JP4162819B2 - High frequency circuit equipment - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、主としてマイクロ波帯およびミリ波帯において高周波信号を取り扱う高周波回路装置に関するものであり、即ち、導電性バンプを用いて高周波回路基板をフリップチップ実装する構造に係り、特に接地導体間に生じる不要伝搬モードによる共振を抑圧する構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図20は例えば特開平9−260582号公報に示された従来の高周波回路装置を示す構成図であり、図において、100は半導体チップ101の表面に形成された高周波回路、101は半導体チップ、102は実装基板、103は半導体チップ101の裏面に施されたグラウンド導体パターン、104は導電性バンプ、105はグラウンド導体パッド、106はグラウンド接続用スルーホール、107はグラウンド接続用ワイヤ、108は実装基板102の内層に形成されたグラウンド導体パターンである。
【0003】
次に動作について説明する。
半導体チップ101は、表面にFETなどを用いた高周波回路100が形成され、実装基板102の上面に表面を下にしてフリップチップ実装されている。
高周波回路100の入出力は、導電性バンプ104を介して実装基板102上のパターンと接続されている。
【0004】
半導体チップ101の裏面のグラウンド導体パターン103は、グラウンド接続用ワイヤ107を介して実装基板102の表面に配置されたグラウンド導体パッド105に接続されている。
グラウンド導体パッド105は、グラウンド接続用スルーホール106を介して実装基板102の内層に設けられたグラウンド導体パターン108と接続されている。
【0005】
高周波信号は、導電性バンプ104を通して実装基板102から半導体チップ101の表面の高周波回路100に加えられ、グラウンド電流は、グラウンド接続用ワイヤ107を介して半導体チップ101の裏面のグラウンド導体パターン103に加えられる。
【0006】
このような構造の高周波回路装置においては、半導体チップ101の裏面のグラウンド導体パターン103と実装基板102の内層のグラウンド導体パターン108が、グラウンド接続用ワイヤ107、グラウンド導体パッド105及びグラウンド接続用スルーホール106によって接続されている。
【0007】
このため、半導体チップ101の表面に設けられた高周波回路100は、上下をグラウンド導体で囲まれた状態となり、電気的に外部からシールドされた構造となる。
これにより、高周波回路100から不要な電波が外部に放射したり、外部からの電波が高周波回路100に干渉することを防ぐことができる。したがって、半導体チップ101の周りに、シールド用の金属壁を設ける必要がなくなり、回路の小形化や高密度化が可能となる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
従来の高周波回路装置は以上のように構成されているので、高周波回路100が使用する高周波信号の周波数が高くなると、半導体チップ101の裏面のグラウンド導体パターン103と実装基板102の内層のグラウンド導体パターン108との間に電位差が生じ、その結果、不要共振が発生して端子間のアイソレーションが劣化するなどの課題があった。
【0009】
その理由は、グラウンド電流が半導体チップ101の裏面のグラウンド導体パターン103と、実装基板102の内層のグラウンド導体パターン108とに分かれて流れることによるものであり、この様子を等価回路を用いて模式的に表すと図21のようになる。図において、111は導電性バンプ104の有するインダクタンス成分、112はグラウンド接続用ワイヤ107やグラウンド接続用スルーホール106の有するインダクタンス成分、113は実装基板102側の高周波信号パターンである。
【0010】
図21から分かるように、2つのグラウンド導体パターンは両端をインダクタンス成分112で短絡された伝送線路とみなすことができる。従って、グラウンド導体パターンの長さLが伝搬波長の1/2、あるいは、その整数倍とほぼ等しくなる周波数において、2つのグラウンド導体パターンは両端短絡の共振器として共振状態になる。このような共振状態では、半導体チップ101に入力される高周波信号の一部が当該共振器に結合して、入出力の反射特性が劣化するとともに、入出力間のアイソレーションが劣化する。従って、このような構造では、高い周波数では良好な特性が得られない問題が生じ、また、大きな半導体チップ101を用いた場合に良好な特性が得られない問題が生じる。
【0011】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、高周波信号の周波数が高くても良好な特性が得られるとともに、高周波信号の周波数が同一であれば、より大きな半導体チップを用いることができる高周波回路装置を得ることを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る高周波回路装置は、誘電体基板の表面に各第1のグラウンド導体パッドと抵抗膜を介してそれぞれ接続された複数のバンプ接続用導体パッドと、実装基板の表面に各バンプ接続用導体パッドと対向するようにそれぞれ配置された複数の第2のグラウンド導体パッドとをそれぞれ接続するようにしたものである。
【0017】
この発明に係る高周波回路装置は、誘電体基板の表面のグラウンド導体パターンと抵抗膜を介してそれぞれ接続された複数のバンプ接続用導体パッドと、実装基板の表面に各バンプ接続用導体パッドと対向するようにそれぞれ配置された複数のグラウンド導体パッドとをそれぞれ接続するようにしたものである。
【0018】
この発明に係る高周波回路装置は、誘電体基板の表面にそれぞれ配置された複数の第1のグラウンド導体パッドと、実装基板の表面に各第1のグラウンド導体パッドと対向するようにそれぞれ配置された複数のバンプ接続用導体パッドとをそれぞれ接続するようにしたものである。
【0019】
この発明に係る高周波回路装置は、実装基板の表面にそれぞれ配置された複数のバンプ接続用導体パッドと、誘電体基板の表面のグラウンド導体パターンとをそれぞれ接続するようにしたものである。
【0022】
この発明に係る高周波回路装置は、誘電体基板の表面のグラウンド導体パターンの一部を除去してスリット状パターンを設け、そのスリット状パターン両側のグラウンド導体パターン間を電気的に接続する抵抗膜パターンを設けたものである。
【0023】
この発明に係る高周波回路装置は、スリット状パターンが誘電体基板の表面のグラウンド導体パターンに誘電体基板の外周側から切り欠き状に形成され、そのスリット状パターンの長さが高周波信号の波長の4分の1又はその波長の奇数倍であるようにしたものである。
【0024】
この発明に係る高周波回路装置は、スリット状パターンが誘電体基板の表面のグラウンド導体パターンの内部に穴状に形成され、そのスリット状パターンの長さが高周波信号の波長の2分の1又はその波長の整数倍であるようにしたものである。
【0025】
この発明に係る高周波回路装置は、誘電体基板と実装基板の間に挿入されて、高周波回路の入力側のストリップ導体パターンと実装基板の表面のストリップ導体パターンを接続する第1の導電性バンプと、高周波回路の出力側のストリップ導体パターンと実装基板の表面のストリップ導体パターンを接続する第2の導電性バンプとからストリップ導体接続手段を構成するようにしたものである。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1による高周波回路装置を示す断面図、図2は図1の高周波回路装置を構成する半導体チップ表面のパターン図、図3は図1の高周波回路装置を構成する実装基板表面のパターン図である。
図において、1はグラウンド導体パターン3が裏面に施され、かつ、入力側及び出力側にストリップ導体パターン4が接続されている高周波回路100が表面に施された半導体チップ(誘電体基板)、2は表面側が半導体チップ1の表面側と平行に対向配置されて、ストリップ導体パターン6が表面に施され、かつ、グラウンド導体パターン5が裏面に施された実装基板、3はグラウンド導体パターン、4はストリップ導体パターン、5はグラウンド導体パターン、6はストリップ導体パターンである。
【0028】
7,11は高周波回路100に入力される高周波信号の波長の半波長に満たない間隔を置いて、半導体チップ1の表面にそれぞれ配置されたグラウンド導体パッド(第1のグラウンド導体パッド)、8,12は半導体チップ1の内部に貫入され、グラウンド導体パッド7,11を半導体チップ1の裏面のグラウンド導体パターン3にそれぞれ接続するグラウンド接続用スルーホール(第1の柱状導体)、13,15は実装基板2の表面にグラウンド導体パッド7,11と対向するようにそれぞれ配置されたグラウンド導体パッド(第2のグラウンド導体パッド)、14,16は実装基板2の内部に貫入され、グラウンド導体パッド13,15を実装基板2の裏面のグラウンド導体パターン5にそれぞれ接続するグラウンド接続用スルーホール(第2の柱状導体)、9は半導体チップ1と実装基板2の間に挿入されて、グラウンド導体パッド7,11とグラウンド導体パッド13,15をそれぞれ接続するとともに、ストリップ導体パターン4が引き出されているバンプ接続用導体パッド10と実装基板2の表面のストリップ導体パターン6を接続する導電性バンプ、10はバンプ接続用導体パッドである。
【0029】
なお、導電性バンプ9及びバンプ接続用導体パッド10からストリップ導体接続手段が構成され、グラウンド導体パッド7,11,13,15、グラウンド接続用スルーホール8,12,14,16及び導電性バンプ9からグラウンド導体接続手段が構成されている。
【0030】
次に動作について説明する。
半導体チップ1と実装基板2は、それぞれの表面を向かい合わせて平行に配置されている。半導体チップ1の裏面全面には、グラウンド導体パターン3が配置され、表面には、FETなどの能動素子を含んだ高周波回路100が形成されている。
【0031】
高周波回路100の入出力信号は、ストリップ導体パターン4で取り出され、バンプ接続用導体パッド10に接続されている。バンプ接続用導体パッド10の両脇には、グラウンド導体パッド11が設けられ、それぞれグラウンド接続用スルーホール12を介して半導体チップ1の裏面のグラウンド導体パターン3と接続されている。
【0032】
2箇所のバンプ接続用導体パッド10の間で、かつ、高周波回路100の外周の部分にグラウンド導体パッド7が複数設けられ、それぞれがグラウンド接続用スルーホール8を介して半導体チップ1の裏面のグラウンド導体パターン3に接続されている。
【0033】
実装基板2は、裏面全面にグラウンド導体パターン5が設けられ、表面には、半導体チップ1の表面のバンプ接続用導体パッド10に対向した位置からストリップ導体パターン6が引き出され、半導体チップ1の表面のグラウンド導体パッド7,11に対向した位置にグラウンド導体パッド13,15が設けられており、それぞれのグラウンド導体パッド13,15は、グラウンド接続用スルーホール14,16を介して実装基板2の裏面のグラウンド導体パターン5と接続されている。
【0034】
半導体チップ1の表面のバンプ接続用導体パッド10と実装基板2の表面のストリップ導体パターン6との間と、半導体チップ1の表面のグラウンド導体パッド7,11と実装基板2の表面のグラウンド導体パッド13,15との間が、半導体チップ1と実装基板2の間に挟まれた導電性バンプ9によって接続されている。
【0035】
実装基板2の表面のストリップ導体パターン6に加えられた高周波信号は、導電性バンプ9を通して半導体チップ1の表面のバンプ接続用導体パッド10に伝わり、ストリップ導体パターン4を介して高周波回路100に入力される。高周波回路100の出力信号は、この逆の経路を通って実装基板2の表面のストリップ導体パターン6に出力される。
【0036】
このとき、高周波信号のグラウンド電流は、実装基板2の裏面のグラウンド導体パターン5からグラウンド接続用スルーホール16を通して、実装基板2の表面のグラウンド導体パッド15に伝わり、導電性バンプ9を通って半導体チップ1の表面のグラウンド導体パッド11に流れ、グラウンド接続用スルーホール12を通って半導体チップ1の裏面のグラウンド導体パターン3に流れる。
半導体チップ1のグラウンド導体パターン3と実装基板2のグラウンド導体パターン5は、半導体チップ1両端のバンプ接続用パッド10の両脇に設けたグラウンド導体パッド11の部分で接続される他、この2箇所の間に設けられた4箇所のグラウンド導体パッド7の部分でも接続されている。
【0037】
このような構成においては、半導体チップ1の裏面と実装基板2の裏面における2つのグラウンド導体パターンの間が複数の場所で接続された状態となる。
この様子を等価回路を用いて模式的に表すと図4のようになる。図において、30はグラウンド接続用スルーホール12,16及びグラウンド導体パッド11,15間の導電性バンプ9等が有するインダクタンス成分、31はストリップ導体パターン6とバンプ接続用導体パッド10の間の導電性バンプ9が有するインダクタンス成分、32はグラウンド接続用スルーホール8,14及びグラウンド導体パッド7,13間の導電性バンプ9等が有するインダクタンス成分である。
【0038】
図4から分かるように、2つのグラウンド導体パターンから構成される伝送線路は、両端をインダクタンス30や32で短絡された3つの部分に分割された状態となる。このような回路が共振状態となるのは、両端を短絡されたそれぞれの伝送線路の長さLが伝搬波長の1/2、あるいは、その整数倍となる周波数であり、基板の両端部のみで2つのグラウンド導体パターンを接続した場合に比べ、高い周波数まで共振が起こらないこととなる。即ち、使用する高周波信号の伝搬波長の1/2未満の間隔でグラウンド接続パッドを設けて2つのグラウンド導体パターン間を接続すれば、不要共振による特性劣化を防ぐことができる。
【0039】
以上で明らかなように、この実施の形態1によれば、半導体チップ1の裏面のグラウンド導体パターン3と実装基板2の裏面のグラウンド導体パターン5を所定の間隔を置いてそれぞれ接続するように構成したので、高い周波数においても不要共振による特性劣化が生じることのない高周波回路装置を実現できる効果を奏する。また、逆に、同じ周波数で有れば、より大きな半導体チップ1を用いても良好な特性が得られる効果を奏する。
【0040】
なお、この実施の形態1では、半導体チップ1の裏面のグラウンド導体パターン3と実装基板2の裏面のグラウンド導体パターン5を接続するためのグラウンド導体パッド7を高周波回路100の周囲に設けたが、高周波回路100の内部に設けても同様の効果を奏する。
また、ここではFETなどの能動態素子を含んだ半導体チップ1をフリップチップ実装する場合について述べたが、半導体を用いないマイクロ波回路基板をフリップチップ実装する場合も同様の効果を奏する。
【0041】
さらに、この実施の形態1では、高周波回路100の入力側及び出力側にストリップ導体パターン4が各1本接続されているものについて示したが、これに限るものではなく、入力側及び出力側に複数本のストリップ導体パターン4が接続されていてもよい。また、高周波回路100の入力側及び出力側に接続されているストリップ導体パターン4のうち、一方のストリップ導体パターン4を削除するようにしてもよい。
【0042】
実施の形態2.
図5はこの発明の実施の形態2による高周波回路装置を示す断面図、図6は図5の高周波回路装置を構成する半導体チップ表面のパターン図、図7は図5の高周波回路装置を構成する実装基板表面のパターン図である。
図において、図1〜3と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。17は半導体チップ1の表面にストリップ導体パターン4及び高周波回路100を取り囲むように施されたグラウンド導体パターンである。
【0043】
次に動作について説明する。
半導体チップ1と実装基板2は、それぞれの表面を向かい合わせて平行に配置されている。半導体チップ1の表面には、FETなどの能動素子を含んだ高周波回路100が形成されている。
【0044】
高周波回路100の入出力信号は、ストリップ導体パターン4で取り出され、バンプ接続用導体パッド10に接続されている。高周波回路100の周囲及びストリップ導体パターン4の両側にはグラウンド導体パターン17が配置され、ストリップ導体パターン4とグラウンド導体パターン17によりコプレーナ線路が形成されている。
【0045】
実装基板2は、裏面全面にグラウンド導体パターン5が設けられ、表面には、半導体チップ1の表面のバンプ接続用導体パッド10に対向した位置からストリップ導体パターン6が引き出され、ストリップ導体パターン6の引き出し位置の両脇にグラウンド導体パッド15が設けられている。
また、半導体チップ1の表面における高周波回路100の周囲のグラウンド導体パターン17に対向する位置の実装基板2の表面上に、グラウンド接続用スルーホール14を介して実装基板2の裏面のグラウンド導体パターン5に接続されたグラウンド導体パッド13が設けられている。
【0046】
半導体チップ1の表面のバンプ接続用導体パッド10と実装基板2の表面のストリップ導体パターン6との間と、半導体チップ1の表面のグラウンド導体パターン17と実装基板2の表面のグラウンド導体パッド13,15との間が、半導体チップ1と実装基板2の間に挟まれた導電性バンプ9によって接続されている。
【0047】
このような半導体チップ1の表面の高周波回路100がコプレーナ線路で構成された場合においても、コプレーナ線路のグラウンド導体パターン17と、実装基板2のグラウンド導体パターン5の2つのグラウンド導体が存在する構造となるため、不要共振による特性劣化の問題が起こる。従って、この実施の形態2のように実装基板2に設けたグラウンド導体パッド13の部分において2つのグラウンド導体を接続することにより、上記実施の形態1と同様に、両端を短絡された伝送線路部分の長さを短くすることができるため、共振の発生する周波数を高くすることができる。
【0048】
以上のように、この実施の形態2によれば、半導体チップ1の高周波回路100がコプレーナ線路で構成されている場合について、高い周波数においても不要共振による特性劣化が生じることのない高周波回路装置を実現できる効果を奏する。
【0049】
なお、ここではFETなどの能動態素子を含んだ半導体チップをフリップチップ実装する場合について述べたが、半導体を用いないマイクロ波回路基板をフリップチップ実装する場合も同様の効果を奏する。
【0050】
実施の形態3.
図8はこの発明の実施の形態3による高周波回路装置を示す断面図、図9は図8の高周波回路装置を構成する半導体チップ表面のパターン図である。
図において、図1及び図2と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
18はバンプ接続用導体パッド、19は抵抗膜である。
【0051】
次に動作について説明する。
半導体チップ1の表面に設けられたバンプ接続用導体パッド18は抵抗膜19を介してグラウンド導体パッド7に電気的に接続されている。
グラウンド導体パッド7は、グラウンド接続用スルーホール8を介して半導体チップ1の裏面のグラウンド導体パターン3に接続されている。半導体チップ1は実装基板2にフリップチップ実装され、バンプ接続用導体パッド18と実装基板2の裏面のグラウンド導体パッド13は導電性バンプ9で接続されている。
【0052】
このような構成の場合のグラウンド導体パターンの関係を模式的に示すと図10のようになる。
図10から分かるように、半導体チップ1の裏面のグラウンド導体パターン3と実装基板2の裏面のグラウンド導体パターン5は、両端部においてグラウンド接続用スルーホール12,16及び導電性バンプ9等の有するインダクタンス30によって接続され、その間の部分でグラウンド接続用スルーホール8,14及び導電性バンプ9等の有するインダクタンス32と抵抗膜19の有する抵抗の直列回路によって接続されている。
【0053】
このように損失性の回路素子が並列に挿入された場合、両端短絡の伝送線路の共振は、共振のQ値が大幅に低下して共振の周波数特性が非常になだらかになるとともに、ストリップ線路との結合も非常に小さくなる。このため、高周波回路装置の特性に与える不要共振の影響はほとんど無視できるようになる。
なお、上記実施の形態1,2においては、導電性バンプ9で接続する点の間の距離Lを使用する高周波信号の伝搬波長の1/2未満にする必要があったが、この実施の形態3の場合、Lを伝搬波長の1/2未満にしなくても良いため、高い周波数で使用する場合に、半導体チップ1と実装基板2を導電性バンプ9で接続する点が多くなりすぎるという問題が生じない。
【0054】
以上のように、この実施の形態3によれば、不要共振が高周波回路装置の特性に与える影響をなくすことができる効果を奏する。また、高い周波数においても半導体チップ1と実装基板2を導電性バンプ9で接続する点が少なくてすむため、半導体チップ1の面積を小さくでき、高周波回路装置の小形化及び低コスト化が図れる効果も奏する。
【0055】
実施の形態4.
図11はこの発明の実施の形態4による高周波回路装置を構成する半導体チップ表面のパターン図である。
図において、図6及び図9と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
【0056】
次に動作について説明する。
半導体チップ1の表面に設けられたグラウンド導体パターン17の一部を除去した部分に、グラウンド導体パターン17と絶縁されたバンプ接続用導体パッド18が設けられ、グラウンド導体パターン17とバンプ接続用導体パッド18の間が抵抗膜19を介して電気的に接続されている。
バンプ接続用導体パッド18は、実装基板2の表面に設けられたグラウンド導体パッド13と導電性バンプ9によって接続される。
【0057】
このような構成により、上記実施の形態3と同様に、2つのグラウンド導体パターン間の不要共振のQ値が大幅に低下するため、高周波回路装置の特性に与える不要共振の影響がほとんど無視できるようになる。
【0058】
以上のように、この実施の形態4によれば、不要共振が高周波回路装置の特性に与える影響をなくすことができる効果を奏する。また、高い周波数においても半導体チップ1と実装基板2を導電性バンプ9で接続する点が少なくてすむため、半導体チップ1の面積を小さくでき、高周波回路装置の小形化及び低コスト化が図れる効果も奏する。
【0059】
実施の形態5.
図12はこの発明の実施の形態5による高周波回路装置を構成する実装基板表面のパターン図である。
図において、図3と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。20はバンプ接続用導体パッド、21は抵抗膜である。
【0060】
次に動作について説明する。
実装基板2の表面に、バンプ接続用導体パッド20が設けられ、グラウンド導体パッド13との間が抵抗膜21を介して接続されている。
グラウンド導体パッド13は、導電性バンプ9によって半導体チップ1の表面に設けられたグラウンド導体パッド7またはグラウンド導体パターン17に接続される。
【0061】
このように、実装基板2側に抵抗膜21を設けた構成によっても、上記実施の形態3,4のように半導体チップ1側に抵抗膜19を設けた場合と同様の効果を奏する。また、この場合、半導体チップ1の表面に抵抗膜19を設けるための面積を必要としないため、半導体チップ1の面積を小さくすることができる。
【0062】
以上のように、この実施の形態5によれば、不要共振が高周波回路装置の特性に与える影響をなくすことができる効果を奏する。また、半導体チップ1の面積を小さくできるため低コスト化が図れる効果も奏する。
【0063】
実施の形態6.
図13はこの発明の実施の形態6による高周波回路装置を示す断面図である。図において、図1と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。22は抵抗性バンプである。
【0064】
次に動作について説明する。
半導体チップ1の表面に設けられたグラウンド導体パッド7と実装基板2の表面に設けられたグラウンド導体パッド13の間を抵抗性バンプ22によって接続している。
【0065】
このような構成によっても、上記実施の形態3〜5と同様に、2つのグラウンド導体パターン間の不要共振のQ値を低下させて、高周波回路装置の特性に与える不要共振の影響をなくすことができる。また、半導体チップ1及び実装基板2に対して抵抗膜を設ける必要がないため、高周波回路装置全体の面積を小さくすることができる。
【0066】
以上のように、この実施の形態6によれば、不要共振が高周波回路装置の特性に与える影響をなくすことができる効果を奏する。また、高周波回路装置の小形化が図れる効果も奏する。
【0067】
実施の形態7.
図14はこの発明の実施の形態7による高周波回路装置を示す断面図である。図において、図5及び図13と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
【0068】
次に動作について説明する。
これは、半導体チップ1の高周波回路100がコプレーナ線路で構成された場合の構成であり、抵抗性バンプ22によって半導体チップ1の表面のコプレーナ線路のグラウンド導体パターン17と、実装基板2の表面のグラウンド導体パッド13との間が接続されており、上記実施の形態3〜6と同様の効果が得られる。
【0069】
以上のように、この実施の形態7によれば、不要共振が高周波回路装置の特性に与える影響をなくすことができる効果を奏する。また、高周波回路装置の小形化が図れる効果も奏する。
【0070】
実施の形態8.
図15はこの発明の実施の形態8による高周波回路装置を示す断面図、図16は図15の高周波回路装置を構成する半導体チップ表面のパターン図、図17は図15の高周波回路装置を構成する実装基板表面のパターン図である。
図において、図5〜7と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
23はスリット状パターン、24は抵抗膜である。
【0071】
次に動作について説明する。
半導体チップ1の表面に設けられたコプレーナ線路のグラウンド導体パターン17を一部除去することにより、導体を細長く部分的に取り去ったスリット状パターン23を設け、このスリット状パターン23の内部に抵抗膜24が設けられている。
【0072】
コプレーナ線路を伝搬する高周波信号のグラウンド電流は、ストリップ導体パターン4に隣接したグラウンド導体パターン17の縁の部分に集中し、ストリップ導体パターン4から離れた部分のグラウンド導体パターン17にはほとんど流れない。
しかし、半導体チップ1のグラウンド導体パターン3と実装基板2のグラウンド導体パターン5の間に電位差が生じて不要共振を起こす状態では、共振モードの電流はグラウンド導体パターン17の全面に広がって流れる。
【0073】
このため、スリット状パターン23の形状を適当に選ぶことにより、高周波回路の特性については影響を与えずに不要共振モードの電流を遮ることができる。このような不要共振モードの電流を遮るスリット状パターン23の内部に抵抗膜24を設けると、不要共振モードの電流が抵抗膜24で吸収され、上記実施の形態3〜7における2つのグラウンド導体パターンに並列に入れた抵抗と同様に、不要共振のQ値を低下させることができる。従って、不要共振による高周波回路装置の特性劣化を抑えることができる。
【0074】
このような構成では、高周波信号の入出力に用いるバンプ接続用導体パッド10及びその両脇に設けたグラウンド導体パッド15の部分以外に導電性バンプを設ける必要がなく、バンプ接続箇所を少なくすることができ、半導体チップ1の面積を小さくできるとともに、組立加工も簡単になる。
【0075】
以上のように、不要共振が高周波回路装置の特性に与える影響をなくすことができる効果を奏する。また、バンプ接続部の数を低減し、半導体チップ1の面積を小さくして低コスト化が図れる効果を奏する。
【0076】
実施の形態9.
図18はこの発明の実施の形態9による高周波回路装置を構成する半導体チップ表面のパターン図である。図において、図16と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
25は半導体チップ1の外周側から切り欠き状に形成されたスリット状パターンである。
【0077】
次に動作について説明する。
この実施の形態9では、スリット状パターン25は、グラウンド導体パターン17に基板外周側から切り込み状に設けられ、スリット状パターン25の長さSを高周波信号の伝搬波長の約1/4としている。
【0078】
抵抗膜24はスリット状パターン25の基板外周側の部分に設けられている。このようなスリット状パターン25は、片方が短絡され、もう一方が開放されたスロット線路と考えられるため、長さSが1/4波長になる周波数において共振状態となる。このような周波数においては、グラウンド導体パターン17を流れる電流が当該スロット線路の両側に集中して流れ、スロット線路の開放端側に設けられた抵抗膜24で吸収される。
従って、この周波数において、2つのグラウンド導体パターン間の不要共振が発生する場合、スリット状パターン25によって大きな吸収効果が得られるため、不要共振による特性劣化を効率よく抑圧することができる。
【0079】
以上のように、この実施の形態9によれば、上記実施の形態8に比べて、より良好な特性が得られる効果を奏する。
なお、この実施の形態9においては、スリット状パターン25の長さSを高周波信号の伝搬波長の1/4とするものについて示したが、この奇数倍の長さにしても同様な効果を奏する。
【0080】
実施の形態10.
図19はこの発明の実施の形態10による高周波回路装置を構成する半導体チップ表面のパターン図である。図において、図16と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
26はグラウンド導体パターン17の内部に穴状に形成されたスリット状パターンである。
【0081】
次に動作について説明する。
この実施の形態10では、スリット状パターン26は、グラウンド導体パターン17に細長い穴として設けられ、スリット状パターン26の長さSを高周波信号の伝搬波長の約1/2としている。
【0082】
抵抗膜24はスリット状パターン26の中央部に設けられている。このようなスリット状パターン26は、両端が短絡されたスロット線路と考えられるため、長さSが1/2波長になる周波数において共振状態となる。このような周波数においては、グラウンド導体パターン17を流れる電流がスロット線路の両側に集中して流れ、スロット線路の中央部分に設けられた抵抗膜24で吸収される。
従って、この周波数において、2つのグラウンド導体パターン間の不要共振が発生する場合、スリット状パターン26によって大きな吸収効果が得られるため、不要共振による特性劣化を効率よく抑圧することができる。
【0083】
以上のように、この実施の形態10によれば、上記実施の形態8に比べて、より良好な特性が得られる効果がある。
なお、この実施の形態10では、スリット状パターン26の長さSを高周波信号の伝搬波長の1/2とするものについて示したが、この整数倍の長さにしても同様な効果を奏する。
【0088】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、誘電体基板の表面に各第1のグラウンド導体パッドと抵抗膜を介してそれぞれ接続された複数のバンプ接続用導体パッドと、実装基板の表面に各バンプ接続用導体パッドと対向するようにそれぞれ配置された複数の第2のグラウンド導体パッドとをそれぞれ接続するように構成したので、高周波信号の周波数が高くても良好な特性が得られるとともに、高周波信号の周波数が同一であれば、大きな半導体チップを用いることができる効果がある。
また、高い周波数においても導電性バンプの接続点数を少なくすることができるため半導体チップの面積を小さくでき、その結果、小形化及び低コスト化を図れる効果がある。
【0089】
この発明によれば、誘電体基板の表面のグラウンド導体パターンと抵抗膜を介してそれぞれ接続された複数のバンプ接続用導体パッドと、実装基板の表面に各バンプ接続用導体パッドと対向するようにそれぞれ配置された複数のグラウンド導体パッドとをそれぞれ接続するように構成したので、高周波信号の周波数が高くても良好な特性が得られるとともに、高周波信号の周波数が同一であれば、大きな半導体チップを用いることができる効果がある。
また、高い周波数においても導電性バンプの接続点数を少なくすることができるため半導体チップの面積を小さくでき、その結果、小形化及び低コスト化を図れる効果がある。
【0090】
この発明によれば、誘電体基板の表面にそれぞれ配置された複数の第1のグラウンド導体パッドと、実装基板の表面に各第1のグラウンド導体パッドと対向するようにそれぞれ配置された複数のバンプ接続用導体パッドとをそれぞれ接続するように構成したので、高周波信号の周波数が高くても良好な特性が得られるとともに、高周波信号の周波数が同一であれば、大きな半導体チップを用いることができる効果がある。
また、高い周波数においても導電性バンプの接続点数を少なくすることができるため半導体チップの面積を小さくでき、その結果、小形化及び低コスト化を図れる効果がある。
【0091】
この発明によれば、実装基板の表面にそれぞれ配置された複数のバンプ接続用導体パッドと、誘電体基板の表面のグラウンド導体パターンとをそれぞれ接続するように構成したので、高周波信号の周波数が高くても良好な特性が得られるとともに、高周波信号の周波数が同一であれば、大きな半導体チップを用いることができる効果がある。
また、高い周波数においても導電性バンプの接続点数を少なくすることができるため半導体チップの面積を小さくでき、その結果、小形化及び低コスト化を図れる効果がある。
【0094】
この発明によれば、誘電体基板の表面のグラウンド導体パターンの一部を除去してスリット状パターンを設け、そのスリット状パターン両側のグラウンド導体パターン間を電気的に接続する抵抗膜パターンを設けるように構成したので、不要共振が高周波回路装置の特性に与える影響をなくすことができるとともに、バンプの接続点数を低減し、半導体チップの面積を小さくして低コスト化を図れる効果がある。
【0095】
この発明によれば、スリット状パターンが誘電体基板の表面のグラウンド導体パターンに誘電体基板の外周側から切り欠き状に形成され、そのスリット状パターンの長さが高周波信号の波長の4分の1又はその波長の奇数倍であるように構成したので、不要共振による特性劣化を更に効率よく抑圧することができる効果がある。
【0096】
この発明によれば、スリット状パターンが誘電体基板の表面のグラウンド導体パターンの内部に穴状に形成され、そのスリット状パターンの長さが高周波信号の波長の2分の1又はその波長の整数倍であるように構成したので、不要共振による特性劣化を更に効率よく抑圧することができる効果がある。
【0097】
この発明によれば、誘電体基板と実装基板の間に挿入されて、高周波回路の入力側のストリップ導体パターンと実装基板の表面のストリップ導体パターンを接続する第1の導電性バンプと、高周波回路の出力側のストリップ導体パターンと実装基板の表面のストリップ導体パターンを接続する第2の導電性バンプとからストリップ導体接続手段を構成するようにしたので、構造を複雑にすることなく、ストリップ導体パターン間を接続することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1による高周波回路装置を示す断面図である。
【図2】 図1の高周波回路装置を構成する半導体チップ表面のパターン図である。
【図3】 図1の高周波回路装置を構成する実装基板表面のパターン図である。
【図4】 図1の高周波回路装置の等価回路を示す模式図である。
【図5】 この発明の実施の形態2による高周波回路装置を示す断面図である。
【図6】 図5の高周波回路装置を構成する半導体チップ表面のパターン図である。
【図7】 図5の高周波回路装置を構成する実装基板表面のパターン図である。
【図8】 この発明の実施の形態3による高周波回路装置を示す断面図である。
【図9】 図8の高周波回路装置を構成する半導体チップ表面のパターン図である。
【図10】 図8の高周波回路装置を示す模式図である。
【図11】 この発明の実施の形態4による高周波回路装置を構成する半導体チップ表面のパターン図である。
【図12】 この発明の実施の形態5による高周波回路装置を構成する実装基板表面のパターン図である。
【図13】 この発明の実施の形態6による高周波回路装置を示す断面図である。
【図14】 この発明の実施の形態7による高周波回路装置を示す断面図である。
【図15】 この発明の実施の形態8による高周波回路装置を示す断面図である。
【図16】 図15の高周波回路装置を構成する半導体チップ表面のパターン図である。
【図17】 図15の高周波回路装置を構成する実装基板表面のパターン図である。
【図18】 この発明の実施の形態9による高周波回路装置を構成する半導体チップ表面のパターン図である。
【図19】 この発明の実施の形態10による高周波回路装置を構成する半導体チップ表面のパターン図である。
【図20】 従来の高周波回路装置を示す構成図である。
【図21】 従来の高周波回路装置の等価回路を示す模式図である。
【符号の説明】
1 半導体チップ(誘電体基板)、2 実装基板、3,5,17 グラウンド導体パターン、4,6 ストリップ導体パターン、7,11 グラウンド導体パッド(第1のグラウンド導体パッド、グラウンド導体接続手段)、8,12 グラウンド接続用スルーホール(第1の柱状導体、グラウンド導体接続手段)、9導電性バンプ(ストリップ導体接続手段、グラウンド導体接続手段)、10 バンプ接続用導体パッド(ストリップ導体接続手段)、13,15 グラウンド導体パッド(第2のグラウンド導体パッド、グラウンド導体接続手段)、14,16 グラウンド接続用スルーホール(第2の柱状導体、グラウンド導体接続手段)、17 グラウンド導体パターン、18,20 バンプ接続用導体パッド、19,21,24 抵抗膜、22 抵抗性バンプ、23,25,26 スリット状パターン、30〜32 インダクタンス成分、100 高周波回路。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a high-frequency circuit device that handles high-frequency signals mainly in the microwave band and the millimeter-wave band, that is, to a structure in which a high-frequency circuit board is flip-chip mounted using conductive bumps, particularly between ground conductors. The present invention relates to a structure that suppresses resonance caused by an unnecessary propagation mode.
[0002]
[Prior art]
FIG. 20 is a block diagram showing a conventional high-frequency circuit device disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 9-260582. In the figure, 100 is a high-frequency circuit formed on the surface of a
[0003]
Next, the operation will be described.
The
Input / output of the high-
[0004]
The
The
[0005]
A high-frequency signal is applied from the
[0006]
In the high-frequency circuit device having such a structure, the
[0007]
For this reason, the high-
Thereby, it is possible to prevent unnecessary radio waves from radiating to the outside from the high-
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
Since the conventional high-frequency circuit device is configured as described above, when the frequency of the high-frequency signal used by the high-
[0009]
The reason is that the ground current flows separately into the
[0010]
As can be seen from FIG. 21, the two ground conductor patterns can be regarded as transmission lines whose both ends are short-circuited by the
[0011]
The present invention has been made in order to solve the above-described problems. Even if the frequency of the high-frequency signal is high, good characteristics can be obtained. If the frequency of the high-frequency signal is the same, a larger semiconductor chip is used. An object of the present invention is to obtain a high-frequency circuit device that can be used.
[0016]
[Means for Solving the Problems]
In the high-frequency circuit device according to the present invention, each first ground conductor pad and Resistive film A plurality of bump connection conductor pads connected to each other via a plurality of bump connection conductor pads, and a plurality of second ground conductor pads respectively disposed on the surface of the mounting substrate so as to face each bump connection conductor pad. It is a thing.
[0017]
The high-frequency circuit device according to the present invention includes a ground conductor pattern on the surface of a dielectric substrate and Resistive film A plurality of bump connection conductor pads respectively connected via a plurality of bump connection conductor pads and a plurality of ground conductor pads respectively disposed on the surface of the mounting substrate so as to face each bump connection conductor pad. It is.
[0018]
The high-frequency circuit device according to the present invention is arranged such that a plurality of first ground conductor pads respectively disposed on the surface of the dielectric substrate and a surface of the mounting substrate so as to face each first ground conductor pad. A plurality of bump connecting conductor pads are connected to each other.
[0019]
In the high-frequency circuit device according to the present invention, a plurality of bump-connecting conductor pads respectively disposed on the surface of the mounting substrate are connected to the ground conductor pattern on the surface of the dielectric substrate.
[0022]
The high-frequency circuit device according to the present invention provides a slit pattern by removing a part of the ground conductor pattern on the surface of the dielectric substrate, and electrically connects the ground conductor patterns on both sides of the slit pattern. Is provided.
[0023]
In the high frequency circuit device according to the present invention, the slit pattern is formed in the ground conductor pattern on the surface of the dielectric substrate in a cutout shape from the outer peripheral side of the dielectric substrate, and the length of the slit pattern is the wavelength of the high frequency signal. It is a quarter or an odd multiple of the wavelength.
[0024]
In the high frequency circuit device according to the present invention, the slit pattern is formed in a hole shape inside the ground conductor pattern on the surface of the dielectric substrate, and the length of the slit pattern is one half of the wavelength of the high frequency signal or the This is an integral multiple of the wavelength.
[0025]
The high-frequency circuit device according to the present invention is inserted between a dielectric substrate and a mounting substrate, and has a first conductive bump connecting the strip conductor pattern on the input side of the high-frequency circuit and the strip conductor pattern on the surface of the mounting substrate. The strip conductor connecting means is composed of the strip conductor pattern on the output side of the high-frequency circuit and the second conductive bump for connecting the strip conductor pattern on the surface of the mounting substrate.
[0027]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described below.
1 is a sectional view showing a high-frequency circuit device according to
In the figure,
[0028]
[0029]
A strip conductor connecting means is constituted by the
[0030]
Next, the operation will be described.
The
[0031]
Input / output signals of the high-
[0032]
A plurality of
[0033]
The mounting
[0034]
Between the bump
[0035]
The high-frequency signal applied to the
[0036]
At this time, the ground current of the high-frequency signal is transmitted from the
The
[0037]
In such a configuration, the two ground conductor patterns on the back surface of the
This state is schematically shown in FIG. 4 using an equivalent circuit. In the figure, 30 is an inductance component of the
[0038]
As can be seen from FIG. 4, the transmission line composed of the two ground conductor patterns is in a state where both ends are divided into three parts short-circuited by
[0039]
As is apparent from the above, according to the first embodiment, the
[0040]
In the first embodiment, the
Although the case where the
[0041]
Further, in the first embodiment, the case where one
[0042]
5 is a sectional view showing a high-frequency circuit device according to
In the figure, the same reference numerals as those in FIGS. A
[0043]
Next, the operation will be described.
The
[0044]
Input / output signals of the high-
[0045]
The mounting
Further, the
[0046]
Between the bump
[0047]
Even in the case where the high-
[0048]
As described above, according to the second embodiment, in the case where the high-
[0049]
Although a case where a semiconductor chip including an active element such as an FET is flip-chip mounted is described here, the same effect can be obtained when a microwave circuit board not using a semiconductor is flip-chip mounted.
[0050]
8 is a cross-sectional view showing a high-frequency circuit device according to
In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 1 and FIG.
[0051]
Next, the operation will be described.
The bump connecting
The
[0052]
In the case of such a configuration Schematic relationship of ground conductor pattern As shown in FIG.
As can be seen from FIG. 10, the
[0053]
When a lossy circuit element is inserted in parallel in this way, the resonance of the transmission line with both ends short-circuited greatly reduces the resonance Q value, and the resonance frequency characteristics become very smooth. The bond of is also very small. For this reason, the influence of unnecessary resonance on the characteristics of the high-frequency circuit device can be almost ignored.
In the first and second embodiments, the distance L between the points connected by the
[0054]
As described above, according to the third embodiment, it is possible to eliminate the influence of unnecessary resonance on the characteristics of the high-frequency circuit device. Further, since the
[0055]
FIG. 11 is a pattern diagram of the surface of a semiconductor chip constituting a high-frequency circuit device according to
In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 6 and FIG.
[0056]
Next, the operation will be described.
A portion of the
The bump
[0057]
With this configuration, as in the third embodiment, the Q value of unnecessary resonance between the two ground conductor patterns is greatly reduced, so that the influence of unnecessary resonance on the characteristics of the high-frequency circuit device can be almost ignored. become.
[0058]
As described above, according to the fourth embodiment, it is possible to eliminate the influence of unnecessary resonance on the characteristics of the high-frequency circuit device. Further, since the
[0059]
FIG. 12 is a pattern diagram of the surface of the mounting board constituting the high-frequency circuit device according to
In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 20 is a bump connecting conductor pad, and 21 is a resistance film.
[0060]
Next, the operation will be described.
A bump connecting
The
[0061]
As described above, the configuration in which the
[0062]
As described above, according to the fifth embodiment, it is possible to eliminate the influence of unnecessary resonance on the characteristics of the high-frequency circuit device. In addition, since the area of the
[0063]
13 is a sectional view showing a high-frequency circuit device according to
[0064]
Next, the operation will be described.
Resistive bumps 22 connect the
[0065]
Even with such a configuration, the Q value of unnecessary resonance between the two ground conductor patterns can be reduced, and the influence of unnecessary resonance on the characteristics of the high-frequency circuit device can be eliminated, as in the third to fifth embodiments. it can. Further, since it is not necessary to provide a resistance film on the
[0066]
As described above, according to the sixth embodiment, it is possible to eliminate the influence of unnecessary resonance on the characteristics of the high-frequency circuit device. In addition, the high-frequency circuit device can be miniaturized.
[0067]
14 is a sectional view showing a high-frequency circuit device according to
[0068]
Next, the operation will be described.
This is a configuration in the case where the high-
[0069]
As described above, according to the seventh embodiment, it is possible to eliminate the influence of unnecessary resonance on the characteristics of the high-frequency circuit device. In addition, the high-frequency circuit device can be miniaturized.
[0070]
15 is a sectional view showing a high-frequency circuit device according to an eighth embodiment of the present invention, FIG. 16 is a pattern diagram of the surface of a semiconductor chip constituting the high-frequency circuit device of FIG. 15, and FIG. 17 is a high-frequency circuit device of FIG. It is a pattern figure of the mounting substrate surface.
In the figure, the same reference numerals as those in FIGS.
[0071]
Next, the operation will be described.
By removing a part of the
[0072]
The ground current of the high-frequency signal propagating through the coplanar line is concentrated on the edge portion of the
However, when a potential difference occurs between the
[0073]
For this reason, by appropriately selecting the shape of the
[0074]
In such a configuration, there is no need to provide conductive bumps other than the bump
[0075]
As described above, it is possible to eliminate the influence of unnecessary resonance on the characteristics of the high-frequency circuit device. In addition, the number of bump connection portions can be reduced, the area of the
[0076]
FIG. 18 is a pattern diagram of the surface of a semiconductor chip constituting a high-frequency circuit device according to
[0077]
Next, the operation will be described.
In the ninth embodiment, the
[0078]
The
Therefore, when unnecessary resonance occurs between the two ground conductor patterns at this frequency, a large absorption effect is obtained by the slit-
[0079]
As described above, according to the ninth embodiment, there is an effect that better characteristics can be obtained as compared with the eighth embodiment.
In the ninth embodiment, the length S of the
[0080]
FIG. 19 is a pattern diagram of the surface of a semiconductor chip constituting a high frequency circuit device according to
[0081]
Next, the operation will be described.
In the tenth embodiment, the slit-
[0082]
The
Therefore, when unnecessary resonance occurs between the two ground conductor patterns at this frequency, a large absorption effect can be obtained by the
[0083]
As described above, according to the tenth embodiment, there is an effect that better characteristics can be obtained as compared with the eighth embodiment.
In the tenth embodiment, the
[0088]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, each first ground conductor pad and the surface of the dielectric substrate Resistive film A plurality of bump connection conductor pads connected to each other via a plurality of bump connection conductor pads, and a plurality of second ground conductor pads respectively disposed on the surface of the mounting substrate so as to face each bump connection conductor pad. Thus, good characteristics can be obtained even if the frequency of the high frequency signal is high, and there is an effect that a large semiconductor chip can be used if the frequency of the high frequency signal is the same.
Further, since the number of connection points of the conductive bumps can be reduced even at a high frequency, the area of the semiconductor chip can be reduced. As a result, there is an effect that the size and cost can be reduced.
[0089]
According to the present invention, the ground conductor pattern on the surface of the dielectric substrate and Resistive film A plurality of bump connection conductor pads respectively connected via the plurality of bump connection conductor pads and a plurality of ground conductor pads respectively disposed on the surface of the mounting substrate so as to face the bump connection conductor pads are connected to each other. Therefore, good characteristics can be obtained even if the frequency of the high-frequency signal is high, and a large semiconductor chip can be used if the frequency of the high-frequency signal is the same.
Further, since the number of connection points of the conductive bumps can be reduced even at a high frequency, the area of the semiconductor chip can be reduced. As a result, there is an effect that the size and cost can be reduced.
[0090]
According to the present invention, a plurality of first ground conductor pads respectively disposed on the surface of the dielectric substrate, and a plurality of bumps respectively disposed on the surface of the mounting substrate so as to face the first ground conductor pads. Since the connection conductor pads are connected to each other, good characteristics can be obtained even when the frequency of the high frequency signal is high, and a large semiconductor chip can be used if the frequency of the high frequency signal is the same. There is.
Further, since the number of connection points of the conductive bumps can be reduced even at a high frequency, the area of the semiconductor chip can be reduced. As a result, there is an effect that the size and cost can be reduced.
[0091]
According to the present invention, since the plurality of bump connecting conductor pads respectively disposed on the surface of the mounting substrate and the ground conductor pattern on the surface of the dielectric substrate are connected to each other, the frequency of the high frequency signal is high. However, good characteristics can be obtained, and a large semiconductor chip can be used if the frequency of the high-frequency signal is the same.
Further, since the number of connection points of the conductive bumps can be reduced even at a high frequency, the area of the semiconductor chip can be reduced. As a result, there is an effect that the size and cost can be reduced.
[0094]
According to the present invention, a part of the ground conductor pattern on the surface of the dielectric substrate is removed to provide the slit pattern, and the resistive film pattern for electrically connecting the ground conductor patterns on both sides of the slit pattern is provided. Thus, the influence of unnecessary resonance on the characteristics of the high-frequency circuit device can be eliminated, and the number of bump connection points can be reduced, the area of the semiconductor chip can be reduced, and the cost can be reduced.
[0095]
According to this invention, the slit pattern is formed in the ground conductor pattern on the surface of the dielectric substrate in a cutout shape from the outer peripheral side of the dielectric substrate, and the length of the slit pattern is a quarter of the wavelength of the high frequency signal. Since it is configured to be 1 or an odd multiple of its wavelength, there is an effect that characteristic deterioration due to unnecessary resonance can be more efficiently suppressed.
[0096]
According to the present invention, the slit pattern is formed in a hole shape inside the ground conductor pattern on the surface of the dielectric substrate, and the length of the slit pattern is one half of the wavelength of the high frequency signal or an integer of the wavelength. Since it is configured to be double, there is an effect that characteristic deterioration due to unnecessary resonance can be more efficiently suppressed.
[0097]
According to the present invention, the first conductive bump inserted between the dielectric substrate and the mounting substrate and connecting the strip conductor pattern on the input side of the high frequency circuit and the strip conductor pattern on the surface of the mounting substrate, and the high frequency circuit Since the strip conductor connecting means is constituted by the strip conductor pattern on the output side of the semiconductor chip and the second conductive bumps connecting the strip conductor pattern on the surface of the mounting substrate, the strip conductor pattern can be obtained without complicating the structure. There is an effect that can be connected.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a high-frequency circuit device according to
FIG. 2 is a pattern diagram of the surface of a semiconductor chip constituting the high-frequency circuit device of FIG.
3 is a pattern diagram of a surface of a mounting board constituting the high-frequency circuit device of FIG. 1. FIG.
4 is a schematic diagram showing an equivalent circuit of the high-frequency circuit device of FIG. 1. FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a high-frequency circuit device according to
6 is a pattern diagram of the surface of a semiconductor chip constituting the high-frequency circuit device of FIG. 5. FIG.
7 is a pattern diagram of the surface of a mounting board constituting the high-frequency circuit device of FIG. 5. FIG.
FIG. 8 is a sectional view showing a high-frequency circuit device according to
9 is a pattern diagram of the surface of a semiconductor chip constituting the high-frequency circuit device of FIG. 8. FIG.
10 is the same as FIG. Indicates a high-frequency circuit device It is a schematic diagram.
FIG. 11 is a pattern diagram of the surface of a semiconductor chip constituting a high-frequency circuit device according to
FIG. 12 is a pattern diagram of a surface of a mounting board that constitutes a high-frequency circuit device according to
FIG. 13 is a cross-sectional view showing a high-frequency circuit device according to
FIG. 14 is a sectional view showing a high-frequency circuit device according to a seventh embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a sectional view showing a high-frequency circuit device according to an eighth embodiment of the present invention.
16 is a pattern diagram of the surface of a semiconductor chip constituting the high-frequency circuit device of FIG. 15;
17 is a pattern diagram of the surface of a mounting board constituting the high-frequency circuit device of FIG. 15. FIG.
FIG. 18 is a pattern diagram of the surface of a semiconductor chip constituting a high-frequency circuit device according to
FIG. 19 is a pattern diagram of the surface of a semiconductor chip constituting a high frequency circuit device according to
FIG. 20 is a configuration diagram showing a conventional high-frequency circuit device.
FIG. 21 is a schematic diagram showing an equivalent circuit of a conventional high-frequency circuit device.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
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