JP4164141B2 - ビスホスフィンオキシドの製造方法 - Google Patents

ビスホスフィンオキシドの製造方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、カルボン酸基を持つホスフィンオキシドから、コルベ電解カップリング反応によりビスホスフィンオキシドを製造する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、上市される医薬品に占める光学活性な医薬品の割合は年々増加する傾向にあり、最近5年間では、光学活性な医薬品は、実に39%にのぼる。また、光学活性の求められるものは、医薬品に限らず、農薬、香料、さらに強誘電性液晶、高速液体クロマトグラフィーの充填剤などの機能性材料の分野にまで展開されている。これらの光学活性な化合物を合成する方法のひとつに、触媒的不斉合成法がある。係る触媒的不斉合成法は、純粋な光学活性化合物をプロキラルな化合物から多量かつ経済的に得る方法として優れた方法と考えられ、この20年間に数多くの不斉触媒の開発が行われてきている。とくに、光学活性なホスフィンを配位子とするロジウムやルテニウム錯体が研究されている。
【0003】
前記光学活性なホスフィンを配位子とするもののなかでも、反応温度の適応範囲が広く、特に高温、高圧下での不斉認識能の高いビスホスフィン化合物が最適である。かかる光学活性なビスホスフィン化合物は、ヘキサクロロジシランを用いて、不斉を維持しながらビスホスフィンオキシドを還元することにより得ることができる。(K. Naumann, G. Zon, and K. Mislow, J.Am.Chem.Soc., 91, 7012 (1969))。
【0004】
これらの光学活性なビスホスフィンオキシドを製造する方法として、最も一般的な方法は、下記反応式に示すように、メチル基を有する光学活性なホスフィンオキシドをLDA(リチウムジイソプロピルアミド)のような有機リチウム化合物、および塩化銅などの銅化合物により、酸化カップリングされる方法が知られている。(B. D. Vineyard, W. S. Knowles, M. J. Sabacky, G. L. Backman and O. J. W.einkauff, J.Am.Chem.Soc., 99, 5946 (1977))。
【0005】
【化3】
Figure 0004164141
【0006】
しかし、これらの方法に使用される有機リチウム化合物は、空気、水などに非常に活性で取扱が難しく、工業的に実施するのは非常に困難であるばかりでなく、銅塩等の副生する金属不純物との分離も係わってくるので、経済的に実施するには問題点が多い。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは、前記課題に艦み、ビスホスフィンオキシドの新規な製造方法について鋭意研究を重ねた結果、カルボン酸基を有するホスフィンオキシドを原料にし、コルベ電解カップリング反応により、ビスホスフィンオキシドを製造する方法を見出し、本発明を完成した。
本発明の製造方法は、新規な製造方法であり、また原料であるカルボン酸基を有するホスフィンオキシドのリン原子上に不斉中心がある化合物の場合、中間的に生成するラジカルにおいても不斉を維持しており、生成するビスホスフィンオキシドもまた不斉が維持されている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は下記一般式(1):
【0009】
【化4】
Figure 0004164141
【0010】
(式中、R1、R2は炭素数1〜18の直鎖または分岐状のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、アミノアルキル基または、置換もしくは無置換のフェニル基を示し、R1、R2は同一でも異なっていてもよく、Aは直鎖または分岐のアルキレン基を示す。)で表されるホスフィンオキシドカルボン酸を、コルベ電解カップリング反応させることを特徴とする、下記一般式(2):
【0011】
【化5】
Figure 0004164141
【0012】
(式中、R1、R2、Aは前記と同義を表す。)で表されるビスホスフィンオキシドの製造方法を提供するものである。
かかるビスホスフィンオキシドは、不斉合成触媒の配位子として有用な光学活性ビスホスフィン化合物の前駆体として有用な化合物である。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を詳細に説明する。
本発明の製造方法は、ホスフィンオキシドカルボン酸を、コルベ電解カップリング反応させてなるものであるが、その出発原料となるホスフィンオキシドカルボン酸は、一般式(1)で表されるものである。
【0014】
(出発原料)
一般式(1)で表されるカルボン酸基を有するホスフィンオキシドにおいて、式中のAはメチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、などの直鎖または分岐のアルキレン基であるが、好ましくは炭素数1〜4の直鎖状アルキレン基である。また、R1、R2は、特に限定はされないが、炭素数1〜18の直鎖または分岐状のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、アミノアルキル基または、置換、無置換のフェニル基を示し、R1、R2は同一でも異なっていてもかまわないが、リン原子上に光学活性中心のある光学活性体の場合は、R1、R2が異なり、旋光度を有している。
【0015】
また、光学活性を有するカルボン酸基を有するホスフィンオキシドは、(1)ラセミ体の光学分割法、(2)生物化学的な手法を用いる方法、(3)不斉合成する方法、(4)天然に存在する光学活性体を化学変換する方法などが知られているが、工業的に入手可能なものであれば、特に限定されるものではない。
【0016】
(電解条件)
本発明は、上記出発原料をコルベ電解カップリング反応させてなるものであるが、電解において溶媒を使用する。電解に用いる溶媒は、メタノール、含水メタノールが用いられ、反応生成物の収率が低下するので、含水量は4%以下が好ましい。また、水溶液中やアセトニトリルのような非プロトン性極性溶媒では、出発原料がオレフィンやアルコール(Hofer-Moest Reaction)のような異常コルベ反応生成物が副生してしまい、あまり好ましくない。
【0017】
電解液のpHは、中性か弱酸性が好ましい。また、通電を安定化するために、必要に応じて支持塩を添加する。支持塩として、過塩素酸ナトリウム、ソジウムメチラートなどのナトリウム塩や過塩素酸リチウムなどのリチウム塩が好ましいが、支持塩の量が多くなると、目的とするビスホスフィンオキシドの収率が低下するので、なるべく用いない方がよいが、用いる場合には原料1重量当たり5wt%以下が好ましい。
【0018】
使用する電極は、電極単位面積当たりのラジカル発生濃度を高めるために、白金電極を用いて高電流密度(高電位)で電解するのが好ましく、工業的にはチタン板上に白金メッキした電極も使用できる。白金電極の代わりに、イリジウム、金、パラジウム、二酸化鉛などの電極も用いることができる。
電解容量が大きくなると、電解溶液の温度が上昇するので、水浴に浸して温度を一定に保つことが好ましい。電解温度は、比較的低温が好ましく、特に0〜20℃が望ましい。また、温度を均一に保つために、電解液は撹拌するのが望ましい。
【0019】
電解は、通常定電流電解で行われ、電流量は、0.1〜3A、好ましくは0.5〜2Aである。電極間距離は、通常1〜5mm程度で、10〜100mA/cm2の電流密度がとれるようにする。
通電時間は、出発原料や電解条件により異なるが、通常0.5〜36時間、好ましくは、1〜10時間程度である。
【0020】
上記本発明の方法で得られるビスホスフィンオキシドは、ラセミ体と光学活性体とが得られるが、例えば
(+)-(S,S)-1,2-エタンジイルビス((1,1,3,3-テトラメチルブチル)メチルホスフィンオキシド)、(-)-(R,R)-1,2-エタンジイルビス((1,1,3,3-テトラメチルブチル)メチルホスフィンオキシド)、(+)-(S,S)-1,4-ブタンジイルビス((1,1,3,3-テトラメチルブチル)メチルホスフィンオキシド)、(-)-(R,R)-1,4-ブタンジイルビス((1,1,3,3-テトラメチルブチル)メチルホスフィンオキシド)、(+)-(S,S)-1,2-エタンジイルビス((1,1,3,3-テトラメチルブチル)エチルホスフィンオキシド)、(-)-(R,R)-1,2-エタンジイルビス((1,1,3,3-テトラメチルブチル)エチルホスフィンオキシド)、(+)-(S,S)-1,2-エタンジイルビス((1,1,3,3-テトラメチルブチル)tert-ブチルホスフィンオキシド)、(-)-(R,R)-1,2-エタンジイルビス((1,1,3,3-テトラメチルブチル)tert-ブチルホスフィンオキシド)、(+)-(S,S)-1,2-エタンジイルビス((o-メトキシフェニル)フェニルホスフィンオキシド)、(-)-(R,R)-1,2-エタンジイルビス((o-メトキシフェニル)フェニルホスフィンオキシド)、(+)-(S,S)-1,2-エタンジイルビス((o-エチルフェニル)フェニルホスフィンオキシド)、(-)-(R,R)-1,2-エタンジイルビス((o-エチルフェニル)フェニルホスフィンオキシド)、1,2-エタンジイルビス((1,1,3,3-テトラメチルブチル)メチルホスフィンオキシド)、1,4-ブタンジイルビス((1,1,3,3-テトラメチルブチル)メチルホスフィンオキシド)、1,2-エタンジイルビス((1,1,3,3-テトラメチルブチル)エチルホスフィンオキシド)、1,2-エタンジイルビス((1,1,3,3-テトラメチルブチル)tert-ブチルホスフィンオキシド)、1,2-エタンジイルビス((o-メトキシフェニル)フェニルホスフィンオキシド)、1,2-エタンジイルビス((o-エチルフェニル)フェニルホスフィンオキシド)等が挙げられる。
【0021】
【実施例】
以下、実施例によって詳細に説明する。
(実施例 1)
図1に示すような容量50mlの円筒形ガラス容器に(カルボキシメチル)(1,1,3,3-テトラメチルブチル)メチルホスフィンオキシド4.68g(0.02モル)を50mlのメタノールに溶解させ、電解質としてナトリウムメトキシド0.02g添加した。プラチナ電極(2cm×4cm×1mm)を電極間距離1mmに設置し、0.7アンペアで直流定電流電解した。電解と同時に、負極板より多量の気泡が発生し、液温が上昇した。ほぼ一定温度に保つように氷水で冷却し、均一にするために撹拌させた。7時間通電させた後に、反応液を高速液体クロマトグラフィーで分析したところ、原料は92.7%減少していた。
エバポレーターで溶媒を留去させ、100mlのジクロロメタンに溶解させ、1N水酸化ナトリウム水溶液で、未反応の原料を抽出し、有機層を純水で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで一昼夜脱水させ、溶媒をエバポレーターで除去することにより、白色結晶2.50gを得た。さらに、アセトンで再結精製することにより、融点199〜200℃の白色結晶0.83gを得た。
【0022】
NMRによる分析結果は以下により、組成物は、1,2-エタンジイルビス((1,1,3,3-テトラメチルブチル)メチルホスフィンオキシド)であった。
FAB-MS(Pos.);379[M+H]+
1H-NMR(ppm,CDCl3);1.06(s,18H,CH3),1.32-1.41(m,18H,CH3,P-CH3),1.47-1.61(m,4H,
CH2),1.83-2.02(m,4H,-CH2-CH2-)
【0023】
(実施例 2)
実施例1で使用したのと同じ容量50mlの円筒形ガラス容器に、旋光度[α]25D=-15.8(c 1.04,CHCl3),光学純度o.p.(HPLC)=98.6%e.e.、融点99〜100℃である(-)-(S)-[(カルボキシメチル)(1,1,3,3-テトラメチルブチル)]メチルホスフィンオキシド0.95g(0.004モル)を30mlのメタノールに溶解させ、電解質としてナトリウムメトキシド0.02g添加した。プラチナ電極(2cm×4cm×1mm)を電極間距離1mmに設置し、0.7アンペアで直流定電流電解した。ほぼ一定温度に保つように氷水で冷却し、均一にするために撹拌させた。3時間通電させた後に、反応液を高速液体クロマトグラフィーで分析したところ、原料は98.7%減少していた。
エバポレーターで溶媒を留去させ、100mlのジクロロメタンに溶解させ、1N水酸化ナトリウム水溶液で、未反応の原料を抽出し、有機層を純水で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで一昼夜脱水させ、溶媒をエバポレーターで除去することにより、白色結晶0.54gを得た。さらに、アセトンで再結精製することにより、融点118〜119℃の白色結晶0.27gを得た。
【0024】
生成物は、(+)-(S,S)-1,2-エタンジイルビス((1,1,3,3-テトラメチルブチル)メチルホスフィンオキシド) で、旋光度[α]25D=+13.4(c 1.04,CHCl3)であった。
NMRによる分析結果は以下のとおりである。
FAB-MS(Pos.);379[M+H]+
1H-NMR(ppm,CDCl3);1.06(s,18H,CH3),1.31-1.41(m,18H,CH3,P-CH3),1.49-1.62(m,4H,
CH2),1.70-1.81(m,2H,-CH-CH-),2.17-2.29(m,2H,-CH-CH-)
【0025】
【発明の効果】
本発明は上記のように構成したので、不斉合成触媒の配位子として有用な光学活性ビスホスフィンの前駆体として有用なビスホスフィンオキシドを、ホスフィンオキシドから、コルベ電解カップリング反応により収率良く製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1に使用した電解反応器の概略図である。
【符号の説明】
1 温度計
2 銅線
3 ガス抜き
4 水銀
5 白金線
6 白金板
7 撹拌器

Claims (1)

  1. 下記一般式(1):
    Figure 0004164141
    (式中、R1、R2は炭素数1〜18の直鎖または分岐状のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、アミノアルキル基または、置換もしくは無置換のフェニル基を示し、R1、R2は同一でも異なっていてもよく、Aは直鎖または分岐のアルキレン基を示す。)で表されるホスフィンオキシドカルボン酸を、コルベ電解カップリング反応させることを特徴とする、下記一般式(2):
    Figure 0004164141
    (式中、R1、R2、Aは前記と同義を表す。)で表されるビスホスフィンオキシドの製造方法。
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