JP2004146414A

JP2004146414A - Substrate processing apparatus

Info

Publication number: JP2004146414A
Application number: JP2002306492A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Suzuki; 鈴木　聡; Yukio Tomifuji; 富藤　幸雄
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-10-22
Filing date: 2002-10-22
Publication date: 2004-05-20
Anticipated expiration: 2022-10-22
Also published as: JP3863086B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus which can process a substrate in a high quality by preventing a resist from being precipitated without increasing an amount of processing liquid consumed. <P>SOLUTION: The substrate processing apparatus includes a first chemical liquid supply unit 33 for supplying a release liquid stored in a chemical liquid storage tank 31 to a first chemical liquid supply nozzle 32, a first chemical liquid processing mechanism 3 having a first chemical liquid recovering unit 34 for recovering the release liquid supplied to the substrate 1 in the tank 31, a second chemical liquid supply passage 43 for sending a new release liquid from a new liquid supply tank 41 to a second chemical liquid supply nozzle 42, a second chemical liquid processing mechanism 4 having a second chemical liquid recovering passage 44 for recovering the new release liquid supplied to the substrate 1 in the tank 31, and a pure water processing mechanism 5 having a pure water supply passage 53 for sending a pure water from a pure water supply unit 51 to a pure water supply nozzle 52. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用マスク基板等の基板の表面を薬液により処理した後、純水により洗浄する基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、基板の表面に付着したフォトレジストを剥離液により剥離した後、この基板の表面を純水により水洗する基板処理装置においては、高価な剥離液による処理コストを軽減するため、剥離液を循環使用している。このため、基板を長時間連続して処理した場合には、剥離液中のフォトレジストの濃度が徐々に高くなる。このフォトレジストは、剥離液中に溶解しているが、後段の水洗工程において、フォトレジストが高濃度で溶解した剥離液と純水とが混合されると、剥離液中に溶解していたフォトレジストが基板上で析出し、パーティクルや異物となって基板上に固着するという問題がある。
【０００３】
このため、基板を剥離液により処理するための剥離槽を２槽連設し、第１剥離槽でフォトレジストの大部分を剥離した後、第２剥離槽により仕上げの剥離を行うことで、フォトレジストが高濃度で溶解した剥離液と純水との基板上での混合を防止するようにした基板処理装置も提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−２１６４３３号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献１に記載された基板処理装置においては、基板上で純水と混合される剥離液のフォトレジストの濃度を低減させることは可能ではあるが、第２剥離槽においても剥離液を循環使用していることに違いはないことから、剥離液中に溶解していたフォトレジストが基板上で析出し、パーティクルや異物となって基板上に固着する現象を確実に防止することは困難である。
【０００６】
また、特許文献１に記載された基板処理装置においては、剥離液が基板とともに第２剥離槽から持ち出され、あるいは、ミストとなった剥離液が排気とともに持ち出されることに対応するため、新しい剥離液を補充するようにしている。この新液の補充により循環使用される剥離液中のフォトレジストの濃度は一時的に低下するが、この補充量は少量であることから、剥離液中に溶解していたフォトレジストの基板上での析出を完全に防止するには至らない。
【０００７】
また、この補充は一定時間毎、あるいは、一定枚数の基板を処理する毎に実行されることから、連続して処理される基板毎の処理品質が異なるという問題も発生する。
【０００８】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、処理液の使用量を増加させることなく、レジストの析出等を防止して基板を高品質に処理することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、薬液を貯留する薬液貯留槽と、基板に薬液を供給するための第１薬液供給ノズルと、前記薬液貯留槽に貯留された薬液を前記第１薬液供給ノズルに送液する第１薬液供給路と、前記第１薬液供給ノズルから基板に供給された薬液を前記薬液貯留槽に回収する第１薬液回収路とを有する第１薬液処理機構と、新しい薬液を供給する新液供給部と、前記第１薬液処理機構により処理された基板に対して薬液を供給するための第２薬液供給ノズルと、前記新液供給部から前記第２薬液供給ノズルに新しい薬液を送液する第２薬液供給路と、前記第２薬液供給ノズルから基板に供給された薬液を前記薬液貯留槽、前記第１薬液回収路または前記第１薬液供給路のいずれかに回収する第２薬液回収路とを有する第２薬液処理機構と、純水を供給する純水供給部と、前記第２薬液処理機構により処理された基板に対して純水を供給するための純水供給ノズルと、前記純水供給部から前記純水供給ノズルに純水を送液する純水供給路とを有する純水処理機構とを備えたことを特徴とする。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記第１薬液供給ノズルと、前記第２薬液供給ノズルとは、互いに異なるチャンバー内に配設されている。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の発明において、前記第１薬液処理機構と前記第２薬液処理機構との間には、前記第１薬液供給ノズルから基板に供給された薬液と前記第２薬液供給ノズルから基板に供給された薬液とが混合することを防止するための薬液混合防止機構が配設されている。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記薬液混合防止機構は、前記第１薬液処理機構と前記第２薬液処理機構との間に配設されたエアナイフである。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の発明において、前記薬液は、基板の表面に付着したフォトレジストを剥離する剥離液である。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、この発明に係る基板処理装置の概要図である。
【００１５】
この基板処理装置は、矩形状の液晶表示パネル用ガラス基板（以下「基板」という）１を搬送する多数の搬送ローラ２と、この搬送ローラ２により搬送される基板１に循環使用される剥離液を供給して処理する第１薬液処理機構３と、第１薬液処理機構３により処理された基板１に新しい剥離液を供給して処理する第２薬液処理機構４と、第２薬液処理機構４により処理された基板１に純水を供給して水洗する純水処理機構５とを備える。
【００１６】
多数の搬送ローラ２は、矩形状の基板１を、その下面両端部を支持した状態で図１における左方向から右方向に搬送する構成となっている。このとき、多数の搬送ローラ２は、基板１の主面が水平方向に対し交差するように、基板１を若干傾斜させた状態で支持して搬送する。但し、基板１の主面を、水平方向を向けた状態で搬送するようにしてもよい。
【００１７】
第１薬液処理機構３は、剥離液を貯留する薬液貯留槽３１と、基板１に剥離液を供給するための複数の第１薬液供給ノズル３２と、ポンプ３５およびフィルタ３６を備え薬液貯留槽３１に貯留された剥離液を第１薬液供給ノズル３２に送液する第１薬液供給路３３と、第１薬液供給ノズル３２から基板１に供給された剥離液を薬液貯留槽３１に回収する第１薬液回収路３４とを有する。
【００１８】
複数の第１薬液供給ノズル３２は、搬送ローラ２により搬送される基板１の両面に剥離液を噴出する構成を有する。これらの第１薬液供給ノズル３２は、第１チャンバー３７内に配設されている。また、この第１チャンバー３７内には、基板１の両面に対して高圧の気体を噴出することにより、基板１の両面に付着する剥離液を除去するための、上下一対のエアナイフ３８が配設されている。なお、上述した第１薬液回収路３４は、この第１チャンバー３７の底部から剥離液を回収する構成となっている。
【００１９】
第２薬液処理機構４は、新しい剥離液を供給するための剥離液の供給源４４に接続された新液供給槽４１と、上述した第１薬液処理機構３により剥離液を供給された基板１に対して再度剥離液を供給するための第２薬液供給ノズル４２と、ポンプ４５を備え新液供給槽４１から第２薬液供給ノズル４２に新しい剥離液を送液する第２薬液供給路４３と、第２薬液供給ノズル４２から基板１に供給された剥離液を薬液貯留槽３１に回収する第２薬液回収路４４とを有する。
【００２０】
第２薬液供給ノズル４２は、搬送ローラ２により搬送される基板１の表面に新しい剥離液を滴下する構成を有する。この第２薬液供給ノズル４２は、第２チャンバー４７内に配設されている。また、この第２チャンバー４７内には、基板１の両面に対して高圧の気体を噴出することにより、基板１の両面に付着する剥離液を除去するための、上下一対のエアナイフ４８が配設されている。なお、上述した第２薬液回収路４４は、この第２チャンバー４７の底部から剥離液を回収する構成となっている。
【００２１】
純水処理機構５は、所定圧力の純水を供給する純水供給部５１と、第２薬液処理機構４７により剥離液を供給された基板１に対して純水を供給するための複数の純水供給ノズル５２と、純水供給部５１から純水供給ノズル５２に純水を送液する純水供給路５３と、純水供給ノズル５２から基板１に供給された純水を純水回収槽５６に回収する純水回収路５４とを有する。
【００２２】
複数の純水供給ノズル５２は、搬送ローラ２により搬送される基板１の両面に純水を噴出する構成を有する。これらの純水供給ノズル５２は、第３チャンバー５７内に配設されている。また、この第３チャンバー５７内には、基板１の両面に対して高圧の気体を噴出することにより、基板１の両面に付着する純水を除去するための、上下一対のエアナイフ５８が配設されている。なお、上述した純水回収路５４は、この第３チャンバー５７の底部から純水を回収する構成となっている。
【００２３】
次に、この基板処理装置による基板１の処理動作について説明する。
【００２４】
最初に、基板１が、前段の処理工程から搬送ローラ２によって第１チャンバー３７内に搬送される。また、薬液貯留槽３１内の剥離液がポンプ３５の作用によりフィルター３６を介して第１薬液供給ノズル３２に送液される。そして、搬送ローラ２により搬送される基板１の両面に、第１薬液供給ノズル３２から剥離液が噴出され、基板１に付着したフォトレジストが剥離液の作用により剥離される。
【００２５】
基板１の処理に供された剥離液は、一対のエアナイフ３８の作用により、基板１の表面から除去される。そして、この剥離液は、第１チャンバー３７の底部から第１薬液回収路３４を介して薬液貯留槽３１に回収される。
【００２６】
なお、基板１に供給された剥離液が基板１の表面で完全に乾燥すると、後段の水洗工程においてこの剥離液を基板１から除去することが困難となる。このため、一対のエアナイフ３８を使用する場合においても、第１チャンバー３７から搬出される基板１の表面には、少量の剥離液が残存している。また、剥離液の外部への拡散を防止するため、第１チャンバー３７内の雰囲気は、図示しない排気機構により排気されている。このため、第１チャンバー３７内存在するミスト状の剥離液が排気とともに第１チャンバー３７内から排出される。これらの理由により、薬液貯留槽３１、第１薬液供給路３３、第１薬液供給ノズル３２および第１薬液回収路３４を循環する剥離液の量は、徐々に減少することになる。
【００２７】
第１チャンバー３７内において第１薬液処理機構３により処理された基板１は、搬送ローラ２により第２チャンバー４７内に搬送される。また、新液供給槽４１内の新しい剥離液がポンプ４５の作用により第２薬液供給ノズル４２に送液される。そして、搬送ローラ２により搬送される基板１の表面に、第２薬液供給ノズル４２から新しい剥離液が滴下される。
【００２８】
基板１の表面に供給された剥離液は、一対のエアナイフ４８の作用により、基板１の表面から除去される。そして、この剥離液は、第２チャンバー４７の底部から第２薬液回収路４４を介して、第１薬液処理機構３における薬液貯留槽３１に回収される。
【００２９】
上述したように、第１薬液処理機構３においては、薬液貯留槽３１、第１薬液供給路３３、第１薬液供給ノズル３２および第１薬液回収路３４を循環する剥離液の量が徐々に減少する。しかしながら、この基板処理装置においては、第２薬液供給ノズル４２から基板１に供給された剥離液が薬液貯留槽３１に回収される構成を採用していることから、第２薬液供給ノズル４２から供給される新しい剥離液が補充液として機能することになる。
【００３０】
第２チャンバー４７内において第２薬液処理機構４により処理された基板１は、搬送ローラ２により第３チャンバ５７内に搬送される。また、純水供給部５１から純水が純水供給ノズル５２に純水が供給される。そして、搬送ローラ２により搬送される基板１の両面に、純水供給ノズル５２から純水が噴出される。
【００３１】
このとき、基板１の表面には第２薬液処理機構４において供給された剥離液がわずかに残存している。しかしながら、この剥離液は新液供給槽４１から供給された新たな剥離液であることから、この剥離液中にはフォトレジストはほとんど溶解していない。このため、剥離液が純水と混合された場合においても、フォトレジストが基板１上で析出することはない。
【００３２】
基板１の水洗に供された純水は、一対のエアナイフ５８の作用により、基板１の表面から除去される。そして、この純水、第３チャンバー５７の底部から純水回収路５４を介して純水回収槽５６に回収される。
【００３３】
純水処理機構５において水洗処理された基板１は、搬送ローラ２により、後段の処理工程に向けて搬送される。
【００３４】
なお、上述した実施形態においては、第２薬液供給ノズル４２から基板１に供給された剥離液を第２薬液回収路４４により薬液貯留槽３１に回収する構成を採用しているが、第２薬液供給ノズル４２から基板１に供給された剥離液を第１薬液回収路３４または第１薬液供給路３３に回収するようにしてもよい。要するに、第２薬液供給ノズル４２から基板１に供給された剥離液を、薬液貯留槽３１、第１薬液供給路３３、第１薬液供給ノズル３２および第１薬液回収路３４を循環する剥離液中に回収しうる構成であればよい。
【００３５】
また、上述した実施形態においては、第１薬液供給ノズル３２を第１チャンバー３７内に、また、第２薬液供給ノズル４２を第２チャンバー４７内に配設しているが、第１薬液供給ノズル３２と第２薬液供給ノズル４２とを同一のチャンバー内に配設し、同一のチャンバー内で循環使用される剥離液と新しい剥離液とを順次基板１に供給するようにしてもよい。但し、この場合においては、循環使用される剥離液と新しい剥離液とが混合することを防止するために、上述したエアナイフ３８等の混合防止機構を配設することが必要となる。
【００３６】
また、上述した実施形態においては、第１薬液供給ノズル３２を搬送ローラ２により搬送される基板１の両面に配置して基板１の両面に剥離液を供給しているが、第１薬液供給ノズル３２から基板１の表面にのみ剥離液を供給するようにしてもよい。また、上述した実施形態においては、第２薬液供給ノズル４２を搬送ローラ２により搬送される基板１の表面側に配置して基板１の表面にのみ新しい剥離液を供給しているが、基板１の両面に新しい剥離液を供給するようにしてもよい。
【００３７】
さらに、上述した実施形態においては、薬液として基板の表面に付着したフォトレジストを剥離する剥離液を使用しているが、循環使用された後純水と混合されることによりパーティクル等による問題が生ずるその他の薬液を使用する基板処理装置にこの発明を適用することも可能である。
【００３８】
【発明の効果】
請求項１に記載の発明によれば、循環使用される薬液により基板を処理する第１薬液処理機構と、新しい薬液により基板を処理する第２薬液処理機構と、純水処理機構とにより基板を順次処理することから、レジストの析出等を防止して基板を高品質に処理することが可能となる。このとき、第２薬液処理機構で使用した薬液を第１薬液処理機構で再度使用することから、処理液の使用量が増加することを有効に防止することが可能となる。
【００３９】
請求項２に記載の発明によれば、第１薬液供給ノズルと第２薬液供給ノズルとが互いに異なるチャンバー内に配設されることから、第１薬液供給ノズルから基板に供給された薬液と第２薬液供給ノズルから基板に供給された薬液とが混合することを防止することが可能となる。
【００４０】
請求項３に記載の発明によれば、薬液混合防止機構により、第１薬液供給ノズルから基板に供給された薬液と第２薬液供給ノズルから基板に供給された薬液とが混合することを防止することが可能となる。
【００４１】
請求項４に記載の発明によれば、薬液混合防止機構が第１薬液処理機構と第２薬液処理機構との間に配設されたエアナイフであることから、簡易な構成により第１薬液供給ノズルから基板に供給された薬液と第２薬液供給ノズルから基板に供給された薬液とが混合することを防止することが可能となる。
【００４２】
請求項５に記載の発明によれば、薬液として循環使用された後純水と混合されることによりレジストを析出しやすい剥離液を使用した場合においても、レジストの析出を有効に防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る基板処理装置の概要図である。
【符号の説明】
１　　　基板
２　　　搬送ローラ
３　　　第１薬液処理機構
４　　　第２薬液処理機構
５　　　純水処理機構
３１　　薬液貯留槽
３２　　第１薬液供給ノズル
３３　　第１薬液供給路
３４　　第１薬液回収路
３５　　ポンプ
３６　　フィルタ
３７　　第１チャンバー
３８　　エアナイフ
４１　　新液供給槽
４２　　第２薬液供給ノズル
４３　　第２薬液供給路
４４　　剥離液の供給源
４７　　第２チャンバー
４８　　エアナイフ
５１　　純水供給部
５２　　純水供給ノズル
５４　　純水回収路
５６　　純水回収槽
５７　　　　第３チャンバー
５８　　エアナイフ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus for treating a surface of a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display panel, or a mask substrate for a semiconductor manufacturing apparatus with a chemical solution and then cleaning the surface with pure water.
[0002]
[Prior art]
For example, in a substrate processing apparatus in which a photoresist adhering to the surface of a substrate is stripped with a stripper and then the surface of the substrate is washed with pure water, the stripper is circulated to reduce the processing cost of an expensive stripper. I'm using Therefore, when the substrate is continuously processed for a long time, the concentration of the photoresist in the stripping solution gradually increases. This photoresist is dissolved in the stripping solution, but when the stripping solution in which the photoresist is dissolved at a high concentration and pure water are mixed in the subsequent washing step, the photoresist dissolved in the stripping solution is removed. There is a problem that the resist is deposited on the substrate and becomes particles or foreign matters and adheres to the substrate.
[0003]
For this reason, two stripping tanks for treating the substrate with the stripping liquid are connected in series, and after the most of the photoresist is stripped in the first stripping tank, the finishing stripping is performed in the second stripping tank, so that the photo is removed. There has also been proposed a substrate processing apparatus that prevents mixing of a stripping solution in which a resist is dissolved at a high concentration and pure water on a substrate (for example, see Patent Document 1).
[0004]
[Patent Document 1]
JP-A-11-216433 [0005]
[Problems to be solved by the invention]
In the substrate processing apparatus described in Patent Document 1, although it is possible to reduce the concentration of the photoresist in the stripping solution mixed with pure water on the substrate, the stripping solution is also circulated in the second stripping tank. It is difficult to reliably prevent the phenomenon that the photoresist dissolved in the stripping solution is deposited on the substrate and becomes a particle or a foreign substance and adheres to the substrate because there is no difference in the process. .
[0006]
Further, in the substrate processing apparatus described in Patent Literature 1, a new stripping solution is taken out in order to cope with the stripping solution being taken out of the second stripping tank together with the substrate or the stripping solution that has become mist being taken out together with the exhaust. To replenish. The replenishment of this new solution temporarily reduces the concentration of photoresist in the stripping solution that is circulated, but since the replenishment amount is small, the photoresist dissolved in the stripping solution can be used on the photoresist substrate. Is not completely prevented.
[0007]
In addition, since this replenishment is performed every fixed time or every time a fixed number of substrates are processed, there arises a problem that the processing quality differs for each substrate that is continuously processed.
[0008]
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a substrate processing apparatus capable of processing a substrate with high quality by preventing deposition of a resist or the like without increasing the amount of a processing solution used. The purpose is to provide.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The invention according to claim 1 provides a chemical storage tank for storing a chemical, a first chemical supply nozzle for supplying a chemical to the substrate, and a chemical stored in the chemical storage to the first chemical supply nozzle. A first chemical liquid processing mechanism having a first chemical liquid supply path for feeding the liquid, a first chemical liquid recovery path for collecting the chemical liquid supplied to the substrate from the first chemical liquid supply nozzle into the chemical liquid storage tank, and supplying a new chemical liquid A new chemical liquid supply unit, a second chemical liquid supply nozzle for supplying a chemical liquid to the substrate processed by the first chemical liquid treatment mechanism, and a new chemical liquid from the new liquid supply unit to the second chemical liquid supply nozzle. A second chemical liquid supply path for feeding the liquid, and a second chemical liquid supplied to the substrate from the second chemical liquid supply nozzle is collected in one of the chemical liquid storage tank, the first chemical liquid recovery path, and the first chemical liquid supply path. A second chemical processing machine having a chemical recovery path A pure water supply unit for supplying pure water, a pure water supply nozzle for supplying pure water to the substrate processed by the second chemical solution treatment mechanism, and the pure water supply unit from the pure water supply unit. A pure water treatment mechanism having a pure water supply path for sending pure water to the nozzle.
[0010]
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the first chemical liquid supply nozzle and the second chemical liquid supply nozzle are provided in different chambers.
[0011]
According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect of the invention, a substrate is provided between the first chemical processing mechanism and the second chemical processing mechanism from the first chemical supply nozzle to the substrate. A chemical mixture preventing mechanism is provided for preventing the supplied chemical and the chemical supplied to the substrate from the second chemical supply nozzle from mixing.
[0012]
According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect of the invention, the chemical mixing prevention mechanism is an air knife disposed between the first chemical processing mechanism and the second chemical processing mechanism.
[0013]
According to a fifth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the chemical solution is a stripping solution for stripping the photoresist adhered to the surface of the substrate.
[0014]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention.
[0015]
The substrate processing apparatus includes a plurality of transport rollers 2 for transporting a rectangular glass substrate for a liquid crystal display panel (hereinafter, referred to as “substrate”) 1, and a peeling liquid circulated to the substrate 1 transported by the transport rollers 2. A first chemical processing mechanism 3 for supplying and processing a liquid, a second chemical processing mechanism 4 for supplying and processing a new stripping liquid to the substrate 1 processed by the first chemical processing mechanism 3, and a second chemical processing mechanism 4 A pure water treatment mechanism 5 for supplying pure water to the substrate 1 treated by the above and washing the substrate 1 with water.
[0016]
A large number of transport rollers 2 transport the rectangular substrate 1 from left to right in FIG. 1 while supporting both lower end portions thereof. At this time, the large number of transport rollers 2 support and transport the substrate 1 in a slightly inclined state such that the main surface of the substrate 1 intersects the horizontal direction. However, the main surface of the substrate 1 may be transported in a state where the substrate 1 is oriented in the horizontal direction.
[0017]
The first chemical solution processing mechanism 3 includes a chemical solution storage tank 31 for storing the stripping solution, a plurality of first chemical solution supply nozzles 32 for supplying the stripping solution to the substrate 1, a pump 35 and a filter 36, and the chemical solution storage tank 31. A first chemical supply path 33 for sending the stripping liquid stored in the first chemical liquid supply nozzle 32 to the first chemical liquid supply nozzle 32, and a first chemical liquid storage tank 31 for collecting the stripper liquid supplied to the substrate 1 from the first chemical liquid supply nozzle 32. And a chemical solution recovery path 34.
[0018]
The plurality of first chemical liquid supply nozzles 32 have a configuration in which a stripping liquid is ejected to both surfaces of the substrate 1 conveyed by the conveyance roller 2. These first chemical liquid supply nozzles 32 are provided in the first chamber 37. A pair of upper and lower air knives 38 is provided in the first chamber 37 for ejecting a high-pressure gas to both surfaces of the substrate 1 to remove the stripping liquid attached to both surfaces of the substrate 1. Have been. The above-described first chemical liquid recovery path 34 is configured to recover the stripping liquid from the bottom of the first chamber 37.
[0019]
The second chemical processing mechanism 4 includes a new liquid supply tank 41 connected to a stripping liquid supply source 44 for supplying a new stripping liquid, and the substrate 1 to which the first chemical processing mechanism 3 has supplied the stripping liquid. A second chemical solution supply nozzle 42 for supplying a stripper again to the second chemical solution supply passage 43, which is provided with a pump 45 and supplies a new stripper from the new solution supply tank 41 to the second chemical solution supply nozzle 42. And a second chemical liquid recovery path 44 for collecting the stripping liquid supplied to the substrate 1 from the second chemical liquid supply nozzle 42 into the chemical liquid storage tank 31.
[0020]
The second chemical liquid supply nozzle 42 has a configuration in which a new stripping liquid is dropped on the surface of the substrate 1 transported by the transport roller 2. The second chemical solution supply nozzle 42 is provided in the second chamber 47. A pair of upper and lower air knives 48 for removing a stripping solution adhered to both surfaces of the substrate 1 by ejecting high-pressure gas to both surfaces of the substrate 1 are provided in the second chamber 47. Have been. In addition, the above-mentioned second chemical liquid recovery path 44 is configured to recover the stripping liquid from the bottom of the second chamber 47.
[0021]
The pure water treatment mechanism 5 includes a pure water supply unit 51 that supplies pure water at a predetermined pressure, and a plurality of pure water supplies the pure water to the substrate 1 to which the stripping liquid has been supplied by the second chemical liquid treatment mechanism 47. A water supply nozzle 52, a pure water supply path 53 for supplying pure water from the pure water supply unit 51 to the pure water supply nozzle 52, and a pure water recovery tank for supplying the pure water supplied to the substrate 1 from the pure water supply nozzle 52. 56, a pure water recovery path 54 for recovery.
[0022]
The plurality of pure water supply nozzles 52 have a configuration for ejecting pure water to both surfaces of the substrate 1 transported by the transport roller 2. These pure water supply nozzles 52 are provided in the third chamber 57. A pair of upper and lower air knives 58 for removing pure water adhering to both surfaces of the substrate 1 by ejecting high-pressure gas to both surfaces of the substrate 1 is provided in the third chamber 57. Have been. The above-described pure water recovery path 54 is configured to recover pure water from the bottom of the third chamber 57.
[0023]
Next, a processing operation of the substrate 1 by the substrate processing apparatus will be described.
[0024]
First, the substrate 1 is transported into the first chamber 37 by the transport rollers 2 from the previous processing step. Further, the stripping solution in the chemical solution storage tank 31 is sent to the first chemical solution supply nozzle 32 through the filter 36 by the action of the pump 35. Then, a stripping liquid is ejected from both sides of the substrate 1 conveyed by the conveying roller 2 from the first chemical liquid supply nozzle 32, and the photoresist adhering to the substrate 1 is stripped by the action of the stripping liquid.
[0025]
The stripping solution used for processing the substrate 1 is removed from the surface of the substrate 1 by the action of the pair of air knives 38. Then, the stripping liquid is recovered from the bottom of the first chamber 37 to the chemical storage tank 31 via the first chemical recovery path 34.
[0026]
When the stripping solution supplied to the substrate 1 is completely dried on the surface of the substrate 1, it becomes difficult to remove the stripping solution from the substrate 1 in a subsequent washing step. Therefore, even when the pair of air knives 38 is used, a small amount of the stripping liquid remains on the surface of the substrate 1 carried out of the first chamber 37. The atmosphere in the first chamber 37 is exhausted by an exhaust mechanism (not shown) in order to prevent the release liquid from diffusing to the outside. Therefore, the mist-like stripping liquid present in the first chamber 37 is discharged from the first chamber 37 together with the exhaust gas. For these reasons, the amount of the stripper circulating in the chemical storage tank 31, the first chemical supply path 33, the first chemical supply nozzle 32, and the first chemical recovery path 34 gradually decreases.
[0027]
The substrate 1 processed by the first chemical liquid processing mechanism 3 in the first chamber 37 is transported into the second chamber 47 by the transport roller 2. Further, a new stripping solution in the new solution supply tank 41 is sent to the second chemical solution supply nozzle 42 by the action of the pump 45. Then, a new stripping liquid is dropped from the second chemical liquid supply nozzle 42 onto the surface of the substrate 1 transferred by the transfer roller 2.
[0028]
The stripper supplied to the surface of the substrate 1 is removed from the surface of the substrate 1 by the action of the pair of air knives 48. Then, the stripping liquid is recovered from the bottom of the second chamber 47 to the chemical storage tank 31 of the first chemical processing mechanism 3 via the second chemical recovery path 44.
[0029]
As described above, in the first chemical liquid treatment mechanism 3, the amount of the stripping liquid circulating in the chemical liquid storage tank 31, the first chemical liquid supply path 33, the first chemical liquid supply nozzle 32, and the first chemical liquid recovery path 34 gradually decreases. I do. However, since the substrate processing apparatus adopts a configuration in which the stripping liquid supplied to the substrate 1 from the second chemical liquid supply nozzle 42 is collected in the chemical liquid storage tank 31, the liquid is supplied from the second chemical liquid supply nozzle 42. The new stripping solution will function as a replenisher.
[0030]
The substrate 1 processed by the second chemical solution processing mechanism 4 in the second chamber 47 is transported into the third chamber 57 by the transport rollers 2. Further, pure water is supplied from the pure water supply unit 51 to the pure water supply nozzle 52. Then, pure water is ejected from the pure water supply nozzle 52 to both surfaces of the substrate 1 transported by the transport rollers 2.
[0031]
At this time, the stripping solution supplied in the second chemical solution processing mechanism 4 slightly remains on the surface of the substrate 1. However, since the stripping solution is a new stripping solution supplied from the new solution supply tank 41, the photoresist is hardly dissolved in the stripping solution. Therefore, even when the stripping solution is mixed with the pure water, the photoresist does not deposit on the substrate 1.
[0032]
The pure water used for washing the substrate 1 is removed from the surface of the substrate 1 by the action of the pair of air knives 58. Then, the pure water is recovered from the bottom of the third chamber 57 to a pure water recovery tank 56 via a pure water recovery path 54.
[0033]
The substrate 1 having been subjected to the rinsing process in the pure water treatment mechanism 5 is transported by the transport roller 2 toward a subsequent processing step.
[0034]
In the above-described embodiment, a configuration is adopted in which the stripping liquid supplied to the substrate 1 from the second chemical liquid supply nozzle 42 is collected in the chemical liquid storage tank 31 by the second chemical liquid collecting path 44. The stripping liquid supplied to the substrate 1 from the supply nozzle 42 may be collected in the first chemical liquid recovery path 34 or the first chemical liquid supply path 33. In short, the stripping liquid supplied to the substrate 1 from the second chemical liquid supply nozzle 42 is supplied to the chemical liquid storage tank 31, the first chemical liquid supply path 33, the first chemical liquid supply nozzle 32, and the first chemical liquid recovery path 34. Any configuration can be used as long as it can be recovered.
[0035]
In the above-described embodiment, the first chemical liquid supply nozzle 32 is provided in the first chamber 37 and the second chemical liquid supply nozzle 42 is provided in the second chamber 47. The stripper 32 and the second chemical supply nozzle 42 may be arranged in the same chamber, and the stripper circulated and used in the same chamber and a new stripper may be sequentially supplied to the substrate 1. However, in this case, it is necessary to provide a mixing prevention mechanism such as the air knife 38 described above in order to prevent the stripping solution used in circulation and the new stripping solution from mixing.
[0036]
In the above-described embodiment, the first chemical liquid supply nozzle 32 is disposed on both surfaces of the substrate 1 transported by the transport roller 2 to supply the stripping liquid to both surfaces of the substrate 1. The stripper may be supplied from 32 only to the surface of the substrate 1. Further, in the above-described embodiment, the second chemical liquid supply nozzle 42 is disposed on the surface side of the substrate 1 conveyed by the conveyance roller 2 to supply a new stripping liquid only to the surface of the substrate 1. A new stripper may be supplied to both sides of the substrate.
[0037]
Furthermore, in the above-described embodiment, the stripping solution that strips the photoresist adhered to the surface of the substrate is used as the chemical solution. However, a problem due to particles or the like is caused by being mixed with pure water after being used in circulation. The present invention can also be applied to a substrate processing apparatus using other chemicals.
[0038]
【The invention's effect】
According to the first aspect of the present invention, the substrate is processed by the first chemical processing mechanism for processing the substrate with the circulating chemical, the second chemical processing for processing the substrate with the new chemical, and the pure water processing. Since the processing is performed sequentially, the deposition of the resist can be prevented, and the substrate can be processed with high quality. At this time, since the chemical used in the second chemical processing unit is reused in the first chemical processing unit, it is possible to effectively prevent an increase in the amount of the processing liquid used.
[0039]
According to the second aspect of the present invention, since the first chemical liquid supply nozzle and the second chemical liquid supply nozzle are disposed in different chambers, the chemical liquid supplied to the substrate from the first chemical liquid supply nozzle and the second chemical liquid supply nozzle are separated from each other. It is possible to prevent the chemical supplied from the two chemical supply nozzles to the substrate from being mixed.
[0040]
According to the third aspect of the present invention, the chemical liquid mixing preventing mechanism prevents the chemical liquid supplied to the substrate from the first chemical liquid supply nozzle from mixing with the chemical liquid supplied to the substrate from the second chemical liquid supply nozzle. It becomes possible.
[0041]
According to the fourth aspect of the present invention, since the chemical mixing prevention mechanism is an air knife disposed between the first chemical processing mechanism and the second chemical processing mechanism, the first chemical liquid supply nozzle has a simple configuration. It is possible to prevent the chemical supplied to the substrate from the substrate from mixing with the chemical supplied to the substrate from the second chemical supply nozzle.
[0042]
According to the invention as set forth in claim 5, even when a stripping solution that easily precipitates a resist by being mixed with pure water after being circulated as a chemical is used, it is possible to effectively prevent the deposition of the resist. It becomes possible.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Transport roller 3 First chemical treatment mechanism 4 Second chemical treatment mechanism 5 Pure water treatment mechanism 31 Chemical storage tank 32 First chemical supply nozzle 33 First chemical supply path 34 First chemical collection path 35 Pump 36 Filter 37 First 1 chamber 38 Air knife 41 New liquid supply tank 42 Second chemical liquid supply nozzle 43 Second chemical liquid supply path 44 Stripper supply source 47 Second chamber 48 Air knife 51 Pure water supply section 52 Pure water supply nozzle 54 Pure water recovery path 56 Pure Water recovery tank 57 Third chamber 58 Air knife

Claims

A chemical storage tank for storing the chemical, a first chemical supply nozzle for supplying the chemical to the substrate, and a first chemical supply passage for sending the chemical stored in the chemical storage to the first chemical supply nozzle. A first chemical liquid processing mechanism having a first chemical liquid recovery path for collecting the chemical liquid supplied to the substrate from the first chemical liquid supply nozzle into the chemical liquid storage tank;
A new chemical supply unit for supplying a new chemical liquid, a second chemical liquid supply nozzle for supplying a chemical liquid to the substrate processed by the first chemical liquid processing mechanism, and a second chemical liquid supply nozzle from the new liquid supply unit A second chemical solution supply path for feeding a new chemical solution to the substrate, and a chemical solution supplied to the substrate from the second chemical solution supply nozzle to one of the chemical solution storage tank, the first chemical solution collection path, or the first chemical solution supply path. A second chemical processing mechanism having a second chemical recovery path for recovery;
A pure water supply unit for supplying pure water, a pure water supply nozzle for supplying pure water to the substrate processed by the second chemical solution treatment mechanism, and a pure water supply nozzle from the pure water supply unit to the pure water supply nozzle. A pure water treatment mechanism having a pure water supply path for sending pure water,
A substrate processing apparatus comprising:

The substrate processing apparatus according to claim 1,
The first chemical solution supply nozzle and the second chemical solution supply nozzle are disposed in different chambers from each other.

In the substrate processing apparatus according to claim 1 or 2,
Between the first chemical liquid processing mechanism and the second chemical liquid processing mechanism, the chemical liquid supplied to the substrate from the first chemical liquid supply nozzle and the chemical liquid supplied to the substrate from the second chemical liquid supply nozzle are mixed. A substrate processing apparatus provided with a chemical solution mixing preventing mechanism for preventing the occurrence of the mixing.

The substrate processing apparatus according to claim 3,
The substrate processing apparatus, wherein the chemical mixing prevention mechanism is an air knife disposed between the first chemical processing mechanism and the second chemical processing mechanism.

The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4,
A substrate processing apparatus, wherein the chemical solution is a stripping solution for stripping a photoresist attached to a surface of a substrate.