JP4564968B2 - 温度測定デバイスおよびこのデバイスを製造する方法 - Google Patents

Description

本発明は、温度測定デバイスおよびこのデバイスを製造する方法に関し、特に、リード線との良好な接続を可能にするパッドを備えるデバイスに関する。

先行技術においては、部品および電子回路をより小型化することが求められており、そのために、例えば単一のウエハまたは基板上に複数の部品が高密度で製造され、その後さらなる使用のためにダイシングされる。

この小型化の長所は以下のとおりである。即ち、一つには他の部品内においてこの部品が占める空間が減少する点と、他方ではまた、実質的なことであるが、１つの基板内にこのような部品を多数個製造することができるという点である。そのため、製造に必要となる資源がより有効に活用される。１つの基板について多数個の部品が得られるので、同一量の材料を使用してより多くの生産量を得ることが可能となる。つまり、部品が占める空間に応じ、使用される基板材料の点から見て、各部品に掛かる総合的なコストが減少する。

この進歩的な小型化から来る一つの問題は、デバイスが小さくなるにつれて、デバイスの接続のために有効となる接点領域も小さくなることである。例えば、このように小型化されたデバイスの有効接点領域が小さいゆえに、リード線または他の接続点との接続のために十分な機械的強度が得られなくなり、その結果、接続信頼性が低下する。特に、リード線が用いられる場合には顕著となる。

この問題の解決法の一例が、特許文献１に示されている。即ち、複数の小さな部品が一つの支持要素の中に導入され、それらの対向するパッドはそれぞれ支持要素の上面と底面に配置され、有効なパッドを拡大するために、両面はさらに導電体層によって覆われる。この手法は、部品を縦向きに配置した時、支持要素の凹部の中で、対応するパッドが支持要素の上側と下側に対面するように、部品がその側面上に亘って延びる接点領域を持つ場合には有利である。しかし、この接触パッドの拡大方法は、接点領域が一つの共通表面上に配置される部品に対しては適切でない。

図１を参照しながら、例えばセンサチップなどの従来の部品をさらに詳しく説明する。この部品は、例えばセラミック基板である基板１００を備える。基板１００の上面１０２には、例えばプラチナフィルムである金属層１０４が形成されている。このセンサチップは、第１接点１０６と第２接点１０８とを備え、これら接点の間には例えば迷路のような形に形成されたプラチナフィルム１１０が配置されている。各接点１０６と１０８との上には、導電性材料からなる接点補強部１１２および１１４が配置されている。従来の温度測定センサを示す図１の例においては、測定フィルム１１０は、前記接点補強部１１２および１１４の間に設けられたグレーズ層１１６によって保護されている。

上述のように、接点領域１１２および１１４は部品全体の大きさから見れば比較的小さく、部品全体が小型化するにつれて、リード線または同類物に対して接続するための有効な接点領域が減少することになる。そのため、上述した端子接続の品質に関する問題が起きることになる。
ドイツ特許出願公開公報ＤＥ１０３５６３６７Ａ

このような従来技術を基にして、本発明の目的は、対向するパッドを備えた温度測定デバイスを製造する改良された方法を提供することであり、また、端子接続の品質が改善された温度測定デバイスを提供することである。

この目的は、請求項１または６に記載の製造方法と、請求項１１または１３に記載の温度測定デバイスによって達成される。

本発明は、温度測定デバイスを製造する方法を提供し、この方法は、
上面および下面を有するセラミック基板と、前記上面上に形成された第１接点および第２接点と、これら接点の間に配置された測定フィルムと、を含む温度測定センサを準備する工程と、
前記セラミック基板の上面上の第１接点と前記セラミック基板の下面との間に導電性接続部を形成する工程と、
前記下面上に前記温度測定デバイスの第１パッドとしての第１導電体層を、この第１導電体層が前記導電性接続部に接触するように形成する工程と、
前記上面上に絶縁層を、前記第１接点と前記測定フィルムとがこの絶縁層によって覆われ、かつ前記第２接点が少なくとも部分的に露出するように形成する工程と、
前記絶縁層上に前記温度測定デバイスの第２パッドとしての第２導電体層を、この第２導電体層が前記第２接点に接触するように形成する工程と、を含む。

本発明は、温度測定デバイスを製造する他の方法を提供し、この方法は、
上面および下面を有し、かつ、前記上面上には第１接点および第２接点が形成され、これら接点の間に測定フィルムが配置されている基板を準備する工程であって、前記第１接点および第２接点の最大寸法よりも大きい厚みを有する基板を準備する工程と、
前記基板の２つの側面に、前記第１接点と接続され、リード線を接続可能な第１パッドと、前記第２接点と接続され、リード線を接続可能な第２パッドとをそれぞれ形成する工程と、を含む。

さらに、本発明は温度測定デバイスを提供し、このデバイスは、
上面および下面を有し、かつ、前記上面上には第１接点および第２接点が形成され、これら接点の間に測定フィルムが配置されているセラミック基板と、
前記基板の上面上の第１接点と前記基板の下面との間に設けられた導電性接続部と、
前記下面上に前記温度測定デバイスの第１パッドとして形成され、かつ、前記導電性接続部に接触するように配置されている第１導電体層と、
前記上面上に、前記第１接点と前記測定フィルムとを覆い、かつ前記第２接点が少なくとも部分的に露出するように形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に前記温度測定デバイスの第２パッドとして形成され、かつ、前記第２接点に接触するように形成された第２導電体層と、を含む。

本発明の好ましい実施形態によれば、さらに、第２導電体層が、部品の第１表面上にデバイスの第２パッドとして、かつ、部品の第１表面上の第２接点と接触するように形成されている。

第１の実施形態によれば、導電性接続部は部品内のスルー接続部によって形成され、このスルー接続部は第１接点から部品の第２表面へと延びている。これは、部品を完全に処理した後に孔を開けることで実行されてもよいし、あるいは、部品支持部を処理する前に、形成されるべき第１接点の領域にスルー接続部を形成し、電子回路と共に接点を形成することで実行されても良い。

前記方法に代えて、導電性接続部は、第１接点領域から部品の側面を通り第２表面へと延びる導電体層によって形成されても良い。

本発明の好ましい他の実施形態によれば、第２接点のみが露出したままになるように第１表面上に絶縁層を設け、その後露出した第２接点と接触するように第１表面上に導電体層を形成する。

上述の方法に代えて、本発明の他の実施形態によれば、絶縁プレートが設けられても良い。このプレートの寸法は部品の寸法とほぼ同じであり、このプレートの部品と反対側を向いている第１面には導電体層が設けられている。このプレートの部品側を向いている第２面には、所定の領域だけに、つまり、この第２面が第２接点と接触することになる領域だけに導電体層が設けられている。このプレートのこれら２つの面の導電性領域と導電体層とは、スルー接続部を介して互いに接続されており、デバイスの第２パッドを形成するために、導電性領域が第２接点と接続されるように、プレートが第１表面に結合される。

本発明の好ましい他の実施形態によれば、例えばリード線のような形態を持つリードが２つのパッドに接続され、かつ選択的に、部品とそこに接続されたリード線の被覆層もさらに設けられても良い。この時、リード線は高温での適用例の場合には溶接され、被覆層はグレーズで形成される。低い温度領域での適用例では、リード線ははんだ付けされ、被覆層は樹脂で形成される。

さらに他の実施の形態によれば、本発明は温度測定デバイスを提供し、このデバイスは、
上面および下面を有し、かつ、前記上面上に第１接点および第２接点が形成され、これら接点の間に測定フィルムが配置されている基板であって、その厚みは前記第１接点および第２接点の最大寸法よりも大きい基板と、
前記第１接点に接続され、リード線を接続可能な第１パッドと、
前記第２接点に接続され、リード線を接続可能な第２パッドと、を含み、
前記第１パッドと前記第２パッドとが、前記基板の２つの側面にそれぞれ形成されているものである。

本発明の望ましい実施形態は、従属請求項で定義される。

本発明の望ましい実施形態を、以下に添付した図面を参照しながら詳細に説明する。

以下の好ましい実施形態の説明においては、同様または類似する要素に対しては、様々な図面の中でも同様の参照番号を付して説明する。

公知のセンサチップ、例えば温度センサや加熱要素等として用いられるセンサチップであり、図１を参照しながらより詳細に上述したセンサチップを出発点として、本発明においては、下記に詳細に説明するような修正が加えられている。経済的な理由から、ここでは出発点として、基板あるいはウエハを使用し、この基板あるいはウエハは多数の個別センサ（バッチ）を有している。下記の説明において使用するようなプラチナ温度センサ要素の例とは別に、例えばニッケル、モリブデン、タングステン等の金属フィルムを基にした他のセンサ、あるいは、共通の表面１０２の上に接点１０６および１０８が配置される構成と類似する構成を有する他のデバイスが用いられても良い。さらに、ここで指摘しておくが、本発明は、電子回路が特別な構造を持つ金属フィルムとして形成されたデバイスに限るものではない。電子回路１１０はまた、基板１００の中に形成されたデバイスによって構成されていても良く、この基板１００の中から接点１０６および１０８のみが表面１０２に導出されていても良い。

図２は本発明に係る第１実施例を示し、ここでは図１により既知となっている要素に対しては同一の参照番号を付している。第１接点１０６のグレーズ１１６と補強部１１２との上に絶縁層１１８が配置され、この絶縁層１１８は、図１に示されたセンサ要素の露出した上表面の全体を、第２接点１０８の補強部１１４の一部を除いてほぼ覆うものである。その上で、絶縁層１１８と、第２接点１０８の補強部１１４の露出した領域とを覆うように、導電体層１２０が配置される。さらに、例えば導電性材料を孔に満たすことで、スルー接続部１２２が基板１００内に形成される。スルー接続部１２２は、基板１００の第１表面１０２の第１接点１０６から第２表面１２４へと延びている。この第２表面１２４には、電気的に導電性を有するさらなる導電体層１２６が形成され、この導電体層１２６は基板１００の裏面１２４をほぼ覆い、かつ前記スルー接続部１２２を介してセンサデバイスの第１接点１０６と接触している。

図２に示す実施例においては、一つの表面１０２上に相対する接点１０６／１１２と１０８／１１４とを備えるセンサチップの中に、裏面１２４へのスルー接続部１２２のために、基板１００を貫通する小孔が接点１０６／１１２の領域に形成される。好ましくは、この貫通孔は、ウエハの全てのセンサまたは「裸の」基板の上に対して、一つの製造工程で実行される。即ち、センサを製造するための他の製造工程（金属フィルムを配置する工程等）を開始する前に、基板内の位置であって、後にチップの接点１０６／１１２が設けられるべき位置に、例えばレーザー照射またはパンチング等により孔を開けることで実行される。

さらなる製造工程において、例えば金属ペーストをスクリーン印刷することで、この孔はスルー接続部１２２となる。この時、図２に示される接触ゾーン補強部１１２、１１４が同時に形成される。その後、好ましくは、基板の裏面１２４の全体面がメタライズされる。これは後続の工程のために重要となる。その処理のために、上述のスクリーン印刷技術の他に、他の成膜技術（例えば蒸着、スパッタリング、化学コーティング、またはこれらの方法の組合せ）などが用いられても良い。このメタライズのためには、全ての適切な金属または金属ペーストを用いても良い。その単なる例として、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｗ等と、それらの合金などが挙げられる。さらに、これら材料の層の組合せもまた、使用可能である。

次の工程では、裏面１２４に繋がるスルー接続部１２２が先に形成されている接点１０６／１１２を覆うように、例えば誘電体層である絶縁層１１８が設けられる。この絶縁層１１８は、例えば誘電体ペーストを用いた厚膜形成プロセスによって形成されても良く、この絶縁層１１８はさらに、既にグレーズ１１６または他の適切な保護カバーによって覆われている可能性があるアクティブセンサゾーンをも覆っても良い。しかし、第２接点１０８／１１４は完全には覆われているわけではない。この絶縁層１１８は、例えばグレーズ１１６に近似したグレーズであっても良い。また、他の適切な材料、例えばガラスセラミックス、セラミックスまたはこれらの組合せ等を用いて構成されても良い。さらに、絶縁層１１８は、複数の類似するかあるいは異なるシートから構成されても良い。この場合には、絶縁層１１８の絶縁耐力が増す可能性がある。

次の工程では、先に設けられた絶縁層１１８の全表面または少なくともその実質的な部分に対し、メタライズ層１２０が設けられる。このメタライズ層１２０は、特に基板の裏面１２４に繋がるスルー接続部を持たない接触ゾーン１０８／１１４をもカバーし、かつ電気的に接続するものである。その結果、接点より大きな寸法を持つ導電性の層が形成され、リード線を設ける際の信頼性が向上する。

本発明の好ましい実施例によれば、図２を参照しながら上述したデバイスの製造は、ウエハのレベルで実行される。即ち、ウエハ上には既に複数個の好ましい同一のデバイスが、互いに所定の距離を置いて配置されている。図２に示された工程の結果として得られる処理されたデバイスを、１つの工程で個々のデバイスに切り離せるようにするため、ウエハ上の基板１００のマージン領域に、小さな領域が未使用領域として残されている。この領域に、ウエハを個別部品にダイシングするために使用されるマークが存在する。

上述のメタライズ層１２０もまた、厚膜形成プロセスによって形成されても良く、さらに上述の他の形成方法が用いられても良い。

次に、図３を参考にして、本発明のさらなる好ましい実施の形態を詳細に説明する。図２と比較すると、基板１００の表側の表面にパッドを設けるために、この実施形態においては、図２の説明内に記載した絶縁層１１８と導電体層１２０とを設ける工程が除外される。代わりに、絶縁プレート１２８が使用され、このプレートは好ましくはセラミックプレートであり、それが配置される部品の表面積とほぼ同じ面積を持つ。セラミックプレート１２８は、第１面１３０と第２面１３２とを持つ。第１面１３０上には、プレート１２８の表面のほぼ全体を覆うように導電体層１３４が形成されている。プレート１２８の第２面１３２には、第１領域に接合層１３６が形成され、第２領域には導電部１３８が形成されている。さらに、スルー接続部１４０がプレート１２８の中に形成され、導電体層１３４と導電部１３８とを導電接続している。好ましい実施形態によれば、プレート１２８の導電部１３８の寸法は、部品の接点１０８／１１４の寸法とほぼ同一になるよう選択される。プレート１２８が図３に示すように部品の上に配置され、導電部１３８は接点１０８／１１４と接続される。部品とプレート１２８との機械的な連結は接合層１３６を介して実現される。図２と同様に、ここでもデバイスの拡大された第１パッド１３４が達成される。

図２を参照しながら説明した特別な実施の形態においては、絶縁層１１８を使用したが、これに代えて図３においては、上述のように準備されたセラミックプレート１２８が使用される。メタライズ１３４は、外部に面する表面１３０の全体に亘って実行される。所定の位置には、スルー接続部１４０が、「外側」の全面メタライズ部１３４から、好ましくはスルー接続部の周囲に配置された部分的メタライズ部１３８を含む「内側」１３２へと延びている。内側の部分的メタライズ部１３８は、好ましくはセンサ要素の接点１０８／１１４と一致する。センサとプレートとは、接合層１３６により、あるいは他の適切な方法により接合されているので、これら２つの要素は機械的に堅く結ばれている。同時に、接点１０８／１１４と、セラミックプレート１２８の内側メタライズ部１３８とは、電気的にも安定して接続される。

さらに他の実施形態として、裏面に繋がるスルー接続部の代わりに、外縁部を介した接続部を設けても良い。この場合には、スルー接続部のための孔を設ける必要がない。図４はこの例に係るデバイスを示し、図３と同様に、セラミックプレート１２８が上面に配置されている。しかし図３と異なり、内側に面する表面１３２は全面的に接合層１３６で覆われている。そのため、導電部１３８もスルー接続部１４０も設けられていない。図４からも分かるように、図２、図３に示されたスルー接続部も、全くない。

第１接点１０６／１１２と裏面のパッド１２６とを接続するために、第１接点１０６／１１２から延び、基板の上面１０２と裏面１２４とを結ぶ側面１４４を通り、導電体層１２６へと繋がる導電体層１４２が設けられている。同様に、第２接点１０８／１１４は上側のパッド１３４と接続されている。より詳細には、第２接点１０８／１１４から延び、プレート１２８の面１３２と１３４とを結ぶ側面１４７を通り、導電体層１３４へと繋がるさらなる導電体層１４６が設けられている。

図４に関して指摘しておくが、上側のパッドを拡大するために、図３に示された手法、即ち、スルー接続部１４０を備えたプレートを使用することも可能である。この場合には、接点１０６／１１２だけが導電体層１４２を介して底部の導電体層１２６と接続される。反対に、底部の導電体層１２６はスルー接続部１２２を介して接続し、かつ、第２接点１０８／１１４だけを、外部を通る導電体層１４６を介して上側の導電体層１３４と接続しても良い。

さらに、パッドを対向する主表面上に設けることだけが望ましい場合には、第１接点１０６／１１２を基板１００の裏面１２４に繋げ、それを所望のサイズの導電体層、即ち必ずしも基板１００の底面全体を覆うわけではない導電体層に接続するだけで良い。この場合には、第２接点１０８／１１４は元のままでも良い。即ち、上述したパッド１３４への接続に関する工程は、この場合には省略される。

さらなる処理のために、図２と図４とを参照しながら説明したデバイス／センサには、さらなるメタライズ層が設けられる。図５は、図２で説明したデバイスと、さらなるメタライズ層１４８、１５０を示している。メタライズ層１４８は、上側の導電性パッド１２０の上に配置され、メタライズ層１５０は、下側の導電性パッド１２６の下に配置されている。これらのメタライズ層は、例えばリード線をはんだ付するためのはんだ−すず層であり、あるいはセンサチップとリード線やケーブル等とを接続するための溶接促進の役割を果たす、すず−金層などである。

図６はリード線との接続を概略的に示す。この例では、第１リード線１５２と第２リード線１５４とが示され、リード線１５２はパッド１２０に固定され、リード線１５４はパッド１２６に固定されている。個々の適用例に依存するが、高い適用温度ではリード線はデバイスへ溶接され、低い適用温度ではデバイスへはんだ付される。

加えて、図７の符号１５６で概略的に示すように、デバイスとリード線１５２，１５４とを固定する部分に被覆層(cladding)を施しても良い。高い温度での適用例においては、グレーズまたは適切なセラミック材料がこの被覆層１５６として用いられ、これにより機械的硬化とさらなる化学的保護とがもたらされる。比較的低い温度での適用例の場合には、被覆層はポリマー材料、例えばエポキシド樹脂などから構成されても良い。さらに、上述の材料からなる層の組合せによって被覆層が構成されても良い。

上述したデバイスは、好ましくはウエハのレベルで構築される。即ち、部品を準備する工程は、複数の部品を持つ一つのウエハを準備する工程を含む。上述した層はウエハのレベルで構築され、後にデバイスへとダイシングされる。

本発明に係る第４の実施形態を、図８を参照しながら以下に説明する。これまでの実施形態とは異なり、パッドを形成する導電体層はセンサチップの主表面に配置されておらず、主表面を結ぶ側面上に配置されている。この場合には、部品の基板の厚みは、接点の最大寸法よりも大きく設定される。そのため、接点と比較して拡大されたパッドが得られる。

図８は基板１００を備えたセンサチップを示す。図から分かるように、基板１００の厚みは、接点１０６／１１２および／または１０８／１１４の寸法ｌよりも大きい。第１表面１０２と第２表面１２４とを結ぶ第１側面１４４の上には、デバイスの第１パッドとしての第１導電体層１６０が形成されている。第１表面１０２と第２表面１２４とを結ぶ第２側面１６２の上には、デバイスの第２パッドとしての第２導電体層１６４が形成されている。

図９は図８に示すデバイスの斜視図である。

図８と図９とで示されるデバイスは、好ましくはウエハのレベルで構築され、複数の部品が一つのウエハの上に構築されることになる。導電体層１６０，１６４を設けるために、ウエハ内に切れ目（saw cuts）が導入され、エレメント間の陥没部が形成される。これらのカット部に導電性材料が導入され、その後、例えばソーイング(sawing)やブレーク(breaking)によって、デバイスがダイシングされる。

図８と図９とで示されるデバイスに対し、図６と図７に示されるさらなる処理が施されても良い。

これまでの説明では、好ましい実施形態の内で、接点が基板の反対側の端部に設けられた例を挙げたが、本発明はこれらの実施形態に限るものではなく、接点が第１表面のいずれの位置に設けられても良く、例えば互いに隣接した位置に設けられても良いことに注目すべきである。

製造工程に関連する具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は各実施形態に係る工程の流れに限るものではない。技術的な環境に依存するが、各工程は上述した流れと異なる流れで実行されても良い。特に、第２導電体層は第１導電体層よりも先に形成されても良い。また、第１接点と底部表面との間の導電性接続部を形成する工程は、導電体層の形成工程よりも前でも後でも良い。

先行技術による従来のセンサデバイスである。 本発明に係る好ましい第１実施例によるデバイスである。 本発明に係る好ましい実施例によるデバイスである。 本発明に係る第３実施例によるデバイスである。 はんだ層を備えた本発明のデバイスである。 リード線を備えた本発明のデバイスである。 図６に示す実施例に追加的な被覆層を備えた実施例を示す。 本発明に係る第４実施例によるデバイスである 図８に示すデバイスの斜視図である。

符号の説明

１００ 基板
１０２ 上面
１０６，１１２ 第１接点
１０８，１１４ 第２接点
１１０ 測定フィルム
１１８ 絶縁層
１２０ 第２導電体層（第２パッド）
１２２ 導電性接続部
１２４ 下面
１２６ 第１導電体層（第１パッド）
１２８ プレート
１３０ 第１面
１３２ 第２面
１３４ 導電体層
１３８ 導電部
１４０ スルー接続部

Claims (13)

1. 温度測定デバイスを製造する方法であって、
   上面（１０２）および下面（１２４）を有するセラミック基板（１００）と、前記上面（１０２）上に形成された第１接点（１０６，１１２）および第２接点（１０８，１１４）と、これら接点の間に配置された測定フィルム（１１０）と、を含む温度測定センサを準備する工程と、
   前記セラミック基板（１００）の上面（１０２）上の第１接点（１０６，１１２）と前記セラミック基板（１００）の下面（１２４）との間に導電性接続部（１２２，１４２）を形成する工程と、
   前記下面（１２４）上に前記温度測定デバイスの第１パッドとしての第１導電体層（１２６）を、この第１導電体層（１２６）が前記導電性接続部（１２２，１４２）に接触するように形成する工程と、
   前記上面（１０２）上に絶縁層（１１８，１２８）を、前記第１接点（１０６，１１２）と前記測定フィルム（１１０）とがこの絶縁層（１１８，１２８）によって覆われ、かつ前記第２接点（１０８，１１４）が少なくとも部分的に露出するように形成する工程と、
   前記絶縁層（１１８，１２８）上に前記温度測定デバイスの第２パッドとしての第２導電体層（１２０，１３４）を、この第２導電体層（１２０，１３４）が前記第２接点（１０８，１１４）に接触するように形成する工程と、
   を含む製造方法。
2. 前記絶縁層を形成する工程および前記第２導電体層を形成する工程は、
   前記温度測定センサの寸法とほぼ同じ寸法を持つ絶縁プレート（１２８）を準備する工程であって、このプレートは、その上に導電体層（１３４）が形成された第１面（１３０）と、この第１面（１３０）に対向しかつ所定の領域に導電部（１３８）を有する第２面（１３２）と、プレート（１２８）の前記第１面（１３０）上の前記導電体層（１３４）とプレート（１２８）の前記第２面（１３２）の導電部（１３８）とを接続するスルー接続部（１４０）と、を備える工程と、
   前記温度測定センサの前記上面（１０２）および／または前記プレート（１２８）の前記第２面（１３２）上に接合層（１３６）を配置する工程と、
   前記温度測定センサの第２接点（１０８，１１４）が前記プレート（１２８）の導電部（１３８）と接触し、前記プレート（１２８）の第１面（１３０）上の導電体層（１３４）が前記温度測定デバイスの第２パッドを形成するように、前記プレート（１２８）を前記接合層（１３６）を介して前記温度測定センサに積層する工程と、
   を含む、請求項１に記載の製造方法。
3. 前記導電性接続部を形成する工程は、前記第１接点（１０６，１１２）から前記温度測定センサの中を通り前記下面（１２４）まで延びるスルー接続部（１２２）を設けることを含む、請求項１または２に記載の方法。
4. 前記導電性接続部を形成する工程は、前記温度測定センサの第１接点（１０６，１１２）から前記上面（１０２）と下面（１２４）とを結ぶ側面（１４４）を通り、前記温度測定センサの下面（１２４）の第１導電体層（１２６）まで延びる導電体層（１４２）を設けることを含む、請求項１または２に記載の方法。
5. 前記温度測定センサを準備する工程は複数の温度測定センサを有するウエハを準備する工程を含み、前記方法は前記ウエハをダイシングする工程をさらに含む、請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。
6. 温度測定デバイスを製造する方法であって、
   上面（１０２）および下面（１２４）を有し、かつ、前記上面（１０２）上には第１接点（１０６，１１２）および第２接点（１０８，１１４）が形成され、これら接点の間に測定フィルム（１１０）が配置されている基板（１００）を準備する工程であって、前記第１接点（１０６，１１２）および第２接点（１０８，１１４）の最大寸法よりも大きい厚みを有する基板（１００）を準備する工程と、
   前記基板（１００）の２つの側面（１４４，１６２）に、前記第１接点（１０６，１１２）と接続され、かつリード線を接続可能な第１パッド（１６０）と、前記第２接点（１０８，１１４）と接続され、かつリード線を接続可能な第２パッド（１６４）とをそれぞれ形成する工程と、
   を含む製造方法。
7. 前記基板を準備する工程は複数の温度測定センサを有するウエハを準備する工程を含み、前記パッド（１６０，１６４）を形成する工程は前記ウエハ内に切れ目を形成し、この切れ目内に導電性材料を導入する工程を含み、さらに前記方法は前記ウエハをダイシングする工程を含む、請求項６に記載の方法。
8. 前記第１パッドに対して第１リード線（１５２）を接続し、前記第２パッドに対して第２リード線（１５４）を接続する工程をさらに含む、請求項１乃至７のいずれかに記載の方法。
9. 前記温度測定センサおよびリード線（１５２，１５４）を、前記リード線の前記パッドに対する接続領域において覆う被覆層（１５６）を設ける工程をさらに含む、請求項８に記載の方法。
10. 前記リード線（１５２，１５４）は前記パッドに対して溶接またははんだ付けされ、前記被覆層（１５６）はグレーズ、セラミック材料、ポリマー材料、あるいはこれらの複数の組合せ層である、請求項９に記載の方法。
11. 温度測定デバイスであって、
    上面（１０２）および下面（１２４）を有し、かつ、前記上面（１０２）上には第１接点（１０６，１１２）および第２接点（１０８，１１４）が形成され、これら接点の間に測定フィルム（１１０）が配置されているセラミック基板（１００）と、
    前記基板（１００）の上面（１０２）上の第１接点（１０６，１１２）と前記基板（１００）の下面（１２４）との間に設けられた導電性接続部（１２２，１４２）と、
    前記下面（１２４）上に前記温度測定デバイスの第１パッドとして形成され、かつ、前記導電性接続部（１２２）に接触するように配置されている第１導電体層（１２６）と、
    前記上面（１０２）上に、前記第１接点（１０６，１１２）と前記測定フィルム（１１０）とを覆い、かつ前記第２接点（１０８，１１４）が少なくとも部分的に露出するように形成された絶縁層（１１８，１２８）と、
    前記絶縁層（１１８）上に前記温度測定デバイスの第２パッドとして形成され、かつ、前記第２接点（１０８，１１４）に接触するように形成された第２導電体層（１２０，１３４）と、
    を含む温度測定デバイス。
12. 前記絶縁層は、前記基板（１００）の寸法とほぼ同じ寸法を持つ絶縁プレート（１２８）であって、前記第２導電体層（１３４）が形成されている第１面（１３０）と、この第１面（１３０）に対向しかつ所定の領域に導電部（１３８）を有する第２面（１３２）と、前記プレート（１２８）の第１面（１３０）上の第２導電体層（１３４）と前記プレート（１２８）の第２面（１３２）上の導電体層（１３８）とを接続するスルー接続部（１４０）と、を備える絶縁プレート（１２８）を含み、
    前記基板（１００）の上面（１０２）上および／または前記プレート（１２８）の第２面（１３２）上には接合層（１３６）が形成され、
    前記基板（１００）の第２接点（１０８，１１４）が前記プレート（１２８）の導電部（１３８）と接触し、前記プレート（１２８）の第１面（１３０）上の導電体層（１３４）が温度測定デバイスの第２パッドを形成するように、前記プレート（１２８）と前記基板（１００）とが前記接合層（１３６）を介して積層された、請求項１１に記載の温度測定デバイス。
13. 温度測定デバイスであって、
    上面（１０２）および下面（１２４）を有し、かつ、前記上面（１０２）上に第１接点（１０６，１１２）および第２接点（１０８，１１４）が形成され、これら接点の間に測定フィルム（１１０）が配置されている基板（１００）であって、その厚みは前記第１接点（１０６，１１２）および第２接点（１０８，１１４）の最大寸法よりも大きい基板（１００）と、
    前記第１接点（１０６，１１２）に接続され、リード線を接続可能な第１パッド（１６０）と、
    前記第２接点（１０８，１１４）に接続され、リード線を接続可能な第２パッド（１６４）と、を含み、
    前記第１パッド（１６０）と前記第２パッド（１６４）とが、前記基板（１００）の２つの側面（１４４，１６２）にそれぞれ形成されている温度測定デバイス。

Images