JP4156975B2

JP4156975B2 - Substrate processing equipment

Info

Publication number: JP4156975B2
Application number: JP2003157433A
Authority: JP
Inventors: 幸雄富藤; 聡鈴木
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2003-06-03
Filing date: 2003-06-03
Publication date: 2008-09-24
Anticipated expiration: 2023-06-03
Also published as: JP2004363200A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、プリント基板、半導体ウエハ等の基板の表面にエッチング液、現像液等の処理液を供給して基板に対しエッチング処理、現像処理等の処理を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板の表面へエッチング液、現像液等の処理液を供給して基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置において、むらのない均一な基板処理を行うためには、基板表面へ供給する処理液の温度を一定に保つことは勿論のこと、基板の全面にわたって温度を均一に保つ必要がある。すなわち、基板の表面に温度むらが発生すると、基板の表面上の位置によってエッチング、現像等の処理速度に差を生じ、それが処理むらを引き起こす原因となるからである。
【０００３】
基板の温度を全面にわたり均一に保って処理むらの発生を防止する手段として、例えば、処理槽内で基板を搬送ローラによって搬送しつつ、基板搬送路の上方に配置されたシャワー部から処理液を基板の表面に向かって吐出する装置において、シャワー部から基板上へ吐出され基板から垂れ落ちる余剰処理液を受けて溜める上面開口の処理液貯留槽を設けた装置構成が提案されている。このような構成により、基板から垂れ落ちて処理液貯留槽内に一時的に貯留された処理液から放出される輻射熱により、基板の温度を均一に調節して、処理むらの原因となる基板面の温度むらの発生を防止するようにしている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
上記した基板処理装置は、基板を搬送しつつシャワー部から基板の表面へ処理液を吐出して基板表面を処理するものであるが、パドル方式と呼ばれる方式を用いた基板処理装置では、図５に模式的側面図を示すように、基板Ｗの表面へ処理液を供給して基板Ｗの表面全体に処理液１を盛ってから、液盛りされた基板Ｗを、互いに平行に基板搬送路に沿って配列された複数本の搬送ローラ２により支持して移動、例えば直線的に往復移動（水平面内において揺動）させながら、その間にエッチング、現像等の反応を進行させて基板表面の処理が行われる。このパドル式基板処理装置では、基板Ｗの表面へ供給される処理液の温度は一定に保たれ、その処理液が基板Ｗの表面全体に盛られるため、液盛り時点において基板Ｗの温度は全面にわたって均一である。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−３６１１５９号公報（第３頁、図１）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、パドル式基板処理装置では、搬送ローラ２の温度が処理液１の温度（例えば４０℃）より低いために、液盛りされた基板Ｗの下面が搬送ローラ２と当接することにより、基板Ｗおよび処理液の温度が低下する。この場合、基板Ｗの全面にわたって均一に温度が低下すれば、それほど問題とはならない。ところが、図６に平面図を示すように、液盛りされた基板Ｗは、通常、複数本の搬送ローラ２によって往復移動させられながら処理が行われる。このとき、基板Ｗは、基板搬入時や基板反転時に僅かな時間であるが停止状態となる。この基板停止時に、基板Ｗの、搬送ローラ２と接触している部分は、他の部分より温度が低下することとなる。また、基板Ｗの、基板搬送方向における両端部の領域は、他の領域に比べて搬送ローラ２と接触している時間が短くなる。このため、基板面上の位置によって温度低下の程度に差を生じ、この結果、基板面上の位置によってエッチング、現像等の処理速度に差を生じて処理むらを引き起こす、といった問題点がある。
【０００７】
また、図７に示すように、回転支軸４の両端部に基板Ｗの左・右両端縁部を支持する両端支持部５を有するとともに回転支軸４の軸線方向に間隔をあけて複数の中間支持部６を有する搬送ローラ３を備えた装置では、両端支持部５および中間支持部６と接触する基板Ｗの部分における温度が非接触部分における温度に比べて低下する。このため、基板Ｗを連続的に一方向へ搬送しつつ基板Ｗの処理を行う場合であっても、両端支持部５および中間支持部６と接触する部分におけるエッチングレートや現像反応速度が遅くなって、処理後の基板には、複数本の線状の処理むらが発生することとなる。
【０００８】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、パドル方式を採用した基板の処理において、基板の温度を均一に保って処理むらの発生を防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、液供給ノズルを有し、水平方向へ搬送される基板が液供給ノズルの直下を通過する際に液供給ノズルから基板の表面へ処理液を供給して、基板の表面全体に処理液を盛る処理液供給手段と、互いに平行に配列され、基板の表面全体に盛られた処理液を基板上に保持させつつ基板を支持して水平方向へ往復移動させる複数本の搬送ローラと、を備え、前記複数本の搬送ローラによって基板を往復移動させる間に処理液によって反応を進行させ基板表面を処理する基板処理装置において、加温用液体が貯留され、その貯留された加温用液体中に前記搬送ローラの周面の一部が浸漬されるように搬送ローラの直下に配設された液溜め容器と、この液溜め容器内へ、基板上に盛られた処理液と同等の温度に調節された加温用液体を供給する液体供給手段とを備えて構成され、前記液体供給手段により加温用液体を前記液溜め容器内へ供給して液溜め容器内から加温用液体を溢れ出させながら、その液溜め容器内の加温用液体中に前記搬送ローラの周面の一部を浸漬させた状態で搬送ローラを常時回転させて搬送ローラを、基板上に盛られた処理液と同等の温度に加温するローラ加温手段を備えたことを特徴とする。
【００１０】
請求項２に係る発明は、液供給ノズルを有し、水平方向へ搬送される基板が液供給ノズルの直下を通過する際に液供給ノズルから基板の表面へ処理液を供給して、基板の表面全体に処理液を盛る処理液供給手段と、互いに平行に配列され、基板の表面全体に盛られた処理液を基板上に保持させつつ基板を支持して水平方向へ往復移動させる複数本の搬送ローラと、を備え、前記複数本の搬送ローラによって基板を往復移動させる間に処理液によって反応を進行させ基板表面を処理する基板処理装置において、前記搬送ローラの近傍に吐出口が配置された吐出ノズルと、この吐出ノズルへ、基板上に盛られた処理液と同等の温度に調節された加温用液体を供給する液体供給手段とを備えて構成され、前記搬送ローラを常時回転させながら前記吐出ノズルの吐出口から加温用液体を搬送ローラの周面へ吐出して搬送ローラを、基板上に盛られた処理液と同等の温度に加温するローラ加温手段を備えたことを特徴とする。
【００１１】
請求項３に係る発明は、液供給ノズルを有し、水平方向へ搬送される基板が液供給ノズルの直下を通過する際に液供給ノズルから基板の表面へ処理液を供給して、基板の表面全体に処理液を盛る処理液供給手段と、互いに平行に配列され、基板の表面全体に盛られた処理液を基板上に保持させつつ基板を支持して水平方向へ往復移動させる複数本の搬送ローラと、を備え、前記複数本の搬送ローラによって基板を往復移動させる間に処理液によって反応を進行させ基板表面を処理する基板処理装置において、前記搬送ローラの内部に液体通路を形成するとともに、その搬送ローラの液体通路へ、基板上に盛られた処理液と同等の温度に調節された加温用液体を供給する液体供給手段と、前記搬送ローラの液体通路から加温用液体を排出する液体排出手段とを備えて構成され、前記液体供給手段により加温用液体を前記搬送ローラの液体通路へ供給して液体通路内に加温用液体を流し、液体通路から加温用液体を前記液体排出手段により排出して搬送ローラを、基板上に盛られた処理液と同等の温度に加温するローラ加温手段を備えたことを特徴とする。
【００１２】
請求項４に係る発明は、請求項１または請求項２に記載の装置において、前記加温用液体が、基板の表面へ供給される処理液であることを特徴とする。
【００１３】
請求項５に係る発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の装置において、処理液がエッチング液であり、エッチング液によって基板の表面がエッチング処理されることを特徴とする。
【００１４】
請求項６に係る発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の装置において、処理液が現像液であり、現像液によって基板の表面が現像処理されることを特徴とする。
【００１５】
請求項１に係る発明の基板処理装置においては、ローラ加温手段の液体供給手段によって液溜め容器内へ加温用液体が供給され、液溜め容器内に貯留された加温用液体中に搬送ローラの周面の一部が浸漬されるとともに、その状態で搬送ローラが常時回転することにより、基板上に盛られた処理液と同等の温度に搬送ローラの周面全体が加温されるので、液盛りされた基板が搬送ローラと接触しても、基板および処理液の温度が低下することはない。したがって、基板の温度は全面にわたって均一となり、温度むらが発生することはない。
【００１６】
請求項２に係る発明の基板処理装置においては、ローラ加温手段の液体供給手段によって吐出ノズルへ加温用液体が供給され、吐出ノズルの吐出口から常時回転している搬送ローラの周面へ加温用液体が吐出されることにより、基板上に盛られた処理液と同等の温度に搬送ローラの周面全体が加温されるので、液盛りされた基板が搬送ローラと接触しても、基板および処理液の温度が低下することはない。したがって、基板の温度は全面にわたって均一となり、温度むらが発生することはない。
【００１７】
請求項３に係る発明の基板処理装置においては、ローラ加温手段の液体供給手段によって搬送ローラ内部の液体通路へ加温用液体が供給され、液体通路内に加温用液体が流されることにより、基板上に盛られた処理液と同等の温度に搬送ローラ全体が加温されるので、液盛りされた基板が搬送ローラと接触しても、基板および処理液の温度が低下することはない。したがって、基板の温度は全面にわたって均一となり、温度むらが発生することはない。そして、液体通路内を流れる間に熱交換によって温度が低下した加温用液体は、液体排出手段により液体通路から排出される。
【００１８】
請求項４に係る発明の装置では、処理液供給手段によって基板の表面へ供給される処理液と同じ処理液が加温用液体として、液体供給手段により液溜め容器または吐出ノズルへ供給される。
【００１９】
請求項５に係る発明の装置では、基板の温度が全面にわたって均一になるため、基板の表面全体においてエッチングレートに差を生じることがなく、基板の表面全体が均一にエッチング処理される。
【００２０】
請求項６に係る発明の装置では、基板の温度が全面にわたって均一になるため、基板の表面全体において現像反応速度に差を生じることがなく、基板の表面全体が均一に現像処理される。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の好適な実施形態について図１ないし図４を参照しながら説明する。
【００２２】
図１は、第１の発明の１実施形態を示し、基板処理装置の概略構成の１例を示す模式図である。この基板処理装置は、例えば基板のエッチング処理を行うための装置であって、互いに平行に基板搬送路に沿って配列された複数本の搬送ローラ１０を備えており、これら複数本の搬送ローラ１０により、基板Ｗが支持されて直線的に往復移動（水平面内において揺動）させられるようになっている。基板搬送路の一端側には、基板搬送路の直上位置に、下端面にスリット状吐出口が形設された液供給ノズル１２が配設されている。また、基板搬送路の下方には、エッチング液を回収するための液回収槽１４が配設されている。
【００２２】
液供給ノズル１２には、液供給用配管１６が連通接続されており、液供給用配管１６は、エッチング液１８が貯留された液貯留槽２０に流路接続されている。液供給用配管１６には、送液用ポンプ２２が介挿設置されており、また、フィルタ２４および開閉制御弁２６がそれぞれ介挿されている。そして、開閉制御弁２６を開くことにより、液貯留槽２０内からエッチング液１８がポンプ２２によって液供給用配管１６を通り液供給ノズル１２へ供給され、液供給ノズル１２のスリット状吐出口からエッチング液がカーテン状に吐出されて、液供給ノズル１２の直下を通過する基板Ｗの表面全体にエッチング液が盛られる。また、液回収槽１４の底部には、回収用配管２８が連通接続されており、回収用配管２８の先端出口は、液貯留槽２０内に配置されている。
【００２３】
液貯留槽２０には、その底部に一端口が連通接続され他端口が液貯留槽２０内に配置された液循環用配管３０が付設されている。この液循環用配管３０には、液循環用ポンプ３２が介挿設置されており、また、ヒータ３４が介挿されている。そして、液貯留槽２０に貯留されたエッチング液１８を、液循環用配管３０を通して循環させることにより、エッチング液は、ヒータ３４の内部を流通する際に加温され、コントローラ（図示せず）によってヒータ３４を制御することにより、液貯留槽２０内のエッチング液１８の温度が一定温度、例えば４０℃に調節されるようになっている。なお、液貯留槽２０内のエッチング液１８を一定温度に調節して保持する手段は、図示例の構成のものに限らない。
【００２４】
各搬送ローラ１０は、正・逆方向にそれぞれ回転可能であり、基板の処理中においては、基板搬入時や基板反転時の僅かな時間を除いて常時回転駆動している。各搬送ローラ１０の直下には、液溜め容器３６がそれぞれ配設されている。各液溜め容器３６には、液供給用配管１６からフィルタ２４と開閉制御弁２６との間で分岐した分岐配管３８がそれぞれ連通接続されている。そして、基板の処理中においては、液貯留槽２０内から一定温度に調節されたエッチング液が液供給用配管１６および分岐配管３８を通り各液溜め容器３６内へ連続してそれぞれ供給され、各液溜め容器３６内からエッチング液がそれぞれ溢れ出ている状態とされる。液溜め容器３６内から溢れ出たエッチング液は、液回収槽１４内に流下し、液回収槽１４内から回収用配管２８を通って液貯留槽２０内に戻される。
【００２５】
液溜め容器３６は、図２に斜視図を示すように、その内部に貯留されたエッチング液中に搬送ローラ１０の周面の一部がその全長にわたって浸漬されるような形状および大きさを有している。なお、図示例の装置では、搬送ローラ１０ごとに液溜め容器３６を設けているが、複数本の搬送ローラ１０ごとに大き目の液溜め容器を設けて、１つの液溜め容器内に貯留されたエッチング液中に複数本の搬送ローラ１０を浸漬させるようにしてもよいし、また、大型の液溜め容器を設けて、１つの液溜め容器内に貯留されたエッチング液中に全部の搬送ローラ１０を浸漬させるようにしてもよい。
【００２６】
上記した構成を備えた基板処理装置を使用して基板をエッチング処理するときは、各液溜め容器３６内に貯留された一定温度のエッチング液中に各搬送ローラ１０の周面の一部がそれぞれ浸漬されるとともに、その状態で各搬送ローラ１０が常時それぞれ回転することにより、基板Ｗ上に盛られたエッチング液と同等の温度に各搬送ローラ１０の周面全体がそれぞれ加温される。このため、液盛りされた基板Ｗが搬送ローラ１０と接触しても、基板Ｗおよびその表面全体に盛られたエッチング液の温度が低下することはない。したがって、基板Ｗの温度は全面にわたって均一となり、温度むらが発生することがないので、基板Ｗの表面全体にわたってエッチングレートが均一となり、処理むらを生じる恐れがない。
【００２７】
次に、図３は、第２の発明の１実施形態を示し、基板処理装置の搬送ローラ付近を示す斜視図である。この実施形態では、搬送ローラ１０の近傍に吐出口が配置された吐出ノズル４０を設けている。装置の全体構成は、図１に示した装置と同様であるが、液溜め容器３６を設置せずに、液供給用配管１６から分岐した分岐配管３８を吐出ノズル４０に連通接続する。
【００２８】
このような構成を備えた装置では、一定温度に調節されたエッチング液が吐出ノズル４０へ供給され、吐出ノズル４０の吐出口から常時回転している搬送ローラ１０の周面へ一定温度のエッチング液が吐出されることにより、基板Ｗ上に盛られたエッチング液と同等の温度に搬送ローラ１０の周面全体が加温されることとなる。このため、液盛りされた基板Ｗが搬送ローラ１０と接触しても、基板Ｗおよびその表面全体に盛られたエッチング液の温度が低下することがなくなり、基板Ｗの温度は全面にわたって均一となる。したがって、エッチングレートが基板Ｗの表面全体にわたって均一となり、処理むらの発生が防止される。なお、吐出ノズル４０から搬送ローラ１０の周面へ吐出されて搬送ローラ１０の周面から垂れ落ちたエッチング液は、液回収槽１４内に流下し、液回収槽１４内から回収用配管２８を通って液貯留槽２０内に戻される。
【００２９】
また、図４は、第３の発明の１実施形態を示し、基板処理装置の搬送ローラを、一部破断した状態で示す斜視図である。この搬送ローラ４２は、その内部に液体通路４４が形成されている。また、搬送ローラ４２の左・右の各回転支軸４６ａ、４６ｂの軸心部にも、液体通路４４に連通する液体通路（図示せず）がそれぞれ形成されている。そして、一方の回転支軸４６ａは、ロータリジョイント４８ａに接続され、回転支軸４６ａの液体通路は、ロータリジョイント４８ａを介して、加温用液体、例えば温水の供給装置（図示せず）に接続された温水供給管５０に流路接続されている。また、他方の回転支軸４６ｂは、ロータリジョイント４８ｂに接続され、回転支軸４６ｂの液体通路は、ロータリジョイント４８ｂを介して排水管５２に流路接続され、排水管５２は、温水供給装置に流路接続されている。
【００３０】
このような構成の搬送ローラ４２を備えた基板処理装置では、温水供給装置から一定温度、例えば４０℃に調節された温水が、温水供給管５０を通って搬送ローラ４２の内部の液体通路４４へ供給され、液体通路４４内に温水が流されることにより、基板Ｗ上に盛られたエッチング液と同等の温度に搬送ローラ４２の全体が加温される。そして、液体通路４４内を流れる間に熱交換によって温度が低下した温水は、液体通路４４内から排出されて、排水管５２を通り温水供給装置へ戻され、加温されて循環使用される。このように、搬送ローラ４２がその内部から加温されることにより、液盛りされた基板Ｗが搬送ローラ４２と接触しても、基板Ｗおよびその表面全体に盛られたエッチング液の温度が低下することがなくなり、基板Ｗの温度は全面にわたって均一となる。したがって、エッチングレートが基板Ｗの表面全体にわたって均一となり、処理むらが発生することがない。
【００３１】
なお、上記した実施形態では、エッチング処理を行う基板処理装置を例にとって説明したが、それ以外の基板処理装置、例えば現像処理を行う基板処理装置についてもこの発明は適用し得る。
【００３２】
【発明の効果】
請求項１ないし請求項３に係る各発明の基板処理装置を使用すると、パドル方式での基板の処理において、基板の温度を全面にわたって均一に保つことができ、このため、基板の温度むらに起因する処理むらの発生を防止することができる。
【００３３】
そして、請求項１および請求項２に係る各発明の装置では、搬送ローラの周面全体を、基板上に盛られた処理液と同等の温度に確実に加温することができる。
【００３４】
また、請求項３に係る発明の装置では、搬送ローラ全体を、基板上に盛られた処理液と同等の温度に確実に加温することができる。
【００３５】
請求項４に係る発明の装置では、基板の表面へ供給される処理液と同じ処理液を加温用液体として使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の発明の１実施形態を示し、基板処理装置の概略構成の１例を示す模式図である。
【図２】図１に示した基板処理装置に設けられる液溜め容器を示す斜視図である。
【図３】第２の発明の１実施形態を示し、基板処理装置の搬送ローラ付近を示す斜視図である。
【図４】第３の発明の１実施形態を示し、基板処理装置の搬送ローラを、一部破断した状態で示す斜視図である。
【図５】パドル方式の基板処理方法を説明するための模式的側面図である。
【図６】従来のパドル式基板処理装置における問題点を説明するための基板搬送部の平面図である。
【図７】従来のパドル式基板処理装置における問題点を説明するための図であって、搬送ローラの１構成例を示す正面図である。
【符号の説明】
Ｗ基板
１０、４２搬送ローラ
１２液供給ノズル
１４液回収槽
１６液供給用配管
１８エッチング液
２０液貯留槽
２２送液用ポンプ
２８回収用配管
３０液循環用配管
３２液循環用ポンプ
３４ヒータ
３６液溜め容器
３８分岐配管
４０吐出ノズル
４４液体通路
４６ａ、４６ｂ回転支軸
４８ａ、４８ｂロータリジョイント
５０温水供給管
５２排水管[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention supplies an etching solution, a developing solution, etc. to the surface of a substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a plasma display, a printed substrate, a semiconductor wafer, etc. the process relating to the line power sale board processor.
[0002]
[Prior art]
In a single-wafer type substrate processing apparatus that supplies a processing solution such as an etching solution or a developing solution to the surface of the substrate and processes the substrates one by one, in order to perform uniform substrate processing without unevenness, supply the substrate surface. In addition to keeping the temperature of the processing solution to be constant, it is necessary to keep the temperature uniform over the entire surface of the substrate. That is, if temperature unevenness occurs on the surface of the substrate, the processing speed such as etching and development varies depending on the position on the surface of the substrate, which causes processing unevenness.
[0003]
As a means for preventing the occurrence of processing unevenness by keeping the temperature of the substrate uniform over the entire surface, for example, while the substrate is transported by a transport roller in the processing tank, the processing liquid is supplied from the shower unit disposed above the substrate transport path. In an apparatus for discharging toward the surface of a substrate, an apparatus configuration has been proposed in which a processing liquid storage tank having an upper surface opening for receiving and storing surplus processing liquid discharged from the shower unit onto the substrate and dripping from the substrate has been proposed. With such a configuration, the substrate surface that causes processing unevenness by uniformly adjusting the temperature of the substrate by the radiant heat released from the processing liquid dripping from the substrate and temporarily stored in the processing liquid storage tank. The temperature unevenness is prevented from occurring (see, for example, Patent Document 1).
[0004]
The substrate processing apparatus described above is for processing the substrate surface by discharging the processing liquid from the shower unit to the surface of the substrate while transporting the substrate. In the substrate processing apparatus using a system called a paddle system, FIG. As shown in the schematic side view, after supplying the processing liquid to the surface of the substrate W and depositing the processing liquid 1 on the entire surface of the substrate W, the stacked substrates W are parallel to each other on the substrate transport path. The substrate surface is processed by supporting a plurality of transport rollers 2 arranged along, for example, reciprocating linearly (oscillating in a horizontal plane) while advancing reactions such as etching and development. Done. In this paddle type substrate processing apparatus, the temperature of the processing liquid supplied to the surface of the substrate W is kept constant, and the processing liquid is deposited on the entire surface of the substrate W. Uniform over.
[0005]
[Patent Document 1]
JP 2002-361159 A (3rd page, FIG. 1)
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the paddle type substrate processing apparatus, since the temperature of the transport roller 2 is lower than the temperature of the processing liquid 1 (for example, 40 ° C.), the bottom surface of the liquid-filled substrate W comes into contact with the transport roller 2, thereby In addition, the temperature of the treatment liquid decreases. In this case, if the temperature is lowered uniformly over the entire surface of the substrate W, there will be no problem. However, as shown in the plan view of FIG. 6, the liquid-filled substrate W is usually processed while being reciprocated by a plurality of transport rollers 2. At this time, the substrate W is in a stopped state for a short time when the substrate is carried in or when the substrate is reversed. When the substrate is stopped, the temperature of the portion of the substrate W that is in contact with the transport roller 2 is lower than that of the other portions. In addition, the region of both ends of the substrate W in the substrate transport direction is shorter in contact with the transport roller 2 than the other regions. For this reason, there is a problem in that the degree of temperature drop varies depending on the position on the substrate surface, and as a result, the processing speed such as etching and development varies depending on the position on the substrate surface, thereby causing uneven processing.
[0007]
Further, as shown in FIG. 7, both end portions of the rotation support shaft 4 have both end support portions 5 that support the left and right edge portions of the substrate W, and a plurality of the support shafts 4 are spaced apart in the axial direction of the rotation support shaft 4. In the apparatus including the transport roller 3 having the intermediate support portion 6, the temperature at the both-end support portion 5 and the portion of the substrate W in contact with the intermediate support portion 6 is lower than the temperature at the non-contact portion. For this reason, even in the case where the substrate W is processed while continuously transporting the substrate W in one direction, the etching rate and the development reaction speed in the portion in contact with the both-end support part 5 and the intermediate support part 6 are slow. Thus, a plurality of linear processing irregularities occur on the substrate after processing.
[0008]
The present invention has been made in view of the circumstances as described above, in the processing of substrates employing the paddle method, board processing where Ru can be prevented the occurrence of processing unevenness while maintaining the temperature of the substrate uniform An object is to provide an apparatus.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The invention according to claim 1 has a liquid supply nozzle, and supplies the processing liquid from the liquid supply nozzle to the surface of the substrate when the substrate transported in the horizontal direction passes directly below the liquid supply nozzle. A plurality of processing liquid supply means for depositing the processing liquid on the entire surface and a plurality of reciprocally moving horizontally while supporting the substrate while holding the processing liquid stacked on the entire surface of the substrate on the substrate. A substrate processing apparatus for processing a substrate surface by causing a reaction to proceed while reciprocating the substrate by the plurality of transport rollers, and storing the warming liquid. A liquid storage container disposed immediately below the transport roller so that a part of the peripheral surface of the transport roller is immersed in the heating liquid, and a processing liquid deposited on the substrate into the liquid storage container Liquid for heating adjusted to the same temperature as Liquid supply means for supplying the liquid, and the liquid supply means supplies the warming liquid into the liquid reservoir container so that the warming liquid overflows from the liquid reservoir container. The conveyance roller is always rotated while the part of the peripheral surface of the conveyance roller is immersed in the heating liquid in the container, and the conveyance roller is heated to a temperature equivalent to the processing liquid accumulated on the substrate. It is characterized by comprising roller heating means.
[0010]
The invention according to claim 2 includes a liquid supply nozzle, and supplies the processing liquid from the liquid supply nozzle to the surface of the substrate when the substrate transported in the horizontal direction passes directly below the liquid supply nozzle. A plurality of processing liquid supply means for depositing the processing liquid on the entire surface and a plurality of reciprocally moving horizontally while supporting the substrate while holding the processing liquid stacked on the entire surface of the substrate on the substrate. and a conveying roller, in the substrate processing apparatus for processing a substrate surface the reaction allowed to proceed by the treatment liquid while reciprocating the substrate by the transport rollers of the plurality of discharge ports are arranged in the vicinity of the front Symbol conveying roller And a liquid supply means for supplying a heating liquid adjusted to a temperature equivalent to the processing liquid accumulated on the substrate to the discharge nozzle, and the transport roller is always rotated. While said vomiting And characterized in that the conveying roller and discharged to the peripheral surface of the conveying roller a warming liquid from the discharge port of the nozzle, with a roller heating means for heating the treatment liquid equivalent temperature piled on the substrate To do.
[0011]
The invention according to claim 3 includes a liquid supply nozzle, and supplies the processing liquid from the liquid supply nozzle to the surface of the substrate when the substrate transported in the horizontal direction passes directly below the liquid supply nozzle. A plurality of processing liquid supply means for depositing the processing liquid on the entire surface and a plurality of reciprocally moving horizontally while supporting the substrate while holding the processing liquid stacked on the entire surface of the substrate on the substrate. and a conveying roller, in the substrate processing apparatus for processing a substrate surface the reaction allowed to proceed by the treatment liquid while reciprocating the substrate by the transport rollers of the plurality of to form a liquid passage in the interior of the front Symbol conveying roller And a liquid supply means for supplying a liquid for heating adjusted to a temperature equivalent to the processing liquid accumulated on the substrate to the liquid passage of the transport roller, and the liquid for heating from the liquid passage of the transport roller. Liquid to be discharged And a discharge means. The liquid supply means supplies the heating liquid to the liquid passage of the transport roller to flow the heating liquid into the liquid passage, and the heating liquid is supplied from the liquid passage to the liquid. It is characterized by comprising roller heating means for heating the transport roller discharged by the discharge means to the same temperature as the processing liquid accumulated on the substrate .
[0012]
According to a fourth aspect of the present invention, in the apparatus according to the first or second aspect , the heating liquid is a processing liquid supplied to the surface of the substrate.
[0013]
The invention according to claim 5 is the apparatus according to any one of claims 1 to 4 , characterized in that the processing liquid is an etching liquid, and the surface of the substrate is etched by the etching liquid.
[0014]
According to a sixth aspect of the present invention, in the apparatus according to any one of the first to fourth aspects, the processing solution is a developing solution, and the surface of the substrate is developed by the developing solution.
[0015]
In the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, the heating liquid is supplied into the liquid storage container by the liquid supply means of the roller heating means, and is transported into the heating liquid stored in the liquid storage container. A part of the peripheral surface of the roller is immersed, and the transport roller constantly rotates in that state, so that the entire peripheral surface of the transport roller is heated to a temperature equivalent to the processing liquid accumulated on the substrate. Even if the liquid-filled substrate comes into contact with the transport roller, the temperature of the substrate and the processing liquid does not decrease. Therefore, the temperature of the substrate is uniform over the entire surface, and temperature unevenness does not occur.
[0016]
In the substrate processing apparatus according to the second aspect of the present invention, the heating liquid is supplied to the discharge nozzle by the liquid supply means of the roller heating means, and from the discharge port of the discharge nozzle to the peripheral surface of the transport roller that is always rotating. By discharging the heating liquid, the entire peripheral surface of the transport roller is heated to the same temperature as the processing liquid stacked on the substrate, so that even if the liquid stacked substrate contacts the transport roller The temperature of the substrate and the processing liquid does not decrease. Therefore, the temperature of the substrate is uniform over the entire surface, and temperature unevenness does not occur .
[0017]
In the substrate processing apparatus according to the third aspect of the present invention, the heating liquid is supplied to the liquid passage inside the transport roller by the liquid supply means of the roller heating means , and the heating liquid is caused to flow in the liquid passage. Since the entire transport roller is heated to the same temperature as the processing liquid accumulated on the substrate, the temperature of the substrate and the processing liquid does not decrease even when the liquid accumulated substrate contacts the transport roller. . Therefore, the temperature of the substrate is uniform over the entire surface, and temperature unevenness does not occur . Then, the heating liquid whose temperature has been reduced by heat exchange while flowing in the liquid passage is discharged from the liquid passage by the liquid discharge means.
[0018]
In the apparatus of the invention according to claim 4 , the same processing liquid as the processing liquid supplied to the surface of the substrate by the processing liquid supply means is supplied as a heating liquid to the liquid reservoir or the discharge nozzle by the liquid supply means.
[0019]
In the apparatus according to the fifth aspect of the invention, the temperature of the substrate is uniform over the entire surface, so that the etching rate is not varied over the entire surface of the substrate, and the entire surface of the substrate is uniformly etched.
[0020]
In the apparatus according to the sixth aspect , since the temperature of the substrate is uniform over the entire surface, there is no difference in the development reaction rate over the entire surface of the substrate, and the entire surface of the substrate is uniformly developed.
[0021]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
A preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
[0022]
FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the first invention. This substrate processing apparatus is an apparatus for performing, for example, an etching process on a substrate, and includes a plurality of transport rollers 10 arranged in parallel with each other along a substrate transport path, and the plurality of transport rollers 10. Thus, the substrate W is supported and linearly reciprocated (oscillated in a horizontal plane). On one end side of the substrate transport path, a liquid supply nozzle 12 having a slit-like discharge port formed on the lower end surface is disposed at a position directly above the substrate transport path. A liquid recovery tank 14 for recovering the etching liquid is disposed below the substrate transport path.
[0022]
A liquid supply pipe 16 is connected to the liquid supply nozzle 12, and the liquid supply pipe 16 is connected to a liquid storage tank 20 in which an etching liquid 18 is stored. A liquid feed pump 22 is interposed in the liquid supply pipe 16, and a filter 24 and an opening / closing control valve 26 are respectively inserted. Then, by opening the open / close control valve 26, the etching liquid 18 is supplied from the liquid storage tank 20 through the liquid supply pipe 16 to the liquid supply nozzle 12 by the pump 22, and is etched from the slit-like discharge port of the liquid supply nozzle 12. The liquid is discharged in the form of a curtain, and the etching liquid is deposited on the entire surface of the substrate W that passes directly under the liquid supply nozzle 12. A recovery pipe 28 is connected to the bottom of the liquid recovery tank 14, and a front end outlet of the recovery pipe 28 is disposed in the liquid storage tank 20.
[0023]
The liquid storage tank 20 is provided with a liquid circulation pipe 30 whose one end is connected to the bottom of the liquid storage tank 20 and whose other end is disposed in the liquid storage tank 20. A liquid circulation pump 32 is interposed in the liquid circulation pipe 30, and a heater 34 is interposed. Then, the etching liquid 18 stored in the liquid storage tank 20 is circulated through the liquid circulation pipe 30, so that the etching liquid is heated when it flows through the heater 34, and is controlled by a controller (not shown). By controlling the heater 34, the temperature of the etching solution 18 in the liquid storage tank 20 is adjusted to a constant temperature, for example, 40 ° C. The means for adjusting and holding the etching solution 18 in the liquid storage tank 20 at a constant temperature is not limited to the one shown in the drawing.
[0024]
Each transport roller 10 can rotate in the forward and reverse directions, and is always driven to rotate during substrate processing except for a short time during substrate loading and substrate reversal. A liquid reservoir 36 is disposed directly below each transport roller 10. A branch pipe 38 that branches from the liquid supply pipe 16 between the filter 24 and the open / close control valve 26 is connected to each liquid reservoir 36. During the processing of the substrate, the etching solution adjusted to a constant temperature is continuously supplied from the liquid storage tank 20 through the liquid supply pipe 16 and the branch pipe 38 into the respective liquid storage containers 36. The etching liquid overflows from the liquid reservoir 36. The etching liquid overflowing from the liquid reservoir 36 flows down into the liquid recovery tank 14 and is returned from the liquid recovery tank 14 through the recovery pipe 28 into the liquid storage tank 20.
[0025]
As shown in the perspective view of FIG. 2, the liquid reservoir 36 has a shape and a size such that a part of the peripheral surface of the transport roller 10 is immersed over the entire length in the etching liquid stored therein. is doing. In the illustrated apparatus, a liquid storage container 36 is provided for each transport roller 10, but a large liquid storage container is provided for each of the plurality of transport rollers 10 and stored in one liquid storage container. A plurality of transport rollers 10 may be immersed in the etchant, or a large liquid reservoir is provided, and all the transport rollers 10 are contained in the etchant stored in one liquid reservoir. May be immersed.
[0026]
When the substrate is etched using the substrate processing apparatus having the above-described configuration, a part of the peripheral surface of each transport roller 10 is in the constant temperature etching solution stored in each liquid reservoir 36. While being immersed, each conveyance roller 10 is always rotated in that state, whereby the entire peripheral surface of each conveyance roller 10 is heated to a temperature equivalent to the etching solution accumulated on the substrate W. For this reason, even if the accumulated substrate W comes into contact with the transport roller 10, the temperature of the etching solution deposited on the substrate W and the entire surface thereof does not decrease. Therefore, the temperature of the substrate W is uniform over the entire surface and no temperature unevenness occurs, so that the etching rate is uniform over the entire surface of the substrate W and there is no possibility of causing processing unevenness.
[0027]
Next, FIG. 3 is a perspective view showing the vicinity of the conveying roller of the substrate processing apparatus according to one embodiment of the second invention. In this embodiment, a discharge nozzle 40 having a discharge port disposed in the vicinity of the conveyance roller 10 is provided. The overall configuration of the apparatus is the same as that of the apparatus shown in FIG. 1, but a branch pipe 38 branched from the liquid supply pipe 16 is connected to the discharge nozzle 40 without installing the liquid reservoir 36.
[0028]
In the apparatus having such a configuration, the etching solution adjusted to a constant temperature is supplied to the discharge nozzle 40, and the etching solution having a constant temperature is supplied from the discharge port of the discharge nozzle 40 to the peripheral surface of the transport roller 10 that is constantly rotating. Is discharged, the entire peripheral surface of the transport roller 10 is heated to a temperature equivalent to the etching liquid accumulated on the substrate W. For this reason, even if the accumulated substrate W comes into contact with the transport roller 10, the temperature of the etching solution deposited on the substrate W and the entire surface thereof does not decrease, and the temperature of the substrate W becomes uniform over the entire surface. . Therefore, the etching rate is uniform over the entire surface of the substrate W, and processing unevenness is prevented. The etching solution discharged from the discharge nozzle 40 to the peripheral surface of the transport roller 10 and dripping from the peripheral surface of the transport roller 10 flows down into the liquid recovery tank 14 and passes through the recovery pipe 28 from the liquid recovery tank 14. It passes through and returns to the liquid storage tank 20.
[0029]
FIG. 4 is a perspective view showing one embodiment of the third aspect of the present invention, with the transport roller of the substrate processing apparatus partially broken. The transport roller 42 has a liquid passage 44 formed therein. In addition, liquid passages (not shown) communicating with the liquid passage 44 are also formed in axial centers of the left and right rotation support shafts 46a and 46b of the transport roller 42, respectively. One rotation support shaft 46a is connected to a rotary joint 48a, and the liquid passage of the rotation support shaft 46a is connected to a heating liquid, for example, hot water supply device (not shown) via the rotary joint 48a. The hot water supply pipe 50 is connected to the flow path. The other rotating support shaft 46b is connected to the rotary joint 48b, and the liquid passage of the rotating support shaft 46b is connected to the drain pipe 52 through the rotary joint 48b. The drain pipe 52 is connected to the hot water supply device. The flow path is connected.
[0030]
In the substrate processing apparatus provided with the transport roller 42 having such a configuration, warm water adjusted to a constant temperature, for example, 40 ° C. from the warm water supply device passes through the warm water supply pipe 50 to the liquid passage 44 inside the transport roller 42. When the hot water is supplied into the liquid passage 44 and supplied to the liquid passage 44, the entire conveying roller 42 is heated to a temperature equivalent to the etching liquid accumulated on the substrate W. Then, the hot water whose temperature has decreased due to heat exchange while flowing in the liquid passage 44 is discharged from the liquid passage 44, returned to the hot water supply device through the drain pipe 52, heated and circulated for use. As described above, the transport roller 42 is heated from the inside, so that the temperature of the etching solution deposited on the substrate W and the entire surface thereof is lowered even if the liquid-filled substrate W comes into contact with the transport roller 42. The temperature of the substrate W becomes uniform over the entire surface. Therefore, the etching rate is uniform over the entire surface of the substrate W, and processing unevenness does not occur.
[0031]
In the embodiment noted above, has been described a substrate processing apparatus for performing an etching process as an example, other substrate processing apparatus, the present invention also a substrate processing apparatus that performs for example the development process is applicable.
[0032]
【The invention's effect】
With board processor of the invention according to claims 1 to 3, in the processing of the substrate at a paddle method, the temperature of the substrate can be a kept uniform over the entire surface, Thus, the temperature unevenness of the substrate It is possible to prevent the occurrence of processing unevenness.
[0033]
And in the apparatus of each invention which concerns on Claim 1 and Claim 2 , the whole surrounding surface of a conveyance roller can be reliably heated to the temperature equivalent to the process liquid piled up on the board | substrate.
[0034]
In the apparatus according to the third aspect of the invention, the entire transport roller can be reliably heated to a temperature equivalent to the processing liquid accumulated on the substrate.
[0035]
In the apparatus of the invention according to claim 4 , the same processing liquid as that supplied to the surface of the substrate can be used as the heating liquid.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the first invention.
FIG. 2 is a perspective view showing a liquid reservoir provided in the substrate processing apparatus shown in FIG.
FIG. 3 is a perspective view showing the vicinity of a conveyance roller of a substrate processing apparatus according to one embodiment of the second invention.
Figure 4 shows an embodiment of the third invention, the conveying rollers of the substrate processing apparatus is a perspective view showing in partially broken state.
FIG. 5 is a schematic side view for explaining a paddle type substrate processing method;
FIG. 6 is a plan view of a substrate transport unit for explaining problems in a conventional paddle type substrate processing apparatus.
FIG. 7 is a diagram for explaining a problem in a conventional paddle type substrate processing apparatus, and is a front view showing a configuration example of a transport roller.
[Explanation of symbols]
W substrate 10, 42 Transport roller 12 Liquid supply nozzle 14 Liquid recovery tank 16 Liquid supply pipe 18 Etching liquid 20 Liquid storage tank 22 Liquid feed pump 28 Recovery pipe 30 Liquid circulation pipe 32 Liquid circulation pump 34 Heater 36 Liquid Reservoir container 38 Branch pipe 40 Discharge nozzle 44 Liquid passage 46a, 46b Rotating support shaft 48a, 48b Rotary joint 50 Hot water supply pipe 52 Drain pipe

Claims

A process of supplying a processing liquid from the liquid supply nozzle to the surface of the substrate when the substrate transported in the horizontal direction passes directly below the liquid supply nozzle and depositing the processing liquid on the entire surface of the substrate. Liquid supply means;
A plurality of transport rollers that are arranged in parallel with each other and support the substrate while holding the processing liquid accumulated on the entire surface of the substrate on the substrate, and reciprocally move in the horizontal direction;
A substrate processing apparatus for processing a substrate surface by causing a reaction to proceed while a substrate is reciprocated by the plurality of transport rollers,
A liquid storage container in which a heating liquid is stored and a part of the peripheral surface of the transfer roller is immersed in the stored heating liquid, and the liquid storage container Liquid supply means for supplying a heating liquid adjusted to a temperature equivalent to the processing liquid accumulated on the substrate into the container,
While the heating liquid is supplied into the liquid storage container by the liquid supply means and the liquid for heating overflows from the liquid storage container, the heating roller is inserted into the liquid for heating in the liquid storage container. It is characterized by comprising roller heating means for constantly rotating the transport roller in a state in which a part of the peripheral surface is immersed to heat the transport roller to a temperature equivalent to the processing liquid accumulated on the substrate. Substrate processing equipment.

A process of supplying a processing liquid from the liquid supply nozzle to the surface of the substrate when the substrate transported in the horizontal direction passes directly below the liquid supply nozzle and depositing the processing liquid on the entire surface of the substrate. Liquid supply means;
A plurality of transport rollers that are arranged in parallel with each other and support the substrate while holding the processing liquid accumulated on the entire surface of the substrate on the substrate, and reciprocally move in the horizontal direction;
A substrate processing apparatus for processing a substrate surface by causing a reaction to proceed while a substrate is reciprocated by the plurality of transport rollers,
A discharge nozzle having a discharge port disposed in the vicinity of the transport roller; and a liquid supply means for supplying a heating liquid adjusted to a temperature equivalent to the processing liquid accumulated on the substrate to the discharge nozzle. Configured
Rollers, wherein the conveying rollers conveying roller and discharged to the peripheral surface of the conveying roller a warming liquid from the discharge port of the discharge nozzle while rotating constantly, warmed in the process liquid equivalent temperature piled on the substrate A substrate processing apparatus comprising a heating means .

A process of supplying a processing liquid from the liquid supply nozzle to the surface of the substrate when the substrate transported in the horizontal direction passes directly below the liquid supply nozzle and depositing the processing liquid on the entire surface of the substrate. Liquid supply means;
A plurality of transport rollers that are arranged in parallel with each other and support the substrate while holding the processing liquid accumulated on the entire surface of the substrate on the substrate, and reciprocally move in the horizontal direction;
A substrate processing apparatus for processing a substrate surface by causing a reaction to proceed while a substrate is reciprocated by the plurality of transport rollers,
A liquid supply means for forming a liquid passage inside the transfer roller, and supplying a heating liquid adjusted to a temperature equivalent to the processing liquid accumulated on the substrate to the liquid passage of the transfer roller; Liquid discharging means for discharging the heating liquid from the liquid passage of the transport roller,
The heating liquid is supplied to the liquid passage of the transport roller by the liquid supply means, the warming liquid is caused to flow in the liquid passage, the warming liquid is discharged from the liquid passage by the liquid discharge means, and the transport roller is A substrate processing apparatus comprising roller heating means for heating to a temperature equivalent to the processing liquid accumulated on the substrate.

The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the heating liquid is a processing liquid supplied to the surface of the substrate.

The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the processing liquid is an etching liquid, and the surface of the substrate is etched by the etching liquid.

5. The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the processing solution is a developing solution, and the surface of the substrate is developed by the developing solution.