JP4167780B2 - 原子吸光式レートモニター - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スパッタや蒸着に於いて基板に形成される金属薄膜の膜厚制御やそのプロセスの制御のために、基板へ飛来するスパッタ金属粒子や蒸発金属粒子の原子に光を吸収させ、その吸収量により該金属粒子のレートや量などを検出する原子吸光式レートモニターに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種のモニターは、例えば図1に示すように、真空の成膜室aの蒸発源bから上方の基板cへ向かう蒸発金属粒子dの蒸発経路を横断するように光を照射する光照射プローブeと、これよりの光を受光する受光プローブfを設けて構成され、該受光プローブfにより蒸発レートなどをモニターし、受光された光強度に基づいて電子銃などの蒸発熱源gを電源hの制御部により制御することが行われている。該光照射プローブeと受光プローブfの前方には、これらに金属粒子が付着しないように石英等の窓iが夫々設けられている。コントローラjには測定する金属粒子に固有の波長の光を放射するホローカソードランプkが用いられ、この波長の光は金属粒子と衝突したとき吸光されるため受光プローブfには金属粒子の密度に依存した光強度で受光され、金属粒子の蒸発レートをモニターできる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
この原子吸光式レートモニターは、金属粒子の量が多いと蒸発経路での光の吸収量が大きくなり、ランバート・ベールの法則に従い吸光度が飽和し、正確なレートをモニターできず、正確な制御を行えないという欠点がある。また、金属粒子の量が多いと、窓iの表面に金属粒子が回り込んで付着し、窓iの汚れのために正確なモニターが行えない。
【0004】
本発明は、スパッタ金属粒子や蒸発金属粒子のレートを多少に係わらず長時間に亘り正確に検出でき、正確なレート制御を行える原子吸光式レートモニターを提供すること、及び任意の位置でそのレートを個別に正確に検出できる原子吸光式レートモニターを提供することを目的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明では、光照射プローブからの光軸上に受光プローブを設け、これら光照射プローブと受光プローブの間の吸光領域を通過するスパッタ金属粒子或いは蒸発金属粒子の原子に上記光照射プローブからの光を吸収させて上記金属粒子の量をモニターする装置に於いて、上記光照射プローブと上記受光プローブとの間の同一光軸上にパイプを設けて上記パイプの間に蒸発源からの蒸発レートをモニターするための吸光領域を形成し、上記パイプを軸方向にスライド自在な二重構造によって形成して上記パイプの長さを調整可能とし、成膜中に事前に測定した上記パイプの開口部端部における堆積層の成長度合いに合わせてアクチュエータで自動的に上記パイプをスライドさせ、上記光吸収領域の距離を一定に制御することにより、上記の目的を達成するようにした。該パイプの長さは該スパッタ金属粒子或いは蒸発金属粒子の量と光の吸収量の関係に基づき決定することが好ましく、該パイプの内部に、該スパッタ金属粒子或いは蒸発金属粒子の付着を防止するパージガスを流し、或いは、該パイプの吸光領域側の開口部に該スパッタ金属粒子或いは蒸発金属粒子の付着を防止する加熱装置を設け、或いは上記光照射プローブと上記受光プローブとの間の同一光軸上に複数のパイプを設けて上記複数のパイプの間に複数の蒸発源からの蒸発レートをモニターするための複数の吸光領域を形成し、上記複数の吸光領域の各々に上記スパッタ金属粒子或いは蒸発金属粒子がパイプ間の吸光領域を通過することを制御するシャッターを設けることで、上記の目的を一層的確に達成できる。
【0006】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図2に示した蒸着装置に適用した場合につき説明すると、同図の符号1は真空に排気された成膜室、2は該成膜室1の下方に設けられた蒸発源、3は該蒸発源2の上方に設けられた基板、4は該蒸発源2に収めた金属材料の蒸発物5が電子銃の加熱源6により加熱されて蒸発する蒸発金属粒子を示し、その蒸発金属粒子の蒸発量(蒸発レート)を検出するため、その蒸発経路7を横断する光9をコントローラ30から照射するための光照射プローブ8と、該光照射プローブ8の光軸13上で該光9を受光する受光プローブ10を設け、電力制御機能を備えたコントローラ30に該光照射プローブ8と受光プローブ10を接続した。該光照射プローブ8及び受光プローブ10の前面には合成石英の窓12が設けられる。
【0007】
該コントローラ30内のホローカソードランプ31には蒸発金属粒子の固有の波長の光を照射するものが使用され、その光の一部が蒸発経路7を横断する際、蒸発金属粒子の原子に吸収されて該受光プローブ10に受光される。該受光プローブ10の受光強度は金属蒸発粒子の密度に依存しており、その受光強度に応じた信号がコントローラ30から電源11に入力することで例えば蒸発量が一定になるように該加熱源6への投入電力が制御されるが、蒸発金属粒子の量が多いと前記したように吸光度が飽和したり、該窓12にまで回り込んで付着する不都合を生じるので、本発明では該光照射プローブ8及び該受光プローブ10の前面に該光軸13に沿ったパイプ14、15を夫々設けることでこれらの不都合を解消するようにした。該パイプ14、15の長さは、蒸発金属粒子の量とその吸光度の関係を予測して決定され、例えば蒸発量が多く吸光度が大きい蒸発金属粒子では該吸光領域16の距離が短くなるように決定する。
【0008】
図2のパイプ14、15を設けた原子吸光式レートモニターに於いて、吸光領域16と蒸発レート及び光の吸光度の関係は図8の如くになり、該吸光領域16の距離αが500mmと広い場合には5mmの狭い場合に比べて吸光度の飽和が低いレートで起こっており、本発明のように距離αをパイプ14、15を設けることでその飽和を高い蒸発レートに引き上げることができる。該蒸発源2からの蒸発量は該受光プローブ10で受光される光強度により測定されるが、両パイプ14、15により蒸発金属粒子が光9の照射を受ける吸光領域16が狭められているため、蒸発源2から大量の蒸発金属粒子が蒸発しても、吸光領域16を通過するのはその一部であるから、吸光度が飽和しにくくなり、大量の蒸発量でも正確な測定を行える。また、パイプ14、15を設けることで、吸光領域16から窓12までの距離が長くなり、蒸発金属粒子が窓12まで回り込むことが少なくなってノイズが減少し、長時間の測定が行える。この回り込みを十分に防ぐために、図3に示すように、各パイプ14、15の根部に外部のガス源に連なるガス導入管17を接続し、これにアルゴンガスなどのパージガスを流しておくことが好ましい。このガス流量は、パイプ14、15の太さにもよるが、蒸着に影響のない程度の流量である。
【0009】
該蒸発源2からの蒸発金属粒子は、図4に示すように、両パイプ14、15の下面及び吸光領域16側の開口部の端面14a、15aに付着して堆積層17を形成し、そのため吸光領域16として当初に決定した距離αが距離βにまで狭まり、蒸発金属粒子の通過量が減少して吸光度に多少の変化を与え、これが正確な測定を妨げる原因になることが判明した。そのため、図5のように各パイプ14、15の吸光領域側の開口部付近に電熱ヒーターなどの加熱装置18を取付けて該パイプの開口部付近を加熱し、該端面14a、15aに付着する蒸発金属粒子を再蒸発させて堆積層17が厚く形成されないようにすることで距離αを維持し、正確なモニタリングを行えるようにした。具体的には、距離αが10mmでマグネシウムを蒸発させた場合、加熱装置18を作動させないと40時間後に各パイプの端面に3mmの厚さの堆積層17が形成されたが、加熱装置18で300℃に加熱すると堆積層17は厚さ1mmに留まり、その加熱温度を500℃にすると堆積層17は殆ど発生しなかった。
【0010】
また、図6に示したように、各パイプをスライド部27を持つ二重のパイプで構成し、成膜室1の外部のアクチュエータから導入した往復直線移動する移動部材19に該スライド部27を連結してこれを移動させるようにしてもよく、この場合は該堆積層17が形成されても距離αを維持して正確なモニターができる。尚、該スライド部27は、予め測定しておいた単位時間当たりの堆積層17の成長度合いに基づき、自動的にアクチュエータを作動させることで常に一定の距離αを維持できる。
【0011】
該成膜室1内に、例えば図7に示すように複数の蒸発源2を設けて各蒸発源からの蒸発レートをモニターしたり、成膜室1内の複数箇所の蒸発レートをモニターすることの要望がある場合、同図のように各パイプ14、15の間に該光軸13に沿って更に1本または複数本のパイプ20、21、22を介在させ、各パイプ間がそのモニター箇所に位置して吸光領域16a、16b、16c、16dとなるようにし、各吸光領域に蒸発金属粒子の通過を制御するシャッター23、24、25、26を設けた構成とする。この構成によれば、各シャッターを交互に開くことで各吸光領域の蒸発レートを個別にモニターすることができ、多くの光照射プローブや受光プローブを設備する必要がなくなるから、簡単な構成の1台のモニターで複数箇所をモニタリングして成膜プロセスを制御することができる。
【0012】
図示のモニターは、該蒸発源2の作動中に光照射プローブ8から光を照射し、吸光領域16に於ける金属蒸発粒子により吸収されなかった光を受光プローブ10で受け、その光強度により蒸発レートをモニターするもので、この作用は従来のモニターと変わりがないが、本発明のものでは該光照射プローブ8と受光プローブ10の前面にパイプ14、15を設けて吸光領域16が狭められているので、蒸発源2から大量の蒸発金属粒子が発生しても、その一部が狭められた吸光領域16を通過するだけであるから、光照射プローブ8からの光の吸光量を飽和させてしまう可能性が小さくなり、蒸発レートが大きくても出力の小さい光源でモニターでき、光照射プローブ8および受光プローブ10から吸光領域16が遠ざかるので、大量に蒸発しても光照射プローブ8や受光プローブ10への蒸発金属粒子の回り込みが少なく、長時間に亘り正確なモニターを続けることができる。このモニター中に、該吸光領域16の距離αを、各パイプに設けた加熱装置18を作動させ或いはスライド部27をスライドさせて一定に維持しておくことで、正確に該吸光領域16の原子の密度をモニターできる。
【0013】
以上の説明では、蒸発金属粒子をモニターする例について説明したが、スパッタリングターゲットを設けてこれのスパッタ金属粒子のスパッタレートを検出する場合にも本発明のモニターを適用することができる。
【0014】
【発明の効果】
以上のように本発明によるときは、スパッタ金属粒子或いは蒸発金属粒子に光照射プローブの光を吸収させてその量をモニターする装置に於いて、パイプを該光照射プローブと受光プローブの前面に設けて吸光領域を狭めたので、光の吸光度が飽和しにくくなって該金属粒子の量が大量であってもモニターすることができ、該金属粒子が光照射プローブや受光プローブの前面に回り込んで付着する不都合も解消できる効果があり、該パイプに加熱装置を設け或いはスライド部を設けることでモニター中は該吸光領域の距離を維持することができ、正確なモニターを行える効果が得られる。また、該パイプ間に更にパイプを設けることにより各パイプ間に複数の受光領域を形成させ、その間にシャッターを設けて交互にこれを開閉することで、異なる位置のレートを1台のモニターで測定できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の原子吸光式レートモニターの截断側面図
【図2】本発明の実施の形態を示す截断側面図
【図3】本発明の他の実施の形態を示す截断側面図
【図4】パイプに付着する堆積層の説明図
【図5】パイプに加熱装置を設けた状態の説明図
【図6】パイプにスライド部を設けた状態の説明図
【図7】複数箇所をモニターする構成の説明図
【図8】吸光領域の間隔と吸光度の飽和状態の関係を示す線図
【符号の説明】
4 蒸発金属粒子、7 蒸発経路、8 光照射プローブ、9 光、10 受光プローブ、13 光軸、14・15・20・21・22 パイプ、16 吸光領域、18 加熱装置、23・24・25・26 シャッター、27 スライド部、30 コントローラ、31 ホローカソードランプ、

Claims (5)

  1. 光照射プローブからの光軸上に受光プローブを設け、これら光照射プローブと受光プローブの間の吸光領域を通過するスパッタ金属粒子或いは蒸発金属粒子の原子に上記光照射プローブからの光を吸収させて上記金属粒子の量をモニターする装置に於いて、上記光照射プローブと上記受光プローブとの間の同一光軸上にパイプを設けて上記パイプの間に蒸発源からの蒸発レートをモニターするための吸光領域を形成し、上記パイプを軸方向にスライド自在な二重構造によって形成して上記パイプの長さを調整可能とし、成膜中に事前に測定した上記パイプの開口部端部における堆積層の成長度合いに合わせてアクチュエータで自動的に上記パイプをスライドさせ、上記光吸収領域の距離を一定に制御することを特徴とする原子吸光式レートモニター。
  2. 上記パイプの長さを上記スパッタ金属粒子或いは蒸発金属粒子の量と光の吸収量の関係に基づき決定することを特徴とする請求項1に記載の原子吸光式レートモニター。
  3. 上記パイプの内部に、上記スパッタ金属粒子或いは蒸発金属粒子の付着を防止するパージガスを流すことを特徴とする請求項1又は2に記載の原子吸光式レートモニター。
  4. 上記パイプの上記吸光領域側の開口部の端面に上記スパッタ金属粒子或いは蒸発金属粒子の付着を防止する加熱装置を設けたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の原子吸光式レートモニター。
  5. 上記光照射プローブと上記受光プローブとの間の同一光軸上に複数のパイプを設けて上記複数のパイプの間に複数の蒸発源からの蒸発レートをモニターするための複数の吸光領域を形成し、上記の吸光領域の各々に上記スパッタ金属粒子或いは蒸発金属粒子がパイプ間の吸光領域を通過することを制御するシャッターを設けたことを特徴とする請求項1乃至4の何れかに記載の原子吸光式レートモニター。
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EP2416146B1 (en) * 2010-08-04 2018-12-26 HORIBA, Ltd. Probe for gas analysis
EP2416187B1 (en) * 2010-08-04 2013-05-08 HORIBA, Ltd. Air-driven shutter device and optical analyzer
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