JP4177049B2 - Surface mount type side light emitting diode and manufacturing method thereof - Google Patents

Surface mount type side light emitting diode and manufacturing method thereof Download PDF

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯情報端末などの液晶ディスプレイのバックライトおよび各種インジケータなどに用いられる表面実装型側面発光ダイオードおよびその製造方法に関する。
本発明において、「略垂直」は垂直を含み、「略平行」は平行を含む。
【０００２】
【従来の技術】
図４７は、従来の技術の表面実装型側面発光ダイオード１を示す斜視図である。この従来の技術の表面実装型側面発光ダイオード１は、基板２、発光ダイオード素子３および封止部材４を備える。
【０００３】
基板２は、ガラスエポキシプリント回路基板であって、一対の端子電極部５ａ，５ｂと、一方の端子電極部５ａに金属配線された金属パッド部６ａと、他方の端子電極部５ｂに金属配線された金属パッド部６ｂとを有する。発光ダイオード素子３は、一方の金属パッド部６ａに導電性接着剤によって電気的に接続され、他方の金属パッド部６ｂに金ワイヤ７によって電気的に接続される。封止部材４は、発光ダイオード素子３および金ワイヤ７を基板２上で封止する。この封止部材４は、透光性樹脂から成り、略直方体形状に形成される。
【０００４】
発光ダイオード素子３は、発光ダイオード素子３の天面８が回路基板９に対して垂直となるように、回路基板９に実装されることによって側面発光型として使用されている。
【０００５】
図４８は、他の従来の技術の表面実装型側面発光ダイオード１１を示す斜視図である。この従来の技術の表面実装型側面発光ダイオード１１は、前記従来の技術の表面実装型側面発光ダイオード１と類似し、対応する部分には同一の参照符を付す。
【０００６】
表面実装型側面発光ダイオード１１の封止部材４は、発光ダイオード素子３に臨んで外方に湾曲した光反射面１２を有する。この封止部材４の光反射面１２は、被覆部材１３によって被覆される。被覆部材１３は、遮光性および光反射性を有する遮光性樹脂から成る。この表面実装型側面発光ダイオード１１は、発光ダイオード素子３の側方に光出射面１４を有し、基板２に対して略平行な方向に光を出射する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
図４７に示される表面実装型側面発光ダイオード１は、基板２によって遮られる方向以外の全ての方向へ光を出射するので、指向性が低く、所望の方向への発光量が少ない。この表面実装型側面発光ダイオード１では、指向性が低いことが高輝度化の妨げとなっている。
【０００８】
図４８に示される表面実装型側面発光ダイオード１１は、被覆部材１３によって封止部材４の光反射面１２が被覆されるので、指向性が向上され、これによって高輝度化されているが、さらなる高輝度化が望まれている。またこの表面実装型側面発光ダイオード１１は、被覆部材１３の厚みが小さいので、光漏れが発生している。
【０００９】
図４８に示される表面実装型側面発光ダイオード１１は、樹脂印刷成形方法によって封止部材４が形成される。樹脂印刷成形方法では、透光性樹脂の粘度およびチクソ性のばらつき、さらには印刷時の温度条件などのばらつきを考慮して、余分な肉厚を設ける必要があり、封止部材４の寸法が大きくなる。封止部材４の寸法を小さくするには、材料の管理および生産条件の管理を厳しくする必要があり、したがって生産が非常に困難となる。このように封止部材４を樹脂印刷成形方法によって形成という製造方法では、小形化および薄形化が困難であるという問題がある。
【００１０】
特開平５−３１５６５１号公報では、基板用素材板に複数の半導体発光素子をマウントし、カバー体用基材の前記半導体発光素子に対応する位置に凹所を形成し、このカバー体用基材の凹所に透明合成樹脂を充填し、基板用素材板とカバー体用基材とを重ね合わせて接合する。こうしてカバー体用基材の凹所に充填された透明合成樹脂が、各半導体発光素子を封止する封止部材となる。この従来の技術でも、小形化および薄形化が困難であるという問題を解決することはできない。
【００１１】
特開平７−３２６７９７号公報には、基板用素材板に複数の半導体発光素子をマウントし、各半導体発光素子を封止する封止部材をトランスファモールド成形する。この従来の技術では、前述のような小形化および薄形化が困難であるという問題を解決することが可能であるが、高輝度化が考慮されていない。
【００１２】
本発明の目的は、周囲への光の放散が防止され、輝度が向上された表面実装型側面発光ダイオードおよびその製造方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、表面に一対の電極を有する基板と、
基板の一方の電極に導電性接着剤によって電気的に接続され、かつ基板の他方の電極に金属細線によって電気的に接続されて前記基板に実装され、基板に対して略垂直な方向に臨む発光領域を有する発光ダイオード素子と、
発光ダイオード素子を前記基板上で封止する透光性樹脂を充填および硬化して、発光ダイオード素子の側方に光出射面が形成され、かつ発光ダイオード素子の周囲に前記光出射面に向かって光を反射する光反射面が形成される封止部材とを含み、
前記封止部材の光反射面を被覆する被覆部材をさらに含み、
前記被覆部材は、樹脂から成る樹脂層と、光反射性を有する金属から成る金属層とを含み、
前記樹脂層は、前記封止部材の光反射面を被覆し、
前記金属層は、樹脂層を被覆することを特徴とする表面実装型側面発光ダイオードである。
【００１４】
本発明に従えば、発光ダイオード素子が基板に実装され、この発光ダイオード素子が封止部材によって基板上で封止される。封止部材は、透光性樹脂を充填および硬化することによって形成される。封止部材には光出射面および光反射面が形成され、発光ダイオード素子からの光は、光反射面によって反射され、光出射面から外部に出射される。こうして周囲への光の放散が防止され、すなわち指向性が向上されるので、高輝度化を図ることができる。
【００１５】
発光ダイオード素子の発光領域は、基板に対して略垂直な方向に臨むので、発光ダイオード素子からの光は、基板に対して略垂直な方向に放射される。光出射面は、発光ダイオード素子の側方に形成され、したがって基板に対して略平行な方向に臨む。光反射面は発光ダイオード素子の周囲に形成される。したがって発光ダイオード素子からの光、すなわち基板に対して略垂直な方向に放射された光は、光反射面によって反射して、光出射面が臨む方向、すなわち基板に対して略平行な方向に出射される。
【００１６】
携帯情報端末などの表示部には、ほとんどの場合、液晶表示素子が用いられている。この液晶表示素子による表示をより見やすくするためには、液晶表示素子の裏面側からの、発光ダイオードまたは蛍光管などの光源によるバックライト照明が必要となる。近年の薄形化した表示部では、液晶表示素子の裏面が臨む領域に光源が配置されるのではなく、前記液晶表示素子の裏面が臨む領域に導光体が配置され、この導光体の側方に光源が配置される。この導光体の側方に配置される光源は、導光体に対して平行に設けられる実装用基板に実装される。このような構造の表示部に対して、基板に対して略平行な方向に光を出射する本発明の表面実装型側面発光ダイオードを好適に実施することができる。この表面実装型側面発光ダイオードは、導光体に光を与えるために、基板を前記実装用基板に対して平行にして、実装用基板に実装される。
【００１７】
したがって基板に対して略垂直な方向に光を出射し、基板を前記実装用基板に対して垂直にして実装される発光ダイオードに比べて、本発明の表面実装型側面発光ダイオードは、前記実装用基板上に搭載して、前記一対の電極と実装用基板の配線パターンとを直接接続して、実装用基板に実装し、導光体に側方から光を与えることができ、実装上の利便性が向上される。
【００１８】
前記光反射面は光出射面に向かって光を反射するので、発光ダイオード素子から放射された光が光出射面から出射されるまでの反射回数を低減することができる。したがって封止部材内における光の減衰が可及的に低減され、光の取り出し効率が向上され、これによってもまた、高輝度化を図ることができる。
【００２０】
また、被覆部材によって、封止部材の光反射面が被覆されるので、光反射面における光反射率が向上される。したがって発光ダイオード素子からの光を光反射面によって効率よく反射することができるので、光の取り出し効率が向上され、これによって高輝度化を図ることができる。
また、樹脂層によって封止部材の光反射面が被覆され、金属層によって樹脂層が被覆されるので、封止部材に形成される光反射面に加えて、樹脂層と金属層との間に光反射面が形成される。封止部材に形成される光反射面を透過した光は、樹脂層と金属層との間に形成される光反射面によって反射する。
したがって発光ダイオード素子からの光を、封止部材に形成される光反射面および樹脂層と金属層との間に形成される光反射面によって反射することができるので、光の取り出し効率を向上させ、これによって高輝度化を図ることができる。また金属層は光を確実に遮断することができるので、不所望な方向への光漏れを確実に防止することができる。
【００２９】
また本発明は、前記封止部材は、光の波長を変換する蛍光材料を含むことを特徴とする。
【００３０】
本発明に従えば、封止部材は、光の波長を変換する蛍光材料を含む。発光ダイオード素子からの光は、蛍光材料によって波長が変換され、したがって波長が変換された光が光出射面から出射される。
【００３１】
このように蛍光材料によって波長が変換されるので、発光ダイオード素子の種類を変えることなく、所望の波長の光を出射する表面実装型側面発光ダイオードを実現することができる。また複数の種類の蛍光材料を組み合わせることによって、１種類の発光ダイオード素子で、様々な波長の光の出射を実現することができる。
【００３２】
また本発明は、表面に一対の電極を有する基板に、発光ダイオード素子を実装し、
前記基板上の発光ダイオード素子の周囲に透光性樹脂を、金型内で充填および硬化して、発光ダイオード素子の側方に光出射面と、発光ダイオード素子の周囲に前記光出射面に向かって光を反射する光反射面とを形成して、基板上の発光ダイオード素子を封止し、
前記封止のための透光性樹脂層の光反射面を被覆部材によって被覆し、
前記被覆部材は、樹脂から成る第１樹脂シートと、光反射性を有する金属から成る金属シートと、樹脂から成る第２樹脂シートとを、前記封止のための遮光性樹脂層の光反射面上に順次載置し、
これらのシートおよび前記基板を加熱した状態で相互に近接する方向に押し付け、各シートを変形および硬化することによって形成されることを特徴とする表面実装型側面発光ダイオードの製造方法である。
【００３３】
本発明に従えば、表面に一対の電極を有する基板に、発光ダイオード素子を、基板の一方の電極にたとえば導電性接着剤によって電気的に接続し、かつ基板の他方の電極にたとえば金属細線によって電気的に接続して、実装する。実装後の発光ダイオード素子は、前記基板に対して略垂直な方向に発光領域が臨む。
【００３４】
こうして基板上に実装された発光ダイオード素子は、透光性樹脂によって基板上で封止される。透光性樹脂は、金型を用いた成形方法によって充填および硬化し、したがって前記従来の技術のように樹脂印刷成形方法によって封止する場合に比べて、形状安定性が向上される。このように形状安定性が向上されるので、形状のばらつきなどを考慮した余分な肉厚が不要となり、小形および薄形の表面実装型側面発光ダイオードを容易に実現することができる。
【００３５】
また前記金型を用いて発光ダイオード素子が封止されるので、光出射面と光反射面とが形成される。発光ダイオード素子からの光は、光反射面によって反射され、光出射面から出射される。こうして光が出射される方向が側方に制限され、周囲への光の放散が防止されて、高輝度化を図ることができる。また本発明では、前述のように発光ダイオード素子を封止する樹脂の形状安定性が向上されるので、前記光出射面および光反射面の形状安定性も向上され、したがって光の出射に対する安定性が向上され、光学部品としての信頼性が向上される。
【００３７】
また、被覆部材によって前記封止のための透光性樹脂層が被覆されるので、封止のための透光性樹脂層の光反射面における光反射率を向上させ、これによって光の取り出し効率を容易に向上させることができる。
また、第１樹脂シート、金属シートおよび第２樹脂シートを、前記封止のための透光性樹脂層の光反射面上に順次載置する。その後、これらのシートおよび前記基板を加熱した状態で相互に近接する方向に押し付ける。こうして各シートを変形および硬化することによって、被覆部材が形成される。
このように金属シートが第１および第２樹脂シートの間に設けられるので、金属シートを確実に光反射面に接合させ、発光ダイオード素子からの光の漏洩を防ぎ、光出射面から出射される光量を増加して、輝度を向上することができる。
【００５２】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の実施の一形態の表面実装型側面発光ダイオード２１の斜視図であり、図２は表面実装型側面発光ダイオード２１の正面図であり、図３は表面実装型側面発光ダイオード２１の平面図であり、図４は表面実装型側面発光ダイオード２１の底面図であり、図５は図２の右側から見た表面実装型側面発光ダイオード２１の側面図である。
【００５３】
本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード２１は、たとえば携帯情報端末の液晶ディスプレイのバックライトおよび各種インジケータなどに用いられる。
【００５４】
本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード２１は、表面２２ａに一対の電極２３ａ，２３ｂを有する基板２４と、この基板２４に実装される発光ダイオード素子２５と、光出射面２６および光反射面２７が形成される封止部材２８とを含んで構成される。
【００５５】
基板２４は、電気絶縁性を有する基材３１と、その基材３１の表面上に形成される電極２３ａ，２３ｂとを含む。基材３１は、図２の上方から見た平面形状が略長方形である。基材３１は、たとえばガラスエポキシ基材である。電極２３ａ，２３ｂは、一対の端子電極部３２ａ，３２ｂと、一対の金属パッド部３３ａ，３３ｂとを含む。各端子電極部３２ａ，３２ｂは、基材３１の図２における左右方向両端部の表面上にそれぞれ形成される。一方の金属パッド部３３ａは、一方の端子電極部３２ａに金属配線され、他方の端子電極部３２ｂに近接する方向に向かって延びる。他方の金属パッド部３３ｂは、他方の端子電極部３２ｂに金属配線され、一方の端子電極部３２ａに近接する方向に向かって延びる。
【００５６】
基材３１の図４における左右方向両端部には、凹所３６ａ，３６ｂが形成される。この凹所３６ａ，３６ｂは、基材３１の図４における左右方向両端部の一部が相互に近接する方向に窪むことによって形成される。前記各端子電極部３２ａ，３２ｂは、基材３１の表面から、基材３１の凹所３６ａ，３６ｂを通って基材３１の裏面に延設される。端子電極部３２ａ，３２ｂの基材３１の裏面に延設される部分は、表面実装型側面発光ダイオード２１がたとえば回路基板などに表面実装されるときに、ハンダ付け用の電極として用いられる。
【００５７】
発光ダイオード素子２５は、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とが接合された構造を有する。この発光ダイオード素子２５には、前記ｎ型半導体層およびｐ型半導体層を挟むように一対の電極が形成される。発光ダイオード素子２５は、前記ｎ型半導体層とｐ型半導体層との界面で光を発する。この発光ダイオード素子２５は、前記ｎ型半導体層とｐ型半導体層との界面に垂直な発光領域４１を有する。
【００５８】
この発光ダイオード素子２５は、前記基板２４に実装される。基板２４に実装された発光ダイオード素子２５の発光領域４１は、基板２４に対して略垂直な方向に臨む。発光ダイオード素子２５は、導電性接着剤を介して、前記他方の金属パッド部３３ｂに固定され、これによって前記基板２４に固定される。発光ダイオード素子２５は、前記他方の金属パッド部３３ｂに前記導電性接着剤によって電気的に接続され、かつ前記一方の金属パッド部３３ａに金属細線４２によって電気的に接続される。
【００５９】
封止部材２８は、発光ダイオード素子２５および金属細線４２を基板２４上で封止する。この封止部材２８は、透光性樹脂から成り、この透光性樹脂を充填および硬化することによって形成される。封止部材２８は、発光ダイオード素子２５および金属細線４２を保護する。封止部材２８は、発光ダイオード素子２５の側方に光出射面２６を有し、かつ発光ダイオード素子２５の周囲に前記光出射面２６に向かって光を反射する光反射面２７を有する。
【００６０】
前記封止部材２８の光反射面２７は、被覆部材である遮光性樹脂層４３に被覆される。遮光性樹脂層４３は、遮光性および光反射性を有する遮光性樹脂から成る。
【００６１】
このように発光ダイオード素子２５が基板２４に実装され、この発光ダイオード素子２５が封止部材２８によって基板２４上で封止される。封止部材２８は、透光性樹脂を充填および硬化することによって形成される。封止部材２８には光出射面２６および光反射面２７が形成され、発光ダイオード素子２５からの光は、光反射面２７によって反射し、光出射面２６から外部に出射される。こうして周囲への光の放散が防止され、すなわち指向性が向上されるので、高輝度化を図ることができる。
【００６２】
発光ダイオード素子２５の発光領域４１は、基板２４に対して略垂直な方向に臨むので、発光ダイオード素子２５からの光は、基板２４に対して略垂直な方向に放射される。光出射面２６は、発光ダイオード素子２５の側方に形成され、したがって基板２４に対して略平行な方向に臨む。光反射面２７は発光ダイオード素子２５の周囲に形成される。したがって発光ダイオード素子２５からの光、すなわち基板２４に対して略垂直な方向に放射された光は、光反射面２７によって反射して、光出射面２６が臨む方向、すなわち基板２４に対して略平行な方向に出射される。
【００６３】
前記光反射面２７は光出射面２６に向かって光を反射するので、発光ダイオード素子２５から放射された光が光出射面２６から出射されるまでの反射回数を低減することができる。したがって封止部材２８内における光の減衰が可及的に低減され、光の取り出し効率が向上され、これによってもまた、高輝度化を図ることができる。
【００６４】
また被覆部材である遮光性樹脂層４３によって、封止部材２８の光反射面２７が被覆されるので、光反射面２７における光反射率が向上される。したがって発光ダイオード素子２５からの光を光反射面２７によって効率よく反射することができるので、光の取り出し効率が向上され、これによって高輝度化を図ることができる。また遮光性樹脂層４３は光を遮断することができるので、不所望な方向への光漏れを抑制することができる。
【００６５】
図６は、図２の切断面線Ｓ６−Ｓ６から見た表面実装型側面発光ダイオード２１の断面図であり、図７は図２の切断面線Ｓ７−Ｓ７から見た表面実装型側面発光ダイオード２１の断面図である。
【００６６】
基板２４に実装された発光ダイオード素子２５は、封止部材２８によって封止される。封止部材２８は、前述のように透光性樹脂から成り、後述の図９（ｂ）〜図９（ｄ）に示されるようにトランスファモールド成形によって形成される。封止部材２８は、略半円柱状部分４６と、この略半円柱状部分４６の図６における左右方向両端部に連なる一対の延在部分４７ａ，４７ｂとを有する。封止部材２８は、図６に示される平面視において、軸線５９ａに関して左右対称に構成される。
【００６７】
略半円柱状部分４６は、略半円筒状の外周面４８と、基板２４の表面２２ａに対して平行な略半円状の上面部分４９と、上面部分４９に垂直な光出射面部分５０とを有する。各延在部分４７ａ，４７ｂは、前記外周面４８の周方向両端部に屈曲して連なり、前記光出射面部分５０に平行に延びる背面５１ａ，５１ｂと、前記上面部分４９と共通な一平面を成す上面部分５２ａ，５２ｂと、前記光出射面部分５０に図６における左右方向に連なって共通な一平面を成す光出射面部分５３ａ，５３ｂとを有する。前記略半円柱状部分４６の光出射面部分５０と各延在部分４７ａ，４７ｂの光出射面部分５３ａ，５３ｂとによって光出射面２６が構成される。
【００６８】
このような封止部材２８の前記略半円柱状部分４６の図６に示される平面視において中央に、発光ダイオード素子２５が配置される。
【００６９】
発光ダイオード素子２５は、図６に示される平面視において、前記軸線５９ａ上で、かつ背面５１ａ，５１ｂを含む仮想線５９ｂよりも上方に配置される。この発光ダイオード素子２５を光出射面２６から離れた位置（図６において上方寄り）に配置することによって、正面光度を高めることができ、発光ダイオード素子２５を光出射面２６に近接した位置（図６において下方寄り）に配置することによって、光出射面２６から出射される光の指向性を広げることができる。
【００７０】
封止部材２８の前記外周面４８および各背面５１ａ，５１ｂが臨む基板２４上の領域には、遮光性樹脂層４３が形成され、この遮光性樹脂層４３の前記外周面４８に対向する内周面５４と、前記外周面４８とが密着して、第１光反射面５５を構成する。封止部材２８の前記上面部分４９；５２ａ，５２ｂが臨む基板２４上の領域にも、遮光性樹脂層４３が形成され、この遮光性樹脂層４３の前記上面部分４９；５２ａ，５２ｂに対向する下面５６と、前記上面部分４９；５２ａ，５２ｂとが密着して、第２光反射面５７を構成する。この第１光反射面５５および第２光反射面５７とが光反射面２７を構成する。
【００７１】
発光ダイオード素子２５からの光は、光反射面２７によって反射して光出射面２６に導かれ、光出射面２６から出射される。また発光ダイオード素子２５からの光は、光反射面２７に反射することなく、直接光出射面２６に導かれ、光出射面２６から出射される。このように光出射面２６から出射される光は、光反射面２７によって反射して光出射面２６に導かれた光と、光反射面２７に反射することなく、直接光出射面２６に導かれた光とを含む。
【００７２】
本実施の形態では、略半円柱状部分４６の外周面４８の形状を略半円筒状としたが、略半円柱状部分４６の外周面４８の形状は略放物柱面状であってもよい。前記外周面４８が略放物柱面状であれば、発光ダイオード素子２５が外周面４８の焦点およびその近傍に配置されることによって、光出射面２６から平行光が出射される。
【００７３】
図８は、基板前駆体６１の平面図であり、図８（ａ）は発光ダイオード素子２５が実装される前の基板前駆体６１を示し、図８（ｂ）は発光ダイオード素子２５が載置された基板前駆体６１を示し、図８（ｃ）は発光ダイオード素子２５が実装された基板前駆体６１を示す。この図８を参照して、基板前駆体６１に発光ダイオード素子２５を実装する手順を説明する。
【００７４】
基板前駆体６１は、図８（ａ）に示されるような金属配線パターン６０を有する。この基板前駆体６１は、後述の図１２に示されるように後の工程で切断され、複数（本実施の形態では３２）の基板２４に分割される。金属配線パターン６０の各部分は、各基板２４の端子電極部３２ａ，３２ｂおよび金属パッド部３３ａ，３３ｂのいずれかに対応する。基板前駆体６１の金属配線パターンは、図８（ａ）に示される金属配線パターン６０に限定されることはなく、後の工程に支障がないように自由に設計してもよい。
【００７５】
まず、図８（ｂ）に示されるように、基板前駆体６１に複数（本実施の形態では３２）の発光ダイオード素子２５を載置して固定する。このとき前述の基板２４の他方の金属パッド部３３ｂに対応する部分６２ｂに、発光ダイオード素子２５を、それぞれ固定する。また発光ダイオード素子２５の発光領域４１が基板前駆体６１に対して略垂直な方向に臨むように、発光ダイオード素子２５を固定する。
【００７６】
発光ダイオード素子２５は、導電性接着剤によって、前述の基板２４の他方の金属パッド部３３ｂに対応する部分６２ｂに固定され、したがって基板前駆体６１に固定される。また発光ダイオード素子２５は、導電性接着剤によって、前述の基板２４の他方の金属パッド部３３ｂに対応する部分６２ｂに、電気的に接続される。
【００７７】
次に、図８（ｃ）に示されるように、金属細線４２によって、基板前駆体６１に固定された発光ダイオード素子２５と、前述の基板２４の一方の金属パッド部３３ａに対応する部分６２ａとを電気的に接続する。金属細線４２は、たとえば金ワイヤである。
【００７８】
このようにして複数の発光ダイオード素子２５を基板前駆体６１に実装する。以下、複数の発光ダイオード素子２５が基板前駆体６１に実装された生成物を、第１生成物６８ａと呼称する。
【００７９】
図９は、封止部材前駆体７１および遮光性樹脂層４３を形成する手順を説明するための図であり、図９（ａ）は複数の発光ダイオード素子２５が基板前駆体６１に実装された第１生成物６８ａを示し、図９（ｂ）は封止部材用金型６６を閉じる前の状態を示し、図９（ｃ）は封止部材用金型６６を閉じた状態を示し、図９（ｄ）は第１生成物６８ａに封止部材前駆体７１が形成された第２生成物６８ｂを示し、図９（ｅ）は被覆部材用金型７６を閉じる前の状態を示し、図９（ｆ）は被覆部材用金型７６を閉じた状態を示し、図９（ｇ）は第２生成物６８ｂに遮光性樹脂層４３が形成された第３生成物６８ｃを示し、図１０は封止部材用金型６６の上金型６６ａの一部を示す斜視図である。
【００８０】
まず、図９（ａ）に示されるような、基板前駆体６１に複数の発光ダイオード素子２５が実装された第１生成物６８ａを準備する。第１生成物６８ａは、図８に関連して説明した手順に従って生成される。
【００８１】
次に、図９（ｂ）に示されるように、発光ダイオード素子２５を上方にして、第１生成物６８ａを、封止部材用金型６６の下金型６６ｂに設置する。封止部材用金型６６は、第１生成物６８ａを水平に保持する。封止部材用金型６６の下金型６６ｂには、基板前駆体６１の厚みと等しい深さの凹所６９が形成されている。この凹所６９に第１生成物６８ａの基板前駆体６１が嵌り込み、これによって第１生成物６８ａが下金型６６ｂと相対的に変位することが防がれる。
【００８２】
次に、封止部材用金型６６を閉じ、上金型６６ａと下金型６６ｂとによって、第１生成物６８ａを挟み込んで固定する。このとき、樹脂漏れ、基板破壊などが発生しないような条件で、上金型６６ａと下金型６６ｂとによって第１生成物６８ａを挟み込む。
【００８３】
封止部材用金型６６の上金型６６ａの表面部には、図１０に示されるような複数列の成形空間７０ａ，７０ｂが形成されている。図１０において、陰影部分が成形空間７０ａ，７０ｂである。封止部材用金型６６の上金型６６ａの表面部には、複数の円柱状の第１凹所７２ａが一直線上に等間隔をあけて複数列形成されるとともに、前記一直線と共通な一直線上で各第１凹所７２ａに連なる第２凹所７２ｂが形成される。各列毎の複数の第１凹所７２ａと第２凹所７２ｂとによって、複数列の成形空間７０ａ，７０ｂが構成される。
【００８４】
第１凹所７２ａは前記略半円柱状部分４６を形成し、第２凹所７２ｂは前記各延在部分４７ａ，４７ｂを形成する。封止部材用金型６６を閉じたとき、各第１凹所７２ａに発光ダイオード素子２５が２つずつ配置される。第１および第２凹所７２ａ，７２ｂの深さは、基板２４の表面２２ａから封止部材２８の上面部分４９までの距離Ｌ２（図７参照）に相当する。
【００８５】
次に、封止部材用金型６６の中に透光性樹脂を注入し、充填する。すなわち前記各成形空間７０ａ，７０ｂに透光性樹脂を注入する。この後、封止部材用金型６６内に充填された透光性樹脂に圧力をかけて、封止部材用金型６６内の透光性樹脂を硬化させる。こうして図９（ｃ）に示されるように封止部材前駆体７１が形成される。このようにトランスファモールド成形によって、第１生成物６８ａに封止部材前駆体７１を形成する。
【００８６】
この封止部材前駆体７１によって、基板前駆体６１上で各発光ダイオード素子２５が封止される。封止部材前駆体７１は、封止のための透光性樹脂層である。
【００８７】
次に、封止部材用金型６６を開き、図９（ｄ）に示されるように第１生成物６８ａに封止部材前駆体７１が形成された第２生成物６８ｂを、封止部材用金型６６から取り出す。
【００８８】
次に、封止部材前駆体７１を上方にして、第２生成物６８ｂを、被覆部材用金型７６の下金型７６ｂに設置する。被覆部材用金型７６の下金型７６ｂは、第２生成物６８ｂを水平に保持する。被覆部材用金型７６の下金型７６ｂには、基板前駆体６１の厚みと等しい深さの凹所７７が形成されている。この凹所７７に第２生成物６８ｂの基板前駆体６１が嵌り込み、これによって第２生成物６８ｂが下金型７６ｂと相対的に変位することが防がれる。
【００８９】
次に、図９（ｅ）に示されるように、第２生成物６８ｂ上に、封止部材前駆体７１を覆うように、遮光性樹脂シート７８を載置する。遮光性樹脂シート７８は、遮光性および光反射性を有する樹脂から成る樹脂シートである。遮光性樹脂シート７８は、途中まで硬化させた半硬化状態の樹脂、いわゆるＢステージタイプの樹脂を、シート状に加工した樹脂シートである。遮光性樹脂シート７８の厚みは、表面実装型側面発光ダイオード２１の厚み、１つの基板前駆体６１あたりの表面実装型側面発光ダイオード２１の取り数、および複数の第２生成物６８ｂにまとめて遮光性樹脂層４３を形成する際の第２生成物６８ｂの個数に応じて適切に調整される。
【００９０】
次に、被覆部材用金型７６を閉じて、第２生成物６８ｂおよび遮光性樹脂シート７８を加熱した状態で相互に近接する方向に押し付ける。このとき第２生成物６８ｂの封止部材前駆体７１が溶融しない温度で、第２生成物６８ｂおよび遮光性樹脂シート７８を加熱する。この温度は、１００℃以上２００℃以下程度である。この温度は、樹脂特性および硬化時間などに応じて適切に調整される。
【００９１】
被覆部材用金型７６の上金型７６ａの表面部には、被覆部材である遮光性樹脂層４３を形成する直方体状の凹所７９が形成される。この凹所７９の深さは、基板２４の表面２２ａから被覆部材である遮光性樹脂層４３の上面５８までの距離Ｌ３（図５参照）に相当する。
【００９２】
こうして遮光性樹脂シート７８を変形および硬化することによって、図９（ｆ）に示されるように、遮光性樹脂層４３を形成する。このように熱プレスすることによって、第２生成物６８ｂに遮光性樹脂層４３を形成する。
【００９３】
次に、被覆部材用金型７６を開き、図９（ｇ）に示されるように第２生成物６８ｂに遮光性樹脂層４３が形成された第３生成物６８ｃを取り出す。
【００９４】
図１１は、図９（ｇ）の上方から見た第３生成物６８ｃの平面図であり、図１２は第３生成物６８ｃを切断する様子を示す斜視図である。なお、図１１において、図解を容易にするため、封止部材前駆体７１に封止される部分は実線で示す。さらに封止部材前駆体７１に封止される金属配線パターン６０は、斜線をして示す。
【００９５】
前述のようにして第３生成物６８ｃを生成した後、この第３生成物６８ｃを、ダイシングブレード８０によって、図１１および図１２において仮想線で示される第１および第２切断線８１ａ，８１ｂに沿って切断し、個片化する。こうして複数の表面実装型側面発光ダイオード２１を得る。
【００９６】
第１切断線８１ａは、図１１における上下方向である長手方向８３に延びる複数の直線であり、図１１における左右方向である幅方向８４に等間隔に並ぶ。第１切断線８１ａは、第１凹所７２ａによって形成された部分８５ａの前記幅方向８４中央部を通る直線と、前記幅方向８４に相互に隣接する第１凹所７２ａによって形成された部分８５ａ間の中央部を通る直線を含む。前記第１凹所７２ａによって形成された部分８５ａの前記幅方向８４中央部を通る直線に沿って切断すると、この切断と同時に表面実装型側面発光ダイオード２１の光出射面２６が形成される。
【００９７】
第２切断線８１ｂは、各第１直線８１ａに直交する複数の直線であり、前記長手方向８３に等間隔に並ぶ。第２切断線８１ｂは、相互に隣接する第１凹所７２ａによって形成された部分８５ａ間の前記第２凹所７２ｂによって形成された部分８５ｂの前記長手方向８３中央部を通る。
【００９８】
図１３は、表面実装型側面発光ダイオード２１の製造手順を説明するためのフローチャートである。この図１３および前述の図８〜図１２を参照して、表面実装型側面発光ダイオード２１の製造手順を説明する。
【００９９】
まず、ステップａ１で製造が開始され、ステップａ２に移り、図８（ａ）〜図８（ｃ）に示されるように、基板前駆体６１に複数の発光ダイオード素子２５を実装して、第１生成物６８ａを生成する。
【０１００】
次に、ステップａ３で、図９（ａ）〜図９（ｂ）に示されるように、トランスファモールド成形によって、第１生成物６８ａに封止部材前駆体７１を形成して、第２生成物６８ｂを生成する。
【０１０１】
次に、ステップａ４で、図９（ｅ）に示されるように、第２生成物６８ｂを被覆部材用金型７６の下金型７７に設置し、第２生成物６８ｂ上に遮光性樹脂シート７８を載置する。
【０１０２】
次に、ステップａ５で、図９（ｆ）に示されるように、被覆部材用金型７６を閉じ、第２生成物６８ｂおよび遮光性樹脂シート７８を加熱した状態で相互に近接する方向に押し付ける。こうして遮光性樹脂シート７８を変形および硬化することによって、遮光性樹脂層４３を形成する。このようにして図９（ｇ）に示されるような第３生成物６８ｃを生成する。
【０１０３】
次に、ステップａ６で、図１２に示されるように、第３生成物６８ｃを切断して、表面実装型側面発光ダイオード２１を得る。こうしてステップａ７で製造を終了する。
【０１０４】
このように基板前駆体６１上に実装された発光ダイオード素子２５は、透光性樹脂によって基板前駆体６１上で封止される。透光性樹脂は、封止部材用金型６６を用いた成形方法であるトランスファモールド成形によって充填および硬化され、したがって前記従来の技術のように樹脂印刷成形方法によって封止する場合に比べて、形状安定性が向上される。このように形状安定性が向上されるので、形状のばらつきなどを考慮した余分な肉厚が不要となり、小形および薄形の表面実装型側面発光ダイオード２１を容易に実現することができる。
【０１０５】
またトランスファモールド成形によって発光ダイオード素子２５が封止されるので、光出射面２６と光反射面２７とが形成される。発光ダイオード素子２５からの光は、光反射面２７によって反射され、光出射面２６から出射される。こうして光が出射される方向が側方に制限され、周囲への光の放散が防止されて、高輝度化を図ることができる。また前述のように発光ダイオード素子２５を封止する樹脂、すなわち封止部材２８の形状安定性が向上されるので、前記光出射面２６および光反射面２７の形状安定性も向上され、したがって光の出射に対する安定性が向上され、光学部品としての信頼性が向上される。
【０１０６】
さらに遮光性樹脂層４３によって前記封止のための透光性樹脂層、すなわち封止部材２８が被覆されるので、封止部材２８の光反射面２７における光反射率を向上させ、これによって光の取り出し効率を容易に向上させることができる。
【０１０７】
この遮光性樹脂層４３は、遮光性樹脂シート７８を封止部材前駆体７１の光反射面２７上に載置した後、この遮光性樹脂シート７８と、封止部材前駆体７１および基板前駆体６１を含む第２生成物６８ｂとを加熱した状態で相互に近接する方向に押し付けて、遮光性樹脂シート７８を変形および硬化することによって形成される。したがって被覆部材である遮光性樹脂層４３を、封止部材前駆体７１の光反射面２７に密着した状態で設けることができる。
【０１０８】
また発光ダイオード素子２５を共通な基板である封止部材前駆体６１に複数設けて透光性樹脂を充填および硬化させることによって封止し、かつこの封止のための透光性樹脂層の光反射面２７、すなわち封止部材前駆体７１の光反射面２７を遮光性樹脂シート７８によって被覆する。この後、各発光ダイオード素子２５毎に分割して個片化されるので、各発光ダイオード素子２５毎に個別に形成する場合に比べて、生産性が向上される。
【０１０９】
図１４は、本発明の実施の他の形態の表面実装型側面発光ダイオード９１の斜視図であり、図１５は表面実装型側面発光ダイオード９１の正面図であり、図１６は表面実装型側面発光ダイオード９１の平面図であり、図１７は表面実装型側面発光ダイオード９１の底面図であり、図１８は図１５の右側から見た表面実装型側面発光ダイオード９１の側面図である。本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード９１は、前述の図１〜図７に示される表面実装型側面発光ダイオード２１と類似しており、同様の部分は同一の参照符を付して説明を省略する。
【０１１０】
本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード９１は、遮光性樹脂層４３の代わりに、第１樹脂層９２、金属層９３および第２樹脂層９４を有する。第１樹脂層９２は封止部材２８の光反射面２７を被覆し、金属層９３は第１樹脂層９３を被覆し、第２樹脂層９４は金属層９３を被覆する。
【０１１１】
本実施の形態では、第１および第２樹脂層９２，９４は、遮光性および光反射性を有する樹脂から成る。第２樹脂層９４は、前記第１樹脂層９２と同一の樹脂から成っていてもよいし、前記第１樹脂層９２とは異なる樹脂から成っていてもよい。金属層９３は、たとえばＡｇ、Ｎｉ、ＰｄおよびＡｌのいずれかから成る。なお金属層９３の材質は、Ａｇ、Ｎｉ、ＰｄおよびＡｌのいずれかに限定されるものではない。
【０１１２】
このように第１樹脂層９２によって封止部材２８の光反射面２７が被覆され、金属層９３によって第１樹脂層９２が被覆されるので、封止部材２８に形成される光反射面２７に加えて、第１樹脂層９２と金属層９３との間に光反射面９５が形成される。封止部材２８に形成される光反射面２７を透過した光は、第１樹脂層９２と金属層９３との間に形成される光反射面９５によって反射する。
【０１１３】
したがって本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード９１は、発光ダイオード素子２５からの光を、封止部材２８に形成される光反射面２７および第１樹脂層９２と金属層９３との間に形成される光反射面９５によって反射することができるので、光の取り出し効率を向上させ、これによって高輝度化を図ることができる。また金属層９３は光を確実に遮断することができるので、不所望な方向への光漏れを確実に防止することができる。
【０１１４】
前記第１樹脂層９２は、基板２４と金属層９３との間にも介在する。この第１樹脂層９２は、基板２４の各電極２３ａ，２３ｂと金属層９３とが電気的に接続されることを防ぎ、これによって基板２４の各電極２３ａ，２３ｂが金属層９３を介して電気的に接続されることを防ぐ。このように第１樹脂層９２は、電気的なショートを防ぐ電気絶縁層の役目を果たす。
【０１１５】
図１９は、図１５の切断面線Ｓ１９−Ｓ１９から見た表面実装型側面発光ダイオード９１の断面図であり、図２０は図１５の切断面線Ｓ２０−Ｓ２０から見た表面実装型側面発光ダイオード９１の断面図である。
【０１１６】
封止部材２８の前記外周面４８および各背面５１ａ，５１ｂが臨む基板２４上の領域には、第１樹脂層９２、金属層９３および第２樹脂層９４が形成される。第１樹脂層９２の前記外周面４８に対向する内周面９６と、前記外周面４８とが密着して、第１光反射面５５を構成する。封止部材２８の前記上面部分４９；５２ａ，５２ｂが臨む基板２４上の領域にも、第１樹脂層９２、金属層９３および第２樹脂層９４が形成される。第１樹脂層９２の前記上面部分４９；５２ａ，５２ｂに対向する下面９８と、前記上面部分４９；５２ａ，５２ｂとが密着して、第２光反射面５７を構成する。この第１光反射面５５および第２光反射面５７とが光反射面２７を構成する。本実施の形態では、さらに第１樹脂層９２と金属層９３とが密着して、この第１樹脂層９２と金属層９３との界面が光反射面９５となる。
【０１１７】
発光ダイオード素子２５からの光は、光反射面２７，９５によって反射して光出射面２６に導かれ、光出射面２６から出射される。また発光ダイオード素子２５からの光は、光反射面２７，９５に反射することなく、直接光出射面２６に導かれ、光出射面２６から出射される。このように光出射面２６から出射される光は、光反射面２７，９５によって反射して光出射面２６に導かれた光と、光反射面２７，９５に反射することなく、直接光出射面２６に導かれた光とを含む。
【０１１８】
図２１は、封止部材前駆体７１、第１樹脂層９２、金属層９３および第２樹脂層９４を形成する手順を説明するための図であり、図２１（ａ）は複数の発光ダイオード素子２５が基板前駆体６１に実装された第１生成物６８ａを示し、図２１（ｂ）は封止部材用金型６６を閉じる前の状態を示し、図２１（ｃ）は封止部材用金型６６を閉じた状態を示し、図２１（ｄ）は第１生成物６８ａに封止部材前駆体７１が形成された第２生成物６８ｂを示し、図２１（ｅ）は被覆部材用金型７６を閉じる前の状態を示し、図２１（ｆ）は被覆部材用金型７６を閉じた状態を示し、図２１（ｇ）は第２生成物６８ｂに第１樹脂層９２、金属層９３および第２樹脂層９４が形成された第３生成物１０１を示し、図２２は表面実装型側面発光ダイオード９１の製造手順を説明するためのフローチャートである。この図２１および図２２を参照して、表面実装型側面発光ダイオード９１の製造手順を説明する。
【０１１９】
表面実装型側面発光ダイオード９１の製造手順は、前述の表面実装型側面発光ダイオード２１の製造手順と類似しており、同様の部分は説明を省略する。図２２のステップｂ１〜ステップｂ３は、前述の図１３のステップａ１〜ステップａ３と同一である。図２１（ａ）〜図２１（ｄ）は、前述の図９（ａ）〜図９（ｄ）にそれぞれ対応する。
【０１２０】
第２生成物６８ｂを生成した後、ステップｂ４で、図２１（ｅ）に示されるように、発光ダイオード素子２５を上方にして、第２生成物６８ｂを被覆部材用金型７６の下金型７７に設置し、第２生成物６８ｂ上に第１樹脂シート１０２、金属シート１０３および第２樹脂シート１０４を順次載置する。
【０１２１】
第１樹脂シート１０２は、遮光性および光反射性を有する樹脂から成る樹脂シートである。第１樹脂シート１０２は、途中まで硬化させた半硬化状態の樹脂、いわゆるＢステージタイプの樹脂を、シート状に加工した樹脂シートである。金属シート１０３は、Ａｇ、Ｎｉ、ＰｄおよびＡｌなどのうちのいずれかから成る金属シートである。第２樹脂シート１０４は、遮光性および光反射性を有する樹脂から成る樹脂シートである。第２樹脂シート１０４は、途中まで硬化させた半硬化状態の樹脂、いわゆるＢステージタイプの樹脂を、シート状に加工した樹脂シートである。
【０１２２】
第１樹脂シート１０２の厚みは、約５０μｍまたはそれ未満に選ばれる。金属シート１０３の厚みは、約５０μｍまたはそれ未満に選ばれる。第２樹脂シート１０４の厚みは、表面実装型側面発光ダイオード９１の厚み、１つの基板前駆体６１あたりの表面実装型側面発光ダイオード９１の取り数、および複数の第２生成物６８ｂにまとめて第２樹脂層９４を形成する際の第２生成物６８ｂの個数に応じて適切に調整される。
【０１２３】
次に、ステップｂ５で、被覆部材用金型７６を閉じて、第２生成物６８ｂおよび前記シート１０２，１０３，１０４を加熱した状態で相互に近接する方向に押し付ける。こうして前記シート１０２，１０３，１０４を変形および硬化することによって、図２１（ｆ）に示されるように、第１樹脂層９２、金属層９３および第２樹脂層９４を形成する。このように熱プレスすることによって、第２生成物６８ｂに第１樹脂層９２、金属層９３および第２樹脂層９４を形成する。次に、被覆部材用金型７６を開き、図２１（ｇ）に示されるように第２生成物６８ｂに第１樹脂層９２、金属層９３および第２樹脂層９４が形成された第３生成物１０１を取り出す。
【０１２４】
次に、ステップｂ６で、第３生成物１０１を切断して、表面実装型側面発光ダイオード９１を得る。こうしてステップｂ７で製造を終了する。
【０１２５】
このように第１樹脂シート１０２、金属シート１０３および第２樹脂シート１０４を、封止のための透光性樹脂層である封止部材前駆体７１の光反射面２７上に順次載置する。その後、これらのシート１０２，１０３，１０４と、基板前駆体６１および封止部材前駆体７１を含む第２生成物６８ｂを加熱した状態で相互に近接する方向に押し付ける。こうして各シート１０２，１０３，１０４を変形および硬化することによって、第１樹脂層９２、金属層９３および第２樹脂層９４が形成される。
【０１２６】
このように金属シート１０３が第１樹脂シート１０２と第２樹脂シート１０４との間に設けられるので、金属シート１０３を確実に光反射面２７に接合させ、発光ダイオード素子２５からの光の漏洩を防ぎ、光出射面２６から出射される光量を増加して、輝度を向上することができる。
【０１２７】
本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード９１では、第１樹脂層９２が遮光性および光反射性を有する樹脂によって実現されたが、本発明の実施のさらに他の形態の表面実装型側面発光ダイオードは、前記第１樹脂層９２の代わりに、透光性樹脂から成る第１樹脂層１１１を有する。
【０１２８】
図２３は、封止部材前駆体７１、第１樹脂層１１１、金属層９３および第２樹脂層９４を形成する手順を説明するための図であり、図２３（ａ）は複数の発光ダイオード素子２５が基板前駆体６１に実装された第１生成物６８ａを示し、図２３（ｂ）は封止部材用金型６６を閉じる前の状態を示し、図２３（ｃ）は封止部材用金型６６を閉じた状態を示し、図２３（ｄ）は第１生成物６８ａに封止部材前駆体７１が形成された第２生成物６８ｂを示し、図２３（ｅ）は被覆部材用金型７６を閉じる前の状態を示し、図２３（ｆ）は被覆部材用金型７６を閉じた状態を示し、図２３（ｇ）は第２生成物６８ｂに第１樹脂層１１１、金属層９３および第２樹脂層９４が形成された第３生成物１１２を示す。
【０１２９】
本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオードの製造手順は、前述の実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード９１の製造手順と類似しており、同様の部分は説明を省略する。図２３（ａ）〜図２３（ｇ）は、前述の図２１（ａ）〜図２１（ｇ）にそれぞれ対応する。
【０１３０】
本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオードの製造手順では、第２生成物６８ｂを生成した後、図２３（ｅ）に示されるように、発光ダイオード素子２５を上方にして、第２生成物６８ｂを被覆部材用金型７６の下金型７７に設置し、第２生成物６８ｂ上に第１樹脂シート１１３、金属シート１０３および第２樹脂シート１０４を順次載置する。
【０１３１】
第１樹脂シート１１３は、透光性樹脂を途中まで硬化させたＢステージタイプの樹脂をシート状に加工した樹脂シートである。この第１樹脂シート１１３の厚みは、約３０μｍまたはそれ未満に選ばれる。
【０１３２】
第１樹脂シート１１３の厚みが大きいければ、第１樹脂層１１１の厚みは大きくなる。第１樹脂層１１１の厚みが大きければ、基板２４と第１樹脂層１１１との界面からの光漏れは大きくなる。したがって図２３においては、便宜上、第１樹脂層１１１の厚みを大きく描いているが、第１樹脂シート１１３の厚みは約３０μｍまたはそれ未満が望ましい。
【０１３３】
次に、被覆部材用金型７６を閉じて、第２生成物６８ｂおよび前記シート１１３，１０３，１０４を加熱した状態で相互に近接する方向に押し付ける。こうして前記シート１１３，１０３，１０４を変形および硬化することによって、図２３（ｆ）に示されるように、第１樹脂層１１１、金属層９３および第２樹脂層９４を形成する。このように熱プレスすることによって、第２生成物６８ｂに第１樹脂層１１１、金属層９３および第２樹脂層９４を形成する。次に、被覆部材用金型７６を開き、図２１（ｇ）に示されるように第２生成物６８ｂに第１樹脂層１１１、金属層９３および第２樹脂層９４が形成された第３生成物１１２を取り出す。
【０１３４】
次に、ダイシングブレードによって第３生成物１１２を切断して、本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオードを得る。こうして製造を終了する。
【０１３５】
図２４は、本発明の実施のさらに他の形態の表面実装型側面発光ダイオード１１５の斜視図であり、図２５は表面実装型側面発光ダイオード１１５の正面図であり、図２６は表面実装型側面発光ダイオード１１５の平面図であり、図２７は表面実装型側面発光ダイオード１１５の底面図であり、図２８は図２５の右側から見た表面実装型側面発光ダイオード１１５の側面図である。本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード１１５は、前述の図１〜図７に示される表面実装型側面発光ダイオード２１と類似しており、同様の部分は同一の参照符を付して説明を省略する。
【０１３６】
本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード１１５は、遮光性樹脂層４３の代わりに、金属層１１６を有する。金属層１１６は、封止部材２８の光反射面２７を被覆する。金属層１１６は、たとえばＡｇ、Ｎｉ、ＰｄおよびＡｌのいずれかから成る。
【０１３７】
本実施の形態では、封止部材２８は、略半円柱状部分４６および延在部分４７ａ，４７ｂに加えて、薄膜部分１１７を有する。薄膜部分１１７は、基板２４の表面２２ａのうち、略半円柱状部分４６および延在部分４７ａ，４７ｂが形成されていない領域を覆う。
【０１３８】
この薄膜部分１１７は、基板２４と金属層１１６との間に介在する。この薄膜部分１１７は、基板２４の各電極２３ａ，２３ｂと金属層１１６とが電気的に接続されることを防ぎ、これによって基板２４の各電極２３ａ，２３ｂが金属層１１６を介して電気的に接続されることを防ぐ。このように薄膜部分１１７は、電気的なショートを防ぐ電気絶縁層の役目を果たす。
【０１３９】
本実施の形態では、さらに金属層１１６が樹脂層１１８に覆われる。樹脂層１１８は、遮光性および光反射性を有する樹脂から成る。
【０１４０】
本実施の形態では、光反射性を有する金属層１１６によって封止部材２８の光反射面２７が被覆されるので、光反射面２７における光反射率が向上される。金属層１１６は樹脂層に比べて光反射性が高く、したがって光反射面２７が樹脂層によって被覆されるのに比べて、光反射面２７における光反射率は高くなる。
【０１４１】
このように光反射面２７における光反射率が向上されるので、発光ダイオード素子２５からの光を光反射面２７によって効率よく反射することができるので、光の取り出し効率が向上され、これによって高輝度化を図ることができる。また金属層１１６は光を確実に遮断することができるので、不所望な方向への光漏れを確実に防止することができる。
【０１４２】
図２９は、図２５の切断面線Ｓ２９−Ｓ２９から見た表面実装型側面発光ダイオード１１５の断面図であり、図３０は図２５の切断面線Ｓ３０−Ｓ３０から見た表面実装型側面発光ダイオード１１５の断面図である。
【０１４３】
封止部材２８の前記外周面４８および各背面５１ａ，５１ｂが臨む基板２４上の領域には、金属層１１６および樹脂層１１８が形成される。金属層１１６の前記外周面４８に対向する内周面１１９と、前記外周面４８とが密着して、第１光反射面５５を構成する。封止部材２８の前記上面部分４９；５２ａ，５２ｂが臨む基板２４上の領域にも、金属層１１６および樹脂層１１８が形成される。金属層１１６の前記上面部分４９；５２ａ，５２ｂに対向する下面１２０と、前記上面部分４９；５２ａ，５２ｂとが密着して、第２光反射面５７を構成する。この第１光反射面５５および第２光反射面５７とが光反射面２７を構成する。
【０１４４】
発光ダイオード素子２５からの光は、光反射面２７によって反射して光出射面２６に導かれ、光出射面２６から出射される。また発光ダイオード素子２５からの光は、光反射面２７に反射することなく、直接光出射面２６に導かれ、光出射面２６から出射される。このように光出射面２６から出射される光は、光反射面２７によって反射して光出射面２６に導かれた光と、光反射面２７に反射することなく、直接光出射面２６に導かれた光とを含む。
【０１４５】
図３１は、封止部材前駆体７１、金属層１１６および樹脂層１１８を形成する手順を説明するための図であり、図３１（ａ）は複数の発光ダイオード素子２５が基板前駆体６１に実装された第１生成物６８ａを示し、図３１（ｂ）は封止部材用金型６６を閉じる前の状態を示し、図３１（ｃ）は封止部材用金型６６を閉じた状態を示し、図３１（ｄ）は第１生成物６８ａに封止部材前駆体７１が形成された第２生成物６８ｂを示し、図３１（ｅ）は第２生成物６８ａに金属層１１６が形成された第３生成物１２１を示し、図３１（ｆ）は被覆部材用金型７６を閉じる前の状態を示し、図３１（ｇ）は被覆部材用金型７６を閉じた状態を示し、図３１（ｈ）は第３生成物１２１に樹脂層１１８が形成された第４生成物１２２を示し、図３２は表面実装型側面発光ダイオード１１５の製造手順を説明するためのフローチャートである。この図３１および図３２を参照して、表面実装型側面発光ダイオード１１５の製造手順を説明する。
【０１４６】
表面実装型側面発光ダイオード１１５の製造手順は、前述の表面実装型側面発光ダイオード２１の製造手順と類似する。図３２のステップｃ１〜ステップｃ３は、前述の図１３のステップａ１〜ステップａ３と対応し、図３１（ａ）〜図３１（ｄ）は、前述の図９（ａ）〜図９（ｄ）にそれぞれ対応する。
【０１４７】
この実施の形態では、図３１（ｂ）に示されるように、発光ダイオード素子２５を上方にして、第１生成物６８ａを、封止部材用金型６６の下金型６６ｂに設置する。封止部材用金型６６の下金型６６ｂは、第１生成物６８ａを水平に保持する。封止部材用金型６６の下金型６６ｂには、凹所１２４が形成されている。この凹所１２４の深さは基板前駆体６１の厚みよりも大きく、この凹所１２４の深さと基板前駆体６１の厚みとの差は、３０μｍ以上１００μｍ以下に選ばれる。これによって基板前駆体６１上に薄膜部分１１７が形成される。
【０１４８】
第２生成物６８ｂを生成した後、ステップｃ４で、たとえば金属蒸着装置によって、第２生成物６８ｂに金属を蒸着して、これによって第２生成物６８ｂに金属層１１６を形成して、図３１（ｅ）に示されるような第３生成物１２１を生成する。
【０１４９】
次に、ステップｃ５で、図３１（ｆ）に示されるように、第３生成物１２１を被覆部材用金型７６の下金型７６ｂに設置し、第３生成物１２１上に樹脂シート１２３を載置する。第１樹脂シート１２３は、遮光性および光反射性を有する樹脂を途中まで硬化させたＢステージタイプの樹脂をシート状に加工した樹脂シートである。この樹脂シート１２３の厚みは、表面実装型側面発光ダイオード１１５の厚み、１つの基板前駆体６１あたりの表面実装型側面発光ダイオード１１５の取り数、複数の第３生成物１２１にまとめて樹脂層１１８を形成する際の第３生成物１２１の個数に応じて適切に調整される。
【０１５０】
次に、ステップｃ６で、被覆部材用金型７６を閉じて、第３生成物１２１および樹脂シート１２３を加熱した状態で相互に近接する方向に押し付ける。こうして樹脂シート１２３を変形および硬化することによって、図３１（ｇ）に示されるように、樹脂層１１８を形成する。このように熱プレスすることによって、第３生成物１２１に樹脂層１１８を形成する。次に、被覆部材用金型７６を開き、搬送装置が図３１（ｈ）に示されるように第３生成物１２１に樹脂層１１８が形成された第４生成物１２２を取り出す。
【０１５１】
ステップｃ７で、ダイシングブレードによって第４生成物１２２を切断して、表面実装型側面発光ダイオード１１５を得る。こうしてステップｃ８で製造を終了する。
【０１５２】
このように光反射性を有する金属を光反射面２７に蒸着することによって被覆部材である金属層１１６が形成されるので、容易に均一な膜厚の金属層１１６を形成することができ、生産性が向上される。
【０１５３】
また金属層１１６が封止部材前駆体７１の光反射面２７に直接形成されるので、前記封止のための透光性樹脂層である封止部材前駆体７１の光反射面２７と金属層１１６との間に、光を閉じ込める不所望な層が形成されない。したがって発光ダイオード素子２５からの光が光出射面２６に効率よく導かれ、光の取り出し効率が向上される。
【０１５４】
本実施の形態では、蒸着によって金属層１１６を形成したが、本発明の実施のさらに他の形態では、金属シートを貼り付けることによって金属層１１６を形成してもよい。
【０１５５】
図３３は、本発明の実施のさらに他の形態の表面実装型側面発光ダイオード１３１の正面図であり、図３４は図３３の切断面線Ｓ３４−Ｓ３４から見た表面実装型側面発光ダイオード１３１の断面図であり、図３５は図３４の切断面線Ｓ３５ａ−Ｓ３５ｂ−Ｓ３５ｃ−Ｓ３５ｄから見た表面実装型側面発光ダイオード１３１の断面図である。本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード１３１は、前述の図２４〜図３０に示される表面実装型側面発光ダイオード１１５と類似しており、対応する部分には同一の参照符を付し、さらに同一の数字に添え字ａ，ｂを付して示す。
【０１５６】
本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード１３１は、複数（本実施の形態では３）の発光ダイオード素子２５ａ，２５ｂ，２５ｃを有する。各発光ダイオード素子２５ａ，２５ｂ，２５ｃの発光波長は、同一であってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。表面実装型側面発光ダイオード１３１では、発光波長がそれぞれ異なる発光ダイオード素子２５ａ，２５ｂ，２５ｃを組み合わせることによって、白色を含め、様々な発光色を表現することができる。
【０１５７】
図３６は、本発明の実施のさらに他の形態の表面実装型側面発光ダイオード１３６の正面図であり、図３７は表面実装型側面発光ダイオード１３６の平面図であり、図３８は表面実装型側面発光ダイオード１３６の底面図であり、図３９は図３６の右側から見た表面実装型側面発光ダイオード１３６の側面図であり、図４０は図３６の切断面線Ｓ４０−Ｓ４０から見た表面実装型側面発光ダイオード１３６の断面図であり、図４１は図３６の切断面線Ｓ４１−Ｓ４１から見た表面実装型側面発光ダイオード１３６の断面図である。
【０１５８】
本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード１３６は、前述の図２４〜図３０に示される表面実装型側面発光ダイオード１１５と類似しており、同様の部分は同一の参照符を付して説明を省略する。
【０１５９】
本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード１３６では、封止部材１３７が透光性樹脂に加えて、蛍光材料を含む。この封止部材１３７の形状は、前述の図２４〜図３０に示される表面実装型側面発光ダイオード１１５の封止部材２８と同じである。封止部材１３７中の蛍光材料は、発光ダイオード素子２５からの光を、この光の波長とは異なる波長の光に変換する。すなわち蛍光材料は発光色を変換する。
【０１６０】
ここで、発光ダイオード素子２５と蛍光材料の組み合わせは、白色光を考えた場合、発光ダイオード素子２５の発光波長が４５０ｎｍ〜４８０ｎｍの場合では、５７０ｎｍ〜５９０ｎｍの発光波長が得られるような蛍光材料を選択する。このような蛍光材料としては、たとえばイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光材料が選ばれる。また発光ダイオード素子２５の発光波長が４１０ｎｍ以下の紫外から近紫外の発光波長の場合では、４３０ｎｍ〜４８０ｎｍ、５１０ｎｍ〜５５０ｎｍ、６１０ｎｍ〜６６０ｎｍの発光波長が得られるような蛍光材料を選択する。このような蛍光材料としては、たとえば上記順番に、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ、０．５ＭｇＦ２・３．５ＭｇＯ・ＧｅＯ２：Ｍｎが選ばれる。さらにこれらの蛍光材料の配合比を変えることによって、白色以外のさまざまな発光色が得られる。
【０１６１】
図４２は、本発明の実施のさらに他の形態の表面実装型側面発光ダイオード１４１の正面図であり、図４３は図４２の切断面線Ｓ４３−Ｓ４３から見た表面実装型側面発光ダイオード１４１の断面図であり、図４４は図４２の切断面線Ｓ４４−Ｓ４４から見た表面実装型側面発光ダイオード１４１の断面図である。
【０１６２】
本実施の形態の表面実装型側面発光ダイオード１４１は、前述の図２４〜図３０に示される表面実装型側面発光ダイオード１１５と類似しており、対応する部分は同一の参照符を付す。
【０１６３】
注目すべきはこの実施の形態では、封止部材２８が、回転楕円体の軸線に垂直な仮想一平面で切断したときの切断面が略半円状を成し、かつ前記軸線を含む仮想一平面で切断したときの切断面が半楕円形状を成す、いわば１／４回転楕円体を成す。前記軸線を含む仮想一平面で切断したときの切断面は、光出射面２６である。このように封止部材２８が形成されることによって、光反射面２７が楕円球面の一部を成し、したがって発光ダイオード素子２５からの光を効率よく光出射面２６に導くことができ、光の取り出し効率を向上することができる。
【０１６４】
また本発明の実施のさらに他の形態では、封止部材２８の光反射面２７が、回転放物面の一部を成す。このように封止部材２８の光反射面が形成されることによって、発光ダイオード素子２５からの光を効率よく光出射面２６に導くことができ、光の取り出し効率を向上することができる。さらに、このような光反射面２７の焦点およびその近傍に発光ダイオード素子２５が配置されることによって、光出射面２６から平行光が出射される。
【０１６５】
前述の実施の各形態では、トランスファモールド成形によって封止部材前駆体７１を形成するとしたが、本発明の実施のさらに他の形態では、低圧金型成形方法によって封止部材前駆体７１を形成してもよい。
【０１６６】
図４５は、封止部材前駆体７１および遮光性樹脂層４３を形成する手順の他の例を説明するための図であり、図４５（ａ）は複数の発光ダイオード素子２５が基板前駆体６１に実装された第１生成物６８ａを示し、図４５（ｂ）は封止部材用金型１５１を閉じる前の状態を示し、図４５（ｃ）は封止部材用金型６６を閉じて樹脂を注入している状態を示し、図４５（ｄ）は第１生成物６８ａに封止部材前駆体７１が形成された第２生成物６８ｂを示し、図４５（ｅ）は被覆部材用金型７６を閉じる前の状態を示し、図４５（ｆ）は被覆部材用金型７６を閉じた状態を示し、図４５（ｇ）は第２生成物６８ｂに遮光性樹脂層４３が形成された第３生成物６８ｃを示す。図４５（ｄ）〜図４５（ｇ）は、前述の図９（ｄ）〜図９（ｇ）にそれぞれ対応する。
【０１６７】
まず、図４５（ａ）に示されるような、基板前駆体６１に複数の発光ダイオード素子２５が実装された第１生成物６８ａを準備する。
【０１６８】
次に、図９（ｂ）に示されるように、発光ダイオード素子２５を上方にして、第１生成物６８ａを、封止部材用金型１５１の下金型１５１ｂに設置する。
【０１６９】
次に、封止部材用金型１５１を閉じ、上金型１５１ａと下金型１５１ｂとによって、第１生成物６８ａを挟み込んで固定する。
【０１７０】
封止部材用金型１５１の上金型１５１ａの表面部には、前述の図１０に示される封止部材用金型６６の上金型６６ａの表面部に形成される成形空間７０ａ、７０ｂと同様の成形空間１５０が形成されている。
【０１７１】
注目すべきはこの実施の形態では、液状の樹脂１５２を、たとえば注射器１５３によって樹脂注入口から封止部材用金型１５１の中に注入し、前記液状の樹脂１５２が封止部材用金型１５１内部の全体に行き渡った状態で、オーブン、ホットプレートまたはプレス機などによって、液状の樹脂１５２を樹脂硬化温度、たとえば１５０℃程度に加熱する。このように本実施の形態では、トランスファモールド成形ではなく、低圧金型成形方法によって封止部材前駆体７１を形成する。
【０１７２】
このように本実施の形態では、封止部材前駆体７１を形成する際に、タブレット状のＢステージタイプの樹脂ではなく、液状の樹脂１５２を使用するので、高圧プレスの必要がなく、低圧プレスまたはオーブンによる樹脂硬化が可能である。このように本実施の形態では、高圧プレスのための特殊な設備および金型が不要であり、したがって設備および金型のコストを低減することができる。
【０１７３】
さらに、蛍光材料などを混合した樹脂のＢステージ化は非常に困難であるが、本実施の形態のように液状の樹脂１５２を使用するのであれば、蛍光材料などを混合した樹脂を容易に開発でき、したがって特徴ある製品の開発が可能となる。さらに、各製品に最適な樹脂を採用することができるので、製品の品質を向上させることができる。
【０１７４】
前述の実施の各形態では、熱プレスによって被覆部材の樹脂層を形成するとしたが、本発明の実施のさらに他の形態では、樹脂印刷成形方法によって被覆部材の樹脂層を形成してもよい。
【０１７５】
図４６は、封止部材前駆体７１および遮光性樹脂層４３を形成する手順のさらに他の例を説明するための図であり、図４６（ａ）は複数の発光ダイオード素子２５が基板前駆体６１に実装された第１生成物６８ａを示し、図４６（ｂ）は封止部材用金型１５１を閉じる前の状態を示し、図４６（ｃ）は封止部材用金型６６を閉じた状態を示し、図４６（ｄ）は第１生成物６８ａに封止部材前駆体７１が形成された第２生成物６８ｂを示し、図４６（ｅ）は樹脂印刷の前の状態を示し、図４６（ｆ）は樹脂印刷の後の状態を示し、図４６（ｇ）は第２生成物６８ｂに遮光性樹脂層４３が形成された第３生成物６８ｃを示す。図４６（ａ）〜図４６（ｄ）は、前述の図９（ａ）〜図９（ｄ）にそれぞれ対応する。
【０１７６】
第２生成物６８ｂを生成した後、図４６（ｅ）に示されるように、第２生成物６８ｂを平滑度のあるステージ１５６に載置する。このステージ１５６には、吸引源１５７が接続され、ステージ１５６の上面に載置された第２生成物６８ｂの下面を真空吸着して保持する。第２生成物６８ｂおよびステージ１５６の上には、樹脂封止する部分を開口部としたメタルマスク１５８を設置する。
【０１７７】
次に、スキージ１５９を矢符Ａの方向に移動させ、第２生成物６８ｂ上に樹脂１６０をスクリーン印刷する。このスクリーン印刷は、気泡の巻き込みや発生を抑制するために、真空の状態において行われることが好ましい。このスクリーン印刷は、メタルマスク１５８の開口部サイズおよび樹脂特性に応じて、１Ｐａ以上１００Ｐａ以下の範囲内で２または３段階程度に状態を変化させて行われることが好ましい。
【０１７８】
第２生成物６８ｂに樹脂１６０をスクリーン印刷した後、メタルマスク１５８を外し、樹脂１６０がスクリーン印刷された第２生成物６８ｃを取り出す。次に、第２生成物６８ｃ上にスクリーン印刷された樹脂１６０をオーブンによって硬化することによって、図４６（ｇ）に示されるように第２生成物６８ｂに遮光性樹脂層４３が形成された第３生成物６８ｃを得る。
【０１７９】
ここで、使用される樹脂１６０は、スクリーン印刷中に流れ出して形状が崩れないように、チクソ性を有する樹脂を選択する必要がある。また、オーブンによって樹脂硬化を行うときでも形状を保持する必要があるので、ゲル化の早い樹脂を選択する必要がある。
【０１８０】
このように樹脂印刷成形方法によって樹脂を充填および硬化することによって、被覆部材である遮光性樹脂層４３が形成される。この被覆部材の形成では、樹脂印刷する際のメタルマスク１５８の開口形状は単純であり、したがって容易に被覆部材である遮光性樹脂層４３を形成することができる。また樹脂印刷成形方法では、１回印刷時の処理能力が大きく、生産性が向上される。
【０１８１】
さらに本発明の実施のさらに他の形態では、発光ダイオード素子２５の側面と、封止部材２８の発光ダイオード素子２５の側面に臨む面とが光反射面を構成するようにしてもよい。こうして光反射面を構成することによって、発光ダイオード素子２５に光が吸収されることが防がれ、これによってもまた光の取り出し効率が向上される。
【０１８２】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、封止部材には光出射面および光反射面が形成され、発光ダイオード素子からの光は、光反射面によって反射され、光出射面から外部に出射される。こうして周囲への光の放散が防止され、すなわち指向性が向上されるので、高輝度化を図ることができる。
【０１８３】
また発光ダイオード素子からの光、すなわち基板に対して略垂直な方向に放射された光は、光反射面によって反射して、光出射面が臨む方向、すなわち基板に対して略平行な方向に出射される。
【０１８４】
前記光反射面は光出射面に向かって光を反射するので、発光ダイオード素子から放射された光が光出射面から出射されるまでの反射回数を低減することができる。したがって封止部材内における光の減衰が可及的に低減され、光の取り出し効率が向上され、これによってもまた、高輝度化を図ることができる。
【０１８５】
また、被覆部材によって、封止部材の光反射面が被覆されるので、光反射面における光反射率が向上される。したがって発光ダイオード素子からの光を光反射面によって効率よく反射することができるので、光の取り出し効率が向上され、これによって高輝度化を図ることができる。
また、樹脂層によって封止部材の光反射面が被覆され、金属層によって樹脂層が被覆されるので、封止部材に形成される光反射面に加えて、樹脂層と金属層との間に光反射面が形成される。封止部材に形成される光反射面を透過した光は、樹脂層と金属層との間に形成される光反射面によって反射する。したがって発光ダイオード素子からの光を、封止部材に形成される光反射面および樹脂層と金属層との間に形成される光反射面によって反射することができるので、光の取り出し効率を向上させ、これによって高輝度化を図ることができる。また金属層は光を確実に遮断することができるので、不所望な方向への光漏れを確実に防止することができる。
【０１８９】
また本発明によれば、封止部材は、光の波長を変換する蛍光材料を含み、発光ダイオード素子からの光は、蛍光材料によって波長が変換され、したがって波長が変換された光が光出射面から出射される。このように蛍光材料によって波長が変換されるので、発光ダイオード素子の種類を変えることなく、所望の波長の光を出射する表面実装型側面発光ダイオードを実現することができる。また複数の種類の蛍光材料を組み合わせることによって、１種類の発光ダイオード素子で、様々な波長の光の出射を実現することができる。
【０１９０】
また本発明によれば、基板上に実装された発光ダイオード素子は、透光性樹脂によって基板上で封止される。透光性樹脂は、金型を用いた成形方法によって充填および硬化し、したがって前記従来の技術のように樹脂印刷成形方法によって封止する場合に比べて、形状安定性が向上される。このように形状安定性が向上されるので、形状のばらつきなどを考慮した余分な肉厚が不要となり、小形および薄形の表面実装型側面発光ダイオードを容易に実現することができる。また光が出射される方向が側方に制限され、周囲への光の放散が防止されて、高輝度化を図ることができる。また前記光出射面および光反射面の形状安定性も向上され、したがって光の出射に対する安定性が向上され、光学部品としての信頼性が向上される。
【０１９１】
また、被覆部材によって前記封止のための透光性樹脂層が被覆されるので、封止のための透光性樹脂層の光反射面における光反射率を向上させ、これによって光の取り出し効率を容易に向上させることができる。
また、第１樹脂シート、金属シートおよび第２樹脂シートを、前記封止のための透光性樹脂層の光反射面上に順次載置した後、これらのシートおよび前記基板を加熱した状態で相互に近接する方向に押し付け、各シートを変形および硬化することによって、被覆部材が形成される。このように金属シートが第１および第２樹脂シートの間に設けられるので、金属シートを確実に光反射面に接合させ、発光ダイオード素子からの光の漏洩を防ぎ、光出射面から出射される光量を増加して、輝度を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態の表面実装型側面発光ダイオード２１の斜視図である。
【図２】表面実装型側面発光ダイオード２１の正面図である。
【図３】表面実装型側面発光ダイオード２１の平面図である。
【図４】表面実装型側面発光ダイオード２１の底面図である。
【図５】図２の右側から見た表面実装型側面発光ダイオード２１の側面図である。
【図６】図２の切断面線Ｓ６−Ｓ６から見た表面実装型側面発光ダイオード２１の断面図である。
【図７】図２の切断面線Ｓ７−Ｓ７から見た表面実装型側面発光ダイオード２１の断面図である。
【図８】基板前駆体６１の平面図である。
【図９】封止部材前駆体７１および遮光性樹脂層４３を形成する手順を説明するための図である。
【図１０】封止部材用金型６６の上金型６６ａの一部を示す斜視図である。
【図１１】図９（ｇ）の上方から見た第３生成物６８ｃの平面図である。
【図１２】第３生成物６８ｃを切断する様子を示す斜視図である。
【図１３】表面実装型側面発光ダイオード２１の製造手順を説明するためのフローチャートである。
【図１４】本発明の実施の他の形態の表面実装型側面発光ダイオード９１の斜視図である。
【図１５】表面実装型側面発光ダイオード９１の正面図である。
【図１６】表面実装型側面発光ダイオード９１の平面図である。
【図１７】表面実装型側面発光ダイオード９１の底面図である。
【図１８】図１５の右側から見た表面実装型側面発光ダイオード９１の側面図である。
【図１９】図１５の切断面線Ｓ１９−Ｓ１９から見た表面実装型側面発光ダイオード９１の断面図である。
【図２０】図１５の切断面線Ｓ２０−Ｓ２０から見た表面実装型側面発光ダイオード９１の断面図である。
【図２１】封止部材前駆体７１、第１樹脂層９２、金属層９３および第２樹脂層９４を形成する手順を説明するための図である。
【図２２】表面実装型側面発光ダイオード９１の製造手順を説明するためのフローチャートである。
【図２３】封止部材前駆体７１、第１樹脂層１１１、金属層９３および第２樹脂層９４を形成する手順を説明するための図である。
【図２４】本発明の実施のさらに他の形態の表面実装型側面発光ダイオード１１５の斜視図である。
【図２５】表面実装型側面発光ダイオード１１５の正面図である。
【図２６】表面実装型側面発光ダイオード１１５の平面図である。
【図２７】表面実装型側面発光ダイオード１１５の底面図である。
【図２８】図２５の右側から見た表面実装型側面発光ダイオード１１５の側面図である。
【図２９】図２５の切断面線Ｓ２９−Ｓ２９から見た表面実装型側面発光ダイオード１１５の断面図である。
【図３０】図２５の切断面線Ｓ３０−Ｓ３０から見た表面実装型側面発光ダイオード１１５の断面図である。
【図３１】封止部材前駆体７１、金属層１１６および樹脂層１１８を形成する手順を説明するための図である。
【図３２】表面実装型側面発光ダイオード１１５の製造手順を説明するためのフローチャートである。
【図３３】本発明の実施のさらに他の形態の表面実装型側面発光ダイオード１３１の正面図である。
【図３４】図３３の切断面線Ｓ３４−Ｓ３４から見た表面実装型側面発光ダイオード１３１の断面図である。
【図３５】図３４の切断面線Ｓ３５ａ−Ｓ３５ｂ−Ｓ３５ｃ−Ｓ３５ｄから見た表面実装型側面発光ダイオード１３１の断面図である。
【図３６】本発明の実施のさらに他の形態の表面実装型側面発光ダイオード１３６の正面図である。
【図３７】表面実装型側面発光ダイオード１３６の平面図である。
【図３８】表面実装型側面発光ダイオード１３６の底面図である。
【図３９】図３６の右側から見た表面実装型側面発光ダイオード１３６の側面図である。
【図４０】図３６の切断面線Ｓ４０−Ｓ４０から見た表面実装型側面発光ダイオード１３６の断面図である。
【図４１】図３６の切断面線Ｓ４１−Ｓ４１から見た表面実装型側面発光ダイオード１３６の断面図である。
【図４２】本発明の実施のさらに他の形態の表面実装型側面発光ダイオード１４１の正面図である。
【図４３】図４２の切断面線Ｓ４３−Ｓ４３から見た表面実装型側面発光ダイオード１４１の断面図である。
【図４４】図４２の切断面線Ｓ４４−Ｓ４４から見た表面実装型側面発光ダイオード１４１の断面図である。
【図４５】封止部材前駆体７１および遮光性樹脂層４３を形成する手順の他の例を説明するための図である。
【図４６】封止部材前駆体７１および遮光性樹脂層４３を形成する手順のさらに他の例を説明するための図である。
【図４７】従来の技術の表面実装型側面発光ダイオード１を示す斜視図である。
【図４８】他の従来の技術の表面実装型側面発光ダイオード１１を示す斜視図である。
【符号の説明】
２１，９１，１１５，１３１，１３６，１４１ 表面実装型側面発光ダイオード
２２ａ 表面
２３ａ，２３ｂ 電極
２４ 基板
２５ 発光ダイオード素子
２６ 光出射面
２７ 光反射面
２８，１３７ 封止部材
４１ 発光領域
４２ 金属細線
４３ 遮光性樹脂層
６６，１５１ 封止部材用金型
７１ 封止部材前駆体
７６ 被覆部材用金型
７８ 遮光性樹脂シート
９２，１１１ 第１樹脂層
９３，１１６ 金属層
９４ 第２樹脂層
１０２，１１３ 第１樹脂シート
１０３ 金属シート
１０４ 第２樹脂シート
１１８ 樹脂層
１２３ 樹脂シート[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a surface-mounted side light-emitting diode used for a backlight and various indicators of a liquid crystal display such as a portable information terminal, and a method for manufacturing the same.
In the present invention, “substantially vertical” includes vertical and “substantially parallel” includes parallel.
[0002]
[Prior art]
FIG. 47 is a perspective view showing a conventional surface-mounted side-surface light emitting diode 1. This conventional surface-mounting side surface light emitting diode 1 includes a substrate 2, a light emitting diode element 3, and a sealing member 4.
[0003]
The substrate 2 is a glass epoxy printed circuit board, and a pair of terminal electrode portions 5a and 5b, a metal pad portion 6a metal-wired to one terminal electrode portion 5a, and a metal wire to the other terminal electrode portion 5b. Metal pad portion 6b. The light emitting diode element 3 is electrically connected to one metal pad portion 6 a by a conductive adhesive, and is electrically connected to the other metal pad portion 6 b by a gold wire 7. The sealing member 4 seals the light emitting diode element 3 and the gold wire 7 on the substrate 2. This sealing member 4 consists of translucent resin, and is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape.
[0004]
The light emitting diode element 3 is used as a side light emitting type by being mounted on the circuit board 9 so that the top surface 8 of the light emitting diode element 3 is perpendicular to the circuit board 9.
[0005]
FIG. 48 is a perspective view showing another conventional surface-mounting side surface light emitting diode 11. The surface mount side light emitting diode 11 according to the conventional technique is similar to the surface mount side light emitting diode 1 according to the prior art, and corresponding portions are denoted by the same reference numerals.
[0006]
The sealing member 4 of the surface-mounted side-surface light emitting diode 11 has a light reflecting surface 12 that faces the light emitting diode element 3 and curves outward. The light reflecting surface 12 of the sealing member 4 is covered with a covering member 13. The covering member 13 is made of a light shielding resin having a light shielding property and a light reflecting property. The surface-mount side light emitting diode 11 has a light emitting surface 14 on the side of the light emitting diode element 3 and emits light in a direction substantially parallel to the substrate 2.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
The surface-mounting side surface light emitting diode 1 shown in FIG. 47 emits light in all directions other than the direction obstructed by the substrate 2, and therefore has low directivity and a small amount of light emission in a desired direction. In this surface-mounted side-surface light emitting diode 1, low directivity hinders high brightness.
[0008]
48, since the light reflection surface 12 of the sealing member 4 is covered by the covering member 13, the directivity is improved and thereby the brightness is increased. Higher brightness is desired. Further, in this surface-mounted side-surface light emitting diode 11, light leakage occurs because the thickness of the covering member 13 is small.
[0009]
48, the sealing member 4 is formed by a resin printing molding method. In the resin printing molding method, it is necessary to provide an extra thickness in consideration of variations in the viscosity and thixotropy of the translucent resin, as well as variations in temperature conditions during printing, and the dimensions of the sealing member 4 are growing. In order to reduce the size of the sealing member 4, it is necessary to strictly manage the material and the production conditions, so that the production becomes very difficult. Thus, in the manufacturing method of forming the sealing member 4 by the resin printing molding method, there is a problem that it is difficult to reduce the size and the thickness.
[0010]
In JP-A-5-315651, a plurality of semiconductor light-emitting elements are mounted on a substrate material plate, and a recess is formed at a position corresponding to the semiconductor light-emitting element of the cover body base material. The recess is filled with a transparent synthetic resin, and the substrate material plate and the cover body base material are overlapped and joined. The transparent synthetic resin thus filled in the recess of the cover body base material becomes a sealing member for sealing each semiconductor light emitting element. Even this conventional technique cannot solve the problem that miniaturization and thinning are difficult.
[0011]
In JP-A-7-326797, a plurality of semiconductor light-emitting elements are mounted on a substrate material plate, and a sealing member for sealing each semiconductor light-emitting element is formed by transfer molding. With this conventional technique, it is possible to solve the problem that it is difficult to reduce the size and thickness as described above, but high brightness is not considered.
[0012]
An object of the present invention is to provide a surface-mounting side-surface light-emitting diode in which the diffusion of light to the surroundings is prevented and the luminance is improved, and a method for manufacturing the same.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
  The present invention comprises a substrate having a pair of electrodes on the surface;
  Light emission that is electrically connected to one electrode of the substrate by a conductive adhesive and electrically connected to the other electrode of the substrate by a thin metal wire and mounted on the substrate, facing in a direction substantially perpendicular to the substrate A light emitting diode element having a region;
  Filling and curing a translucent resin that seals the light emitting diode element on the substrate, a light emitting surface is formed on the side of the light emitting diode element, and toward the light emitting surface around the light emitting diode element Including a sealing member on which a light reflecting surface for reflecting light is formed.See
  A coating member that covers the light reflecting surface of the sealing member;
  The covering member includes a resin layer made of a resin and a metal layer made of a metal having light reflectivity,
  The resin layer covers the light reflecting surface of the sealing member,
  The metal layer covers the resin layerThis is a surface-mounting side surface light emitting diode.
[0014]
According to the present invention, the light emitting diode element is mounted on the substrate, and the light emitting diode element is sealed on the substrate by the sealing member. The sealing member is formed by filling and curing a translucent resin. A light emitting surface and a light reflecting surface are formed on the sealing member, and light from the light emitting diode element is reflected by the light reflecting surface and emitted to the outside from the light emitting surface. Thus, the diffusion of light to the surroundings is prevented, that is, the directivity is improved, so that high luminance can be achieved.
[0015]
Since the light emitting region of the light emitting diode element faces in a direction substantially perpendicular to the substrate, light from the light emitting diode element is emitted in a direction substantially perpendicular to the substrate. The light emitting surface is formed on the side of the light emitting diode element, and therefore faces the direction substantially parallel to the substrate. The light reflecting surface is formed around the light emitting diode element. Therefore, the light emitted from the light emitting diode element, that is, the light emitted in the direction substantially perpendicular to the substrate is reflected by the light reflecting surface and emitted in the direction in which the light emitting surface faces, that is, the direction substantially parallel to the substrate. Is done.
[0016]
In most cases, a liquid crystal display element is used for a display unit such as a portable information terminal. In order to make the display by the liquid crystal display element easier to see, backlight illumination from a light source such as a light emitting diode or a fluorescent tube from the back side of the liquid crystal display element is required. In a thin display unit in recent years, a light source is not disposed in a region where the back surface of the liquid crystal display element faces, but a light guide is disposed in a region where the back surface of the liquid crystal display element faces. A light source is arranged on the side. The light source disposed on the side of the light guide is mounted on a mounting substrate provided in parallel to the light guide. The surface-mounting side surface light emitting diode of the present invention that emits light in a direction substantially parallel to the substrate can be suitably implemented for the display unit having such a structure. This surface-mounted side-surface light emitting diode is mounted on a mounting substrate with the substrate parallel to the mounting substrate in order to give light to the light guide.
[0017]
Therefore, compared with a light emitting diode that emits light in a direction substantially perpendicular to the substrate and is mounted with the substrate perpendicular to the mounting substrate, the surface mounted side light emitting diode of the present invention is Mounted on a substrate, the pair of electrodes and the wiring pattern of the mounting substrate can be directly connected, mounted on the mounting substrate, and light can be given to the light guide from the side. Is improved.
[0018]
  Since the light reflecting surface reflects light toward the light emitting surface, the number of reflections until the light emitted from the light emitting diode element is emitted from the light emitting surface can be reduced. Therefore, the attenuation of light in the sealing member is reduced as much as possible, the light extraction efficiency is improved, and this can also increase the luminance.
[0020]
  AlsoSince the light reflecting surface of the sealing member is covered with the covering member, the light reflectance on the light reflecting surface is improved. Therefore, since the light from the light emitting diode element can be efficiently reflected by the light reflecting surface, the light extraction efficiency is improved, and thereby high luminance can be achieved.
  Moreover, since the light reflection surface of the sealing member is covered with the resin layer and the resin layer is covered with the metal layer, in addition to the light reflection surface formed on the sealing member, the resin layer is interposed between the resin layer and the metal layer. A light reflecting surface is formed. The light transmitted through the light reflecting surface formed on the sealing member is reflected by the light reflecting surface formed between the resin layer and the metal layer.
  Therefore, the light from the light emitting diode element can be reflected by the light reflecting surface formed on the sealing member and the light reflecting surface formed between the resin layer and the metal layer, thereby improving the light extraction efficiency. As a result, high luminance can be achieved. Further, since the metal layer can reliably block light, light leakage in an undesired direction can be reliably prevented.
[0029]
In the invention, it is preferable that the sealing member includes a fluorescent material that converts a wavelength of light.
[0030]
According to the invention, the sealing member includes a fluorescent material that converts the wavelength of light. The wavelength of the light from the light emitting diode element is converted by the fluorescent material, and thus the light having the converted wavelength is emitted from the light emitting surface.
[0031]
As described above, since the wavelength is converted by the fluorescent material, it is possible to realize a surface-mounted side-surface light emitting diode that emits light having a desired wavelength without changing the type of the light emitting diode element. Further, by combining a plurality of types of fluorescent materials, it is possible to emit light of various wavelengths with one type of light emitting diode element.
[0032]
  In the present invention, a light emitting diode element is mounted on a substrate having a pair of electrodes on the surface,
  A light-transmitting resin is filled and cured in a mold around the light-emitting diode element on the substrate, and the light-emitting surface is formed on the side of the light-emitting diode element, and the light-emitting diode element is directed toward the light-emitting surface. Forming a light reflecting surface that reflects light and sealing the light emitting diode element on the substrateAnd
  Covering the light reflecting surface of the translucent resin layer for sealing with a covering member,
  The covering member includes a first resin sheet made of resin, a metal sheet made of light-reflective metal, and a second resin sheet made of resin, and the light-reflecting surface of the light-shielding resin layer for the sealing Placed sequentially on top,
  It is formed by pressing these sheets and the substrate in a heated state in a state where they are heated, and deforming and curing each sheet.This is a method for manufacturing a surface-mounted side-surface light emitting diode.
[0033]
According to the present invention, a light emitting diode element is electrically connected to one electrode of the substrate, for example, by a conductive adhesive, and the other electrode of the substrate is, for example, by a fine metal wire to a substrate having a pair of electrodes on the surface. Electrically connect and mount. The light emitting diode element after mounting has a light emitting region facing in a direction substantially perpendicular to the substrate.
[0034]
The light-emitting diode element thus mounted on the substrate is sealed on the substrate with a translucent resin. The translucent resin is filled and cured by a molding method using a mold, and therefore, the shape stability is improved as compared with the case of sealing by a resin printing molding method as in the prior art. Since the shape stability is improved in this way, an extra thickness considering the variation of the shape is not necessary, and small and thin surface-mounted side light emitting diodes can be easily realized.
[0035]
Further, since the light emitting diode element is sealed using the mold, a light emitting surface and a light reflecting surface are formed. The light from the light emitting diode element is reflected by the light reflecting surface and emitted from the light emitting surface. In this way, the direction in which the light is emitted is limited to the side, the light is prevented from being diffused to the surroundings, and high luminance can be achieved. Further, in the present invention, since the shape stability of the resin that seals the light emitting diode element is improved as described above, the shape stability of the light emitting surface and the light reflecting surface is also improved, and thus the stability against light emission is improved. And the reliability as an optical component is improved.
[0037]
  AlsoSince the translucent resin layer for sealing is covered by the covering member, the light reflectance on the light reflecting surface of the translucent resin layer for sealing is improved, thereby improving the light extraction efficiency. It can be improved easily.
  Moreover, a 1st resin sheet, a metal sheet, and a 2nd resin sheet are mounted in order on the light reflection surface of the translucent resin layer for the said sealing. After that, these sheets and the substrate are pressed in a direction close to each other in a heated state. Thus, a covering member is formed by deforming and curing each sheet.
  Thus, since the metal sheet is provided between the first and second resin sheets, the metal sheet is reliably bonded to the light reflecting surface, light leakage from the light emitting diode element is prevented, and the light is emitted from the light emitting surface. Luminance can be improved by increasing the amount of light.
[0052]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is a perspective view of a surface-mounted side light-emitting diode 21 according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a front view of the surface-mounted side light-emitting diode 21, and FIG. 3 is a surface-mounted side light-emitting diode. 4 is a bottom view of the surface-mounted side light-emitting diode 21, and FIG. 5 is a side view of the surface-mounted side light-emitting diode 21 viewed from the right side of FIG.
[0053]
The surface-mounting side surface light emitting diode 21 of the present embodiment is used, for example, for a backlight of a liquid crystal display of a portable information terminal and various indicators.
[0054]
The surface-mounting side surface light emitting diode 21 of the present embodiment includes a substrate 24 having a pair of electrodes 23a and 23b on a surface 22a, a light emitting diode element 25 mounted on the substrate 24, a light emitting surface 26, and a light reflecting surface. And a sealing member 28 in which 27 is formed.
[0055]
The substrate 24 includes a base material 31 having electrical insulation and electrodes 23 a and 23 b formed on the surface of the base material 31. The base material 31 has a substantially rectangular planar shape when viewed from above in FIG. The base material 31 is, for example, a glass epoxy base material. The electrodes 23a and 23b include a pair of terminal electrode portions 32a and 32b and a pair of metal pad portions 33a and 33b. Each terminal electrode part 32a, 32b is formed on the surface of the both ends of the left-right direction in FIG. One metal pad portion 33a is metal-wired to one terminal electrode portion 32a and extends in a direction close to the other terminal electrode portion 32b. The other metal pad portion 33b is metal-wired to the other terminal electrode portion 32b and extends in a direction close to the one terminal electrode portion 32a.
[0056]
Recesses 36a and 36b are formed at both ends in the left-right direction in FIG. The recesses 36a and 36b are formed by recessing a part of both end portions in the left-right direction in FIG. The terminal electrode portions 32 a and 32 b extend from the surface of the base material 31 to the back surface of the base material 31 through the recesses 36 a and 36 b of the base material 31. The portions of the terminal electrode portions 32a and 32b extending on the back surface of the base material 31 are used as soldering electrodes when the surface-mounted side light-emitting diode 21 is surface-mounted on, for example, a circuit board.
[0057]
The light emitting diode element 25 has a structure in which an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer are joined. The light emitting diode element 25 is formed with a pair of electrodes so as to sandwich the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer. The light emitting diode element 25 emits light at the interface between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer. The light emitting diode element 25 has a light emitting region 41 perpendicular to the interface between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.
[0058]
The light emitting diode element 25 is mounted on the substrate 24. The light emitting region 41 of the light emitting diode element 25 mounted on the substrate 24 faces in a direction substantially perpendicular to the substrate 24. The light emitting diode element 25 is fixed to the other metal pad portion 33b via a conductive adhesive, and thereby fixed to the substrate 24. The light emitting diode element 25 is electrically connected to the other metal pad portion 33b by the conductive adhesive, and is electrically connected to the one metal pad portion 33a by a thin metal wire 42.
[0059]
The sealing member 28 seals the light emitting diode element 25 and the fine metal wire 42 on the substrate 24. The sealing member 28 is made of a translucent resin, and is formed by filling and curing the translucent resin. The sealing member 28 protects the light emitting diode element 25 and the fine metal wire 42. The sealing member 28 has a light emitting surface 26 on the side of the light emitting diode element 25, and a light reflecting surface 27 that reflects light toward the light emitting surface 26 around the light emitting diode element 25.
[0060]
The light reflecting surface 27 of the sealing member 28 is covered with a light shielding resin layer 43 which is a covering member. The light shielding resin layer 43 is made of a light shielding resin having a light shielding property and a light reflecting property.
[0061]
Thus, the light emitting diode element 25 is mounted on the substrate 24, and the light emitting diode element 25 is sealed on the substrate 24 by the sealing member 28. The sealing member 28 is formed by filling and curing a translucent resin. A light emitting surface 26 and a light reflecting surface 27 are formed on the sealing member 28, and the light from the light emitting diode element 25 is reflected by the light reflecting surface 27 and emitted from the light emitting surface 26 to the outside. Thus, the diffusion of light to the surroundings is prevented, that is, the directivity is improved, so that high luminance can be achieved.
[0062]
Since the light emitting region 41 of the light emitting diode element 25 faces in a direction substantially perpendicular to the substrate 24, the light from the light emitting diode element 25 is emitted in a direction substantially perpendicular to the substrate 24. The light emitting surface 26 is formed on the side of the light emitting diode element 25, and therefore faces the direction substantially parallel to the substrate 24. The light reflecting surface 27 is formed around the light emitting diode element 25. Therefore, the light emitted from the light emitting diode element 25, that is, the light emitted in the direction substantially perpendicular to the substrate 24 is reflected by the light reflecting surface 27, and the direction in which the light emitting surface 26 faces, ie, substantially the substrate 24. The light is emitted in a parallel direction.
[0063]
Since the light reflecting surface 27 reflects light toward the light emitting surface 26, the number of reflections until the light emitted from the light emitting diode element 25 is emitted from the light emitting surface 26 can be reduced. Therefore, the attenuation of light in the sealing member 28 is reduced as much as possible, the light extraction efficiency is improved, and this can also increase the brightness.
[0064]
Further, since the light reflecting surface 27 of the sealing member 28 is covered by the light shielding resin layer 43 that is a covering member, the light reflectance on the light reflecting surface 27 is improved. Therefore, the light from the light emitting diode element 25 can be efficiently reflected by the light reflecting surface 27, so that the light extraction efficiency can be improved, thereby achieving high luminance. Moreover, since the light-shielding resin layer 43 can block light, light leakage in an undesired direction can be suppressed.
[0065]
6 is a cross-sectional view of the surface-mounted side light emitting diode 21 viewed from the section line S6-S6 in FIG. 2, and FIG. 7 is a surface-mounted side light emitting diode viewed from the section line S7-S7 in FIG. FIG.
[0066]
The light emitting diode element 25 mounted on the substrate 24 is sealed with a sealing member 28. The sealing member 28 is made of a translucent resin as described above, and is formed by transfer molding as shown in FIGS. 9B to 9D described later. The sealing member 28 has a substantially semi-cylindrical portion 46 and a pair of extending portions 47a and 47b that are connected to both ends of the substantially semi-cylindrical portion 46 in the left-right direction in FIG. The sealing member 28 is configured symmetrically with respect to the axis 59a in the plan view shown in FIG.
[0067]
The substantially semi-cylindrical portion 46 includes a substantially semi-cylindrical outer peripheral surface 48, a substantially semicircular upper surface portion 49 parallel to the surface 22 a of the substrate 24, and a light emitting surface portion 50 perpendicular to the upper surface portion 49. Have Each extending portion 47 a, 47 b is bent and connected to both ends in the circumferential direction of the outer peripheral surface 48, and has a back surface 51 a, 51 b extending in parallel to the light emitting surface portion 50 and a common plane with the upper surface portion 49. The upper surface portions 52a and 52b are formed, and the light emitting surface portion 50 has light emitting surface portions 53a and 53b that form a common plane connected in the left-right direction in FIG. The light emitting surface 26 is constituted by the light emitting surface portion 50 of the substantially semi-cylindrical portion 46 and the light emitting surface portions 53a and 53b of the extending portions 47a and 47b.
[0068]
The light emitting diode element 25 is arranged in the center of the sealing member 28 in the plan view shown in FIG.
[0069]
The light emitting diode element 25 is disposed on the axis 59a and above the virtual line 59b including the back surfaces 51a and 51b in the plan view shown in FIG. By disposing the light emitting diode element 25 at a position away from the light emitting surface 26 (upward in FIG. 6), the front luminance can be increased, and the light emitting diode element 25 is positioned close to the light emitting surface 26 (FIG. 6, the directivity of the light emitted from the light emitting surface 26 can be widened.
[0070]
A light-shielding resin layer 43 is formed in a region on the substrate 24 where the outer peripheral surface 48 and the rear surfaces 51 a and 51 b of the sealing member 28 face each other, and an inner periphery facing the outer peripheral surface 48 of the light-shielding resin layer 43. The surface 54 and the outer peripheral surface 48 are in close contact to form a first light reflecting surface 55. A light-shielding resin layer 43 is also formed in a region on the substrate 24 where the upper surface portion 49; 52a, 52b of the sealing member 28 faces, and faces the upper surface portion 49; 52a, 52b of the light-shielding resin layer 43. The lower surface 56 and the upper surface portion 49; 52a, 52b are in close contact with each other to form the second light reflecting surface 57. The first light reflection surface 55 and the second light reflection surface 57 constitute the light reflection surface 27.
[0071]
Light from the light emitting diode element 25 is reflected by the light reflecting surface 27, guided to the light emitting surface 26, and emitted from the light emitting surface 26. Further, the light from the light emitting diode element 25 is directly guided to the light emitting surface 26 without being reflected by the light reflecting surface 27 and is emitted from the light emitting surface 26. Thus, the light emitted from the light emitting surface 26 is reflected by the light reflecting surface 27 and guided to the light emitting surface 26 without being reflected by the light reflecting surface 27. Including light.
[0072]
In the present embodiment, the shape of the outer peripheral surface 48 of the substantially semi-columnar portion 46 is substantially semi-cylindrical, but the shape of the outer peripheral surface 48 of the substantially semi-columnar portion 46 is substantially parabolic columnar. Good. If the outer peripheral surface 48 has a substantially parabolic columnar shape, the light emitting diode element 25 is arranged at the focal point of the outer peripheral surface 48 and in the vicinity thereof, whereby parallel light is emitted from the light emitting surface 26.
[0073]
8 is a plan view of the substrate precursor 61. FIG. 8A shows the substrate precursor 61 before the light emitting diode element 25 is mounted, and FIG. 8B shows the light emitting diode element 25 placed thereon. FIG. 8C shows the substrate precursor 61 on which the light emitting diode element 25 is mounted. With reference to FIG. 8, a procedure for mounting the light emitting diode element 25 on the substrate precursor 61 will be described.
[0074]
The substrate precursor 61 has a metal wiring pattern 60 as shown in FIG. This substrate precursor 61 is cut in a later step as shown in FIG. 12 described later, and is divided into a plurality (32 in this embodiment) of substrates 24. Each portion of the metal wiring pattern 60 corresponds to one of the terminal electrode portions 32a and 32b and the metal pad portions 33a and 33b of each substrate 24. The metal wiring pattern of the substrate precursor 61 is not limited to the metal wiring pattern 60 shown in FIG. 8A, and may be freely designed so as not to hinder subsequent processes.
[0075]
First, as shown in FIG. 8B, a plurality (32 in the present embodiment) of light emitting diode elements 25 are placed and fixed on the substrate precursor 61. At this time, the light emitting diode elements 25 are respectively fixed to the portion 62b corresponding to the other metal pad portion 33b of the substrate 24 described above. In addition, the light emitting diode element 25 is fixed so that the light emitting region 41 of the light emitting diode element 25 faces in a direction substantially perpendicular to the substrate precursor 61.
[0076]
The light emitting diode element 25 is fixed to the portion 62b corresponding to the other metal pad portion 33b of the substrate 24 by the conductive adhesive, and is thus fixed to the substrate precursor 61. The light emitting diode element 25 is electrically connected to the portion 62b corresponding to the other metal pad portion 33b of the substrate 24 by a conductive adhesive.
[0077]
Next, as shown in FIG. 8C, the light emitting diode element 25 fixed to the substrate precursor 61 by the fine metal wires 42, and the portion 62a corresponding to the one metal pad portion 33a of the substrate 24 described above. Are electrically connected. The fine metal wire 42 is, for example, a gold wire.
[0078]
In this way, the plurality of light emitting diode elements 25 are mounted on the substrate precursor 61. Hereinafter, a product in which the plurality of light emitting diode elements 25 are mounted on the substrate precursor 61 is referred to as a first product 68a.
[0079]
FIG. 9 is a diagram for explaining a procedure for forming the sealing member precursor 71 and the light-shielding resin layer 43. FIG. 9A shows a case where a plurality of light-emitting diode elements 25 are mounted on the substrate precursor 61. FIG. FIG. 9B shows a state before the sealing member mold 66 is closed, and FIG. 9C shows a state where the sealing member mold 66 is closed. 9 (d) shows the second product 68b in which the sealing member precursor 71 is formed on the first product 68a, and FIG. 9 (e) shows the state before the covering member mold 76 is closed. 9 (f) shows a state where the covering member mold 76 is closed, FIG. 9 (g) shows a third product 68c in which the light-shielding resin layer 43 is formed on the second product 68b, and FIG. It is a perspective view which shows a part of upper metal mold | die 66a of the metal mold | die 66 for sealing members.
[0080]
First, as shown in FIG. 9A, a first product 68a in which a plurality of light emitting diode elements 25 are mounted on a substrate precursor 61 is prepared. The first product 68a is generated according to the procedure described in connection with FIG.
[0081]
Next, as shown in FIG. 9B, the first product 68 a is placed on the lower die 66 b of the sealing member die 66 with the light emitting diode element 25 facing upward. The sealing member mold 66 holds the first product 68a horizontally. A recess 69 having a depth equal to the thickness of the substrate precursor 61 is formed in the lower mold 66 b of the sealing member mold 66. The substrate precursor 61 of the first product 68a is fitted into the recess 69, thereby preventing the first product 68a from being displaced relative to the lower mold 66b.
[0082]
Next, the sealing member mold 66 is closed, and the first product 68a is sandwiched and fixed between the upper mold 66a and the lower mold 66b. At this time, the first product 68a is sandwiched between the upper mold 66a and the lower mold 66b under conditions such that resin leakage, substrate destruction, and the like do not occur.
[0083]
A plurality of rows of molding spaces 70a and 70b as shown in FIG. 10 are formed on the surface of the upper die 66a of the sealing member die 66. In FIG. 10, shaded portions are molding spaces 70a and 70b. A plurality of columnar first recesses 72a are formed on the surface portion of the upper mold 66a of the sealing member mold 66 at equal intervals on a straight line, and a straight line common to the straight line. A second recess 72b is formed on the line to be connected to each first recess 72a. A plurality of molding spaces 70a and 70b are formed by the plurality of first recesses 72a and second recesses 72b for each column.
[0084]
The first recess 72a forms the substantially semi-cylindrical portion 46, and the second recess 72b forms the extending portions 47a and 47b. When the sealing member mold 66 is closed, two light emitting diode elements 25 are arranged in each first recess 72a. The depths of the first and second recesses 72a and 72b correspond to the distance L2 (see FIG. 7) from the surface 22a of the substrate 24 to the upper surface portion 49 of the sealing member 28.
[0085]
Next, a translucent resin is injected into the sealing member mold 66 and filled. That is, a translucent resin is injected into the molding spaces 70a and 70b. Thereafter, pressure is applied to the translucent resin filled in the sealing member mold 66 to cure the translucent resin in the sealing member mold 66. Thus, the sealing member precursor 71 is formed as shown in FIG. Thus, the sealing member precursor 71 is formed on the first product 68a by transfer molding.
[0086]
Each light emitting diode element 25 is sealed on the substrate precursor 61 by the sealing member precursor 71. The sealing member precursor 71 is a translucent resin layer for sealing.
[0087]
Next, the sealing member mold 66 is opened, and the second product 68b in which the sealing member precursor 71 is formed on the first product 68a as shown in FIG. Remove from mold 66.
[0088]
Next, the second product 68b is placed on the lower mold 76b of the covering member mold 76 with the sealing member precursor 71 facing upward. The lower die 76b of the covering member die 76 holds the second product 68b horizontally. A recess 77 having a depth equal to the thickness of the substrate precursor 61 is formed in the lower die 76 b of the covering member die 76. The substrate precursor 61 of the second product 68b fits into the recess 77, thereby preventing the second product 68b from being displaced relative to the lower mold 76b.
[0089]
Next, as shown in FIG. 9 (e), a light-shielding resin sheet 78 is placed on the second product 68 b so as to cover the sealing member precursor 71. The light shielding resin sheet 78 is a resin sheet made of a resin having a light shielding property and a light reflecting property. The light-shielding resin sheet 78 is a resin sheet obtained by processing a semi-cured resin that is cured halfway, a so-called B-stage type resin, into a sheet shape. The thickness of the light-shielding resin sheet 78 is such that the thickness of the surface-mounted side light-emitting diode 21, the number of surface-mounted side light-emitting diodes 21 per substrate precursor 61, and the plurality of second products 68 b are collectively shielded. It adjusts suitably according to the number of the 2nd products 68b at the time of forming the property resin layer 43. FIG.
[0090]
Next, the covering member mold 76 is closed, and the second product 68b and the light-shielding resin sheet 78 are pressed in a direction close to each other in a heated state. At this time, the second product 68b and the light-shielding resin sheet 78 are heated at a temperature at which the sealing member precursor 71 of the second product 68b does not melt. This temperature is about 100 ° C. or more and 200 ° C. or less. This temperature is appropriately adjusted according to the resin characteristics and the curing time.
[0091]
A rectangular parallelepiped recess 79 for forming the light-shielding resin layer 43, which is a covering member, is formed on the surface portion of the upper die 76a of the covering member die 76. The depth of the recess 79 corresponds to a distance L3 (see FIG. 5) from the surface 22a of the substrate 24 to the upper surface 58 of the light-shielding resin layer 43 that is a covering member.
[0092]
By thus deforming and curing the light-shielding resin sheet 78, the light-shielding resin layer 43 is formed as shown in FIG. 9 (f). The light-shielding resin layer 43 is formed on the second product 68b by hot pressing in this way.
[0093]
Next, the covering member mold 76 is opened, and the third product 68c in which the light-shielding resin layer 43 is formed on the second product 68b as shown in FIG. 9G is taken out.
[0094]
FIG. 11 is a plan view of the third product 68c viewed from above in FIG. 9G, and FIG. 12 is a perspective view showing a state of cutting the third product 68c. In addition, in FIG. 11, in order to make illustration easy, the part sealed with the sealing member precursor 71 is shown as a continuous line. Furthermore, the metal wiring pattern 60 sealed by the sealing member precursor 71 is shown by hatching.
[0095]
After the third product 68c is generated as described above, the third product 68c is divided into first and second cutting lines 81a and 81b indicated by phantom lines in FIGS. 11 and 12 by the dicing blade 80. Cut along and cut into pieces. In this way, a plurality of surface-mounted side light emitting diodes 21 are obtained.
[0096]
The first cutting lines 81a are a plurality of straight lines extending in the longitudinal direction 83, which is the vertical direction in FIG. 11, and are arranged at equal intervals in the width direction 84, which is the horizontal direction in FIG. The first cutting line 81a includes a straight line passing through the center of the width direction 84 of the portion 85a formed by the first recess 72a and a portion 85a formed by the first recess 72a adjacent to each other in the width direction 84. Including a straight line that passes through the central part between them. When cutting along a straight line passing through the central portion of the width direction 84 of the portion 85a formed by the first recess 72a, the light emitting surface 26 of the surface-mounted side light emitting diode 21 is formed simultaneously with this cutting.
[0097]
The second cutting lines 81b are a plurality of straight lines orthogonal to the first straight lines 81a, and are arranged at equal intervals in the longitudinal direction 83. The second cutting line 81b passes through the central portion in the longitudinal direction 83 of the portion 85b formed by the second recess 72b between the portions 85a formed by the first recesses 72a adjacent to each other.
[0098]
FIG. 13 is a flowchart for explaining the manufacturing procedure of the surface-mounted side-surface light emitting diode 21. With reference to FIG. 13 and FIGS. 8 to 12 described above, a manufacturing procedure of the surface-mounted side light emitting diode 21 will be described.
[0099]
First, the manufacturing is started in step a1, the process proceeds to step a2, and as shown in FIGS. 8A to 8C, a plurality of light emitting diode elements 25 are mounted on the substrate precursor 61, and the first Product 68a is produced.
[0100]
Next, in step a3, as shown in FIG. 9A to FIG. 9B, a sealing member precursor 71 is formed on the first product 68a by transfer molding, so that the second product is formed. 68b is generated.
[0101]
Next, in step a4, as shown in FIG. 9E, the second product 68b is placed on the lower mold 77 of the covering member mold 76, and the light-shielding resin sheet is placed on the second product 68b. 78 is placed.
[0102]
Next, in step a5, as shown in FIG. 9 (f), the covering member mold 76 is closed, and the second product 68b and the light-shielding resin sheet 78 are heated and pressed in directions approaching each other. . In this way, the light shielding resin layer 43 is formed by deforming and curing the light shielding resin sheet 78. In this way, a third product 68c as shown in FIG. 9G is generated.
[0103]
Next, in step a6, as shown in FIG. 12, the third product 68c is cut to obtain the surface-mounted side light-emitting diode 21. In this way, the production is finished at step a7.
[0104]
Thus, the light emitting diode element 25 mounted on the substrate precursor 61 is sealed on the substrate precursor 61 with a translucent resin. The translucent resin is filled and cured by transfer molding, which is a molding method using the sealing member mold 66, and therefore, compared to the case of sealing by the resin printing molding method as in the conventional technique, Shape stability is improved. Since the shape stability is improved in this way, an extra thickness considering the variation of the shape is not necessary, and the small and thin surface-mounted side light emitting diode 21 can be easily realized.
[0105]
Further, since the light emitting diode element 25 is sealed by transfer molding, a light emitting surface 26 and a light reflecting surface 27 are formed. The light from the light emitting diode element 25 is reflected by the light reflecting surface 27 and emitted from the light emitting surface 26. In this way, the direction in which the light is emitted is limited to the side, the light is prevented from being diffused to the surroundings, and high luminance can be achieved. Further, as described above, since the shape stability of the resin for sealing the light emitting diode element 25, that is, the sealing member 28 is improved, the shape stability of the light emitting surface 26 and the light reflecting surface 27 is also improved. The stability with respect to the emission of light is improved, and the reliability as an optical component is improved.
[0106]
Further, since the light-transmitting resin layer 43 covers the light-transmitting resin layer for sealing, that is, the sealing member 28, the light reflectivity at the light reflecting surface 27 of the sealing member 28 is improved, whereby the light The take-out efficiency can be easily improved.
[0107]
The light-shielding resin layer 43 is formed by placing the light-shielding resin sheet 78 on the light reflecting surface 27 of the sealing member precursor 71 and then the light-shielding resin sheet 78, the sealing member precursor 71, and the substrate precursor. It is formed by pressing and pressing the second product 68b including 61 in a direction approaching each other in a heated state to deform and cure the light-shielding resin sheet 78. Therefore, the light-shielding resin layer 43 that is a covering member can be provided in close contact with the light reflecting surface 27 of the sealing member precursor 71.
[0108]
Further, a plurality of light emitting diode elements 25 are provided on a sealing member precursor 61 which is a common substrate, and the light-transmitting resin layer is sealed by filling and curing the light-transmitting resin. The reflection surface 27, that is, the light reflection surface 27 of the sealing member precursor 71 is covered with a light shielding resin sheet 78. Thereafter, since each light emitting diode element 25 is divided into individual pieces, productivity is improved as compared with the case where each light emitting diode element 25 is formed individually.
[0109]
14 is a perspective view of a surface-mounted side light emitting diode 91 according to another embodiment of the present invention, FIG. 15 is a front view of the surface-mounted side light emitting diode 91, and FIG. 16 is a surface-mounted side light emitting diode. FIG. 17 is a plan view of the diode 91, FIG. 17 is a bottom view of the surface-mounted side light-emitting diode 91, and FIG. 18 is a side view of the surface-mounted side light-emitting diode 91 viewed from the right side of FIG. The surface-mounting side surface light emitting diode 91 of the present embodiment is similar to the surface mounting type side surface light emitting diode 21 shown in FIGS. 1 to 7 described above, and the same parts are described with the same reference numerals. Is omitted.
[0110]
The surface-mounting side surface light emitting diode 91 according to the present embodiment includes a first resin layer 92, a metal layer 93, and a second resin layer 94 instead of the light shielding resin layer 43. The first resin layer 92 covers the light reflecting surface 27 of the sealing member 28, the metal layer 93 covers the first resin layer 93, and the second resin layer 94 covers the metal layer 93.
[0111]
In the present embodiment, the first and second resin layers 92 and 94 are made of a resin having a light shielding property and a light reflecting property. The second resin layer 94 may be made of the same resin as the first resin layer 92, or may be made of a resin different from the first resin layer 92. The metal layer 93 is made of, for example, Ag, Ni, Pd, or Al. The material of the metal layer 93 is not limited to any of Ag, Ni, Pd, and Al.
[0112]
As described above, the light reflecting surface 27 of the sealing member 28 is covered with the first resin layer 92 and the first resin layer 92 is covered with the metal layer 93, so that the light reflecting surface 27 formed on the sealing member 28 is covered. In addition, a light reflecting surface 95 is formed between the first resin layer 92 and the metal layer 93. The light transmitted through the light reflecting surface 27 formed on the sealing member 28 is reflected by the light reflecting surface 95 formed between the first resin layer 92 and the metal layer 93.
[0113]
Therefore, the surface-mounted side light-emitting diode 91 according to the present embodiment transmits light from the light-emitting diode element 25 between the light reflecting surface 27 formed on the sealing member 28 and the first resin layer 92 and the metal layer 93. Since the light can be reflected by the formed light reflecting surface 95, the light extraction efficiency can be improved, thereby increasing the luminance. Further, since the metal layer 93 can reliably block light, it is possible to reliably prevent light leakage in an undesired direction.
[0114]
The first resin layer 92 is also interposed between the substrate 24 and the metal layer 93. The first resin layer 92 prevents the electrodes 23 a and 23 b of the substrate 24 from being electrically connected to the metal layer 93, whereby the electrodes 23 a and 23 b of the substrate 24 are electrically connected via the metal layer 93. To prevent connection. Thus, the first resin layer 92 serves as an electrical insulating layer that prevents electrical shorts.
[0115]
19 is a cross-sectional view of the surface-mounted side light-emitting diode 91 viewed from the section line S19-S19 in FIG. 15, and FIG. 20 is a surface-mounted side light-emitting diode viewed from the section line S20-S20 in FIG. FIG.
[0116]
A first resin layer 92, a metal layer 93, and a second resin layer 94 are formed in a region on the substrate 24 where the outer peripheral surface 48 of the sealing member 28 and the rear surfaces 51 a and 51 b face. The inner peripheral surface 96 facing the outer peripheral surface 48 of the first resin layer 92 and the outer peripheral surface 48 are in close contact to form the first light reflecting surface 55. The first resin layer 92, the metal layer 93, and the second resin layer 94 are also formed in the region on the substrate 24 where the upper surface portion 49; 52a, 52b of the sealing member 28 faces. The lower surface 98 of the first resin layer 92 facing the upper surface portion 49; 52a, 52b and the upper surface portion 49; 52a, 52b are in close contact with each other to form the second light reflecting surface 57. The first light reflection surface 55 and the second light reflection surface 57 constitute the light reflection surface 27. In the present embodiment, the first resin layer 92 and the metal layer 93 are further in close contact with each other, and the interface between the first resin layer 92 and the metal layer 93 becomes the light reflecting surface 95.
[0117]
Light from the light emitting diode element 25 is reflected by the light reflecting surfaces 27 and 95, guided to the light emitting surface 26, and emitted from the light emitting surface 26. Further, the light from the light emitting diode element 25 is directly guided to the light emitting surface 26 without being reflected by the light reflecting surfaces 27 and 95, and is emitted from the light emitting surface 26. Thus, the light emitted from the light emitting surface 26 is reflected by the light reflecting surfaces 27 and 95 and guided to the light emitting surface 26, and directly reflected without being reflected by the light reflecting surfaces 27 and 95. Light guided to the surface 26.
[0118]
FIG. 21 is a view for explaining a procedure for forming the sealing member precursor 71, the first resin layer 92, the metal layer 93, and the second resin layer 94, and FIG. 21 (a) shows a plurality of light emitting diode elements. 25 shows the first product 68a mounted on the substrate precursor 61, FIG. 21 (b) shows the state before closing the sealing member mold 66, and FIG. 21 (c) shows the sealing member mold. FIG. 21 (d) shows the second product 68b in which the sealing member precursor 71 is formed on the first product 68a, and FIG. 21 (e) shows the mold for the covering member. 21 (f) shows the state before the covering member mold 76 is closed, and FIG. 21 (g) shows the second product 68b with the first resin layer 92, the metal layer 93 and The 3rd product 101 in which the 2nd resin layer 94 was formed is shown, and Drawing 22 shows surface mount type side light emitting diode 91 It is a flowchart for explaining a manufacturing procedure. With reference to FIG. 21 and FIG. 22, the manufacturing procedure of the surface-mounted side-surface light emitting diode 91 will be described.
[0119]
The manufacturing procedure of the surface-mounted side light emitting diode 91 is similar to the manufacturing procedure of the surface-mounted side light emitting diode 21 described above, and the description of the same parts is omitted. Steps b1 to b3 in FIG. 22 are the same as steps a1 to a3 in FIG. FIGS. 21A to 21D correspond to FIGS. 9A to 9D, respectively.
[0120]
After the second product 68b is generated, in step b4, as shown in FIG. 21 (e), the light emitting diode element 25 is turned upward, and the second product 68b is moved to the lower mold of the covering member mold 76. 77, the first resin sheet 102, the metal sheet 103, and the second resin sheet 104 are sequentially placed on the second product 68b.
[0121]
The first resin sheet 102 is a resin sheet made of a resin having a light shielding property and a light reflecting property. The first resin sheet 102 is a resin sheet obtained by processing a semi-cured resin that is cured halfway, a so-called B-stage type resin, into a sheet shape. The metal sheet 103 is a metal sheet made of any one of Ag, Ni, Pd, Al, and the like. The second resin sheet 104 is a resin sheet made of a resin having a light shielding property and a light reflecting property. The second resin sheet 104 is a resin sheet obtained by processing a semi-cured resin that is cured halfway, a so-called B-stage type resin, into a sheet shape.
[0122]
The thickness of the first resin sheet 102 is selected to be about 50 μm or less. The thickness of the metal sheet 103 is selected to be about 50 μm or less. The thickness of the second resin sheet 104 is the same as the thickness of the surface-mounted side light-emitting diode 91, the number of surface-mounted side light-emitting diodes 91 per substrate precursor 61, and the plurality of second products 68b. It adjusts appropriately according to the number of the 2nd products 68b at the time of forming 2 resin layer 94.
[0123]
Next, in step b5, the covering member mold 76 is closed, and the second product 68b and the sheets 102, 103, 104 are heated and pressed in directions approaching each other. By deforming and curing the sheets 102, 103, and 104 in this way, a first resin layer 92, a metal layer 93, and a second resin layer 94 are formed as shown in FIG. Thus, the 1st resin layer 92, the metal layer 93, and the 2nd resin layer 94 are formed in the 2nd product 68b by hot-pressing. Next, the covering member mold 76 is opened, and the third product in which the first resin layer 92, the metal layer 93, and the second resin layer 94 are formed on the second product 68b as shown in FIG. 21 (g). The object 101 is taken out.
[0124]
Next, in step b6, the third product 101 is cut to obtain the surface-mounted side-surface light emitting diode 91. In this way, the production is finished at step b7.
[0125]
Thus, the 1st resin sheet 102, the metal sheet 103, and the 2nd resin sheet 104 are sequentially mounted on the light reflection surface 27 of the sealing member precursor 71 which is a translucent resin layer for sealing. Thereafter, the sheets 102, 103, 104 and the second product 68 b including the substrate precursor 61 and the sealing member precursor 71 are pressed in a direction close to each other in a heated state. Thus, the first resin layer 92, the metal layer 93, and the second resin layer 94 are formed by deforming and curing the sheets 102, 103, and 104.
[0126]
As described above, since the metal sheet 103 is provided between the first resin sheet 102 and the second resin sheet 104, the metal sheet 103 is reliably bonded to the light reflecting surface 27, and leakage of light from the light emitting diode element 25 is prevented. The luminance can be improved by increasing the amount of light emitted from the light exit surface 26.
[0127]
In the surface-mounting side surface light emitting diode 91 of the present embodiment, the first resin layer 92 is realized by a resin having a light shielding property and a light reflecting property, but the surface mounting type side surface light emitting device of still another embodiment of the present invention. The diode has a first resin layer 111 made of a translucent resin instead of the first resin layer 92.
[0128]
FIG. 23 is a diagram for explaining a procedure for forming the sealing member precursor 71, the first resin layer 111, the metal layer 93, and the second resin layer 94, and FIG. 23 (a) shows a plurality of light emitting diode elements. 25 shows the first product 68a mounted on the substrate precursor 61, FIG. 23 (b) shows the state before closing the sealing member mold 66, and FIG. 23 (c) shows the sealing member mold. FIG. 23 (d) shows a second product 68b in which a sealing member precursor 71 is formed on the first product 68a, and FIG. 23 (e) shows a mold for a covering member. FIG. 23 (f) shows a state before the covering member mold 76 is closed, and FIG. 23 (g) shows the second product 68b with the first resin layer 111, the metal layer 93, and The 3rd product 112 in which the 2nd resin layer 94 was formed is shown.
[0129]
The manufacturing procedure of the surface-mounting side surface light emitting diode according to the present embodiment is similar to the manufacturing procedure of the surface mounting type side surface light emitting diode 91 according to the above-described embodiment, and the description of the same parts is omitted. FIGS. 23A to 23G correspond to FIGS. 21A to 21G, respectively.
[0130]
In the manufacturing procedure of the surface mount type side surface light emitting diode according to the present embodiment, after the second product 68b is generated, the second product is formed with the light emitting diode element 25 facing upward as shown in FIG. 68b is installed in the lower mold 77 of the coating member mold 76, and the first resin sheet 113, the metal sheet 103, and the second resin sheet 104 are sequentially placed on the second product 68b.
[0131]
The first resin sheet 113 is a resin sheet obtained by processing a B-stage type resin obtained by curing a translucent resin halfway into a sheet shape. The thickness of the first resin sheet 113 is selected to be about 30 μm or less.
[0132]
If the thickness of the 1st resin sheet 113 is large, the thickness of the 1st resin layer 111 will become large. If the thickness of the first resin layer 111 is large, light leakage from the interface between the substrate 24 and the first resin layer 111 increases. Therefore, in FIG. 23, the thickness of the first resin layer 111 is drawn large for convenience, but the thickness of the first resin sheet 113 is preferably about 30 μm or less.
[0133]
Next, the covering member mold 76 is closed, and the second product 68b and the sheets 113, 103, 104 are heated and pressed in a direction close to each other. By deforming and curing the sheets 113, 103, and 104 in this way, the first resin layer 111, the metal layer 93, and the second resin layer 94 are formed as shown in FIG. Thus, the 1st resin layer 111, the metal layer 93, and the 2nd resin layer 94 are formed in the 2nd product 68b by hot-pressing. Next, the covering member mold 76 is opened, and the third product in which the first resin layer 111, the metal layer 93, and the second resin layer 94 are formed on the second product 68b as shown in FIG. 21 (g). The object 112 is taken out.
[0134]
Next, the 3rd product 112 is cut | disconnected with a dicing blade, and the surface mount type side surface light emitting diode of this Embodiment is obtained. Thus, the production is finished.
[0135]
24 is a perspective view of a surface-mounted side light emitting diode 115 according to still another embodiment of the present invention, FIG. 25 is a front view of the surface-mounted side light emitting diode 115, and FIG. 27 is a plan view of the light-emitting diode 115, FIG. 27 is a bottom view of the surface-mounted side-surface light-emitting diode 115, and FIG. 28 is a side view of the surface-mounted side-side light-emitting diode 115 viewed from the right side of FIG. The surface-mounting side surface light emitting diode 115 of the present embodiment is similar to the surface mounting type side surface light emitting diode 21 shown in FIGS. 1 to 7 described above, and the same parts are described with the same reference numerals. Is omitted.
[0136]
The surface-mounting side surface light emitting diode 115 according to the present embodiment has a metal layer 116 instead of the light shielding resin layer 43. The metal layer 116 covers the light reflecting surface 27 of the sealing member 28. The metal layer 116 is made of, for example, Ag, Ni, Pd, or Al.
[0137]
In the present embodiment, the sealing member 28 has a thin film portion 117 in addition to the substantially semi-cylindrical portion 46 and the extending portions 47a and 47b. The thin film portion 117 covers a region of the surface 22a of the substrate 24 where the substantially semi-cylindrical portion 46 and the extended portions 47a and 47b are not formed.
[0138]
The thin film portion 117 is interposed between the substrate 24 and the metal layer 116. The thin film portion 117 prevents the electrodes 23 a and 23 b of the substrate 24 from being electrically connected to the metal layer 116, whereby the electrodes 23 a and 23 b of the substrate 24 are electrically connected via the metal layer 116. Prevent being connected. Thus, the thin film portion 117 serves as an electrical insulating layer that prevents electrical short-circuiting.
[0139]
In the present embodiment, the metal layer 116 is further covered with the resin layer 118. The resin layer 118 is made of a resin having a light shielding property and a light reflecting property.
[0140]
In the present embodiment, since the light reflecting surface 27 of the sealing member 28 is covered with the metal layer 116 having light reflectivity, the light reflectance on the light reflecting surface 27 is improved. The metal layer 116 has higher light reflectivity than the resin layer, and therefore the light reflectivity at the light reflection surface 27 is higher than when the light reflection surface 27 is covered with the resin layer.
[0141]
As described above, since the light reflectivity at the light reflecting surface 27 is improved, the light from the light emitting diode element 25 can be efficiently reflected by the light reflecting surface 27, so that the light extraction efficiency is improved. Brightness can be achieved. Further, since the metal layer 116 can reliably block light, it is possible to reliably prevent light leakage in an undesired direction.
[0142]
29 is a cross-sectional view of the surface-mounted side light emitting diode 115 viewed from the section line S29-S29 in FIG. 25, and FIG. 30 is a surface-mounted side light emitting diode viewed from the section line S30-S30 in FIG. 115 is a cross-sectional view of FIG.
[0143]
A metal layer 116 and a resin layer 118 are formed in a region on the substrate 24 where the outer peripheral surface 48 and the rear surfaces 51a and 51b of the sealing member 28 face. The inner peripheral surface 119 facing the outer peripheral surface 48 of the metal layer 116 and the outer peripheral surface 48 are in close contact with each other to form the first light reflecting surface 55. The metal layer 116 and the resin layer 118 are also formed in the region on the substrate 24 where the upper surface portion 49; 52a, 52b of the sealing member 28 faces. The lower surface 120 of the metal layer 116 facing the upper surface portions 49; 52a, 52b and the upper surface portions 49; 52a, 52b are in close contact to form the second light reflecting surface 57. The first light reflection surface 55 and the second light reflection surface 57 constitute the light reflection surface 27.
[0144]
Light from the light emitting diode element 25 is reflected by the light reflecting surface 27, guided to the light emitting surface 26, and emitted from the light emitting surface 26. Further, the light from the light emitting diode element 25 is directly guided to the light emitting surface 26 without being reflected by the light reflecting surface 27 and is emitted from the light emitting surface 26. Thus, the light emitted from the light emitting surface 26 is reflected by the light reflecting surface 27 and guided to the light emitting surface 26 without being reflected by the light reflecting surface 27. Including light.
[0145]
FIG. 31 is a diagram for explaining a procedure for forming the sealing member precursor 71, the metal layer 116, and the resin layer 118. FIG. 31A shows a case where a plurality of light emitting diode elements 25 are mounted on the substrate precursor 61. FIG. FIG. 31 (b) shows a state before closing the sealing member mold 66, and FIG. 31 (c) shows a state where the sealing member mold 66 is closed. FIG. 31D shows the second product 68b in which the sealing member precursor 71 is formed on the first product 68a, and FIG. 31E shows the metal layer 116 formed on the second product 68a. FIG. 31 (f) shows a state before closing the covering member mold 76, FIG. 31 (g) shows a state where the covering member mold 76 is closed, and FIG. h) shows the fourth product 122 in which the resin layer 118 is formed on the third product 121, and FIG. It is a flowchart for explaining the procedure for manufacturing the mount-type side-emitting diode 115. With reference to FIGS. 31 and 32, a manufacturing procedure of the surface-mounted side-surface light emitting diode 115 will be described.
[0146]
The manufacturing procedure of the surface mount type side light emitting diode 115 is similar to the manufacturing procedure of the surface mount type side light emitting diode 21 described above. Steps c1 to c3 in FIG. 32 correspond to steps a1 to a3 in FIG. 13, and FIGS. 31 (a) to 31 (d) correspond to FIGS. 9 (a) to 9 (d). Correspond to each.
[0147]
In this embodiment, as shown in FIG. 31 (b), the first product 68 a is placed in the lower mold 66 b of the sealing member mold 66 with the light emitting diode element 25 facing upward. The lower mold 66b of the sealing member mold 66 holds the first product 68a horizontally. A recess 124 is formed in the lower mold 66 b of the sealing member mold 66. The depth of the recess 124 is larger than the thickness of the substrate precursor 61, and the difference between the depth of the recess 124 and the thickness of the substrate precursor 61 is selected to be 30 μm or more and 100 μm or less. As a result, a thin film portion 117 is formed on the substrate precursor 61.
[0148]
After generating the second product 68b, in step c4, a metal is deposited on the second product 68b by, for example, a metal vapor deposition device, thereby forming a metal layer 116 on the second product 68b. A third product 121 as shown in (e) is generated.
[0149]
Next, in step c5, as shown in FIG. 31 (f), the third product 121 is placed on the lower mold 76b of the covering member mold 76, and the resin sheet 123 is placed on the third product 121. Place. The first resin sheet 123 is a resin sheet obtained by processing a B-stage type resin obtained by curing a resin having a light shielding property and a light reflecting property halfway into a sheet shape. The thickness of the resin sheet 123 is the thickness of the surface-mounted side-surface light emitting diode 115, the number of surface-mounted side-surface light emitting diodes 115 per substrate precursor 61, and the plurality of third products 121. It adjusts suitably according to the number of the 3rd products 121 at the time of forming.
[0150]
Next, in step c6, the covering member mold 76 is closed, and the third product 121 and the resin sheet 123 are pressed in directions approaching each other in a heated state. By deforming and curing the resin sheet 123 in this way, a resin layer 118 is formed as shown in FIG. The resin layer 118 is formed on the third product 121 by hot pressing in this way. Next, the covering member mold 76 is opened, and the conveying device takes out the fourth product 122 in which the resin layer 118 is formed on the third product 121 as shown in FIG.
[0151]
In step c7, the fourth product 122 is cut with a dicing blade to obtain the surface-mounted side light emitting diode 115. In this way, the production is finished at step c8.
[0152]
Since the metal layer 116 as the covering member is formed by evaporating the light reflective metal on the light reflecting surface 27 in this way, the metal layer 116 having a uniform film thickness can be easily formed and produced. Is improved.
[0153]
Further, since the metal layer 116 is directly formed on the light reflecting surface 27 of the sealing member precursor 71, the light reflecting surface 27 and the metal layer of the sealing member precursor 71, which are light-transmitting resin layers for sealing, are used. An undesired layer for confining light is not formed between the two layers. Therefore, the light from the light emitting diode element 25 is efficiently guided to the light emitting surface 26, and the light extraction efficiency is improved.
[0154]
In the present embodiment, the metal layer 116 is formed by vapor deposition. However, in still another embodiment of the present invention, the metal layer 116 may be formed by attaching a metal sheet.
[0155]
FIG. 33 is a front view of a surface-mounted side light emitting diode 131 according to still another embodiment of the present invention, and FIG. 35 is a cross-sectional view, and FIG. 35 is a cross-sectional view of the surface-mounted side-surface light-emitting diode 131 viewed from the section line S35a-S35b-S35c-S35d in FIG. The surface-mounting side surface light emitting diode 131 of the present embodiment is similar to the surface mounting type side surface light emitting diode 115 shown in FIGS. 24 to 30 described above, and corresponding portions are denoted by the same reference numerals, Further, the same numerals are attached with suffixes a and b.
[0156]
The surface-mounting side surface light emitting diode 131 of the present embodiment has a plurality (three in the present embodiment) of light emitting diode elements 25a, 25b, and 25c. The light emitting wavelengths of the light emitting diode elements 25a, 25b, and 25c may be the same or different. In the surface-mounting side surface light emitting diode 131, various light emitting colors including white can be expressed by combining light emitting diode elements 25a, 25b, and 25c having different light emission wavelengths.
[0157]
FIG. 36 is a front view of a surface-mounted side light emitting diode 136 according to still another embodiment of the present invention, FIG. 37 is a plan view of the surface-mounted side light emitting diode 136, and FIG. 39 is a bottom view of the light emitting diode 136, FIG. 39 is a side view of the surface mount type side light emitting diode 136 viewed from the right side of FIG. 36, and FIG. 40 is a surface mount type viewed from the cutting plane line S40-S40 of FIG. 41 is a cross-sectional view of the side light emitting diode 136, and FIG. 41 is a cross-sectional view of the surface-mounted side light emitting diode 136 as seen from the section line S41-S41 in FIG.
[0158]
The surface mount type side light emitting diode 136 of this embodiment is similar to the surface mount type side light emitting diode 115 shown in FIG. 24 to FIG. 30 described above, and the same parts are described with the same reference numerals. Is omitted.
[0159]
In the surface-mounted side-surface light emitting diode 136 according to the present embodiment, the sealing member 137 includes a fluorescent material in addition to the light-transmitting resin. The shape of the sealing member 137 is the same as that of the sealing member 28 of the surface-mounted side-surface light emitting diode 115 shown in FIGS. The fluorescent material in the sealing member 137 converts the light from the light emitting diode element 25 into light having a wavelength different from the wavelength of the light. That is, the fluorescent material converts the emission color.
[0160]
Here, when the white light is considered, the combination of the light emitting diode element 25 and the fluorescent material is a fluorescent material that can obtain an emission wavelength of 570 nm to 590 nm when the emission wavelength of the light emitting diode element 25 is 450 nm to 480 nm. select. As such a fluorescent material, for example, an yttrium / aluminum / garnet fluorescent material is selected. Further, in the case where the light emitting diode element 25 has an emission wavelength of 410 nm or less and an ultraviolet to near ultraviolet emission wavelength, a fluorescent material that can obtain an emission wavelength of 430 nm to 480 nm, 510 nm to 550 nm, and 610 nm to 660 nm is selected. As such a fluorescent material, for example, in the above order, BaMgAl10O17: Eu, SrAl2O4: Eu, 0.5MgF2・ 3.5MgO ・ GeO2: Mn is selected. Furthermore, by changing the blending ratio of these fluorescent materials, various emission colors other than white can be obtained.
[0161]
42 is a front view of a surface-mounting side surface light emitting diode 141 according to still another embodiment of the present invention. FIG. 43 is a front view of the surface-mounting side surface light emitting diode 141 viewed from the section line S43-S43 in FIG. 44 is a cross-sectional view, and FIG. 44 is a cross-sectional view of the surface-mounted side-surface light-emitting diode 141 as seen from the section line S44-S44 in FIG.
[0162]
The surface-mounting side surface light emitting diode 141 according to the present embodiment is similar to the surface mounting type side surface light emitting diode 115 shown in FIGS. 24 to 30 described above, and corresponding portions bear the same reference numerals.
[0163]
It should be noted that in this embodiment, when the sealing member 28 is cut along a virtual plane perpendicular to the axis of the spheroid, the cut surface is substantially semicircular and includes the virtual line including the axis. The cut surface when cut in a plane forms a semi-elliptical shape, that is, a quarter spheroid. The cut surface when cut along a virtual plane including the axis is the light exit surface 26. By forming the sealing member 28 in this way, the light reflecting surface 27 forms a part of an elliptical spherical surface, and therefore, the light from the light emitting diode element 25 can be efficiently guided to the light emitting surface 26. The taking-out efficiency can be improved.
[0164]
In still another embodiment of the present invention, the light reflection surface 27 of the sealing member 28 forms a part of a paraboloid of revolution. By forming the light reflecting surface of the sealing member 28 in this way, the light from the light emitting diode element 25 can be efficiently guided to the light emitting surface 26, and the light extraction efficiency can be improved. Furthermore, by arranging the light emitting diode element 25 at the focal point of the light reflecting surface 27 and in the vicinity thereof, parallel light is emitted from the light emitting surface 26.
[0165]
In each of the embodiments described above, the sealing member precursor 71 is formed by transfer molding. However, in still another embodiment of the present invention, the sealing member precursor 71 is formed by a low-pressure mold forming method. May be.
[0166]
FIG. 45 is a diagram for explaining another example of a procedure for forming the sealing member precursor 71 and the light-shielding resin layer 43. FIG. 45A shows a plurality of light-emitting diode elements 25 that are substrate precursors 61. FIG. 45 (b) shows a state before the sealing member mold 151 is closed, and FIG. 45 (c) shows a state where the sealing member mold 66 is closed and the resin is closed. 45 (d) shows a second product 68b in which a sealing member precursor 71 is formed on the first product 68a, and FIG. 45 (e) shows a coating member mold. 45 (f) shows a state before the covering member mold 76 is closed, and FIG. 45 (g) shows a state where the light-shielding resin layer 43 is formed on the second product 68b. 3 product 68c is shown. 45 (d) to 45 (g) correspond to FIGS. 9 (d) to 9 (g), respectively.
[0167]
First, as shown in FIG. 45A, a first product 68a in which a plurality of light emitting diode elements 25 are mounted on a substrate precursor 61 is prepared.
[0168]
Next, as shown in FIG. 9B, the first product 68a is placed on the lower mold 151b of the sealing member mold 151 with the light emitting diode element 25 facing upward.
[0169]
Next, the sealing member mold 151 is closed, and the first product 68a is sandwiched and fixed between the upper mold 151a and the lower mold 151b.
[0170]
Formed on the surface of the upper mold 151a of the sealing member mold 151 are molding spaces 70a and 70b formed on the surface of the upper mold 66a of the sealing member mold 66 shown in FIG. A similar molding space 150 is formed.
[0171]
It should be noted that in this embodiment, the liquid resin 152 is injected into the sealing member mold 151 from the resin injection port by, for example, a syringe 153, and the liquid resin 152 is injected into the sealing member mold 151. The liquid resin 152 is heated to a resin curing temperature, for example, about 150 ° C. by an oven, a hot plate, a press machine, or the like in a state where it has spread throughout the interior. As described above, in the present embodiment, the sealing member precursor 71 is formed not by transfer molding but by a low-pressure mold molding method.
[0172]
As described above, in the present embodiment, when the sealing member precursor 71 is formed, the liquid resin 152 is used instead of the tablet-shaped B-stage type resin. Or the resin can be cured by an oven. Thus, in this Embodiment, the special installation and metal mold | die for a high pressure press are unnecessary, Therefore Therefore, the cost of an installation and a metal mold | die can be reduced.
[0173]
Furthermore, it is very difficult to make a B-stage of a resin mixed with a fluorescent material, but if a liquid resin 152 is used as in this embodiment, a resin mixed with a fluorescent material or the like is easily developed. Therefore, it is possible to develop characteristic products. Furthermore, since the most suitable resin can be adopted for each product, the quality of the product can be improved.
[0174]
In each embodiment described above, the resin layer of the covering member is formed by hot pressing. However, in still another embodiment of the present invention, the resin layer of the covering member may be formed by a resin printing molding method.
[0175]
FIG. 46 is a view for explaining still another example of the procedure for forming the sealing member precursor 71 and the light-shielding resin layer 43, and FIG. 46 (a) shows a plurality of light-emitting diode elements 25 as substrate precursors. 46 shows the first product 68a mounted in FIG. 46, FIG. 46 (b) shows a state before closing the sealing member mold 151, and FIG. 46 (c) shows the sealing member mold 66 closed. FIG. 46D shows the second product 68b in which the sealing member precursor 71 is formed on the first product 68a, FIG. 46E shows the state before resin printing, and FIG. 46 (f) shows a state after resin printing, and FIG. 46 (g) shows a third product 68c in which the light-shielding resin layer 43 is formed on the second product 68b. 46 (a) to 46 (d) correspond to FIGS. 9 (a) to 9 (d), respectively.
[0176]
After the second product 68b is generated, the second product 68b is placed on a stage 156 having smoothness as shown in FIG. A suction source 157 is connected to the stage 156, and the lower surface of the second product 68b placed on the upper surface of the stage 156 is vacuum-sucked and held. On the second product 68b and the stage 156, a metal mask 158 having a resin-sealed portion as an opening is provided.
[0177]
Next, the squeegee 159 is moved in the direction of the arrow A, and the resin 160 is screen-printed on the second product 68b. This screen printing is preferably performed in a vacuum state in order to suppress entrainment and generation of bubbles. This screen printing is preferably performed by changing the state in about two or three steps within a range of 1 Pa or more and 100 Pa or less depending on the opening size of the metal mask 158 and the resin characteristics.
[0178]
After the resin 160 is screen-printed on the second product 68b, the metal mask 158 is removed, and the second product 68c on which the resin 160 is screen-printed is taken out. Next, the resin 160 screen-printed on the second product 68c is cured by an oven, whereby the light-shielding resin layer 43 is formed on the second product 68b as shown in FIG. 46 (g). 3 product 68c is obtained.
[0179]
Here, as the resin 160 used, it is necessary to select a resin having thixotropy so that the resin 160 does not flow out during screen printing. Moreover, since it is necessary to hold | maintain a shape, even when performing resin hardening with oven, it is necessary to select resin with quick gelatinization.
[0180]
In this way, by filling and curing the resin by the resin printing molding method, the light-shielding resin layer 43 that is a covering member is formed. In the formation of the covering member, the opening shape of the metal mask 158 at the time of resin printing is simple. Therefore, the light-shielding resin layer 43 as the covering member can be easily formed. Further, in the resin printing molding method, the processing capability at the time of one-time printing is large, and the productivity is improved.
[0181]
In still another embodiment of the present invention, the side surface of the light emitting diode element 25 and the surface of the sealing member 28 facing the side surface of the light emitting diode element 25 may constitute a light reflecting surface. By configuring the light reflecting surface in this manner, light is prevented from being absorbed by the light emitting diode element 25, and this also improves the light extraction efficiency.
[0182]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the light emitting surface and the light reflecting surface are formed on the sealing member, and the light from the light emitting diode element is reflected by the light reflecting surface and emitted to the outside from the light emitting surface. . Thus, the diffusion of light to the surroundings is prevented, that is, the directivity is improved, so that high luminance can be achieved.
[0183]
Light from the light emitting diode element, that is, light emitted in a direction substantially perpendicular to the substrate is reflected by the light reflecting surface and emitted in a direction in which the light emitting surface faces, that is, a direction substantially parallel to the substrate. Is done.
[0184]
Since the light reflecting surface reflects light toward the light emitting surface, the number of reflections until the light emitted from the light emitting diode element is emitted from the light emitting surface can be reduced. Therefore, the attenuation of light in the sealing member is reduced as much as possible, the light extraction efficiency is improved, and this can also increase the luminance.
[0185]
  AlsoSince the light reflecting surface of the sealing member is covered with the covering member, the light reflectance on the light reflecting surface is improved. Therefore, since the light from the light emitting diode element can be efficiently reflected by the light reflecting surface, the light extraction efficiency is improved, and thereby high luminance can be achieved.
  Moreover, since the light reflection surface of the sealing member is covered with the resin layer and the resin layer is covered with the metal layer, in addition to the light reflection surface formed on the sealing member, the resin layer is interposed between the resin layer and the metal layer. A light reflecting surface is formed. The light transmitted through the light reflecting surface formed on the sealing member is reflected by the light reflecting surface formed between the resin layer and the metal layer. Therefore, the light from the light emitting diode element can be reflected by the light reflecting surface formed on the sealing member and the light reflecting surface formed between the resin layer and the metal layer, thereby improving the light extraction efficiency. As a result, high luminance can be achieved. Further, since the metal layer can reliably block light, light leakage in an undesired direction can be reliably prevented.
[0189]
According to the invention, the sealing member includes a fluorescent material that converts the wavelength of light, and the light from the light-emitting diode element is converted in wavelength by the fluorescent material. It is emitted from. As described above, since the wavelength is converted by the fluorescent material, it is possible to realize a surface-mounted side-surface light emitting diode that emits light having a desired wavelength without changing the type of the light emitting diode element. Further, by combining a plurality of types of fluorescent materials, it is possible to emit light of various wavelengths with one type of light emitting diode element.
[0190]
According to the invention, the light-emitting diode element mounted on the substrate is sealed on the substrate with a translucent resin. The translucent resin is filled and cured by a molding method using a mold, and therefore, the shape stability is improved as compared with the case of sealing by a resin printing molding method as in the prior art. Since the shape stability is improved in this way, an extra thickness considering the variation of the shape is not necessary, and small and thin surface-mounted side light emitting diodes can be easily realized. Further, the direction in which the light is emitted is limited to the side, so that the light is prevented from being diffused to the surroundings, and the luminance can be increased. Further, the shape stability of the light emitting surface and the light reflecting surface is also improved. Therefore, the stability against light emission is improved, and the reliability as an optical component is improved.
[0191]
  AlsoSince the translucent resin layer for sealing is covered by the covering member, the light reflectance on the light reflecting surface of the translucent resin layer for sealing is improved, thereby improving the light extraction efficiency. It can be improved easily.
  In addition, after sequentially placing the first resin sheet, the metal sheet, and the second resin sheet on the light reflecting surface of the translucent resin layer for sealing, the sheet and the substrate are heated. The covering member is formed by pressing the sheets in directions close to each other and deforming and curing each sheet. Thus, since the metal sheet is provided between the first and second resin sheets, the metal sheet is reliably bonded to the light reflecting surface, light leakage from the light emitting diode element is prevented, and the light is emitted from the light emitting surface. Luminance can be improved by increasing the amount of light.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view of a surface-mounted side light emitting diode 21 according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a front view of a surface-mounted side light emitting diode 21. FIG.
FIG. 3 is a plan view of a surface-mounted side light emitting diode 21. FIG.
FIG. 4 is a bottom view of a surface-mounted side light emitting diode 21. FIG.
5 is a side view of the surface-mounted side-surface light emitting diode 21 as viewed from the right side of FIG. 2. FIG.
6 is a cross-sectional view of the surface-mounted side-surface light-emitting diode 21 as viewed from the section line S6-S6 in FIG.
7 is a cross-sectional view of the surface-mounted side-surface light-emitting diode 21 as viewed from the section line S7-S7 in FIG.
8 is a plan view of a substrate precursor 61. FIG.
9 is a diagram for explaining a procedure for forming a sealing member precursor 71 and a light-shielding resin layer 43. FIG.
10 is a perspective view showing a part of an upper mold 66a of a sealing member mold 66. FIG.
FIG. 11 is a plan view of the third product 68c as viewed from above in FIG. 9 (g).
FIG. 12 is a perspective view showing a state of cutting the third product 68c.
FIG. 13 is a flowchart for explaining a manufacturing procedure of the surface-mount side light emitting diode 21;
FIG. 14 is a perspective view of a surface-mounted side light emitting diode 91 according to another embodiment of the present invention.
15 is a front view of a surface-mounted side-surface light emitting diode 91. FIG.
FIG. 16 is a plan view of a surface-mounted side-surface light emitting diode 91. FIG.
FIG. 17 is a bottom view of a surface-mounted side-surface light emitting diode 91. FIG.
18 is a side view of the surface-mounted side-surface light emitting diode 91 viewed from the right side of FIG.
19 is a cross-sectional view of a surface-mounted side-surface light emitting diode 91 as viewed from the section line S19-S19 in FIG.
20 is a cross-sectional view of the surface-mounted side-surface light emitting diode 91 as seen from the section line S20-S20 in FIG.
FIG. 21 is a diagram for explaining a procedure for forming a sealing member precursor 71, a first resin layer 92, a metal layer 93, and a second resin layer 94.
22 is a flowchart for explaining a manufacturing procedure of the surface-mounted side-surface light emitting diode 91. FIG.
23 is a diagram for explaining a procedure for forming a sealing member precursor 71, a first resin layer 111, a metal layer 93, and a second resin layer 94. FIG.
FIG. 24 is a perspective view of a surface-mounted side light emitting diode 115 according to still another embodiment of the present invention.
FIG. 25 is a front view of a surface-mounted side-surface light emitting diode 115. FIG.
FIG. 26 is a plan view of a surface-mounted side light emitting diode 115. FIG.
FIG. 27 is a bottom view of the surface-mounted side-surface light emitting diode 115. FIG.
28 is a side view of the surface mount type side light emitting diode 115 as seen from the right side of FIG. 25. FIG.
29 is a cross-sectional view of the surface-mounted side-surface light emitting diode 115 as seen from the section line S29-S29 in FIG.
30 is a cross-sectional view of the surface-mounted side-surface light emitting diode 115 as viewed from the section line S30-S30 in FIG.
FIG. 31 is a diagram for explaining a procedure for forming a sealing member precursor 71, a metal layer 116, and a resin layer 118;
FIG. 32 is a flowchart for explaining a manufacturing procedure of the surface-mount type side surface light emitting diode 115;
FIG. 33 is a front view of a surface-mounting side surface light emitting diode 131 according to still another embodiment of the present invention.
34 is a cross-sectional view of the surface-mounted side-surface light emitting diode 131 viewed from the section line S34-S34 in FIG.
35 is a cross-sectional view of the surface-mount type side surface light emitting diode 131 viewed from the section line S35a-S35b-S35c-S35d in FIG.
FIG. 36 is a front view of a surface-mounted side light emitting diode 136 according to still another embodiment of the present invention.
FIG. 37 is a plan view of a surface-mounted side-surface light emitting diode 136. FIG.
FIG. 38 is a bottom view of the surface-mounted side-surface light emitting diode 136. FIG.
FIG. 39 is a side view of the surface mount type side light emitting diode 136 as seen from the right side of FIG. 36;
40 is a cross-sectional view of the surface-mount type side surface light emitting diode 136 as seen from the section line S40-S40 in FIG. 36. FIG.
41 is a cross-sectional view of the surface-mount type side surface light emitting diode 136 as viewed along the section line S41-S41 in FIG. 36. FIG.
FIG. 42 is a front view of a surface-mounting side surface light emitting diode 141 according to still another embodiment of the present invention.
43 is a cross-sectional view of the surface-mounted side-surface light-emitting diode 141 as viewed along the cutting plane line S43-S43 in FIG.
44 is a cross-sectional view of the surface-mounted side-surface light-emitting diode 141 as viewed along the cutting plane line S44-S44 in FIG.
45 is a diagram for explaining another example of the procedure for forming the sealing member precursor 71 and the light-shielding resin layer 43. FIG.
46 is a view for explaining still another example of the procedure for forming the sealing member precursor 71 and the light-shielding resin layer 43. FIG.
FIG. 47 is a perspective view showing a conventional surface-mounting side surface light emitting diode 1;
FIG. 48 is a perspective view showing another conventional surface-mounting side surface light emitting diode 11;
[Explanation of symbols]
21, 91, 115, 131, 136, 141 Surface mount type side surface light emitting diode
22a Surface
23a, 23b electrode
24 Substrate
25 Light-emitting diode elements
26 Light exit surface
27 Light reflecting surface
28,137 Sealing member
41 Light emitting area
42 Fine metal wire
43 Light-shielding resin layer
66,151 Mold for sealing member
71 Sealing member precursor
76 Mold for coating member
78 Light-shielding resin sheet
92,111 First resin layer
93,116 metal layer
94 Second resin layer
102,113 First resin sheet
103 metal sheet
104 Second resin sheet
118 Resin layer
123 Resin sheet

Claims (3)

表面に一対の電極を有する基板と、
基板の一方の電極に導電性接着剤によって電気的に接続され、かつ基板の他方の電極に金属細線によって電気的に接続されて前記基板に実装され、基板に対して略垂直な方向に臨む発光領域を有する発光ダイオード素子と、
発光ダイオード素子を前記基板上で封止する透光性樹脂を充填および硬化して、発光ダイオード素子の側方に光出射面が形成され、かつ発光ダイオード素子の周囲に前記光出射面に向かって光を反射する光反射面が形成される封止部材とを含み、
前記封止部材の光反射面を被覆する被覆部材をさらに含み、
前記被覆部材は、樹脂から成る樹脂層と、光反射性を有する金属から成る金属層とを含み、
前記樹脂層は、前記封止部材の光反射面を被覆し、
前記金属層は、樹脂層を被覆することを特徴とする表面実装型側面発光ダイオード。A substrate having a pair of electrodes on the surface;
Light emission that is electrically connected to one electrode of the substrate by a conductive adhesive and electrically connected to the other electrode of the substrate by a thin metal wire and mounted on the substrate, facing in a direction substantially perpendicular to the substrate A light emitting diode element having a region;
Filling and curing a translucent resin that seals the light emitting diode element on the substrate, a light emitting surface is formed on the side of the light emitting diode element, and toward the light emitting surface around the light emitting diode element And a sealing member on which a light reflecting surface that reflects light is formed,
A coating member that covers the light reflecting surface of the sealing member;
The covering member includes a resin layer made of a resin and a metal layer made of a metal having light reflectivity,
The resin layer covers the light reflecting surface of the sealing member,
The surface-mount type side surface light emitting diode, wherein the metal layer covers a resin layer. 前記封止部材は、光の波長を変換する蛍光材料を含むことを特徴とする請求項１記載の表面実装型側面発光ダイオード。The surface-mounting side surface light emitting diode according to claim 1 , wherein the sealing member includes a fluorescent material that converts a wavelength of light. 表面に一対の電極を有する基板に、発光ダイオード素子を実装し、
前記基板上の発光ダイオード素子の周囲に透光性樹脂を、金型内で充填および硬化して、発光ダイオード素子の側方に光出射面と、発光ダイオード素子の周囲に前記光出射面に向かって光を反射する光反射面とを形成して、基板上の発光ダイオード素子を封止し、
前記封止のための透光性樹脂層の光反射面を被覆部材によって被覆し、
前記被覆部材は、樹脂から成る第１樹脂シートと、光反射性を有する金属から成る金属シートと、樹脂から成る第２樹脂シートとを、前記封止のための遮光性樹脂層の光反射面上に順次載置し、
これらのシートおよび前記基板を加熱した状態で相互に近接する方向に押し付け、各シートを変形および硬化することによって形成されることを特徴とする表面実装型側面発光ダイオードの製造方法。 A light emitting diode element is mounted on a substrate having a pair of electrodes on the surface,
A light-transmitting resin is filled and cured in a mold around the light-emitting diode element on the substrate, and the light-emitting surface is formed on the side of the light-emitting diode element, and the light-emitting diode element is directed toward the light-emitting surface. Forming a light reflecting surface that reflects light, sealing the light emitting diode element on the substrate,
Covering the light reflecting surface of the translucent resin layer for sealing with a covering member,
The covering member includes a first resin sheet made of resin , a metal sheet made of light-reflective metal, and a second resin sheet made of resin, and the light-reflecting surface of the light-shielding resin layer for the sealing Placed sequentially on top,
Pressing in a direction coming close to each other the sheets and the substrate while heating method for surface mount side-emitting diode you being formed by deforming and curing the sheets.
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4615981B2 (en) * 2004-12-08 2011-01-19 スタンレー電気株式会社 Light emitting diode and manufacturing method thereof
KR100621154B1 (en) * 2005-08-26 2006-09-07 서울반도체 주식회사 Manufacturing method of light emitting diode
KR101235460B1 (en) 2006-02-14 2013-02-20 엘지이노텍 주식회사 Side-View Type Light Emitting Diode and Manufacturing Method thereof
JP4855869B2 (en) * 2006-08-25 2012-01-18 日亜化学工業株式会社 Method for manufacturing light emitting device
JP4650378B2 (en) * 2006-08-31 2011-03-16 日亜化学工業株式会社 Method for manufacturing light emitting device
US20080290359A1 (en) * 2007-04-23 2008-11-27 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method of the same
JP5584117B2 (en) 2007-05-20 2014-09-03 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Design parameters of light reuse type thin hollow cavity backlight
TWI439641B (en) 2007-05-20 2014-06-01 3M Innovative Properties Co Collimating light injectors for edge-lit backlights
US8469575B2 (en) 2007-05-20 2013-06-25 3M Innovative Properties Company Backlight and display system using same
JP5336474B2 (en) 2007-05-20 2013-11-06 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Recyclable backlight with semi-specular components
JP2008311506A (en) * 2007-06-15 2008-12-25 Harvatek Corp Sealing method for light emitting diode chip having high-efficiency light emission effect, and sealing structure thereof
KR101571576B1 (en) 2008-02-07 2015-11-24 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 Hollow backlight with structured films
WO2009105450A1 (en) 2008-02-22 2009-08-27 3M Innovative Properties Company Backlights having selected output light flux distributions and display systems using same
JP2009246353A (en) * 2008-03-10 2009-10-22 Opt Link Co Ltd Low-profile led light source device and low-profile led light source device manufacturing method
CN102057319B (en) 2008-06-04 2014-02-26 3M创新有限公司 Hollow backlight with tilted light source
JP2010225754A (en) * 2009-03-23 2010-10-07 Stanley Electric Co Ltd Semiconductor light emitting device
JP5286122B2 (en) * 2009-03-23 2013-09-11 スタンレー電気株式会社 Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device
JP5396215B2 (en) * 2009-09-24 2014-01-22 スタンレー電気株式会社 Semiconductor light emitting device manufacturing method, semiconductor light emitting device, and liquid crystal display device
JP5436353B2 (en) * 2010-06-22 2014-03-05 スタンレー電気株式会社 Light emitting device
CN102760816A (en) * 2011-04-26 2012-10-31 展晶科技(深圳)有限公司 LED (light emitting diode) packaging structure and manufacturing method thereof
JP2014120619A (en) * 2012-12-17 2014-06-30 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP6438648B2 (en) * 2013-11-15 2018-12-19 日亜化学工業株式会社 Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
JP6299176B2 (en) * 2013-11-22 2018-03-28 日亜化学工業株式会社 LIGHT EMITTING DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND LIGHTING DEVICE EQUIPPED WITH THE LIGHT EMITTING DEVICE
KR20150064463A (en) 2013-12-03 2015-06-11 삼성디스플레이 주식회사 Light emitting diode package and display device having the same as light source
JP6349904B2 (en) * 2014-04-18 2018-07-04 日亜化学工業株式会社 Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
JP2017098398A (en) * 2015-11-24 2017-06-01 豊田合成株式会社 Light-emitting device and lighting device
ITUB20161150A1 (en) * 2016-02-29 2017-08-29 Osram Gmbh PROCEDURE FOR REALIZING LIGHTING AND CORRESPONDENT DEVICES
CN107994109A (en) * 2016-10-27 2018-05-04 佛山市国星光电股份有限公司 A kind of COB display modules and its manufacture method
CN108987548A (en) * 2017-05-31 2018-12-11 展晶科技(深圳)有限公司 Light-emitting diode encapsulation structure and preparation method thereof, planar light source mould group
JP2024111464A (en) * 2023-02-06 2024-08-19 Ｎｉｓｓｈａ株式会社 Resin molded product with electronic components and its manufacturing method

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2948412B2 (en) * 1992-05-08 1999-09-13 ローム株式会社 Method for manufacturing side-emitting semiconductor light emitting device
JP3065258B2 (en) * 1996-09-30 2000-07-17 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and display device using the same
JP3472417B2 (en) * 1996-10-22 2003-12-02 シャープ株式会社 Side-emitting chip LED and liquid crystal display
JP3887124B2 (en) * 1999-04-30 2007-02-28 ローム株式会社 Chip-type semiconductor light emitting device
JP2001094157A (en) * 1999-09-24 2001-04-06 Sharp Corp Chip component type light emitting diode and manufacturing method thereof
JP2001196640A (en) * 2000-01-12 2001-07-19 Sharp Corp Side light emitting led device and its manufacturing method
JP2001257381A (en) * 2000-03-13 2001-09-21 Sharp Corp Light-emitting diode, manufacturing method therefor and illumination device
JP2002170998A (en) * 2000-12-01 2002-06-14 Sharp Corp Semiconductor light emitting device and its manufacturing method

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