JP4182962B2

JP4182962B2 - 磁気ディスクドライブ装置及び磁気ディスクドライブ装置の特性補償方法

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Publication number: JP4182962B2
Application number: JP2005218735A
Authority: JP
Inventors: 洋介安徳; 裕樹松隈
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Current assignee: TDK Corp
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Filing date: 2005-07-28
Publication date: 2008-11-19
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Description

本発明は、磁気ヘッドにより磁気ディスクに書込み動作を行なう磁気ディスクドライブ装置、この磁気ディスクドライブ装置を備えた携帯電話機又は車載機器、及びこの磁気ディスクドライブ装置の特性補償方法に関する。

読出しヘッド素子として磁気抵抗効果（ＭＲ）センサを用いた磁気ディスクドライブ装置において、ＭＲセンサの磁区の不均衡を是正してエラー回復を行なうために、磁気ヘッドをコンタクト・スタート・ストップ（ＣＳＳ）領域等に移動させてダミーライトすることは公知である（例えば、特許文献１）。

記録用にインダクティブヘッド及び再生用にＭＲヘッドを使用した磁気ディスクドライブ装置において、ＭＲヘッド再生信号の波形変動安定化を図るために、ヘッドをダミーライト領域に移動させ、通常のセンス電流より大きいセンス電流をＭＲヘッドに流しながら通常の書込み電流より大きい電流値でダミーライトを行なうことは公知である（例えば、特許文献２）。

書込みヘッドにインダクティブ素子及び読出しヘッドにＭＲ素子を用いた磁気ディスクドライブ装置において、書込み磁界がＭＲ素子の出力波形を変化させている場合は、ヘッドを退避領域に一時的に停止させ、ダミーライトを行なってＭＲ素子の特性回復を図ることも公知である（例えば、特許文献３）。

特開２００１−０９３１０４号公報特開平１０−１３４３０５号公報特開２００３−０３６５０２号公報

近年、磁気ディスクドライブ装置は、モバイル機器、例えばカーナビゲーションシステム又はカーオーディオシステム等の車載機器や携帯電話機等、に搭載され始めており、通常のパーソナルコンピュータに搭載される場合に比して、より過酷な環境ストレス下で動作することが要求され始めている。

磁気ディスクドライブ装置を、例えば低温（０℃若しくは−２０℃）で長時間放置した場合及び／又は高温（８０℃若しくは１００℃）で長時間放置した場合、仕様材料の膨張係数の差によって磁気ヘッド内部応力が変化する。これにより、磁性材料による上部シールド層やヨークが磁歪を持つことから書込みヘッドの磁気特性が劣化し、磁気ディスクドライブ装置起動直後のデータ書込み動作が正常に行なわれず、結果として、動作エラーを引き起こす可能性が高い。また、温度以外にも、何らかの原因によって外部磁場ストレスが印加され、書込みヘッドの磁気特性劣化が生じる可能性がある。

前述した従来のダミーライト技術は、いずれも、通常の書込み電流に等しいかそれ以上のダミーの書込み電流を書込みヘッドに流すことによって、読出しヘッド側のＭＲ素子の特性回復を図るものであり、書込みヘッドの磁気特性の劣化防止を図るものではない。従来技術のようなダミーライトを行なう場合、磁気ディスク回転による空冷効果は望めないため、磁気ヘッドの温度上昇が非常に大きく、通常の書込み電流以上のダミーライト電流を流した場合、むしろＭＲ読出しヘッド素子にダメージを与えてしまうので好ましくない。

従って本発明の目的は、他の素子に悪影響を与えることなく書込み特性を確実に回復させることができる磁気ディスクドライブ装置及びこの磁気ディスクドライブ装置の特性補償方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、起動時間を増大させることなく書込み特性を確実に回復させることができる磁気ディスクドライブ装置及びこの磁気ディスクドライブ装置の特性補償方法を提供することにある。

本発明によれば、データ領域を有する磁気ディスクと、起動前は磁気ディスクの外に位置しており、起動後に磁気ディスクのデータ領域上にロードされる磁気ヘッドと、磁気ディスクが回転を開始した後であって定常回転速度に達するまでの間である起動直後に磁気ヘッドを磁気ディスクの外に位置させた状態で、磁気ヘッドの読出しヘッド素子の温度上昇が６０℃未満となるように、通常の書込み電流値より低い値のダミーライト電流を磁気ヘッドに流す電流供給手段とを備えた磁気ディスクドライブ装置が提供される。

起動直後に磁気ヘッドが磁気ディスクのデータ領域とは異なる領域上、例えばＣＳＳ領域上、又は磁気ディスクの外、例えばアンロード位置に退避させた状態で、通常の書込み電流値より低いダミーライト電流でダミーライトを行なう。ダミーライトを行なうことによって、磁気ヘッド内部応力の変化に基づく上部シールド層やヨークが磁歪や外部磁場ストレス印加による書込みヘッドの磁気特性劣化を回復することができる。起動直後にダミーライトを行なうことにより、起動時間を延ばすことなく書込み特性の回復が可能となる。特に、ダミーライト電流が通常の書込み電流値より低いため、磁気ヘッドが磁気ディスクのデータ領域とは異なる領域上又は磁気ディスクの外に位置する状態であっても、磁気ヘッドが熱くなり過ぎることはなく、読出しヘッド素子にダメージを与えることなく書込み特性を確実に回復させることができる。

電流供給手段が磁気ヘッドの環境温度に応じてダミーライト条件を制御するダミーライト条件制御手段を備えていることが好ましい。

磁気ヘッドの環境温度を検知する温度検知手段をさらに備えており、ダミーライト条件制御手段が温度検知手段によって検知した環境温度に応じてダミーライト条件を決定し、決定したダミーライト条件に基づいたダミーライト電流を流す手段であることも好ましい。

磁気ヘッドがインダクティブ書込みヘッド素子を有しており、温度検知手段がインダクティブ書込みヘッド素子の抵抗値を検知する手段であることも好ましい。

磁気ヘッドがインダクティブ書込みヘッド素子及びＭＲ読出しヘッド素子を有しており、温度検知手段がＭＲ読出しヘッド素子の抵抗値を検知する手段であることも好ましい。

ダミーライト条件制御手段が磁気ディスクドライブ装置の外部から与えられた磁気ヘッドの環境温度を表わす温度データに応じてダミーライト条件を決定し、決定したダミーライト条件に基づいたダミーライト電流を制御する手段であることも好ましい。

ダミーライト条件制御手段が磁気ヘッドの温度が所定値となるように環境温度に応じてダミーライト条件を決定し、決定したダミーライト条件に基づいたダミーライト電流を流す手段であることが好ましい。

ダミーライト条件制御手段が環境温度が低い場合は高い場合より大きい電流値のダミーライト電流を流すように構成されていることも好ましい。

ダミーライト条件制御手段がダミーライト電流の周波数を制御するように構成されていることも好ましい。この場合、ダミーライト条件制御手段が環境温度が低い場合は高い場合より高い周波数のダミーライト電流を流すように構成されていることがより好ましい。さらに、ダミーライト条件制御手段がダミーライト電流の周波数を３００ＭＨｚ以上に制御するように構成されていることもより好ましい。

ダミーライト条件制御手段が環境温度が低い場合は高い場合より長い時間に渡ってダミーライト電流を流すように構成されていることも好ましい。

電流供給手段が磁気ディスクが回転を開始した後であって定常回転速度に達するまでの間に、ダミーライト電流を流すように構成されていることが好ましい。

電流供給手段が通常の書込み電流値の２５％以上の値のダミーライト電流を該磁気ヘッドに流すように構成されていることも好ましい。

電流供給手段が起動及び再起動の都度、ダミーライト電流を流すように構成されていることも好ましい。

本発明によれば、さらに、上述した磁気ディスクドライブ装置を備えた携帯電話機又は車載機器が提供される。

本発明によれば、さらにまた、磁気ディスクが回転を開始した後であって定常回転速度に達するまでの間である起動直後に、磁気ヘッドを磁気ディスクの外に位置させた状態で、磁気ヘッドの読出しヘッド素子の温度上昇が６０℃未満となるように、通常の書込み電流値より低い値のダミーライト電流を磁気ヘッドに流す磁気ディスクドライブ装置の特性補償方法が提供される。

起動直後にダミーライトを行なうことにより、起動時間を延ばすことなく書込み特性の回復が可能となる。特に、ダミーライト電流が通常の書込み電流値より低いため、磁気ヘッドが磁気ディスクのデータ領域とは異なる領域上又は磁気ディスクの外に位置する状態であっても、磁気ヘッドが熱くなり過ぎることはなく、読出しヘッド素子にダメージを与えることなく書込み特性を確実に回復させることができる。

磁気ヘッドの環境温度に応じてダミーライト条件を制御することが好ましい。

磁気ヘッドの環境温度を検知し、検知した環境温度に応じてダミーライト条件を決定し、決定したダミーライト条件に基づいたダミーライト電流を流すことも好ましい。

インダクティブ書込みヘッド素子を有する磁気ヘッドにおいて、インダクティブ書込みヘッド素子の抵抗値から環境温度を検知することも好ましい。

インダクティブ書込みヘッド素子及びＭＲ読出しヘッド素子を有する磁気ヘッドにおいて、ＭＲ読出しヘッド素子の抵抗値から環境温度を検知することも好ましい。

磁気ディスクドライブ装置の外部から与えられた磁気ヘッドの環境温度を表わす温度データに応じてダミーライト電流を制御することも好ましい。

磁気ヘッドの温度が所定値となるように環境温度に応じてダミーライト条件を決定し、決定したダミーライト条件に基づいたダミーライト電流を流すことが好ましい。

環境温度が低い場合は高い場合より大きい電流値のダミーライト電流を流すことも好ましい。

ダミーライト電流の周波数を制御するように構成されていることも好ましい。この場合、環境温度が低い場合は高い場合より高い周波数のダミーライト電流を流すことがより好ましい。さらに、ダミーライト電流の周波数を３００ＭＨｚ以上に制御することもより好ましい。

環境温度が低い場合は高い場合より長い時間に渡ってダミーライト電流を流すことも好ましい。

磁気ディスクが回転を開始した後であって定常回転速度に達するまでの間に、ダミーライト電流を流すことが好ましい。

通常の書込み電流値の２５％以上の値のダミーライト電流を磁気ヘッドに流すことも好ましい。

起動及び再起動の都度、ダミーライト電流を流すことも好ましい。

本発明によれば、ダミーライトを行なうことによって、磁気ヘッド内部応力の変化に基づく上部シールド層やヨークが磁歪や外部磁場ストレス印加による書込みヘッドの磁気特性劣化を回復することができる。起動直後にダミーライトを行なうことにより、起動時間を延ばすことなく書込み特性の回復が可能となる。また、ダミーライト電流が通常の書込み電流値より低いため、磁気ヘッドが磁気ディスクのデータ領域とは異なる領域上又は磁気ディスクの外に位置する状態であっても、磁気ヘッドが熱くなり過ぎることはなく、読出しヘッド素子にダメージを与えることなく書込み特性を確実に回復させることができる。

図１は本発明の一実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の全体構成を概略的に示す平面図である。本実施形態は、耐衝撃性が高いロード／アンロード方式のハードディスクドライブ（ＨＤＤ）装置に係るものである。

同図において、１０はハウジング、１１はスピンドルモータにより軸１２を中心にして回転駆動される磁気ディスク、１３は先端部に磁気ヘッド１４が装着されていると共に後端部にボイスコイルモータ（ＶＣＭ）のコイル部が装着されており、水平回動軸１５を中心にして磁気ディスク１１の表面と平行に回動可能なヘッドアームアセンブリ（ＨＡＡ）、１６は磁気ディスク１１のデータ領域の外側の上方又は磁気ディスク１１の外に設けられており、その傾斜した表面にＨＡＡ１３の先端部が乗り上げてアンロード状態となるランプ、１７はＶＣＭのマグネット部をそれぞれ示している。磁気ヘッド１４は、インダクティブ書込みヘッド素子と、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）読出しヘッド素子又はトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）読出しヘッド素子とを備えた複合型ヘッドである。

磁気ディスクの停止中、起動（再起動を含む）及び停止時の低回転速度中においては、ＨＡＡ１３の先端部はランプ１６上にあり、従って磁気ヘッド１４はアンロード位置に存在するように制御されている。

図２は本実施形態におけるＨＤＤ装置の電気的構成を概略的に示すブロック図である。

同図において、２０は磁気ディスク１１を回転駆動するスピンドルモータ、２１はこのスピンドルモータ２０のドライバ、２２はＶＣＭ２３のドライバ、２４は磁気ヘッド１４のヘッドアンプ、２５はコンピュータ２６の制御に従ってモータドライバ２１を、ＶＣＭドライバ２２を、さらに、リードライトチャネル２７を介してヘッドアンプ２４を制御するハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）をそれぞれ示している。

図３は本実施形態のＨＤＤ装置を組み込んだ機器の一例を概略的に示す斜視図であり、図４は本実施形態のＨＤＤ装置を組み込んだ機器の他の例を概略的に示す分解斜視図である。

図３に示すように、携帯電話機３０内に本実施形態のＨＤＤ装置３１が組み込まれている場合、この携帯電話機３０を過酷な環境ストレス下、例えばかなりの低温環境下で使用する際にも書込みヘッドの磁気特性を良好な状態に保つことができる。

また、図４に示すように、カーナビゲーションシステム等の車載機器４０内に本実施形態のＨＤＤ装置４１が組み込まれている場合、この車載機器４０が過酷な環境ストレス下、例えばかなりの低温環境下で使用する際にも書込みヘッドの磁気特性を良好な状態に保つことができる。

本実施形態のＨＤＤ装置は、図３及び図４に示したものの他に種々の機器に適用可能である。例えば、携帯型パソコンやデジタルオーディオプレーヤ等の携帯機器に適用可能であり、さらに、それ自体がストレージとして携帯されるＨＤＤ装置やリムーバブルＨＤＤ装置としても使用可能である。

図５は本実施形態におけるＨＤＤ装置の磁気ディスク起動時の流れを示すフローチャートであり、図６は本実施形態における磁気ディスク起動時の磁気ヘッド位置、磁気ヘッド動作及び磁気ディスク回転速度の変化を説明する図である。

以下これらの図を用いて本実施形態におけるＨＤＤ装置の動作を説明する。

磁気ディスク１１の回転停止中は、磁気ヘッド１４はアンロード位置にある（ステップＳ１）。

磁気ディスク１１の起動又は再起動が指示されると（ステップＳ２）、ＨＤＣ２５はモータドライバ２１にスピンドル回転開始を指示し、これによってスピンドルモータ２０が回転し始める（ステップＳ３）。この場合、ＨＤＣ２５からＶＣＭドライバ２２へは駆動指示が出ないので、磁気ヘッド１４はアンロード位置にある。

この状態で、無条件に、ＨＤＣ２５からリードライトチャネル２７経由でヘッドアンプ２４へ信号が出力され、インダクティブ書込みヘッド素子にダミーライト電流が流され、ダミーライトが行なわれる（ステップＳ４）。ダミーライト電流は、通常の書込み電流値を１００％とすると、１００％未満かつ２５％以上の電流値で行なわれる。

通常の書込み電流値の２５％以上の電流値でダミーライトを行なうことにより、書込み特性を回復することができる。また、磁気ヘッドがアンロード位置にあるため、磁気ディスク回転による空冷効果が生じないので、１００％以上の書込み電流を流すと、磁気ヘッドが熱くなり過ぎるので、ダミーライトは１００％未満の電流値で行なう。

以下この数値の根拠を説明する。

図７はオンディスク状態において書込み電流を変えた場合のオーバーライト特性を表す図である。同図において、横軸は書込み電流（ｍＡ）、縦軸はオーバーライト特性値（ｄＢ）を示している。ただし、書込み電流の周波数は３００ＭＨｚである。なお、オンディスク状態とは磁気ヘッドがロード位置にありかつ磁気ディスクが定常回転にある状態を表しており、また、オフディスク状態とは磁気ヘッドがアンロード位置にありかつ磁気ディスクが回転していない状態を表している。

同図に示すように、書込み電流を大きくしていくと、通常の書込み電流値である４０ｍＡにおいて、オーバーライト特性値が急激に変曲し、この変曲点より高い書込み電流値で書込み特性が急激に回復している。

図８はオンディスク状態及びオフディスク状態において書込み電流を変えた場合の読出しヘッド素子の温度上昇特性をそれぞれ示す図である。同図において、横軸は書込み電流（ｍＡ）、縦軸は読出しヘッドの温度上昇（℃）を示している。ただし、書込み電流の周波数は３００ＭＨｚである。

同図から分かるように、オンディスク状態とオフディスク状態とでは、特性が互いに異なっている。オンディスク状態において、４０ｍＡの書込み電流を流すと、読出しヘッドの温度上昇は２５℃となり、４０ｍＡ以上の書込み電流で書込み特性が回復するのであるから、読出しヘッドの温度上昇が２５℃以上となるようにすれば良いこととなる。読出しヘッドの温度上昇を２５℃とするためには、オフディスク状態で１０ｍＡの書込み電流、即ち１０ｍＡのダミーライト電流、を流せば良いことは同図から明らかである。従って、ダミーライト電流値を、通常の書込み電流値である４０ｍＡの２５％以上の電流値とすれば良いこととなる。

一方、読出しヘッド温度上昇が７０℃以上となると信頼性の問題が生じるため、約１０℃のマージンをもって、オフディスク状態での書込み電流、即ちダミーライト電流を４０ｍＡ未満とすることが望ましい。これは、ダミーライト電流値を、通常の書込み電流値である４０ｍＡの１００％未満の電流値とすることである。

図８より、書込み電流をどちらも４０ｍＡとすると、オフディスク状態の場合は、オンディスク状態の場合に比して約２．４倍温度上昇することが分かる。

書込み電流による総発熱量Ｗは、そのＤＣ成分による発熱量をＡ、ＡＣ成分による発熱量をＢとすると、Ｗ＝Ａ＋Ｂで表される。

オンディスク状態における書込み電流をＩｗ、オフディスク状態における書込み電流をＩｗ′、ｋを定数とし、ＡＣ成分による発熱量Ｂを無視すると、オンディスク状態における通常の書込み電流Ｉｗによる発熱量はＷ＝Ａ＝ｋＩｗ^２となり、これと同じ発熱量を得るためのオフディスク状態における書込み電流Ｉｗ′は、ｋＩｗ^２＝２．４ｋＩｗ′^２であるから、Ｉｗ′＝√（ｋＩｗ^２／２．４ｋ）＝√（Ｉｗ^２／２．４）となる。従って、Ｉｗ′≒０．６５Ｉｗとなる。ロード状態において通常の書込み電流と同じ電流値でダミーライトすれば、温度上昇による書込み特性の回復効果が確認されているので、オフディスク状態における書込み電流を通常の書込み電流の約６５％としても良いこととなる。

また、書込み電流が高周波となり、その周波数が増大するとＡＣ成分によって発生する渦電流による発熱量Ｂが大きくなる。この場合、書込み電流の周波数は２５０ＭＨｚ以上であることが望ましい。

図９は書込み電流による発熱量の周波数依存特性の一例を表す図である。同図において、横軸は書込み電流の周波数（ＭＨｚ）、縦軸は読出しヘッド素子の温度上昇の比を示している。即ち、書込み電流がＤＣ電流である場合の温度上昇（５０℃）を基準とし、これに対する温度上昇の比である。

同図より、書込み電流の周波数が増大すると、そのＡＣ成分による温度上昇が大きくなり、書込み電流が３００ＭＨｚの場合、ＤＣ成分による温度上昇に対するＡＣ成分による温度上昇の比は、約２．０となる。従って、ＡＣ成分を考慮した場合、総発熱量は、Ｗ＝Ａ＋Ｂ＝Ａ＋Ａ＝２Ａ＝２ｋＩｗ^２となるから、オンディスク状態における通常の書込み電流Ｉｗによる発熱量と同じ発熱量を得るためのオフディスク状態における書込み電流Ｉｗ′は、Ｉｗ′≒０．６５Ｉｗ／√２＝０．４６０Ｉｗとなる。従って、高周波となりＡＣ成分による温度上昇を考慮した場合、オフディスク状態における書込み電流を、通常の書込み電流の４６．０％としても良いこととなる。

以上は書込み電流の周波数が３００ＭＨｚの場合であるが、４００ＭＨｚとなると、３００ＭＨｚの場合から約２０℃の温度上昇が生じ、５００ＭＨｚとなると、４００ＭＨｚの場合からさらに約２０℃の温度上昇が生じている。

図１０はオフディスク状態において周波数による温度上昇の変化を考慮した読出しヘッドの温度特性の一例を表す図である。同図において、横軸は書込み電流（ｍＡ）、縦軸は読出しヘッドの温度上昇（℃）を示している。

同図からも明らかのように、読出しヘッドの温度上昇を２５℃以上６０℃未満とするためには、書込み電流の周波数が３００ＭＨｚの場合には、オフディスク状態での書込み電流、即ちダミーライト電流を１０ｍＡ以上４０ｍＡ未満、従って通常の書込み電流の２５％以上１００％未満とする必要がある。ダミーライト電流の周波数が４００ＭＨｚの場合には、その電流値を１０ｍＡ以上２５ｍＡ以下、従って通常の書込み電流の２５％以上６２．５％以下とする必要がある。ダミーライト電流の周波数が５００ＭＨｚの場合には、その電流値が１０ｍＡで読出しヘッドの温度上昇が６０℃を越えてしまうが、読出しヘッドの温度上昇を７０℃未満とするためには、ダミーライト電流値を１０ｍＡ以上１５ｍＡ未満、従って通常の書込み電流の２５％以上３７．５％未満とする必要がある。

また、同図から、ダミーライト電流の周波数を３００ＭＨｚ以上とし、かつ読出しヘッドの温度上昇が６０℃未満となるような周波数及び電流値条件を満足させれば、読出しヘッドにダメージを与えることなく書込み特性を確実に回復させることができる。

図５のステップＳ４におけるダミーライトが終了した後、スピンドル回転速度、即ち磁気ディスク回転速度が定常速度に達すると（ステップＳ５）、ＨＤＣ２５からＶＣＭドライバ２２に指示が出され、これによってＶＣＭ２３が駆動されて、磁気ヘッド１４が磁気ディスク１１のデータ領域上、即ちロード位置、に移動される（ステップＳ６）。

以後、磁気ディスク１１のサーボ情報の読込み及びデータの読み書きという、通常の書込み及び読出し動作が実行される（ステップＳ７）。

このようなダミーライトは、起動及び再起動の都度行なわれ、これによって、磁気ヘッドの書込み特性を確実に回復することが可能となる。

図１１は熱ストレスを印加した前後における磁気ヘッドのオーバーライト特性の変化を表す特性図であり、横軸は熱ストレス前のオーバーライト特性値（ｄＢ）、縦軸は熱ストレス前後のオーバーライト特性値の差（ｄＢ）をそれぞれ表している。なお、同図（Ａ）はダミーライト無しの場合、同図（Ｂ）はダミーライト有りの場合である。

なお、この場合、熱ストレスとしては、−４０℃の環境下に３０分放置した後、＋１２５℃の環境下に３０分放置することを１０サイクル繰り返すことを行なった。

同図（Ａ）のダミーライト無しの場合は、熱ストレス前後でオーバーライト特性の差がかなり広範囲にばらついているが、同図（Ｂ）のダミーライト有りの場合は、熱ストレス前後でオーバーライト特性の差が狭い範囲となっている。即ち、ダミーライトを行なうことによって、磁気ヘッドのインダクティブ書込みヘッド素子の書込み特性を回復させることができる。

図１２は熱ストレスを印加した場合（ダミーライト無し）の磁気ヘッドのＭＲ読出しヘッド素子の特性変化を表す特性図である。同図（Ａ）はＭＲ読出しヘッド素子の振幅変化を表しており、横軸は熱ストレス前のＭＲ出力（ｍＶ）、縦軸は熱ストレス後の振幅変化を示している。同図（Ｂ）はＭＲ読出しヘッド素子のアシメトリ変化を表しており、横軸は熱ストレス前のＭＲ出力（％）、縦軸は熱ストレス後のアシメトリ変化（％）を示している。

同図から、読出しヘッド素子側は書込みヘッド素子のように熱ストレスによる劣化は見られず、ダミーライトによって特性回復を図る必要性のないことが分かる。

以上述べたように、本実施形態によれば、起動直後の磁気ディスク回転速度が定常速度に達する前にダミーライトが実行されるので、ダミーライトによって起動時間が延長されるような不都合は生じない。ダミーライトがアンロード位置で行なわれるので、これによって磁気ディスクのデータ領域に悪影響が及ぼされるようなことはもちろんない。

また、ダミーライト電流が通常の書込み電流値の１００％未満であるため、磁気ヘッドがアンロード位置にあり、磁気ディスク回転による冷却が無くても磁気ヘッドが熱くなり過ぎるようなことはなく、読出しヘッド素子にダメージを与えることなく書込み特性を確実に回復させることができる。消費電力もその分、少なくて済む。

図１３は本発明の他の実施形態におけるＨＤＤ装置の磁気ディスク起動時の流れを示すフローチャートである。

本実施形態においては、磁気ヘッドの環境温度に応じてダミーライトの条件が制御される。環境温度を検知する構成及び検知した環境温度に応じてダミーライト条件を制御する構成を除いて、本実施形態におけるＨＤＤ装置の機械的及び電気的構成、ＨＤＤ装置の磁気ディスク起動時の流れ等は、図１の実施形態の場合と同様である。従って、図１の実施形態と同様の構成要素については、本実施形態においても同じ参照番号を使用する。また、本実施形態のＨＤＤ装置の適用例についても、図３及び図４に示す携帯電話機及びカーナビゲーションシステム等の車載機器はもちろんのこと、例えば、携帯型パソコンやデジタルオーディオプレーヤ等の携帯機器にも適用可能であり、さらに、それ自体がストレージとして携帯されるＨＤＤ装置やリムーバブルＨＤＤ装置としても使用可能である。

以下、図１３を用いて本実施形態におけるＨＤＤ装置の動作を説明する。

磁気ディスク１１の回転停止中は、磁気ヘッド１４はアンロード位置にある（ステップＳ１１）。

磁気ディスク１１の起動又は再起動が指示されると（ステップＳ１２）、ＨＤＣ２５はモータドライバ２１にスピンドル回転開始を指示し、これによってスピンドルモータ２０が回転し始める（ステップＳ１３）。この場合、ＨＤＣ２５からＶＣＭドライバ２２へは駆動指示が出ないので、磁気ヘッド１４はアンロード位置にある。

この状態で、磁気ヘッド１４のインダクティブ書込みヘッド素子又ＧＭＲ読出しヘッド素子の抵抗値を検出することにより、磁気ヘッド１４の環境温度を検知する（ステップＳ１４）。この場合も、磁気ヘッド１４はアンロード位置にある。

インダクティブ書込みヘッド素子の抵抗値は、ヘッドアンプ２４からインダクティブ書込みヘッド素子に所定の測定用電流を流し、端子間電圧を測定することによって容易に求めることができる。インダクティブ書込みヘッド素子の抵抗値と環境温度との間には、図１４に示すような相関関係があり、コンピュータ２６は、この関係を表わすテーブルをあらかじめ備えている。従って、このテーブルを用いることにより測定した抵抗値から磁気ヘッドの環境温度を容易に求めることができる。

一方、ＧＭＲ読出しヘッド素子の抵抗値は、ヘッドアンプ２４からＧＭＲ読出しヘッド素子に所定の測定用電流を流し、端子間電圧を測定することによって容易に求めることができる。ＧＭＲ読出しヘッド素子の抵抗値と環境温度との間には、図１５に示すような相関関係があり、コンピュータ２６は、この関係を表わすテーブルをあらかじめ備えている。従って、このテーブルを用いることにより測定した抵抗値から磁気ヘッドの環境温度を容易に求めることができる。なお、読出しヘッド素子としてＴＭＲ読出しヘッド素子を使用している場合は、温度係数が小さいため、環境温度を読出しヘッド素子の抵抗値から検知することは困難である。

次いで、この検知した環境温度に応じて、ダミーライトの条件、即ち、ダミーライト電流値、ダミーライト電流の周波数、及び／又はダミーライト電流の印加時間を決定し、その決定した条件に応じた信号が、ＨＤＣ２５からリードライトチャネル２７経由でヘッドアンプ２４へ出力され、インダクティブ書込みヘッド素子にダミーライト電流が流され、ダミーライトが行なわれる（ステップＳ１５）。

環境温度に応じたダミーライトの条件の一例が表１に示されている。コンピュータ２６にこのような条件のテーブル又は演算ルーチンがあらかじめ用意されている。この条件は、磁気ヘッドの温度が所定値となるように環境温度に応じたダミーライト電流を流すためのものである。即ち、環境温度が低い場合は高い場合より大きい電流値のダミーライト電流とし、環境温度が低い場合は高い場合より高い周波数値のダミーライト電流とし、環境温度が低い場合は高い場合より所定温度になるまでにより長い時間を必要とするので、ダミーライト電流の印加時間を長くする。

具体的には、検知した環境温度が５℃以上１５℃未満である場合は、ダミーライトによって環境温度を８５℃とするために最大で８０℃（５℃の場合）の温度上昇が必要となる。そのために、通常の書込み電流値である５０ｍＡの０．７倍である３５ｍＡの電流値でかつ２８０ＭＨｚの周波数値であるダミーライト電流を流すように制御する。これにより、電流値に基づく温度上昇分が６５℃、周波数値に基づく温度上昇分が１２０％となり、合計で６５℃×１．２＝７８．０℃と、必要な温度上昇（８０℃）に近い温度上昇が得られることとなる。

環境温度が他の範囲にある場合も同様であるが、この表１の例では環境温度が５℃未満となると、ダミーライト電流の印加時間が長くなるように制御される。例えば、検知した環境温度が−１５℃以上−５℃未満である場合は、ダミーライトによって環境温度を８５℃とするために最大で１００℃（−１５℃の場合）の温度上昇が必要となる。そのために、通常の書込み電流値である５０ｍＡの０．８倍である４０ｍＡの電流値でかつ３００ＭＨｚの周波数値であるダミーライト電流を流すように制御する。これにより、電流値に基づく温度上昇分が７２℃、周波数値に基づく温度上昇分が１４０％となり、合計で７２℃×１．４＝１００．８℃と、必要な温度上昇（１００℃）に近い温度上昇が得られるが、さらに印加時間も１２０％となるように制御される。

図１６は環境温度が−２５℃の磁気ヘッドについて、熱ストレスを印加した前後における磁気ヘッドのオーバーライト特性の変化を表す特性図であり、横軸は熱ストレス前の室温におけるオーバーライト特性値（ｄＢ）、縦軸は熱ストレス前後のオーバーライト特性値の差（ｄＢ）をそれぞれ表している。なお、同図（Ａ）はダミーライト無しの場合、同図（Ｂ）は環境温度が−１５℃以上−５℃未満の時のダミーライト条件（４０ｍＡ、３００ＭＨｚ）でダミーライト有りの場合、同図（Ｃ）は環境温度が−２５℃以上−１５℃未満の時のダミーライト条件（４０ｍＡ、３７５ＭＨｚ）でダミーライト有りの場合である。

同図（Ａ）のダミーライト無しの場合は、熱ストレス前後でオーバーライト特性の差がかなり広範囲にばらついているが、同図（Ｂ）のダミーライト条件（４０ｍＡ、３００ＭＨｚ）によるダミーライト有りの場合は、熱ストレス前後でオーバーライト特性の差が多少狭い範囲となっているが充分ではない。同図（Ｃ）のダミーライト条件（４０ｍＡ、３７５ＭＨｚ）によるダミーライト有りの場合は、ダミーライト電流の周波数を３７５ＭＨｚとし、さらに温度上昇させているので、熱ストレス前後でオーバーライト特性の差がかなり狭い範囲となっている。即ち、この条件でダミーライトを行なうことによって、磁気ヘッドのインダクティブ書込みヘッド素子の書込み特性を良好に回復させることができる。

なお、前述した表１の例では、環境温度が３５℃以上ではダミーライト電流を流さないように制御される。

表１に示した条件テーブルでは、環境温度に応じて、ダミーライト電流値、ダミーライト電流の周波数及びダミーライト電流の印加時間の全てを制御しているが、このうちの１つ又は２つを制御するようにしても良いことは明らかである。

以上述べたダミーライトが終了した後、スピンドル回転速度、即ち磁気ディスク回転速度が定常速度に達すると（ステップＳ１６）、ＨＤＣ２５からＶＣＭドライバ２２に指示が出され、これによってＶＣＭ２３が駆動されて、磁気ヘッド１４が磁気ディスク１１のデータ領域上、即ちロード位置、に移動される（ステップＳ１７）。

以後、磁気ディスク１１のサーボ情報の読込み及びデータの読み書きという、通常の書込み及び読出し動作が実行される（ステップＳ１８）。

以上述べたように、本実施形態によれば、インダクティブ書込みヘッド素子又ＧＭＲ読出しヘッド素子の抵抗値を検出して磁気ヘッドの環境温度を検知し、その環境温度に応じてダミーライトの条件を可変制御しているので、環境温度に応じた適切なダミーライトを行うことができる。また、環境温度をインダクティブ書込みヘッド素子又ＧＭＲ読出しヘッド素子の抵抗値から求めているので、温度センサ等の素子を追加して設ける必要がないからＨＤＤ装置の構成を変更する必要もない。

もちろん、本実施形態においても、起動直後の磁気ディスク回転速度が定常速度に達する前にダミーライトが実行されるので、ダミーライトによって起動時間が延長されるような不都合は生じない。ダミーライトがアンロード位置で行なわれるので、これによって磁気ディスクのデータ領域に悪影響が及ぼされるようなことはもちろんない。

図１７は本発明のさらに他の実施形態におけるＨＤＤ装置の磁気ディスク起動時の流れを示すフローチャートである。

以下、図１７を用いて本実施形態におけるＨＤＤ装置の動作を説明する。

磁気ディスク１１の回転停止中は、磁気ヘッド１４はアンロード位置にある（ステップＳ２１）。

磁気ディスク１１の起動又は再起動が指示されると（ステップＳ２２）、ＨＤＣ２５はモータドライバ２１にスピンドル回転開始を指示し、これによってスピンドルモータ２０が回転し始める（ステップＳ２３）。この場合、ＨＤＣ２５からＶＣＭドライバ２２へは駆動指示が出ないので、磁気ヘッド１４はアンロード位置にある。

この状態で、ＨＤＤ装置の外部、例えばＨＤＤ装置がカーナビゲーションシステムに組み込まれている場合にはそのシステム側で測定して得た温度データを取り込むことにより、磁気ヘッド１４の環境温度を検知する（ステップＳ２４）。この場合も、磁気ヘッド１４はアンロード位置にある。

次いで、この検知した環境温度に応じて、ダミーライトの条件、即ち、ダミーライト電流値、ダミーライト電流の周波数、及び／又はダミーライト電流の印加時間を決定し、その決定した条件に応じた信号が、ＨＤＣ２５からリードライトチャネル２７経由でヘッドアンプ２４へ出力され、インダクティブ書込みヘッド素子にダミーライト電流が流され、ダミーライトが行なわれる（ステップＳ２５）。環境温度に応じたダミーライトの条件は、図１３の実施形態の場合と同様である。

このダミーライトが終了した後、スピンドル回転速度、即ち磁気ディスク回転速度が定常速度に達すると（ステップＳ２６）、ＨＤＣ２５からＶＣＭドライバ２２に指示が出され、これによってＶＣＭ２３が駆動されて、磁気ヘッド１４が磁気ディスク１１のデータ領域上、即ちロード位置、に移動される（ステップＳ２７）。

以後、磁気ディスク１１のサーボ情報の読込み及びデータの読み書きという、通常の書込み及び読出し動作が実行される（ステップＳ２８）。

以上述べたように、本実施形態によれば、ＨＤＤ装置の外部から温度データを得て磁気ヘッドの環境温度を検知し、その環境温度に応じてダミーライトの条件を可変制御しているので、環境温度に応じた適切なダミーライトを行うことができる。また、環境温度を外部からの温度データから求めているので、温度センサ等の素子を追加して設ける必要がないからＨＤＤ装置の構成を変更する必要もない。

図１８は本発明のまたさらに他の実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の全体構成を概略的に示す平面図である。本実施形態は、耐衝撃性が高いロード／アンロード方式のＨＤＤ装置に係るものである。

図１８において、１０はハウジング、１１はスピンドルモータにより軸１２を中心にして回転駆動される磁気ディスク、１３は先端部に磁気ヘッド１４が装着されていると共に後端部にＶＣＭのコイル部が装着されており、水平回動軸１５を中心にして磁気ディスク１１の表面と平行に回動可能なＨＡＡ、１６は磁気ディスク１１のデータ領域の外側の上方又は磁気ディスク１１の外に設けられており、その傾斜した表面にＨＡＡ１３の先端部が乗り上げてアンロード状態となるランプ、１７はＶＣＭのマグネット部、１８はＨＤＤ装置内部の温度を検出するための温度センサをそれぞれ示している。磁気ヘッド１４は、インダクティブ書込みヘッド素子と、ＧＭＲ読出しヘッド素子又はＴＭＲ読出しヘッド素子とを備えた複合型ヘッドである。

図１９は本実施形態におけるＨＤＤ装置の電気的構成を概略的に示すブロック図である。

同図において、２０は磁気ディスク１１を回転駆動するスピンドルモータ、２１はこのスピンドルモータ２０のドライバ、２２はＶＣＭ２３のドライバ、２４は磁気ヘッド１４のヘッドアンプ、２５はコンピュータ２６の制御に従ってモータドライバ２１を、ＶＣＭドライバ２２を、さらに、リードライトチャネル２７を介してヘッドアンプ２４を制御するＨＤＣをそれぞれ示している。温度センサ１８は、この実施形態ではコンピュータ２６に接続されている。

図２０は本実施形態におけるＨＤＤ装置の磁気ディスク起動時の流れを示すフローチャートである。

以下、図２０を用いて本実施形態におけるＨＤＤ装置の動作を説明する。

磁気ディスク１１の回転停止中は、磁気ヘッド１４はアンロード位置にある（ステップＳ３１）。

磁気ディスク１１の起動又は再起動が指示されると（ステップＳ３２）、ＨＤＣ２５はモータドライバ２１にスピンドル回転開始を指示し、これによってスピンドルモータ２０が回転し始める（ステップＳ３３）。この場合、ＨＤＣ２５からＶＣＭドライバ２２へは駆動指示が出ないので、磁気ヘッド１４はアンロード位置にある。

この状態で、ＨＤＤ装置の温度センサ１８の出力を取り込むことにより、磁気ヘッド１４の環境温度を検知する（ステップＳ３４）。この場合も、磁気ヘッド１４はアンロード位置にある。

次いで、この検知した環境温度に応じて、ダミーライトの条件、即ち、ダミーライト電流値、ダミーライト電流の周波数、及び／又はダミーライト電流の印加時間を決定し、その決定した条件に応じた信号が、ＨＤＣ２５からリードライトチャネル２７経由でヘッドアンプ２４へ出力され、インダクティブ書込みヘッド素子にダミーライト電流が流され、ダミーライトが行なわれる（ステップＳ３５）。環境温度に応じたダミーライトの条件は、図１３の実施形態の場合と同様である。

このダミーライトが終了した後、スピンドル回転速度、即ち磁気ディスク回転速度が定常速度に達すると（ステップＳ３６）、ＨＤＣ２５からＶＣＭドライバ２２に指示が出され、これによってＶＣＭ２３が駆動されて、磁気ヘッド１４が磁気ディスク１１のデータ領域上、即ちロード位置、に移動される（ステップＳ３７）。

以後、磁気ディスク１１のサーボ情報の読込み及びデータの読み書きという、通常の書込み及び読出し動作が実行される（ステップＳ３８）。

以上述べたように、本実施形態によれば、ＨＤＤ装置に設けられた温度センサの出力から磁気ヘッドの環境温度を検知し、その環境温度に応じてダミーライトの条件を可変制御しているので、環境温度に応じた適切なダミーライトを行うことができる。

図２１は本発明のさらに他の実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の全体構成を概略的に示す平面図である。本実施形態は、最も一般的なＣＳＳ方式のＨＤＤ装置に係るものである。

図１、図１３、図１７又は図１８の実施形態におけるロード／アンロード方式に代えてＣＳＳ方式のＨＤＤ装置を用いるという構成を除いて、本実施形態におけるＨＤＤ装置の機械的及び電気的構成、ＨＤＤ装置の磁気ディスク起動時の流れ等は、上述した実施形態の場合と同様である。従って、上述した実施形態と同様の構成要素については、本実施形態においても同じ参照番号を使用する。また、本実施形態のＨＤＤ装置の適用例についても、図３及び図４に示す携帯電話機及びカーナビゲーションシステム等の車載機器はもちろんのこと、例えば、携帯型パソコンやデジタルオーディオプレーヤ等の携帯機器にも適用可能であり、さらに、それ自体がストレージとして携帯されるＨＤＤ装置やリムーバブルＨＤＤ装置としても使用可能である。

図２１において、２１０はハウジング、２１１はスピンドルモータにより軸２１２を中心にして回転駆動される磁気ディスク、２１３は先端部に磁気ヘッド２１４が装着されていると共に後端部にＶＣＭのコイル部が装着されており、水平回動軸２１５を中心にして磁気ディスク２１１の表面と平行に回動可能なＨＡＡ、２１７はＶＣＭのマグネット部、２１８はＶＣＭのコイル部をそれぞれ示している。磁気ヘッド２１４は、インダクティブ書込みヘッド素子と、ＧＭＲ読出しヘッド素子又はＴＭＲ読出しヘッド素子とを備えた複合型ヘッドである。

磁気ディスクの停止中、起動（再起動を含む）及び停止時の低回転速度中においては、ＨＡＡ２１３の先端部に取付けられた磁気ヘッド２１４は、磁気ディスク２１１のデータ領域の中心側に設けられたＣＳＳ領域２１１ａに位置している。

本実施形態における他の構成、動作及び作用効果は図１、図１３、図１７又は図１８の実施形態の場合とほぼ同様であるため、説明を省略する。

以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。

本発明の一実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の全体構成を概略的に示す平面図である。図１の実施形態におけるＨＤＤ装置の電気的構成を概略的に示すブロック図である。図１の実施形態のＨＤＤ装置を組み込んだ機器の一例を概略的に示す斜視図である。図１の実施形態のＨＤＤ装置を組み込んだ機器の他の例を概略的に示す分解斜視図である。図１の実施形態におけるＨＤＤ装置の磁気ディスク起動時の流れを示すフローチャートである。図１の実施形態における磁気ディスク起動時の磁気ヘッド位置、磁気ヘッド動作及び磁気ディスク回転速度の変化を説明する図である。オンディスク状態において書込み電流を変えた場合のオーバーライト特性を表す図である。オンディスク状態及びオフディスク状態において書込み電流を変えた場合の読出しヘッド素子の温度特性をそれぞれ示す図である。書込み電流による発熱量の周波数依存特性の一例を表す図である。オフディスク状態において周波数による温度上昇の変化を考慮した読出しヘッドの温度特性の一例を表す図である。熱ストレスを印加した前後における磁気ヘッドのオーバーライト特性の変化を表す特性図である。熱ストレスを印加した場合の磁気ヘッドのＭＲ読出しヘッド素子の特性変化を表す特性図である。本発明の他の実施形態におけるＨＤＤ装置の磁気ディスク起動時の流れを示すフローチャートである。インダクティブ書込みヘッド素子の抵抗値と環境温度との間の関係の一例を表わす図である。ＧＭＲ読出しヘッド素子の抵抗値と環境温度との間の関係の一例を表わす図である。環境温度が−２５℃の磁気ヘッドについて、熱ストレスを印加した前後における磁気ヘッドのオーバーライト特性の変化を表す特性図である。本発明のさらに他の実施形態におけるＨＤＤ装置の磁気ディスク起動時の流れを示すフローチャートである。本発明のまたさらに他の実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の全体構成を概略的に示す平面図である。図１８の実施形態におけるＨＤＤ装置の電気的構成を概略的に示すブロック図である。図１８の実施形態におけるＨＤＤ装置の磁気ディスク起動時の流れを示すフローチャートである。本発明のさらに他の実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の全体構成を概略的に示す平面図である。

符号の説明

１０、２１０ハウジング
１１、２１１磁気ディスク
１２、２１２軸
１３、２１３ＨＡＡ
１４、２１４磁気ヘッド
１５、２１５水平回動軸
１６ランプ
１７、２１７ＶＣＭのマグネット部
１８温度センサ
２０スピンドルモータ
２１スピンドルモータのドライバ
２２ＶＣＭドライバ
２３ＶＣＭ
２４磁気ヘッドのヘッドアンプ
２５ＨＤＣ
２６コンピュータ
２１８ＶＣＭのコイル部

Claims

データ領域を有する磁気ディスクと、起動前は前記磁気ディスクの外に位置しており、起動後に該磁気ディスクの前記データ領域上にロードされる磁気ヘッドと、前記磁気ディスクが回転を開始した後であって定常回転速度に達するまでの間である起動直後に、ダミーライト電流を流す前記磁気ヘッドを前記磁気ディスクの外に位置させた状態で、前記磁気ヘッドの読出しヘッド素子の温度上昇が６０℃未満となるように、通常の書込み電流値より低い値のダミーライト電流を該磁気ヘッドに流す電流供給手段とを備えたことを特徴とする磁気ディスクドライブ装置。
前記電流供給手段が前記磁気ヘッドの環境温度に応じてダミーライト条件を制御するダミーライト条件制御手段を備えていることを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスクドライブ装置。
前記磁気ヘッドの環境温度を検知する温度検知手段をさらに備えており、前記ダミーライト条件制御手段が該温度検知手段によって検知した環境温度に応じてダミーライト条件を決定し、該決定したダミーライト条件に基づいたダミーライト電流を流す手段であることを特徴とする請求項２に記載の磁気ディスクドライブ装置。
前記磁気ヘッドがインダクティブ書込みヘッド素子を有しており、前記温度検知手段が該インダクティブ書込みヘッド素子の抵抗値を検知する手段であることを特徴とする請求項３に記載の磁気ディスクドライブ装置。
前記磁気ヘッドがインダクティブ書込みヘッド素子及び磁気抵抗効果読出しヘッド素子を有しており、前記温度検知手段が該磁気抵抗効果読出しヘッド素子の抵抗値を検知する手段であることを特徴とする請求項３に記載の磁気ディスクドライブ装置。
前記ダミーライト条件制御手段が当該磁気ディスクドライブ装置の外部から与えられた前記磁気ヘッドの環境温度を表わす温度データに応じてダミーライト条件を決定し、該決定したダミーライト条件に基づいたダミーライト電流を流す手段であることを特徴とする請求項２に記載の磁気ディスクドライブ装置。
前記ダミーライト条件制御手段が前記磁気ヘッドの温度が所定値となるように環境温度に応じてダミーライト条件を決定し、該決定したダミーライト条件に基づいたダミーライト電流を流す手段であることを特徴とする請求項２から６のいずれか１項に記載の磁気ディスクドライブ装置。
前記ダミーライト条件制御手段が環境温度が低い場合は高い場合より大きい電流値のダミーライト電流を流すように構成されていることを特徴とする請求項７に記載の磁気ディスクドライブ装置。
前記ダミーライト条件制御手段がダミーライト電流の周波数を制御するように構成されていることを特徴とする請求項７に記載の磁気ディスクドライブ装置。
前記ダミーライト条件制御手段が環境温度が低い場合は高い場合より高い周波数のダミーライト電流を流すように構成されていることを特徴とする請求項９に記載の磁気ディスクドライブ装置。
前記ダミーライト条件制御手段が前記ダミーライト電流の周波数を３００ＭＨｚ以上に制御するように構成されていることを特徴とする請求項２から１０のいずれか１項に記載の磁気ディスクドライブ装置。
前記ダミーライト条件制御手段が環境温度が低い場合は高い場合より長い時間に渡ってダミーライト電流を流すように構成されていることを特徴とする請求項７に記載の磁気ディスクドライブ装置。
前記電流供給手段が通常の書込み電流値の２５％以上の値のダミーライト電流を該磁気ヘッドに流すように構成されていることを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載の磁気ディスクドライブ装置。
前記電流供給手段が起動及び再起動の都度ダミーライト電流を流すように構成されていることを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載の磁気ディスクドライブ装置。
請求項１から１４のいずれか１項に記載の磁気ディスクドライブ装置を備えたことを特徴とする携帯電話機。
請求項１から１４のいずれか１項に記載の磁気ディスクドライブ装置を備えたことを特徴とする車載機器。
磁気ディスクが回転を開始した後であって定常回転速度に達するまでの間である起動直後に、磁気ヘッドを前記磁気ディスクの外に位置させた状態で、前記磁気ヘッドの読出しヘッド素子の温度上昇が６０℃未満となるように、通常の書込み電流値より低い値のダミーライト電流を該磁気ヘッドに流すことを特徴とする磁気ディスクドライブ装置の特性補償方法。
前記磁気ヘッドの環境温度に応じてダミーライト条件を制御することを特徴とする請求項１７に記載の特性補償方法。
前記磁気ヘッドの環境温度を検知し、該検知した環境温度に応じてダミーライト条件を決定し、該決定したダミーライト条件に基づいたダミーライト電流を流すことを特徴とする請求項１８に記載の特性補償方法。
インダクティブ書込みヘッド素子を有する磁気ヘッドにおいて、前記インダクティブ書込みヘッド素子の抵抗値から環境温度を検知することを特徴とする請求項１９に記載の特性補償方法。
インダクティブ書込みヘッド素子及び磁気抵抗効果読出しヘッド素子を有する磁気ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子の抵抗値から環境温度を検知することを特徴とする請求項１９に記載の特性補償方法。
当該磁気ディスクドライブ装置の外部から与えられた前記磁気ヘッドの環境温度を表わす温度データに応じてダミーライト電流を制御することを特徴とする請求項１８に記載の特性補償方法。
前記磁気ヘッドの温度が所定値となるように環境温度に応じてダミーライト条件を決定し、該決定したダミーライト条件に基づいたダミーライト電流を流すことを特徴とする請求項１８から２２のいずれか１項に記載の特性補償方法。
環境温度が低い場合は高い場合より大きい電流値のダミーライト電流を流すことを特徴とする請求項２３に記載の特性補償方法。
ダミーライト電流の周波数を制御するように構成されていることを特徴とする請求項２３に記載の特性補償方法。
環境温度が低い場合は高い場合より高い周波数のダミーライト電流を流すことを特徴とする請求項２５に記載の特性補償方法。
前記ダミーライト電流の周波数を３００ＭＨｚ以上に制御することを特徴とする請求項２３から２６のいずれか１項に記載の特性補償方法。
環境温度が低い場合は高い場合より長い時間に渡ってダミーライト電流を流すことを特徴とする請求項２３に記載の特性補償方法。
通常の書込み電流値の２５％以上の値のダミーライト電流を前記磁気ヘッドに流すことを特徴とする請求項１７から２８のいずれか１項に記載の特性補償方法。
起動及び再起動の都度ダミーライト電流を流すことを特徴とする請求項１７から２９のいずれか１項に記載の特性補償方法。