JP4127823B2 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Description
図1は、本実施形態に係る半導体装置1の平面図である。図2は、図1のII-II線の断面図である。
図13は、第2の実施形態に係る半導体装置の断面構成を示す模式図である。図13に示す半導体装置2は、表面電極14A及び外部接続用電極34Aを電気的に接続している第1の導電路50A及び第2の導電路52Aが、スルーホール(第2の穴部)54A及びスルーホール(第3の穴部)56Aの内壁面上に形成された導電層58A,60Aから構成されている点で相違する。図13に示すように、スルーホール54Aは、表面10aから切欠き部30Aの内壁面に貫通しており、スルーホール56Aは、表面10aから裏面10bに貫通している。また、導電層58A,60Aは、導電材料から構成されている。
Claims (7)
- 互いに対向する表面及び裏面を有する基板と、
前記基板の前記表面から前記裏面側に向けて延在している第1の導電路と、
前記基板の前記表面から前記裏面まで前記基板を貫通している第2の導電路と、
前記基板の前記裏面側に形成された切欠き部と、
前記切欠き部上から前記基板の裏面上にわたって形成されている外部接続用電極と、
前記基板の前記表面上に設けられ、前記第1の導電路及び前記第2の導電路に電気的に接続された半導体素子と、
前記半導体素子を封止する封止樹脂と
を備え、
前記第1の導電路は、前記表面から前記切欠き部まで前記基板を貫通しており、
前記外部接続用電極は、前記外部接続用電極における前記切欠き部上の領域において前記第1の導電路と電気的に接続されており、前記外部接続用電極の前記裏面上の領域において前記第2の導電路と電気的に接続されている、
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記切欠き部に一部が含まれるように前記基板の前記表面から前記裏面側に貫通している第1の穴部であって、その内壁面上に導電材料からなる第1の導電層が形成され且つ充填材が充填された前記第1の穴部のうち、前記切欠き部に貫通している領域に形成されている第1の導電層から、前記第1の導電路は構成されており、
前記第1の穴部のうち、前記裏面に貫通している領域に形成されている前記第1の導電層から、前記第2の導電路は構成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記表面から前記切欠き部に貫通している第2の穴部の内壁面上に形成されている導電材料からなる第2の導電層から、前記第1の導電路は構成されており、
前記表面から前記裏面に貫通している第3の穴部の内壁面上に形成されている導電材料からなる第3の導電層から、前記第2の導電路は構成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 配線基板上に半導体素子が搭載され、前記半導体素子が樹脂で封止された半導体装置を製造する方法であって、
素子搭載用基板の表面と裏面とを電気的に接続するための第1の導電路及び第2の導電路を、前記第1及び第2の導電路が配線基板形成領域内に位置するように形成する導電路形成工程と、
前記裏面に凹部を、当該凹部の一部が前記配線基板形成領域内に位置し且つ当該凹部の一部内に前記第1の導電路が位置するように形成する凹部形成工程と、
前記凹部の内壁面上から前記裏面上にわたって外部接続用電極を形成する電極形成工程であって、前記外部接続用電極の前記凹部内の領域が前記第1の導電路と電気的に接続されると共に、前記外部接続用電極の前記裏面上の領域が前記第2の導電路と接続されるように、前記外部接続用電極を形成する、前記電極形成工程と、
前記素子搭載用基板における前記配線基板形成領域上に半導体素子を搭載し、前記半導体素子を前記第1の導電路及び前記第2の導電路に電気的に接続する素子搭載工程と、
前記半導体素子を樹脂で封止する樹脂封止工程と、
前記半導体素子が搭載された前記素子搭載用基板を前記配線基板形成領域で分割して配線基板とすることにより半導体装置を作製する分割工程と
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記導電路形成工程において、前記表面から前記裏面まで貫通する第1の穴部を、前記第1の穴部が前記配線基板形成領域内に位置するように形成し、導電材料からなる第1の導電層であって前記第1の導電層の一部が前記第1の導電路となり他の部分が第2の導電路となる前記第1の導電層を前記第1の穴部の内壁面上に形成し、前記第1の導電層が形成された前記第1の穴部に充填材を充填し、
前記凹部形成工程において、前記凹部を、当該凹部の一部が前記第1の穴部内に位置するように形成し、
前記第1の導電層の一部であって前記表面と前記凹部との間に延在している部分が前記第1の導電路であり、前記第1の導電層の他の部分であって前記表面と前記裏面との間に延在している部分が前記第2の導電路である、
ことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記導電路形成工程において、前記表面から前記裏面まで貫通する第2の穴部及び第3の穴部を、前記第2及び第3の穴部が、前記配線基板形成領域内に位置するように形成し、導電材料からなり前記第1の導電路としての第2の導電層を前記第2の穴部の内壁面上に形成し、導電材料からなり前記第2の導電路としての第3の導電層を前記第3の穴部の内壁面上に形成し、
前記凹部形成工程において、前記凹部を、当該凹部の一部内に前記第2の穴部を含むように形成する、
ことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記凹部を機械加工により形成することを特徴とする請求項4〜請求項6の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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