JP2878043B2 - Microwave package - Google Patents

Microwave package

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JP2878043B2
JP2878043B2 JP4281059A JP28105992A JP2878043B2 JP 2878043 B2 JP2878043 B2 JP 2878043B2 JP 4281059 A JP4281059 A JP 4281059A JP 28105992 A JP28105992 A JP 28105992A JP 2878043 B2 JP2878043 B2 JP 2878043B2
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microwave
base metal
pattern
cavities
ground
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正人 藤原
紀雄 竹内
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Mitsubishi Electric Corp
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、レーダ等のマイクロ
波モジュールに用いられるマイクロ波パッケージに関す
るものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microwave package used for a microwave module such as a radar.

【0002】[0002]

【従来の技術】図15は例えば「アスペクツ オブ モ
ダーン レーダ(ASPECTS OF MODERNRADAR)」(Eli Br
ookner著、Artech House社出版 1988年刊行)に示され
た従来のマイクロ波パッケージの構造を示す図であり、
図(a)〜(c)において、1はベースメタル、2,
2,…の各々はセラミック基板でありベースメタル1の
上面に積層され、蝋付け等により固定されている。
2. Description of the Related Art FIG. 15 shows, for example, "ASPECTS OF MODERNRADAR" (Eli Br
ookner, published by Artech House, 1988), showing the structure of a conventional microwave package.
1A to 1C, 1 is a base metal, 2,
Each of the ceramic substrates 2 is laminated on the upper surface of the base metal 1 and fixed by brazing or the like.

【0003】3はキャビティ部、5は送信高電力増幅器
(送信回路)、6は受信低雑音増幅器(受信回路)、7
a,7bの各々は送受信切換回路である。送信高電力増
幅器5、受信低雑音増幅器6および送受信切換回路7
a,7bの各々はベースメタル1の上面に実装されてい
る。
[0003] 3 is a cavity, 5 is a transmitting high power amplifier (transmitting circuit), 6 is a receiving low noise amplifier (receiving circuit), 7
Each of a and 7b is a transmission / reception switching circuit. Transmission high power amplifier 5, reception low noise amplifier 6, and transmission / reception switching circuit 7
Each of a and 7b is mounted on the upper surface of the base metal 1.

【0004】8a,8bの各々はマイクロ波端子であ
り、図示のようにセラミック基板2の幅方向の両端部に
設けられている。マイクロ波端子8aは送受信切換回路
7aとワイヤボンディング等で接続されており、マイク
ロ波端子8bは送受信切換回路7bとワイヤボンディン
グ等で接続されている。
Each of 8a and 8b is a microwave terminal, and is provided at both ends in the width direction of the ceramic substrate 2 as shown in the figure. The microwave terminal 8a is connected to the transmission / reception switching circuit 7a by wire bonding or the like, and the microwave terminal 8b is connected to the transmission / reception switching circuit 7b by wire bonding or the like.

【0005】9a〜9fの各々は電源及び制御信号外部
端子であり、セラミック基板2の長さ方向の周縁部の略
中央に設けられている。10a〜10fの各々は電源・
制御信号内部端子であり、キャビティ部3に設けられ、
上記電源・制御信号外部端子9a〜9fのキャビティ側
の端と接続されている。電源・制御信号内部端子10
a,10bは受信低雑音増幅回路6とワイヤボンディン
グ等で接続されており、電源・制御信号内部端子10c
は送受信切換回路7bとワイヤボンディング等で接続さ
れている。また、電源・制御信号内部端子10d,10
eは送信電力増幅回路5とワイヤボンディング等で接続
されており、電源・制御信号内部端子10fは送受信切
換回路7aとワイヤボンディング等で接続されている。
11はキャビティ側壁、13a,13bの各々はマイク
ロストリップ線路、14はカバーである。
Each of 9a to 9f is a power supply and control signal external terminal, and is provided substantially at the center of the peripheral portion in the longitudinal direction of the ceramic substrate 2. Each of 10a to 10f is a power supply
A control signal internal terminal, provided in the cavity 3;
The power / control signal external terminals 9a to 9f are connected to the ends on the cavity side. Power / control signal internal terminal 10
a and 10b are connected to the reception low-noise amplifier circuit 6 by wire bonding or the like, and are provided with power / control signal internal terminals 10c.
Is connected to the transmission / reception switching circuit 7b by wire bonding or the like. Also, power / control signal internal terminals 10d, 10d
e is connected to the transmission power amplifier circuit 5 by wire bonding or the like, and the power / control signal internal terminal 10f is connected to the transmission / reception switching circuit 7a by wire bonding or the like.
11 is a cavity side wall, each of 13a and 13b is a microstrip line, and 14 is a cover.

【0006】次に動作について説明する。送信状態で
は、マイクロ波端子8bに供給された送信マイクロ波信
号が送受信切換回路7bの送受信の切り換えにより、マ
イクロストリップ線路13bを通り、送信高電力増幅回
路5に入る。ここで高電力増幅された後、送受信切換回
路7aの送受信の切り換えにより、マイクロ波端子8a
から出力される。
Next, the operation will be described. In the transmission state, the transmission microwave signal supplied to the microwave terminal 8b enters the transmission high power amplifier circuit 5 through the microstrip line 13b by switching between transmission and reception by the transmission / reception switching circuit 7b. Here, after the high power amplification, the transmission / reception switching of the transmission / reception switching circuit 7a causes the microwave terminal 8a
Output from

【0007】一方、受信状態では、マイクロ波端子8a
に供給された受信マイクロ波信号が送受信切換回路7a
の送受信の切り換えにより、マイクロストリップ線路1
3aを通り、受信低雑音増幅回路6に入る。ここで低雑
音増幅された後、送受信切換回路7bの切り換えによ
り、マイクロ波端子8bから出力される。
On the other hand, in the receiving state, the microwave terminal 8a
The reception microwave signal supplied to the transmission / reception switching circuit 7a
Switching of the microstrip line 1
The signal enters the reception low noise amplifier circuit 6 through 3a. Here, after the low noise amplification, the signal is output from the microwave terminal 8b by switching of the transmission / reception switching circuit 7b.

【0008】電源及び制御信号外部端子9a〜9fに供
給される電源および制御信号は、電源及び制御信号内部
端子10a〜10fを介して送信高電力増幅回路5、受
信低雑音増幅回路6および送受信切換回路7に入力され
る。
Power and control signals The power and control signals supplied to the external terminals 9a to 9f are transmitted via the power and control signal internal terminals 10a to 10f to the transmission high power amplifier 5, the reception low noise amplifier 6, and the transmission / reception switching. Input to the circuit 7.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波パッ
ケージは以上のように構成されているので、送信系の回
路と受信系の回路との間の干渉によるマイクロ波特性の
劣化が生じ、また、導波管モードによる共振のために最
高使用周波数に制限があるという問題点があった。
Since the conventional microwave package is configured as described above, the microwave characteristics are degraded due to the interference between the transmission circuit and the reception circuit. In addition, there is a problem that the maximum usable frequency is limited due to resonance in the waveguide mode.

【0010】また、図15に示すように幅方向の寸法L
が大きく、また、部品配置上の制限およびパッケージの
構造上、電源及び制御信号を幅方向から加える必要があ
るので、多数のパッケージをその幅方向に配置して使用
する場合に占有する面積が広くなるという問題点もあっ
た。
[0010] As shown in FIG.
In addition, power supply and control signals need to be applied in the width direction due to restrictions on the arrangement of parts and the structure of the package, so that a large area is occupied when a large number of packages are arranged and used in the width direction. There was also a problem of becoming.

【0011】また、特に説明はしていないが、従来のマ
イクロ波パッケージでは、そのマイクロ波端子が設けら
れる入出力部においてベースメタル1上のセラミック基
板2の間に形成されたマイクロ波信号用のグランドパタ
ーン(図示略)が高周波的にはベースメタル1から浮い
た状態にあるので、入出力部にてインピーダンスのミス
マッチが生じて反射が大きくなるという問題点があっ
た。
Although not particularly described, in a conventional microwave package, a microwave signal formed between a ceramic substrate 2 on a base metal 1 in an input / output section provided with the microwave terminal is provided. Since the ground pattern (not shown) is floating above the base metal 1 in terms of high frequency, there is a problem that an impedance mismatch occurs at the input / output section and reflection is increased.

【0012】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、広帯域に亘って良好なマイクロ
波特性が得られるとともに、複数個配置する場合に占有
面積を最小限にすることができるマイクロ波パッケージ
を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides good microwave characteristics over a wide band and minimizes the occupied area when a plurality of devices are arranged. It is an object to provide a microwave package that can be used.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明に係
るマイクロ波パッケージは、回路を少なくとも送信回路
と受信回路の二つに分けて、これらを第1、第2のキャ
ビティ部に実装させ、また、キャビティ側壁の内部にパ
ターン形成した第1、第2のグランドパターンの間を第
1、第2のキャビティ部の各々の周囲に沿って導通させ
る複数のスルーホールを設けたものである。この場合、
各スルーホールの間隔はマイクロ波の使用周波数の波長
距離の1/8以下にする。
In the microwave package according to the present invention, the circuit is divided into at least two circuits, a transmitting circuit and a receiving circuit, and these are mounted in the first and second cavities. Further, a plurality of through-holes are provided inside the side walls of the cavity, between the first and second ground patterns, which are patterned, along the periphery of each of the first and second cavities. in this case,
The distance between the through holes is set to 1/8 or less of the wavelength distance of the working frequency of the microwave.

【0014】請求項2記載の発明に係るマイクロ波パッ
ケージは、トリプレート線路の両側に沿ってマイクロ波
の使用周波数の波長距離の1/8以下の間隔で、第1、
第2のグランドパターンを導通させる複数のスルーホー
ルを設けたものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a microwave package, wherein the first and the second packages are arranged along both sides of the triplate line at intervals of 1/8 or less of the wavelength distance of the working frequency of the microwave.
A plurality of through holes for conducting the second ground pattern are provided.

【0015】請求項3記載の発明に係るマイクロ波パッ
ケージは、第1、第2のキャビティ部の各々の内部に第
1のグランドパターンと第2のグランドパターンとを貫
通させる溝部を設けるとともに、この溝部の第1、第2
のキャビティ部が互いに対向する側の部分、および、第
1、第2のグランドパターンの間の絶縁性基板に形成さ
れるトリプレート線路と対向する側の部分に側面メタラ
イズを施し、さらに、ベースメタルおよび各絶縁性基板
の外周部の側面に側面メタライズを施したものである。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a microwave package, wherein a groove for penetrating the first ground pattern and the second ground pattern is provided inside each of the first and second cavities. First and second grooves
Side metallization is applied to a portion on the side where the cavity portion faces each other, and a portion on the side facing the triplate line formed on the insulating substrate between the first and second ground patterns. In addition, side metallization is applied to the side surface of the outer peripheral portion of each insulating substrate.

【0016】請求項4記載の発明に係るマイクロ波パッ
ケージは、第1、第2のキャビティ部の各々の寸法を使
用周波数の波長に対して1/2以下にしたものである。
In a microwave package according to a fourth aspect of the present invention, the dimensions of each of the first and second cavities are reduced to half or less with respect to the wavelength of the operating frequency.

【0017】請求項5記載の発明に係るマイクロ波パッ
ケージは、第1、第2のキャビティ部を長さ方向にずら
して配置するようにしたものである。
According to a fifth aspect of the invention, there is provided a microwave package wherein the first and second cavities are displaced in the longitudinal direction.

【0018】請求項6記載の発明に係るマイクロ波パッ
ケージは、送信回路および受信回路の各々に対し、電源
及び制御信号を供給するための電源・制御信号外部端子
と、送信回路および受信回路に対してマイクロ波信号の
入出力を行うためのマイクロ波端子とをマイクロ波パッ
ケージ本体の長さ方向の一方の端部の同一面上に設ける
ようにしたものである。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a microwave package comprising: a power supply / control signal external terminal for supplying a power supply and a control signal to each of a transmission circuit and a reception circuit; A microwave terminal for inputting / outputting a microwave signal is provided on the same surface at one end in the longitudinal direction of the microwave package body.

【0019】請求項7記載の発明に係るマイクロ波パッ
ケージは、マイクロ波信号の入出力部において、マイク
ロ波信号グランドパターンとベースメタルとを側面メタ
ライズパターンで導通をとったものである。
According to a seventh aspect of the present invention, in the microwave signal input / output portion, the microwave signal ground pattern and the base metal are electrically connected by a side metallization pattern.

【0020】請求項8記載の発明に係るマイクロ波パッ
ケージは、マイクロ波信号の入出力部において、マイク
ロ波信号グランドパターンとベースメタルとを側面スル
ーホールで導通をとったものである。
In the microwave package according to the present invention, the microwave signal ground pattern and the base metal are electrically connected to each other by a through hole on a side surface in an input / output portion of the microwave signal.

【0021】請求項9記載の発明に係るマイクロ波パッ
ケージは、マイクロ波信号の入出力部において、マイク
ロ波信号グランドパターンとベースメタルとをビアホー
ルで導通をとったものである。
According to a ninth aspect of the present invention, in the microwave signal input / output portion, the microwave signal ground pattern and the base metal are electrically connected by via holes.

【0022】[0022]

【作用】請求項1記載の発明におけるマイクロ波パッケ
ージは、少なくとも第1、第2のキャビティ部によって
送信回路と受信回路とに分けるとともに、第1、第2の
キャビティ部の各々周囲に沿って複数のスルーホールを
形成して第1、第2のグランドパターンを導通させるの
で、送信回路と受信回路との間の干渉が抑制される。
According to the first aspect of the present invention, the microwave package is divided into a transmitting circuit and a receiving circuit by at least first and second cavities, and a plurality of microwave packages are provided around each of the first and second cavities. Is formed to conduct the first and second ground patterns, so that interference between the transmission circuit and the reception circuit is suppressed.

【0023】請求項2記載の発明におけるマイクロ波パ
ッケージは、トリプレート線路の両側に沿って複数のス
ルーホールを形成して第1、第2のグランドパターンを
導通させるので、トリプレート線路がシールドされる。
In the microwave package according to the second aspect of the present invention, a plurality of through holes are formed along both sides of the triplate line to conduct the first and second ground patterns, so that the triplate line is shielded. You.

【0024】請求項3記載の発明におけるマイクロ波パ
ッケージは、少なくとも第1、第2のキャビティ部によ
って送信回路と受信回路とに分けるとともに、第1、第
2のキャビティ部の各々の内部に形成した第1のグラン
ドパターンと第2のグランドパターンとを貫通させる溝
部と、この溝部の第1、第2のキャビティ部が互いに対
向する側の部分、および、第1、第2のグランドパター
ンの間の絶縁性基板に形成されるトリプレート線路と対
向する側の部分に側面メタライズを施し、さらに、ベー
スメタルおよび各絶縁性基板の外周部の側面に側面メタ
ライズを施すので、送信回路と受信回路との間の干渉が
抑制される。
The microwave package according to the third aspect of the present invention is divided into a transmitting circuit and a receiving circuit by at least first and second cavities, and is formed inside each of the first and second cavities. A groove for penetrating the first ground pattern and the second ground pattern, a portion of the groove on a side where the first and second cavities face each other, and a gap between the first and second ground patterns. The side metallization is applied to the part opposite to the triplate line formed on the insulating substrate, and the side metallization is applied to the base metal and the outer peripheral side of each insulating substrate. Interference between them is suppressed.

【0025】請求項4記載の発明におけるマイクロ波パ
ッケージは、第1、第2のキャビティ部の各々の寸法を
使用周波数の波長に対して1/2以下にするので、導波
管モードの遮断周波数が高くなり、最大使用周波数が高
まる。
In the microwave package according to the fourth aspect of the present invention, the size of each of the first and second cavities is made not more than 1/2 with respect to the wavelength of the operating frequency, so that the cutoff frequency of the waveguide mode is reduced. And the maximum operating frequency increases.

【0026】請求項5記載の発明におけるマイクロ波パ
ッケージは、第1、第2のキャビティ部をマイクロ波パ
ッケージ本体の長さ方向にずらして配置するので、マイ
クロ波パッケージの幅方向の寸法を短くできる。
In the microwave package according to the fifth aspect of the present invention, since the first and second cavities are displaced in the longitudinal direction of the microwave package main body, the width of the microwave package can be shortened. .

【0027】請求項6記載の発明におけるマイクロ波パ
ッケージは、電源・制御信号外部端子と、マイクロ波端
子とをマイクロ波パッケージ本体の長さ方向の一方の端
部の同一面上に設けるので、複数個のマイクロ波パッケ
ージを効率良く並べることができる。
In the microwave package according to the present invention, the power supply / control signal external terminal and the microwave terminal are provided on the same surface at one end in the longitudinal direction of the microwave package body. The microwave packages can be arranged efficiently.

【0028】請求項7記載の発明におけるマイクロ波パ
ッケージは、マイクロ波端子が設けられる入出力部にお
いて、側面メタライズパターンによりマイクロ波信号グ
ランドパターンとベースメタルとを接続するので、入出
力部におけるインピーダンスの整合が改善される。
In the microwave package according to the present invention, since the microwave signal ground pattern and the base metal are connected by the side metallization pattern in the input / output section provided with the microwave terminal, the impedance of the input / output section is reduced. The alignment is improved.

【0029】請求項8記載の発明におけるマイクロ波パ
ッケージは、マイクロ波端子が設けられる入出力部にお
いて、側面スルーホールによりマイクロ波信号グランド
パターンとベースメタルとを接続するので、入出力部に
おけるインピーダンスの整合が改善される。
In the microwave package according to the present invention, since the microwave signal ground pattern and the base metal are connected to each other by the side through holes in the input / output section provided with the microwave terminal, the impedance of the input / output section is reduced. The alignment is improved.

【0030】請求項9記載の発明におけるマイクロ波パ
ッケージは、マイクロ波端子が設けられる入出力部にお
いて、ビアホールによりマイクロ波信号グランドパター
ンとベースメタルとを接続するので、入出力部における
インピーダンスの整合状態が改善される。
In the microwave package according to the ninth aspect of the present invention, since the microwave signal ground pattern and the base metal are connected via the via holes in the input / output section provided with the microwave terminal, the impedance matching state in the input / output section is provided. Is improved.

【0031】[0031]

【実施例】実施例1.以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図1(a)〜(c)において、20は
ベースメタル、21,21,…の各々はセラミック基板
であり、ベースメタル20の上面に積層され、蝋付け等
で接続されている。22a,22bの各々はキャビティ
部であり、それぞれ独立して構成されている。
[Embodiment 1] An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In FIGS. 1A to 1C, reference numeral 20 denotes a base metal, 21, 21,..., Each a ceramic substrate, which is laminated on the upper surface of the base metal 20 and connected by brazing or the like. Each of the cavities 22a and 22b is a cavity, and is configured independently.

【0032】23a,23bの各々はキャビティ部22
a,22bの間を接続するトリプレート線路、5は送信
高電力増幅回路、6は受信低雑音増幅回路、7a,7b
の各々は送受信切換回路である。8a,8bの各々はマ
イクロ波端子であり、マイクロ波端子8aはセラミック
基板21の図面左端部に設けられ、マイクロ波端子8b
は同基板21の図面右端部に設けられている。
Each of 23a and 23b has a cavity 22
a, 22b, a triplate line, 5 is a transmitting high power amplifier, 6 is a receiving low noise amplifier, 7a, 7b
Are transmission / reception switching circuits. Each of the microwave terminals 8a and 8b is a microwave terminal. The microwave terminal 8a is provided at the left end of the ceramic substrate 21 in the drawing.
Is provided at the right end of the substrate 21 in the drawing.

【0033】24a〜24fの各々は電源・制御信号外
部端子であり、マイクロ波端子8bとともに図面右端部
に幅方向に並んで設けられている。25a〜25fの各
々は電源・制御信号内部端子であり、セラミック基板2
1の積層間に設けられた内部配線にて電源・制御外部端
子24a〜24fに接続されている。
Each of power supply / control signal external terminals 24a to 24f is provided along with the microwave terminal 8b at the right end of the drawing in the width direction. 25a to 25f are power / control signal internal terminals.
The internal power supply and control external terminals 24a to 24f are connected to each other by internal wiring provided between the stacks.

【0034】26はキャビティ部22a,22bを構成
するキャビティ側壁である。このキャビティ側壁26
は、図2に示すように積層したセラミック基板21にて
形成されており、その積層間にトリプレート線路23
a,23bがパターン形成されている。27,27,…
の各々はキャビティ側壁26の内部においてキャビティ
部22a,22bの外周とトリプレート線路23a,2
3bの両側に形成されたスルーホールである。
Reference numeral 26 denotes a side wall of the cavity that forms the cavities 22a and 22b. This cavity side wall 26
Are formed of ceramic substrates 21 stacked as shown in FIG.
a and 23b are patterned. 27,27, ...
Are inside the cavity side wall 26 and the outer periphery of the cavity portions 22a, 22b and the triplate lines 23a, 23a.
3b are through holes formed on both sides.

【0035】ここで、図3はスルーホール27が形成さ
れた部分を示す断面図であり、トリプレート線路23a
(または23b)を挟んでセラミック基板21,21に
形成されたグランドパターンGp1 ,Gp2 がスルーホ
ール27によって短絡されている。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a portion where the through hole 27 is formed.
The ground patterns Gp 1 and Gp 2 formed on the ceramic substrates 21 and 21 with (or 23 b) therebetween are short-circuited by the through holes 27.

【0036】これらスルーホール27,27,…によっ
て上下のグランドパターンGp1 ,Gp2 を短絡させる
ことによりシールド構造が得られ、キャビティ部22
a,22bの間の干渉を抑制することができる。すなわ
ち、スルーホール27,27,…の間隔をマイクロ波の
使用周波数の波長に比べて十分に小さくすれば、マイク
ロ波的に連続した断面と見なせるので、シールドを施し
た状態になる。
The upper and lower ground patterns Gp 1 and Gp 2 are short-circuited by the through holes 27, 27,.
a, 22b can be suppressed. That is, if the distance between the through holes 27, 27,... Is sufficiently smaller than the wavelength of the used frequency of the microwave, the section can be regarded as a microwave-continuous section, so that the shield is provided.

【0037】なお、スルーホール27,27,…の間隔
は使用周波数の波長の1/8程度であれば良く、また必
ずしも一定である必要もない。
The spacing between the through holes 27, 27,... May be about 程度 of the wavelength of the working frequency, and does not necessarily have to be constant.

【0038】図1に戻り、28a,28bの各々はマイ
クロストリップ線路であり、このうちマイクロストリッ
プ線路28aはトリプレート線路23aと受信低雑音増
幅回路6とを接続し、マイクロストリップ線路28bは
トリプレート線路23bと送信高電力増幅回路5とを接
続する。この場合、マイクロストリップ線路28a(2
8b)とトリプレート線路23a(23b)は、図4に
示すようにセラミック基板21の同一表面上に形成され
たパターンで構成される。
Returning to FIG. 1, each of the microstrip lines 28a and 28b is a microstrip line, of which the microstrip line 28a connects the triplate line 23a to the reception low noise amplifier circuit 6, and the microstrip line 28b is a triplate line. The line 23b is connected to the transmission high power amplifier circuit 5. In this case, the microstrip line 28a (2
8b) and the triplate line 23a (23b) are formed by a pattern formed on the same surface of the ceramic substrate 21 as shown in FIG.

【0039】29はキャビティ部22a,22bを覆う
カバーである。なお、このカバー29は図1(c)の断
面図にのみ描かれている。
A cover 29 covers the cavities 22a and 22b. The cover 29 is shown only in the sectional view of FIG.

【0040】本マイクロ波パッケージは、キャビティ側
壁26、トリプレート線路23a,23b、マイクロ波
端子8a,8b、電源・制御信号外部端子24a〜24
f、電源・制御信号内部端子25a〜25f、マイクロ
ストリップ線路28a,28bおよびスルーホール2
7,27,…を、複数のセラミック基板21,21,…
と、これらの内層及び表面層に構成するメタライズパタ
ーンにより一体形成したものである。
The present microwave package includes a cavity side wall 26, triplate lines 23a and 23b, microwave terminals 8a and 8b, and power / control signal external terminals 24a to 24.
f, power / control signal internal terminals 25a to 25f, microstrip lines 28a and 28b, and through hole 2
, 27,... Are replaced by a plurality of ceramic substrates 21, 21,.
And a metallized pattern formed on the inner layer and the surface layer.

【0041】そして、独立したキャビティ部22a,2
2bのうち、キャビティ部22aには送信高電力増幅回
路5および送受切換回路7aを実装し、キャビティ部2
2bには受信低雑音増幅回路6および送受切換回路7b
を実装している。
The independent cavities 22a, 22
2b, the transmission high power amplifier circuit 5 and the transmission / reception switching circuit 7a are mounted in the cavity 22a.
2b includes a reception low noise amplifier circuit 6 and a transmission / reception switching circuit 7b.
Is implemented.

【0042】また、キャビティ部22aに実装した送信
高電力増幅回路5および送受切換回路7aと、電源・制
御信号内部端子25d,25e,25f、マイクロ波端
子8aおよびマイクロストリップ線路28bとをワイヤ
ボンド等により接続し、同様にキャビティ部22bに実
装した受信低雑音増幅回路6および送受切換回路7b
と、電源・制御信号内部端子25a,25b,25c、
マイクロ波端子8bおよびマイクロストリップ線路28
aとをワイヤボンド等により接続している。
The transmission high power amplifier circuit 5 and the transmission / reception switching circuit 7a mounted on the cavity 22a and the power / control signal internal terminals 25d, 25e and 25f, the microwave terminal 8a and the microstrip line 28b are connected by wire bonding or the like. And a reception low-noise amplification circuit 6 and a transmission / reception switching circuit 7b similarly mounted in the cavity 22b.
Power / control signal internal terminals 25a, 25b, 25c,
Microwave terminal 8b and microstrip line 28
a is connected by a wire bond or the like.

【0043】また、電源・制御信号内部端子25a〜2
5fをセラミック基板21の内部配線を介して電源・制
御信号外部端子24a〜24fに接続している。一方、
キャビティ部22a,22bの幅方向の寸法Lを、最高
使用周波数に対して1/2波長以下になるように形成し
ている。この場合、キャビティ部の構造のモデルを図5
に示すようにした場合、導波管モードの遮断周波数(λ
g)は、 λg=2a の関係があるので、キャビティ部の幅aを狭くすれば遮
断周波数λgを高くすることができる。したがって、使
用最高周波数を高くとることが可能になる。
The power / control signal internal terminals 25a-2
5f is connected to the power / control signal external terminals 24a to 24f via the internal wiring of the ceramic substrate 21. on the other hand,
The width L of the cavities 22a and 22b in the width direction is formed so as to be 波長 wavelength or less with respect to the maximum use frequency. In this case, the model of the structure of the cavity is shown in FIG.
, The cutoff frequency of the waveguide mode (λ
g) has a relationship of λg = 2a, so that the cut-off frequency λg can be increased by reducing the width a of the cavity. Therefore, it is possible to increase the maximum use frequency.

【0044】上記セラミック基板21,21,…は絶縁
性基板に対応する。また、上記送信高電力増幅回路5は
送信回路に対応し、上記受信低雑音増幅回路6は受信回
路に対応する。なお、送受信切換回路7a,7bもこれ
ら送信回路および受信回路に含ませても良い。また、上
記キャビティ部22a,22bは第1、第2のキャビテ
ィ部に対応する。また、上記グランドパターンGp1
Gp2 は第1、第2のグランドパターンに対応する。
The ceramic substrates 21, 21,... Correspond to insulating substrates. The transmission high power amplifier 5 corresponds to a transmission circuit, and the reception low noise amplifier 6 corresponds to a reception circuit. The transmission / reception switching circuits 7a and 7b may be included in these transmission circuits and reception circuits. The cavities 22a and 22b correspond to the first and second cavities. Further, the ground patterns Gp 1 ,
Gp 2 corresponds to the first and second ground patterns.

【0045】次に動作について説明する。図6は上記構
成のマイクロ波パッケージのブロック図であり、この図
は送信状態を示している。まず、送信高電力増幅回路5
に電源が供給され、次いで送受切換回路7a,7bに接
点の切り換えのための制御信号が供給される。これによ
り送受切換回路7a,7bの接点位置が図6に示すよう
になる。
Next, the operation will be described. FIG. 6 is a block diagram of the microwave package having the above configuration, and this figure shows a transmission state. First, the transmission high power amplifier circuit 5
, And then a control signal for switching the contacts is supplied to the transmission / reception switching circuits 7a and 7b. As a result, the contact positions of the transmission / reception switching circuits 7a and 7b become as shown in FIG.

【0046】これらの処理が行われた後、マイクロ波端
子8bに送信マイクロ波信号が供給され、キャビティ部
22bに実装されている送受切換回路7b、トリプレー
ト線路23b、キャビティ部22a内のマイクロストリ
ップ線路28aを順次通過して送信高電力増幅回路5に
入力される。そして、ここで高電力増幅が行われた後、
送受切換回路7aを通過し、マイクロ波端子8aから出
力される。
After these processes are performed, a transmission microwave signal is supplied to the microwave terminal 8b and the transmission / reception switching circuit 7b mounted on the cavity 22b, the triplate line 23b, and the microstrip in the cavity 22a. The signal sequentially passes through the line 28a and is input to the transmission high power amplifier circuit 5. And after the high power amplification here,
The signal passes through the transmission / reception switching circuit 7a and is output from the microwave terminal 8a.

【0047】次に、受信状態における動作について説明
する。まず、受信低雑音増幅回路6に電源が供給され、
次いで送受切換回路7a,7bに接点の切り換えのため
の制御信号が供給される。これにより送受切換回路7
a,7bの接点位置が図6に示す状態と逆の状態にな
る。
Next, the operation in the receiving state will be described. First, power is supplied to the reception low noise amplifier circuit 6,
Next, a control signal for switching the contacts is supplied to the transmission / reception switching circuits 7a and 7b. Thereby, the transmission / reception switching circuit 7
The contact positions of a and 7b are in a state opposite to the state shown in FIG.

【0048】これらの処理が行われた後、マイクロ波端
子8aに供給された受信マイクロ波信号がキャビティ部
22aに実装されている送受切換回路7a、トリプレー
ト線路23a、マイクロストリップ線路28aを順次介
して受信低雑音増幅回路6に入力される。そして、ここ
で低雑音増幅が行われた後、送受切換回路7bを通過
し、マイクロ波端子8bから出力される。
After these processes are performed, the reception microwave signal supplied to the microwave terminal 8a is sequentially transmitted through the transmission / reception switching circuit 7a, the triplate line 23a, and the microstrip line 28a mounted on the cavity 22a. Input to the reception low noise amplifier circuit 6. Then, after the low noise amplification is performed, the signal passes through the transmission / reception switching circuit 7b and is output from the microwave terminal 8b.

【0049】このようにこの実施例では、キャビティ部
22a,22bをそれぞれ独立させ、これらをマイクロ
波パッケージ本体の長さ方向にずらして配置し、また、
マイクロ波端子8a、8bおよび電源・制御信号外部端
子24a〜24fをマイクロ波パッケージ本体の長さ方
向の両端部の同一面上に設けた。また、キャビティ部2
2a,22bの外周部のキャビティ側壁26にマイクロ
波の使用周波数の波長に比べて十分に小さい間隔でスル
ーホール27,27,…を形成した。
As described above, in this embodiment, the cavities 22a and 22b are made independent from each other, and they are displaced in the longitudinal direction of the microwave package body.
The microwave terminals 8a and 8b and the power / control signal external terminals 24a to 24f are provided on the same surface at both ends in the longitudinal direction of the microwave package body. Also, the cavity 2
The through holes 27, 27,... Are formed on the cavity side walls 26 on the outer peripheral portions of 2a and 22b at intervals sufficiently smaller than the wavelength of the working frequency of the microwave.

【0050】また、キャビティ側壁26の内部にトリプ
レート線路23a,23bを内蔵し、これらの線路の両
側に沿ってマイクロ波の使用周波数の波長に比べて十分
に小さい間隔でスルーホール27,27,…を形成し
た。さらに、キャビティ部22a,22bの幅方向の寸
法Lをマイクロ波の使用周波数の波長に対して1/2以
下にして遮断周波数が高くなるようにした。
Also, the triplate lines 23a and 23b are built in the cavity side wall 26, and the through holes 27, 27, and 27 are formed along both sides of these lines at intervals sufficiently smaller than the wavelength of the working frequency of the microwave. ... was formed. Furthermore, the width L of the cavity portions 22a and 22b in the width direction is set to 以下 or less of the wavelength of the working frequency of the microwave so as to increase the cutoff frequency.

【0051】したがって、各回路間における干渉が少な
くなり、また、導波管モードによる共振周波数が高くな
り、高帯域に亘って良好なマイクロ波特性が得られる。
また、形状を細長くできるので、多数のパッケージをそ
の幅方向に配置して使用する場合の占有面積を最小限に
することができる。
Therefore, interference between the circuits is reduced, the resonance frequency in the waveguide mode is increased, and good microwave characteristics can be obtained over a high band.
Further, since the shape can be elongated, the occupied area when a number of packages are arranged and used in the width direction can be minimized.

【0052】実施例2.次に、図7はこの発明の他の実
施例によるマイクロ波パッケージの構成図である。な
お、この図において前述した図1と共通する部分には同
一の符号を付してある。
Embodiment 2 FIG. Next, FIG. 7 is a configuration diagram of a microwave package according to another embodiment of the present invention. In this figure, the same parts as those in FIG. 1 described above are denoted by the same reference numerals.

【0053】この実施例ではスルーホール27の一部を
キャビティ部22a,22bの内部に沿って形成した溝
部34a,34bと、側面メタライズ35a,35bと
で置き換えたものであり、キャビティ部22a,22b
の外周に沿って設けたスルーホール27およびトリプレ
ート線路23a,23bの両側に設けたスルーホール2
7,27,…と同様の効果を奏する。
In this embodiment, a part of the through hole 27 is replaced by grooves 34a, 34b formed along the inside of the cavities 22a, 22b and side metallizations 35a, 35b.
And through holes 2 provided on both sides of the triplate lines 23a and 23b.
.., 27,...

【0054】溝部34a(34b)は、図8に示すよう
にトリプレート線路23a(23b)の上下のグランド
パターンGp1 ,Gp2 の間を貫通させ、メタライズを
施したものである。この場合、グランドパターンGp
1 ,Gp2 の間が短絡するようにメタライズを施してい
る。
As shown in FIG. 8, the groove portions 34a (34b) penetrate between the upper and lower ground patterns Gp 1 and Gp 2 of the triplate line 23a (23b) and are metallized. In this case, the ground pattern Gp
Metallization is applied to short-circuit between 1 and Gp 2 .

【0055】側面メタライズ35a,35bの各々は図
8に示すようにグランドパターンGp1 ,Gp2 の間を
短絡させるものである。溝部34a,34bと側面メタ
ライズ35a,35bとを設けることでスルーホール2
7,27,…を設けた場合と同様にシールド効果が得ら
れる。
Each of the side metallizations 35a and 35b short-circuits the ground patterns Gp 1 and Gp 2 as shown in FIG. By providing the grooves 34a, 34b and the side metallizations 35a, 35b, the through hole 2 is formed.
The shielding effect can be obtained as in the case where 7, 27,... Are provided.

【0056】実施例3.次に、図9はこの発明の他の実
施例によるマイクロ波パッケージの構成図である。な
お、この実施例において前述した図1と共通する部分に
は同一の符号を付してある。
Embodiment 3 FIG. Next, FIG. 9 is a configuration diagram of a microwave package according to another embodiment of the present invention. In this embodiment, the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

【0057】この実施例ではキャビティ部を更に独立さ
せたものであり、送信高電力増幅回路5に対してキャビ
ティ部22aを、受信低雑音増幅回路6に対してキャビ
ティ部22bを、送受切換回路7aに対してキャビティ
部22cを、送受切換回路7bに対してキャビティ部3
dをそれぞれ設けた。
In this embodiment, the cavities are further made independent, the cavities 22a for the transmission high power amplifier 5, the cavities 22b for the reception low noise amplifier 6, the transmission / reception switching circuit 7a 22c to the transmission / reception switching circuit 7b.
d was provided.

【0058】各キャビティ部22a〜22dのそれぞれ
の間の干渉は、実施例1と同様にグランドパターンGp
1 ,Gp2 の間をスルーホール27,27,…に短絡さ
せ、シールドすることで防止するようにしている。
The interference between the cavities 22a to 22d is caused by the ground pattern Gp as in the first embodiment.
1, a through hole between the Gp 2 27, 27, it is short-circuited to ..., thereby preventing by shielding.

【0059】実施例4.次に、図10はこの発明の他の
実施例によるマイクロ波パッケージの構成図である。こ
の実施例は、上記実施例1〜3のいずれかのマイクロパ
ッケージを2個用いて送受信モジュールを構成したもの
であり、2個のマイクロ波パッケージをモジュールケー
ス40に実装し、各マイクロ波端子8aをマイクロ波コ
ネクタ41a,41bに接続し、各マイクロ波端子8b
を分配器42に接続したものである。
Embodiment 4 FIG. Next, FIG. 10 is a configuration diagram of a microwave package according to another embodiment of the present invention. In this embodiment, a transmission / reception module is configured by using two of the micro packages of any of the first to third embodiments. Two microwave packages are mounted on the module case 40, and each of the microwave terminals 8a Are connected to microwave connectors 41a and 41b, and each microwave terminal 8b
Are connected to the distributor 42.

【0060】なお、図において43は電源・制御信号コ
ネクタであり、各端子が分配器42を介して各マイクロ
波パッケージの電源・制御信号外部端子24a〜24f
に接続されている。
In the figure, reference numeral 43 denotes a power / control signal connector, and each terminal is connected via a distributor 42 to external power / control signal terminals 24a to 24f of each microwave package.
It is connected to the.

【0061】実施例5.図11はこの発明の他の実施例
によるマイクロ波パッケージの入出力部を示したもので
あり、同図(a)は斜視図、同図(b)はマイクロ波信
号グランド層のパターン図、同図(c)は直流信号層の
パターン図である。なお、この図において前述した図1
と共通する部分には同一の符号を付してある。また、各
セラミック基板には図示のように上から21a、21
b、21c、21dと符号を付した。
Embodiment 5 FIG. 11A and 11B show an input / output unit of a microwave package according to another embodiment of the present invention. FIG. 11A is a perspective view, FIG. 11B is a pattern diagram of a microwave signal ground layer, and FIG. FIG. 3C is a pattern diagram of the DC signal layer. It should be noted that FIG.
The same reference numerals are given to the parts common to. In addition, as shown in the figure, each ceramic substrate 21a, 21a
Reference numerals are assigned to b, 21c, and 21d.

【0062】図において、50a〜50fの各々はビア
ホールであり、電源・制御信号外部端子24a〜24f
の各々と、セラミック基板21c,21dの間に形成さ
れた直流信号層51の直流信号パターン51a〜51f
(図(c)参照)との間を接続する。52はマイクロ波
信号グランド層であり、セラミック基板21b,21c
の間に形成されている。52aはマイクロ波信号グラン
ド層52のマイクロ波信号グランドパターンを示すもの
である。53は側面メタライズパターンであり、マイク
ロ波信号グランドパターン52aとグランドベースであ
るベースメタル20との間の導通をとる。
In the drawing, each of 50a to 50f is a via hole, and external power / control signal terminals 24a to 24f
Signal patterns 51a to 51f of a DC signal layer 51 formed between the ceramic substrates 21c and 21d.
(See FIG. (C)). 52 is a microwave signal ground layer, which is a ceramic substrate 21b, 21c.
Is formed between. Reference numeral 52a denotes a microwave signal ground pattern of the microwave signal ground layer 52. Reference numeral 53 denotes a side metallization pattern, which establishes conduction between the microwave signal ground pattern 52a and the base metal 20 serving as a ground base.

【0063】ここで、側面メタライズパターン53を設
けてマイクロ波信号グランドパターン52aとベースメ
タル20との間の導通をとった理由について図12を参
照しながら説明する。マイクロ波信号グランドパターン
52aとベースメタル20が入出力部で導通されていな
ければ、マイクロ波端子8bから見た電界分布は図
(a)の矢印で示すような分布になる。このことはマイ
クロ波信号グランドパターン52aが高周波的にグラン
ドになっていないことを意味している。このため入出力
部においてインピーダンスが変化し、ミスマッチが生じ
て反射が大きくなる。
[0063] Here, it described with reference to FIG. 12 the reasons for taking the conduction between the microwave signal ground pattern 52a and the base metal 20 is provided a side metalized pattern 53. If the microwave signal ground pattern 52a and the base metal 20 are not electrically connected at the input / output part, the electric field distribution viewed from the microwave terminal 8b is not shown.
The distribution is as shown by the arrow in FIG. This means that the microwave signal ground pattern 52a is not grounded at high frequencies. For this reason, the impedance changes in the input / output unit, a mismatch occurs, and the reflection increases.

【0064】さらに、直流信号層51の直流信号パター
ン51a〜51fがマイクロ波信号グランドパターン5
2aの略直下に位置するような場合は、マイクロ波信号
が直流信号パターン51a〜51fに乗ってしまい、発
振あるいは共振が生じる恐れがある。
Further, the DC signal patterns 51 a to 51 f of the DC signal layer 51 are
In the case where the microwave signal is located substantially immediately below 2a, the microwave signal may ride on the DC signal patterns 51a to 51f, and oscillation or resonance may occur.

【0065】そこで、入出力部においてマイクロ波信号
グランドパターン52aとベースメタル20との間の導
通をとることにより、入出力部での電界分布は図(b)
に示すように本来のマイクロストリップ構造と同様にな
る。この結果、入出力部でのインピーダンスのミスマッ
チが生じなくなり、反射が起こりにくくなる。また、マ
イクロ波信号が直流信号層51に漏れ込むことがないの
で発振や共振が生じない。
Therefore, by establishing conduction between the microwave signal ground pattern 52a and the base metal 20 in the input / output section, the electric field distribution in the input / output section is shown in FIG.
As shown in FIG. As a result, impedance mismatch at the input / output unit does not occur , and reflection hardly occurs. Further, since the microwave signal does not leak into the DC signal layer 51, no oscillation or resonance occurs.

【0066】実施例6.次に、図13はこの発明の他の
実施例によるマイクロ波パッケージの入出力部を示した
ものであり、同図(a)は斜視図、同図(b)はマイク
ロ波信号グランド層のパターン図、同図(c)は直流信
号層のパターン図である。なお、この図において前述し
た図1および図11と共通する部分には同一の符号を付
してある。
Embodiment 6 FIG. Next, FIG. 13 shows an input / output unit of a microwave package according to another embodiment of the present invention. FIG. 13 (a) is a perspective view, and FIG. 13 (b) is a pattern of a microwave signal ground layer. FIG. 3C is a pattern diagram of the DC signal layer. In this figure, the same parts as those in FIGS. 1 and 11 described above are denoted by the same reference numerals.

【0067】この実施例は、マイクロ波信号グランドパ
ターン52bとベースメタル20とを側面スルーホール
54により導通をとったものであり、上記実施例5と同
様の作用、効果を奏する。
In this embodiment, the microwave signal ground pattern 52b and the base metal 20 are electrically connected by the side through holes 54, and the same operation and effect as those of the fifth embodiment are obtained.

【0068】実施例7.次に、図14はこの発明の他の
実施例によるマイクロ波パッケージの入出力部を示した
ものであり、同図(a)は斜視図、同図(b)はマイク
ロ波信号グランド層のパターン図、同図(c)は直流信
号層のパターン図である。なお、この図において前述し
た図1および図12と共通する部分には同一の符号を付
してある。
Embodiment 7 FIG. 14A and 14B show an input / output unit of a microwave package according to another embodiment of the present invention. FIG. 14A is a perspective view, and FIG. 14B is a pattern of a microwave signal ground layer. FIG. 3C is a pattern diagram of the DC signal layer. In this figure, the same parts as those in FIGS. 1 and 12 described above are denoted by the same reference numerals.

【0069】この実施例は、マイクロ波信号グランドパ
ターン52aとベースメタル20とをマイクロ波端子8
bの下部に形成したビアホール55a〜55cにより導
通をとったものであり、上記実施例5,6と同様の作
用、効果を奏する。
In this embodiment, the microwave signal ground pattern 52a and the base metal 20 are connected to the microwave terminal 8
The conduction is achieved by the via holes 55a to 55c formed in the lower part of b, and the same operation and effect as those of the fifth and sixth embodiments are obtained.

【0070】なお、上記実施例5〜7ではマイクロ端子
8b側について説明したが、マイクロ波端子8aについ
ても同様である。
Although the fifth to seventh embodiments have been described on the side of the micro terminal 8b, the same applies to the microwave terminal 8a.

【0071】[0071]

【発明の効果】以上のように、請求項1記載の発明によ
れば、少なくとも第1、第2のキャビティ部によって送
信回路と受信回路とに分けるとともに、第1、第2のキ
ャビティ部の各々周囲に沿って複数のスルーホールを形
成して第1、第2のグランドパターンを導通させるよう
に構成したので、送信回路と受信回路との間の干渉を抑
制でき、良好なマイクロ波特性が得られる効果がある。
As described above, according to the first aspect of the present invention, at least the first and second cavities are divided into a transmission circuit and a reception circuit, and each of the first and second cavities is separated. Since a plurality of through holes are formed along the periphery to conduct the first and second ground patterns, interference between the transmission circuit and the reception circuit can be suppressed, and good microwave characteristics can be obtained. There is an effect that can be obtained.

【0072】また、請求項2記載の発明によれば、トリ
プレート線路の両側に沿って複数のスルーホールを形成
して第1、第2のグランドパターンを導通させるように
構成したので、トリプレート線路をシールドでき、良好
なマイクロ波特性が得られる効果がある。
According to the second aspect of the present invention, a plurality of through holes are formed along both sides of the triplate line so as to conduct the first and second ground patterns. There is an effect that the line can be shielded and good microwave characteristics can be obtained.

【0073】また、請求項3記載の発明によれば、少な
くとも第1、第2のキャビティ部によって送信回路と受
信回路とに分けるとともに、第1、第2のキャビティ部
の各々の内部に形成した第1のグランドパターンと第2
のグランドパターンとを貫通させる溝部と、この溝部の
第1、第2のキャビティ部が互いに対向する側の部分、
および、第1、第2のグランドパターンの間の絶縁性基
板に形成されるトリプレート線路と対向する側の部分に
側面メタライズを施し、さらに、ベースメタルおよび各
絶縁性基板の外周部の側面に側面メタライズを施すよう
に構成にしたので、請求項1記載の発明と同様の効果が
ある。
According to the third aspect of the present invention, the transmission circuit and the reception circuit are divided at least by the first and second cavities, and formed inside each of the first and second cavities. First ground pattern and second ground pattern
A groove through which the first and second cavities face each other;
In addition, side metallization is applied to a portion of the insulating substrate between the first and second ground patterns on the side facing the triplate line, and furthermore, the base metal and the side surface of the outer peripheral portion of each insulating substrate are provided. Since the configuration is such that the side metallization is performed, the same effect as the first aspect of the invention can be obtained.

【0074】また、請求項4記載の発明によれば、第
1、第2のキャビティ部の各々の寸法を使用周波数の波
長に対して1/2以下にして導波管モードの遮断周波数
が高くなるように構成したので、最大使用周波数を高く
でき、広帯域に亘ってマイクロ波特性が得られる効果が
ある。
According to the fourth aspect of the present invention, the cut-off frequency of the waveguide mode is increased by setting each dimension of the first and second cavities to 以下 or less with respect to the wavelength of the operating frequency. As a result, the maximum usable frequency can be increased, and the microwave characteristics can be obtained over a wide band.

【0075】また、請求項5記載の発明によれば、第
1、第2のキャビティ部をマイクロ波パッケージ本体の
長さ方向にずらして配置するように構成したので、マイ
クロ波パッケージの幅方向の寸法を短くでき、複数のマ
イクロ波パッケージを少ない占有面積で配置できる効果
がある。
According to the fifth aspect of the present invention, since the first and second cavities are arranged so as to be shifted in the longitudinal direction of the microwave package main body, the first and second cavities are arranged in the width direction of the microwave package. There is an effect that the dimensions can be shortened and a plurality of microwave packages can be arranged with a small occupation area.

【0076】また、請求項6記載の発明によれば、電源
・制御信号外部端子と、マイクロ波端子とをマイクロ波
パッケージ本体の長さ方向の一方の端部の同一面上に設
けるように構成したので、複数のマイクロ波パッケージ
の配置を容易にできる効果がある。
According to the sixth aspect of the present invention, the power supply / control signal external terminal and the microwave terminal are provided on the same surface at one end in the longitudinal direction of the microwave package body. Therefore, there is an effect that the arrangement of a plurality of microwave packages can be facilitated.

【0077】また、請求項7記載の発明によれば、マイ
クロ波端子が設けられる入出力部において、側面メタラ
イズパターンによりマイクロ波信号グランドパターンと
ベースメタルとを接続するように構成したので、入出力
部におけるインピーダンスの整合がとられ、入出力部に
おける反射を防止できる効果がある。また、マイクロ波
信号の直流信号層への漏れ込みが生じないことから、発
振または共振を防止できる効果もある。
According to the seventh aspect of the present invention, since the microwave signal ground pattern and the base metal are connected by the side metallization pattern in the input / output section provided with the microwave terminal, There is an effect that impedance matching in the section is achieved and reflection at the input / output section can be prevented. Further, since the microwave signal does not leak into the DC signal layer, there is an effect that oscillation or resonance can be prevented.

【0078】また、請求項8記載の発明によれば、マイ
クロ波端子が設けられる入出力部において、側面スルー
ホールによりマイクロ波信号グランドパターンとベース
メタルとを接続するように構成したので、請求項7記載
の発明と同様の効果がある。
According to the eighth aspect of the present invention, the microwave signal ground pattern and the base metal are connected to each other by the side through holes in the input / output section provided with the microwave terminal. There is an effect similar to that of the invention described in Item 7.

【0079】また、請求項9記載の発明によれば、マイ
クロ波端子が設けられる入出力部において、ビアホール
によりマイクロ波信号グランドパターンとベースメタル
とを接続するように構成したので、請求項7記載の発明
と同様の効果がある。
According to the ninth aspect of the present invention, the microwave signal ground pattern is connected to the base metal by the via hole in the input / output section provided with the microwave terminal. The present invention has the same effect as the invention.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施例によるマイクロ波パッケー
ジの構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a microwave package according to an embodiment of the present invention.

【図2】この発明の一実施例によるマイクロ波パッケー
ジの構成の一部の説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of a part of a configuration of a microwave package according to one embodiment of the present invention;

【図3】この発明の一実施例によるマイクロ波パッケー
ジの構成の一部の説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of a part of a configuration of a microwave package according to one embodiment of the present invention;

【図4】この発明の一実施例によるマイクロ波パッケー
ジの構成の一部の説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram of a part of a configuration of a microwave package according to one embodiment of the present invention;

【図5】この発明の一実施例によるマイクロ波パッケー
ジの遮断周波数の説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram of a cut-off frequency of a microwave package according to an embodiment of the present invention.

【図6】この発明の一実施例によるマイクロ波パッケー
ジのブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram of a microwave package according to an embodiment of the present invention.

【図7】この発明の他の実施例によるマイクロ波パッケ
ージの構成図である。
FIG. 7 is a configuration diagram of a microwave package according to another embodiment of the present invention.

【図8】この発明の他の実施例によるマイクロ波パッケ
ージの構成の一部の説明図である。
FIG. 8 is an explanatory view of a part of a configuration of a microwave package according to another embodiment of the present invention.

【図9】この発明の他の実施例によるマイクロ波パッケ
ージの構成図である。
FIG. 9 is a configuration diagram of a microwave package according to another embodiment of the present invention.

【図10】この発明の一実施例によるマイクロ波パッケ
ージを複数個用いて構成したモジュールの構成図であ
る。
FIG. 10 is a configuration diagram of a module configured by using a plurality of microwave packages according to an embodiment of the present invention.

【図11】この発明の他の実施例によるマイクロ波パッ
ケージの入出力部の構成図である。
FIG. 11 is a configuration diagram of an input / output unit of a microwave package according to another embodiment of the present invention.

【図12】この発明の他の実施例によるマイクロ波パッ
ケージの入出力部での電界分布の説明図である。
FIG. 12 is an explanatory diagram of an electric field distribution in an input / output unit of a microwave package according to another embodiment of the present invention.

【図13】この発明の他の実施例によるマイクロ波パッ
ケージの入出力部の構成図である。
FIG. 13 is a configuration diagram of an input / output unit of a microwave package according to another embodiment of the present invention.

【図14】この発明の他の実施例によるマイクロ波パッ
ケージの入出力部の構成図である。
FIG. 14 is a configuration diagram of an input / output unit of a microwave package according to another embodiment of the present invention.

【図15】従来のマイクロ波パッケージの構成図であ
る。
FIG. 15 is a configuration diagram of a conventional microwave package.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

5 送信高電力増幅回路(送信回路) 6 受信低雑音増幅回路(受信回路) 8a,8b マイクロ波端子 20 ベースメタル 21 セラミック基板(絶縁性基板) 21a〜21d セラミック基板(絶縁性基板) 22a,22b キャビティ部(第1、第2のキャビテ
ィ部) 22c,22d キャビティ部 23a,23b トリプレート線路 24a〜24f 電源・制御信号外部端子 26 キャビティ側壁 27,27,… スルーホール 28a,28b マイクロストリップ線路 34a,34b 溝部 Gp1 ,Gp2 グランドパターン(第1、第2のグラ
ンドパターン) 51a〜51f 直流信号パターン 52a〜52c マイクロ波信号グランドパターン 53 側面メタライズパターン 54 側面スルーホール 55a〜55c ビアホール
Reference Signs List 5 transmission high power amplification circuit (transmission circuit) 6 reception low noise amplification circuit (reception circuit) 8a, 8b microwave terminal 20 base metal 21 ceramic substrate (insulating substrate) 21a to 21d ceramic substrate (insulating substrate) 22a, 22b Cavities (first and second cavities) 22c, 22d Cavities 23a, 23b Triplate lines 24a to 24f Power / control signal external terminals 26 Cavity side walls 27, 27 ... Through holes 28a, 28b Microstrip lines 34a, 34b groove Gp 1, Gp 2 ground pattern (first, second ground pattern) 51 a to 51 f DC signal pattern 52a~52c microwave signal ground pattern 53 side metallization pattern 54 side through hole 55a~55c hole

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 23/12,25/00 H01P 3/08,5/08 Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 23 / 12,25 / 00 H01P 3 / 08,5 / 08

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ベースメタルの上面に積層される複数の
絶縁性基板と、前記各絶縁性基板により形成され、少な
くとも送信回路と受信回路に分けてこれらを実装する第
1、第2のキャビティ部と、前記第1、第2のキャビテ
ィ部の各々のキャビティ側壁の内部の少なくとも二つの
前記絶縁性基板にパターン形成される第1、第2のグラ
ンドパターンと、前記第1、第2のキャビティ部の各々
の周囲に沿ってマイクロ波の使用周波数の波長距離の1
/8以下の間隔で形成され、前記第1、第2のグランド
パターンの間を短絡させる複数のスルーホールとを備え
たマイクロ波パッケージ。
1. A plurality of insulating substrates laminated on an upper surface of a base metal, and first and second cavities formed by each of the insulating substrates and separately mounting at least a transmitting circuit and a receiving circuit. First and second ground patterns formed on at least two of the insulating substrates inside the side walls of each of the first and second cavities; and the first and second cavities. wavelength distance used frequency of the microwave along the periphery of each 1
And a plurality of through holes formed at an interval of / 8 or less and short-circuiting the first and second ground patterns.
【請求項2】 前記第1、第2のグランドパターンの間
の前記絶縁性基板に形成されるトリプレート線路の両側
に沿ってマイクロ波の使用周波数の波長距離の1/8
下の間隔で形成され、前記第1、第2のグランドパター
ンを導通させる複数のスルーホールを設けたことを特徴
とする請求項1記載のマイクロ波パッケージ。
2. A tri-plate line formed on the insulating substrate between the first and second ground patterns at an interval of 間隔 or less of a wavelength distance of a working frequency of a microwave along both sides of the tri-plate line. 2. The microwave package according to claim 1, wherein a plurality of through-holes are provided for conducting the first and second ground patterns.
【請求項3】 ベースメタルの上面に積層される複数の
絶縁性基板と、前記各絶縁性基板により形成され、少な
くとも送信回路と受信回路に分けてこれらを実装する第
1、第2のキャビティ部と、前記第1、第2のキャビテ
ィ部の各々のキャビティ側壁の内部の少なくとも二つの
前記絶縁性基板にパターン形成される第1、第2のグラ
ンドパターンと、前記第1のグランドパターンと前記第
2のグランドパターンとが貫通するように前記第1、第
2のキャビティ部の各々の内部に形成され、第1、第2
のキャビティ部が互いに対向する側の部分及び前記第
1、第2のグランドパターンの間の前記絶縁性基板に形
成されるトリプレート線路と対向する側の部分の各々に
側面メタライズ処理された溝部と、前記ベースメタル及
び前記各絶縁性基板の外周部の側面に形成される側面メ
タライズパターンとを備えたマイクロ波パッケージ。
3. A plurality of insulating substrates laminated on an upper surface of a base metal, and first and second cavities formed by each of the insulating substrates and separately mounting at least a transmitting circuit and a receiving circuit. A first and a second ground pattern formed on at least two of the insulating substrates inside the cavity side walls of the first and the second cavity portions; The first and second cavities are formed inside each of the first and second cavities so that the first and second cavities penetrate therethrough.
A groove portion on the side facing the triplate line formed on the insulating substrate between the first and second ground patterns; And a side metallization pattern formed on a side surface of an outer peripheral portion of the base metal and each of the insulating substrates.
【請求項4】 前記第1、第2のキャビティ部の各々の
幅寸法を使用周波数の波長に対して1/2以下にしたこ
とを特徴とする請求項1、請求項2又は請求項3いずれ
かの項記載のマイクロ波パッケージ。
4. The apparatus according to claim 1, wherein a width dimension of each of said first and second cavities is set to 以下 or less with respect to a wavelength of a used frequency. The microwave package according to any of the above items.
【請求項5】 前記第1、第2のキャビティ部を長さ方
向にずらして配置したことを特徴とする請求項1、請求
項2、請求項3又は請求項4いずれかの項記載のマイク
ロ波パッケージ。
5. The micro device according to claim 1, wherein the first and second cavities are arranged so as to be shifted in a length direction. Wave package.
【請求項6】 前記送信回路及び前記受信回路の各々に
対して電源及び制御信号を供給するための電源・制御信
号外部端子と、前記送信回路及び前記受信回路に対して
マイクロ波信号の入出力を行うためのマイクロ波端子と
をマイクロ波パッケージ本体の長さ方向の一方の端部の
同一面上に設けたことを特徴とする請求項1、請求項
2、請求項3、請求項4又は請求項5いずれかの項記載
のマイクロ波パッケージ。
6. A power supply / control signal external terminal for supplying a power supply and a control signal to each of the transmission circuit and the reception circuit, and a microwave signal input / output to the transmission circuit and the reception circuit. And a microwave terminal for performing the same is provided on the same surface at one end in the longitudinal direction of the microwave package body. The microwave package according to claim 5.
【請求項7】 ベースメタルと、前記ベースメタルの一
方の面に積層され、前記ベースメタルから上方に向けて
順次、直流信号パターン、マイクロ波信号グランドパタ
ーンが形成されるとともに、前記マイクロ波信号グラン
ドパターンの上方にマイクロ波信号入出力用のマイクロ
波端子がパターン形成される複数の絶縁性基板とを備え
たマイクロ波パッケージにおいて、前記マイクロ波端子
が設けられる入出力部に前記マイクロ波信号グランドパ
ターンと前記ベースメタルとを導通させる側面メタライ
ズパターンを形成したことを特徴とするマイクロ波パッ
ケージ。
7. A base metal, and a DC signal pattern and a microwave signal ground pattern are sequentially formed upward from the base metal and stacked on the one surface of the base metal, and the microwave signal ground is formed. A microwave package including a plurality of insulating substrates on which microwave terminals for microwave signal input / output are formed in a pattern above the pattern, wherein the microwave signal ground pattern is provided on an input / output unit provided with the microwave terminals. A side surface metallization pattern for conducting between the base metal and the base metal is formed.
【請求項8】 ベースメタルと、前記ベースメタルの一
方の面に積層され、前記ベースメタルから上方に向けて
順次、直流信号パターン、マイクロ波信号グランドパタ
ーンが形成されるとともに、前記マイクロ波信号グラン
ドパターンの上方にマイクロ波信号入出力用のマイクロ
波端子がパターン形成される複数の絶縁性基板とを備え
たマイクロ波パッケージにおいて、前記マイクロ波端子
が設けられる入出力部に前記マイクロ波信号グランドパ
ターンと前記ベースメタルとを導通させる側面スルーホ
ールを形成したことを特徴とするマイクロ波パッケー
ジ。
8. A base metal, and a DC signal pattern and a microwave signal ground pattern are sequentially formed upward from the base metal, and the microwave signal ground is formed on the base metal. A microwave package including a plurality of insulating substrates on which microwave terminals for microwave signal input / output are formed in a pattern above the pattern, wherein the microwave signal ground pattern is provided on an input / output unit provided with the microwave terminals. A side surface through-hole for electrically connecting the base metal to the base metal.
【請求項9】 ベースメタルと、前記ベースメタルの一
方の面に積層され、前記ベースメタルから上方に向けて
順次、直流信号パターン、マイクロ波信号グランドパタ
ーンが形成されるとともに、前記マイクロ波信号グラン
ドパターンの上方にマイクロ波信号入出力用のマイクロ
波端子がパターン形成される複数の絶縁性基板とを備え
たマイクロ波パッケージにおいて、前記マイクロ波端子
が設けられる入出力部に前記マイクロ波信号グランドパ
ターンと前記ベースメタルとを導通させるビアホールを
形成したことを特徴とするマイクロ波パッケージ。
9. A base metal, and a DC signal pattern and a microwave signal ground pattern are sequentially formed upward from the base metal and stacked on the one surface of the base metal, and the microwave signal ground is formed. A microwave package including a plurality of insulating substrates on which microwave terminals for microwave signal input / output are formed in a pattern above the pattern, wherein the microwave signal ground pattern is provided on an input / output unit provided with the microwave terminals. A via hole for electrically connecting the base metal to the base metal.
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