KR101346706B1 - Light emitting device - Google Patents

Light emitting device Download PDF

Info

Publication number
KR101346706B1
KR101346706B1 KR1020110100703A KR20110100703A KR101346706B1 KR 101346706 B1 KR101346706 B1 KR 101346706B1 KR 1020110100703 A KR1020110100703 A KR 1020110100703A KR 20110100703 A KR20110100703 A KR 20110100703A KR 101346706 B1 KR101346706 B1 KR 101346706B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting chip
light
chip array
hill
Prior art date
Application number
KR1020110100703A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130036548A (en
Inventor
백준승
오대근
Original Assignee
우리이앤엘 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 우리이앤엘 주식회사 filed Critical 우리이앤엘 주식회사
Priority to KR1020110100703A priority Critical patent/KR101346706B1/en
Publication of KR20130036548A publication Critical patent/KR20130036548A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101346706B1 publication Critical patent/KR101346706B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body

Abstract

본 개시는 전원전달 기판; 전원전달 기판 위에 직접 실장된 적어도 하나의 발광칩을 포함하는 제1 발광칩 어레이(array); 전원전달 기판 위에 직접 실장된 적어도 하나의 발광칩을 포함하는 제2 발광칩 어레이; 제1 발광칩 어레이 및 제2 발광칩 어레이 사이의 전원전달 기판 위에 위치하며, 발광칩으로부터 나온 빛을 반사하는 광반사 언덕; 그리고 제1 발광칩 어레이, 광반사 언덕 및 제2 발광칩 어레이를 함께 덮는 봉지재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure provides a power supply substrate; A first light emitting chip array including at least one light emitting chip mounted directly on a power transfer substrate; A second light emitting chip array including at least one light emitting chip mounted directly on a power transfer substrate; A light reflection hill positioned on a power transfer substrate between the first light emitting chip array and the second light emitting chip array and reflecting light emitted from the light emitting chip; And an encapsulation material covering the first light emitting chip array, the light reflection hill, and the second light emitting chip array together.

Description

발광소자{LIGHT EMITTING DEVICE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE [0002]

본 개시는 전체적으로 발광소자에 관한 것으로, 특히 휘도가 향상된 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure generally relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device having improved luminance.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

일반적으로 LED(Light Emitting Diode)는 주로 표면실장소자(surface mount device; SMD) 방식으로 패키지화되어, 어레이 형태로 인쇄 회로 기판(printed circuit board; PCB)에 실장되어 사용되고 있다.In general, a light emitting diode (LED) is mainly packaged in a surface mount device (SMD) method and mounted on a printed circuit board (PCB) in an array form.

LED 패키지는 프레임 및 전극으로 사용되는 리드전극에 발광칩을 다이 어태칭하고, 발광칩과 리드전극을 와이어본딩한 다음, 수지재를 리드전극과 일체화시켜 캐비티를 구비하는 패키지 본체를 성형하여 제조하였다.The LED package was manufactured by die attaching a light emitting chip to a lead electrode used as a frame and an electrode, wire bonding the light emitting chip and the lead electrode, and then molding a package body having a cavity by integrating a resin material with the lead electrode.

그러나 이러한 LED 패키지는 반사부가 되는 캐비티로 인해 발광칩에서 발생된 빛의 지향각을 넓히는데 한계가 있고, 하나의 패키지를 제조하는데 소요되는 비용이 크기 때문에 제조원가를 낮추는데 문제점이 있었다.However, the LED package has a limitation in widening the directivity angle of the light generated by the light emitting chip due to the cavity used as a reflector, and there is a problem in lowering the manufacturing cost because the cost of manufacturing one package is large.

이에 따라 발광칩을 직접 인쇄회로기판에 다이본딩(Die Bonding)하고 금속와이어를 매개로 와이어본딩(Wire Bonding)하여 전기적 연결을 하는 COB(Chip On Board)형 LED패키지가 사용되고 있다.Accordingly, a COB (Chip On Board) type LED package is used which directly connects a light emitting chip to a printed circuit board and performs electrical connection by wire bonding through a metal wire.

도 1은 일본공개특허 제2007-234968호에 개시된 발광소자를 나타내는 도면이고, 도 2는 일본특허공보 제2010-225607호에 개시된 발광소자를 나타내는 도면으로서, 발광칩을 직접 기판에 실장하는 경우에도, 발광칩 각각에 대해 주변에 광반사 구조가 형성되고, 각각의 광반사 구조 내의 발광칩이 형광체로 봉지되는 구성이 개시되어 있다. 도 1에서 시트(4)를 기판(1) 위에 부착하며, 시트(4)에 형성된 개구마다 발광칩을 배치하고 개구 내부에만 형광체(3a)를 배치하는 구조가 제시되어 있고, 도 2에서는 각 발광칩(3)을 둘러서 경사진 반사컵(4a)이 구비되어 있지만, 마찬가지로, 형광체(5)가 반사컵(4a) 내부에만 위치하는 구조가 제시되어 있다.1 is a view showing a light emitting device disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2007-234968, and FIG. 2 is a view showing a light emitting device disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2010-225607, even when the light emitting chip is directly mounted on a substrate. A light reflection structure is formed around each of the light emitting chips, and a light emitting chip in each light reflection structure is sealed with a phosphor. In FIG. 1, a structure in which the sheet 4 is attached to the substrate 1, the light emitting chip is disposed in each opening formed in the sheet 4, and the phosphor 3a is disposed only inside the opening is shown. Although a reflecting cup 4a inclined around the chip 3 is provided, a structure in which the phosphor 5 is located only inside the reflecting cup 4a is shown.

그러나 상기와 같은 방식은 발광칩마다 광반사 구조를 형성하고 발광칩 각각을 형광체를 함유하는 수지로 봉지해야 하므로 공정이 복잡하고 비용이 증가하는 문제가 있었다. 또한, 발광칩으로부터 나온 빛의 지향각을 넓히는 데에 한계가 있으며, 형광체에 의한 빛의 혼합도 충분하지 못한 문제가 있었다.However, the above-described method has a problem in that the process is complicated and the cost increases because a light reflection structure must be formed for each light emitting chip and each light emitting chip must be encapsulated with a resin containing a phosphor. In addition, there is a limit to widening the directivity angle of the light emitted from the light emitting chip, there is a problem that the mixing of light by the phosphor is not enough.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 전원전달 기판; 전원전달 기판 위에 직접 실장된 적어도 하나의 발광칩을 포함하는 제1 발광칩 어레이(array); 전원전달 기판 위에 직접 실장된 적어도 하나의 발광칩을 포함하는 제2 발광칩 어레이; 제1 발광칩 어레이 및 제2 발광칩 어레이 사이의 전원전달 기판 위에 위치하며, 발광칩으로부터 나온 빛을 반사하는 광반사 언덕; 그리고 제1 발광칩 어레이, 광반사 언덕 및 제2 발광칩 어레이를 함께 덮는 봉지재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, a power delivery substrate; A first light emitting chip array including at least one light emitting chip mounted directly on a power transfer substrate; A second light emitting chip array including at least one light emitting chip mounted directly on a power transfer substrate; A light reflection hill positioned on a power transfer substrate between the first light emitting chip array and the second light emitting chip array and reflecting light emitted from the light emitting chip; And an encapsulation material covering the first light emitting chip array, the light reflection hill, and the second light emitting chip array together.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 기판에 발광칩이 실장된 종래의 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 기판에 발광칩이 실장된 종래의 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따른 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 발광칩의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 도 3에 도시된 발광소자를 A-A 선을 따라 절단한 단면을 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면,
도 7은 도 6에 도시된 발광소자를 B-B 선을 따라 절단한 단면을 나타내는 도면.1 is a view showing an example of a conventional light emitting device in which a light emitting chip is mounted on a substrate;
2 is a view showing another example of a conventional light emitting device in which a light emitting chip is mounted on a substrate;
3 is a view showing an example of a light emitting device according to the present disclosure;
4 is a view showing an example of a light emitting chip;
5 is a cross-sectional view taken along line AA of the light emitting device shown in FIG. 3;
6 is a view showing another example of a light emitting device according to the present disclosure;
7 is a cross-sectional view taken along line BB of the light emitting device shown in FIG. 6.

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing (s).

도 3은 본 개시에 따른 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다.3 is a view illustrating an example of a light emitting device according to the present disclosure.

발광소자(105)는 전원전달기판(200), 제1 발광칩 어레이(101), 제2 발광칩 어레이(102), 제3 발광칩 어레이(103), 제1 광반사 언덕(210), 제2 광반사 언덕(220) 및 봉지재(250: 도 5참조)를 포함한다.The light emitting device 105 includes a power transmission board 200, a first light emitting chip array 101, a second light emitting chip array 102, a third light emitting chip array 103, a first light reflection hill 210, and a second light emitting chip 210. 2 includes a light reflection hill 220 and an encapsulant 250 (see FIG. 5).

전원전달기판(200)은 인쇄회로기판으로서, 다양한 타입의 기판이 채택될 수 있다. 예를 들어, 전원전달기판(200)은 폴리수지기판 또는 금속기판 등이 될 수 있으며, 외부로부터 인가된 전원이 전달되는 회로를 구비한다. 회로는 전원전달기판(200)에 실장된 발광칩(100)과 전기적으로 연결된다.The power transfer board 200 is a printed circuit board, and various types of boards may be adopted. For example, the power transmission substrate 200 may be a poly resin substrate or a metal substrate, and has a circuit to which power applied from the outside is transferred. The circuit is electrically connected to the light emitting chip 100 mounted on the power transmission board 200.

제1, 제2 및 제3 발광칩 어레이(101, 102, 103)는 각기 적어도 하나의 발광칩(100)을 구비한다. 발광칩(100)은 전원전달기판(200)에 자체가 실장되며, COB 방식이 적용될 수 있다. 제1, 제2 및 제3 발광칩 어레이(101, 102, 103)가 전원전달기판(200) 위에 배열되는 방식은 다양하게 변경될 수 있다.Each of the first, second, and third light emitting chip arrays 101, 102, and 103 includes at least one light emitting chip 100. The light emitting chip 100 may be mounted on the power transmission board 200, and a COB method may be applied. The manner in which the first, second, and third light emitting chip arrays 101, 102, and 103 are arranged on the power transmission board 200 may be variously changed.

도 4는 발광칩의 일 예를 나타내는 도면이다.4 is a diagram illustrating an example of a light emitting chip.

발광칩(100)은 LED(Light Emitting Diode)를 그 대표적인 예로 하며, 이외에도 LD(Laser Diode) 등을 예로 들 수 있다. 예를 들어, 발광칩(100)은 기판(10), 기판(10) 위에 순차로 적층된 버퍼층(20), n형 반도체층(30)(예; n형 GaN층), 활성층(40), p형 반도체층(50)(예; p형 GaN층) 및 투광성 전도막(60)을 포함하며, n형 반도체층(30) 위에 위치한 n측 패드전극(80) 및 투광성 전도막(60) 위에 위치한 p측 패드전극(70)을 포함한다. P측 패드전극(70) 및 n측 패드전극(80)에는 와이어(75, 85)가 본딩되어 있고, 와이어(75, 85)에 의해 각 어레이의 발광칩(100)은 직렬연결되어 있다. 활성층(40)에서 발생된 빛은 발광칩(100)의 상측으로 나오며 일부의 빛은 발광칩(100)의 측면으로 나온다.The light emitting chip 100 may include a light emitting diode (LED) as a representative example, and may also include a laser diode (LD). For example, the light emitting chip 100 may include a substrate 10, a buffer layer 20 sequentially stacked on the substrate 10, an n-type semiconductor layer 30 (eg, an n-type GaN layer), an active layer 40, a p-type semiconductor layer 50 (e.g., a p-type GaN layer) and a light-transmissive conductive film 60, and is disposed on the n-side pad electrode 80 and the light-transmissive conductive film 60 positioned on the n-type semiconductor layer 30. And a p-side pad electrode 70 positioned thereon. Wires 75 and 85 are bonded to the P-side pad electrode 70 and the n-side pad electrode 80, and the light emitting chips 100 of each array are connected in series by the wires 75 and 85. Light generated from the active layer 40 is emitted to the upper side of the light emitting chip 100 and some light is emitted to the side of the light emitting chip 100.

제1, 제2 및 제3 발광칩 어레이(101, 102, 103)의 양측 끝에 대응하여제1 본딩패드(201) 및 제2 본딩패드(202)가 전원전달기판(200)에 구비되어 있고 와이어(75, 85)에 의해 발광칩(100)과 각각 연결되어 전원을 전달한다. The first bonding pad 201 and the second bonding pad 202 are provided on the power transmission board 200 to correspond to both ends of the first, second, and third light emitting chip arrays 101, 102, 103. It is connected to the light emitting chip 100 by 75 and 85 to transfer power.

발광칩의 타입 및 발광칩이 전원전달기판(200)에 전기적으로 연결되는 방식은 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들어, 발광칩이 도 4에 도시된 것과 다르게 수직형 발광칩인 경우, 발광칩 하부의 전극이 전원전달기판(200)에 직접 전기적으로 접촉될 수 있다.The type of the light emitting chip and the manner in which the light emitting chip is electrically connected to the power transmission board 200 may be variously changed. For example, when the light emitting chip is a vertical light emitting chip different from that shown in FIG. 4, an electrode under the light emitting chip may be in direct electrical contact with the power transmission board 200.

도 5은 도 3에 도시된 발광소자를 A-A 선을 따라 절단한 단면을 나타내는 도면이다.5 is a cross-sectional view of the light emitting device illustrated in FIG. 3 taken along line A-A.

제1 및 제2 광반사 언덕(210, 220)은 제1, 제2 및 제3 발광칩 어레이(101, 102, 103)를 따라 전원전달기판(200) 위에서 뻗어 있다. 제1 광반사 언덕(210)은 제1 발광칩 어레이(101)와 제2 발광칩 어레이(102)의 사이에 위치하며, 제2 광반사 언덕(220)은 제2 발광칩 어레이(102)와 제3 발광칩 어레이(103)의 사이에 위치한다.The first and second light reflection hills 210 and 220 extend on the power transfer substrate 200 along the first, second and third light emitting chip arrays 101, 102 and 103. The first light reflecting hill 210 is positioned between the first light emitting chip array 101 and the second light emitting chip array 102, and the second light reflecting hill 220 is connected to the second light emitting chip array 102. It is located between the third light emitting chip array 103.

제1 및 제2 광반사 언덕(210, 220)의 측면(경사면)은 전원전달기판(200)과 경사를 이루며, 발광칩(100)으로부터 나온 빛을 전원전달기판(200)의 상측으로 반사한다. 제1 및 제2 광반사 언덕(210, 220)의 재질은 광반사율이 좋은 재질이면 금속 및 비금속 모두 사용될 수 있다. 제1 및 제2 광반사 언덕(210, 220)은 적어도 표면이 금속으로 형성될 수 있으며, 광반사율이 좋은 은(Ag)과 같은 금속으로 형성될 수 있다. 금속을 사용하는 경우 금속을 도 3 및 도 5에 도시된 제1 및 제2 광반사 언덕(210, 220)과 같은 형상으로 만든 후에 전원전달기판(200)에 부착시킬 수 있다. 또는 은을 도포(dispenser)하는 공정을 반복하여 일정한 두께로 제1 및 제2 광반사 언덕(210, 220)을 형성할 수도 있다. 이와 다르게, 광반사 잉크(PSR INK)를 전원전달기판(200)에 프린팅(printing) 및 경화(curing) 공정을 반복하여 일정한 두께로 제1 및 제2 광반사 언덕(210, 220)을 형성할 수도 있다.Side surfaces (inclined surfaces) of the first and second light reflection hills 210 and 220 form an inclination with the power transmission board 200, and reflect light emitted from the light emitting chip 100 to the upper side of the power transmission board 200. . The material of the first and second light reflection hills 210 and 220 may be both metal and nonmetal as long as the material has good light reflectivity. The first and second light reflection hills 210 and 220 may be formed of at least a surface of a metal, and may be formed of a metal such as silver (Ag) having good light reflectivity. In the case of using the metal, the metal may be formed in the same shape as the first and second light reflection hills 210 and 220 illustrated in FIGS. 3 and 5, and then attached to the power transmission board 200. Alternatively, the first and second light reflection hills 210 and 220 may be formed to have a predetermined thickness by repeating the process of dispensing silver. Alternatively, the first and second light reflection hills 210 and 220 may be formed to a predetermined thickness by repeating the printing and curing processes of the light reflection ink PSR INK on the power transmission substrate 200. It may be.

봉지재(250)는 도 5에 도시된 것과 같이 제1, 제2 및 제3 발광칩 어레이(101, 102, 103)와 제1 및 제2 광반사 언덕(210, 220)을 함께 덮는다. 봉지재(250)는 투명한 수지로만 형성되거나 수지와 수지에 분산된 형광체를 포함할 수 있다. 발광소자(105)로부터 나오는 빛의 요구되는 색상에 따라 발광칩(100)과 형광체가 조합될 수 있다. 예를 들어, 청색광을 내는 발광칩(100)과 옐로우 형광체를 조합하여 발광소자(105)는 백색 빛을 낼 수 있다.The encapsulant 250 covers the first, second, and third light emitting chip arrays 101, 102, and 103 and the first and second light reflection hills 210 and 220 together, as shown in FIG. 5. The encapsulant 250 may be formed of only a transparent resin or may include a resin and a phosphor dispersed in the resin. The light emitting chip 100 and the phosphor may be combined according to the required color of the light emitted from the light emitting device 105. For example, the light emitting device 105 may emit white light by combining the light emitting chip 100 emitting blue light and the yellow phosphor.

전원전달기판(200)으로부터 광반사 언덕의 높이는 봉지재의 양과 발광소자(105)로부터 나오는 빛의 지향각에 영향을 줄 수 있다. 도 5에는 제1 및 제2 광반사 언덕(210, 220)의 높이가 발광칩(100)의 높이보다 높은 경우가 예시되어 있으며, 제1 및 제2 광반사 언덕(210, 220)의 높이가 발광칩(100)의 높이보다 낮은 경우도 가능하다.The height of the light reflection hill from the power transmission board 200 may affect the amount of encapsulant and the directing angle of the light emitted from the light emitting device 105. 5 illustrates a case in which the heights of the first and second light reflection hills 210 and 220 are higher than the heights of the light emitting chips 100, and the heights of the first and second light reflection hills 210 and 220 are increased. It is also possible to lower the height of the light emitting chip 100.

봉지재(250)의 가장자리에 추가적인 광반사 언덕을 형성하고 봉지재(250)가 추가적인 광반사 언덕을 넘지 않도록 하여 봉지재(250)가 채워지는 영역을 한정할 수 있다.An additional light reflection hill may be formed at the edge of the encapsulant 250 and the encapsulant 250 may not be allowed to cross the additional light reflection hill to define an area in which the encapsulant 250 is filled.

제1, 제2 및 제3 발광칩 어레이(101, 102, 103)로부터 나온 빛은 봉지재(250) 내에서 혼합되며, 봉지재(250)가 제1, 제2 및 제3 발광칩 어레이(101, 102, 103)와 제1 광반사 언덕(210) 및 제2 광반사 언덕(220)을 함께 덮기 때문에 발광칩(100) 마다 형광체를 도포하는 경우에 비하여 빛이 더 잘 혼합 및 확산된다.Light emitted from the first, second and third light emitting chip arrays 101, 102, and 103 is mixed in the encapsulant 250, and the encapsulant 250 is formed of the first, second and third light emitting chip arrays ( Since 101, 102, and 103 and the first light reflection hill 210 and the second light reflection hill 220 are covered together, the light is better mixed and diffused than when the phosphor is applied to each light emitting chip 100.

또한, 옆으로 향하여 발광소자(105)의 전방 휘도에 기여하지 못하는 빛이 제1 및 제2 광반사 언덕(210, 220)에 의해 발광소자(105)의 전방으로 향하게 되므로 발광소자(105)의 전방 휘도가 향상되며, 발광칩(100)마다 광반사 구조를 구비하지 않고, 전술된 것과 같이 간단하게 광반사 언덕을 형성하여 이러한 향상이 달성된다.In addition, since light that does not contribute to the front luminance of the light emitting device 105 toward the side is directed toward the front of the light emitting device 105 by the first and second light reflection hills 210 and 220, The front luminance is improved, and this improvement is achieved by simply forming a light reflection hill as described above, without having a light reflection structure for each light emitting chip 100.

도 6는 본 개시에 따른 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면이다. 도 7은 도 6에 도시된 발광소자를 B-B 선을 따라 절단한 단면을 나타내는 도면이다.6 is a view showing another example of a light emitting device according to the present disclosure. FIG. 7 is a cross-sectional view of the light emitting device illustrated in FIG. 6 taken along line B-B.

발광소자(605)는 발광칩 어레이의 배열 형태 및 광반사 언덕의 형상을 제외하고는 도 3 내지 도 5에서 설명된 발광소자(105)와 실질적으로 동일하다. 따라서 중복된 설명은 생략한다.The light emitting device 605 is substantially the same as the light emitting device 105 described with reference to FIGS. 3 to 5 except for the arrangement form of the light emitting chip array and the shape of the light reflection hill. Therefore, redundant description is omitted.

전원전달기판(700)은 원판 형상을 가지며, 제1, 제2 및 제3 발광칩 어레이(601, 602, 603)의 발광칩(600)은 동심원을 갖도록 전원전달기판(700)에 배열되어 있다. 전원전달기판(700)의 내측으로부터 외측으로 제1 발광칩 어레이(601), 제2 발광칩 어레이(602) 및 제3 발광칩 어레이(603)가 전원전달기판(700) 위에 위치한다.The power transmission board 700 has a disk shape, and the light emitting chips 600 of the first, second and third light emitting chip arrays 601, 602, and 603 are arranged on the power transmission board 700 so as to have concentric circles. . The first light emitting chip array 601, the second light emitting chip array 602, and the third light emitting chip array 603 may be positioned on the power transfer substrate 700 from the inside of the power transfer substrate 700 to the outside thereof.

제1, 제2 및 제3 광반사 언덕(710, 720, 730)은 동심원을 갖도록 전원전달기판(700) 위에 형성되며, 제1 광반사 언덕(710)은 제1 발광칩 어레이(601)와 제2 발광칩 어레이(602)의 사이에 위치하며, 제2 광반사 언덕(720)은 제2 발광칩 어레이(602)와 제3 발광칩 어레이(603)의 사이에 위치한다. 제3 광반사 언덕(730)은 전원전달기판(700)의 가장자리에 형성되며, 봉지재(650)가 채워지는 영역을 한정할 수 있다.The first, second, and third light reflection hills 710, 720, and 730 are formed on the power transmission board 700 to have concentric circles, and the first light reflection hills 710 may be formed of the first light emitting chip array 601. The second light reflecting hill 720 is positioned between the second light emitting chip array 602, and the second light reflecting hill 720 is located between the second light emitting chip array 602 and the third light emitting chip array 603. The third light reflection hill 730 may be formed at an edge of the power transmission board 700 and may define an area in which the encapsulant 650 is filled.

제1, 제2 및 제3 광반사 언덕(710, 720, 730)은 각기 전원전달기판(700)으로부터 돌출된 돌기부(731) 및 돌기부 표면에 형성된 광반사막(732)를 포함한다. 광반사막(732)은 은 또는 알루미늄과 같이 광반사율이 좋은 금속으로 도포되거나 도금되어 형성될 수 있다. 또는, 광반사막(732)이 생략되고, 전원전달기판(700)의 표면 전체에 도포되는 반사층이 돌기부(731) 표면까지 형성되어 광반사 언덕이 형성될 수도 있다. The first, second, and third light reflection hills 710, 720, and 730 each include a protrusion 731 protruding from the power transmission board 700 and a light reflection film 732 formed on the surface of the protrusion. The light reflection film 732 may be formed by coating or plating a metal having good light reflectance such as silver or aluminum. Alternatively, the light reflection film 732 may be omitted, and a reflective layer applied to the entire surface of the power transmission substrate 700 may be formed to the surface of the protrusion 731 to form a light reflection hill.

봉지재(650)는 제1, 제2 및 제3 발광칩 어레이(601, 602, 603)와 제1 및 제2 광반사 언덕(710, 720)을 함께 덮는다.The encapsulant 650 covers the first, second, and third light emitting chip arrays 601, 602, and 603 and the first and second light reflection hills 710 and 720 together.

도 7에서 제1, 제2 및 제3 광반사 언덕(710, 720, 730)은 도 3 내지 도 5에서 설명된 광반사 언덕보다 높이가 낮은 경우가 도시되어 있으며, 발광칩(600)으로부터 나온 빛의 지향각이 광반사 언덕의 높이에 따라 달라지는 것이 나타나 있다.In FIG. 7, the first, second, and third light reflection hills 710, 720, and 730 are lower than the light reflection hills described with reference to FIGS. 3 to 5, and are emitted from the light emitting chip 600. It is shown that the direction of light varies with the height of the light reflecting hill.

발광소자(605)는 전술된 효과에 더하여 제1, 제2 및 제3 광반사 언덕(710, 720. 730)이 폐곡선 형태이므로, 측면 방향으로 빛의 누설이 더 잘 방지되고 발광소자(605)의 전방 휘도가 향상된다.In the light emitting device 605, since the first, second and third light reflection hills 710, 720. 730 are in the form of closed curves in addition to the above-described effects, light leakage is better prevented in the lateral direction and the light emitting device 605 The front luminance of is improved.

이와 같이, 전원전달기판에 광반사 언덕을 형성하기만 하면, 발광소자의 다양한 타입에 본 개시가 적용될 수 있다.As such, the present disclosure may be applied to various types of light emitting devices as long as light reflecting hills are formed on the power transmission board.

이하, 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present disclosure will be described.

(1) 봉지재는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.(1) The encapsulant comprises a phosphor.

(2) 광반사 언덕은 전원전달 기판과 경사를 이루며 발광칩으로부터 나온 빛을 반사하는 경사면을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.(2) The light reflection hill has a light emitting element comprising an inclined surface which forms a slope with the power transmission substrate and reflects the light from the light emitting chip.

(3) 광반사 언덕은 적어도 표면이 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광소자.(3) A light emitting element wherein the light reflection hill has at least a surface made of metal.

(4) 광반사 언덕은 은(Ag) 및 광반사 잉크 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.(4) The light reflecting hill includes at least one of silver (Ag) and light reflecting ink.

(5) 광반사 언덕은 전원전달기판으로부터 돌출된 돌기부; 그리고 돌기부 표면에 형성된 광반사막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.(5) the light reflection hill is a projection protruding from the power transmission board; And a light reflection film formed on the surface of the protrusion.

(6) 전원전달 기판으로부터 광반사 언덕의 높이는 발광칩의 높이보다 높은 것을 특징으로 하는 발광소자.(6) A light emitting element characterized in that the height of the light reflection hill from the power transmission substrate is higher than that of the light emitting chip.

(7) 광반사 언덕은 제1 및 제2 발광칩 어레이를 따라 뻗은 것을 특징으로 하는 발광소자.(7) A light emitting element wherein the light reflecting hill extends along the first and second light emitting chip arrays.

(8) 광반사 언덕은 직선형으로 뻗은 것을 특징으로 하는 발광소자.(8) A light emitting element characterized in that the light reflection hill extends in a straight line.

(9) 광반사 언덕은 폐곡선 형태를 이루도록 뻗은 것을 특징으로 하는 발광소자.(9) A light emitting element characterized in that the light reflecting hill extends to form a closed curve.

광반사 언덕은 발광소자의 전체 발광칩 중 몇 개의 발광칩에 대응하게 형성되며, 발광소자에는 이러한 광반사 언덕이 복수 개 구비될 수 있다. 이와 다르게 발광칩마다 대응하여 광반사 언덕이 형성될 수 있다. 형광체를 함유한 봉지재는 발광소자의 발광칩 전체와 광반사 언덕을 함께 덮도록 형성될 수 있다. 이와 다르게, 봉지재는 하나의 광반사 언덕과 이에 대응하는 몇 개의 발광칩을 덮도록 형성될 수도 있으며, 발광소자에는 이러한 봉지재가 복수로 구비될 수도 있다. The light reflection hills are formed to correspond to several light emitting chips of all light emitting chips of the light emitting device, and the light emitting device may include a plurality of light reflection hills. Alternatively, a light reflection hill may be formed for each light emitting chip. The encapsulant containing the phosphor may be formed to cover the entire light emitting chip and the light reflection hill of the light emitting device. Alternatively, the encapsulant may be formed to cover one light reflection hill and several light emitting chips corresponding thereto, and the encapsulant may include a plurality of encapsulants.

(10) 발광칩은 COB (Chip On Board) 방식으로 전원전달 기판에 실장된 것을 특징으로 하는 발광소자.(10) The light emitting device, characterized in that the light emitting chip is mounted on a power transfer board in a COB (Chip On Board) method.

본 개시는 COB 방식의 발광소자에 효과적으로 적용될 수 있지만, 반드시 COB 타입의 발광소자에만 한정되는 것은 아니다. 발광칩이 전원전달기판에 실장되는 타입이 COB 타입이 아니더라도 본 개시와 같이 전원전달기판에 광반사 언덕을 형성하며, 다수의 발광칩 및 광반사 언덕을 함께 봉지재로 덮는 방식이 채택될 수도 있다.The present disclosure can be effectively applied to a light emitting device of the COB type, but is not necessarily limited to the light emitting device of the COB type. Although the type of the light emitting chip mounted on the power transmission board is not a COB type, a light reflection hill is formed on the power transmission board as in the present disclosure, and a method of covering a plurality of light emitting chips and light reflection hills together with an encapsulant may be adopted. .

(11) 제1 발광칩 어레이의 발광칩은 서로 직렬연결되고, 제2 발광칩 어레이의 발광칩은 직렬연결되며, 전원전달기판 위에 구비되며, 제1 발광칩 어레이 및 제2 발광칩 어레이의 일단의 발광칩과 전기적으로 연결되는 제1 본딩패드; 그리고, 전원전달 기판 위에 구비되며, 제1 발광칩 어레이 및 제2 발광칩 어레이의 타단의 발광칩과 전기적으로 연결되는 제2 본딩패드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.(11) The light emitting chips of the first light emitting chip array are connected to each other in series, the light emitting chips of the second light emitting chip array are connected to each other in series, and are provided on a power transmission board, and one end of the first light emitting chip array and the second light emitting chip array is provided. A first bonding pad electrically connected to the light emitting chip; And a second bonding pad provided on the power transmission substrate and electrically connected to the light emitting chips at the other ends of the first light emitting chip array and the second light emitting chip array.

(12) 발광칩이 COB (Chip On Board) 방식으로 전원전달 기판에 실장되며, 광반사 언덕은 발광칩으로부터 나온 빛을 상측으로 반사하는 경사면을 포함하며, 제1 발광칩 어레이를 따라 뻗어 있고, 봉지재는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.(12) a light emitting chip is mounted on a power transfer board in a COB (Chip On Board) method, the light reflection hill includes an inclined surface that reflects light from the light emitting chip upwards, and extends along the first light emitting chip array; The encapsulant comprises a phosphor.

본 개시에 따른 발광소자에 의하면, 발광소자의 휘도가 향상되며, 빛이 나오는 지향각의 조절이 용이하며, 혼색이 잘된 빛을 낼 수 있다.According to the light emitting device according to the present disclosure, the brightness of the light emitting device is improved, the direction of light exiting is easily adjusted, and light of mixed color can be produced.

105 : 발광소자 75, 85 : 와이어
100 : 발광칩 101, 102, 103 : 발광칩 어레이
200 : 전원전달기판 201, 202 : 본딩패드
210, 220: 광반사 언덕 250 : 봉지재105: light emitting element 75, 85: wire
100: light emitting chip 101, 102, 103: light emitting chip array
200: power transmission board 201, 202: bonding pad
210, 220: light reflection hill 250: encapsulant

Claims (13)

전원전달 기판;
전원전달 기판 위에 COB 방식으로 직접 실장된 복수의 발광칩을 포함하는 제1 발광칩 어레이;
전원전달 기판 위에 COB 방식으로 직접 실장된 복수의 발광칩을 포함하는 제2 발광칩 어레이;
제1 발광칩 어레이 및 제2 발광칩 어레이 사이의 전원전달 기판 위에 위치하여 제1 및 제2 발광칩 어레이를 따라 뻗은, 발광칩으로부터 나온 빛을 반사하는 광반사 언덕;
제1 발광칩 어레이, 광반사 언덕 및 제2 발광칩 어레이를 함께 덮고, 형광체를 포함하는 봉지재;
전원전달기판 위에 구비되며, 제1 발광칩 어레이 및 제2 발광칩 어레이의 일단의 발광칩과 전기적으로 연결되는 제1 본딩패드; 그리고,
전원전달 기판 위에 구비되며, 제1 발광칩 어레이 및 제2 발광칩 어레이의 타단의 발광칩과 전기적으로 연결되는 제2 본딩패드;를 포함하며,
제1 발광칩 어레이의 발광칩은 서로 직렬연결되며, 제2 발광칩 어레이의 발광칩은 직렬연결되고,
광반사 언덕은 직선형으로 뻗어 있으며,
광 반사 언덕은 제1 본딩패드 및 제2 본딩 패드와 거리를 두고 그 사이에 구비되고,
제1 발광칩 어레이와 제2 발광칩 어레이는 와이어에 의해 제1 본딩패드 및 제2 본딩패드에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 발광소자.A power transfer substrate;
A first light emitting chip array including a plurality of light emitting chips mounted directly on a power transfer substrate in a COB manner;
A second light emitting chip array including a plurality of light emitting chips directly mounted on a power transmission substrate in a COB manner;
A light reflection hill positioned on the power transfer substrate between the first light emitting chip array and the second light emitting chip array and reflecting light from the light emitting chips extending along the first and second light emitting chip arrays;
An encapsulant covering the first light emitting chip array, the light reflecting hill and the second light emitting chip array together, and including a phosphor;
A first bonding pad provided on the power transmission substrate and electrically connected to one end of the first light emitting chip array and the second light emitting chip array; And,
And a second bonding pad provided on the power transfer substrate and electrically connected to the light emitting chips at the other ends of the first light emitting chip array and the second light emitting chip array.
The light emitting chips of the first light emitting chip array are connected in series with each other, and the light emitting chips of the second light emitting chip array are connected in series with each other.
The light reflecting hills extend straight.
The light reflection hill is provided between the first bonding pad and the second bonding pad at a distance therebetween,
And the first light emitting chip array and the second light emitting chip array are electrically connected to the first bonding pad and the second bonding pad by wires. 삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서,
광반사 언덕은 적어도 표면이 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광소자.The method according to claim 1,
The light reflection hill is a light emitting device, characterized in that at least the surface is made of metal. 청구항 1에 있어서,
광반사 언덕은 은(Ag) 및 광반사 잉크 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.The method according to claim 1,
The light reflection hill comprises at least one of silver (Ag) and light reflection ink. 청구항 1에 있어서,
광반사 언덕은
전원전달기판으로부터 돌출된 돌기부; 그리고
돌기부 표면에 형성된 광반사막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.The method according to claim 1,
Light reflection hill
A protrusion protruding from the power transmission board; And
Light reflecting film formed on the surface of the projection; a light emitting device comprising a. 청구항 1에 있어서,
전원전달 기판으로부터 광반사 언덕의 높이는 발광칩의 높이보다 높은 것을 특징으로 하는 발광소자. The method according to claim 1,
The height of the light reflection hill from the power transfer substrate is light emitting element, characterized in that higher than the height of the light emitting chip. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020110100703A 2011-10-04 2011-10-04 Light emitting device KR101346706B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110100703A KR101346706B1 (en) 2011-10-04 2011-10-04 Light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110100703A KR101346706B1 (en) 2011-10-04 2011-10-04 Light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130036548A KR20130036548A (en) 2013-04-12
KR101346706B1 true KR101346706B1 (en) 2013-12-31

Family

ID=48437828

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110100703A KR101346706B1 (en) 2011-10-04 2011-10-04 Light emitting device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101346706B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20240011621A1 (en) * 2020-11-27 2024-01-11 Kyocera Corporation Light emission device and illumination apparatus

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006100441A (en) * 2004-09-28 2006-04-13 Kyocera Corp Light emitting element housing package, light emitting device, and illumination device
JP2008294071A (en) * 2007-05-22 2008-12-04 Toshiba Corp Optical semiconductor device, lighting device, and display apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006100441A (en) * 2004-09-28 2006-04-13 Kyocera Corp Light emitting element housing package, light emitting device, and illumination device
JP2008294071A (en) * 2007-05-22 2008-12-04 Toshiba Corp Optical semiconductor device, lighting device, and display apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20240011621A1 (en) * 2020-11-27 2024-01-11 Kyocera Corporation Light emission device and illumination apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130036548A (en) 2013-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6648048B2 (en) LED package and manufacturing method thereof
KR100809210B1 (en) High power light emitting diode package and method of producing the same
US8901592B2 (en) Optoelectronic component and method for producing it
US7934856B2 (en) Illumination device with semiconductor light-emitting elements
JP5768435B2 (en) Light emitting device
US10763245B2 (en) Optoelectronic component with a first potting material covering parts of a first optoelectronic semiconductor chip and a second potting material covering the first potting material
KR101693642B1 (en) Manufacturing method of Light emitting device package
US20080048201A1 (en) Light emitting diode package employing lead terminal with reflecting surface
KR101825473B1 (en) Light emitting device package and method of fabricating the same
US11335837B2 (en) Light emitting diode package
EP2461380A2 (en) Light emitting device package and manufacturing method thereof
US20080254650A1 (en) Light-emitting diode and method for producing it
WO2005117148A1 (en) Light emitting diode lamp
US20140008672A1 (en) Light emitting device
KR101775428B1 (en) Light emitting device package and method of manufacturing the same
US20150076541A1 (en) Light-emitting device
JP4967347B2 (en) Manufacturing method of linear light source and semiconductor light emitting unit
JP5406691B2 (en) Semiconductor light emitting device
KR101346706B1 (en) Light emitting device
KR100877775B1 (en) Light emitting diode package employing lead terminal with reflecting surface
CN218827223U (en) Light emitting device and display device
KR20110108097A (en) Light emitting device package and lighting system including the same
KR20110131429A (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
KR101078031B1 (en) Side view type light emitting device package and backlight module
KR101824589B1 (en) Semiconductor light emitting device structure

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171030

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181105

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190702

Year of fee payment: 7