JP4139323B2 - 走査電子顕微鏡におけるプロセス効果および画像化効果をモデリングする装置および方法 - Google Patents
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Claims (32)
- 計測ツールが用いるテストレシピを生成する方法であって、
画像化可能であるような複数の構造をサンプル上に製造するために用いられるように設計された複数の第1参照画像を提供する工程と
前記サンプル上の前記構造を特定するのに計測ツールによって用いられるテストレシピを生成または変更する工程と
を備え、
前記テストレシピを生成または変更する工程は、
前記計測ツールが前記構造を特定するのに用いる複数の第2参照画像を、前記第1参照画像の少なくとも一部から形成する第1の工程、および
前記第2参照画像を、前記サンプルの前記構造の検査対象画像を特定するのに用いられるように前記テストレシピと関連付ける第2の工程を含み、
前記第1の工程では、前記サンプルの前記構造の製造に関連する一つ以上のプロセス効果の少なくとも部分的なシミュレートを行なって、前記第2参照画像を形成する
方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記プロセス効果は、特徴テーパリング、コーナ丸み付け、および特徴収縮を含む方法。
- 請求項2に記載の方法であって、前記プロセス効果は、さらに特徴歪みおよびエッジ荒れを含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記計測ツールが前記構造を画像化する際に生じえる画像化効果を少なくとも部分的にシミュレートすることにより、前記第2参照画像を形成する方法。
- 請求項4に記載の方法であって、前記画像化効果は、基板および材料コントラスト、エッジ強調、および走査残光性を含む方法。
- 請求項5に記載の方法であって、前記画像化効果は、エッジが厚くなること、および電荷シャドウイングをさらに含む方法。
- 請求項2に記載の方法であって、、前記計測ツールが前記構造を画像化する際に生じえる画像化効果を少なくとも部分的にシミュレートすることにより、前記第2参照画像を形成する方法。
- 請求項7に記載の方法であって、前記画像化効果は、基板および材料コントラスト、エッジ強調、および走査残光性を含む方法。
- 請求項8に記載の方法であって、それぞれのシミュレートされたプロセス効果およびシミュレートされた画像化効果は、複数の選択可能な値を持つ程度パラメータに関連付けられ、それぞれの程度パラメータ値は、前記関連付けられたシミュレートされたプロセス効果または画像化効果の特定の量に対応し、前記方法は、
特定のプロセスタイプおよび特定の計測ツールのタイプについて、それぞれのプロセスおよび画像化効果について異なる程度パラメータ値の複数の組み合わせを分析することによって、どの組み合わせが最も正確に前記特定のプロセスタイプおよび前記特定の計測ツールのタイプのプロセスおよび画像化効果をそれぞれシミュレートするかを決定することをさらに含む方法。 - 請求項9に記載の方法であって、前記分析は、
それぞれのプロセス効果について異なる程度パラメータ値の複数の組み合わせを分析することによって、どの組み合わせが最も正確に前記特定のプロセスタイプのプロセス効果をシミュレートするかを決定すること、および
それぞれの画像化効果について異なる程度パラメータ値の複数の組み合わせを分析することによって、どの組み合わせが最も正確に前記特定の計測ツールの画像化効果をシミュレートするかを決定すること、
を含み、
前記プロセス効果の組み合わせは、前記画像化効果とは別に分析される方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記計測ツールは、レチクルおよび集積回路からなるグループから選択されたサンプルを測定および/または検査するように設計された走査電子顕微鏡であり、前記構造は、集積回路の構造、集積回路を製造するためのレジストパターンの構造、レチクル構造、およびレチクル構造を製造するのに利用可能なレジストパターン構造からなるグループから選択される方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記計測ツールによる前記構造の特定は、正規化相関技術によって達成される方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記計測ツールによる前記構造の特定は、前記複数の第2参照画像から選択されたユニークな参照パターンと最も一致するサンプルの中から、該当する構造のイメージを探索することによって達成される方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記計測ツールによる前記構造の特定は、前記第2参照画像のうちの第1画像と所定以上の相関を有する前記サンプル上の第1構造を発見することによって達成される方法。
- 請求項1に記載の方法であって、それぞれの参照画像は、前記サンプル上の検査対象画像から前記サンプルのテスト対象であるテスト構造へのオフセット値に関連付けられており、かつ、前記テスト構造をどのようにテストするかについての情報とに関連付けられた方法。
- 請求項15に記載の方法であって、前記情報は、テスト構造タイプおよび測定タイプを含む方法。
- 請求項16に記載の方法であって、前記テスト構造タイプは、前記テスト構造がホール、ポスト、ライン、またはトレンチのいずれであるかを特定し、前記測定タイプは、前記テスト構造の内側エッジまたは外側エッジのいずれから計測されるかを特定する方法。
- 計測ツールのためのテストレシピを生成するように動作可能なコンピュータシステムであって、
一つ以上のプロセッサ、および
一つ以上のメモリ
を備えるコンピュータシステムであって、前記プロセッサおよびメモリのうちの少なくとも一つは、
画像化可能であるような複数の構造をサンプル上に製造するために用いられるように設計された複数の第1参照画像を提供し、
前記サンプル上の前記構造を特定するのに計測ツールによって用いられるテストレシピを生成または変更し、
前記テストレシピを生成または変更に際しては、
前記計測ツールが前記構造を特定するのに用いる複数の第2参照画像を、前記第1参照画像の少なくとも一部から形成し、
前記第2参照画像を、前記サンプルの前記構造の検査対象画像を特定するのに用いられるように前記テストレシピと関連付け、
前記第2参照画像の形成時には、前記サンプルの前記構造の製造に関連する一つ以上のプロセス効果の少なくとも部分的なシミュレートを行なって、前記第2参照画像を形成するよう構成されるコンピュータシステム。 - 請求項18に記載のコンピュータシステムであって、前記プロセス効果は、特徴テーパリング、コーナ丸み付け、および特徴収縮を含むコンピュータシステム。
- 請求項18に記載のコンピュータシステムであって、前記第2参照画像は、前記計測ツールを用いて前記サンプル上の前記構造の前記検査対象画像を得ることに関連する一つ以上の画像化効果を少なくとも部分的にシミュレートするように形成されるコンピュータシステム。
- 請求項20に記載のコンピュータシステムであって、前記画像化効果は、基板および材料コントラスト、エッジ強調、および走査残光性を含むコンピュータシステム。
- 請求項19に記載のコンピュータシステムであって、前記第2参照画像は、前記計測ツールを用いて前記サンプル上の前記構造の前記検査対象画像を得ることに関連する画像化効果をもシミュレートするように形成されるコンピュータシステム。
- 請求項22に記載のコンピュータシステムであって、前記画像化効果は、基板および材料コントラスト、エッジ強調、および走査残光性を含むコンピュータシステム。
- 請求項23に記載のコンピュータシステムであって、それぞれのシミュレートされたプロセス効果およびシミュレートされた画像化効果は、複数の選択可能な値を持つ程度パラメータに関連付けられ、それぞれの程度パラメータ値は、前記関連付けられたシミュレートされたプロセス効果または画像化効果の特定の量に対応し、前記コンピュータシステムは、
特定のプロセスタイプおよび特定の計測ツールのタイプについて、それぞれのプロセスおよび画像化効果について異なる程度パラメータ値の複数の組み合わせを分析することによって、どの組み合わせが最も正確に前記特定のプロセスタイプおよび前記特定の計測ツールのタイプのプロセスおよび画像化効果をそれぞれシミュレートするかを決定することをさらに実行するコンピュータシステム。 - 請求項24に記載のコンピュータシステムであって、前記分析は、
それぞれのプロセス効果について異なる程度パラメータ値の複数の組み合わせを分析することによって、どの組み合わせが最も正確に前記特定のプロセスタイプのプロセス効果をシミュレートするかを決定すること、および
それぞれの画像化効果について異なる程度パラメータ値の複数の組み合わせを分析することによって、どの組み合わせが最も正確に前記特定の計測ツールの画像化効果をシミュレートするかを決定すること、
によって達成され、
前記プロセス効果の組み合わせは、前記画像化効果とは別に分析されるコンピュータシステム。 - 請求項18に記載のコンピュータシステムであって、前記計測ツールは、レチクルおよび集積回路からなるグループから選択されたサンプルを測定および/または検査するように設計された走査電子顕微鏡であり、前記構造は、集積回路の構造、集積回路を製造するためのレジストパターンの構造、レチクル構造、およびレチクル構造を製造するのに利用可能なレジストパターン構造からなるグループから選択されるコンピュータシステム。
- 請求項18に記載のコンピュータシステムであって、前記サンプル上の前記構造の特定は、正規化相関技術によって達成されるコンピュータシステム。
- 請求項18に記載のコンピュータシステムであって、前記計測ツールによる前記構造の特定は、前記第2参照画像のうちの第1画像と所定以上の相関を有する前記サンプル上の第1構造を発見することによって達成されるコンピュータシステム。
- 計測ツールのテストレシピを生成するコンピュータプログラムであって、前記コンピュータプログラムは、
少なくとも一つのコンピュータ読み取り可能な媒体に記録され、
前記少なくとも一つのコンピュータ読み取り可能な媒体内に記憶されたコンピュータプログラム命令であって、
画像化可能であるような複数の構造をサンプル上に製造するために用いられるように設計された複数の第1参照画像を提供する機能と
前記サンプル上の前記構造を特定するのに計測ツールによって用いられるテストレシピを生成または変更する機能と
を実現し、
前記テストレシピを生成または変更する機能は、
前記計測ツールが前記構造を特定するのに用いる複数の第2参照画像を、前記第1参照画像の少なくとも一部から形成する第1の機能、および
前記第2参照画像を、前記サンプルの前記構造の検査対象画像を特定するのに用いら れるように前記テストレシピと関連付ける第2の機能を含み、
前記第1の機能では、前記サンプルの前記構造の製造に関連する一つ以上のプロセス効果の少なくとも部分的なシミュレートを行なって、前記第2参照画像を形成する機能
を装置に実行させるように構成されたコンピュータプログラム命令を備えるコンピュータプログラム。 - 請求項29に記載のコンピュータプログラムであって、前記プロセス効果は、特徴テーパリング、コーナ丸み付け、および特徴収縮を含むコンピュータプログラム。
- 請求項30に記載のコンピュータプログラムであって、前記第2参照画像は、前記検査対象画像を前記計測ツールから得ることに関連する画像化効果をもシミュレートするように形成されるコンピュータプログラム。
- 請求項31に記載のコンピュータプログラム製造物であって、前記画像化効果は、基板および材料コントラスト、エッジ強調、および走査残光性を含むコンピュータプログラム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/881,451 US6581193B1 (en) | 2001-06-13 | 2001-06-13 | Apparatus and methods for modeling process effects and imaging effects in scanning electron microscopy |
PCT/US2002/018955 WO2002101602A1 (en) | 2001-06-13 | 2002-06-13 | Apparatus and methods for modeling process effects and imaging effects in scanning electron microscopy |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004530143A JP2004530143A (ja) | 2004-09-30 |
JP4139323B2 true JP4139323B2 (ja) | 2008-08-27 |
Family
ID=25378512
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003504291A Expired - Fee Related JP4139323B2 (ja) | 2001-06-13 | 2002-06-13 | 走査電子顕微鏡におけるプロセス効果および画像化効果をモデリングする装置および方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6581193B1 (ja) |
JP (1) | JP4139323B2 (ja) |
WO (1) | WO2002101602A1 (ja) |
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US6298470B1 (en) * | 1999-04-15 | 2001-10-02 | Micron Technology, Inc. | Method for efficient manufacturing of integrated circuits |
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-
2001
- 2001-06-13 US US09/881,451 patent/US6581193B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-06-13 WO PCT/US2002/018955 patent/WO2002101602A1/en active Application Filing
- 2002-06-13 JP JP2003504291A patent/JP4139323B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6581193B1 (en) | 2003-06-17 |
WO2002101602A1 (en) | 2002-12-19 |
JP2004530143A (ja) | 2004-09-30 |
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