JP4164642B2 - 新規なエステル化合物 - Google Patents

新規なエステル化合物 Download PDF

Info

Publication number
JP4164642B2
JP4164642B2 JP2002182404A JP2002182404A JP4164642B2 JP 4164642 B2 JP4164642 B2 JP 4164642B2 JP 2002182404 A JP2002182404 A JP 2002182404A JP 2002182404 A JP2002182404 A JP 2002182404A JP 4164642 B2 JP4164642 B2 JP 4164642B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
monomer
ester compounds
present
new ester
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2002182404A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003226689A (ja
Inventor
裕次 原田
畠山  潤
義夫 河合
充孝 大谷
覚 宮澤
憲太郎 堤
一彦 前田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Central Glass Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Central Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd, Central Glass Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP2002182404A priority Critical patent/JP4164642B2/ja
Publication of JP2003226689A publication Critical patent/JP2003226689A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4164642B2 publication Critical patent/JP4164642B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Furan Compounds (AREA)
  • Pyrane Compounds (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微細加工技術に適した化学増幅レジスト材料のベースポリマー用のモノマーとして有用なエステル化合物に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
近年、LSIの高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの微細化が求められている。
微細化が急速に進歩した背景には投影レンズの高NA化、レジストの性能向上、短波長化が挙げられる。レジストの高解像度化及び高感度化に関しては、光照射によって発生する酸を触媒とした化学増幅ポジ型レジスト材料は優れた性能を有するものであり、遠紫外線リソグラフィーにおいて特に主流なレジスト材料になった(特公平2−27660号、特開昭63−27829号公報等に記載)。また、i線(365nm)からKrF(248nm)への短波長化は大きな変革をもたらし、KrFエキシマレーザー用レジスト材料は0.30ミクロンプロセスに始まり、0.25ミクロンルールを経て、現在0.18ミクロンルールの量産化への適用へと展開している。更には、0.15ミクロンルールの検討も始まっており、微細化の勢いはますます加速されている。
【0003】
ArF(193nm)では、デザインルールの微細化を0.13μm以下にすることが期待されているが、ノボラックやポリビニルフェノール系等の従来用いられていた樹脂が193nm付近に非常に強い吸収を持つため、レジスト用のベース樹脂として用いることができない。そこで透明性と必要なドライエッチング耐性の確保のため、アクリル樹脂やシクロオレフィン系の脂環族系の樹脂が検討されている(特開平9−73173号、特開平10−10739号、特開平9−230595号公報、WO97/33198)。
【0004】
2(157nm)に関しては0.10μm以下の微細化が期待されているが、透明性の確保がますます困難になり、ArF用ベースポリマーであるアクリル樹脂では全く光を透過せず、シクロオレフィン系においてもカルボニル基を有するものは強い吸収を持つことがわかった。また、KrF用ベースポリマーのポリビニルフェノールについては、160nm付近に吸収のウィンドウがあり、若干透過率が向上するものの、実用的なレベルにはほど遠いことが判明した。
【0005】
本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、300nm以下、特にF2(157nm)、Kr2(146nm)、KrAr(134nm)、Ar2(126nm)等の真空紫外光における透過率に優れた化学増幅レジスト材料のベースポリマーの原料となるモノマーとして有用なエステル化合物を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者は上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、α位にフッ素を含むアクリル酸誘導体から得られる樹脂が高い透明性を有すると共に、エステル側鎖にラクトン環を導入することにより、このモノマーから合成される樹脂の基板密着性が飛躍的に向上することを知見し、本発明に至ったものである。
【0007】
即ち、本発明は、下記式の中から選ばれるラクトン環含有α−トリフルオロメチルアクリル酸エステルを提供する
【化2】
Figure 0004164642
【0008】
以下、本発明について更に詳しく説明する。
本発明者の検討によれば、157nm付近の樹脂の透過率を向上させる方法としては、カルボニル基や炭素−炭素間二重結合の数の低減化も一つの方法と考えられるが、モノマーユニットへのフッ素原子の導入も透過率向上に大きく寄与することがわかってきた。特に本発明者は、下記一般式(1)及び(2)の構造で表されるようなα位にフッ素を含むアクリル酸エステルモノマーから得られるポリマーが157nm付近での高透明性を確保できることを見出したものである。更には、本モノマーはエステル側鎖にラクトン環を有するため、得られたポリマーの基板密着性も飛躍的に向上する。
【0009】
【化5】
Figure 0004164642
(式中、R1はフッ素原子又は少なくとも1個以上のフッ素原子を有する炭素数1〜15、特に1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基である。R2は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜15、特に1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はフッ素化アルキル基を示す。R3及びR4はそれぞれ単結合もしくは炭素数1〜20、特に1〜5のアルキレン基を示す。R5は炭素数1〜10のアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を示す。)
【0010】
ここで、アルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基等が挙げられる。フッ素原子を有するアルキル基、フッ素化アルキル基としては、上記アルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換した基が挙げられる。また、アルキレン基としては、上記アルキル基から水素原子が1個脱離したものが挙げられる。
【0011】
本発明のエステル化合物の具体例を以下に示す。
【化6】
Figure 0004164642
【0012】
本発明のエステル化合物の製造は、例えば下記工程にて行うことができるが、これに限定されるものではない。
【化7】
Figure 0004164642
【0013】
ここで、R1〜R5は上記と同様である。反応は公知の条件にて容易に進行するが、好ましくはトルエン等の溶媒中、原料のラクトン環を有するアルコール、及びそれと等モル量のα位にフッ素を有するアクリル酸、触媒量のトルエンスルホン酸等の酸を順次又は同時に加え、加熱環流下で反応させ、生成した水を系外に取り出すことで平衡を生成物側に移動させ、反応を完結させる。
【0014】
【発明の効果】
本発明のエステル化合物をモノマーとして製造した樹脂を用いたレジスト材料は、透明性に優れると共に基板密着性に優れているため、電子線や遠紫外線、特にF2エキシマレーザーによる微細加工に有用である。
【0015】
【実施例】
以下、実施例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。
【0016】
[合成例1] 下記モノマー1の合成(参考例)
33.0gのα−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン、50.0gのα−トリフルオロメチルアクリル酸、12.3gのp−トルエンスルホン酸一水和物を重合安定剤と共に200gのトルエンに溶解した。フラスコにDean−Stark管を取り付け、反応混合物を加熱環流下で4時間反応させると共に、生成した水を除去した。室温まで冷却後、通常の反応後処理を行い、得られた油状物質をシリカゲルクロマトグラフィーで精製したところ、60.1gの下記モノマー1が得られた。収率は83.0%であった。
【0017】
【化8】
Figure 0004164642
1H−NMR(CDCl3、270MHz):δ2.38(m、1H)、2.78(m、1H)、4.31〜4.52(m、2H)、5.57(t、1H)、6.56(m、1H)、6.83(m、1H)
FT−IR(NaCl):2997、2927、1786、1743、1401、1377、1244、1222、1176、1144、1107、1016cm-1
【0018】
[合成例2] 下記モノマー2の合成(参考例)
36.7gの原料アルコール1、50.0gのα−トリフルオロメチルアクリル酸、9.1gのp−トルエンスルホン酸一水和物を重合安定剤と共に200gのトルエンに溶解した。フラスコにDean−Stark管を取り付け、反応混合物を加熱環流下で24時間反応させると共に、生成した水を除去した。室温まで冷却後、通常の反応後処理を行い、得られた油状物質をシリカゲルクロマトグラフィーで精製したところ、50.5gのモノマー2が得られた。収率は76.8%であった。
【0019】
【化9】
Figure 0004164642
1H−NMR(CDCl3、270MHz):δ1.69〜1.80(m、2H)、1.98〜2.08(m、2H)、2.50〜2.61(m、2H)、3.24(m、1H)、4.59(m、1H)、4.73(m、1H)、6.46(m、1H)、6.75(m、1H)
FT−IR(NaCl):2981、2887、1786、1738、1452、1408、1383、1358、1246、1178、1144、1115、1095、1014、993cm-1
【0020】
[合成例3] 下記モノマー3の合成
上記と同様にして、原料アルコール2よりモノマー3を合成した。収率は72.1%であった。
【0021】
【化10】
Figure 0004164642
1H−NMR(CDCl3、270MHz):δ1.62〜1.79(m、2H)、1.93〜2.03(m、2H)、2.52〜2.71(m、2H)、3.33(m、1H)、4.45(m、1H)、4.78(m、1H)、6.41(m、1H)、6.71(m、1H)
FT−IR(NaCl):2980、2885、1782、1734、1452、1408、1383、1352、1244、1170、1141、1113、1095cm-1

Claims (1)

  1. 下記式の中から選ばれるラクトン環含有α−トリフルオロメチルアクリル酸エステル。
    Figure 0004164642
JP2002182404A 2001-06-25 2002-06-24 新規なエステル化合物 Expired - Lifetime JP4164642B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002182404A JP4164642B2 (ja) 2001-06-25 2002-06-24 新規なエステル化合物

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001190610 2001-06-25
JP2001-190611 2001-06-25
JP2001-190610 2001-06-25
JP2001190611 2001-06-25
JP2001-362599 2001-11-28
JP2001362599 2001-11-28
JP2002182404A JP4164642B2 (ja) 2001-06-25 2002-06-24 新規なエステル化合物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003226689A JP2003226689A (ja) 2003-08-12
JP4164642B2 true JP4164642B2 (ja) 2008-10-15

Family

ID=27761516

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002182404A Expired - Lifetime JP4164642B2 (ja) 2001-06-25 2002-06-24 新規なエステル化合物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4164642B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4525912B2 (ja) * 2004-01-30 2010-08-18 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US7232642B2 (en) * 2004-05-11 2007-06-19 Sumitomo Chemical Company, Limited Chemically amplified positive resist composition, a haloester derivative and a process for producing the same
JP2006169147A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Daicel Chem Ind Ltd 重合性不飽和カルボン酸エステル、高分子化合物、フォトレジスト用樹脂組成物及び半導体の製造法
JP4740677B2 (ja) * 2005-07-27 2011-08-03 ダイセル化学工業株式会社 3−オキサ−7−オキサ(又はチア)トリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−2−オン誘導体
JP4718922B2 (ja) * 2005-07-27 2011-07-06 ダイセル化学工業株式会社 3−オキサ−7−チアトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン誘導体
JP7236830B2 (ja) * 2018-09-13 2023-03-10 株式会社ダイセル 単量体、フォトレジスト用樹脂、フォトレジスト用樹脂組成物、及びパターン形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003226689A (ja) 2003-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2196462B1 (en) Polymerizable compound, lactone-containing compound, method for manufacturing lactone-containing compound and polymer compound obtained by polymerizing the polymerizable compound
KR101687030B1 (ko) 불소 함유 단량체, 불소 함유 고분자 화합물, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
JP4866237B2 (ja) アダマンタン誘導体、その製造方法及びフォトレジスト用感光材料
TWI334864B (en) Novel polymerizable ester compounds
JP6274288B2 (ja) 化合物および重合体
JP2005518476A (ja) フッ素化された分子並びに、その製造及び使用法
JP2009221194A (ja) 光酸発生基結合型多価フェノール誘導体、該誘導体の製造方法及び該誘導体を含む電子線用又はeuv用化学増幅型レジスト組成物
US7041846B2 (en) Alicyclic methacrylate having oxygen substituent group on α-methyl
JP4164642B2 (ja) 新規なエステル化合物
US6680389B2 (en) Ester compounds
JP5193597B2 (ja) フォトレジスト用重合性化合物、その重合体及び該重合体を含むフォトレジスト組成物
JP4522628B2 (ja) 新規なエステル化合物
JP5948862B2 (ja) 新規化合物及びその製造方法
JP4058597B2 (ja) 新規なインデン誘導体
JP2005132827A (ja) 含フッ素重合性エステル化合物及びその製造法
JP5090259B2 (ja) アダマンタノン骨格を有する重合性化合物、フォトレジスト用樹脂組成物、及び半導体の製造方法
JP2010150448A (ja) ラクトン骨格を含む高分子化合物及びフォトレジスト組成物
JP5202398B2 (ja) 重合性化合物及び該重合性化合物を重合させた高分子化合物
JP3975346B2 (ja) 新規なスルホン酸エステル化合物
JP3975347B2 (ja) 新規なスルホン酸エステル化合物
Kim et al. Nonshrinkable photoresists for ArF lithography
WO2019159957A1 (ja) 重合性化合物、重合性組成物、重合体及びフォトレジスト用組成物
JP2003155266A (ja) 新規なエステル化合物
JP2007131582A (ja) アダマンチルエステル化合物
JP2001097927A (ja) アダマンタン誘導体及びその製造法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040713

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080326

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080502

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080702

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080715

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4164642

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110808

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110808

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120808

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120808

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130808

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140808

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term