JP2547783Y2 - Substrate surface treatment equipment - Google Patents

Substrate surface treatment equipment

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JP2547783Y2
JP2547783Y2 JP1991028776U JP2877691U JP2547783Y2 JP 2547783 Y2 JP2547783 Y2 JP 2547783Y2 JP 1991028776 U JP1991028776 U JP 1991028776U JP 2877691 U JP2877691 U JP 2877691U JP 2547783 Y2 JP2547783 Y2 JP 2547783Y2
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Japan
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substrate
processing
surface treatment
processing liquid
liquid
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一人 尾崎
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Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この考案は、フラットパネルや液
晶用ガラス基板等の薄板状被処理基板(以下単に基板と
いう)を一枚ずつ処理ステーションへ搬入して、現像処
理又は腐食処理、剥膜処理等の表面処理を行う装置に関
するものである。
This invention is based on the concept that a thin plate-like substrate (hereinafter simply referred to as "substrate") such as a flat panel or a glass substrate for a liquid crystal is carried into a processing station one by one, and is subjected to a development treatment or a corrosion treatment and a film removal. The present invention relates to an apparatus for performing a surface treatment such as a treatment.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の表面処理装置としては、従来よ
り例えば本出願人の提案に係る特開昭62−26112
6号公報に開示されたもの(以下従来例1という)、あ
るいは特開平2−246319号公報に開示されたもの
(以下従来例2という)が知られている。従来例1は、
基板を搬送するロールコンベアと、処理液を貯溜し処理
ステーションを構成する処理槽と、処理槽よりオーバー
フローした処理液を回収する回収タンクと、回収した処
理液を処理槽に循環させる循環手段とを具備して成り、
基板を処理槽内に浸漬して表面処理するように構成され
ている。また従来例2は、基板に処理液を供給して表面
処理をする処理ステーションを具備して成り、処理ステ
ーションは、基板を載置して回転する回転板と、回転板
を囲む昇降可能な処理槽枠部材とを備え、両者で皿状の
処理槽を形成し、基板を皿状の処理槽内に停留させ、回
転板を回転させながら表面処理し、処理槽内に貯溜した
処理液は基板の枚葉処理毎に交換するように構成されて
いる。
2. Description of the Related Art A surface treatment apparatus of this type has been conventionally known, for example, from Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-26112 proposed by the present applicant.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-246319 (hereinafter referred to as Conventional Example 1) and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-246319 (hereinafter referred to as Conventional Example 2) are known. Conventional example 1
A roll conveyor that transports the substrate, a processing tank that stores the processing liquid and forms a processing station, a collection tank that collects the processing liquid overflowing from the processing tank, and a circulating unit that circulates the collected processing liquid to the processing tank. Comprising
The substrate is configured to be immersed in a processing bath for surface treatment. Further, Conventional Example 2 is provided with a processing station for supplying a processing liquid to the substrate to perform a surface treatment, and the processing station includes a rotating plate on which the substrate is mounted and rotated, and a process capable of moving up and down around the rotating plate. A tank frame member is provided, a plate-shaped processing tank is formed by both, the substrate is stopped in the dish-shaped processing tank, surface processing is performed while rotating a rotating plate, and the processing liquid stored in the processing tank is a substrate. It is configured to be replaced every time a single wafer is processed.

【0003】[0003]

【考案が解決しようとする課題】上記従来例1は、処理
ステーションを構成する処理槽に処理液を貯蔵し、処理
槽よりオーバーフローした処理液を回収タンクで回収し
て循環させる構造であるから、多量の処理液を消耗する
うえ、時間の経過と共に処理液が疲労し、製造ロットに
より仕上がりの微差が生じる。しかし近年では一層の均
一処理が要求されるようになり、従来許容されていたこ
の程度の微差は許容されなくなってきた。また従来例2
では、処理液を皿状の処理槽に貯溜して、基板の枚葉処
理毎に交換する構造であるから、処理液の消耗は少な
く、上記のような生産ロットによるばらつきも無いが、
基板を回転させながら表面処理する構造であるため、特
に大型で矩形の基板を処理する場合には、基板の中央部
と周辺部とで、処理液の流速が異なり、処理ムラが生じ
易い。本考案はこのような事情を考慮してなされたもの
であり、処理液の消費量を抑えつつ、処理液の疲労によ
るロットごとの処理の微差や1枚の基板における中央部
と周辺部との処理ムラを生じることもない基板の表面処
理装置を提供することを目的とするものである。
The prior art 1 has a structure in which the processing liquid is stored in a processing tank constituting a processing station, and the processing liquid overflowing from the processing tank is recovered and circulated in a recovery tank. In addition to consuming a large amount of processing solution, the processing solution becomes fatigued with the passage of time, and a slight difference in the finish occurs depending on the production lot. However, in recent years, further uniform processing has been demanded, and such a small difference that has been conventionally allowed is no longer allowed. Conventional example 2
In this configuration, the processing liquid is stored in a dish-shaped processing tank and is replaced every time a substrate is processed. Therefore, the processing liquid is less consumed, and there is no variation among the production lots as described above.
Since the surface treatment is performed while rotating the substrate, especially when a large and rectangular substrate is treated, the flow rate of the treatment liquid is different between the central portion and the peripheral portion of the substrate, and the process unevenness is likely to occur. The present invention has been made in view of such circumstances, and while suppressing the consumption of the processing solution, a small difference in processing for each lot due to fatigue of the processing solution and a difference between the central portion and the peripheral portion of one substrate. It is an object of the present invention to provide a substrate surface treatment apparatus which does not cause the above processing unevenness.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本考案は、薄型矩形状の基板に処理液を供給して基
板の表面処理を行う基板の表面処理装置において、基板
を所定の搬送経路に沿って搬送するように、多数の搬送
ローラが互いに平行に配置されたロールコンベアと、搬
送経路に対して昇降自在であり、昇降によってロールコ
ンベアとの間で基板の受け渡しを行う基板昇降支持具
と、基板昇降支持具によって上昇させられた基板の上面
に密接して、基板とともに処理槽を形成するシーリング
材と、処理槽を形成する基板に対して処理液を供給する
処理液供給ノズルと、処理槽を形成する基板の下方に配
置され、基板がシーリング材から隔離させられたときに
処理槽から流下する処理液を受ける排液槽とを有するこ
とを特徴とするものである。
In order to achieve the above object, the present invention provides a substrate surface treatment apparatus for supplying a processing liquid to a thin rectangular substrate to perform a surface treatment on the substrate. A roll conveyor in which a number of transfer rollers are arranged in parallel with each other so as to be transferred along a transfer path, and a substrate lift that can be moved up and down with respect to the transfer path to transfer a substrate to and from the roll conveyor by ascending and descending. A support, a sealing material that forms a processing bath together with the substrate in close contact with the upper surface of the substrate raised by the substrate lifting support, and a processing liquid supply nozzle that supplies a processing liquid to the substrate that forms the processing bath. And a drainage tank disposed below the substrate forming the processing tank and receiving a processing liquid flowing down from the processing tank when the substrate is separated from the sealing material. A.

【0005】[0005]

【作用】本考案では、ロールコンベアによって搬送され
た基板が基板昇降支持具に渡され、基板昇降支持具の上
昇によってシーリング材と基板とで処理槽を形成させ、
この処理槽内の基板に対して処理液供給ノズルから処理
液を供給するとともに、処理後の処理液を排液槽を介し
て排出することが可能であるので、基板1枚ごとに処理
液を交換することが可能である。
According to the present invention, the substrate transferred by the roll conveyor is passed to the substrate lifting support, to form a processing tank with the sealing material and the substrate by the upper <br/> temperature of substrate lifting support,
Since the processing liquid can be supplied from the processing liquid supply nozzle to the substrates in the processing tank and the processed processing liquid can be discharged through the drain tank, the processing liquid can be supplied to each substrate. It is possible to exchange.

【0006】[0006]

【実施例】以下本考案の実施例を図面に基づいて説明す
る。図1は本考案に先立って案出された表面処理装置の
縦断正面図、図2はその平面図である。この装置は、薄
板矩形状の基板Wに処理液Qを供給して表面処理をする
処理ステーション10と、処理ステーション10へ基板
Wを搬入・搬出するロールコンベア1とを具備して成
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a vertical sectional front view of a surface treatment device devised prior to the present invention, and FIG. 2 is a plan view thereof. Equipment This is a processing station 10 to a surface treatment by supplying a processing liquid Q into a thin rectangular substrate W, formed by and a roll conveyor 1 for loading and unloading the substrate W to the processing station 10.

【0007】ロールコンベア1は、基板Wの左右両端部
下面を支持し水平搬送する搬送ローラ2を多数連設して
成り、これらの搬送ローラ2のうち処理ステーション1
0の左右に配置した搬送ローラ2aを軸線方向に出退自
在に設け、処理ステーション10へ基板Wを引き渡す際
にその搬送ローラ2aを後退させるように構成されてい
る。なお、出退可能な搬送ローラ2aと平行に基板整列
部材4が出退自在に付設配置されており、処理ステーシ
ョン10から基板Wを搬出する際に、この基板整列部材
4のピン5を基板Wの左右両端に当接させて基板Wの位
置を整列させるように構成されている。
The roll conveyor 1 is composed of a plurality of transport rollers 2 which support the lower surfaces of the right and left ends of the substrate W and horizontally transport the substrates W.
The transport rollers 2a disposed to the left and right of the axis 0 are provided so as to be able to move back and forth in the axial direction, and are configured to retreat when the substrate W is delivered to the processing station 10. A substrate aligning member 4 is provided so as to be freely retractable and parallel to the retractable transport roller 2a. When the substrate W is unloaded from the processing station 10, the pins 5 of the substrate aligning member 4 are connected to the substrate W. Are arranged so that the positions of the substrates W are aligned by contacting the left and right ends of the substrate W.

【0008】処理ステーション10は、上記搬送ローラ
2aの下方に配置され処理槽11を構成する処理槽本体
11Aと、処理槽本体11A内に昇降自在に付設され基
板昇降支持具16を構成する4本のピン16aと、処理
槽本体11Aの上方に配置した処理液供給ノズル20と
を具備して成り、当該ピン16を介して搬送ローラ2a
との間で基板Wを受け渡し、かつ基板Wを処理槽11内
に沈着して表面処理するように構成されている。
The processing station 10 includes a processing tank body 11A which is disposed below the transport roller 2a and forms a processing tank 11, and four processing tanks which are attached to the processing tank body 11A so as to be able to move up and down and form a substrate lifting and lowering support member 16. , And a processing liquid supply nozzle 20 disposed above the processing tank body 11A.
The substrate W is transferred between the processing tank 11 and the substrate W, and the surface treatment is performed by depositing the substrate W in the processing tank 11.

【0009】上記処理槽本体11Aはその内部が基板W
の周縁部を支える支持板12によって上半部と下半部と
に区画され、上半部周壁11aの4カ所には基板Wを着
脱する際のガイドローラ13が付設され、下半部底壁1
1bにはドレン口14が開口されている。支持板12の
中央部には大きな矩形の排液口12aが開口され、基板
Wは支持板12に固定したシーリング15に接離され、
この基板Wの上に処理液供給ノズル20より処理液Qを
供給することにより、上半部の処理槽11内に処理液Q
を貯溜して基板Wを表面処理するように構成されてい
る。表面処理を終えた基板Wを上記ピン16aで持ち上
げると排液口12aが開き、使用済みの処理液Qは排出
される。
The processing tank body 11A has a substrate W inside.
Are divided into an upper half portion and a lower half portion by a support plate 12 which supports the peripheral portion of the base member. Guide rollers 13 for attaching and detaching the substrate W are attached to four places of the upper half peripheral wall 11a, and the lower half bottom wall is provided. 1
A drain port 14 is opened in 1b. A large rectangular drain port 12a is opened at the center of the support plate 12, and the substrate W is brought into contact with and separated from a ceiling 15 fixed to the support plate 12,
By supplying the processing liquid Q from the processing liquid supply nozzle 20 onto the substrate W, the processing liquid Q is stored in the processing tank 11 in the upper half.
And the surface of the substrate W is treated. When the substrate W after the surface treatment is lifted by the pins 16a, the drainage port 12a is opened, and the used processing liquid Q is discharged.

【0010】つまりこの装置はその上半部周壁11aと
支持板12とシーリング15と基板Wとによって皿状の
浅い処理槽11を形成するものであり、シーリング15
を介して支持板12上に基板Wを着脱させて排液口12
aを開閉することにより、基板Wの枚葉処理毎に処理液
Qを新液と交換するように構成したものである。なお、
図1中の符号17は薄い基板Wを支える支柱であり、図
2中の符号18は処理槽本体11A内の下半部を減圧し
て基板Wとシーリング15とのシール性を高める排気
口、符号19は減圧シールを解除するのに用いられるN
2ガスの給気口である。また表面処理を促進するために
必要に応じて、例えば超音波発生装置等が処理槽本体1
1Aに付設される。
In other words, this apparatus forms a shallow dish-shaped processing tank 11 by the upper half peripheral wall 11a, the support plate 12, the ceiling 15, and the substrate W.
The substrate W is attached to and detached from the support plate 12 through the
By opening and closing a, the processing liquid Q is exchanged for a new liquid every time the substrate W is processed. In addition,
Reference numeral 17 in FIG. 1 denotes a column supporting the thin substrate W, and reference numeral 18 in FIG. 2 denotes an exhaust port for reducing the pressure in the lower half of the processing tank body 11A to enhance the sealing property between the substrate W and the sealing 15. Reference numeral 19 denotes N used to release the decompression seal.
Two gas supply ports. In order to promote the surface treatment, if necessary, for example, an ultrasonic generator or the like may be provided in the treatment tank main body 1.
1A.

【0011】図3は処理液供給ノズル20の概要図であ
る。この処理液供給ノズル20は給液管21の周囲に恒
温水Hを循環させ、所定温度の処理液Qを処理槽11内
に供給するように構成されている。また、給液管21に
は図示しないサックバック機構が連通されており、給液
管21の先端21aに残留する処理液Qが不用意に滴下
するのを防止するように構成されている。
FIG. 3 is a schematic diagram of the processing liquid supply nozzle 20. The processing liquid supply nozzle 20 is configured to circulate constant temperature water H around the liquid supply pipe 21 and supply the processing liquid Q at a predetermined temperature into the processing tank 11. Further, a suck-back mechanism (not shown) is connected to the liquid supply pipe 21 so as to prevent the processing liquid Q remaining at the tip 21a of the liquid supply pipe 21 from being inadvertently dropped.

【0012】以下上記装置の動作について簡単に説明す
る。先ずロールコンベア1で基板Wを搬入し、処理ステ
ーション10の上側で停止する。基板昇降支持用ピン1
6aを上昇させて基板Wを搬送ローラ2aから受け取
り、搬送ローラ2aを退避させる。次いで、基板昇降支
持用ピン16aを下降させて基板Wをシーリング15上
に着地させ、処理槽本体11A内の下半部を減圧してシ
ールを確実にする。その後処理槽本体11Aの上半部
(処理槽11)内に処理液Qを供給して基板Wの表面処
理をする。
[0012] The operation will be briefly described above KiSo location below. First, the substrate W is loaded by the roll conveyor 1 and stopped above the processing station 10. Board lifting support pin 1
6a is lifted to receive the substrate W from the transport roller 2a, and the transport roller 2a is retracted. Next, the substrate lifting and lowering support pins 16a are lowered to land the substrate W on the ceiling 15, and the lower half of the processing tank body 11A is depressurized to ensure sealing. Thereafter, the processing liquid Q is supplied into the upper half portion (processing tank 11) of the processing tank body 11A to perform the surface treatment of the substrate W.

【0013】一定時間の表面処理を終えると、処理槽本
体11A内下半部にN2ガスを供給して減圧を解除し、
基板昇降支持用ピン16aにより基板Wを上昇させ、基
板整列手段4で基板Wを整列させてから搬送ローラ2a
に引き渡す。基板Wの上昇により排液口12aが開か
れ、用尽処理液Qは排液口12aより流下してドレーン
口14より排出される。以下同様にして、順次基板Wの
表面処理がなされる。このように表面処理を終えた基板
Wはロールコンベア1によって搬出され、図示していな
い液切り用エアナイフで基板Wの表面に残っている表面
処理液を液切りし、その後水洗、乾燥等の一連の処理を
行う。
After finishing the surface treatment for a certain period of time, N 2 gas is supplied to the lower half of the processing tank body 11A to release the reduced pressure,
The substrate W is raised by the substrate lifting / lowering support pins 16a, and the substrate W is aligned by the substrate
Hand over to The drainage port 12a is opened by the rise of the substrate W, and the exhaustion processing liquid Q flows down from the drainage port 12a and is discharged from the drain port 14. Hereinafter, similarly, the surface treatment of the substrate W is sequentially performed. The substrate W that has been subjected to the surface treatment in this manner is carried out by the roll conveyor 1, and the surface treatment liquid remaining on the surface of the substrate W is drained by a not-shown air knife for drainage, and then a series of steps such as washing and drying are performed. Is performed.

【0014】上記装置では、支柱17で基板Wを支持す
ることによって、基板Wの自重、基板Wに加わる表面処
理液の重量、さらには処理槽本体11Aの下半部を減圧
することによる差圧等のために生じる基板Wの下方への
撓わみが防がれる。しかしながらピン16aのみでこの
ような下方への撓わみを防いで基板Wを支持できる場合
は支柱17は必ずしも必要ではない。また逆に、基板
が大型寸法の場合(一例を挙げると縦500mm以上、横
500mm以上、厚さ1.0mm以上)、支柱17のみなら
ずピン16aの両者によって基板Wを支持させ、このよ
うな撓わみを防ぐようにしてもよい。また処理液供給ノ
ズル20は図3に示される種類に限らず、たとえばスリ
ット状ノズル、管体に複数の孔を開口したノズル等を用
いてもよい。また処理槽10の周囲に処理液温度管理用
の温調手段を付設すればさらに好ましい表面処理を行う
ことができる。処理槽の本体11Aの上半部内に供給さ
れる処理液Qの基板表面から液面までの深さは数mm(例
えば1〜2mm)と小さい程処理液の消費量がさらに少な
くて済むのは言うまでもない。
In the above-described apparatus , the substrate W is supported by the column 17, so that the weight of the substrate W, the weight of the surface treatment liquid applied to the substrate W, and the differential pressure caused by reducing the pressure in the lower half of the processing tank body 11A. This prevents the substrate W from being bent downward due to the above-mentioned factors. However, if the substrate W can be supported while preventing such downward bending only by the pin 16a, the support 17 is not necessarily required. Conversely, the substrate W
Is large size (for example, 500 mm or more in length, 500 mm or more in width, 1.0 mm or more in thickness), the substrate W is supported not only by the pillars 17 but also by the pins 16 a to prevent such bending. You may do so. Further, the processing liquid supply nozzle 20 is not limited to the type shown in FIG. 3, and for example, a slit-shaped nozzle, a nozzle having a plurality of holes opened in a tube, or the like may be used. Further, if a temperature control means for controlling the temperature of the processing solution is provided around the processing tank 10, more preferable surface treatment can be performed. The smaller the depth from the substrate surface to the liquid surface of the processing liquid Q supplied into the upper half part of the processing tank body 11A is as small as several mm (for example, 1 to 2 mm), the further the consumption of the processing liquid can be further reduced. Needless to say.

【0015】図4は本考案に先立って案出された別の
面処理装置の平面図である。この装置は、基板Wを支え
る支持板12に円形の排液口12aを開口して、円形の
シーリング15を固定した点が先のものと異なり、その
他の点では先の装置と同様に構成されている。
FIG. 4 is a plan view of another surface processing apparatus devised prior to the present invention. Equipment This is a support plate 12 for supporting the substrate W by opening a circular drain port 12a, different from the one point with a fixed circular sealing 15 is ahead, as in the previous device in other respects It is configured.

【0016】図5は本考案に先立って案出されたさらに
別の表面処理装置の縦断正面図、図6はその平面図であ
る。この装置は処理槽11自体が皿状に浅く形成され、
その下面には恒温水の循環パイプ22が付設されてお
り、処理液Qを所定温度に維持するように構成されてい
る。上記処理槽11の外周には樋部24が一体に形成さ
れ、オーバーフローした処理液Qを樋部24で回収する
ように構成されている。また、この装置では排液口12
aはドレーン口14を兼ね、このドレーン口14には開
閉弁14aが付設され、開閉弁14aを基板昇降支持用
ピン16aの昇降動作と連動させて開閉することによ
り、処理槽11内の処理液Qを基板Wの枚葉処理毎に新
液と交換するように構成されている。また基板Wの支持
のための支柱17を省き、下降したピン16aを用いて
いる。さらに減圧シーリング達成のための排気口18、
給気口19も必要としない。なお、その他の点は先の装
と同様に構成されている。
FIG. 5 is a schematic diagram showing a further configuration devised prior to the present invention.
FIG. 6 is a vertical sectional front view of another surface treatment apparatus, and FIG. Equipment of this processing bath 11 itself is shallow dished,
A constant temperature water circulation pipe 22 is attached to the lower surface thereof, and is configured to maintain the processing liquid Q at a predetermined temperature. A gutter portion 24 is integrally formed on the outer periphery of the processing tank 11 so that the overflowed processing liquid Q is collected by the gutter portion 24. In this device , the drain port 12
a also serves as a drain port 14. The drain port 14 is provided with an on-off valve 14a. The on-off valve 14a is opened and closed in conjunction with the elevating operation of the substrate elevating and lowering support pins 16a. It is configured such that Q is exchanged for a new liquid every time the substrate W is processed. In addition, the support pillar 17 for supporting the substrate W is omitted, and the lowered pin 16a is used. Further, an exhaust port 18 for achieving reduced pressure sealing,
The air supply port 19 is not required. It should be noted that, earlier in other respects instrumentation
The configuration is the same as the device.

【0017】図7は本考案に先立って案出されたさらに
別の表面処理装置の縦断正面図である。この装置は処理
槽自体11が皿状に浅く形成され、基板昇降支持具がチ
ャック26から成り、チャック26の上面で基板Wを保
持して処理槽11内に沈着可能に構成されている。そし
てチャック26の下面は弁体として形成され、処理槽1
1の底壁11bにあけた排液口12aを閉止するように
構成されている。なお、符号25は排液口12aのシー
リングである。また、処理槽11の下方には図示しない
排液回収槽が配置されており、その他の点は先の装置
同様に構成されている。
FIG. 7 is a schematic diagram showing a further configuration devised prior to the present invention .
It is a vertical front view of another surface treatment apparatus. Equipment of this processing bath itself 11 is shallow dished, substrate lifting support is made from the chuck 26, and is deposited can configured to in the processing bath 11 holding the substrate W on the upper surface of the chuck 26 . The lower surface of the chuck 26 is formed as a valve body, and the processing tank 1
The drain port 12a opened in the bottom wall 11b is closed. Reference numeral 25 denotes a sealing of the drainage port 12a. Further, a drainage recovery tank (not shown) is disposed below the processing tank 11, and the other points are configured in the same manner as the previous apparatus .

【0018】図8は考案の実施例に係る表面処理装置
の縦断正面図である。この実施例装置は、処理槽11が
ロールコンベア1の上方に配置された矩形状の処理槽枠
部材31と、処理槽枠部材31の下面に固定したシーリ
ング32と、シーリング32の下面に密接される基板W
とから成る。また、ロールコンベア1の下方には排液槽
35が配置され、排液槽35内にチャック26が昇降自
在に付設され、ロールコンベア1との間で基板Wを受け
渡すように構成されいる。なお、この実施例では、シ
ーリング32の内周面が排液口12aに相当する。つま
り、チャック26で基板Wを持ち上げてシーリング32
に密接させて排液口12aを閉止し、次いで処理槽11
内に処理液を貯溜て基板Wの表面処理をする。そして
使用済みの処理液Qは基板Wの枚葉処理毎に交換され
る。その他の点は先の装置と同様に構成されている。
FIG. 8 is a vertical sectional front view of the surface treatment apparatus according to the embodiment of the present invention. In this embodiment, the processing tank 11 has a rectangular processing tank frame member 31 disposed above the roll conveyor 1, a ceiling 32 fixed to the lower surface of the processing tank frame member 31, and a lower surface of the sealing 32. Substrate W
Consisting of Also, the lower roll conveyor 1 is disposed Haiekiso 35, the chuck 26 is attached vertically movably to the drainage tank 35, and is configured to pass the substrate W between the roll conveyor 1 . In this embodiment, the inner peripheral surface of the ceiling 32 corresponds to the drainage port 12a. That is, the substrate W is lifted by the chuck 26 and
And close the drainage port 12a.
The substrate W is subjected to surface treatment by storing a processing liquid therein. Then, the used processing liquid Q is replaced every time the substrate W is processed. Other points are the same as those of the previous device .

【0019】[0019]

【考案の効果】本考案では、ロールコンベアによって搬
送された基板が基板昇降支持具に渡され、基板昇降支持
具の上昇によってシーリング材と基板とで処理槽を形成
させ、この処理槽内の基板に対して処理液供給ノズルか
ら処理液を供給して基板の表面処理を行うので1枚の基
板の表面処理に必要な容量の処理槽を形成すれば良いだ
けであるので従来例に比べて処理液の消費量を減少させ
ることができるとともに、さらに処理後の処理液を排液
を介して排出することが可能であるので基板1枚ごと
に処理液を新液と交換することが可能であり、処理液の
疲労によるロットごとの処理の微差を生じることもない
し、かつ基板を回転させることもないので1枚の基板に
おける中央部と周辺部とのムラを生じることもないとい
う効果を奏するものである。
[Effect of the invention] In the present invention is passed to the substrate the substrate elevating support conveyed by rolls conveyor to form a processing tank with the sealing material and the substrate by increasing the substrate lifting support, the substrate of the treatment tank The processing liquid is supplied from the processing liquid supply nozzle to perform the surface treatment of the substrate. Therefore, it is only necessary to form a processing tank having a capacity necessary for the surface treatment of one substrate. The consumption of liquid can be reduced, and the processing liquid after processing is drained.
Since the processing liquid can be discharged through the tank , the processing liquid can be exchanged for a new liquid for each substrate, and there is no small difference in processing for each lot due to fatigue of the processing liquid, and Since the substrate is not rotated, there is an effect that unevenness between the central portion and the peripheral portion of one substrate does not occur.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本考案に先立って案出された表面処理装置の縦
断正面図である。
FIG. 1 is a longitudinal sectional front view of a surface treatment device devised prior to the present invention.

【図2】上記表面処理装置の平面図である。2 is a plan view of the surface treatment apparatus.

【図3】処理液供給ノズルの概要図である。FIG. 3 is a schematic diagram of a processing liquid supply nozzle.

【図4】本考案に先立って案出された別の表面処理装置
の平面図である。
FIG. 4 is a plan view of another surface treatment device devised prior to the present invention.

【図5】本考案に先立って案出されたさらに別の表面処
理装置の縦断正面図である。
FIG. 5 is a vertical sectional front view of still another surface treatment device devised prior to the present invention.

【図6】上記表面処理装置の平面図である。6 is a plan view of the surface treatment apparatus.

【図7】本考案に先立って案出されたさらに別の表面処
理装置の縦断正面図である。
FIG. 7 is a vertical sectional front view of still another surface treatment device devised prior to the present invention.

【図8】本考案の実施例に係る表面処理装置の縦断正面
図である。
8 is a vertical sectional front view of a surface treatment apparatus according to actual施例of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ロールコンベア、2a…搬送ローラ、11…処理
、20…処理液供給ノズル、26…基板昇降支持具、
32…シーリング、35…排液槽、W…基板、Q…処理
液。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Roll conveyor, 2a ... Transport roller , 1 ... Processing tank , 20 ... Processing liquid supply nozzle, 26 ... Substrate lifting / lowering support,
32: sealing, 35: drainage tank, W: substrate, Q: processing liquid.

Claims (1)

(57)【実用新案登録請求の範囲】(57) [Scope of request for utility model registration] 【請求項1】 薄型矩形状の基板に処理液を供給して基
板の表面処理を行う基板の表面処理装置において、 基板を所定の搬送経路に沿って搬送するように、多数の
搬送ローラが互いに平行に配置されたロールコンベア
と、 搬送経路に対して昇降自在であり、昇降によってロール
コンベアとの間で基板の受け渡しを行う基板昇降支持具
と、 基板昇降支持具によって上昇させられた基板の上面に密
接して、基板とともに処理槽を形成するシーリング材
と、 処理槽を形成する基板に対して処理液を供給する処理液
供給ノズルと、 処理槽を形成する基板の下方に配置され、基板がシーリ
ング材から隔離させられたときに処理槽から流下する処
理液を受ける排液槽と、 を有することを特徴とする基板の表面処理装置。
In a substrate surface treatment apparatus for performing a surface treatment of a substrate by supplying a treatment liquid to a thin rectangular substrate, a large number of transport rollers are connected to each other so as to transport the substrate along a predetermined transport path. A roll conveyer arranged in parallel, a substrate elevating and lowering support member that can move up and down with respect to the transport path, and that transfers the substrate to and from the roll conveyor by elevating and lowering, and an upper surface of the substrate raised by the substrate elevating and lowering support member A sealing material that forms a processing bath together with the substrate, a processing liquid supply nozzle that supplies a processing liquid to the substrate that forms the processing bath, and a substrate disposed below the substrate that forms the processing bath. A liquid drainage tank for receiving a processing liquid flowing down from the processing tank when separated from the sealing material; and a substrate surface treatment apparatus.
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