing substrate 5 is peeled off from the raw glass substrate, the stripping
剥離槽8a(8b)と剥離液用タンク10aとは、剥離液用配管14aによって連結されている。
The stripping
剥離液用タンク10aと剥離液用シャワーノズル1aとは、剥離液用配管14bによって連結され、剥離液用配管14bの剥離液用タンク10a側には、ポンプ11a及びフィルター12aが設けられている。
The stripping
剥離液用タンク10aと窒素タンク13とは、窒素ガス用配管17a(第1ガス供給手段)によって連結されている。そして、窒素ガス用配管17aは、剥離液用タンク10aの内部に突き出るように延設されたバブリング部17a’を有しており、そのバブリング部17a’には、気体を排出する複数の排出孔が設けられ、窒素タンク13から供給される窒素ガスが剥離液6中にバブリングされるように構成されている。
The stripping
この構成によって、バブリング部17a’を介して、剥離液用タンク10aの内部に貯留された剥離液6に窒素ガスをバブリングさせることにより、剥離液6に窒素ガスを効率よく含ませることができ、その剥離液6を不活性にすることができる。
With this configuration, nitrogen gas can be efficiently contained in the stripping
また、第1剥離室15a、第2剥離室15b及びエアナイフ4aと窒素タンク13とは、窒素ガス用配管17b(第2ガス供給手段)によって連結されている。
The
リンス室16の内部には、リンス水7を一時的に貯留するリンス槽9と、リンス水7をシャワー状に供給するリンス水用シャワーノズル1bと、所定位置での処理基板5の有無を検出するセンサー19とが設けられている。
Inside the rinsing
そして、リンス室第16の内部の基板排出口には、処理基板5(素ガラス基板)上に付着したリンス水7に空気を噴射して液切りする液切り手段としてエアナイフ4bが設けられている。なお、このエアナイフ4bは、第2剥離室15b内に設けられたエアナイフ4bのように、窒素ガスを噴射するように構成されていてもよい。
An
リンス槽9とリンス水用タンク10bとは、リンス水用配管18aによって連結されている。
The
リンス水用タンク10bとリンス水用シャワーノズル1bとは、リンス水用配管18bによって連結され、リンス水用配管18bのリンス水用タンク10b側には、ポンプ11b及びフィルター12bが設けられている。
The rinse
以上のような剥離装置20は、剥離液6がポンプ11aによって、剥離液用タンク10a、剥離液用配管14b、剥離液用シャワーノズル1a、剥離槽8a(8b)及び剥離液用配管14aの間を順に循環すると共に、リンス水7がポンプ11bによって、リンス水用タンク10b、リンス水用配管18b、リンス水用シャワーノズル1b、リンス槽9及びリンス水用配管18aの間を順に循環するように構成されている。
In the
次に、この剥離装置20を用いて、素ガラス基板からポリイミド薄膜を剥離する方法の一例を工程を追って、説明する。
Next, an example of a method for peeling a polyimide thin film from a raw glass substrate using the
<準備工程>
例えば、無機アルカリとして水酸化カリウム17.5重量%、及び有機溶剤としてジメチルスルホキシド(Dimethyl Sulfoxide:DMSO)17.5重量%となるように、それぞれ純水と混合して、剥離液6を調製する。
<Preparation process>
For example, the stripping
ここで、水酸化カリウムと空気中の二酸化炭素とが反応すると、塩として炭酸カリウムが生成する。また、例えば、一般的な無機アルカリである水酸化ナトリウムと空気中の二酸化炭素とが反応すると、塩として炭酸ナトリウムが生成する。そして、水に対する溶解度は、炭酸カリウムが炭酸ナトリウムよりも高いので、炭酸カリウムは、炭酸ナトリウムよりも粉末として生成しにくい。この場合、無機アルカリ水溶液が水酸化カリウム水溶液であるので、無機アルカリ水溶液が水酸化ナトリウム水溶液である場合よりも、二酸化炭素との反応による粉末の生成を低減することができる。 Here, when potassium hydroxide reacts with carbon dioxide in the air, potassium carbonate is generated as a salt. For example, when sodium hydroxide, which is a general inorganic alkali, reacts with carbon dioxide in the air, sodium carbonate is generated as a salt. And since the solubility with respect to water is higher than potassium carbonate, potassium carbonate is hard to produce | generate as a powder rather than sodium carbonate. In this case, since the aqueous inorganic alkali solution is an aqueous potassium hydroxide solution, the production of powder due to the reaction with carbon dioxide can be reduced as compared with the case where the aqueous inorganic alkali solution is an aqueous sodium hydroxide solution.
<収容工程>
まず、処理基板5を第1剥離室15aの基板搬入部の搬送ローラー2上に設置する。
<Containment process>
First, the processing substrate 5 is placed on the
次いで、搬送ローラー2を作動させ、処理基板5を第1剥離室15aの内部に収容する。
Next, the
<ガス供給工程>
まず、剥離液用タンク10aに剥離液6を、リンス水用タンク10bにリンス水(純水等)を、それぞれ貯留する。
<Gas supply process>
First, the stripping
次いで、窒素タンク13からの窒素ガスを、剥離液用タンク10a中の剥離液6に窒素ガス用配管17aの先端のバブリング部17a’を介して、例えば、50リットル/分でバブリング(供給)する。
Next, nitrogen gas from the
このバブリングによって、剥離液6中に窒素ガスが含まれることになり、剥離液6中の二酸化炭素濃度は、50ppm程度になる。
By this bubbling, nitrogen gas is contained in the stripping
<剥離工程>
まず、窒素タンク13からの窒素ガスを第1剥離室15a及び第2剥離室15bに供給する。ここで、窒素ガスの流量は、例えば、500リットル/分であり(第1剥離室15a及び第2剥離室の容積:各2.37m3)、第1剥離室15aの基板搬入部において、窒素ガスの流速は、第1剥離室15aの内部から外部の方向に、例えば、5m/秒である。
<Peeling process>
First, nitrogen gas from the
次いで、回転ブラシ3を作動させると共に、処理基板5を搬送ローラー2上で搬送させながら、剥離液用シャワーノズル1aからガス供給工程において窒素ガスを含ませた剥離液6を、処理基板5の表面のポリイミド薄膜にシャワー状に供給する。
Next, while the
また、処理基板5が第2剥離室15bの内部を搬送しているときにおいても、上記と同様に、回転ブラシ3を作動させながら、剥離液用シャワーノズル1aから上記窒素ガスを含んだ剥離液を、処理基板5の表面のポリイミド薄膜にシャワー状に供給させる。
Further, even when the processing substrate 5 is transported inside the
これにより、ポリイミド薄膜が処理基板5を構成する素ガラス基板から剥離して、剥離液6と共に剥離槽8a(8b)に回収される。
Thereby, a polyimide thin film peels from the raw glass substrate which comprises the process board | substrate 5, and is collect | recovered by the
そして、第2剥離室15bの基板排出部では、エアナイフ4aにより、圧縮された窒素ガスが処理基板5の表面に吹き付けられ、処理基板5の表面に付着(残留)している剥離液6が液切りされる。
Then, in the substrate discharge portion of the
<リンス工程>
ポリイミド薄膜が剥離した処理基板5をリンス室16内に搬送させながら、リンス水用シャワーノズル1bからリンス水7を、処理基板5の表面にシャワー状に供給する。
<Rinse process>
The rinsing
そして、リンス室16の基板排出部では、エアナイフ4bにより、圧縮された空気が処理基板5の表面に吹き付けられ、処理基板5上に付着(残留)しているリンス水7が液切りされる。
In the substrate discharge portion of the rinse
これらの工程によって、素ガラス基板上に形成されたポリイミド薄膜が素ガラス基板から剥離されて、素ガラス基板がリサイクルされる。 By these steps, the polyimide thin film formed on the raw glass substrate is peeled off from the raw glass substrate, and the raw glass substrate is recycled.
以上説明した本発明のポリイミド薄膜の剥離方法及び剥離装置20によれば、まず、収容工程において、処理基板5を第1剥離室15aの内部に収容し、次いで、ガス供給工程において、剥離液用タンク10a内の剥離液6にバブリング部17a’を介して窒素ガスを含ませて、次いで、剥離工程において、その窒素ガスを含んだ剥離液6を、第1剥離室15a及び第2剥離室15bの内部の剥離液用シャワーノズル1aを介して、処理基板5の表面に付着しているポリイミド薄膜に供給させることにより、処理基板5の表面のポリイミド薄膜が素ガラス基板から剥離することになる。
According to the polyimide thin film peeling method and the peeling
しかも、剥離工程は、第1剥離室15a及び第2剥離室15bの内部に窒素ガスを供給しながら行われるので、剥離液6が窒素ガスの雰囲気中で処理基板5の表面のポリイミド薄膜に供給されることになる。
In addition, since the peeling process is performed while supplying nitrogen gas into the
そのため、剥離液6に含まれる水酸化カリウム成分と空気中の二酸化炭素との接触が抑止され、水酸化カリウム成分と二酸化炭素との反応による粉末の生成を低減することができる。
Therefore, the contact between the potassium hydroxide component contained in the stripping
従って、粉末の生成が低減されることにより、搬送ローラー2、ベアリング、センサー19の受光部等に粉末が付着することが抑制されるので、第1剥離室15a及び第2剥離室15bの内部における処理基板5の搬送トラブルを抑止することができる。
Accordingly, since the generation of powder is reduced, it is possible to suppress the powder from adhering to the
また、粉末の生成が低減されるので、剥離液用配管14b中に設けられたフィルター12aの目詰まりが減って、そのフィルター12aの交換頻度も少なくすることができる。
Further, since the generation of powder is reduced, clogging of the
上記実施形態では、剥離工程が第1剥離室15a及び第2剥離室15bの2つの連結した処理室で行われているが、3つ以上の連結した処理室で行われても、又は、1つの処理室で行われてもよい。
In the above-described embodiment, the peeling step is performed in two connected processing chambers of the
また、上記実施形態では、剥離液用タンク10a内で剥離液6に窒素ガスをバブリングさせたが、剥離槽8a及び8bにおいてバブリングさせてもよい。
Moreover, in the said embodiment, although nitrogen gas was bubbled in the stripping
さらに、剥離液用配管17aを2重配管として、例えば、内側の多孔性の管内に窒素ガスを、外側の配管内に剥離液6を、それぞれ流すことにより、剥離液6に窒素ガスを含ませてもよい。
Furthermore, the stripping
また、上記実施形態では、不活性のガスとして窒素ガスを用いたが、ヘリウム等の希ガスを用いてもよい。 Moreover, in the said embodiment, although nitrogen gas was used as an inert gas, you may use noble gases, such as helium.
なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、他の構成のものであってもよい。 In addition, this invention is not limited to the following embodiment, The thing of another structure may be sufficient.
以上説明したように、本発明は、剥離液に起因する粉末の生成を低減して、基板表面のポリイミド薄膜を基板から剥離することができるので、液晶表示装置の配向膜を剥離するのに有用である。 As described above, the present invention can reduce the generation of powder due to the stripping solution and peel the polyimide thin film on the substrate surface from the substrate, which is useful for peeling the alignment film of the liquid crystal display device. It is.
1a 剥離液用シャワーノズル
1b リンス水用シャワーノズル
2 搬送ローラー
3 回転ブラシ
4a,4b エアーナイフ
5 処理基板
5a 電極基板
5b ポリイミド薄膜
6 剥離液
7 リンス水
8a,8b 剥離槽
9 リンス槽
10a 剥離液用タンク
10b リンス水用タンク
11a,11b ポンプ
12a,12b フィルター
13 窒素タンク
14a,14b 剥離液用配管
15a 第1剥離室
15b 第2剥離室
16 リンス室
17a,17b 窒素ガス用配管
17a’ バブリング部
18a,18b リンス水用配管
19 センサー
20,40 剥離装置
30 フレキソ印刷装置
1a Shower nozzle for stripping solution 1b Shower nozzle for rinsing
Claims (4)
上記基板を収容して該基板を搬送させながら処理する処理室と、
上記剥離液に窒素ガスを供給して該窒素ガスを含ませる第1ガス供給手段と、
上記窒素ガスを含んだ剥離液を、上記処理室の内部に収容された基板表面のポリイミド薄膜に供給する剥離液供給手段と、
上記処理室の内部に窒素ガスを供給する第2ガス供給手段と、
上記処理室の内部に収容された基板の下側に配置し、該基板の有無を検出するためのセンサーとを備えていることを特徴とする剥離装置。 A stripping device that strips a polyimide thin film adhering to the surface of a substrate from the substrate using a stripping solution containing an inorganic alkaline aqueous solution,
A processing chamber for storing the substrate and processing the substrate while transporting the substrate ;
First gas supply means for supplying nitrogen gas to the stripping solution and containing the nitrogen gas;
A stripping solution supplying means for supplying the stripping solution containing the nitrogen gas to the polyimide thin film on the surface of the substrate housed in the processing chamber;
Second gas supply means for supplying nitrogen gas into the processing chamber ;
A peeling apparatus, comprising: a sensor disposed under the substrate accommodated in the processing chamber and detecting the presence or absence of the substrate .
上記第1ガス供給手段は、上記剥離液を貯留する貯留槽と、該貯留槽に貯留されている剥離液の中に窒素ガスをバブリングするバブリング部とにより構成されていることを特徴とする剥離装置。 The peeling apparatus according to claim 1,
The first gas supply means includes a storage tank that stores the stripping liquid, and a bubbling unit that bubbles nitrogen gas into the stripping liquid stored in the storage tank. apparatus.
上記処理室には、上記基板の表面に付着している剥離液に窒素ガスを噴射して液切りする液切り手段が設けられていることを特徴とする剥離装置。 The peeling apparatus according to claim 1,
2. A peeling apparatus according to claim 1, wherein the processing chamber is provided with a liquid draining means for spraying nitrogen gas to the stripping liquid adhering to the surface of the substrate to drain the liquid.
上記無機アルカリ水溶液は、水酸化カリウム水溶液であることを特徴とする剥離装置。 The peeling apparatus according to claim 1,
The peeling apparatus according to claim 1, wherein the inorganic alkaline aqueous solution is a potassium hydroxide aqueous solution.
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